JPWO2013183671A1 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
生産効率の向上を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。半導体装置1の製造方法では、半導体素子3を封止する封止材7を付与し、半導体素子3と対向する金型にリリースフィルムFを設けて上金型22と下金型24とにより封止材7を硬化させる工程を含み、リリースフィルムFにおける封止材7との接触側に、電磁波を遮蔽するための金属層9を予め設け、封止材7を硬化させる工程において封止材7に金属層9を転写する。
Description
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
近年、電子機器の小型化の要求に伴い、半導体素子の表面高密度搭載に更なる改善が求められている。そこで、近年では、複数の半導体素子を多段に積層した、いわゆるスタックパッケージ型の半導体装置が採用されている。このようなスタックパッケージ型の半導体装置においては、半導体素子が集積して配置されているため、外的なノイズによる問題(電磁波障害)が生じ得る。このようなノイズの問題は、電子機器がデジタル化、高速化、高周波化するほど顕著となる。そこで、ノイズによる影響を抑制するために、電磁波を遮蔽する電磁波遮蔽シートを、半導体素子を封止する封止材上に形成している(例えば、特許文献1参照)。
上記の電磁波遮蔽シートの形成に関しては、例えば特許文献2に記載の半導体装置の製造方法が知られている。特許文献2に記載の半導体装置の製造方法では、上金型及び下金型を用いたトランスファー成型により半導体素子を封止材にて封止する工程において、上金型に配置されるリリースフィルム(担体フィルム)に電磁波シールド樹脂を塗布し、封止材を形成するときに封止材上に電磁波シールド樹脂を転写して硬化させている。
しかしながら、上記特許文献2に記載の方法では、封止材を形成する度に、毎回担体フィルムに電磁波シールド樹脂を塗布する作業が必要となるため、手間がかかるといった問題があった。半導体装置の製造工程においては、生産効率について更なる改善が求められている。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、生産効率の向上を図ることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明に係る半導体装置の製造方法は、上金型及び下金型を有するコンプレッションモールドを用いたコンプレッション成型方式により半導体装置を製造する製造方法であって、半導体素子を封止する封止材を付与し、半導体素子と対向する金型にリリースフィルムを設けて上金型と下金型とにより封止材を硬化させる工程を含み、リリースフィルムにおける封止材との接触側に、電磁波を遮蔽するための遮蔽材料を予め設け、封止材を硬化させる工程において封止材に遮蔽材料を転写することを特徴とする。
この半導体装置の製造方法では、リリースフィルムに予め遮蔽材料を設けている。リリースフィルムは、封止材が金型に直接接触しないように設けられている部材であり、封止材を硬化する際に、半導体素子と対向する金型に保持されている。このリリースフィルムに予め遮蔽材料を設けることにより、封止材をコンプレッションモールドにより硬化させる工程において、電磁波遮蔽用の遮蔽材料を封止材に転写できる。したがって、従来のように遮蔽材料をいちいち塗布する作業を省略しつつ、封止材の硬化と遮蔽材料の形成とを同時に行うことができる。また、コンプレッション成型方式により、連続的に封止材の形成及び遮蔽材料の転写を行うことができる。したがって、生産効率の向上を図ることができる。
一実施形態においては、遮蔽材料は、リリースフィルムにおいて、半導体素子の搭載位置に対応する位置に設けられる態様とすることができる。また、一実施形態においては、半導体素子が基板上に複数搭載されており、遮蔽材料は、リリースフィルムにおいて、複数の半導体素子が個々に分割される際の切断線に含まれない位置に設けられる態様とすることができる。これにより、遮蔽材料を封止材の全面に形成する必要がないため、製造コストの低減を図ることができる。また、封止材を切断する際、金属部分が切断するための刃に触れないため、切削時に発生する金属くずの発生を抑制することができ、製造装置の損傷を抑えることが可能になる。
本発明によれば、生産効率の向上を図ることができる。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明は省略する。
図1は、一実施形態に係る半導体装置の製造方法により製造された半導体装置の断面構成を示す断面図である。図1に示す半導体装置1は、複数個の半導体チップ3が多段に積層されたスタックパッケージ型の半導体装置である。なお、図1に示す半導体装置1は、個々の半導体装置(パッケージ単位)に切断される前の状態である。
半導体装置1は、基板5上に複数の半導体チップ(半導体素子)3が搭載されている。また、半導体チップ3は、多段に積層されている。半導体チップ3と基板5とは、電気的に接続されており、積層された半導体チップ3,3同士は、互いに電気的に接続されていてもいなくても良い。半導体チップ3と基板5及び半導体チップ3,3同士を電気的に接続する方式としては、例えばワイヤボンド方式、バンプ接続方式などを用いることができる。
複数の半導体チップ3は、基板5上において、封止材7により封止されている。封止材7は、熱硬化性を有する樹脂であり、例えば固形、液状のエポキシ系封止材を用いることができる。例えば固形封止材では、日立化成工業株式会社製CEL−9740などのCELシリーズ、液状封止材では、日立化成工業株式会社製CEL−C−2902などのCEL−Cシリーズである。封止材7は、半導体チップ3全体を覆うように設けられている。
封止材7の表面には、金属層(金属膜、遮蔽材料)9が設けられている。本実施形態では、半導体装置1において、封止材7の表面全体に金属層9が形成されている。金属層9は、電磁波を遮蔽するための電磁波遮蔽層として機能する。なお、ここで言う遮蔽とは、完全に電磁波を遮断するだけではなく、電磁波によるノイズの影響を抑制する場合も含む。金属層9には、例えば、金、アルミニウム、ニッケル、インジウム、鉄、銅などを用いることができる。また、ヒロックやマイグレーションを防止する観点からは、上記材料が合金化されたものを用いることが好ましい。金属層9の厚みは、例えばフィルム切断のし易さの観点から3μm以下であることが好ましい。また、金属層9の厚みは、電磁波の遮蔽性の観点から0.05μm以上であることが好ましい。
続いて、上述の半導体装置1の製造方法について、図2〜図4を参照しながら説明する。図2〜図4は、半導体装置の製造方法を説明する図である。半導体装置1は、コンプレッションモールド方式(コンプレッション成型方式)により製造される。
最初に、コンプレッションモールド方式に用いられるコンプレッションモールド20について説明する。コンプレッションモールド20は、封止材7を圧縮、加熱して硬化させる金型である。コンプレッションモールド20は、上金型22と、下金型24とから構成されている。下金型24は、基板5が載置(配置)される部分であり、平坦面を有している。上金型22は、半導体素子3と対向する金型であり、上金型22には、断面が略台形形状を呈する凹部26が設けられている。上金型22及び下金型24には、封止材7を加熱硬化させるためのヒータ(図示しない)が内蔵されている。
上金型22の凹部26には、封止材7を硬化する際、その内面に沿ってリリースフィルムFが設けられる。上金型22には、図示しない吸引機構が設けられており、リリースフィルムFは、上金型22において吸着して保持される。
リリースフィルムFは、封止材7が上金型22に直接接触しないように、上金型22と封止材7との間に介在される部材である。リリースフィルムFが上金型22に保持された状態において、リリースフィルムFの封止材7側の表面は、剥離性を有している。なお、ここでいう剥離性とは、金属層9を接着保持する程度の接着性を有している場合も含む。また、リリースフィルムFは、コンプレッションモールド20のヒータによる加熱に耐え得る耐熱性を有している。リリースフィルムFは、送り出しリールと巻き取りリールとの間に架け渡される長尺状のものや、基板5を覆う程度のサイズに切断されたフィルム状のもの、もしくはそれらを組み合わせたものを用いることができる。
リリースフィルムFとしては、例えば、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体(FEP)フィルム、フッ素含浸ガラスクロス、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム、エチレン・テトラフルオロエチレン共重合体(ETFE)フィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリ塩化ビニリジンなどを好適に用いることができる。
図5に示すように、リリースフィルムFの表面には、予め金属層9が設けられている。金属層9は、リリースフィルムFが上金型22に保持されている状態において、リリースフィルムFにおける封止材7と接触する側の表面に設けられている。金属層9は、真空蒸着法などの蒸着法、DCスパッタリング、RFスパッタリングなどのスパッタリング法、イオンプレーティング、無電解めっきなどにより、リリースフィルムFに形成されている。特に、蒸着法及びスパッタリング法は、成膜コスト、プロセス容易性の観点から好ましい。
続いて、半導体装置1の製造手順について説明する。図2に示すように、まず、下金型24に半導体チップ3が搭載された基板5が配置される。次に、基板5上に硬化前のペースト状の封止材7が例えばポッティングにより付与される。このとき、リリースフィルムFは、上金型22に吸着保持されている。
続いて、図3に示すように、下金型24と上金型22とが合わされて、封止材7が圧縮されると共に加熱される。これにより、封止材7が上金型22の凹部26に沿った形状に硬化する。そして、封止材7の硬化後、図4に示すように、上金型22が下金型24から離間される。このとき、リリースフィルムFは剥離性を有しており、リリースフィルムFのよりも封止材7の方が粘着力が高いため、金属層9はリリースフィルムFから剥離して封止材7に付着して転写される。これにより、封止材7を硬化する硬化工程において、封止材7の表面に金属層9を形成することができる。以上のようにして、基板5上に搭載された半導体チップ3が封止される。
以上説明したように、本実施形態では、リリースフィルムFに予め金属層9を設けている。リリースフィルムFは、封止材7が上金型22に直接接触しないように設けられている部材であり、封止材7を硬化する際にコンプレッションモールド20の上金型22に保持されている。このリリースフィルムFに予め金属層9を設けることにより、封止材7をコンプレッションモールド20により硬化させる工程において、電磁波遮蔽用の金属層9を封止材7に転写できる。したがって、封止材7の硬化と金属層9の形成とを同時に行うことができる。その結果、生産効率の向上を図ることができる。
また、本実施形態では、コンプレッションモールド方式により、封止材7の形成及び金属層9の形成を連続的に行うことができる。したがって、半導体装置1の生産効率の向上をより一層図ることができる。
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、リリースフィルムFに金属層9を設ける構成を一例に説明したが、遮蔽材料は金属層9以外のものであってもよい。図6は、他の形態に係る遮蔽材料が形成されたリリースフィルムの断面図である。
図6(a)に示すように、遮蔽材料としては、有機フィルム11を用いることができる。有機フィルム11は、電磁波遮蔽材を含有している。有機フィルム11としては、例えばポリイミド、ポリアミドイミド、アクリルゴム、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂などを用いることができる。また、電磁波遮蔽材としては、フェライトなどを用いることができる。有機フィルム11の厚みは、例えば1μm〜300μm程度であることが好ましい。
また、図6(b)に示すように、遮蔽材料としては、金属層9と有機フィルム11とが積層されたものを用いることができる。このような構成の場合には、リリースフィルムF上に金属層9を形成した後、有機フィルム11をラミネートすることにより、金属層9と有機フィルム11とが積層された構成を得ることができる。
また、リリースフィルムFに設けられる金属層9(有機フィルム11)は、半導体チップ3の搭載位置に対応する位置のみに形成されてもよい。図7に示すように、金属層9は、半導体チップ3の搭載位置に応じた部分にのみ設けられている。このような金属層9が設けられたリリースフィルムFにより、図8に示すように、半導体装置1Aでは、半導体チップ3に対応する位置のみに金属層9が形成される。すなわち、金属層9は、封止材7の表面全体に形成されてもよいし、半導体チップ3の平面寸法に応じて形成されてもよい。
また、金属層9は、半導体装置1Aをパッケージ単位に切断する際のダイシングライン(切断線)に含まれないように形成することができる。このように、金属層9を特定の箇所に形成する構成によれば、封止材7の全面に金属層9を形成する場合に比べて、製造コストの低減を図ることができる。
また、コンプレッションモールドとしては、例えば図9に示すコンプレッションモールド20Aを用いることができる。図9に示すように、コンプレッションモールド20Aは、上金型24Aと、下金型22Aとから構成されている。下金型22Aは、半導体素子3と対向する金型であり、下金型22Aには、断面が略台形形状を呈する凹部26Aが設けられている。上金型24Aは、基板5を保持する部分であり、平坦面を有している。上金型24A及び下金型22Aには、封止材7を加熱硬化させるためのヒータ(図示しない)が内蔵されている。
下金型22Aの凹部26Aには、封止材7を硬化する際、その内面に沿ってリリースフィルムFが設けられる。このような構成を有するコンプレッションモールド20Aを用いた半導体装置1の製造手順について説明する。
図9に示すように、まず、上金型24Aに半導体チップ3が搭載された基板5が保持される。次に、下金型22Aに吸着保持されているリリースフィルムF上に硬化前のペースト状の封止材7が例えばポッティングにより付与される。
続いて、上金型24Aと下金型22Aとが合わされて、封止材7が圧縮されると共に加熱される。これにより、封止材7が下金型22Aの凹部26Aに沿った形状に硬化する。このとき、金属層9はリリースフィルムFから剥離して封止材7に付着して転写される。これにより、封止材7を硬化する硬化工程において、封止材7の表面に金属層9を形成することができる。以上のようにして、封止材7により半導体チップ3が封止される。
1,1A…半導体装置、3…半導体チップ(半導体素子)、5…基板、7…封止材、9…金属層(遮蔽材料)、11…有機フィルム(遮蔽材料)、20,20A…コンプレッションモールド、22,24A…上金型、24,22A…下金型、F…リリースフィルム。
Claims (3)
- 上金型及び下金型を有するコンプレッションモールドを用いたコンプレッション成型方式により半導体装置を製造する製造方法であって、
半導体素子を封止する封止材を付与し、前記半導体素子と対向する金型にリリースフィルムを設けて前記上金型と前記下金型とにより前記封止材を硬化させる工程を含み、
前記リリースフィルムにおける前記封止材との接触側に、電磁波を遮蔽するための遮蔽材料を予め設け、
前記封止材を硬化させる工程において前記封止材に前記遮蔽材料を転写することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記遮蔽材料は、前記リリースフィルムにおいて、前記半導体素子の搭載位置に対応する位置に設けられていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体素子が基板上に複数搭載されており、
前記遮蔽材料は、前記リリースフィルムにおいて、複数の前記半導体素子が個々に分割される際の切断線に含まれない位置に設けられていることを特徴とする請求項2記載の半導体装置の製造方法。
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