JPWO2015137248A1 - 配線の製造方法、感放射線性組成物、電子回路および電子デバイス - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の構成例は以下のとおりである。
(i)基板に、感放射線性組成物を塗布し塗膜を形成する工程
(ii)前記塗膜の所定部分に放射線照射を行い、放射線照射部と放射線未照射部とを有する塗膜を形成する工程
(iii)凹部と凸部とを有する塗膜を形成する工程
(iv)凹部に配線を形成する工程
(v)放射線照射または加熱により、凸部を除去する工程
[7] 前記凹部の膜厚が前記凸部の膜厚に対して10%以上薄いことを特徴とする[1]〜[6]のいずれかに記載の配線の製造方法。
[14] [13]に記載の電子回路を有することを特徴とする電子デバイス。
本発明に係る配線の製造方法は、下記の(i)〜(v)の工程を含むことを特徴とする。
(i)基板に、感放射線性組成物を塗布し塗膜を形成する工程
(ii)前記塗膜の所定部分に放射線照射を行い、放射線照射部と放射線未照射部とを有する塗膜を形成する工程
(iii)凹部と凸部とを有する塗膜を形成する工程
(iv)凹部に配線を形成する工程
(v)放射線照射または加熱により、凸部を除去する工程
また、本発明に係る配線の製造方法によれば、従来の下地層を形成する方法に必須の工程である現像工程を経ることなく下地層(感放射線性組成物から得られる塗膜)を形成することができる。
尚、本発明において、高精細とは、配線幅50μm以下の配線(パターン)のことをいう。
工程(i)は、基板上に感放射線性組成物を塗布した後、好ましくは塗布面を加熱(プレベーク)することにより、塗膜を形成する工程であり、好ましくは、基板に、酸解離性基を有する化合物および酸発生剤を含む組成物を塗布し、塗膜を形成する工程である。
工程(i)において、前記感放射線性組成物を用いることにより下記工程(iii)等において現像工程を行うことなく、基板上に凹部を形成することができる。
尚、感放射線性組成物については、以下で具体的に説明する。
また、前記基板としては、本発明に係る配線の製造方法で最終的に得られる配線付基板をそのまま電子回路等に用いることが好ましいことから、従来より電子回路等に用いられてきた、樹脂製基板、ガラス基板、半導体基板が好ましい。
工程(ii)では、工程(i)で形成した塗膜の少なくとも一部に放射線を照射して露光を行う。
工程(ii)では、図1に示すように、基板10上の塗膜20の一部に放射線が照射され、放射線照射部30と放射線未照射部40とを有する塗膜が形成される。
また、放射線照射は、高精細な配線を形成する等の点から、工程(i)で形成した塗膜側、かつ、該塗膜面に対し略垂直方向から放射線を照射することが好ましい。
工程(iii)は、凹部と凸部とを有する塗膜を形成できる工程であれば特に制限されないが、好ましくは、工程(ii)で得られた塗膜を加熱し、凹部と凸部とを有する塗膜を形成する工程である。工程(iii)は、このように、工程(ii)で得られた塗膜を加熱することで、工程(ii)の放射線照射部であった部分に相当する凹部と、工程(ii)の放射線未照射部であった部分に相当する凸部とを有する塗膜を形成する工程であることが好ましい。
前記放射線照射により化学結合が切断されるような化合物としては、具体的には150〜450nmの波長を含む放射線、好ましくは150〜365nmの短波長を含む放射線を0.5〜5J/cm2照射することにより、化学結合が切断される化合物が挙げられる。
また、工程(i)で用いる感放射線性組成物として、フッ素原子を有する酸解離性基を含有する化合物を含む組成物を用いる場合には、放射線照射により、フッ素原子を有する基が脱離することなる。この脱離基は比較的揮発し易いため、工程(iii)において、より簡便に、凸部と凹部の膜厚差の大きい塗膜を形成することができる。
得られる塗膜がこのような形状を有していると、凹部に配線形成材料を塗布する際に、塗膜表面の凹凸の段差により、凹部から該材料が溢れ出にくく、また、凹部以外の箇所に該材料が残りにくくなるため、多量の配線形成材料を塗布することができ、多量の配線形成材料を用いても高精細な配線を得ることができる。
凹部および凸部の膜厚は、具体的には、下記実施例に記載の方法で測定することができる。
前記接触角差は、具体的には、下記実施例に記載の方法で測定することができる。
また、接触角を測定する際に、テトラデカンを用いたのは、テトラデカンが配線形成材料に一般的に使用され、かつ揮発しにくく接触角を測定することに適しているためである。
工程(iv)では、前記凹部上に配線を形成する。工程(iv)としては、配線形成材料を工程(iii)で得られた凹部上に塗布し、次いで該配線形成材料を加熱するおよび/または該配線形成材料に放射線を照射する工程が好ましい。
尚、この配線の形成の際に使用する配線形成材料については、以下で具体的に説明する。
また、微細で厚みがあり、低抵抗で断線しにくい配線を形成する観点からは、オフセット印刷が好ましい。オフセット印刷は、例えば、特開2010−159350号公報、特開2011−178006号公報の記載に基づいて行うことができる。
また、加熱時間も特に制限されないが、1〜120分間が好ましく、3〜60分間がより好ましい。
工程(v)では、工程(iv)で得られた配線付基板から、放射線照射または加熱により前記凸部を除去する。この工程(v)により、感放射線性組成物から形成された塗膜とその上に形成された配線との積層体付基板が得られる。
工程(v)は、好ましくは、(a)工程(iv)における加熱温度を超える温度で加熱する工程、または、(b)工程(iv)で得られた配線付基板の凸部に、前記工程(ii)と同様の条件で放射線を照射し、次いで、前記工程(iii)と同様の条件で加熱する工程である。また、工程(iv)で配線形成材料を加熱するおよび/または該配線形成材料に放射線を照射する場合には、該加熱および/または放射線照射により前記凸部を除去できる場合がある。つまり、この場合、工程(iv)における配線形成材料を加熱するおよび/または該配線形成材料に放射線を照射する工程を、工程(v)としてもよい。
本発明の電子回路は、前記配線の製造方法で製造された配線を有し、好ましくは、前記配線の製造方法で製造された配線と基板との積層体を有する。
また、本発明の電子回路は、前記配線の製造方法で製造された配線と基板との積層体に、従来公知の層、例えば、配線を保護する保護膜や絶縁膜をさらに積層したものであってもよい。
本発明の電子デバイスは、前記電子回路を有する。このため、小型化、薄型化、高機能化された電子デバイスとなる。
前記電子デバイスとしては、例えば、液晶ディスプレイ、携帯電話等の携帯情報機器、デジタルカメラ、有機ディスプレイ、有機EL照明、各種センサーやウェアラブルデバイスが挙げられる。
前記感放射線性組成物は、特に制限されないが、該組成物から形成された塗膜の一部が、放射線の照射および加熱により、揮発、分解するような組成物であることが好ましく、酸解離性基を有する化合物(以下「[A]化合物」ともいう。)および酸発生剤(以下「[C]酸発生剤」ともいう。)を含有する組成物であることがより好ましい。
このような感放射線性組成物は、基板上で配線形成材料の滲みを抑えて高精細なパターンを形成するための下地層形成用組成物として、また、配線と基板との密着性を向上させる下地層形成用組成物として、好適に使用することができる。
前記組成物は、[C]酸発生剤の補助材料として、更に、増感剤(以下「[D]増感剤」ともいう。)を含んでもよく、[C]酸発生剤からの酸の拡散抑制材料としてクエンチャー(以下「[E]クエンチャー」ともいう。)を含むことができる。
また、前記組成物は、[A]化合物以外のエチレン性不飽和結合を有する重合性化合物(以下「[F]重合性化合物」ともいう。)を含有することができ、感放射線性重合開始剤(以下「[G]感放射線性重合開始剤」ともいう。)を含有することができる。
さらに、前記組成物は、本発明の効果を損なわない限り、その他の任意成分を含有することができる。
前記[A]化合物は、酸により、解離する性質を有する基を含有する化合物であれば特に制限されないが、この基を含有する重合体であることが好ましい。
これらの化合物(以下「化合物(a)」ともいう。)、特に前駆体として水酸基を有する化合物は、熱による保護基の脱離が生じ難いという性質を備え、一方で、放射線照射による保護基の脱離の制御ができるという性質を備えるため、[A]化合物として好適に使用できる。さらに、これらの化合物は、後述する[C]酸発生剤との組み合わせによって、放射線照射による、より高精度の保護基の脱離の制御が可能となるため好ましい。
また、前駆体となる化合物としてモノマーを用いる方法では、前駆体となるモノマーが分子内に水酸基またはカルボキシル基を含有し、前駆体となるモノマーの水酸基またはカルボキシル基に前記化合物(1)を反応させた後、得られたモノマーを重合させることで[A]重合体を得ることができる。
以下、[A]重合体を得るための2つの方法について、より具体的に説明する。
この方法では、水酸基またはカルボキシル基を有するモノマーを重合して水酸基またはカルボキシル基を有する重合体(前駆体)を得て、その後、前駆体となる重合体の水酸基またはカルボキシル基に前記化合物(1)を反応させて、[A]重合体を得ることができる。
なお、水酸基を有するモノマーとしては、上述の(メタ)アクリル酸エステルが好ましいが、この化合物以外にも、イソプロペニルフェノールなどの水酸基および不飽和結合を有する化合物を用いることもできる。
例えば、水酸基またはカルボキシル基を有する重合体を適宜の有機溶媒中に溶解した後、重合体の有する水酸基またはカルボキシル基に対して等モルまたは過剰量の前記化合物(1)を加え、得られた反応混合物を0℃から室温(25℃)程度の温度に冷却した後、上述の有機溶媒と同じ溶媒に溶解させた酸(例えば、シュウ酸溶液)を触媒として滴下し、滴下終了後、室温下で1時間〜24時間攪拌し、反応させる。反応終了後、有機溶剤を除去することにより、目的の[A]重合体を得ることができる。
この方法では、水酸基またはカルボキシル基を有するモノマーの水酸基またはカルボキシル基に前記化合物(1)を反応させて付加物を得て、それらを重合させることで、[A]重合体を得る。このような[A]重合体を得る方法は、公知の方法を参考にすることができる。例えば、特開2005−187609号公報に記載されているように、水酸基を有するモノマーの水酸基と化合物(1)のビニルエーテル基によってアセタール結合を生成して、または、カルボキシル基を有するモノマーのカルボキシル基と前記化合物(1)のビニルエーテル基によってヘミアセタールエステル結合を生成して、付加物を形成する。次いで、得られたモノマーを用いて、上述した水酸基またはカルボキシル基を有する重合体の製造方法と同様にして、[A]重合体を得ることができる。
前記R5としては、前記RBで例示した基と同様の基等が挙げられる。
前記nとしては、0〜9の整数が好ましい。
[B]溶剤としては特に限定されないが、[A]化合物の他、後述する[C]酸発生剤および[F]重合性化合物等の各成分を均一に溶解または分散することができる溶剤が好ましい。
ベンジルアルコール等の芳香族アルコール類;
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエーテル類;
プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類;
ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル等のジプロピレングリコールモノアルキルエーテル類等を挙げることができる。
これらのアルコール系溶剤は、単独または2種以上を使用することができる。
[C]酸発生剤は、少なくとも放射線の照射によって酸を発生する化合物である。感放射線性組成物が、[C]酸発生剤を含有することで、[A]化合物から酸解離性基を脱離させることができる。
[C]酸発生剤は、単独または2種類以上を用いてもよい。
上述のオキシムスルホネート化合物としては、下記式(5)で表されるオキシムスルホネート基を含む化合物が好ましい。
式(5−3)中、Xは、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子である。mは、0〜3の整数である。但し、Xが複数の場合、複数のXは同一であっても異なっていてもよい。
オニウム塩としては、例えば、ジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩、アルキルスルホニウム塩、ベンジルスルホニウム塩、ジベンジルスルホニウム塩、置換ベンジルスルホニウム塩、ベンゾチアゾニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩が挙げられる。
[C]酸発生剤として好ましいスルホンイミド化合物としては、例えば、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(2−フルオロフェニルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(フェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(ノナフルオロブタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(フェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(ペンタフルオロエチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(ヘプタフルオロプロピルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(ノナフルオロブチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(エチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(プロピルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(ブチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(ペンチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(ヘキシルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(ヘプチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(オクチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド、N−(ノニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシイミド等が挙げられる。
[C]酸発生剤として好ましいハロゲン含有化合物としては、例えば、ハロアルキル基含有炭化水素化合物、ハロアルキル基含有ヘテロ環状化合物が挙げられる。
[C]酸発生剤として好ましいジアゾメタン化合物としては、例えば、ビス(トリフルオロメチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(フェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(p−トリルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(2,4−キシリルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(p−クロロフェニルスルホニル)ジアゾメタン、メチルスルホニル−p−トルエンスルホニルジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル(1,1−ジメチルエチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(1,1−ジメチルエチルスルホニル)ジアゾメタン、フェニルスルホニル(ベンゾイル)ジアゾメタン等が挙げられる。
[C]酸発生剤として好ましいスルホン化合物としては、例えば、β−ケトスルホン化合物、β−スルホニルスルホン化合物、ジアリールジスルホン化合物が挙げられる。
[C]酸発生剤として好ましいスルホン酸エステル化合物としては、例えば、アルキルスルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネートが挙げられる。
[C]酸発生剤として好ましいカルボン酸エステル化合物としては、例えば、カルボン酸o−ニトロベンジルエステルが挙げられる。
前記感放射線性組成物には、[D]増感剤を配合することができる。
フルオレッセイン、エオシン、エリスロシン、ローダミンB、ローズベンガル等のキサンテン類;
キサントン、チオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン等のキサントン類;
チアカルボシアニン、オキサカルボシアニン等のシアニン類;
メロシアニン、カルボメロシアニン等のメロシアニン類;
ローダシアニン類;
オキソノール類;
チオニン、メチレンブルー、トルイジンブルー等のチアジン類;
アクリジンオレンジ、クロロフラビン、アクリフラビン等のアクリジン類;
アクリドン、10−ブチル−2−クロロアクリドン等のアクリドン類;
アントラキノン等のアントラキノン類;
スクアリウム等のスクアリウム類;
スチリル類;
2−[2−[4−(ジメチルアミノ)フェニル]エテニル]ベンゾオキサゾール等のベーススチリル類;
7−ジエチルアミノ4−メチルクマリン、7−ヒドロキシ4−メチルクマリン、2,3,6,7−テトラヒドロ−9−メチル−1H,5H,11H[l]ベンゾピラノ[6,7,8−ij]キノリジン−11−ノン等のクマリン類等が挙げられる。
前記感放射線性組成物は、[E]クエンチャーを含有することができる。
[E]クエンチャーの含有量としては、[A]化合物100質量部に対して、0.001〜5質量部が好ましく、0.005〜3質量部がより好ましい。[E]クエンチャーの含有量を上述の範囲とすることで、感放射線性組成物の反応性を最適化できるため、前記工程(i)〜(v)を経ることで高解像度な凹パターンを形成できる。
感放射線性組成物は、[F]重合性化合物を含有することで、該組成物の硬化を行うことができる。
このような[F]重合性化合物としては、重合性が良好であり、感放射線性組成物から得られる膜の強度が向上するという観点から、単官能、2官能または3官能以上の(メタ)アクリル酸エステルが好ましい。
尚、単官能化合物とは、(メタ)アクリロイル基を1つ有する化合物のことをいい、2官能または3官能以上の化合物とは、それぞれ、(メタ)アクリロイル基を2つまたは3つ以上有する化合物のことをいう。
[G]感放射線性重合開始剤は、放射線の照射を受けて、[F]重合性化合物の重合を促進する化合物である。したがって、感放射線性組成物が[F]重合性化合物を含有する場合、[G]感放射線性重合開始剤を用いることが好ましい。
以上のアセトフェノン化合物は、単独でまたは2種以上を使用することができる。
3−メルカプトプロピオン酸、3−メルカプトプロピオン酸メチル等の脂肪族モノチオール化合物;
ペンタエリストールテトラ(メルカプトアセテート)、ペンタエリストールテトラ(3−メルカプトプロピオネート)等の2官能以上の脂肪族チオール化合物を挙げることができる。
これらのチオール化合物は、単独でまたは2種以上を使用することができる。
これらのチオール化合物の中でも、2−メルカプトベンゾチアゾールが特に好ましい。
[G]感放射線性重合開始剤の使用量は、[A]化合物100質量部に対して、好ましくは0.05〜50質量部、より好ましくは0.1〜20質量部である。[G]感放射線性重合開始剤の使用量を上述の範囲内とすることによって、感放射線性組成物は、低露光量でも、高い放射線感度で塗膜の硬化を行うことができる。
前記感放射線性組成物は、さらに、本発明の効果を損なわない限りその他の任意成分を含有することができる。
その他の任意成分としては、界面活性剤、保存安定剤、接着助剤、耐熱性向上剤等を挙げることができる。
その他の任意成分は、1種を単独で使用してもよいし、2種以上を使用してもよい。
前記配線形成材料は特に限定されるものではなく、配線を形成できるような材料であればよく、流動性を持った液状のインク、ペーストであることが好ましい。
例えば、導電膜形成インク、導電膜形成ペースト、樹脂膜を形成可能な樹脂溶液インク、樹脂溶液ペースト、顔料や染料を含む着色性インク、着色性ペースト、有機半導体溶液や酸化物半導体分散体、有機EL発光体溶液や量子ドット、カーボンナノチューブ、グラフェン、カーボンブラック等のナノカーボンを含むインクが挙げられる。
これらのインクまたはペーストは各種の印刷法、塗布法により塗膜の形成が可能であり、またその塗膜は、加熱されて導電性の導通性膜(配線)となる。
尚、工程(iv)において、オフセット印刷、スクリーン印刷等の方法で配線形成材料を塗布する場合、高粘度領域の材料が適しており、この際の該材料の粘度は、1Pa・s〜50Pa・sが好ましい。特にオフセット印刷の場合、粘度は、10Pa・s〜50Pa・sが好ましい。
一方、本発明では、工程(iii)で得られた凹部上に配線を形成するため、前記低粘度の配線形成材料を用いても、該材料の濡れ広がりや滲みが抑制され、高精細な配線を製造できる。
このため、本発明の効果がより発揮されるという点からは、前記低粘度の配線形成材料を用いることが好ましい。
前記金属塩は、その金属塩に含まれる金属イオンが前記還元剤により還元されて金属単体となる。そして、形成される配線において、導電性を発現させる役割を果たす。例えば、金属塩が銅塩である場合、銅塩に含まれる銅イオンは還元剤により還元され、銅単体となり、導電性の配線が形成される。
前記金属塩としては銅塩、銀塩が好ましい。
前記金属塩は、1種を単独で使用してもよいし、2種以上を使用してもよい。
例えば、硝酸銀、酢酸銀、酸化銀、アセチルアセトン銀、安息香酸銀、臭素酸銀、臭化銀、炭酸銀、塩化銀、クエン酸銀、フッ化銀、ヨウ素酸銀、ヨウ化銀、乳酸銀、亜硝酸銀、過塩素酸銀、リン酸銀、硫酸銀、硫化銀、およびトリフルオロ酢酸銀を挙げることができる。
前記配線形成材料は、金属塩に含まれる金属イオンを還元して金属単体とすることを目的として、上述した金属塩とともに、還元剤を含有することが好ましい。還元剤は、用いられる金属塩に含まれる金属イオンに対し還元性を有していれば特に制限されるものではない。
前記配線形成材料には、金属塩の還元析出速度を向上させる目的、または、配線形成材料の粘度を調節する目的で、金属微粒子を配合することができる。
透過型電子顕微鏡(TEM)、電界放射型透過電子顕微鏡(FE−TEM)、電界放射型走査電子顕微鏡(FE−SEM)等の顕微鏡を用いて観測された視野の中から、任意の3箇所選択し、粒径測定に最も適した倍率で撮影する。得られた各々の写真から、任意に粒子を100個選択し、粒子の長軸を透過型電子顕微鏡(TEM)、電界放射型透過電子顕微鏡(FE−TEM)、電界放射型走査電子顕微鏡(FE−SEM)等で測定し、測定倍率を除して粒子径を算出し、これらの値を算術平均することにより求めることができる。また、標準偏差については、上述の観察時に個々の金属微粒子の粒子径と数により求めることができる。
前記配線形成材料は、該材料の粘度を調節して配線の生産性を向上させる観点や、低抵抗で均一な配線を得る観点から、溶剤を含有することが好ましい。
得られた[A]重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィーによる重量平均分子量(Mw)および分子量分布(Mw/Mn)の測定条件は、以下のとおりである。
・測定方法:ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法
・標準物質:ポリスチレン
・装置 :東ソー(株)製、商品名:HLC−8220
・カラム :東ソー(株)製ガードカラムHXL−H、TSK gel G7000HXL、TSK gel GMHXL 2本、TSK gel G2000HXLを順次連結したもの
・溶媒 :テトラヒドロフラン
・サンプル濃度:0.7質量%
・注入量 :70μL
・流速 :1mL/min
1H−NMRは、溶媒としてCDCl3を用い、核磁気共鳴装置(Bruker製 AVANCEIII AV400N)を用い、温度25℃の条件下で測定した。
[合成例1]
冷却管および撹拌機を備えたフラスコに、ジメチル2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオネート)8質量部、2,4−ジフェニル−4−メチル−1−ペンテン2質量部、および、ジエチレングリコールジメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸2−ヒドロキシエチル42質量部、メタクリル酸ベンジル58質量部を仕込み、窒素雰囲気下、緩やかに攪拌しつつ、溶液の温度を80℃に上昇させ、この温度を4時間保持して重合することにより、共重合体である重合体(A−1)を含有する溶液を得た(固形分濃度=34.6質量%、Mw=26000、Mw/Mn=2.2)。尚、固形分濃度は共重合体溶液の全質量に占める共重合体質量の割合を意味する。
冷却管および撹拌機を備えたフラスコに、ジメチル2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオネート)8質量部、ペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトプロピオネート)2質量部、およびプロピレングリコールモノメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸2−ヒドロキシエチル75質量部、メタクリル酸ベンジル25質量部を仕込み、窒素置換した後、緩やかに攪拌しつつ、溶液の温度を80℃に上昇させ、この温度を4時間保持して重合することにより、共重合体である重合体(A−2)を含有する溶液を得た。得られた溶液を大過剰のヘキサンに滴下し、乾燥後、白色固体状の重合体(A−2)を得た(Mw=28000、Mw/Mn=2.3)。
冷却管および撹拌機を備えたフラスコに、ジメチル2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオネート)8質量部、2,4−ジフェニル−4−メチル−1−ペンテン2質量部、およびプロピレングリコールモノメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸30質量部、メタクリル酸ベンジル70質量部を仕込み、窒素置換した後、緩やかに攪拌しつつ、溶液の温度を80℃に上昇させ、この温度を4時間保持して重合することにより、共重合体である重合体(A−3)を含有する溶液を得た。得られた溶液を大過剰のヘキサンに滴下し、乾燥後、白色固体状の重合体(A−3)を得た(Mw=24000、Mw/Mn=2.2)。
冷却管および撹拌機を備えたフラスコに、ジメチル2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオネート)8質量部、2,4−ジフェニル−4−メチル−1−ペンテン2質量部、およびプロピレングリコールモノメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き2−メタクリロイロキシエチルコハク酸60質量部、メタクリル酸ベンジル40質量部を仕込み、窒素置換した後、緩やかに攪拌しつつ、溶液の温度を80℃に上昇させ、この温度を4時間保持して重合することにより、共重合体である重合体(A−4)を含有する溶液を得た。得られた溶液を大過剰のヘキサンに滴下し、乾燥後、白色固体状の重合体(A−4)を得た(Mw=23400、Mw/Mn=2.2)。
冷却管および撹拌機を備えたフラスコに、ジメチル2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオネート)8質量部、2,4−ジフェニル−4−メチル−1−ペンテン2質量部、およびジエチレングリコールジメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続きヒドロキシフェニルメタクリレート50質量部、メタクリル酸ベンジル50質量部を仕込み、窒素置換した後、緩やかに攪拌しつつ、溶液の温度を80℃に上昇させ、この温度を4時間保持して重合することにより、共重合体である重合体(A−5)を含有する溶液を得た(固形分濃度=34.5質量%、Mw=22000、Mw/Mn=2.1)。
冷却管および撹拌機を備えたフラスコに、ジメチル2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオネート)8質量部、2,4−ジフェニル−4−メチル−1−ペンテン2質量部、およびジエチレングリコールジメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続きp−イソプロペニルフェノール40質量部、シクロヘキシルマレイミド50質量部およびメタクリル酸ベンジル10質量部を仕込み、窒素置換した後、緩やかに攪拌しつつ、溶液の温度を80℃に上昇させ、この温度を4時間保持して重合することにより、共重合体である重合体(A−6)を含有する溶液を得た(固形分濃度=34.9質量%、Mw=24000、Mw/Mn=2.1)。
冷却管および撹拌機を備えたフラスコに、ジメチル2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオネート)8質量部、2,4−ジフェニル−4−メチル−1−ペンテン2質量部、およびプロピレングリコールモノメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続きグリセリンモノメタクリレート45質量部、メタクリル酸ベンジル55質量部を仕込み、窒素置換した後、緩やかに攪拌しつつ、溶液の温度を80℃に上昇させ、この温度を4時間保持して重合することにより、共重合体である重合体(A−7)を含有する溶液を得た。得られた溶液を大過剰のヘキサンに滴下し、乾燥後、白色固体状の重合体(A−7)を得た(Mw=21400、Mw/Mn=2.3)。
冷却管および撹拌機を備えたフラスコに、前記で得られた重合体(A−2)5質量部を加え、テトラヒドロフラン31質量部で溶かし、3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8−トリデカフルオロ−1−ビニルオキシオクタン6.7質量部および1−ビニルオキシブタン0.7質量部を加え、十分に攪拌した後にトリフルオロ酢酸0.66質量部を加え、窒素雰囲気下、60℃で9時間反応させた。続いて反応溶液を室温まで冷却し、ピリジン0.7質量部を加え反応をクエンチした。得られた反応溶液を過剰量のメタノールに滴下することにより再沈殿精製を行い、続いて再度25質量部のテトラヒドロフランに溶解させた後、ヘキサンに滴下することにより再沈殿精製を行い、白色固形状の共重合体として[A]重合体(P−8)が8.4質量部得られた。得られた[A]重合体(P−8)について1H−NMRを用いて分析を行い、アセタール化が進行していることを確認した(化学シフト:4.80ppm、アセタール基C−H)。
冷却管および撹拌機を備えたフラスコに、ポリビニルフェノール(マルカリンカーS−4P 丸善石油化学(株))5質量部を加え、テトラヒドロフラン50質量部で溶かし、3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8−トリデカフルオロ−1−ビニルオキシオクタン16質量部を加え、十分に攪拌した後にトリフルオロ酢酸0.50質量部を加え、窒素雰囲気下、60℃で9時間反応させた。続いて反応溶液を室温まで冷却し、ピリジン0.5質量部を加え反応をクエンチした。得られた反応溶液を過剰量のメタノールに滴下することにより再沈殿精製を行い、続いて再度30質量部のテトラヒドロフランに溶解させた後、ヘキサンに滴下することにより再沈殿精製を行い、白色固形状の共重合体として[A]重合体(P−9)が得られた。得られた[A]重合体(P−9)について1H−NMRを用いて分析を行い、アセタール化が進行していることを確認した(化学シフト:5.48ppm、アセタール基C−H)。
冷却管および撹拌機を備えたフラスコに、下記式で示されるフェノールノボラック樹脂P−200(荒川化学工業(株)製)5質量部を加え、テトラヒドロフラン60質量部で溶かし、3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10−ヘプタデカフルオロ−1−ビニルオキシデカン20質量部を加え、十分に攪拌した後にトリフルオロ酢酸0.50質量部を加え、窒素雰囲気下、60℃で9時間反応させた。続いて反応溶液を室温まで冷却し、ピリジン0.5質量部を加え反応をクエンチした。得られた反応溶液を過剰量のメタノールに滴下することにより再沈殿精製を行い、続いて再度30質量部のテトラヒドロフランに溶解させた後、ヘキサンに滴下することにより再沈殿精製を行い、白色固形状の共重合体として[A]重合体(P−10)が12.1質量部得られた。得られた[A]重合体(P−10)について1H−NMRを用いて分析を行い、アセタール化が進行していることを確認した(化学シフト:5.49ppm、アセタール基C−H)。
冷却管および撹拌機を備えたフラスコに、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル25質量部、3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8−トリデカフルオロ−1−ビニルオキシ−オクタン101質量部、トリフルオロ酢酸(TFA)2.0質量部およびテトラヒドロフラン(THF)200質量部を仕込み、窒素雰囲気下、60℃で9時間保持して反応させた。冷却後、反応液にピリジン2.1質量部を加えクエンチした。得られた反応液を水洗、分液し、ロータリーエバポレーターで溶剤を除去し、減圧蒸留により未反応成分を除去することによりアセタール化生成物(M−1)を得た。
冷却管および撹拌機を備えたフラスコに、2−メタクリロイロキシエチルコハク酸25質量部、3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8−トリデカフルオロ−1−ビニルオキシ−オクタン53質量部、パラトルエンスルホン酸ピリジニウム(PPTSA)1.1質量部およびテトラヒドロフラン(THF)200質量部を仕込み、窒素雰囲気下、60℃で9時間保持して反応させた。冷却後、反応液にピリジン0.5質量部を加えクエンチした。得られた反応液を水洗、分液し、ロータリーエバポレーターで溶剤を除去し、減圧蒸留により未反応成分を除去することによりアセタール化生成物(M−2)を得た。
冷却管および撹拌機を備えたフラスコに、ヒドロキシフェニルメタクリレート25質量部、3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8−トリデカフルオロ−1−ビニルオキシ−オクタン82質量部、トリフルオロ酢酸(TFA)1.6質量部およびテトラヒドロフラン(THF)200質量部を仕込み、窒素雰囲気下、60℃で9時間保持して反応させた。冷却後、反応液にピリジン1.7質量部を加えクエンチした。得られた反応液を水洗、分液し、ロータリーエバポレーターで溶剤を除去し、減圧蒸留により未反応成分を除去することによりアセタール化生成物(M−3)を得た。
冷却管および撹拌機を備えたフラスコに、メタクリル酸2−(2−ビニロキシエトキシ)エチル(VEEM、日本触媒社製)25質量部、3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8−トリデカフルオロオクタノール45質量部、パラトルエンスルホン酸ピリジニウム(PPTSA)1.6質量部およびテトラヒドロフラン(THF)200質量部を仕込み、窒素雰囲気下、室温で8時間保持して反応させた。反応終了後、反応液にピリジン0.7質量部を加えクエンチした。得られた反応液を水洗、分液し、ロータリーエバポレーターで溶剤を除去し、減圧蒸留により未反応成分を除去することによりアセタール化生成物(M−4)を得た。
実施例で用いた各成分の詳細を以下に示す。
C−1:N−ヒドロキシナフタルイミド−トリフルオロメタンスルホン酸エステル
C−2:4,7−ジ−n−ブトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウム トリフルオロメタンスルホネート
C−3:CGI725 (BASF社製)
D−1:2−イソプロピルチオキサントン
E−1:2−フェニルベンゾイミダゾ-ル
E−2:4−(ジメチルアミノ)ピリジン
F−1:ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート
F−2:1,9−ノナンジオールジアクリレート
G−1:2−メチル−1−(4−メチルチオフェニル)−2−モルフォリノプロパン−1−オン(イルガキュア(登録商標)907、BASF社製)
G−2:2−ジメチルアミノ−2−(4−メチルベンジル)−1−(4−モルフォリン−4−イル−フェニル)−ブタン−1−オン(イルガキュア(登録商標)379、BASF社製)
G−3:エタノン−1−〔9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル〕−1−(O−アセチルオキシム)(イルガキュア(登録商標)OXE02、BASF社製)
表1に示す種類、含有量の各成分を混合し、界面活性剤としてポリフローNo75(共栄社化学(株)製)0.1質量部を加え、固形分濃度が20質量%となるように、それぞれ[B]溶剤として、ジエチレングリコールジメチルエーテルを加えた後、孔径0.5μmのミリポアフィルタでろ過することにより、各感放射線性組成物を調製した。
表1中の「−」は該当する成分を使用しなかったことを表す。
尚、実施例11〜15では、[A]重合体100質量部を用いたのではなく、それぞれ、合成例11〜14で得られた重合体を含有する溶液をその溶液中の固形分(重合体)が100質量部となる量で用いた。
組成物1〜15を用いて膜形成を行い、以下の評価を実施した。結果を表2に示す。
無アルカリガラス基板上に、組成物1〜15をそれぞれスピンナーで塗布した後、90℃のホットプレート上で2分間プレベークすることにより0.5μm厚の塗膜を形成した。次いで、得られた塗膜に石英マスク(コンタクト)を介して高圧水銀ランプを用い(露光機:大日本科研社製MA−1400)、露光量を250mJ/cm2として放射線照射を行った。その後、ホットプレートを用い110℃で5分ベークすることにより、露光部(凹部)が親液部となり、露光部分以外(凸部)が撥液部となった、親液部と撥液部とによりパターニングされた膜(以下、「親撥パターニング膜」と称することがある。)を形成した。形成された親撥パターニング膜において、接触角計(協和界面科学社製CA−X)を用い、親液部に相当する露光部の塗膜表面、撥液部に相当する未露光部分の塗膜表面それぞれにおける、水、デカンおよびテトラデカンの接触角を測定し、親撥性能を確認した。尚、表2中、露光部表面における水の接触角を「親液部 水」と示し、未露光部表面における水の接触角を「撥液部 水」と示す。デカンやテトラデカンの接触角についても同様に示す。
前記[接触角]と同様の方法で得られた膜に関して、露光部(親液部)と未露光部(撥液部)の膜厚を接触式膜厚計(キーエンス製:アルファステップIQ)で測定した。そして、未露光部の膜厚と露光部の膜厚との差を算出し、下記式からの膜厚減少率(%)を算出することにより凹形状形成性を確認した。
膜厚減少率(%)=(撥液部の膜厚−親液部の膜厚)×100/撥液部の膜厚
前記[接触角]と同様の方法で得られた膜の全面を、露光量150mJ/cm2で紫外線照射し、ホットプレートにて110℃で5分加熱した。その後、図2に示すように、予め基板にマークしておいた、前記[凹パターニング性確認]で測定した露光部31および未露光部41における、前記加熱照射後の膜厚をそれぞれ測定し、前記[凹パターニング性確認]で得られた膜の未露光部であった部分43の膜厚と露光部であった部分33の膜厚との差を算出し、また、前記[接触角]と同様に、前記[凹パターニング性確認]で得られた膜の未露光部であった部分の膜表面44におけるテトラデカンの接触角を測定した。尚、表2では、便宜的に、前記[凹パターニング性確認]で得られた膜の未露光部および露光部であった部分を、それぞれ、撥液部および親液部と示す。
前記[接触角]と同様の方法で得られた膜を、クリーンオーブン中、200℃で30分加熱した。その後、[凹パターン周辺部除去性確認(放射線照射)]と同様にして、前記[凹パターニング性確認]で得られた膜の撥液部であった部分の膜厚と親液部であった部分の膜厚との差を算出し、また、前記[凹パターニング性確認]で得られた膜の撥液部であった部分の膜表面におけるテトラデカンの接触角を測定した。
石英マスクとして、図3に示すような石英マスク(L/S=50μm/450μm)を用いた以外は、前記[接触角]と同様の方法で親撥パターニング膜を形成し、得られた凹部付近に、自動極小接触角計(協和界面社製MCA−2)を用い、マイクロキャピラリーにてテトラデカンを60plを滴下し、5秒後に滴下部分を滴下方向から(上から)マイクロスコープにて観察したところ、親撥パターンに沿ってテトラデカンがパターニングできれば○、つまり、図4のAに示すように、形成された凹ライン(図4Aの線)がテトラデカンの液滴により乱れていない場合を○と評価し、テトラデカンが親撥パターンの凹部以外の場所に一部でも存在する場合には△、つまり、図4のBに示すように、凹ライン(図4Bの線)がテトラデカンの液滴により一部でも乱れた場合を△として評価した。
ここで、テトラデカンを滴下してから5秒後の様子を観察したのは、5秒程度の短時間で、液滴がパターニングできないと、該液滴の乾燥により、所望の位置とは異なる位置に液残りが生じる可能性があり、所望の形状の配線が形成できない恐れがあることによる。
石英マスクとして、石英マスク(L/S=50μm/450μm)を用い、露光量を50、100、150、200、250および300mJ/cm2に変化させた以外は前記[接触角]と同様の方法で親撥パターニング膜を形成し、前記[凹パターニング性確認]と同様の方法で、膜厚減少率を算出した。膜厚減少率は、露光量が大きくなれば、大きくなる。膜厚減少率が、10%以上になった際の露光量を感度として感度評価を行った。
石英マスクとして、石英マスク(L/S=10μm/90μm)を用いた以外は、前記[接触角]と同様の方法で親撥パターニング膜を形成し、自動極小接触角計(協和界面社製MCA−2)を用い、凹部付近にマイクロキャピラリーにてテトラデカンを微小量(<10pl)滴下し、滴下方向から(上から)マイクロスコープにて観察したところ、テトラデカンが親撥パターンに沿ってパターニングできれば解像度良好(○)とし、テトラデカンが親撥パターンの凹部以外の場所に存在するなどにより、親撥パターンの凹ラインが乱れた場合を解像度やや良好(△)として評価した。
[配線形成性評価:ライン形成性およびパターニング性]
石英マスクとして、石英マスク(L/S=10μm/90μm)を用いた以外は、前記[接触角]と同様の方法で親撥パターニング膜を形成し、10μm幅の凹パターンラインを形成した。形成した凹パターンラインを有する基板上にスピンコート法にて銀ナノインク(NPS−JL、ハリマ化成社製)を塗布し、10μm幅の凹パターンライン上に銀ナノインクをパターニングした後に、120℃で30分焼成し、銀配線を形成した。その後、第2の露光として得られた配線付基板全面に150mJ/cm2の紫外線照射を行い、ホットプレートにて110℃で5分加熱することにより銀配線周辺の凸部(撥液部)が除去され、凸形状の銀配線が形成された。この時、得られた銀配線がマイクロスコープ観察にてラインパターン状になっていれば、配線のライン形成性が良好(〇)として評価した。また、マイクロスコープ観察にて形成した銀配線幅が10±5μm以内であればパターニング性良好(○)、銀配線幅が15μmを超えていれば、パターニング性やや良好(△)として評価した。
「配線形成評価:ライン形成性およびパターニング性」と同様の方法で銀配線を形成し、得られた銀配線のテープ剥離試験を実施した。テープ剥離試験(JIS Z 1522に準ずる)にて、剥がれ無く配線が保たれれば密着性良好(○)、テープに付着し銀配線が一部でも剥離されれば密着性やや良好(△)として評価した。
石英マスクとして、石英マスク(L/S=10μm/90μm)を用いた以外は、前記[接触角]と同様の方法で親撥パターニング膜を形成し、10μm幅の凹パターンラインを形成した。形成した凹パターンラインを有する基板上にスピンコート法にて銀ナノインク(NPS−JL、ハリマ化成社製)を塗布し、10μm幅の凹パターンライン上に銀ナノインクをパターニングした後に、120℃で30分焼成し、銀配線付基板を形成した。その後、得られた銀配線付基板をレジスト剥離液JSR THB−S1(JSR(株)製)中に30分浸漬し、水洗した。この時、マイクロスコープにて観察したところ、凸部は除去されたが、同時に配線も除去されていた。
なお、組成物1〜15を用いた試験をそれぞれ比較例1〜15とした。
また、凸部を除去する際に、従来公知のレジスト剥離液を用いたのでは、配線、特に、高精細な配線になればなるほど、凸部の除去とともに配線も除去されてしまい、所望の配線付基板を得ることができなかった。
20:塗膜
21:放射線照射部と放射線未照射部とを有する塗膜
30:放射線照射部
40:放射線未照射部
22:凹部と凸部とを有する塗膜
31:凹部
41:凸部
50:配線
60:配線付基板
51:配線
32:凹部(露光部)表面
42:凸部(未露光部)表面
33:露光部であった部分
43:未露光部であった部分
44:未露光部であった部分の表面
Claims (14)
- 下記の(i)〜(v)の工程を含むことを特徴とする配線の製造方法。
(i)基板に、感放射線性組成物を塗布し塗膜を形成する工程
(ii)前記塗膜の所定部分に放射線照射を行い、放射線照射部と放射線未照射部とを有する塗膜を形成する工程
(iii)凹部と凸部とを有する塗膜を形成する工程
(iv)凹部に配線を形成する工程
(v)放射線照射または加熱により、凸部を除去する工程 - 前記感放射線性組成物が、酸解離性基を有する化合物および酸発生剤を含む組成物であることを特徴とする請求項1に記載の配線の製造方法。
- 前記工程(iii)が、工程(ii)で得られた塗膜を加熱し、凹部と凸部とを有する塗膜を形成する工程であることを特徴とする請求項1または2に記載の配線の製造方法。
- 前記工程(iv)が、配線形成材料を工程(iii)で得られた凹部上に塗布し、次いで該配線形成材料を加熱するおよび/または該配線形成材料に放射線を照射する工程であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の配線の製造方法。
- 前記酸解離性基が、フッ素原子を含むことを特徴とする請求項2〜4のいずれか1項に記載の配線の製造方法。
- 前記凹部表面と凸部表面のテトラデカンに対する接触角差が、30°以上であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の配線の製造方法。
- 前記凹部の膜厚が前記凸部の膜厚に対して10%以上薄いことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の配線の製造方法。
- 前記酸解離性基が、アセタール結合およびヘミアセタールエステル結合からなる群より選ばれる少なくとも1つの結合を含む基であることを特徴とする請求項2〜7のいずれか1項に記載の配線の製造方法。
- 前記感放射線性組成物が、エチレン性不飽和結合を有する重合性化合物を含むことを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の配線の製造方法。
- 前記酸解離性基を有する化合物が、下記式(2)〜(6)で示される構成単位の群から選ばれる少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項2〜10のいずれか1項に記載の配線の製造方法。
- 請求項1〜11のいずれか1項に記載の配線の製造方法に用いることを特徴とする感放射線性組成物。
- 請求項1〜11のいずれか1項に記載の配線の製造方法で製造された配線を有することを特徴とする電子回路。
- 請求項13に記載の電子回路を有することを特徴とする電子デバイス。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014052235 | 2014-03-14 | ||
JP2014052235 | 2014-03-14 | ||
PCT/JP2015/056652 WO2015137248A1 (ja) | 2014-03-14 | 2015-03-06 | 配線の製造方法、感放射線性組成物、電子回路および電子デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2015137248A1 true JPWO2015137248A1 (ja) | 2017-04-06 |
JP6414203B2 JP6414203B2 (ja) | 2018-10-31 |
Family
ID=54071694
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016507493A Active JP6414203B2 (ja) | 2014-03-14 | 2015-03-06 | 配線の製造方法、電子回路の製造方法および電子デバイスの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9980392B2 (ja) |
JP (1) | JP6414203B2 (ja) |
TW (1) | TWI651593B (ja) |
WO (1) | WO2015137248A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI617629B (zh) | 2013-05-01 | 2018-03-11 | Jsr股份有限公司 | 具有凹圖案的基材的製造方法、組成物、導電膜的形成方法、電子電路及電子元件 |
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2015
- 2015-03-06 WO PCT/JP2015/056652 patent/WO2015137248A1/ja active Application Filing
- 2015-03-06 TW TW104107110A patent/TWI651593B/zh active
- 2015-03-06 JP JP2016507493A patent/JP6414203B2/ja active Active
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- 2016-09-12 US US15/262,404 patent/US9980392B2/en active Active
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JP5240380B1 (ja) * | 2011-07-05 | 2013-07-17 | Jsr株式会社 | 樹脂組成物、重合体、硬化膜および電子部品 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2015137248A1 (ja) | 2015-09-17 |
US9980392B2 (en) | 2018-05-22 |
US20170042038A1 (en) | 2017-02-09 |
TW201539138A (zh) | 2015-10-16 |
JP6414203B2 (ja) | 2018-10-31 |
TWI651593B (zh) | 2019-02-21 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
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|
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