JP2004262723A - 単結晶引上装置及び単結晶引上方法 - Google Patents
単結晶引上装置及び単結晶引上方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004262723A JP2004262723A JP2003055845A JP2003055845A JP2004262723A JP 2004262723 A JP2004262723 A JP 2004262723A JP 2003055845 A JP2003055845 A JP 2003055845A JP 2003055845 A JP2003055845 A JP 2003055845A JP 2004262723 A JP2004262723 A JP 2004262723A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- single crystal
- shield
- raw material
- heater
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
【解決手段】るつぼ内の原料融液から単結晶を引き上げる単結晶引上装置であって,前記るつぼの周囲に配置されるヒータと,るつぼ内の原料融液から引き上げられた単結晶の外周面を包囲するシールドとを備えるものにおいて,前記るつぼ,ヒータ,シールドのうち少なくとも2つを独立して昇降可能な構成とした。結晶成長中に,前記るつぼ,ヒータ,シールドのうち少なくとも2つを昇降させることにより,表面亜粒界や転位の発生の抑制,底付きの防止,直径制御性等をバランスよく調整し,品質の良い単結晶を比較的簡単に得ることができる。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は,単結晶をシールドによって包囲しながら引き上げる単結晶引上装置及び単結晶引上方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来,シリコンや化合物半導体の単結晶を製造する方法として,るつぼの中に原料融液を貯留し,その原料融液表面に種結晶を接触させ,種結晶を原料融液に対して回転させながら引き上げることにより,単結晶を棒状に成長させるチョクラルスキー法が知られている。かかるチョクラルスキー法を行う単結晶引上装置は,回転可能なるつぼと,単結晶を引き上げる引上げ軸を備えており,るつぼの外周を包囲するようにヒータが配置される。この構成により,るつぼ内に充填した原料融液をヒータによって加熱しながら,単結晶を引き上げる一連の工程が行われる。また,原料融液から引き上げた単結晶の外周面を包囲するヒートシールドを備えたものが知られている。これによりヒータからの輻射熱が遮られ,単結晶の冷却が促進されるので,単結晶化率が向上する。
【0003】
このようなヒートシールドを備えた単結晶引上装置において,例えば,ヒートシールドを昇降させることが提案されている(特許文献1,2参照)。また,るつぼを昇降させることが提案されている(特許文献3,4参照)。これらの装置によれば,るつぼに固体原料を充填する際に,ヒートシールドを邪魔にならない位置に離隔させることができるので,原料の充填及び融解を効率的に行うことができる。更に特許文献3,4の機構によれば,るつぼ内の原料融液上に充填した液体封止材の液面とヒートシールド下端との間のギャップ(隙間)の高さを一定に制御することにより,単結晶の品質を安定させることができる。
【0004】
【先行技術文献】
【特許文献1】
特開平5−194076
【特許文献2】
特開平7−10683
【特許文献3】
特開2001−261483
【特許文献4】
特開平8−104591
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら,品質の良い単結晶を引き上げるためには,様々な条件が要求される。例えば,表面亜粒界(結晶の表面に成長方向に伸びるように現れる細い線であり,表面結晶亜粒界,結晶表面亜粒界など)は,それらを起点に多結晶化を招くことがある。また,結晶中に転位が多く発生し過ぎたり,転位の集積によるリネージが発生すると,不良品となってしまう。また,単結晶を引き上げている間,るつぼ底部で固化した原料が成長中の結晶とぶつかるといったいわゆる底付きの発生も防止しなければならない。更に,引き上げの際には,直径制御性も要求される。
【0006】
従来の単結晶引上装置では,こられ表面亜粒界や転位の発生の抑制,底付きの防止,直径制御性をバランスよく調整することが困難であり,品質の良い単結晶を容易に得られないという問題があった。
【0007】
従って,本発明の目的は,単結晶の品質を向上させることができる単結晶引上装置及び単結晶引上方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決すべく種々の研鑽を重ねた結果,本発明者らは,原料融液が入れられているるつぼと,ヒータと,単結晶を包囲するシールドのうち少なくとも2つを独立して昇降させて,お互いの相対的な高さの関係を調整することにより,表面亜粒界や転位の発生の抑制,底付きの防止を達成できると共に,直径制御性も維持でき,品質の良い単結晶を比較的簡単に得られるようになるといった知見を得た。かかる知見のもとに,本発明では,るつぼ内の原料融液から単結晶を引き上げる単結晶引上装置であって,前記るつぼの周囲に配置されるヒータと,るつぼ内の原料融液から引き上げられた単結晶の外周面を包囲するシールドとを備えるものにおいて,前記るつぼ,ヒータ,シールドのうち少なくとも2つを独立して昇降可能な構成とした。
【0009】
本発明の単結晶引上装置は,前記るつぼ,ヒータ,シールドの全部を独立して昇降可能な構成としても良いが,前記るつぼ,ヒータ,シールドのうち少なくとも2つを独立して昇降可能な構成とすれば足りる。例えば,前記るつぼを昇降させるるつぼ昇降機構と,前記シールドを昇降させるシールド昇降機構を備えていても良い。その場合,前記るつぼ昇降機構は,るつぼ昇降回転機構であっても良い。
【0010】
また,本発明によれば,るつぼに貯留した原料融液をヒータによって加熱し,前記原料融液から単結晶をシールドで包囲しながら引き上げる単結晶引上方法において,結晶成長中に,前記るつぼ,ヒータ,シールドのうち少なくとも2つを昇降させるように構成した。
【0011】
この単結晶引上方法において,引き上げを開始した後は,引き上げ開始時よりも,前記原料融液の液面に対する前記ヒータの高さが低くなるように,前記るつぼもしくは前記ヒータの少なくとも一方を昇降させるようにしても良い。また,前記原料融液の液面が液体封止材によって覆われたLEC法に,この単結晶引上方法を適用することができる。なお,LEC法の場合,前記シールドの下端が,前記液体封止材の液面から一定の高さとなるように,前記るつぼもしくは前記シールドの少なくとも一方を昇降させることが例示される。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下,本発明の好ましい実施の形態を,LEC法により化合物半導体の単結晶引き上げを行う単結晶引上装置1に基いて説明する。図1は,本実施の形態にかかる単結晶引上装置1の概略を示している。図1に示すように,単結晶引上装置1の炉2の内部には,単結晶の原料融液3を貯留するるつぼ4が備えられている。るつぼ4内に貯留された原料融液3の液面は,液体封止材5によって覆われている。るつぼ4は上端が開口した有底の円筒形状をなす。このるつぼ4は,るつぼ4の外周壁及び底面の外側を包むサセプタ6によって保持されている。
【0013】
るつぼ4内の原料融液3から単結晶10を引き上げる引上げ軸11が,炉2の天井からるつぼ4内部に向かって垂直に垂下されている。引上げ軸11は,るつぼ4の中心軸に一致して配置されている。引上げ軸11の下端には,単結晶の種結晶が取り付けられている。引上げ軸11は,炉2の天井面を貫通し,引上げ軸11の上端には,炉2の外部に設けられた図示しない引上げ軸駆動機構が接続されている。そして,その図示しない引上げ軸駆動機構の稼動により,引上げ軸11下端に支持された種結晶を,るつぼ4の中心軸に沿って回転させながら昇降させるようになっている。
【0014】
炉2の内部には,るつぼ4内の原料融液3を加熱するヒータ12が,るつぼ4の外周壁(サセプタ6の外周壁)を包囲するように配置されている。図示の例では,ヒータ12は,上中下の3段に分割された3つのリングヒータ部12a,12b,12cで構成されている。各リングヒータ部12a,12b,12cは,るつぼ4の中心軸を中心にして,るつぼ4(サセプタ6)を包囲するように配置され,かつ,各リングヒータ部12a,12b,12cは,いずれも炉2の内面に対して固定されている。これら3つのリングヒータ部12a,12b,12cで構成されるヒータ12の加熱中心高さ(発熱中心高さ)12’は,中段に配置されたリングヒータ部12bの真中の高さに設定されている。
【0015】
るつぼ4内に貯留されている原料融液3の上方には,後述するように引上げ軸11によって原料融液3から引き上げられる単結晶10の外周面を包囲するシールド15が備えられている。
【0016】
図2は,シールド15の拡大斜視図である。シールド15は,後述するようにるつぼ4内の原料融液3から引き上げられる単結晶10の外側を囲むように形成された円筒部15aと,円筒部15a下端の内側に沿って環状に形成された環状部15bと,円筒部15aの上端から外側に向かって水平に突出するように取り付けられた一対の支持部15c,15cによって構成されている。これら円筒部15a,環状部15b,支持部15cはいずれもグラファイトからなり,シールド15全体が優れた熱遮断性能を有している。
【0017】
円筒部15aは,るつぼ4の中心軸を中心に配置されている。円筒部15aは,るつぼ4の上面開口部からるつぼ4の内部に入出可能な大きさに形成され,かつ,引き上げ中の単結晶10の外周面を所定の隙間をあけて囲むことができる大きさに形成されている。後述するように原料融液3から単結晶10が引き上げられる際には,シールド15の円筒部15aが単結晶10の外側を囲むように配置され,るつぼ4の周囲に配置されたヒータ12から単結晶10に輻射する輻射熱を遮るようになっている。
【0018】
炉2の内壁面に沿って,ヒータ12の外周面とるつぼ4(サセプタ6)の底面を外側から包み込むように,断熱材16が配置されている。
【0019】
炉2の下方には,炉2の内部でるつぼ4を回転及び昇降させるるつぼ昇降回転機構20と,炉2の内部でシールド15を昇降させるシールド昇降機構21が配置されている。これらるつぼ昇降回転機構20とシールド昇降機構21の稼動により,るつぼ4とシールド15は,それぞれ独立して昇降可能である。これにより,るつぼ4とヒータ12の相対高さ,ヒータ12とシールド15の相対高さ,るつぼ4とシールド15の相対高さが,それぞれ所望の距離に調整できるようになっている。
【0020】
るつぼ4を載置させているサセプタ6は,回転及び昇降可能なるつぼ軸25の上端に支持されている。るつぼ軸25は,断熱材16及び炉2の底面を貫通し,その下端は,炉2の下方に配置されたるつぼ昇降回転機構20に接続されている。そして,るつぼ昇降回転機構20の回転駆動によって,るつぼ軸25上端に支持されたるつぼ4(サセプタ6)が炉2の内部において回転し,また,るつぼ昇降回転機構20の昇降駆動によって,るつぼ4(サセプタ6)が炉2の内部において所望の高さに上昇及び下降するようになっている。
【0021】
シールド15は,左右両側に突設された支持部15c,15cを介して,2本のステンレス製の昇降ロッド26,27の上端に支持されている。これら2本の昇降ロッド26,27は断熱材16及び炉2の底面を貫通し,それらの下端が炉2の下方に突出している。炉2の下方において,一方の昇降ロッド26は,他方の昇降ロッド27に,接続部材28を介して固定されている。また,他方の昇降ロッド27の下端は,炉2の下方に配置されたシールド昇降機構21に接続されている。そして,シールド昇降機構21の昇降駆動により,炉2の内部において,シールド15が所望の高さに上昇及び下降するようになっている。
【0022】
次に,以上に説明した単結晶引上装置1において,単結晶10を引き上げる方法を説明する。るつぼ4内には,原料融液3が貯留されており,原料融液3の液面全体は液体封止材5の層によって覆われた状態になっている。
【0023】
そして,引上げ軸11をるつぼ4内の原料融液3に対して相対的に下降させることにより,引上げ軸11下端に取りつけた種結晶をるつぼ4内の原料融液3液面に接触させ,種結晶から単結晶を成長させる。そして,引上げ軸11を原料融液3の液面から上昇させることにより,原料融液3の上方に単結晶10をゆっくりと引き上げていく。
【0024】
ここで,単結晶10を形成する過程を詳しく説明すると,先ず,引上げ軸11下端に支持された種結晶を原料融液3に接触させ,るつぼ4を回転させながら種結晶を上昇させると,種結晶から原料融液3中に半径方向及び高さ方向に単結晶10が成長し,引き上げられていく。この場合,最初は単結晶10の径を次第に大きくしながら引き上げ,単結晶10の首10aと,首10aから略円錐状に広がる肩部10bを形成する。その後,肩部10bに引続いて単結晶の径をほぼ一定値にしながら引き上げ,直胴部10cを形成する。最後に,単結晶の径を直胴部10cの下端の径より次第に小さくしながら引き上げて,直胴部10cの下端から略円錐状に絞られた形状の単結晶10の絞り部(図示せず)を形成する。このように,首10a,肩部10b,直胴部10c,絞り部を連続的に成長させることにより,単結晶10が製造される。
【0025】
本発明では,このような首10a,肩部10b,直胴部10c,絞り部を連続的に成長させて単結晶10を形成させる過程において,結晶成長中の状況に応じてるつぼ4,ヒータ12,シールド15のうち少なくとも2つを昇降させ,互いの高さを調整することにより,品質の良い単結晶10を得る。例えば,るつぼ4とヒータ12の相対的な高さは,原料融液3中の温度分布や対流分布,単結晶10中の転位の発生などに影響する。また,るつぼ4とシールド15の相対的な高さは,ヒータ12から単結晶10への熱の輻射量を決定し,結晶成長の直径制御性や表面亜粒界の発生などに影響する。るつぼ昇降回転機構20の駆動によって,るつぼ4を上昇させ,るつぼ4内に入れられている原料融液3の中心を,ヒータ12の加熱中心高さ12’に近づければ,るつぼ4底部での原料融液3の固化を妨げ,底付きを防止できる。その逆に,るつぼ昇降回転機構20の駆動によって,るつぼ4を下降させ,るつぼ4内に入れられている原料融液3の液面を,ヒータ12の加熱中心高さ12’よりも低くすれば,転位やリネージの発生を抑制できるようになる。また,シールド昇降機構21の稼動によりシールド15を下降させるか,るつぼ昇降回転機構20の駆動によってるつぼ4を上昇させて,るつぼ4内の原料融液3の液面に対するシールド15下端の高さを小さくすれば,結晶成長の直径制御性を向上させることができる。一方,シールド15を上昇させるか,るつぼ4を下降させて,原料融液3の液面に対するシールド15下端の高さを大きくすれば,表面亜粒界の発生を抑制できるが,この高さをあまり大きくしすぎると,化合物の単結晶10では,結晶表面から高蒸気圧成分が飛散し,結晶の融解が起きてしまう。
【0026】
ここで,結晶成長中におけるるつぼ4,ヒータ12,シールド15の高さ制御の一例を示せば次のようである。先ず,単結晶10の引き上げ開始時には,るつぼ昇降回転機構20の稼動により,るつぼ4を下降させ,図3に示すように,原料融液3の液面3’の高さを,ヒータ12の加熱中心高さ12’よりも低くさせる。
【0027】
また,シールド昇降機構21の稼動により,シールド15を適宜昇降させ,単結晶10の引き上げ開始時には,シールド15の下端15’と液体封止材5の液面5’との間にギャップGが形成されるように配置する。この場合,液体封止材5の液層の厚さを5aとすれば,原料融液3の液面3’に対するシールド15下端の高さはG+5aとなる。
【0028】
次に,引き上げを開始した後,単結晶10の首10aから肩部10bを成長させる間は,るつぼ昇降回転機構20の稼動により,るつぼ4を回転させながら徐々に上昇させ,図4に示すように,原料融液3の液面3’をヒータ12の加熱中心高さ12’に近付けていく。このように,引き上げ開始後は,原料融液3の液面3’の高さを上昇させ,引き上げ開始時に比べて原料融液3の液面3’の高さに対するヒータ12の加熱中心高さ12’を相対的に低くしていく。なお,結晶成長中は,るつぼ4内の原料融液3は単結晶10として引き上げられた分だけ減っていき,るつぼ4内の底面を基準とした原料融液3の液面高さは低くなって行く。このため,単結晶10の引き上げ開始後は,このようなるつぼ4内の原料融液3の減少分も考慮して,るつぼ昇降回転機構20の稼動により,るつぼ4を上昇させることが必要である。
【0029】
一方,このように単結晶10の引き上げを開始した後においても,シールド15の下端15’と液体封止材5の液面5’との間のギャップGは,単結晶10の引き上げ開始時と同じ一定の距離に維持するように,シールド昇降機構21の稼動によってシールド15を適宜昇降させる。なお,単結晶10の首10aから肩部10bを成長させる間においては,肩部10bが徐々に広がっていくことにより,液体封止材5の液層の厚さ5aは,単結晶10が引き上げられて行くにつれて徐々に厚くなっていく。従って,単結晶10の首10aから肩部10bを成長させる間においては,G+5aで表される原料融液3の液面3’に対するシールド15の下端15’の高さも徐々に大きくなって行く。
【0030】
次に,単結晶10を直胴部10cまで成長させた時には,原料融液3の液面3’とヒータ12の加熱中心高さ12’の高さがほぼ同じになるように,るつぼ昇降回転機構20の稼動によってるつぼ4を上昇させる。そして,単結晶10を直胴部10cまで成長させた後は,図5に示すように,原料融液3の液面3’とヒータ12の加熱中心高さ12’の高さがほぼ同じとなった状態を保つように,るつぼ昇降回転機構20の稼動によってるつぼ4を回転上昇させていく。この場合も,結晶成長にともなってるつぼ4内の原料融液3は単結晶10として引き上げられた分だけ減っていき,るつぼ4内の底面を基準とした原料融液3の液面3’の高さは低くなって行く。このため,単結晶10を直胴部10cまで成長させた後においても,このようなるつぼ4内の原料融液3の減少分を考慮して,るつぼ昇降回転機構20の稼動により,るつぼ4を上昇させることが必要である。
【0031】
また,単結晶10を直胴部10cまで成長させた時及びその後においても同様に,シールド15の下端15’と液体封止材5の液面5’との間のギャップGは,単結晶10の引き上げ開始時と同じ一定の距離に維持するように,シールド昇降機構21の稼動によってシールド15を適宜昇降させる。なお,単結晶10を直胴部10cまで成長させた後は単結晶10の直径が一定となるので,液体封止材5の液層の厚さ5aも一定(最大値)となる。従って,単結晶10の直胴部10cを成長させる間においては,G+5aで表される原料融液3の液面3’に対するシールド15下端の高さも一定(最大値)となる。
【0032】
このように,首10a,肩部10b,直胴部10c,絞り部を連続的に成長させて単結晶10を製造する過程において,結晶成長中の状況に応じてるつぼ4,ヒータ12,シールド15の相対的な高さを調整することにより,単結晶10と原料融液3との界面形状や単結晶10の直径制御性などを制御し,単結晶10中における転位やリネージの発生の抑制,単結晶10の表面亜粒界の発生の抑制,るつぼ4底部での原料融液3の固化による底付きの防止などをバランスよく行うことにより,品質の良い単結晶10を得ることが可能となる。なお,シールド15の下端15’と液体封止材5の液面5’との間のギャップGを所定の高さに維持することにより,シールド15の下端15’が液体封止材5に浸漬することを防止できる。
【0033】
以上,本発明の好適な実施の形態の一例を示したが,本発明はここで説明した形態に限定されないことは勿論であり,適宜変更実施することが可能である。本実施の形態においては,ヒータ12を固定し,るつぼ4とシールド15を昇降可能な構成としたが,るつぼ4,ヒータ12,シールド15のうち少なくとも2つが独立して昇降可能な構成であれば,るつぼ4とヒータ12との相対位置と,ギャップG2の高さを独立して制御することが可能である。例えば,るつぼ4を固定して,ヒータ12とシールド15を昇降可能な構成としても良い。また,シールド15を固定して,るつぼ4とヒータ12を昇降可能な構成としても良い。更に,るつぼ4,ヒータ12,シールド15のいずれもが昇降できる構成であっても良い。
【0034】
シールド15の形状は,本実施の形態で示したような円筒状に限定されず,ヒータ12から単結晶10への輻射熱を遮ることができるものであれば,種々の形状に変形可能である。例えば,下方に向かうに従って直径が小さくなる円錐形状であっても良い。また,シールド15の材質には,ヒータ12から単結晶10への輻射熱を遮ることができるものであれば,種々のものを使用可能である。
【0035】
シールド15を支持して昇降させる機構は,2本の昇降ロッド26,27を用いるものに限定されない。例えば,炉2の天井部から複数本のワイヤーを垂下させ,複数本のワイヤーによってシールド15を吊り下げて支持し,各ワイヤーを互いに同期させながら巻き上げることにより,シールド15下端を略水平に維持して上昇させることもできる。るつぼ4を支持して昇降させる機構も同様である。
【0036】
本発明は,GaAsの他,種々の化合物半導体の単結晶成長に適用できる。また,本実施の形態では,液体封止材5を用いて原料融液3液面を封止するLEC法により単結晶10を成長させる場合について説明したが,液体封止材5を用いない場合でも本発明を適用することが可能である。
【0037】
るつぼ4,ヒータ12,シールド15の相対的な高さは,結晶成長中の状況に応じて適宜調整すれば良い。例えば,単結晶10の引き上げ開始時に原料融液3の液面3’の高さをヒータ12の加熱中心高さ12’よりも低くさせることにより,結晶成長の初期段階での転位やリネージの発生を抑制することができ,原料融液3と単結晶10との固液界面(成長界面)を理想的な下に凸の形状,即ち,単結晶10の下面が円錐形状に原料融液3中に突出するような形状にすることができる。また,単結晶10の直胴部10cを形成する際には,単結晶10の肩部5bを形成する間よりも,原料融液3の液面に対するシールド15下端の高さを小さくして,結晶成長の直径制御性を向上させることも可能である。
【0038】
その他,るつぼ昇降回転機構20やシールド昇降機構21の稼動を司るコントローラを設け,予め定めたプログラムに従ってるつぼ昇降回転機構20やシールド昇降機構21の稼動を制御し,るつぼ4,ヒータ12,シールド15の相対的な高さを調整するようにしても良い。その場合,るつぼ4の高さ,るつぼ4内の原料融液3の液面高さ3’,液体封止材5の液面高さ5’,ヒータ12の加熱中心高さ12’,シールド15の下端の高さなどを検知する検出機構を必要に応じて配置し,それら各検出機構による検出信号に基いて,前記コントローラによって,るつぼ昇降回転機構20やシールド昇降機構21の稼動を制御するようにすれば,自動運転もできるようになる。
【0039】
【実施例】
(実施例)
実施の形態で説明した単結晶引上装置1を用いてLEC法によりGaAsの単結晶10を製造した。単結晶10は,直胴部10cの直径が約6インチ,重量が約20kgであった。また,首10aから肩部10bまでの重量は約3.5kgであった。
【0040】
図6に示すように,単結晶10の成長量(g)に対して,るつぼ4の底面の高さ(mm)と,原料融液3の液面3’の高さ(mm)と,液体封止材5の液面5’の高さ(mm)と,シールド15の下端15’の高さ(mm)をそれぞれ変化させた。なお,各高さは,単結晶引き上げ開始時に配置されるるつぼ4の底面の高さ(図3に示するつぼ4底面の初期高さ)を基準高さとして示している。
【0041】
加熱中心高さ12’は,基準高さから約85mmであった。るつぼ4の径は約11インチであり,引き上げ開始時において,るつぼ4内に貯留した原料融液3の重量は約21kg,原料融液3の高さは約80mm,液体封止材5の厚さ5aは約20mm程度になるようにした。また,シールド15の下端の高さ15’は約105mmであり,シールド15の下端と液体封止材5の液面5’との間のギャップGは約5mmとした。
【0042】
単結晶引き上げ開始後は,単結晶10の首10aから肩部10bを成長させる間,るつぼ4を回転させながら上昇させ,原料融液3の液面3’を徐々に上昇させた。そして,直胴部10cの成長に移行する時(肩部10bの成長終了時)に,原料融液3の液面3’が加熱中心高さ12’となるようにした。また,液体封止材5の液面5’は,単結晶10の首10aから肩部10bを成長させる間に,このような原料融液3の液面3’の上昇に加え,更に,液体封止材5の厚さ5aの増加によって,より多く上昇した。この間も,シールド15の下端15’と液体封止材5の液面5’との間のギャップGを約5mmに維持するようにシールド15を上昇させた。直胴部10cの成長に移行する時には,液体封止材5の液面5’の高さは約115mmになり,シールド15の下端15’の高さは約120mmになった。
【0043】
その後,直胴部10cを成長させた。直胴部10cを成長させる間は,原料融液3の液面3’を加熱中心高さ12’と同じ高さに維持させるように,るつぼ4を回転させながら上昇させた。また,シールド15の下端15’と液体封止材5の液面5’との間のギャップGは約5mmに維持した。
【0044】
この実施例によれば,首10a,肩部10b,及び直胴部10cを成長させる間,下に凸の理想的な成長界面を維持することができた。また,首10aから肩部10b,直胴部10c前半部分にかけて,転位の集積が発生する確率は,ほぼ0%であった。
【0045】
(比較例1)
同じ単結晶引上装置1を用いたが,シールド15を固定して引き上げを行った。単結晶引き上げ開始時から首10a,肩部10b,直胴部10cを形成する間,原料融液3の液面3’を加熱中心高さ12’と同じ高さに維持させるようにるつぼ4を上昇させた。その結果,肩部10bから直胴部10cの前半部分にかけて,転位の集積が発生する確率は約40%であった。この転位の集積のうち約10%がリネージ化し,不良の原因となった。
【0046】
(比較例2)
同様に,同じ単結晶引上装置1を用いたが,シールド15を固定して引き上げを行った。但し,単結晶引き上げ開始後,首10a,肩部10bを形成する間,原料融液3の液面3’の高さを約80mmの位置から連続的に上昇させ,直胴部10cの成長に移行した時には,原料融液3の液面3’の高さが加熱中心高さ12’と同じ高となるように,るつぼ4を上昇させた。その結果,肩部10bを引き上げる途中で,液体封止材5の液面5’がシールド15の下端15’に達してしまい,肩部10bの直径制御が不可能となり,成長継続が不可能な状態となった。
【0047】
【発明の効果】
本発明によれば,表面亜粒界や転位の発生の抑制,底付きの防止,直径制御性等をバランスよく調整でき,品質の良い単結晶が比較的容易に得られるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかる単結晶引上装置の概要を示す縦断面図である。
【図2】シールドの斜視図である。
【図3】単結晶引き上げ開始時における,るつぼ,ヒータ,シールドの位置関係を示す説明図である。
【図4】肩部を成長させる間における,るつぼ,ヒータ,シールドの位置関係を示す説明図である。
【図5】直胴部を成長させる間における,るつぼ,ヒータ,シールドの位置関係を示す説明図である。
【図6】本発明の実施例における,るつぼの底面の位置と,原料融液液面の位置と,液体封止材液面の位置と,シールド下端の位置の変化を示したグラフである。
【符号の説明】
1 単結晶引上装置
2 炉
3 原料融液
4 るつぼ
5 液体封止材
6 サセプタ
10 単結晶
11 引上げ軸
12 ヒータ
12’ 加熱中心高さ
15 シールド
16 断熱材
20 るつぼ昇降回転機構
21 シールド昇降機構
25 るつぼ軸
26,27 昇降ロッド
Claims (7)
- るつぼ内の原料融液から単結晶を引き上げる単結晶引上装置であって,
前記るつぼの周囲に配置されるヒータと,るつぼ内の原料融液から引き上げられた単結晶の外周面を包囲するシールドとを備え,
前記るつぼ,ヒータ,シールドのうち少なくとも2つを独立して昇降可能な構成としたことを特徴とする,単結晶引上装置。 - 前記るつぼを昇降させるるつぼ昇降機構と,前記シールドを昇降させるシールド昇降機構を備えることを特徴とする,請求項1に記載の単結晶引上装置。
- 前記るつぼ昇降機構は,るつぼ昇降回転機構であることを特徴とする,請求項1又は2に記載の単結晶引上装置。
- るつぼに貯留した原料融液をヒータによって加熱し,前記原料融液から単結晶をシールドで包囲しながら引き上げる単結晶引上方法であって,
結晶成長中に,前記るつぼ,ヒータ,シールドのうち少なくとも2つを昇降させることを特徴とする,単結晶引上方法。 - 引き上げを開始した後は,引き上げ開始時よりも,前記原料融液の液面に対する前記ヒータの高さが低くなるように,前記るつぼもしくは前記ヒータの少なくとも一方を昇降させることを特徴とする,請求項4に記載の単結晶引上方法。
- 前記原料融液の液面を液体封止材によって覆うことを特徴とする,請求項4又は5に記載の単結晶引上方法。
- 前記シールドの下端が,前記液体封止材の液面から一定の高さとなるように,前記るつぼもしくは前記シールドの少なくとも一方を昇降させることを特徴とする,請求項6に記載の単結晶引上方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003055845A JP4272449B2 (ja) | 2003-03-03 | 2003-03-03 | 単結晶引上方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003055845A JP4272449B2 (ja) | 2003-03-03 | 2003-03-03 | 単結晶引上方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004262723A true JP2004262723A (ja) | 2004-09-24 |
JP4272449B2 JP4272449B2 (ja) | 2009-06-03 |
Family
ID=33119739
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003055845A Expired - Fee Related JP4272449B2 (ja) | 2003-03-03 | 2003-03-03 | 単結晶引上方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4272449B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7344596B2 (en) * | 2005-08-25 | 2008-03-18 | Crystal Systems, Inc. | System and method for crystal growing |
WO2010103594A1 (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-16 | 信越半導体株式会社 | 単結晶の製造方法 |
KR101069911B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2011-10-05 | 주식회사 엘지실트론 | 실리콘 단결정 잉곳 성장장치의 제어방법 |
CN107815727A (zh) * | 2017-11-16 | 2018-03-20 | 浙江晶盛机电股份有限公司 | 一种用于单晶炉的快捷化料机构 |
JP2021031341A (ja) * | 2019-08-27 | 2021-03-01 | 住友金属鉱山株式会社 | タンタル酸リチウム単結晶の製造方法 |
CN115613118A (zh) * | 2022-09-27 | 2023-01-17 | 郭李梁 | 一种提高坩埚中心部位熔液温度的装置 |
-
2003
- 2003-03-03 JP JP2003055845A patent/JP4272449B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101069911B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2011-10-05 | 주식회사 엘지실트론 | 실리콘 단결정 잉곳 성장장치의 제어방법 |
EP1937876A2 (en) * | 2005-08-25 | 2008-07-02 | Crystal Systems, Inc. | System and method for crystal growing |
EP1937876A4 (en) * | 2005-08-25 | 2010-07-07 | Crystal Syst | SYSTEM AND METHOD FOR CRYSTALLOGENESIS |
US7344596B2 (en) * | 2005-08-25 | 2008-03-18 | Crystal Systems, Inc. | System and method for crystal growing |
US8177910B2 (en) | 2005-08-25 | 2012-05-15 | Gt Crystal Systems, Llc | System and method for crystal growing |
US7918936B2 (en) | 2005-08-25 | 2011-04-05 | Gt Crystal Systems, Llc | System and method for crystal growing |
WO2010103594A1 (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-16 | 信越半導体株式会社 | 単結晶の製造方法 |
JP2010208908A (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶の製造方法 |
US8308864B2 (en) | 2009-03-11 | 2012-11-13 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Single-crystal manufacturing method |
CN107815727A (zh) * | 2017-11-16 | 2018-03-20 | 浙江晶盛机电股份有限公司 | 一种用于单晶炉的快捷化料机构 |
CN107815727B (zh) * | 2017-11-16 | 2023-11-17 | 浙江晶盛机电股份有限公司 | 一种用于单晶炉的快捷化料机构 |
JP2021031341A (ja) * | 2019-08-27 | 2021-03-01 | 住友金属鉱山株式会社 | タンタル酸リチウム単結晶の製造方法 |
JP7271842B2 (ja) | 2019-08-27 | 2023-05-12 | 住友金属鉱山株式会社 | タンタル酸リチウム単結晶の製造方法 |
CN115613118A (zh) * | 2022-09-27 | 2023-01-17 | 郭李梁 | 一种提高坩埚中心部位熔液温度的装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4272449B2 (ja) | 2009-06-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5413354B2 (ja) | シリコン単結晶引き上げ装置及びシリコン単結晶の製造方法 | |
JP5831436B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
TWI632257B (zh) | 單晶矽的製造方法 | |
US20030047130A1 (en) | Process for eliminating neck dislocations during czochralski crystal growth | |
JP2015205793A (ja) | 単結晶引き上げ方法 | |
US20120279438A1 (en) | Methods for producing single crystal silicon ingots with reduced incidence of dislocations | |
JP4272449B2 (ja) | 単結晶引上方法 | |
JP4161655B2 (ja) | 結晶製造用ヒーター及び結晶製造装置並びに結晶製造方法 | |
JP3698080B2 (ja) | 単結晶引上げ方法 | |
EP2045371B1 (en) | Method and apparatus for manufacturing an ultra low defect semiconductor single crystalline ingot | |
JP6485286B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
KR101530272B1 (ko) | 잉곳성장장치 및 잉곳성장방법 | |
JP2001261482A (ja) | 単結晶育成方法 | |
JP6658421B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JP7184029B2 (ja) | 単結晶シリコンインゴットの製造方法 | |
JP4702266B2 (ja) | 単結晶の引上げ方法 | |
KR20190088653A (ko) | 실리콘 단결정 성장 방법 및 장치 | |
JP2020037499A (ja) | 熱遮蔽部材、単結晶引き上げ装置及び単結晶の製造方法 | |
JP7424282B2 (ja) | 単結晶シリコンインゴットの製造方法 | |
JP2019043788A (ja) | 単結晶育成方法及び単結晶育成装置 | |
KR101942320B1 (ko) | 단결정 잉곳 성장 장치 및 이를 이용한 단결정 잉곳의 성장 방법 | |
JP2004217504A (ja) | 単結晶製造用黒鉛ヒーター及び単結晶製造装置ならびに単結晶製造方法 | |
JP2022010815A (ja) | 輻射シールド | |
JPH11199383A (ja) | 結晶育成方法 | |
WO2002016678A1 (fr) | Procede de production d'un monocristal de silicium |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060105 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080516 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080527 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080724 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080902 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081104 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090224 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090227 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120306 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120306 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130306 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130306 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140306 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |