JPWO2015087965A1 - シリカ粒子及びその製造方法並びにシリカゾル - Google Patents

シリカ粒子及びその製造方法並びにシリカゾル Download PDF

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Abstract

アルコキシシランを原料とし、下記の要件（ａ）〜（ｃ）を満たす。（ａ）シリカ固形分に対するアルカリ金属元素の含有量が５ｐｐｍ以下である。（ｂ）相対湿度５０％における吸湿量が０．２５ｍｇ／ｍ2以下、かつ液浸法による屈折率が１．４５０〜１．４６０である。（ｃ）窒素吸着法により測定される比表面積から換算される平均一次粒子径が１０〜１００ｎｍである。

Description

本発明は、シリカ粒子及びその製造方法並びにシリカゾルに関する。
従来、水ガラスを原料に用いて中和又はイオン交換によりシリカゾルを得る方法が知られている。また、四塩化珪素の熱分解法によりシリカ微粉末を得る方法も知られている。高純度のシリカゾルの製法として、塩基性触媒を含有するアルコール−水溶液中でアルコキシシランを加水分解させる方法も知られている。例えば、数モル／リットルのアンモニア及び数モル／リットル〜１５モル／リットルの水を含むアルコール溶液に、０．２８モル／リットルのテトラエチルシリケートを添加して加水分解することにより、５０〜９００ｎｍのシリカ粒子が得られることが報告されている（例えば非特許文献１参照）。
また、シリカ粒子分散液の製造方法として、２９Ｓｉ−ＮＭＲスペクトル法により測定されたスペクトルにおいて、化学シフト−９４ｐｐｍ〜−１０３ｐｐｍに発現するピークのシグナル面積をＱ３とし、化学シフト−１０３ｐｐｍ〜−１１５ｐｐｍに発現するピークのシグナル面積をＱ４とした場合、Ｑ４／Ｑ３の値が０．５〜５．０であるシリカ未処理体を水熱処理する方法が提案されている（例えば特許文献１参照）。特許文献１では、その実施例によると、動的光散乱法により測定した分散粒径がメジアン径５８ｎｍ、ＴＥＭ観察で求めた粒子径が平均４４ｎｍであるシリカ未処理体を用いるようになっている。
また、シリカ系中空粒子の製造方法として、塩基性触媒の存在下で珪酸や珪酸塩を加水分解縮合させ、炭酸カルシウム等のコア粒子を被覆するシリカ系被覆層を形成し、このシリカ系被覆層を水熱処理する方法が提案されている（例えば特許文献２参照）。
また、研磨用シリカゾルの製造方法として、ＮａＯＨ、ＫＯＨ及び第四級アミン等のアルカリ種を添加して水熱処理する方法が提案されている（例えば特許文献３参照）。
特開２０１０−８３７４４号公報 特開２００９−２３４８５４号公報 特開２０１２−１１１８６９号公報
ジャーナル・オブ・コロイド・アンド・インターフェース・サイエンス(J. Colloid and Interface Sci.) 第２６巻（１９６８年）第６２〜６９頁
しかしながら、水ガラスを原料に用いて中和又はイオン交換によりシリカゾルを得る方法では、金属等の不純物を完全に除去することができない。また、四塩化珪素の熱分解法では、得られるシリカ微粉末が凝集粒子であり、水等に分散させても単分散のゾルを得ることができない。更に、塩素イオンが不純物として残存する場合、シリカゾルの純度が低くなり、高純度が要求される用途に用いることができない。
また、非特許文献１に記載の方法では、シリカ粒子内部に未加水分解のアルコキシ基が多く残存し、加熱又は加水分解によってアルコールの脱離が起きる。このため、緻密性の高いシリカ粒子が得られにくく、耐吸湿性に優れたシリカゾルを製造することが困難であった。また、加水分解によってアルコキシ基を脱離させた後、シリカ粒子内部に細孔やシラノール基が残存する場合があり、シリカを樹脂のフィラーとして用いた際に、樹脂の特性が損なわれるおそれもあった。
また、特許文献１に記載の方法では、加熱処理後も見かけの粒子径は殆ど変わらず、未処理体の外殻部でのみシリカの緻密化が起きることとなる。このため、粒子内部は多孔質となり、耐吸湿性に優れたシリカを製造できなかった。
また、特許文献２に記載の方法では、酸に可溶な微粒子の外部に珪酸や珪酸塩を加水分解縮合してシリカ系被覆層を形成した後、内部の粒子を除去するものであるため、製造原理上、やはり緻密化されたシリカ粒子を得ることができず、耐吸湿性に優れたシリカを製造できなかった。
更に、特許文献３に記載の方法では、原料として珪酸アルカリを使用し、ＮａＯＨ、ＫＯＨ及び第四級アミン等のアルカリ種を添加するため、該アルカリ種が粒子内部に取り込まれやすく、また粒子内部から該アルカリ種を除去するのも困難であった。このため、緻密性に優れ、かつ高純度なシリカ粒子を製造できなかった。
本発明はこのような事情に鑑み、緻密性及び耐吸湿性に優れた高純度なシリカ粒子及びシリカ粒子の製造方法並びにシリカゾルを提供することを目的とする。
上記課題を解決する本発明の態様であるシリカ粒子は、アルコキシシランを原料とし、下記の要件（ａ）〜（ｃ）を満たすことを特徴とする。
（ａ）シリカ固形分に対するアルカリ金属元素の含有量が５ｐｐｍ以下である。
（ｂ）相対湿度５０％における吸湿量が０．２５ｍｇ／ｍ２以下、かつ液浸法による屈折率が１．４５０〜１．４６０である。
（ｃ）窒素吸着法により測定される比表面積から換算される平均一次粒子径が１０〜１００ｎｍである。
また、透過型電子顕微鏡写真から求められる粒子のアスペクト比が１．０〜２．０であることが好ましい。尚、アスペクト比は１に近くなるほど真球に近いことを示す。
上記課題を解決する本発明の他の態様であるシリカ粒子の製造方法は、下記の工程（Ａ）及び（Ｂ）を有することを特徴とする。
（Ａ）アルコキシシランをアンモニア、１級アミン、２級アミン及び環状３級アミンからなる群から選ばれる少なくとも１種の塩基の共存下で加水分解して、窒素吸着法により測定される比表面積から換算される平均一次粒子径が３〜２０ｎｍであるシリカ粒子の水分散液を得る工程。
（Ｂ）前記シリカ粒子の水分散液を１５０〜３５０℃で水熱処理する工程。
また、前記（Ｂ）工程の水熱処理を行う前に平均一次粒子径が３〜２０ｎｍであるシリカ粒子の水分散液中のアンモニア、１級アミン、２級アミン及び環状３級アミンからなる群から選ばれる少なくとも１種の前記塩基の量をモル比（塩基／ＳｉＯ２）が０．００２〜０．２０となるように、調節することが好ましい。
上記課題を解決する本発明の更に他の態様であるシリカゾルは、上記のシリカ粒子を含有することを特徴とする。
本発明によれば、緻密性及び耐吸湿性に優れた高純度なシリカ粒子及びシリカ粒子の製造方法並びにシリカゾルを提供できる。
塩基種とその添加量との関係等を説明するための図である。
本実施形態のシリカ粒子は、アルコキシシランを原料とし、下記の要件（ａ）〜（ｃ）を満たすものである。
（ａ）シリカ固形分に対するアルカリ金属元素の含有量が５ｐｐｍ以下である。
（ｂ）相対湿度５０％における吸湿量が０．２５ｍｇ／ｍ２以下、かつ液浸法による屈折率が１．４５０〜１．４６０である。
（ｃ）窒素吸着法により測定される比表面積から換算される平均一次粒子径が１０〜１００ｎｍである。
以下、本実施形態のシリカ粒子について説明する。
本実施形態はアルコキシシランを原料とするものである。これによれば、水ガラスを用いる従来の方法と比較して、高純度なシリカ粒子を容易に得やすくなる。すなわち、水ガラスを用いる従来の方法では、その天然物原料に由来する金属不純物が粒子内部に残存するため、高純度なシリカ粒子を得にくくなる。また、金属不純物を取り除くための追加プロセスが必要となる場合もある。これに対し、本実施形態によれば、上記のような金属不純物が混入するのを回避でき、それを取り除く追加プロセスの必要性もなくなる。
つまり、アルコキシシランを原料とする本実施形態は、水ガラスを用いる従来の方法で金属不純物となる金属種を実質的に含有しないものである。ここでの金属種としては、ナトリウム、鉄、アルミニウム等が挙げられるが、代表的にはナトリウムをはじめとするアルカリ金属元素である。また、実質的に含有しないとは、シリカ固形分に対して５ｐｐｍ以下である。
言い換えれば、本実施形態は、要件（ａ）シリカ固形分に対するアルカリ金属元素の含有量が５ｐｐｍ以下であることを具備する。アルカリ金属元素はナトリウムに限定されない。複数のアルカリ金属元素が含まれていてもよいが、その含有量の総量は、シリカ固形分に対して５ｐｐｍ以下である必要がある。
上記のように本実施形態では、アルコキシシランを原料とするため、高純度なシリカ粒子を容易に得やすくなる。従って、本実施形態のシリカ粒子は多様な用途への適用性に優れ、高純度が要求される電子材料にも適用可能となる。加えて、耐吸湿性にも優れるため、例えば樹脂のフィラーとして高充填した際に樹脂の耐吸湿性を損ねる可能性も少ない。
尚、高純度なシリカ粒子を得る点からすれば、高純度の珪素化合物を原料として気相反応によってシリカ粒子を成長させるような他の従来の方法でも、水ガラスを用いる上記の従来の方法に比べて一般に有利になりやすい。しかし、この種の従来の方法では焼成工程が必要であり、かかる焼成工程を経ることでシリカ粒子が二次的に凝集し、分散性が悪くなる。その結果、シリカ粒子を水等に分散させても単分散のシリカゾルを得ることができず、本実施形態のように、シリカを多様な用途に容易に用いることができない。特に樹脂中に高濃度で充填するような用途には適していない。
アルコキシシランは、媒体への溶解性や入手容易性等の観点から、珪酸モノマー又は重合度２〜３の珪酸オリゴマーのアルキルエステルであって、かつ、アルキル基が１〜２の炭素数を有するものを用いることができ、好ましくは、テトラメチルシリケート（ＴＭＯＳ）、テトラエチルシリケート（ＴＥＯＳ）、メチルトリエチルシリケート、ジメチルジエチルシリケート、トリメチルエチルシリケート、及びアルキル基の炭素数が１〜２のトリアルキルシリケート等を用いることができる。
アルコキシシランは、１種単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。アルコキシシランとして、分子内に異なったアルキル基を有する混合エステルや、これらの混合物も用いることができる。
次に本実施形態は、要件（ｂ）相対湿度５０％における吸湿量が０．２５ｍｇ／ｍ２以下、かつ液浸法による屈折率が１．４５０〜１．４６０であることを具備する。
相対湿度５０％における吸湿量が上記の範囲より大きいと、シリカ粒子の緻密性や耐吸湿性が低いことに起因して、シリカ粒子を樹脂コンポジット材料等に用いた場合、樹脂コンポジットの耐吸湿性が低下しやすくなる。
要件（ｂ）の吸湿量の値は、シリカ粒子の単位表面積あたりの水分の吸着量に相当するものであり、一例として実施例で示す手段によって測定できる。このような値は、シリカ粒子の吸湿のうち、粒子内部以外への水分吸着の影響、すなわち粒子径の影響を排除し得るものである。つまり、要件（ｂ）の吸湿量の値は、粒子内部の吸湿特性の指標として把握され得るものである。
ただし、このような吸湿量の値は、所定条件、例えば粒子内部に水分がすべて到達することや、粒子表面に水分が一〜二層吸着することを仮定したものである。粒子の性状によっては、この吸湿量の測定で内部に吸着し得る水分の検出が充分行われないことがある。例えば、粒子内部が多孔質であっても、粒子の外郭が緻密な状態になった場合に水蒸気の内部への浸透が遅くなり、この吸湿量の測定では評価しきれないことがある。そこで本実施形態の要件（ｂ）では、吸湿量に加えて、液浸法による屈折率が１．４５０〜１．４６０であることを規定している。屈折率は粒子が緻密であるほど高い値を示すため、このような要件（ｂ）によれば、吸湿量とは別に、液浸法による屈折率によっても粒子内部の吸湿特性を判断できる。屈折率は、一例として実施例で示す手段によって測定できる。
上記の吸湿量と屈折率とは、何れもシリカ粒子内部の緻密性に関する特性を評価し得るものであり、ある程度は相関関係が認められる。一方、上記の吸湿量は、上記の所定条件を仮定して得られるものであるため、両者に完全な相関関係は認められない。上記の吸湿量と屈折率との何れの要件を満たすことで要件（ｂ）が満たされるが、少なくとも何れか一方を満たさないと認められる場合には要件（ｂ）は満たされない。
液浸法による屈折率が上記の範囲内であれば、シリカ粒子が緻密性や耐吸湿性に優れたものであると判断できる。このようなシリカ粒子は、樹脂コンポジット材料等に用いたときに、樹脂コンポジットの耐吸湿性に悪影響を与えることが少ない。
尚、屈折率は、乾燥粉末を液体に浸漬した際に粒子と液体の屈折率が等しくなった場合に粒子が透明に見えることを利用し、以下の方法で測定したものである。本出願の実施例では２種の有機溶媒の混合比を試料と同等の屈折率になるように調節して混合し、この混合液の屈折率をアッベの屈折計で測定する簡易法を用いているが、屈折率の測定方法は前記の例に制限されない。
更に本実施形態は、要件（ｃ）窒素吸着法により測定される比表面積から換算される平均一次粒子径が１０〜１００ｎｍであることを具備する。この窒素吸着法による比表面積は、シリカ粒子の単位質量あたりの表面積であり、平均一次粒子径は、この比表面積から計算されたシリカ粒子の一次粒子径の平均値である。このような平均一次粒子径は、一例として実施例に示す方法によって測定できる。
平均一次粒子径が上記の範囲より大きいと、ナノ粒子としての特性が発揮されにくくなり、シリカ粒子を樹脂に含有させる場合、シリカ粒子を含有させることによる樹脂の各種特の改善効果が得られにくくなる。また、シリカ粒子のゾルを樹脂コンポジット材料等に用いたときに透明性が失われることがある。
一方、平均一次粒子径が上記の範囲より小さいと、媒体や樹脂へのシリカ粒子の分散性が低下し、シリカ粒子を高濃度に配合することが困難になる。また、シリカ粒子表面への水分吸着が増加しやすく、これを防止するために粒子表面を有機物で修飾する場合には、多くの修飾剤が必要となる。
製造されるシリカ粒子の平均一次粒子径は、原料となるシリカ粒子の平均一次粒子径や、粒子を成長させる程度等、種々の要因に依存する。平均一次粒子径が大きいシリカ粒子を製造する場合には平均一次粒子径が小さいシリカ粒子を原料に用い、シリカ濃度を上げる、反応温度を上げる、加熱時間を延長する、塩基性の強い触媒を用いる等の種々の工程によってシリカの粒子成長性が大きくなるようにすればよい。また本発明で得られた粒子を原料に一部混合して、これを核粒子として更に成長させる方法で、大きい粒子を得ることができる。一方、平均一次粒子径が小さいシリカ粒子を製造する場合には、粒度分布の揃ったシリカ原料を用い、種々の工程によってシリカの粒子成長性が大きくならないようにすればよい。
ただし、原料となるシリカ粒子として平均一次粒子径が大きいものを用いる場合、添加される塩基種にもよるが、溶解しきらない粒子が核となって残存し、その残存する核の周りで粒子が成長しやすくなることがある。従って、原料となるシリカ粒子の平均一次粒子径は、塩基種や製造条件等を考慮して選択することが好ましい。
以上説明した本実施形態のシリカ粒子は、アルコキシシランを原料とし、上記の要件（ａ）〜（ｃ）を満たすため、緻密性及び耐吸湿性に優れた高純度なものとなる。よって、種々の用途に好適に適用できるようになり、例えば高純度が要求される電子材料にも適用可能となる。
尚、本実施形態のシリカ粒子は、アルコキシシランを原料とするため、少なからず粒子内部にアルコキシシラン由来のアルコキシ基が残存する可能性がある。従って、アルコキシシランを原料とすることに起因して残存するアルコキシ基の量を測定可能であるならば、この残存量に基づいて、シリカ粒子がアルコキシシランを原料として得られたものであることを特定することが可能となる。
ここで、製造後のシリカ粒子について、透過型電子顕微鏡写真から求められる粒子のアスペクト比が１．０〜２．０であることが好ましい。尚、アスペクト比は１に近くなるほど真球に近いことを示す。このようなシリカ粒子は真球度が高いものであるため、例えば樹脂のフィラーとして高密度に充填できる。
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）は公知のものを用いることができ、粒子のアスペクト比は粒子の一番長い部分を長径ＤＬ、長径を結ぶ線と直行していて一番長い部分を短径ＤＳとして測定できる。（ＤＬ／ＤＳ）をアスペクト比として評価し、およそ３００個程度の粒子について、それぞれのアスペクト比を評価して算術平均を求めることができる。
以上説明したシリカ粒子を含有すれば、緻密性及び耐吸湿性に優れた高純度なシリカゾルを提供できる。かかるシリカゾルは、樹脂コンポジット材料等に用いたときに、樹脂コンポジットの耐吸湿性に悪影響を与えることが少ない。そして、多様な用途への適用性に優れ、高純度が要求される電子材料にも適用可能となる。
次に、本実施形態のシリカ粒子の製造方法について詳述する。本実施形態の製造方法は、下記の工程（Ａ）及び（Ｂ）を有するものである。
（Ａ）アルコキシシランをアンモニア、１級アミン、２級アミン及び環状３級アミンからなる群から選ばれる少なくとも１種の塩基の共存下で加水分解して、窒素吸着法により測定される比表面積から換算される平均一次粒子径が３〜２０ｎｍであるシリカ粒子の水分散液を得る工程。
（Ｂ）前記シリカ粒子の水分散液を１５０〜３５０℃で水熱処理する工程。
まず本実施形態では、アルコキシシランをアンモニア、１級アミン、２級アミン及び環状３級アミンからなる群から選ばれる少なくとも１種の塩基の共存下で加水分解して、窒素吸着法により測定される比表面積から換算される平均一次粒子径が３〜２０ｎｍであるシリカ粒子の水分散液を得る工程（Ａ）を有する。この水分散液中のシリカ粒子は、上記の要件（ａ）〜（ｃ）を具備するシリカ粒子を製造するための原料となるものである。
この原料となるシリカ粒子は、粒子径が比較的小さい、具体的には窒素吸着法により測定される比表面積から換算される平均一次粒子径が３〜２０ｎｍのものである。これによれば、シリカ粒子の溶解析出性を向上させ、効率よく粒子成長させることができる。更に、溶解しきらない粒子が大きな核となって残存することも回避でき、残存する大きな核の周りで粒子が成長することを防止して、内部まで緻密性に優れたシリカ粒子が得られるようになる。
尚、本実施形態では、原料として平均一次粒子径が上記の３〜２０ｎｍであるシリカ粒子を用い、平均一次粒子径が例えば１０〜１００ｎｍであるシリカ粒子を製造できるが、製造後のシリカ粒子の平均一次粒子径は、基本的には原料となるシリカ粒子の平均一次粒子径よりも大きくなる。つまり、原料となるシリカ粒子の平均一次粒子径として例えば２０ｎｍのものを用いた場合には、製造後のシリカ粒子の平均一次粒子径は基本的には２０ｎｍよりも大きくなる。
原料となるシリカ粒子の緻密性も、本発明の要旨を変更しない範囲において制限されない。シリカ粒子が十分に溶解析出し、これが繰り返されれば、内部まで緻密性に優れたシリカ粒子が得られるようになる。
水分散液は、水を主成分とする液体により得ることができる。ここでの水は、イオン交換水、限外ろ過水、逆浸透水、蒸留水等の純水又は超純水を用いることができる。電子材料に利用可能な高純度なシリカゾルを製造する場合には、特に不純物の少ない純水や超純水を好適に用いることができるが、前記の例に制限されない。本発明の要旨を変更しない範囲において、各種の添加剤や親水性の有機溶媒が含まれていても構わない。
親水性の有機溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、イソブタノール、エチレングリコール、アセトニトリル、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、アセトン、テトラヒドロフラン及びジエチレングリコール等が挙げられるが、前記の例に制限されない。これらの親水性の有機溶媒は、１種単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。
アルコキシシランを加水分解して縮重合するアルコキシド法によれば、上記のように、高純度なシリカ粒子を容易に得やすくなる。アルコキシシランは上記と同様のものを用いることができ、原液として添加してもよく有機溶媒で希釈して添加してもよい。
また本実施形態では、上記の水分散液中のアンモニア、１級アミン、２級アミン及び環状３級アミンからなる群から選ばれる少なくとも１種の塩基の量を調整する工程を含むことが望ましい。この工程は原料シリカゾルに対する塩基の総添加量のモル比（塩基／ＳｉＯ２）が０．００２〜０．２０となるように調節する工程である。従って（Ａ）工程においてアルコキシシランの加水分解に使用したアンモニア又はアミンがシリカ分散液中に適切な量残っている場合にはこの塩基の添加は省略することが可能である。一方で（Ａ）工程で過剰の塩基触媒を用いた場合にはこの量が適量以下になるように減少させることが好ましい。減少させる方法としては蒸留法、限外ろ過による洗浄、及びイオン交換法等が挙げられるが、特に限定されるものではない。
また（Ａ）工程で得られたシリカゾル中の塩基の含有量が少ない場合には、塩基を添加して原料シリカゾルに対する塩基の総添加量のモル比（塩基／ＳｉＯ２）が０．００２〜０．２０となるように調節することが好ましい。このときの塩基は（Ａ）工程で用いたものと同じであっても、異なっても良い。このような塩基の量の調節により、シリカ粒子の溶解と析出のバランスを粒子成長に適した状態にすることができる。特に本実施形態では、原料のシリカ粒子の平均一次粒子径や水熱処理の温度を所定範囲に調節することで、この種の弱塩基を用いて緻密性及び耐吸湿性に優れた高純度なシリカ粒子が得られるようになっている。
従って、本実施形態では、アルカリ金属等を含む強塩基の使用を省略できるので、粒子内部に塩基種、例えばアルカリ金属が混入することを回避できる。シリカ固形分に対するアルカリ金属元素の含有量が５ｐｐｍ以下であるとする上記の要件（ａ）も満たされやすくなる。
（Ａ）工程で使用可能な塩基触媒はアンモニア、１級アミン、２級アミン、環状３級アミンである。１級アミンとしては、例えばメチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、ブチルアミン、イソブチルアミン、ｓｅｃ-ブチルアミン、ｔｅｒｔ-ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、アミノシクロヘキサン、メトキシエチルアミン、エトキシエチルアミン、３−メトキシプロピルアミン、３−エトキシプロピルアミン、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエチレンジアミン、３−（ジエチルアミノ）プロピルアミン、３−（ジブチルアミノ）プロピルアミン等の脂肪族アミン類；アリルアミン等の不飽和アルキルアミン類；ベンジルアミン、フェネチルアミン、キシリレンジアミン等の芳香族アミン類が例示される。
２級アミンとしては、例えばジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン等の脂肪族モノアミン類；ジフェニルアミン、ジベンジルアミン等の芳香族モノアミン類；Ｎ−メチルベンジルアミン、Ｎ−エチルベンジルアミン、Ｎ−ブチルベンジルアミン、Ｎ−ペンチルベンジルアミン、Ｎ−ヘキシルベンジルアミン等のベンジルアミン類、ピロリジン、メチルピロリジン、ピペリジン、メチルピペリジン、ピペラジン、モルホリン等の環状アミン類が挙げられる。
環状３級アミンとしては、例えばＮ−メチルピロリジン、Ｎ−エチルピロリジン、Ｎ−メチルピペリジン、Ｎ−メチルモルホリン、キヌクリジン、ジアザビシクロウンデンセン、ジアザビシクロノネンが挙げられる。３級アミンのうち、これらのものが使用できる理由は、環状構造のため比較的強塩基であり、続く（Ｂ）工程において加熱中にシリカがゲル状になるのを防止できるためである。
上記の塩基のうち、アンモニア、水溶性アミンが好ましく、沸点が１２０℃以下の低沸点のアミンがより好ましく、これらの中でもアンモニア、メチルアミン、ジメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、プロピルアミン、ジプロピルアミン、イソプロピルアミン、及びジイソプロピルアミンが特に好ましい。これらの塩基は、比較的沸点が低い（例えば概ね１２０℃以下である）ために蒸留等による除去が容易であり、水分散液に残留してシリカゾルの純度に悪影響を与えることが少ない。
上記の塩基は１種単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。塩基を混合する方法や、上記のアルコキシシラン由来の珪素に対する上記の塩基の総添加量のモル比（塩基／ＳｉＯ２）についても、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜調節が可能である。
更に本実施形態では、（Ａ）工程で得られたシリカの水分散液を１５０〜３５０℃で水熱処理する工程（Ｂ）を有する。
このような温度範囲内で水熱処理することにより、反応系内の珪酸の溶解度を向上させて粒子の表面の溶解及び核となる粒子への析出を促進させて粒子を成長させることができる。このときに溶解した珪酸の核粒子への結合が高温で行われることによって縮合度が高く、粒子内部に残存するシラノール基を少なくできるため、緻密性に優れたシリカ粒子が得られるようになる。従って、水分散液の温度範囲は１５０〜３５０℃であり、１７０〜３５０℃が好ましく、１９０〜３５０℃がより好ましい。尚、シリカ粒子の緻密性は、上記の要件（ｂ）に示すように、相対湿度５０％における吸湿量や液浸法による屈折率によって把握される。
上記の温度範囲内で水分散液を水熱処理する時間は、処理温度により異なり高温ほど短時間で目的とする粒子を得られる。
水熱処理ための装置は特に制限されず、シリカ粒子の緻密性、耐吸湿性及び純度に悪影響を及ぼさないものである限り、公知の装置を用いて構わない。
このように、本実施形態のシリカ粒子の製造方法によれば、高純度なシリカ粒子を容易に得る点で有利となるアルコキシシランを原料とし、緻密性及び耐吸湿性に優れた高純度なシリカ粒子を製造できる。製造後のシリカ粒子を含有すれば、緻密性及び耐吸湿性に優れた高純度なシリカゾルも製造できるようになる。
更に、本実施形態のシリカ粒子の製造方法の一例について詳述する。
（Ａ）工程は、上記のようにアルコキシシランの加水分解により平均一次粒子径が３〜２０ｎｍであるシリカ粒子の水分散液を得る工程である。アルコキシシランを塩基性の水性媒体若しくは水を含む親水性有機溶媒中で加水分解することによってそのようなシリカ粒子の水分散液が得られ、必要に応じ副生したアルコールや余剰の有機溶媒、塩基触媒等を除去して得られる。
水性媒体で用いる水は、イオン交換水、限外ろ過水、逆浸透水、蒸留水等の純水又は超純水を用いることができる。電子材料に利用可能な高純度なシリカゾルを製造する場合には、特に不純物の少ない純水や超純水を好適に用いることができるが、前記の例に制限されない。本発明の要旨を変更しない範囲において、各種の添加剤や親水性の有機溶媒が含まれていても構わない。
親水性の有機溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、イソブタノール、エチレングリコール、アセトニトリル、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、アセトン、テトラヒドロフラン及びジエチレングリコール等が挙げられるが、前記の例に制限されない。これらの親水性の有機溶媒は、１種単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。好ましい有機溶媒は沸点が低く、後の工程で除去が容易なメタノール、エタノール、プロパノール及びアセトン等である。
アルコキシシランは、媒体への溶解性や入手容易性等の観点から、珪酸モノマー又は重合度２〜３の珪酸オリゴマーのアルキルエステルであって、かつ、アルキル基が１〜２の炭素数を有するものを用いることができ、好ましくは、テトラメチルシリケート（ＴＭＯＳ）、テトラエチルシリケート（ＴＥＯＳ）、メチルトリエチルシリケート、ジメチルジエチルシリケート、トリメチルエチルシリケート、及びアルキル基の炭素数が１〜２のトリアルキルシリケート等を用いることができる。アルコキシシランは、１種単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。アルコキシシランとして、分子内に異なったアルキル基を有する混合エステルや、これらの混合物も用いることができる。
塩基触媒はアンモニア、１級アミン、２級アミンが好ましく、アンモニア及び沸点が１００℃以下のアミンが更に好ましい。加水分解を終えたシリカゾル分散液は蒸留、限外ろ過等の公知の方法で濃縮することが可能である。このときに触媒として用いた塩基及び反応で生成したアルコールの一部又は大部分を取り除くことも可能である。
このようにしてアルコキシシランの加水分解で得るシリカゾルとして、本実施形態では、粒子径が比較的小さいもの、具体的には窒素吸着法により測定される比表面積から換算される平均一次粒子径が３〜２０ｎｍであるものが用いられる。これにより続く（Ｂ）工程に於いて、表面積の増大により溶解析出性が向上され、シリカ粒子を効率よく成長させることができる。更に、溶解しきらない大きな粒子が核となって残存し、残存する大きな核の周りで粒子成長が促進されることを防止して、表面のみならず内部まで緻密性に優れたシリカ粒子が得られるようになる。
ここで、（Ｂ）工程の水熱処理を行う前に平均一次粒子径が３〜２０ｎｍであるシリカ粒子の水分散液中のアンモニア、１級アミン、２級アミン及び環状３級アミンからなる群から選ばれる少なくとも１種の塩基の量をモル比（塩基／ＳｉＯ２）が０．００２〜０．２０となるように、調節することが好ましい。
ここでのモル比（塩基／ＳｉＯ２）の好ましい範囲は、塩基の種類に応じて異なってくるが、一例として、塩基としてアンモニアを用いた場合には、モル比（塩基／ＳｉＯ２）は０．００５〜０．２０の範囲内であることが好ましい。
また、塩基としてプロピルアミンやジイソプロピルアミン等の１級アミンや２級アミンを用いた場合には、モル比（塩基／ＳｉＯ２）は０．００２〜０．１０の範囲内であることが好ましい。
モル比（塩基／ＳｉＯ２）が上記範囲より小さいと、シリカの溶解度が低下するため粒子成長が起き難くなり、結果として緻密な粒子が得られにくい。また加熱中にシリカの一部が溶解してｐＨが低下すると不安定な領域となり、全体がゲル化したり一部の粒子が融合してゲル状物が発生することがある。一方、モル比（塩基／ＳｉＯ２）が上記範囲より大きいと、系内のシリカの溶解度が高すぎて粒子の融着等がおきやすく、また、シリカ粒子の内部や水分散液から不必要な塩基を除去する作業に手間がかかることがある。
また塩基の量として更に好ましい範囲は、塩基としてアンモニアを用いた場合には、モル比（塩基／ＳｉＯ２）は０．００９〜０．２０の範囲内であることが好ましい。また、塩基としてプロピルアミンやジイソプロピルアミン等の１級アミンや２級アミンを用いた場合には、モル比（塩基／ＳｉＯ２）は０．００６〜０．１０の範囲内であることが好ましい。これらの範囲では球状の粒子が得られ、樹脂等へ高充填できるナノフィラーとして有用である。
ここで、所定条件下における、媒体に添加される塩基種と、その添加量と、の関係等について図１を用いて説明する。図１は、製造後のシリカ粒子の平均一次粒子径と、相対湿度５０％における吸湿量と、モル比（塩基／ＳｉＯ２）と、の関係が示された図である。
図１では、所定条件下、例えば原料となるシリカ粒子の平均一次粒子径が１１ｎｍ、水分散液中のシリカ粒子の濃度が１０質量％、水分散液を水熱処理する温度が２５０℃、水熱処理する時間が５時間である場合の例が示されている。
図中、実線により、モル比（塩基／ＳｉＯ２）を変更したときの、製造後のシリカ粒子の平均一次粒子径と、モル比（塩基／ＳｉＯ２）と、の関係が示されている。また点線により、モル比（塩基／ＳｉＯ２）を変更したときの、相対湿度５０％における吸湿量と、モル比（塩基／ＳｉＯ２）と、の関係が示されている。更に、丸いプロットにより、塩基としてアンモニアを用いた例が示されており、三角のプロットにより、ジイソプロピルアミン等の二級アミンを用いた例が示されている。
実線に示されるように、特にアンモニアを用いた例では、モル比（塩基／ＳｉＯ２）が大きくなると、製造後のシリカ粒子の平均一次粒子径が大きくなり、相対湿度５０％における吸湿量が低くなる。これは、モル比（塩基／ＳｉＯ２）が大きくなるにつれ、シリカ粒子の溶解析出を好適に促進させることができるためである。
このように、本実施形態によれば、原料のシリカ粒子の平均一次粒子径等を調節することで、アンモニア等の弱塩基を用い、緻密性及び耐吸湿性に優れた高純度なシリカ粒子を製造できる。
また、点線に示されるように、ジイソプロピルアミン等の二級アミンを用いた例では、アンモニアを用いた実線で示される例と比較して、小さいモル比（塩基／ＳｉＯ２）の範囲でも粒子径の大きなシリカ粒子が得られる。これは、ジイソプロピルアミン等の二級アミンは、アンモニアよりも一般に強塩基であるため、シリカ粒子の媒体への溶解性が促進され、溶解析出が促されるためである。
水熱処理を行う際に媒体は適宜攪拌することができる。また、シリカ粒子が得られる媒体には、上記の塩基が残存しており、活性珪酸が溶解している。このため本実施形態では、媒体から塩基の一部を除去することができる。これによれば、系内のｐＨを低下させ、媒体に残存していた活性珪酸をシリカ粒子の表面に析出させることができる。よって、活性珪酸を減少させ、シリカ粒子の水分散液の安定性等に悪影響が生じることを防止できる。
塩基の除去方法としては、蒸留法、イオン交換法、限外ろ過法等が挙げられ、特に制限されないが、媒体の温度が沸点以上となるように加熱し、塩基を揮発させる方法が好ましい。これによれば、媒体から、塩基の全部又は一部を確実に除去できる。
以下、実施例に基づいて更に詳述するが、本発明はこの実施例により何ら限定されるものではない。
＜シリカゾルの作製＞
〔製造例１〕
原料シリカゾル［１］を以下のように作製した。攪拌機及びコンデンサー付き３リットルのステンレス製反応容器に、純水２２４４ｇと２８質量％のアンモニア水３．４ｇを仕込み、オイルバスにより容器内液温を８０℃に保った。次いで、攪拌下のこの容器内に、２５３ｇの市販テトラメチルシリケート（ＴＭＯＳ）を、１．８時間かけて連続的に液中に供給した。この供給の終了後、容器内液温を８０℃に保ったまま１時間攪拌を続けた後、液温を９０℃まで上昇させ、この温度で１時間攪拌を続けてシリカ粒子の分散液を得た。次いで、容器につけたコンデンサーを枝付き管につけ替え、枝付き管の先に冷却管をつけてから反応液の温度を沸点まで上昇させ、容器内の液を蒸発させ、蒸気を器外に排出させることにより、液温が９９℃になるまで濃縮した。
次いで、容器内の液全量を器外に取り出し、これをロータリーエバポレーターにより１００Ｔｏｒｒの減圧下に９７０ｇまで濃縮したところ、ＳｉＯ２濃度１０．２質量％、ｐＨ７．５、酸による滴定法で求めたアンモニア濃度は０．００１質量％、動的散乱法粒子径１０．８ｎｍ、窒素吸着法により測定される比表面積から換算される平均一次粒子径（以下、ＢＥＴ法粒子径）１０ｎｍを有するシリカゾルを得た。このシリカゾルを乾燥して得られるシリカ粉末の表面積当たりの吸湿量は０．４２ｍｇ／ｍ２、粒子の屈折率は１．４４７であった。
〔製造例２〕
原料シリカゾル［２］を以下のように作製した。製造例１と同じ反応容器に、純水２２４４ｇと２８質量％のアンモニア水３．４ｇを仕込み、オイルバスにより容器内液温を８０℃に保った。次いで、攪拌下のこの容器内に、２５３ｇの市販テトラメチルシリケート（ＴＭＯＳ）を、０．９時間かけて連続的に液中に供給した。この供給の終了後、容器内液温を８０℃に保ったまま１時間攪拌を続けた後、液温を９０℃まで上昇させ、この温度で１時間攪拌を続けてシリカ粒子の分散液を得た。
次いで、製造例１と同様に容器内の液を蒸発させ、蒸気を器外に排出させることにより、液温が９９℃になるまで濃縮した。次いで液全量を器外に取り出し、ロータリーエバポレーターにより１００Ｔｏｒｒの減圧下に９７０ｇまで濃縮したところ、ＳｉＯ２濃度１０．２質量％、ｐＨ７．４、酸による滴定法で求めたアンモニア濃度は０．００７５質量％、動的散乱法粒子径１５ｎｍ、ＢＥＴ法粒子径１１ｎｍを有するシリカゾルを得た。このシリカゾルを乾燥して得られるシリカ粉末の表面積当たりの吸湿量は０．４３ｍｇ／ｍ２、シリカ粒子の屈折率は１．４４６であった。
〔製造例３〕
原料シリカゾル［３］を以下のように作製した。製造例１と同じ反応容器に、純水２２１４ｇと２８質量％のアンモニア水２５．３ｇを仕込み、オイルバスにより容器内液温を８０℃に保った。次いで、攪拌下のこの容器内に、２６０．５ｇの市販テトラエチルシリケート（ＴＥＯＳ）を、３時間かけて連続的に滴下し供給した。この供給の終了後、容器内液温を８０℃に保ったまま１時間攪拌を続けた後、液温を９０℃まで上昇させ、この温度で１時間攪拌を続けてシリカ粒子の分散液を得た。
次いで、製造例１と同様に容器内の液を蒸発させ、蒸気を器外に排出させることにより、液温が９９℃になるまで濃縮した。次いで液全量を器外に取り出し、ロータリーエバポレーターにより１００Ｔｏｒｒの減圧下に９８０ｇまで濃縮したところ、ＳｉＯ２濃度１０質量％、ｐＨ７．８、酸による滴定法で求めた残存アンモニア量は０．００６８質量％、動的散乱法粒子径２３ｎｍ、ＢＥＴ法粒子径１６ｎｍを有するシリカゾルを得た。このシリカゾルを乾燥して得られるシリカ粉末の表面積当たりの吸湿量は０．２１ｍｇ／ｍ２、屈折率は１．４４６であった。
〔製造例４〕
原料シリカゾル［４］を以下のように作製した。製造例１と同じ反応容器に、純水２２２９ｇと２８質量％のアンモニア水１０．１ｇを仕込み、オイルバスにより容器内液温を９０℃に保った。次いで、攪拌下のこの容器内に、２６０．５ｇの市販テトラエチルシリケート（ＴＥＯＳ）を、２．５時間かけて連続的に滴下し供給した。この供給の終了後、容器内液温を９０℃に保ったまま２時間攪拌を続けてシリカ粒子の分散液を得た。次いで、製造例１と同様に容器内の液を蒸発させ、蒸気を器外に排出させることにより、液温が９９℃になるまで濃縮した。
次いで液全量を器外に取り出し、ロータリーエバポレーターにより１００Ｔｏｒｒの減圧下に９８０ｇまで濃縮したところ、ＳｉＯ２濃度１０質量％、ｐＨ７．７、酸による滴定法で求めた残存アンモニア量は０．００４９質量％、動的散乱法粒子径２６．７ｎｍ、ＢＥＴ法粒子径１９ｎｍを有するシリカゾルを得た。
〔原料シリカゾル５〕
市販品であるシリカゾル（扶桑化学工業株式会社製、商品名「クォートロン（登録商標）ＰＬ−０６Ｌ」）は、ＳｉＯ２濃度６．３質量％、ｐＨ７．５、酸による滴定法で求めた残存アンモニア量は０．００５４質量％、ＢＥＴ法粒子径８ｎｍのものを使用した。この市販品シリカゾルを乾燥して得られるシリカ粉末の表面積当たりの吸湿量は０．４８ｍｇ／ｍ２、シリカ粒子の屈折率は１．４４０であった。
〔原料シリカゾル６〕
市販品であるシリカゾル（扶桑化学工業株式会社製、商品名「クォートロン（登録商標）ＰＬ−３」）は、ＳｉＯ２濃度１９．５質量％、ｐＨ７．３、酸による滴定法で求めた残存アンモニア量は０．００２６質量％、ＢＥＴ法粒子径３５ｎｍのものを使用した。この市販品シリカゾルを乾燥して得られるシリカ粉末の表面積当たりの吸湿量は１．０８ｍｇ／ｍ２、シリカ粒子の屈折率は１．３９０であった。
〔実施例１〕
製造例１で作製したシリカゾル（原料シリカゾル［１］）１８０ｇ（ＳｉＯ２濃度１０．２質量％、ＢＥＴ法粒子径１０ｎｍ）に（塩基の総添加量）／（シリカ）のモル比が０．０１２５となるように２５％アンモニア水を０．２５３ｇ添加し、十分に撹拌することで混合液を得た。ここで、塩基の総添加量とは、原料シリカゾル中に残存するアンモニアと新たに添加した塩基種の総量をいう。次いでこの混合液を３００ｍＬのステンレス製のオートクレーブに入れ、乾燥器で２５０℃まで昇温した後、５時間保持した。その後室温まで冷却し、容器より取り出してシリカゾルを得た。このゾルは動的光散乱法粒子径４９．５ｎｍであり、ＢＥＴ法粒子径３２ｎｍであり、このシリカゾルを乾燥していられるシリカ粉末の表面積当たりの吸湿量は０．１９ｍｇ／ｍ２、シリカ粒子の屈折率は１．４５４であった。また、シリカ粒子に含有されるナトリウム量は１ｐｐｍであった。
〔実施例２〜１３〕
実施例１と同様の装置を用いて、表１に示すようなＢＥＴ法粒子径、塩基種、モル比、及びオートクレーブ処理温度等の条件を変えて同様の方法でシリカゾルを作製し、シリカ粒子を評価した。
〔比較例１〕
塩基種としてトリエチルアミンを０．３０６ｇ添加した以外は実施例１と同様の装置及び方法でオートクレーブ処理を行なったが、ゲル化したためシリカゾルを得ることができず、シリカ粒子の評価が不可能であった。
〔比較例２〕
塩基種として３５％テトラメチルアンモニウムヒドロキシドを１．５６２ｇ添加した以外は実施例１と同様の装置及び方法でオートクレーブ処理を行なったが、ゲル化したため、シリカゾルを得ることができず、シリカ粒子の評価が不可能であった。
〔比較例３〕
塩基種として１０％水酸化ナトリウム溶液を０．６０９ｇ添加し、（塩基の総添加量）／（シリカ）のモル比を０．００５３とした以外は実施例１と同様の装置及び方法でシリカゾルを作製した。このシリカゾルを乾燥して得られるシリカ粉末の表面積当たりの吸湿量は０．１４ｍｇ／ｍ２、シリカ粒子の屈折率は１．４５６であった。しかし、得られたシリカゾルを陽イオン交換した後に金属不純物分析をしたところ、シリカ粒子に含有されるナトリウム量は８０ｐｐｍであった。このことから、ナトリウムを用いた場合、粒子成長時に粒子内部にナトリウムが取り込まれてしまい、高純度のシリカ粒子を得られないことが分かった。
〔比較例４〕
原料シリカゾル［６］のＳｉＯ２濃度を１０質量％に濃度調整し、２５％アンモニア水を０．２３６ｇ添加した以外は、実施例１と同様の容器及び方法でシリカゾルを作製した。このシリカゾルを乾燥して得られるシリカ粉末の表面積当たりの吸湿量は０．５０ｍｇ／ｍ２、屈折率は１．３９０であり、吸湿量は低くならず、粒子内部まで緻密化できていなかった。
〔窒素吸着法（ＢＥＴ法）による平均一次粒子径〕
上記の実施例及び比較例で原料としたシリカ粒子や、上記の実施例及び比較例により得られたシリカ粒子につき、以下のように窒素吸着法（ＢＥＴ法）により平均一次粒子径を測定した。すなわち、シリカゾルを陽イオン交換して塩基を除去し、８０℃真空乾燥器で乾燥して得られたシリカゲルを乳鉢で粉砕した後、更に１８０℃で３時間乾燥してシリカ乾燥粉末を得た。この粉末の窒素吸着法による比表面積(ｍ２／ｇ)を測定し、平均一次粒子径は以下の式（１）で求めた。測定は、Ｍｏｎｏｓｏｒｂ（Ｑｕａｎｔａｃｈｒｏｍｅ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 製）を用いて行った。尚、上記のように比較例１〜２ではシリカ粒子のゲル化が確認され、平均一次粒子径を算出できなかった。
［式１］
平均一次粒子径＝２７２０／比表面積(ｍ２／ｇ) （１）
〔動的光散乱法粒子径〕
動的光散乱法測定装置：Ｚｅｔａｓｉｚｅｒ Ｎａｎｏ（Ｍａｌｖｅｒｎ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｌｔｄ 製）を用いて公知の方法により測定した。
〔相対湿度５０％における吸湿性〕
上記の実施例及び比較例により得られたシリカ粒子につき、以下のように吸湿性を測定した。すなわち、比表面積の測定に用いたものと同じ１８０℃乾燥粉を各０．２ｇ秤量瓶に採取し、重量を測定した。この瓶を、蓋を開けた状態で２３℃相対湿度５０％の雰囲気下に４８時間静置した後、蓋をして再び重量を測定した。そして、ＢＥＴ法比表面積を基に、以下の式（２）より、比表面積あたりの吸湿量を計算した。
［式２］
吸湿量（ｍｇ／ｍ2）＝増加重量（ｍｇ）／（サンプル量（ｇ）×比表面積（ｍ2／ｇ）） （２）
〔屈折率〕
上記の実施例及び比較例により得られたシリカ粒子につき、以下のように屈折率を測定した。すなわち、実施例１〜１３及び比較例１〜４のシリカゾルについて、比表面積の測定に用いたものと同じ乾燥粉０．１ｇを１０ｃｃのガラス瓶に入れ、次いで特級２−プロパノール及び特級トルエンの比率を変えて添加し、容器内の粉体が透明になったときの上澄みをアッベ屈折計で測定し、シリカ粒子の屈折率とした。
〔アルカリ金属元素の含有量〕
本発明の実施例１及びアルカリ金属を含む強塩基である水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）を用いた上記の比較例３につき、得られたシリカ粒子に対して以下のように測定した。すなわち、実施例１及び比較例３のシリカゾルについて、ナトリウムはシリカゾルを白金皿中で希硝酸とフッ酸で溶解後乾固し、ついで白金皿に希硝酸を添加して得た水溶液を原子吸光分析法で測定した。
〔水熱処理後のシリカ粒子形状〕
上記の実施例及び比較例により得られたシリカ粒子につき、透過型電子顕微鏡写真を用い以下のように形状を測定した。すなわち、およそ３００個程度の粒子について、その粒子の一番長い部分を長径ＤＬ、長径を結ぶ線と直行していて一番長い部分を短径ＤＳとして測定し、（ＤＬ／ＤＳ）をアスペクト比として評価し、算術平均を求めた。
Figure 2015087965
Figure 2015087965
Figure 2015087965
表１〜３に示すように、所定の環状３級アミンではない３級アミンを用いた比較例１と、４級アミンを用いた比較例２とでは、水熱処理後にシリカ粒子のゲル化が確認された。アルカリ金属を含む強塩基である水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）を用いた比較例３では、シリカ固形分に対するアルカリ金属元素の含有量が８０ｐｐｍ程度となり、高純度なシリカ粒子を得ることができないことが分かった。
表１〜３に示すように、水熱処理を実施しない比較例４では、屈折率が比較的小さな値となり、実施例１〜１３に比べ緻密性に優れたシリカ粒子が得られないことが分かった。
これに対し、実施例１〜１３では、上記の工程（Ａ）〜（Ｂ）を有する方法により製造されたものであり、これにより緻密性及び耐吸湿性に優れた高純度なシリカ粒子やシリカゾルが得られることが分かった。

Claims (5)

  1. アルコキシシランを原料とし、下記の要件（ａ）〜（ｃ）を満たすことを特徴とするシリカ粒子。
    （ａ）シリカ固形分に対するアルカリ金属元素の含有量が５ｐｐｍ以下である。
    （ｂ）相対湿度５０％における吸湿量が０．２５ｍｇ／ｍ2以下、かつ液浸法による屈折率が１．４５０〜１．４６０である。
    （ｃ）窒素吸着法により測定される比表面積から換算される平均一次粒子径が１０〜１００ｎｍである。
  2. 透過型電子顕微鏡写真から求められる粒子のアスペクト比が１．０〜２．０であることを特徴とする請求項１に記載のシリカ粒子。
  3. 下記の工程（Ａ）及び（Ｂ）を有することを特徴とするシリカ粒子の製造方法。
    （Ａ）アルコキシシランをアンモニア、１級アミン、２級アミン及び環状３級アミンからなる群から選ばれる少なくとも１種の塩基の共存下で加水分解して、窒素吸着法により測定される比表面積から換算される平均一次粒子径が３〜２０ｎｍであるシリカ粒子の水分散液を得る工程。
    （Ｂ）前記シリカ粒子の水分散液を１５０〜３５０℃で水熱処理する工程。
  4. 前記（Ｂ）工程の水熱処理を行う前に平均一次粒子径が３〜２０ｎｍであるシリカ粒子の水分散液中のアンモニア、１級アミン、２級アミン及び環状３級アミンからなる群から選ばれる少なくとも１種の前記塩基の量をモル比（塩基／ＳｉＯ２）が０．００２〜０．２０となるように、調節することを特徴とする請求項３に記載のシリカ粒子の製造方法。
  5. 請求項１又は２に記載のシリカ粒子を含有することを特徴とするシリカゾル。
JP2015552506A 2013-12-12 2014-12-11 シリカ粒子及びその製造方法並びにシリカゾル Active JP6447831B2 (ja)

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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105658720B (zh) * 2013-04-17 2019-01-01 硅键企业 胶体溶胶及其制备方法
JP6414547B2 (ja) * 2013-06-10 2018-10-31 日産化学株式会社 シリカゾル及びシリカゾルの製造方法
US9705077B2 (en) * 2015-08-31 2017-07-11 International Business Machines Corporation Spin torque MRAM fabrication using negative tone lithography and ion beam etching
CN107356989A (zh) * 2016-05-10 2017-11-17 住友化学株式会社 光学膜、具备该光学膜的柔性设备构件及树脂组合物
US20180094166A1 (en) * 2016-09-30 2018-04-05 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Cmp polishing composition comprising positive and negative silica particles
TWI757349B (zh) * 2016-11-07 2022-03-11 日商日揮觸媒化成股份有限公司 研磨用氧化矽系粒子及研磨材
TWI762528B (zh) * 2016-12-02 2022-05-01 日商日揮觸媒化成股份有限公司 研磨用氧化矽系粒子及研磨材
JP6969514B2 (ja) * 2018-07-20 2021-11-24 信越化学工業株式会社 シリカ分散液及びその製造方法並びにそれを用いた光硬化性組成物及びその硬化物
US10910304B2 (en) 2019-01-24 2021-02-02 Globalfoundries U.S. Inc. Tight pitch wirings and capacitor(s)
KR20210130145A (ko) 2019-02-21 2021-10-29 미쯔비시 케미컬 주식회사 실리카 입자와 그 제조 방법, 실리카졸, 연마 조성물, 연마 방법, 반도체 웨이퍼의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법
JP6756423B1 (ja) * 2019-02-21 2020-09-16 三菱ケミカル株式会社 シリカ粒子とその製造方法、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
CN113544092B (zh) * 2019-03-06 2024-07-05 扶桑化学工业株式会社 胶体二氧化硅及其制造方法
US20220144650A1 (en) * 2019-03-06 2022-05-12 Fuso Chemical Co., Ltd. Colloidal silica and method for producing same
JP2021147267A (ja) * 2020-03-18 2021-09-27 三菱ケミカル株式会社 シリカ粒子の製造方法、シリカゾルの製造方法、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
TWI726724B (zh) * 2020-05-18 2021-05-01 國立臺灣大學 製造二氧化矽顆粒之方法
JP7552145B2 (ja) 2020-08-24 2024-09-18 三菱ケミカル株式会社 シリカゾル、シリカゾルの製造方法、研磨組成物、研磨方法及び半導体デバイスの製造方法
CN113511879B (zh) * 2021-09-09 2021-11-30 长沙科航特种织造有限公司 一种石英纤维增强石英基复合材料及其制造方法
US20240270582A1 (en) * 2022-01-13 2024-08-15 Nissan Chemical Corporation Silica sol having particle size distribution and production method therefor
CN117730055A (zh) * 2022-01-28 2024-03-19 日产化学株式会社 低介质损耗角正切二氧化硅溶胶及低介质损耗角正切二氧化硅溶胶的制造方法
CN114804128B (zh) * 2022-04-18 2023-08-29 蚌埠壹石通电子通信材料有限公司 一种球形二氧化硅处理方法
WO2023248951A1 (ja) * 2022-06-20 2023-12-28 三菱ケミカル株式会社 シリカ粒子とその製造方法、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
JPWO2023248949A1 (ja) * 2022-06-20 2023-12-28
CN115504762A (zh) * 2022-09-09 2022-12-23 南通福美新材料有限公司 一种高性能二氧化硅真空绝热板芯材
CN115620935A (zh) * 2022-10-11 2023-01-17 西北大学 一种2-乙氧基乙胺修饰气相二氧化硅有机载体的制备方法和应用
KR102619614B1 (ko) * 2023-07-14 2023-12-28 선유규 실리카졸 코팅제 제조방법 및 실리카졸 코팅제가 코팅된 스테인레스 보강핀을 이용한 치장벽돌의 내력 보강 공법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06227809A (ja) * 1993-01-29 1994-08-16 Agency Of Ind Science & Technol シリカエアロゲル表面への金属酸化物被覆方法及びその方法により得られた金属酸化物で被覆されたシリカエアロゲル
JPH10279328A (ja) * 1997-03-31 1998-10-20 Agency Of Ind Science & Technol ガラス表面に接合したエアロゲル及びその作製方法
JPH1161043A (ja) * 1997-08-07 1999-03-05 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 多孔質シリカ系被膜形成用塗布液、被膜付基材および短繊維状シリカ
JP2010032996A (ja) * 2008-06-27 2010-02-12 Jgc Catalysts & Chemicals Ltd シリカ系塗膜のパターニング方法および該方法から得られるシリカ系塗膜

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005021259A1 (ja) * 2003-08-28 2005-03-10 Dai Nippon Printing Co., Ltd. 反射防止積層体
US10040943B2 (en) * 2004-07-08 2018-08-07 Jgc Catalysts And Chemicals Ltd. Method of producing silica-based particles
JP5330644B2 (ja) * 2006-12-01 2013-10-30 株式会社日本触媒 表面処理されたシリカ粒子
JP5132193B2 (ja) * 2007-06-02 2013-01-30 日揮触媒化成株式会社 多孔質シリカ粒子およびその製造方法
JP5223411B2 (ja) 2008-03-27 2013-06-26 Ｊｓｒ株式会社 シリカ系中空粒子の製造方法
JP5348400B2 (ja) 2008-09-05 2013-11-20 Ｊｓｒ株式会社 シリカ粒子分散液およびその製造方法
EP2366737A4 (en) * 2008-11-18 2012-07-04 Nissan Chemical Ind Ltd METHOD FOR PRODUCING A COMPOSITION OF A POLYMERIZABLE ORGANIC COMPOUND CONTAINING SILICON DIOXIDE PARTICLES
CN102002120A (zh) * 2010-09-20 2011-04-06 中国海洋石油总公司 一种大孔容大比表面积特种硅胶载体的制备方法
JP5860587B2 (ja) 2010-11-25 2016-02-16 日揮触媒化成株式会社 研磨用シリカゾル、研磨用組成物及び研磨用シリカゾルの製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06227809A (ja) * 1993-01-29 1994-08-16 Agency Of Ind Science & Technol シリカエアロゲル表面への金属酸化物被覆方法及びその方法により得られた金属酸化物で被覆されたシリカエアロゲル
JPH10279328A (ja) * 1997-03-31 1998-10-20 Agency Of Ind Science & Technol ガラス表面に接合したエアロゲル及びその作製方法
JPH1161043A (ja) * 1997-08-07 1999-03-05 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 多孔質シリカ系被膜形成用塗布液、被膜付基材および短繊維状シリカ
JP2010032996A (ja) * 2008-06-27 2010-02-12 Jgc Catalysts & Chemicals Ltd シリカ系塗膜のパターニング方法および該方法から得られるシリカ系塗膜

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