JPWO2014002332A1 - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
Description
以下、上述した実施の形態のいずれかで説明した固体撮像装置を用いた撮像装置(カメラ)について説明する。
13 垂直走査部
15 水平走査部
21 列信号処理部
101 半導体基板
102 素子分離領域
103 半導体層
104 電荷蓄積領域
105 不純物拡散層
107、107b、107d、110a、110b、110c、110d、110e コンタクトプラグ
107a、112a、112b、112c 配線
107c、107e、110e コンタクトホール
108a 増幅トランジスタ
108b リセットトランジスタ
108c 選択トランジスタ
109a、109b、109c、109d 絶縁層
111 光電変換部
113 画素電極
114 光電変換膜
115 透明電極
116a、116b、116c 側壁層
121 アドレス制御線
123 リセット制御線
126 リセット線
131 光電変換部制御線
141 列信号線
142 水平出力端子
150 ゲート酸化膜
200 撮像装置
201 レンズ
202 画素アレイ
203 行選択回路
204 列選択回路
205 読み出し回路
206 固体撮像装置
207 信号処理回路
209 出力インターフェース
Claims (13)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に行列状に配置された複数の画素と、
前記画素内に形成されており、隣接する前記画素と電気的に分離された画素電極と、
前記画素電極上に形成され、光を信号電荷に光電変換する光電変換膜と、
前記画素内に形成され、前記画素電極に電気的に接続されており、前記光電変換膜により光電変換された前記信号電荷を蓄積する電荷蓄積領域と、
前記画素内に形成されており、対応する前記画素の前記電荷蓄積領域に蓄積されている前記信号電荷を増幅する増幅トランジスタと、
半導体材料で構成されている第1のコンタクトプラグと、
前記第1のコンタクトプラグおよび前記電荷蓄積領域の上方に、半導体材料で構成されている配線とを備え、
前記第1のコンタクトプラグと前記電荷蓄積領域とは電気的に接続され、
前記第1のコンタクトプラグと前記増幅トランジスタのゲート電極とは前記配線を介して電気的に接続され、
前記配線は平面視において、前記電荷蓄積領域の少なくとも一部を覆うように配置される
固体撮像装置。 - 前記固体撮像装置は、さらに、
前記電荷蓄積領域をリセットするリセットトランジスタのゲート電極と、
前記リセットトランジスタのゲート電極の側面を覆う側壁層とを備え、
前記側壁層は平面視において、前記第1のコンタクトプラグと重ならないように配置されている
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記固体撮像装置は、さらに、
前記配線の上面において、前記配線と電気的に接続する第2のコンタクトプラグを備え、
前記第2のコンタクトプラグは平面視において、前記第1のコンタクトプラグの真上に配置されていない
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記第1のコンタクトプラグおよび前記配線は、ポリシリコンを含む
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記第1のコンタクトプラグと前記配線とは同じ導電型であり、
前記ポリシリコンの不純物濃度は、1019〜1021個/cm3である
請求項4記載の固体撮像装置。 - 前記配線と前記第1のコンタクトプラグとの接続面の前記半導体基板表面からの高さは、前記増幅トランジスタのゲート電極の底面の前記半導体基板表面からの高さより高い
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記配線と前記第1のコンタクトプラグとの接続面の前記半導体基板表面からの高さは、前記増幅トランジスタのゲート電極の上面の前記半導体基板表面からの高さより低い
請求項6記載の固体撮像装置。 - 前記固体撮像装置は、さらに、
前記電荷蓄積領域に隣接する素子分離領域を備え、
前記配線は、平面視において前記素子分離領域の一部を覆うように配置される
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記電荷蓄積領域と前記第1のコンタクトプラグとは同じ導電型であり、
前記第1のコンタクトプラグの不純物濃度は、前記電荷蓄積領域の不純物濃度より高い
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記第1のコンタクトプラグの不純物濃度は、1019〜1021個/cm3であり、
前記電荷蓄積領域の不純物濃度は、1016〜1018個/cm3である
請求項9記載の固体撮像装置。 - 前記第2のコンタクトプラグが、金属材料からなる
請求項3記載の固体撮像装置。 - 前記電荷蓄積領域と前記第1のコンタクトプラグとは第1導電型であり、
前記固体撮像装置は、さらに、
前記電荷蓄積領域の上部に接するように形成された第2導電型の半導体層を備え、
前記第2導電型の半導体層は、平面視において前記第1のコンタクトプラグを囲むように形成されている
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記増幅トランジスタのゲート酸化膜の膜厚と、前記リセットトランジスタのゲート酸化膜の膜厚とは同一の厚さである
請求項2記載の固体撮像装置。
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