JP2017043510A - シリコン単結晶の製造方法および装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明によるシリコン単結晶の製造方法は、石英ルツボ12内に収容されたシリコン融液3に水平磁場を印加しながらシリコン融液3からシリコン単結晶2を引き上げる方法であって、磁場中心の高さ位置Cを融液面付近に設定して水平磁場を印加する第1の磁場印加工程と、磁場中心の高さ位置を融液面付近よりも下方に設定して水平磁場を印加する第2の磁場印加工程とを含む。第1の磁場印加工程は少なくともシリコン単結晶2の製品取得領域の育成工程中に行われ、第2の磁場印加工程は製品取得領域の育成工程御終了後に行われる。
【選択図】図1
Description
2 シリコン単結晶
2a ネック部
2b ショルダー部
2c ボディー部
2d テール部
3 シリコン融液
10 チャンバー
10A メインチャンバー
10B プルチャンバー
11 断熱材
12 石英ルツボ
13 サセプタ
14 回転支持軸
15 ヒータ
16 熱遮蔽体
17 単結晶引き上げ用ワイヤー
18 ワイヤー巻き取り機構
19A ガス吸気口
19B ガス排気口
20A バルブ
20B バルブ
21 真空ポンプ
30 磁場印加装置
31A,31B 電磁石コイル
32 支持台
33 昇降機構
34 制御部
Claims (6)
- 石英ルツボ内に収容されたシリコン融液に水平磁場を印加しながら前記シリコン融液からシリコン単結晶を引き上げるシリコン単結晶の製造方法であって、
磁場中心の高さ位置を融液面付近に設定して前記水平磁場を印加する第1の磁場印加工程と、
前記磁場中心の高さ位置を融液面付近よりも下方に設定して前記水平磁場を印加する第2の磁場印加工程とを含み、
前記第1の磁場印加工程は、少なくともシリコン単結晶の製品取得領域の育成工程中に行われ、
前記第2の磁場印加工程は、前記製品取得領域の育成工程終了後に行われることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 - 前記第1の磁場印加工程は、前記シリコン単結晶の引き上げ工程開始から前記シリコン単結晶の引き上げ率が90%に達するまでの間に行われ、
前記第2の磁場印加工程は、前記シリコン単結晶の引き上げ率が90%に達してから前記引き上げ工程終了までの間に行われる、請求項1に記載のシリコン単結晶の製造方法。 - 前記第1の磁場印加工程は、結晶直径が一定に維持されたボディー部を育成するボディー部育成工程中に少なくとも行われ、
前記第2の磁場印加工程は、結晶直径が徐々に減少したテール部を育成するテール部育成工程中に行われる、請求項1または2に記載のシリコン単結晶の製造方法。 - 前記第2の磁場印加工程において、前記磁場中心の高さ位置から前記融液面の高さまでの距離が150mm以上である、請求項1ないし3のいずれか一項に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 石英ルツボ内に収容されたシリコン融液に水平磁場を印加しながら前記シリコン融液からシリコン単結晶を引き上げるシリコン単結晶の製造方法であって、
前記石英ルツボ内のシリコン原料を加熱してシリコン融液を生成するシリコン融液生成工程と、
前記シリコン融液に種結晶を着液させる着液工程と、
結晶直径が徐々に増加したショルダー部を育成するショルダー部育成工程と、
結晶直径が一定に維持されたボディー部を育成するボディー部育成工程と、
結晶直径が徐々に減少したテール部を育成するテール部育成工程とを備え、
前記テール部育成工程における前記水平磁場の中心位置の高さは、前記ボディー部育成工程における前記水平磁場の中心位置の高さよりも低いことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 - シリコン融液を支持する石英ルツボと、
前記シリコン融液に水平磁場を印加する磁場印加装置と、
前記シリコン融液からシリコン単結晶を引き上げる引き上げ機構とを備え、
前記磁場印加装置は、前記水平磁場の高さ方向の位置を制御する制御部を含み、
前記制御部は、
前記シリコン単結晶の製品取得領域の育成工程が終了するまでは磁場中心の高さ位置を融液面付近に設定して前記水平磁場の印加を行い、
前記製品取得領域の育成工程の終了後は前記磁場中心の高さ位置を前記融液面付近よりも下方に設定して前記水平磁場の印加を行うことを特徴とするシリコン単結晶製造装置。
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