JPWO2013058239A1 - 方向性電磁鋼板およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明が対象とする方向性電磁鋼板は、フォルステライト(Mg2SiO4)を主体とする下地被膜(いわゆるフォルステライト被膜)と、その上にコーティング処理された上塗被膜(絶縁被膜)を有する通常公知のものである。
ただし、本発明の方向性電磁鋼板は、二次再結晶粒のC方向(圧延方向に直角方向)の平均径が8mm以下であることが必要である。C方向の平均径を上記範囲に制限する理由は、通常、双晶はC方向に伸展した形態をとるため、二次再結晶粒のC方向径を短くすることで、加工時に付与される歪が局所的に集中するのを防止し、双晶変形を防ぐことができるからである。従って、例えば、コイルを温度勾配下で焼鈍し、C方向に結晶粒を伸張させるような技術には、本発明を適用することはできない。逆に、L方向(圧延方向)には、いくら伸張していても、C方向の平均径が短ければ差し支えない。なお、好ましい二次再結晶粒のC方向平均径は6mm以下である。
ここで、上記被膜剥離試験は、種々の直径が異なる円筒状の棒に鋼板を巻き付けたとき、被膜の剥離が発生しない最小曲げ径(直径)を求めることで被膜の密着性を評価しようとする試験である。
そして、本発明では、上記下地被膜構成粒子の平均粒径を、上記最小曲げ径より小さい径で曲げ試験して被膜を剥離させ、地鉄の露出面が観察できる部分を切り取り、地鉄側(鋼板側)の下地被膜剥離部をSEMで観察し、転写された下地被膜構成粒子(フォルステライト粒子)跡の粒径を画像解析することにより求めた。なお、この際には、被膜の残存部やアンカーとのネック部は画像解析範囲から除外した。
方向性電磁鋼板は、二次再結晶粒の方位が{110}<001>に高度に集積しているが、このような結晶方位を有する鋼板では、圧延方向に変形が加わると、{112}<111>の辷り系が働いて双晶変形が起こる。ただし、双晶変形は、変形エネルギーが高いため、歪み速度が速い場合や、低温で変形された場合にのみ起こる。
そして、このような双晶変形の発生起点は、変形を受けた際に最も歪みが蓄積する地鉄−被膜界面であると考えられる。そのため、上記界面におけるフォルステライト粒径が大きいと、鋼板部分の起伏が増大するとともに、フォルステライト被膜による張力効果も非等方的となり、その結果、局所的な応力集中が起こり、双晶が発生し易くなるものと考えられる。
したがって、下地被膜の表面から観察されるフォルステライト粒径を小さくしただけでは、双晶の発生を抑えることができず、地鉄−被膜界面における粒径を小さくすることによってのみ、双晶を抑制することができるのである。
C:0.001〜0.10mass%
Cは、ゴス方位結晶粒を発生させるために必要な成分であり、斯かる作用を発現させるためには0.001mass%以上含有させる必要がある。一方、0.10mass%を超える添加は、その後の脱炭焼鈍で磁気時効を起こさないレベルまで脱炭することが難しくなる。よって、Cは0.001〜0.10mass%の範囲とする。好ましくは0.015〜0.08mass%の範囲である。
Siは、鋼の電気抵抗を高めて鉄損を低減すると共に、BCC組織を安定化し、高温熱処理を可能とするために必要な成分であり、少なくとも1.0mass%の添加を必要とする。しかし、5.0mass%を超える添加は、加工性を低下させ、冷間圧延して製造することが難しくなる。よって、Siは1.0〜5.0mass%の範囲とする。好ましくは2.0〜4.0mass%の範囲である。
Mnは、鋼の熱間脆性を改善するのに有効である他、SやSeを含有している場合には、MnSやMnSe等の析出物を形成し、抑制剤(インヒビター)として機能する元素である。上記効果は0.01mass%以上の添加で得られる。しかし、1.0mass%を超えて添加すると、MnSe等の析出物が粗大化し、インヒビターとしての効果が失われてしまう。よって、Mnは0.01〜1.0mass%の範囲とする。好ましくは0.03〜0.50mass%の範囲である。
Alは、鋼中でAlNを形成し、分散第二相としてインヒビターの作用をする有用成分である。しかし、sol.Alとしての含有量が0.003mass%未満では、十分な量のAlNを確保することができず、一方、0.050mass%を超えて添加すると、AlNが粗大に析出し、却ってインヒビターとしての作用が失われてしまう。よって、Alは、sol.Alとして0.003〜0.050mass%の範囲とする。好ましくは0.005〜0.03mass%の範囲である。
Nは、AlとAlNを形成してインヒビターとして作用するために必要な成分である。しかし、添加量が0.001mass%を下回るとAlNの析出が不十分であり、一方、0.020mass%を超えて添加すると、スラブ加熱時にふくれ等を発生する。よって、Nは0.001〜0.020mass%の範囲とする。好ましくは0.002〜0.015mass%の範囲である。
SおよびSeは、MnやCuと結合してMnSe,MnS,Cu2−xSe,Cu2−xSを形成し、鋼中に分散第二相として析出し、インヒビター作用を発揮する有用成分である。SおよびSeの合計含有量が0.01mass%に満たないと、上記の添加効果が十分ではなく、一方、0.05mass%を超える添加は、スラブ加熱時に固溶が不完全となるだけでなく、製品板の表面欠陥の原因ともなる。そのため、これらの元素の添加量は、単独添加あるいは複合添加のいずれの場合も0.01〜0.05mass%の範囲とする。好ましくは0.015〜0.028mass%の範囲である。
これらの元素は、結晶粒界や鋼板表面に偏析して補助的なインヒビターとして作用し、磁気特性を向上する効果があるため、必要に応じて添加することができる。しかし、いずれの元素も添加量が上記下限値に満たない場合は、二次再結晶過程の高温域で、一次粒の粗大化を抑制する効果が不足する。一方、添加量が上記上限値を超えると、フォルステライト被膜の外観不良や二次再結晶不良が発生し易くなる。よって、添加する場合には、上記範囲とするのが好ましい。
これらの元素は、いずれも、インヒビター効果(抑制力)を強化し、磁束密度を安定的に高める効果があるので、必要に応じて添加することができる。
本発明の方向性電磁鋼板は、上記に説明した成分組成を有する鋼を従来公知の精錬プロセスで溶製し、連続鋳造法または造塊−分塊圧延法等を用いて鋼素材(鋼スラブ)とし、その後、上記鋼スラブを熱間圧延して熱延板とし、必要に応じて熱延板焼鈍を施した後、1回もしくは中間焼鈍を挟む2回以上の冷間圧延により最終板厚の冷延板とする。次いで、一次再結晶焼鈍あるいは脱炭焼鈍を兼ねた一次再結晶焼鈍を施し、必要に応じて窒化処理を施した後、鋼板表面にMgOを主成分とする焼鈍分離剤を塗布し、乾燥した後、最終仕上焼鈍を施し、絶縁被膜の塗布、焼付けを兼ねた平坦化焼鈍を施す一連の工程からなる製造方法で製造することができる。上記製造方法のうち、一次再結晶焼鈍および焼鈍分離剤以外の条件については、従来公知の条件を採用することができ、特に制限はない。
そこで、一次再結晶焼鈍条件および焼鈍分離剤の条件については説明する。
本発明における一次再結晶焼鈍は、500〜600℃までの昇温速度S1を100℃/s以上とする必要がある。これは、結晶粒のC方向粒径を小さくするためであり、100℃/s未満では、C方向の粒径が大きくなり過ぎる。また、S1を100℃/s以上とすることにより、鋼板の回復、再結晶温度が高まり、亜粒界密度が低下する効果もあるので、600℃以上で起こる初期酸化量に大きな影響を及ぼす。好ましくは、S1は120℃/s以上である。
また、一次再結晶焼鈍の前または後、あるいは、一次再結晶焼鈍中に窒化処理を施してインヒビターを補強することが行われることがあるが、本発明においても窒化処理を適用することは可能である。
上記のような昇温速度で加熱して一次再結晶焼鈍あるいは脱炭焼鈍を兼ねた一次再結晶焼鈍を施した鋼板は、その後、焼鈍分離剤を鋼板表面に塗布し、乾燥した後、最終仕上焼鈍を施す。
この際、本発明において重要なことは、上記焼鈍分離剤の主成分として、活性度分布を適正範囲に制御したMgOを用いる、具体的には、クエン酸活性度の活性度分布期待値μ(A)が3.5〜3.8で、活性度Aが4.0以上の積算頻度Fが25〜45%のMgOを用いることである。
そして、期待値μ(A)は以下のようにして求められる。
上記MgOとクエン酸の反応時間をt(sec)としたとき、活性度Aは、
A=Lnt
(ここで、Lntは、反応時間t(sec)の自然対数)
であり、
P(A)=dR/d(Lnt)=dR/dA
としたとき、
μ(A)=∫A・P(A)dA
より計算することができる。
また、「活性度Aが4.0以上の積算頻度F」は、図4に示すように、横軸を活性度A(反応時間の自然対数Lnt)、縦軸を反応率Rの活性度Aにおける微分係数(dR/dA=P(A))として表したとき、活性度Aが4.0以上となる範囲について、P(A)を積算することで求められる。
MgOの活性度分布の期待値μ(A)が3.5より小さいと、あるいは、積算頻度Fが25%よりも少ないと、低温度域でのフォルステライト形成反応が促進されてフォルステライトが粒成長し過ぎ、逆に、3.8よりも大きいと、あるいは、積算頻度Fが45%よりも多いと、高温域でのフォルステライト形成反応が十分に進行せず、フォルステライト被膜が劣化する。好ましくは、MgOの活性度分布の期待値μ(A)は3.6〜3.7の範囲、活性度Aが4.0以上の積算頻度Fは30〜40%の範囲である。
また、焼鈍分離剤の鋼板表面への塗布量は、両面で8〜16g/m2、水和量は0.5〜3.7mass%の範囲とすることが好ましい。
これらの元素は、結晶粒界や鋼板表面に偏析して補助的なインヒビターとして作用し、磁気特性を向上する効果があるため、必要に応じて添加することができる。しかし、いずれの元素も添加量が上記下限値に満たない場合は、二次再結晶過程の高温域で、一次粒の粗大化を抑制する効果が不足する。一方、添加量が上記上限値を超えると、フォルステライト被膜の外観不良や二次再結晶不良が発生し易くなる。よって、添加する場合には、上記範囲とするのが好ましい。
Claims (7)
- Si:1.0〜5.0mass%およびMn:0.01〜1.0mass%を含有し、残部がFeおよび不可避的不純物からなる成分組成を有し、フォルステライトを主体とする下地被膜と上塗被膜とを有する方向性電磁鋼板において、被膜剥離試験後の鋼板側剥離部に観察される下地被膜構成粒子跡の平均粒径が0.6μm以下、二次再結晶粒のC方向平均径が8mm以下で、双晶試験後の双晶発生率が2%以下であることを特徴とする方向性電磁鋼板。
- 上記成分組成に加えてさらに、Cu:0.01〜0.2mass%、Ni:0.01〜1.0mass%、Cr:0.01〜0.5mass%、Sb:0.01〜0.1mass%、Sn:0.01〜0.5mass%、Mo:0.01〜0.5mass%およびBi:0.001〜0.1mass%のうちから選ばれる1種または2種以上を含有することを特徴とする請求項1に記載の方向性電磁鋼板。
- 上記成分組成に加えてさらに、B:0.001〜0.01mass%、Ge:0.001〜0.1mass%、As:0.005〜0.1mass%、P:0.005〜0.1mass%、Te:0.005〜0.1mass%、Nb:0.005〜0.1mass%、Ti:0.005〜0.1mass%およびV:0.005〜0.1mass%のうちから選ばれる1種または2種以上を含有することを特徴とする請求項1または2に記載の方向性電磁鋼板。
- C:0.001〜0.10mass%、Si:1.0〜5.0mass%、Mn:0.01〜1.0mass%、SおよびSeのうちから選ばれる1種または2種:合計0.01〜0.05mass%、sol.Al:0.003〜0.050mass%およびN:0.001〜0.020mass%を含有し、残部がFeおよび不可避的不純物からなる成分組成の鋼スラブを熱間圧延し、必要に応じて熱延板焼鈍し、1回もしくは中間焼鈍を挟む2回以上の冷間圧延により最終板厚とし、一次再結晶焼鈍し、焼鈍分離剤を塗布し、最終仕上焼鈍を施す方向性電磁鋼板の製造方法において、
上記一次再結晶焼鈍の500〜600℃間の昇温速度S1を100℃/s以上、600〜700℃間の昇温速度S2を30℃/s以上0.6×S1以下となるよう制御すると共に、上記焼鈍分離剤の主成分として、クエン酸活性度分布の期待値μ(A)が3.5〜3.8で、活性度Aが4.0以上の積算頻度Fが25〜45%のMgOを用いることを特徴とする方向性電磁鋼板の製造方法。 - 上記昇温速度で加熱する一次再結晶焼鈍した後、別途、脱炭焼鈍することを特徴とする請求項4に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
- 上記鋼スラブは、上記成分組成に加えてさらに、Cu:0.01〜0.2mass%、Ni:0.01〜1.0mass%、Cr:0.01〜0.5mass%、Sb:0.01〜0.1mass%、Sn:0.01〜0.5mass%、Mo:0.01〜0.5mass%およびBi:0.001〜0.1mass%のうちから選ばれる1種または2種以上を含有することを特徴とする請求項4または5に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
- 上記鋼スラブは、上記成分組成に加えてさらに、B:0.001〜0.01mass%、Ge:0.001〜0.1mass%、As:0.005〜0.1mass%、P:0.005〜0.1mass%、Te:0.005〜0.1mass%、Nb:0.005〜0.1mass%、Ti:0.005〜0.1mass%およびV:0.005〜0.1mass%のうちから選ばれる1種または2種以上を含有することを特徴とする請求項4〜6のいずれか1項に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
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