KR101309410B1 - 방향성 전자기 강판의 제조 방법 - Google Patents

방향성 전자기 강판의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

소정의 조성의 슬래브를 1280℃ 내지 1390℃에서 가열하여, 인히비터로서 기능하는 물질을 고용시킨다(스텝 S1). 다음에, 슬래브의 열간 압연을 행하여, 강대를 얻는다(스텝 S2). 강대의 어닐링에 의해, 강대 중에 1차 인히비터를 형성한다(스텝 S3). 다음에, 강대의 1회 이상의 냉간 압연을 행한다(스텝 S4). 다음에, 강대의 어닐링에 의해, 탈탄을 행하여, 1차 재결정을 발생시킨다(스텝 S5). 다음에, 강대에 대해, 그 주행 상태 하에서 수소, 질소 및 암모니아의 혼합 가스 중에서 질화 처리하여, 강대 중에 2차 인히비터를 형성한다(스텝 S6). 다음에, 강대의 어닐링에 의해, 2차 재결정을 발현시킨다(스텝 S7).

Description

방향성 전자기 강판의 제조 방법 {DIRECTIONAL ELECTROMAGNETIC STEEL PLATE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 트랜스 등의 철심에 적합한 방향성 전자기 강판의 제조 방법에 관한 것이다.
종래, 방향성 전자기 강판의 제조 시에, 2차 재결정을 이용하고 있다. 2차 재결정의 이용 시에는, 집합 조직, 인히비터(입성장 억제제) 및 입자 조직의 제어가 중요하다. 고자속 밀도 방향성 전자기 강판의 인히비터로서는, 주로 AlN이 사용되고 있고, 그 제어에 대해서는 다양한 검토가 이루어져 있다.
그러나, 2차 재결정을 안정적으로 발생시키는 것이 극히 곤란해, 종래의 방법으로는, 충분한 자기 특성을 얻는 것이 곤란하다.
일본 특허 공고 소40-15644호 공보 일본 특허 출원 공개 소58-023414호 공보 일본 특허 출원 공개 평05-112827호 공보 일본 특허 출원 공개 소59-056522호 공보 일본 특허 출원 공개 평09-118964호 공보 일본 특허 출원 공개 평02-182866호 공보 일본 특허 출원 공개 제2000-199015호 공보 일본 특허 출원 공개 제2001-152250호 공보 일본 특허 출원 공개 소60-177131호 공보 일본 특허 출원 공개 평07-305116호 공보 일본 특허 출원 공개 평08-253815호 공보 일본 특허 출원 공개 평08-279408호 공보 일본 특허 출원 공개 소57-198214호 공보 일본 특허 출원 공개 소60-218426호 공보 일본 특허 출원 공개 소50-016610호 공보 일본 특허 출원 공개 평07-252532호 공보 일본 특허 출원 공개 평01-290716호 공보 일본 특허 출원 공개 제2005-226111호 공보 일본 특허 출원 공개 제2007-238984호 공보 국제 공개 제06/132095호
ISIJ International, Vol.43(2003), No.3, pp.400 내지 409 Acta Metall., 42(1994), 2593 가와사끼 제철 기법 Vol.29(1997)3, 129-135
본 발명은 양호한 자기 특성을 안정적으로 얻을 수 있는 방향성 전자기 강판의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 관한 방향성 전자기 강판의 제조 방법은 C:0.04질량％ 내지 0.09질량％, Si:2.5질량％ 내지 4.0질량％, 산가용성 Al:0.022질량％ 내지 0.031질량％, N:0.003질량％ 내지 0.006질량％, S 및 Se:S의 함유량을 [S], Se의 함유량을 [Se]로 했을 때, 「[S]＋0.405×[Se]」로 나타내어지는 S당량 Seq로 환산하여 0.013질량％ 내지 0.021질량％ 및 Mn:0.045질량％ 내지 0.065질량％를 함유하고, Ti의 함유량이 0.005질량％ 이하이고, 잔량부가 Fe 및 불가피적 불순물로 이루어지는 슬래브가 1280℃ 내지 1390℃에서 가열되어, 인히비터로서 기능하는 물질을 고용시키는 공정과, 다음에, 상기 슬래브의 열간 압연을 행함으로써 강대를 얻는 공정과, 상기 강대의 어닐링에 의해, 상기 강대 중에 1차 인히비터를 형성하는 공정과, 다음에, 상기 강대의 1회 이상의 냉간 압연을 행하는 공정과, 다음에, 상기 강대의 어닐링에 의해, 탈탄을 행하여 1차 재결정을 발생시키는 공정과, 다음에, 상기 강대에 대해, 그 주행 상태 하에서 수소, 질소 및 암모니아의 혼합 가스 중에서 질화 처리하여, 상기 강대 중에 2차 인히비터를 형성하는 공정과, 다음에, 상기 강대의 어닐링에 의해, 2차 재결정을 발생시키는 공정을 갖는다. 상기 열간 압연에 있어서, 상기 슬래브에 함유되는 N 중 상기 강대 중에 AlN으로서의 석출한 것의 비율을 20％ 이하로 하고, 상기 슬래브에 함유되는 S 및 Se 중 상기 강대 중에 MnS 또는 MnSe로서 석출한 것의 비율을 S당량으로 환산하여 45％ 이하로 한다. 상기 강대 중에 1차 인히비터를 형성하는 어닐링은 상기 1회 이상의 냉간 압연 중에서 최종의 것의 전에 행한다. 상기 1회 이상의 냉간 압연 중에서 최종의 것에 있어서의 압연율을 84％ 내지 92％로 한다. 상기 1차 재결정에 의해 얻어진 결정립의 원상당의 평균 입경(직경)을 8㎛ 이상 15㎛ 이하로 한다. 상기 슬래브 중의 Mn의 함유량(질량％)을 [Mn]으로 했을 때, 수학식 1로 나타내어지는 값A가 수학식 2를 만족시킨다. 상기 슬래브 중의 N의 함유량(질량％)을 [N], 상기 질화 처리에 의해 증가한 상기 강대 중의 N의 양(질량％)을 ΔN으로 했을 때, 수학식 3으로 나타내어지는 값I가 수학식 4를 만족시킨다.
[수학식 1]
Figure 112013010201305-pct00001
[수학식 2]
Figure 112013010201305-pct00002
[수학식 3]
Figure 112013010201305-pct00003
[수학식 4]
Figure 112013010201305-pct00004
본 발명에 따르면, 슬래브의 조성이 적절하게 규정되고, 또한 열간 압연, 냉간 압연, 어닐링 및 질화 처리의 조건도 적절하게 규정되어 있으므로, 1차 인히비터 및 2차 인히비터를 적절하게 형성할 수 있다. 이 결과, 2차 재결정에 의해 얻어지는 집합 조직이 양호한 것으로 되어, 양호한 자기 특성을 안정적으로 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 관한 방향성 전자기 강판의 제조 방법을 도시하는 흐름도이다.
도 2는 질화로의 구조를 도시하는 단면도이다.
도 3은 도 2의 질화로의 구조를 도시하는 단면도이다.
도 4는 다른 질화로의 구조를 도시하는 단면도이다.
도 5는 또 다른 질화로의 구조를 도시하는 단면도이다.
도 6은 제5 실험예의 결과를 나타내는 그래프이다.
도 7은 제6 실험예의 결과를 나타내는 그래프이다.
인히비터의 입성장 억제 효과는 인히비터의 원소, 사이즈(형태) 및 양에 의존한다. 따라서, 입성장 억제 효과는 인히비터를 형성하는 방법에도 의존한다.
따라서, 본 발명의 실시 형태에서는, 도 1에 도시하는 흐름도를 따라서 인히비터의 형성의 제어를 행하면서 방향성 전자기 강판을 제조한다. 여기서는, 이 방법의 개요에 대해 설명한다.
소정의 조성의 슬래브의 가열을 행하여(스텝 S1), 인히비터로서 기능하는 물질을 고용시킨다.
계속해서, 열간 압연을 행하여, 강대(열연 강대)를 얻는다(스텝 S2). 이 열간 압연에 있어서, 미세한 AlN 석출물이 형성된다.
그 후, 강대(열연 강대)의 어닐링을 행하여, AlN, MnS, Cu-S 및 MnSe 등의 석출물(1차 인히비터)을 적정한 사이즈 및 양으로 형성한다(스텝 S3).
계속해서, 스텝 S3의 어닐링 후의 강대(제1 어닐링 강대)의 냉간 압연을 행한다(스텝 S4). 냉간 압연은 1회만 행해도 좋고, 복수회의 냉간 압연을, 사이에 중간 어닐링을 행하면서 행해도 좋다. 중간 어닐링을 행하는 경우, 스텝 S3의 어닐링을 생략하고, 중간 어닐링에 있어서, 1차 인히비터를 형성해도 좋다.
계속해서, 냉간 압연 후의 강대(냉연 강대)의 어닐링을 행한다(스텝 S5). 이 어닐링에서는 탈탄이 행해지고, 또한 1차 재결정이 발생하여, 냉연 강대의 표면에 산화층(글래스 피막, 1차 피막, 포오스테라이트 피막의 원료)이 형성된다.
그 후, 스텝 S5의 어닐링 후의 강대(제2 어닐링 강대)의 질화 처리를 행한다(스텝 S6). 즉, 강대로의 질소의 도입을 행한다. 이 질화 처리에 있어서, AlN의 석출물(2차 인히비터)이 형성된다.
계속해서, 질화 처리 후의 강대(질화 강대)의 표면에 어닐링 분리제를 도포하고, 그 후, 마무리 어닐링을 행한다(스텝 S7). 이 마무리 어닐링에 있어서, 2차 재결정이 발현된다.
(슬래브의 조성)
다음에, 슬래브의 조성에 대해 설명한다.
C:0.04질량％ 내지 0.09질량％
C의 함유량이 0.04질량％ 미만이면, 1차 재결정에 의해 얻어지는 집합 조직이 적절하지 않게 된다. C의 함유량이 0.09질량％를 초과하고 있으면, 자기 시효를 억제하기 위한 탈탄 처리(스텝 S5)가 곤란해진다. 따라서, C의 함유량은 0.04질량％ 내지 0.09질량％로 한다.
Si:2.5질량％ 내지 4.0질량％
Si의 함유량이 2.5질량％ 미만이면, 양호한 철손이 얻어지지 않는다. Si의 함유량이 4.0질량％를 초과하고 있으면, 냉간 압연(스텝 S4)이 극히 곤란해진다. 따라서, Si의 함유량은 2.5질량％ 내지 4.0질량％로 한다.
Mn:0.045질량％ 내지 0.065질량％
Mn의 함유량이 0.045질량％ 미만이면, 열간 압연(스텝 S2)에 의해 균열이 발생하기 쉬워, 수율이 저하된다. 또한, 2차 재결정(스텝 S7)이 안정되지 않는다. Mn의 함유량이 0.065질량％를 초과하고 있으면, 슬래브 중의 MnS 및 MnSe가 많아지므로, 이들을 적절하게 고용시키기 위해, 슬래브 가열(스텝 S1)의 온도를 높게 할 필요가 있어, 비용의 증가 등으로 연결된다. 또한, Mn의 함유량이 0.065질량％를 초과하고 있으면, 슬래브 가열(스텝 S1) 시에 Mn의 고용의 정도가 장소에 따라서 불균일해지기 쉽다. 따라서, Mn의 함유량은 0.045질량％ 내지 0.065질량％로 한다.
산가용성 Al:0.022질량％ 내지 0.031질량％
산가용성 Al은, N과 결합하여 AlN을 형성한다. 그리고, AlN이 1차 인히비터 및 2차 인히비터로서 기능한다. 상술한 바와 같이, 1차 인히비터는 어닐링(스텝 S3)에 있어서 형성되고, 2차 인히비터는 질화 처리(스텝 S6)에 있어서 형성된다. 산가용성 Al의 함유량이 0.022질량％ 미만이면, AlN의 형성량이 부족하고, 또한 2차 재결정(스텝 S7)에 의해 얻어지는 결정립의 Goss 방위({110}<001>)의 집적도가 낮아진다. 산가용성 Al의 함유량이 0.031질량％를 초과하고 있으면, 슬래브 가열(스텝 S1) 시에 AlN을 확실하게 고용시키기 위해, 그 온도를 높게 할 필요가 있다. 따라서, 산가용성 Al의 함유량은 0.022질량％ 내지 0.031질량％로 한다.
N:0.003질량％ 내지 0.006질량％
N은, 인히비터로서 기능하는 AlN의 형성에 중요하다. 그러나, N의 함유량이 0.006질량％를 초과하고 있으면, 확실한 고용을 위해, 슬래브 가열(스텝 S1)의 온도를 1390℃보다도 높게 할 필요가 있다. 또한, 2차 재결정(스텝 S7)에 의해 얻어지는 결정립의 Goss 방위의 집적도가 저하된다. N의 함유량이 0.003질량％ 미만이면, 1차 인히비터로서 기능하는 AlN을 충분히 석출시킬 수 없어, 1차 재결정(스텝 S5)에 의해 얻어지는 결정립(1차 재결정립)의 입경의 제어가 곤란해진다. 이로 인해, 2차 재결정(스텝 S7)이 불안정해진다. 따라서, N의 함유량은 0.003질량％ 내지 0.006질량％로 한다.
S, Se:S당량으로 0.013질량％ 내지 0.021질량％
S 및 Se는, Mn 및/또는 Cu와 결합하고, Mn 및/또는 Cu와의 화합물이 1차 인히비터로서 기능한다. 또한, 이들 화합물은 AlN의 석출핵으로서도 유용하다. S의 함유량을 [S], Se의 함유량을 [Se]로 하면, S 및 Se의 함유량의 S당량 Seq는 「[S]＋0.406× [Se]」로 나타내어지고, S 및 Se의 함유량이 S당량 Seq로 환산하여 0.021질량％를 초과하고 있으면, 확실한 고용을 위해, 슬래브 가열(스텝 S1)의 온도를 높게 할 필요가 있다. S 및 Se의 함유량이 S당량 Seq로 환산하여 0.013％ 미만이면, 1차 인히비터를 충분히 석출시킬 수 없어(스텝 S3), 2차 재결정(스텝 S7)이 불안정해진다. 따라서, S 및 Se의 함유량은 S당량 Seq로 환산하여 0.013질량％ 내지 0.021질량％로 한다.
Ti:0.005질량％ 이하
Ti는, N과 결합하여 TiN을 형성한다. 그리고, Ti의 함유량이 0.005질량％를 초과하고 있으면, AlN의 형성에 기여하는 N이 부족하고, 1차 인히비터 및 2차 인히비터가 부족하다. 이 결과, 2차 재결정(스텝 S7)이 불안정해진다. 또한, TiN은 마무리 어닐링(스텝 S7) 후에 있어서도 잔존하여, 자기 특성(특히 철손)을 열화시킨다. 이로 인해, Ti의 함유량은 0.005질량％ 이하로 한다.
Cu:0.05질량％ 내지 0.3질량％
Cu는, 슬래브 가열(스텝 S1)이 1280℃ 이상에서 행해지면, S 및 Se와 함께 미세한 석출물(Cu-S, Cu-Se)을 형성하고, 이 석출물이 인히비터로서 기능한다. 또한, 이 석출물은 2차 인히비터로서 기능하는 AlN의 분산을 보다 균일하게 하는 석출핵으로서도 기능한다. 이로 인해, Cu를 포함하는 석출물은 2차 재결정(스텝 S7)의 안정화에 기여한다. Cu의 함유량이 0.05질량％ 미만이면, 이들의 효과를 얻기 어렵다. Cu의 함유량이 0.3질량％를 초과하고 있으면, 이들의 효과가 포화되고, 또한 열간 압연(스텝 S2) 시에 「표면 벗겨짐」이라고 불리는 표면 결함을 발생시키는 경우가 있다. 따라서, Cu의 함유량은 0.05질량％ 내지 0.3질량％인 것이 바람직하다.
Sn, Sb:총계로 0.02질량％ 내지 0.30질량％
Sn 및 Sb는, 1차 재결정(스텝 S5)에 의해 얻어지는 집합 조직의 개선에 유효하다. 또한, Sn 및 Sb는 입계 편석 원소로, 2차 재결정(스텝 S7)을 안정화시켜, 2차 재결정에 의해 얻어지는 결정립의 입경을 작게 한다. Sn 및 Sb의 함유량이 총계로 0.02질량％ 미만이면, 이들 효과를 얻기 어렵다. Sn 및 Sb의 함유량이 총계로 0.30질량％를 초과하고 있으면, 탈탄 처리(스텝 S5) 시에 냉연 강대가 산화되기 어려워, 산화층이 충분히 형성되지 않는다. 또한, 탈탄이 곤란해지는 경우가 있다. 따라서, Sn 및 Sb의 함유량은 총계로 0.02질량％ 내지 0.30질량％인 것이 바람직하다.
또한, P도 동일한 효과를 나타내만, P는 취화를 일으키기 쉽다. 이로 인해, P의 함유량은 0.020질량％ 내지 0.030질량％인 것이 바람직하다.
Cr:0.02질량％ 내지 0.30질량％
Cr은, 탈탄 처리(스텝 S5) 시의 양호한 산화층의 형성에 유효하다. 산화층은, 표면 장력을 부여하는 글래스 피막의 형성에 기여한다. Cr의 함유량이 0.02질량％ 미만이면, 이 효과를 얻기 어렵다. Cr의 함유량이 0.30질량％를 초과하고 있으면, 탈탄 처리(스텝 S5) 시에, 냉연 강대가 산화되기 어려워, 산화층이 충분히 형성되지 않아, 탈탄이 곤란해지는 경우가 있다. 따라서, Cr의 함유량은 0.02질량％ 내지 0.30질량％인 것이 바람직하다.
그 밖의 원소가, 방향성 전자기 강판의 모든 특성 향상을 위해 함유되어 있어도 좋다. 또한, 슬래브의 잔량부는 Fe 및 불가피적 불순물로 이루어지는 것이 바람직하다.
예를 들어, Ni는 1차 인히비터로서 기능하는 석출물 및 2차 인히비터로서의 석출물의 균일 분산에 현저한 효과를 나타내고, 적절한 양의 Ni가 함유되어 있으면, 양호하고 또한 안정된 자기 특성을 얻기 쉬워진다. Ni의 함유량이 0.02질량％ 미만이면, 이 효과를 얻기 어렵다. Ni의 함유량이 0.3질량％를 초과하고 있으면, 탈탄 처리(스텝 S5) 시에, 냉연 강대가 산화되기 어려워, 산화층이 충분히 형성되지 않아, 탈탄이 곤란해지는 경우가 있다.
또한, Mo 및 Cd는 황화물 또는 세렌화물을 형성하고, 이들의 석출물은 인히비터로서 기능할 수 있다. Mo 및 Cd의 함유량이, 총량으로 0.008질량％ 미만이면, 이 효과를 얻기 어렵다. Mo 및 Cd의 함유량이 총량으로 0.3질량％를 초과하고 있으면, 석출물이 조대화되어 인히비터로서 기능하지 않고, 자기 특성이 안정되지 않는다.
(제조 공정의 조건)
다음에, 도 1에 도시하는 각 제조 공정의 조건에 대해 설명한다.
스텝 S1
스텝 S1에서는, 상술한 바와 같은 조성의 슬래브의 가열을 행한다. 슬래브를 얻기 위한 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 연속 주조법에 의해 슬래브를 제작할 수 있다. 또한, 슬래브 가열을 용이하게 행하기 위해, 분괴법을 채용해도 좋다. 분괴법의 채용에 의해, 탄소 함유량을 줄일 수 있다. 구체적으로는, 연속 주조법에 의해 초기의 두께가 150㎜ 내지 300㎜, 바람직하게는 200㎜ 내지 250㎜의 슬래브를 제조한다. 또한, 슬래브의 초기의 두께를 약 30㎜ 내지 70㎜로 하여, 소위 얇은 슬래브를 제작해도 좋다. 박 슬래브법을 채용한 경우, 열간 압연(스텝 S2) 시에, 중간 두께로의 조압연을 생략하는 것이 가능해진다.
슬래브 가열의 온도는 슬래브 중의 인히비터로서 기능하는 물질이 고용(용체화)되는 온도, 예를 들어 1280℃ 이상으로 한다. 인히비터로서 기능하는 물질로서는, AlN, MnS, MnSe, Cu-S 등을 들 수 있다. 슬래브 중의 인히비터로서 기능하는 물질이 고용되는 온도 미만에서 슬래브 가열을 행하면, 그 석출이 불균일해져, 소위 스키드 마크가 최종 제품에서 발생하는 경우가 있다.
또한, 슬래브 가열의 온도의 상한은, 야금적으로는 특별히 한정되지 않는다. 단, 1390℃ 이상에서 슬래브 가열을 행하면, 설비 및 조업에 관한 다양한 곤란이 발생하는 경우가 있다. 이로 인해, 슬래브 가열은 1390℃ 이하에서 행한다.
슬래브 가열의 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 가스 가열법, 유도 가열법, 직접 통전 가열법 등을 채용할 수 있다. 또한, 이들 가열을 용이하게 행하기 위해, 주조 슬래브에 브레이크 다운(분괴)을 실시해도 좋다. 또한, 슬래브 가열의 온도를 1300℃ 이상으로 하는 경우에는, 이 브레이크 다운에 의해 집합 조직의 개선을 실시하여 C량을 줄여도 좋다.
스텝 S2
스텝 S2에서는, 슬래브 가열 후의 슬래브를 열간 압연하여, 열연 강대를 얻는다.
이때, 슬래브에 함유되는 N 중 열연 강대 중에 AlN으로서 석출한 것의 비율(N의 석출률)은 20％ 이하로 한다. N의 석출률이 20％를 초과하면, 어닐링(스텝 S3) 후에 강대 중에 존재하는 석출물 중, 1차 인히비터로서 기능하지 않는 조대한 것이 많아져, 1차 인히비터로서 기능하는 미세한 것이 부족하기 때문이다. 이와 같은 미세한 석출물(1차 인히비터)이 부족하면, 2차 재결정성(스텝 S7)이 불안정해진다.
또한, N의 석출률은, 예를 들어 열간 압연에 있어서의 냉각 조건에 의해 조절할 수 있다. 즉, 냉각 개시 온도를 높고, 또한 냉각 속도를 빠르게 하면, 석출률이 저하된다. 석출률의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 3％ 미만으로 하는 것은 곤란하다.
또한, 슬래브에 함유되는 S 및/또는 Se 중 열연 강대 중에 MnS 또는 MnSe로서 석출한 것의 비율(S 및 Se의 Mn 화합물 석출률)은 S당량 Seq로 45％ 이하로 한다. S 및 Se의 Mn 화합물 석출률이 S당량으로 45％를 초과하면, 열간 압연 시의 석출이 불균일해진다. 또한, 석출물이 큰 것으로 되어, 2차 재결정(스텝 S7)의 유효한 인히비터로서 기능하기 어려워진다.
스텝 S3
스텝 S3에서는, 열연 강대의 어닐링을 행하여, AlN, MnS 및 MnSe 등의 석출물(1차 인히비터)을 형성한다.
이 어닐링은 주로 열간 압연 시에 발생한 열연 강대 내의 불균일한 조직의 균일화 및 1차 인히비터의 석출 및 미세 분산을 위해 행한다. 또한, 어닐링의 조건은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 특허 문헌 17, 특허 문헌 18 또는 특허 문헌 10 등에 기재되어 있는 조건을 사용할 수 있다.
또한, 이 어닐링에 있어서의 냉각 조건은 특별히 한정되지 않지만, 미세한 1차 인히비터를 확보하고, 켄칭 하드상을 확보하기 위해, 700℃로부터 300℃까지의 냉각 속도를 10℃/초 이상으로 하는 것이 바람직하다.
또한, 슬래브에 Cu가 함유되어 있는 경우, 어닐링 후에 강대에 함유되어 있는 S 및/또는 Se 중에서 Cu-S 또는 Cu-Se로서 석출한 것의 비율(S 및 Se의 Cu 화합물 석출률)은 S당량 Seq로 25％ 내지 60％로 하는 것이 바람직하다. S 및 Se의 Cu 화합물 석출률이 25％ 미만으로 되는 것은, 어닐링에 있어서의 냉각이 매우 급속이었던 경우가 많다. 그리고, 어닐링에 있어서의 냉각이 매우 급속이었던 경우, 1차 인히비터의 석출이 불충분하게 되어 있는 경우가 많다. 따라서, S 및 Se의 Cu 화합물 석출률이 25％ 미만인 경우, 2차 재결정(스텝 S7)이 불안정해지기 쉽다. S 및 Se의 Cu 화합물 석출률이 60％를 초과하고 있으면, 조대한 석출물이 많아, 1차 인히비터로서 기능하는 미세한 석출물이 부족해지기 쉽다. 이로 인해, 2차 재결정(스텝 S7)이 불안정해지기 쉽다.
스텝 S4
스텝 S4에서는, 어닐링 후의 강대의 냉간 압연을 행하여, 냉연 강대를 얻는다. 냉간 압연의 횟수는 특별히 한정되지 않는다. 또한, 냉간 압연을 1회만 행하는 경우에는, 냉간 압연 전에 열연 강대의 어닐링(스텝 S3)을, 최종 냉간 압연 전 어닐링으로 해 둔다. 또한, 복수회의 냉간 압연을 행하는 경우에는, 냉간 압연 사이에 중간 어닐링을 행하는 것이 바람직하다. 복수회의 냉간 압연을 행하는 경우, 스텝 S3의 어닐링을 생략하고, 중간 어닐링에 있어서 1차 인히비터를 형성해도 좋다.
또한, 냉간 압연 중 최종의 것(최종 냉간 압연)의 압연율은 84％ 내지 92％로 한다. 최종 냉간 압연의 압연율이 84％ 미만이면, 어닐링(스텝 S5)에 의해 얻어지는 1차 재결정의 집합 조직의 Goss 방위로의 집적도가 낮아지고, 또한 Goss의 Σ9 대응 방위의 강도가 약해진다. 이 결과, 고자속 밀도가 얻어지지 않는다. 최종 냉간 압연의 압연율이 92％를 초과하면, 1차 재결정(스텝 S5)에 의해 얻어지는 집합 조직에서의 Goss 방위의 결정립이 극단적으로 적어져, 2차 재결정(스텝 S7)이 불안정해진다.
최종 냉간 압연의 조건은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 상온에서 실시해도 좋다. 또한, 적어도 1 패스의 온도를 100℃ 내지 300℃의 범위로 1분 이상 유지하면, 1차 재결정(스텝 S5)에 의해 얻어지는 집합 조직이 양호해지고, 자기 특성이 극히 양호해진다. 이는, 특허 문헌 19 등에 기재되어 있다.
스텝 S5
스텝 S5에서는, 냉연 강대의 어닐링을 행하고, 이 어닐링의 과정에서 탈탄을 행하여, 1차 재결정을 발생시킨다. 또한, 이 어닐링의 결과, 냉연 강대의 표면에 산화층이 형성된다. 1차 재결정에 의해 얻어지는 결정립의 평균 입경(원상당 면적의 직경)은 8㎛ 이상 15㎛ 이하로 한다. 1차 재결정립의 평균 입경이 8㎛ 미만이면, 마무리 어닐링(스텝 S7) 시에 2차 재결정이 발생하는 온도가 극히 낮아진다. 즉, 저온에서 2차 재결정이 발생해 버린다. 이 결과, Goss 방위의 집적도가 저하된다. 1차 재결정립의 평균 입경이 15㎛를 초과하고 있으면, 마무리 어닐링(스텝 S7) 시에 2차 재결정이 발생하는 온도가 높아진다. 이 결과, 2차 재결정(스텝 S7)이 불안정해진다. 또한, 1차 재결정립의 평균 입경은, 슬래브 가열(스텝 S1)의 온도를 1280℃ 이상으로 하여 인히비터로서 기능하는 물질을 완전히 고용시킨 경우에는, 최종 냉간 압연 전 어닐링(스텝 S3)의 온도 및 어닐링(스텝 S5)의 온도를 변화시켜도, 대략 8㎛ 이상 15㎛ 이하로 된다.
1차 재결정립이 작을수록, 입성장의 관점으로부터, 1차 재결정의 단계에서 2차 재결정의 핵이 되는 Goss 방위의 결정립의 절대수가 많아진다. 예를 들어, 1차 재결정립의 평균 입경이 8㎛ 이상 15㎛ 이하인 경우, 탈탄 어닐링 완료 후의 1차 재결정립의 평균 입경이 18㎛ 내지 35㎛인 경우(특허 문헌 20)와 비교하면, Goss 방위의 결정립의 절대수는 약 5배 정도이다. 또한, 1차 재결정립이 작을수록, 2차 재결정에 의해 얻어지는 결정립(2차 재결정립)도 작아진다. 이들의 상승 효과에 의해, 방향성 전자기 강판의 철손이 낮아지고, 또한 Goss 방위를 향하는 결정립이 선택적으로 성장하여, 자속 밀도가 향상된다.
스텝 S5의 어닐링의 조건은 특별히 한정되지 않고, 종래의 것이라도 좋다. 예를 들어, 650℃ 내지 950℃에서, 80초간 내지 500초간, 질소 및 수소의 혼합 습윤 분위기 중에서 행할 수 있다. 냉연 강대의 두께에 따라서 시간 등을 조절해도 좋다. 또한, 승온 개시로부터 650℃ 이상까지의 가열 속도를 100℃/초 이상으로 하는 것이 바람직하다. 1차 재결정의 집합 조직이 개선되어, 자기 특성이 양호해지기 때문이다. 100℃/초 이상에서 가열하는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 저항 가열법, 유도 가열법, 직접 에너지 부여 가열법 등을 채용할 수 있다.
가열 속도를 빠르게 하면, 1차 재결정의 집합 조직에 있어서 Goss 방위의 결정립이 많아져, 2차 재결정립이 작아진다. 이 효과는 가열 속도가 100℃/초 전후에서도 얻어지지만, 150℃/초 이상으로 하는 것이 보다 바람직하다.
스텝 S6
스텝 S6에서는, 1차 재결정 후의 강대의 질화 처리를 행한다. 이 질화 처리에서는 산가용성 Al과 결합하는 N을 강대에 도입하여, 2차 인히비터를 형성한다. 이때, N의 도입량이 지나치게 적으면, 2차 재결정(스텝 S7)이 불안정해진다. N의 도입량이 지나치게 많으면, Goss 방위의 집적도가 극히 열화되고, 또한 지철이 노출되는 글래스 피막 결함이 다발한다. 따라서, N의 도입량에 관하여, 이하와 같은 조건을 설정한다.
슬래브 중의 Mn, S 및 Se의 함유량에 관하여, 수학식 1에서 정의되는 값A가 수학식 2를 만족시킨다. 여기서, [Mn]은 Mn의 함유량을 나타낸다.
[수학식 1]
Figure 112013010201305-pct00005
[수학식 2]
Figure 112013010201305-pct00006
또한, 수학식 3으로 정의되는 값I가 수학식 4를 만족시킨다. 여기서, [N]은 슬래브 중의 N의 함유량을 나타내고, ΔN은 질화 처리에서의 N의 함유량의 증가량을 나타낸다.
[수학식 3]
Figure 112013010201305-pct00007
[수학식 4]
Figure 112013010201305-pct00008
이와 같은 조건이 만족되어 있으면, 2차 인히비터가 적절하게 형성되고, 2차 재결정(스텝 S7)이 안정화되어, Goss 방위로의 집적도가 높은 집합 조직이 얻어진다.
값A가 1.6 미만이면, 2차 재결정(스텝 S7)이 불안정해진다. 값A가 2.3을 초과하고 있으면, 슬래브 가열(스텝 S1)의 온도를 극히 높게(1390℃보다도 높게) 하지 않으면 인히비터로서 기능하는 물질을 고용시킬 수 없게 된다.
값I가 0.0011 미만이면, 인히비터의 총량이 부족해, 2차 재결정(스텝 S7)이 불안정해진다. 값I가 0.0017을 초과하고 있으면, 인히비터의 총량이 지나치게 많아져, 2차 재결정(스텝 S7)의 집합 조직에 있어서의 Goss 방위의 집적도가 저하되어, 양호한 자기 특성을 얻기 어려워진다.
또한, 질화 처리 후에 강대에 포함되어 있는 N의 양은 AlN을 구성하는 N의 양보다도 많은 것이 바람직하다. 2차 재결정(스텝 S7)의 안정화를 위해서이다. 이와 같은 N의 함유량이 2차 재결정(스텝 S7)의 안정화로 연결되는 이유는 명백하지 않지만, 이하와 같이 생각된다. 마무리 어닐링(스텝 S7)에서는, 강대의 온도가 높아지므로, 2차 인히비터로서 기능하는 AlN이 분해되거나, 고용되는 경우가 있다. 이 현상은 N의 확산이 알루미늄의 확산보다 용이하므로, 탈질소로서 일어난다. 이로 인해, 질화 처리 후에 강대에 포함되어 있는 N의 양이 적을수록, 탈질소가 촉진되어, 2차 인히비터의 작용이 조기에 소실되기 쉬워진다. 질화 처리 후에 강대에 포함되어 있는 N의 양은 AlN을 구성하는 N의 양보다도 많은 경우에는, 이 탈질소가 발생하기 어려워진다. 즉, AlN의 분해 및 고용이 발생하기 어려워진다. 따라서, 충분한 양의 AlN이 2차 인히비터로서 기능한다. 그리고, 이와 같은 N의 양의 조정 시에는, 수학식 3 및 수학식 4를 고려하는 것이 바람직하다.
또한, 강대에 Ti가 많이 포함되어 있는 경우(예를 들어, Ti의 함유량이 0.005질량％를 초과하고 있는 경우), 질화 처리에서 TiN이 많이 형성되어, 마무리 어닐링(스텝 S7) 후에 있어서도 잔존하므로, 자기 특성이 저하(특히, 철손이 악화)되는 경우가 있다.
질화 처리의 방법은 특별히 한정되지 않고, 어닐링 분리제에 질화물(CrN 및 MnN 등)을 혼합시켜 고온 어닐링으로 질화시키는 방법, 스트립(강대)을 주행시킨 상태에서, 수소, 질소 및 암모니아의 혼합 가스 중에서 질화시키는 방법을 들 수 있다. 공업 생산의 관점으로부터는, 후자가 바람직하다.
또한, 질화 처리는 1차 재결정 후의 강대의 양면에 대해 행하는 것이 바람직하다. 본 실시 형태에서는, 1차 재결정립의 입경이 8㎛ 이상 15㎛ 이하 정도이고, 또한 슬래브의 N의 함유량이 0.003질량％ 내지 0.006질량％이다. 이로 인해, 2차 재결정(스텝 S7)이 개시되는 온도는 1000℃ 이하로 낮다. 따라서, 2차 재결정에 의해 Goss 방위에 집적한 집합 조직을 얻기 위해서는, 두께 방향의 전체에 인히비터가 균일하게 분산되어 있는 것이 바람직하다. 이로 인해, N을 강대 중에 조기에 확산시키는 것이 바람직하고, 강대의 양면으로부터 대략 동등하게 질화 처리를 행하는 것이 바람직하다.
예를 들어, 강대의 한쪽의 표면으로부터 20％의 두께의 부분의 질소의 함유량을 σN1(질량％), 다른 쪽의 표면으로부터 20％의 두께의 부분의 질소의 함유량을 σN2(질량％)로 했을 때, 수학식 5에서 정의되는 값B가 수학식 6을 만족시키는 것이 바람직하다.
[수학식 5]
Figure 112013010201305-pct00009
[수학식 6]
Figure 112013010201305-pct00010
본 실시 형태에서는, 1차 재결정립이 작고, 2차 재결정(스텝 S7)의 개시 온도가 낮으므로, 값B가 0.35를 초과하고 있으면, N이 강대의 전체에 확산되기 전에, 2차 재결정이 개시되어, 2차 재결정이 불안정해진다. 또한, N의 확산이 두께 방향에서 불균일로 되므로, 2차 재결정의 핵이 표층부로부터 이격된 위치에 발생하여, Goss 방위의 집적도가 저하된다.
여기서, 스텝 S6의 질화 처리에 적합한 질화로에 대해 설명한다. 도 2 및 도 3은 질화로의 구조를 도시하는 단면도로, 서로 직교하는 단면을 도시하고 있다.
도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 스트립(11)이 주행하는 로 껍데기(3) 내에 도입관(1)이 설치되어 있다. 도입관(1)은, 예를 들어 스트립(11)이 주행하는 영역(스트립 패스 라인)보다도 하방에 설치되어 있다. 도입관(1)은 스트립(11)의 주행 방향에 대해 교차하는 방향, 예를 들어 직교하는 방향으로 연장되어 있고, 상방을 향하는 복수의 노즐(2)이 설치되어 있다. 그리고, 노즐(2)로부터 암모니아 가스가 로 껍데기(3) 내에 분출된다. 또한, 노즐(2)의 배치에 관하여, 수학식 7 내지 수학식 11이 만족되어 있는 것이 바람직하다. 여기서, t1은 노즐(2)의 선단과 스트립(11)의 최단 거리를 나타내고, t2는 스트립(11)과 로 껍데기(3)의 천장부(벽부)의 거리를 나타내고, t3은 스트립(11)의 폭 방향의 양단부로부터 로 껍데기(3)의 벽부까지의 거리를 나타낸다. 또한, W는 스트립(11)의 폭을 나타내고, L은 양단부에 위치하는 노즐(2)의 최대 폭을 나타내고, l은 인접하는 노즐(2)의 중심 간격을 나타낸다. 스트립(11)의 폭(W)은, 예를 들어 900㎜ 이상이다.
[수학식 7]
Figure 112013010201305-pct00011
[수학식 8]
Figure 112013010201305-pct00012
[수학식 9]
Figure 112013010201305-pct00013
[수학식 10]
Figure 112013010201305-pct00014
[수학식 11]
Figure 112013010201305-pct00015
이와 같은 질화로를 사용하여 질화 처리를 행하면, 로 껍데기(3) 내에 있어서, 암모니아 농도의 편차가 거의 발생하지 않아, 용이하게 값B를 0.35 이하로 억제할 수 있다. 또한, 도 2 및 도 3에 도시하는 예에서는, 스트립(11)의 하방에만 노즐(2)을 설치하고 있지만, 상방에만 설치해도 좋고, 상방 및 하방의 양쪽에 설치해도 좋다. 도 2 및 도 3에서는 생략하고 있지만, 실제의 질화로에는 다양한 가스관 및 제어계 장치용 배선 등이 설치되어, 상방 및 하방의 양쪽에 노즐(2)을 설치하는 것이 곤란한 경우가 있다. 이와 같은 경우라도, 도 2 및 도 3에 도시하는 예에 따르면, 상방 또는 하방의 한쪽에만 노즐(2)을 설치하여, 수학식 5 및 수학식 6의 관계를 만족시킬 수 있다. 즉, 상방 및 하방의 양쪽에 설치하는 경우와 비교하여 질화로로의 투자액을 억제할 수 있다.
또한, 도 2 및 도 3에 도시하는 도입관(1)이, 스트립(11)의 주행 방향을 따라서 복수 설치되어 있어도 좋다. 스트립(11)의 주행 속도가 빠른 경우, 1개의 도입관(1)만을 사용하면 충분한 질화 처리가 곤란해지는 경우가 있지만, 복수의 도입관(1)을 사용함으로써, 확실하게 질화 처리를 행하여, 2차 인히비터를 적절하게 발생시키는 것이 가능해진다.
또한, 도입관(1)이 복수로 분할되어 있어도 좋다. 예를 들어, 도 4에 도시한 바와 같이, 도입관(1)을 분할한 3개의 도입관편(1a)이 설치되어 있어도 좋다. 1개의 도입관(편)에 설치된 노즐이 많을수록, 노즐로부터 분출되는 암모니아 가스의 압력에 편차가 발생하기 쉽다. 도 2 및 도 3에 도시하는 예와 도 4에 도시하는 예를 비교하면, 1개의 도입관편(1a)에 설치된 노즐(2)의 수가, 도입관(1)에 설치된 노즐(2)의 수보다도 적으므로, 폭 방향에 있어서 보다 균일한 질화를 행하는 것이 가능해진다.
또한, 이웃하는 도입관편(1a) 사이의 스트립(11)의 주행 방향에 있어서의 간격(L0)은 550㎜ 이하인 것이 바람직하다. 간격(L0)이 550㎜를 초과하고 있으면, 스트립의 폭 방향의 질화의 정도가 불균일해지기 쉽고, 2차 재결정이 불균일해지기 쉽다.
또한, 도 5에 도시한 바와 같이, 암모니아 가스의 로 껍데기(3) 내로의 도입이, 로 껍데기(3)의 벽부에 형성된 도입구(4)로부터 행해져도 좋다. 이 경우, 도입구(4)의 배치에 관하여, 수학식 12 내지 수학식 14가 만족되어 있는 것이 바람직하다. 여기서, t4는 스트립(11)과 로 껍데기(3)의 천장부 또는 바닥부(벽부)의 최단 거리를 나타내고, H는 스트립(11)이 주행하는 영역과 도입구(4)의 수직 거리를 나타낸다.
[수학식 12]
Figure 112013010201305-pct00016
[수학식 13]
Figure 112013010201305-pct00017
[수학식 14]
Figure 112013010201305-pct00018
이와 같은 질화로를 사용하여 질화 처리를 행하면, 용이하게 값B를 0.35 이하로 억제할 수 있다.
도입구(4)는 스트립(11)의 폭 방향의 양측에 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이는, 로 껍데기(3) 내의 암모니아 가스의 농도를 보다 균일하게 하기 쉽게 하기 때문이다. 또한, 보다 균일한 질화를 위해서는, 도입구(4)가 스트립(11)과 동등한 높이 위치에 형성되어 있는 것이 바람직하지만, 수학식 14가 만족되어 있으면, 대략 양호한 질화를 행하는 것이 가능하다.
또한, 도 2 내지 도 5에 도시하는 예에서는, 스트립(11)의 주행 방향은 수평 방향이다. 그러나, 스트립(11)의 주행 방향이, 수평 방향으로부터 경사져 있어도 좋고, 예를 들어 연직 방향이라도 좋다. 어떻게 하든, 상기의 조건이 만족되어 있는 것이 바람직하다.
스텝 S7
스텝 S7에서는, 예를 들어 MgO를 주성분으로 하는 어닐링 분리제(예를 들어, MgO를 90질량％ 이상 함유하는 어닐링 분리제)를 코팅한 후 마무리 어닐링을 행하여, 2차 재결정을 발생시킨다.
이때, 1차 인히비터(스텝 S3에서 형성된 AlN, MnS, MnSe 및 Cu-S) 및 2차 인히비터(스텝 S6에서 형성된 AlN)가 2차 재결정을 제어한다. 즉, 1차 인히비터 및 2차 인히비터에 의해, 두께 방향에서의 Goss 방위의 우선 성장이 점점 증가되어, 자기 특성이 현저하게 향상된다. 또한, 2차 재결정은 강대의 표층 근처에서 개시한다. 그리고, 본 실시 형태에서는, 1차 인히비터 및 2차 인히비터의 양이 적절한 것으로 되어 있고, 1차 재결정립의 입경이 8㎛ 이상 15㎛ 이하 정도이다. 이로 인해, 입계 이동(입성장 : 2차 재결정)의 구동력이 커져, 마무리 어닐링의 승온 단계의 보다 조기에(보다 저온에서) 2차 재결정이 개시된다. 그리고, Goss 방위의 2차 재결정립의 강대의 두께 방향에서의 선택성이 증대된다. 이 결과, 2차 재결정에 의해 얻어지는 집합 조직의 Goss 방위로의 집적도가 극히 높아진다. 즉, 2차 재결정이 안정적으로 발생하여, 양호한 자기 특성이 얻어진다.
또한, 2차 재결정을 위한 마무리 어닐링은, 예를 들어 상자형의 어닐링로에서 행해진다. 이때, 질화 처리 후의 강대는 코일 형상으로 되어 있어, 유한의 중량(사이즈)을 갖는다. 이와 같은 마무리 어닐링에 있어서의 생산성의 향상을 위해서는, 코일마다의 중량을 크게 하는 것이 생각된다. 그러나, 코일의 중량을 크게 하면, 코일의 부위 사이에서의 온도 이력이 크게 달라지기 쉽다. 특히, 마무리 어닐링의 최고 온도가 설비상 한정되어 있으므로, 2차 재결정이 개시되는 온도가 높아지면, 코일의 최냉점과 최열점의 온도 이력의 차이가 현저하게 커진다. 따라서, 2차 재결정의 개시는 온도 이력에 차이가 발생하기 어려운 시기, 즉 승온 시에 발생하는 것이 바람직하다. 승온 시에 2차 재결정이 개시되면, 코일의 부위 사이에서의 자기 특성의 불균일성이 현저하게 감소하여, 어닐링 조건이 설정되기 쉽고, 자기 특성이 극히 고위로 안정된다. 본 실시 형태에서는, 2차 재결정의 개시 온도가 비교적 낮아지므로, 이와 같은 점에 있어서도 실제로 조업에 유효하다.
스텝 S7 이후에는, 예를 들어 절연 장력 코팅의 도포 및 평탄화 처리 등을 행한다.
본 실시 형태에 따르면, 인히비터의 상태를 양호한 것으로 하여, 양호한 자기 특성을 얻을 수 있다. 방향성 전자기 강판에 있어서의 자기 특성의 중요한 지표로서는, 철손, 자속 밀도 및 자왜를 들 수 있다. 철손은, Goss 방위의 집적도가 높고 자속 밀도가 높으면, 자구 제어 기술에 의해 개선할 수 있다. 자왜는 자속 밀도가 높으면, 작게(양호하게) 할 수 있다. 방향성 전자기 강판의 자속 밀도가 높으면, 이 방향성 전자기 강판을 사용하여 제조된 변압기의 여자 전류를 상대적으로 작게 할 수 있으므로, 변압기를 작게 할 수 있다.
이와 같이, 방향성 전자기 강판에 있어서 자속 밀도는 중요한 자기 특성이다. 그리고, 본 실시 형태에 따르면, 자속 밀도(B8)가 1.92T 이상인 방향성 전자기 강판을 안정적으로 제조할 수 있다. 여기서, 자속 밀도(B8)는 800A/m의 자장 중에서의 자속 밀도이다.
또한, 슬래브의 제작에 관하여, 최근, 통상의 연속 열간 압연을 보완하는 기술로서, 박 슬래브 주조 및 강대 주조(스트립 캐스터)가 실용화되어 있고, 이들의 주조를 행해도 좋다. 그러나, 이들 주조에서는, 응고 시에, 소위 「중심 편석」이 일어나 양호한 균일 고용 상태를 얻는 것은 극히 곤란하다. 이로 인해, 이들의 주조를 채용한 경우에는, 양호한 균일 고용 상태를 얻기 위해, 열간 압연(스텝 S2)을 행하기 전에, 고용화 열처리를 행해 두는 것이 바람직하다.
실시예
(제1 실험예)
표 1에 나타내는 성분으로 이루어지는 슬래브를 용제하여, 1300℃ 내지 1350℃에서 슬래브 가열을 행하였다(스텝 S1).
Figure 112011016885420-pct00019
계속해서, 열간 압연을 행하여(스텝 S2), 두께가 2.3㎜인 열연 강대를 얻었다. 열간 압연은 인히비터로서 기능하는 물질(AlN, MnS, Cu-S 및 MnSe)의 석출을 최대한 억제하기 위해, 1050℃를 초과하는 온도에서 마무리 열간 압연을 개시하고, 마무리 열간 압연 후, 급속 냉각을 행하였다. 그 후, 열연 강대의 연속 어닐링을 1120℃에서 60초간 행하고, 20℃/초에서 냉각하였다(스텝 S3). 계속해서, 200℃ 내지 250℃에서 강대의 냉간 압연을 행하여, 두께가 0.285㎜인 냉연 강대를 얻었다(스텝 S4). 계속해서, 180℃/초에서 800℃까지 가열하고, 800℃로부터 850℃까지 20℃/초 정도로 가열하고, 850℃에서 150초간, H2 및 N2의 혼합 분위기 내에서, 이슬점 65℃에서 탈탄 및 1차 재결정을 겸하는 어닐링을 행하였다(스텝 S5). 그 후, 스트립(강대)을 주행시키면서, 그 상하 방향으로부터 암모니아를 도입한 암모니아 분위기 내에서 강대의 질화 처리를 행하였다(스텝 S6). 이때, 분위기 내로의 암모니아 도입량을 다양하게 변경하여 질화량을 변화시켰다.
계속해서, MgO를 주성분으로 하는 어닐링 분리제를 질화 처리 후의 강대의 양면에 도포하고, 마무리 어닐링을 행하여, 2차 재결정을 발생시켰다(스텝 S7). 즉, 2차 재결정 어닐링을 행하였다. 이 마무리 어닐링은 N2의 비율이 25체적％, H2의 비율이 75체적％인 분위기 내에서 행하고, 10℃/시 내지 20℃/시에서 1200℃까지 강대를 승온하였다. 계속해서, 1200℃의 온도에서 20시간 이상, H2의 비율이 100체적％의 분위기 내에서 순화 처리를 행하였다. 또한, 절연 장력 코팅의 도포 및 평탄화 처리를 행하였다.
이와 같은 일련의 처리의 과정에 있어서, 다양한 석출률 및 얻어진 방향성 전자기 강판에 있어서의 질화 증량 및 자기 특성을 측정하였다. 이 결과를 표 2에 나타낸다.
Figure 112011016885420-pct00020
표 2에 나타낸 바와 같이, 실시예 번호 3, 4, 7, 8, 9 및 10에서는 높은 자기 특성, 특히 높은 자속 밀도(B8)가 얻어졌다.
(제2 실험예)
표 3에 나타내는 성분으로 이루어지는 슬래브를 용제하여, 1200℃ 내지 1340℃에서 슬래브 가열을 행하였다(스텝 S1).
Figure 112011016885420-pct00021
계속해서, 제1 실험예와 마찬가지로 하여, 냉연 강대를 얻었다(스텝 S2 내지 S4). 그 후, 180℃/초에서 800℃까지 가열하고, 800℃로부터 850℃까지 20℃/초 정도로 가열하고, 850℃에서 150초간, H2 및 N2의 혼합 분위기 내에서, 이슬점 65℃에서 탈탄 및 1차 재결정을 겸하는 어닐링을 행하였다(스텝 S5). 계속해서, 강대의 질화 처리를 행하였다(스텝 S6). 이때, 분위기 내로의 암모니아 도입량을 다양하게 변경하여 질화량을 변화시켰다. 또한, 번호 11 내지 20의 강대에 대해서는, 제1 실험예와 마찬가지로, 스트립(강대)을 주행시키면서, 그 상하 방향으로부터 암모니아를 도입한 암모니아 분위기 내에서 강대의 질화 처리를 행하였다. 또한, 번호 21 내지 29의 강대에 대해서는, 스트립(강대)을 주행시키면서, 그 상방향으로부터만 암모니아를 도입한 암모니아 분위기 내에서 강대의 질화 처리를 행하였다.
계속해서, MgO를 주성분으로 하는 어닐링 분리제를 질화 처리 후의 강대의 양면에 도포하고, 마무리 어닐링을 행하여, 2차 재결정을 발생시켰다(스텝 S7). 즉, 2차 재결정 어닐링을 행하였다. 이 마무리 어닐링은 N2의 비율이 25체적％, H2의 비율이 75체적％의 분위기 내에서 행하고, 10 내지 20℃/시에서 1200℃까지 강대를 승온하였다.
이와 같은 일련의 처리의 과정에 있어서, 다양한 석출률 및 얻어진 방향성 전자기 강판에 있어서의 질화 증량 및 자기 특성을 측정하였다. 이 결과를 표 4에 나타낸다.
Figure 112011016885420-pct00022
표 4에 나타낸 바와 같이, 실시예 번호 15, 16, 17, 23, 26, 27, 28 및 29에서는 높은 자기 특성, 특히 높은 자속 밀도(B8)가 얻어졌다. 특히, 상하 방향으로부터의 암모니아의 도입이 행해진 실시예 번호 15 내지 17에 있어서, 보다 높은 자기 특성이 얻어졌다.
(제3 실험예)
표 5에 나타내는 성분으로 이루어지는 슬래브를 용제하여, 1230℃ 내지 1350℃에서 슬래브 가열을 행하였다(스텝 S1).
Figure 112011016885420-pct00023
계속해서, 열간 압연을 행하여(스텝 S2), 두께가 2.3㎜인 열연 강대를 얻었다. 열간 압연은 인히비터로서 기능하는 물질(AlN, MnS, Cu-S 및 MnSe)의 석출을 최대한 억제하기 위해, 1050℃를 초과하는 온도에서 마무리 열간 압연을 개시하여, 마무리 열간 압연 후, 급속 냉각을 행하였다. 그 후, 열연 강대의 연속 어닐링을 1120℃에서 30초간 행하고, 또한 930℃에서 60초간 행하고, 20℃/초에서 냉각하였다(스텝 S3). 계속해서, 200℃ 내지 250℃에서 강대의 냉간 압연을 행하여, 두께가 0.22㎜인 냉연 강대를 얻었다(스텝 S4). 계속해서, 200℃/초에서 800℃까지 가열하고, 800℃로부터 850℃까지 20℃/초 정도로 가열하고, 850℃에서 110초간, H2 및 N2의 혼합 분위기 내에서, 이슬점 65℃에서 탈탄 및 1차 재결정을 겸하는 어닐링을 행하였다(스텝 S5). 그 후, 스트립(강대)을 주행시키면서, 그 상하 방향으로부터 암모니아를 도입한 암모니아 분위기 내에서 강대의 질화 처리를 행하였다(스텝 S6). 이때, 분위기 내로의 암모니아 도입량을 다양하게 변경하여 질화량을 변화시켰다.
계속해서, MgO를 주성분으로 하는 어닐링 분리제를 질화 처리 후의 강대의 양면에 도포하고, 마무리 어닐링을 행하여, 2차 재결정을 발생시킨다(스텝 S7). 즉, 2차 재결정 어닐링을 행하였다. 이 마무리 어닐링은 N2의 비율이 25체적％, H2의 비율이 75체적％인 분위기 내에서 행하고, 10℃/시 내지 20℃/시에서 1200℃까지 강대를 승온하였다. 계속해서, 1200℃의 온도에서 20시간 이상, H2의 비율이 100체적％의 분위기 내에서 순화 처리를 행하였다. 또한, 절연 장력 코팅의 도포 및 평탄화 처리를 행하였다.
이와 같은 일련의 처리의 과정에 있어서, 다양한 석출률 및 얻어진 방향성 전자기 강판에 있어서의 질화 증량 및 자기 특성을 측정하였다. 이 결과를 표 6에 나타낸다.
Figure 112011017045474-pct00048
표 6에 나타낸 바와 같이, 실시예 번호 32, 33, 34, 37, 38, 39 및 40에서는 높은 자기 특성, 특히 높은 자속 밀도(B8)가 얻어졌다.
(제4 실험예)
표 7에 나타내는 성분으로 이루어지는 슬래브를 용제하여, 1200℃ 내지 1340℃에서 슬래브 가열을 행하였다(스텝 S1).
Figure 112011017045474-pct00049
계속해서, 제3 실험예와 마찬가지로 하여, 냉연 강대를 얻었다(스텝 S2 내지 S4). 그 후, 200℃/초에서 800℃까지 가열하고, 800℃로부터 850℃까지 20℃/초 정도로 가열하고, 850℃에서 110초간, H2 및 N2의 혼합 분위기 내에서, 이슬점 65℃에서 탈탄 및 1차 재결정을 겸하는 어닐링을 행하였다(스텝 S5). 계속해서, 강대의 질화 처리를 행하였다(스텝 S6). 이때, 분위기 내로의 암모니아 도입량을 다양하게 변경하여 질화량을 변화시켰다. 또한, 번호 41 내지 50의 강대에 대해서는, 제1 실험예와 마찬가지로, 스트립(강대)을 주행시키면서, 그 상하 방향으로부터 암모니아를 도입한 암모니아 분위기 내에서 강대의 질화 처리를 행하였다. 또한, 번호 51 내지 60의 강대에 대해서는, 스트립(강대)을 주행시키면서, 그 상방향으로부터만 암모니아를 도입한 암모니아 분위기 내에서 강대의 질화 처리를 행하였다.
계속해서, MgO를 주성분으로 하는 어닐링 분리제를 질화 처리 후의 강대의 양면에 도포하여, 마무리 어닐링을 행하여, 2차 재결정을 발생시켰다(스텝 S7). 즉, 2차 재결정 어닐링을 행하였다. 이 마무리 어닐링은 N2의 비율이 25체적％, H2의 비율이 75체적％인 분위기 내에서 행하여, 10 내지 20℃/시에서 1200℃까지 강대를 승온하였다.
이와 같은 일련의 처리의 과정에 있어서, 다양한 석출률 및 얻어진 방향성 전자기 강판에 있어서의 질화 증량 및 자기 특성을 측정하였다. 이 결과를 표 8에 나타낸다.
Figure 112011017045474-pct00050
표 8에 나타낸 바와 같이, 실시예 번호 45, 46, 47, 52, 53, 55, 56, 58, 59 및 60에서는 높은 자기 특성, 특히 높은 자속 밀도(B8)가 얻어졌다. 특히, 상하 방향으로부터의 암모니아의 도입이 행해진 실시예 번호 45 내지 47에 있어서, 보다 높은 자기 특성이 얻어졌다.
(제5 실험예)
제1 실험예의 실시예 번호 3, 번호 4의 슬래브로부터 얻어진 강대로의 질화 처리(스텝 S6)에서의 N의 함유량의 증가량을 0.010질량％ 내지 0.013질량％로 하였다. 또한, 이 질화 처리에 있어서, 주행하는 스트립(강대)의 상하로의 암모니아 도입량을 조정하여, 값B를 다양하게 변화시켰다. 그 후, 제1 실험예와 마찬가지로 하여, 방향성 전자기 강판을 제조하였다. 그리고, 값B와 자속 밀도(B8)의 관계를 조사하였다. 이 결과를 도 6에 도시한다. 도 6 중의 ◎는 양호한 자속 밀도(B8)가 얻어진 것을 나타내고, ×는 충분한 자속 밀도(B8)가 얻어지지 않았던 것을 나타낸다.
도 6에 도시한 바와 같이, 값B가 0.35 이하인 경우에, 높은 자속 밀도의 강판이 안정적으로 얻어졌다. 한편, 값B가 0.35를 초과하고 있는 경우에는 자속 밀도가 낮았다. 특히, 자속 밀도가 1.86T 미만으로 된 시료에서는, 2차 재결정이 불안정하게 되어 있었다.
(제6 실험예)
제3 실험예의 실시예 번호 33, 번호 34의 슬래브로부터 얻어진 강대로의 질화 처리(스텝 S6)에서의 N의 함유량의 증가량을 0.009질량％ 내지 0.012질량％로 하였다. 또한, 이 질화 처리에 있어서, 주행하는 스트립(강대)의 상하로의 암모니아 도입량을 조정하여, 값B를 다양하게 변화시켰다. 그 후, 제3 실험예와 마찬가지로 하여, 방향성 전자기 강판을 제조하였다. 그리고, 값B와 자속 밀도(B8)의 관8계를 조사하였다. 이 결과를 도 7에 도시한다. 도 7 중의 ◎는 양호한 자속 밀도(B8)가 얻어진 것을 나타내고, ×는 충분한 자속 밀도(B8)가 얻어지지 않았던 것을 나타낸다.
도 7에 도시한 바와 같이, 값B가 0.35 이하인 경우에, 높은 자속 밀도의 강판이 안정적으로 얻어졌다. 한편, 값B가 0.35를 초과하고 있는 경우에는 자속 밀도가 낮았다. 특히, 자속 밀도가 1.86T 미만으로 된 시료에서는, 2차 재결정이 불안정하게 되어 있었다.
본 발명은, 예를 들어 방향성 전자기 강판 제조 산업 및 방향성 전자기 강판 이용 산업에 있어서 이용할 수 있다.

Claims (18)

  1. C:0.04질량％ 내지 0.09질량％,
    Si:2.5질량％ 내지 4.0질량％,
    산가용성 Al:0.022질량％ 내지 0.031질량％,
    N:0.003질량％ 내지 0.006질량％,
    S 및 Se:S의 함유량을 [S], Se의 함유량을 [Se]로 했을 때, 「[S]＋0.405× [Se]」로 나타내어지는 S당량 Seq로 환산하여 0.013질량％ 내지 0.021질량％ 및,
    Mn:0.045질량％ 내지 0.065질량％를 함유하고,
    Ti의 함유량이 0.005질량％ 이하이고, 잔량부가 Fe 및 불가피적 불순물로 이루어지는 슬래브를 1280℃ 내지 1390℃에서 가열하여, 인히비터로서 기능하는 물질을 고용시키는 공정과,
    다음에, 상기 슬래브의 열간 압연을 행함으로써, 강대를 얻는 공정과,
    상기 강대의 어닐링에 의해, 상기 강대 중에 1차 인히비터를 형성하는 공정과,
    다음에, 상기 강대의 1회 이상의 냉간 압연을 행하는 공정과,
    다음에, 상기 강대의 어닐링에 의해, 탈탄을 행하여, 1차 재결정을 발생시키는 공정과,
    다음에, 상기 강대에 대해, 강대의 주행 상태 하에서 수소, 질소 및 암모니아의 혼합 가스 중에서 질화 처리하여, 상기 강대 중에 2차 인히비터를 형성하는 공정과,
    다음에, 상기 강대의 어닐링에 의해, 2차 재결정을 발생시키는 공정을 갖고,
    상기 열간 압연에 있어서, 상기 슬래브에 함유되는 N 중 상기 강대 중에 AlN으로서 석출한 것의 비율을 20％ 이하로 하고, 상기 슬래브에 함유되는 S 및 Se 중 상기 강대 중에 MnS 또는 MnSe로서의 석출한 것의 비율을 S당량으로 환산하여 45％ 이하로 하고,
    상기 강대 중에 1차 인히비터를 형성하는 어닐링은, 상기 1회 이상의 냉간 압연 중에서 최종의 것의 전에 행하고,
    상기 1회 이상의 냉간 압연 중에서 최종의 것에 있어서의 압연율을 84％ 내지 92％로 하고,
    상기 1차 재결정에 의해 얻어진 결정립의 원상당의 평균 입경(직경)을 8㎛ 이상 15㎛ 이하로 하고,
    상기 슬래브 중의 Mn의 함유량(질량％)을 [Mn]으로 했을 때, 수학식 1로 나타내어지는 값A가 수학식 2를 만족시키고,
    [수학식 1]
    Figure 112013010201305-pct00027

    [수학식 2]
    Figure 112013010201305-pct00028

    상기 슬래브 중의 N의 함유량(질량％)을 [N], 상기 질화 처리에 의해 증가한 상기 강대 중의 N의 양(질량％)을 ΔN으로 했을 때, 수학식 3으로 나타내어지는 값I가 수학식 4를 만족시키고,
    [수학식 3]
    Figure 112013010201305-pct00029

    [수학식 4]
    Figure 112013010201305-pct00030

    상기 질화 처리에 있어서, 상기 강대의 한쪽의 표면으로부터 20％의 두께의 부분의 N의 함유량을 σN1(질량％), 다른 쪽의 표면으로부터 20％의 두께의 부분의 N의 함유량을 σN2(질량％)로 했을 때, 수학식 5로 나타내어지는 값B가 수학식 6을 만족시키며,
    [수학식 5]
    Figure 112013010201305-pct00051

    [수학식 6]
    Figure 112013010201305-pct00052

    상기 질화 처리를, 질화로 내에 있어서 행하고,
    상기 질화로는,
    상기 강대가 주행하는 영역을 기준으로 하여, 상기 강대의 2 표면 중 일방측에만 설치되어, 암모니아 가스가 통류하는 1 이상의 도입관과,
    상기 도입관에 설치된 복수의 노즐을 갖고,
    상기 노즐의 선단과 상기 강대의 최단 거리를 t1,
    상기 강대와 상기 질화로의 상기 도입관과는 반대측에 위치하는 벽부 거리를 t2,
    상기 강대의 폭 방향의 양단부로부터 상기 질화로의 상기 강대의 측방에 위치하는 벽부와의 거리를 t3,
    상기 강대의 폭을 W,
    상기 복수의 노즐 중에서 양단부에 위치하는 것의 최대 폭을 L,
    상기 복수의 노즐 중에서 인접하는 것끼리의 중심 간격을 l로 했을 때,
    수학식 7 내지 수학식 11의 관계가 만족되는 것을 특징으로 하는, 방향성 전자기 강판의 제조 방법.
    [수학식 7]
    Figure 112013010201305-pct00053

    [수학식 8]
    Figure 112013010201305-pct00054

    [수학식 9]
    Figure 112013010201305-pct00055

    [수학식 10]
    Figure 112013010201305-pct00056

    [수학식 11]
    Figure 112013010201305-pct00057
  2. 제1항에 있어서, 상기 도입관은 3개의 도입관편으로 구성되어 있고,
    상기 3개의 도입관편끼리의 상기 강대의 주행 방향에 있어서의 간격은 550㎜ 이하인 것을 특징으로 하는, 방향성 전자기 강판의 제조 방법.
  3. C:0.04질량％ 내지 0.09질량％,
    Si:2.5질량％ 내지 4.0질량％,
    산가용성 Al:0.022질량％ 내지 0.031질량％,
    N:0.003질량％ 내지 0.006질량％,
    S 및 Se:S의 함유량을 [S], Se의 함유량을 [Se]로 했을 때, 「[S]＋0.405× [Se]」로 나타내어지는 S당량 Seq로 환산하여 0.013질량％ 내지 0.021질량％ 및,
    Mn:0.045질량％ 내지 0.065질량％를 함유하고,
    Ti의 함유량이 0.005질량％ 이하이고, 잔량부가 Fe 및 불가피적 불순물로 이루어지는 슬래브를 1280℃ 내지 1390℃에서 가열하여, 인히비터로서 기능하는 물질을 고용시키는 공정과,
    다음에, 상기 슬래브의 열간 압연을 행함으로써, 강대를 얻는 공정과,
    상기 강대의 어닐링에 의해, 상기 강대 중에 1차 인히비터를 형성하는 공정과,
    다음에, 상기 강대의 1회 이상의 냉간 압연을 행하는 공정과,
    다음에, 상기 강대의 어닐링에 의해, 탈탄을 행하여, 1차 재결정을 발생시키는 공정과,
    다음에, 상기 강대에 대해, 강대의 주행 상태 하에서 수소, 질소 및 암모니아의 혼합 가스 중에서 질화 처리하여, 상기 강대 중에 2차 인히비터를 형성하는 공정과,
    다음에, 상기 강대의 어닐링에 의해, 2차 재결정을 발생시키는 공정을 갖고,
    상기 열간 압연에 있어서, 상기 슬래브에 함유되는 N 중 상기 강대 중에 AlN으로서 석출한 것의 비율을 20％ 이하로 하고, 상기 슬래브에 함유되는 S 및 Se 중 상기 강대 중에 MnS 또는 MnSe로서의 석출한 것의 비율을 S당량으로 환산하여 45％ 이하로 하고,
    상기 강대 중에 1차 인히비터를 형성하는 어닐링은, 상기 1회 이상의 냉간 압연 중에서 최종의 것의 전에 행하고,
    상기 1회 이상의 냉간 압연 중에서 최종의 것에 있어서의 압연율을 84％ 내지 92％로 하고,
    상기 1차 재결정에 의해 얻어진 결정립의 원상당의 평균 입경(직경)을 8㎛ 이상 15㎛ 이하로 하고,
    상기 슬래브 중의 Mn의 함유량(질량％)을 [Mn]으로 했을 때, 수학식 1로 나타내어지는 값A가 수학식 2를 만족시키고,
    [수학식 1]
    Figure 112013010201305-pct00058

    [수학식 2]
    Figure 112013010201305-pct00059

    상기 슬래브 중의 N의 함유량(질량％)을 [N], 상기 질화 처리에 의해 증가한 상기 강대 중의 N의 양(질량％)을 ΔN으로 했을 때, 수학식 3으로 나타내어지는 값I가 수학식 4를 만족시키고,
    [수학식 3]
    Figure 112013010201305-pct00060

    [수학식 4]
    Figure 112013010201305-pct00061

    상기 질화 처리에 있어서, 상기 강대의 한쪽의 표면으로부터 20％의 두께의 부분의 N의 함유량을 σN1(질량％), 다른 쪽의 표면으로부터 20％의 두께의 부분의 N의 함유량을 σN2(질량％)로 했을 때, 수학식 5로 나타내어지는 값B가 수학식 6을 만족시키며,
    [수학식 5]
    Figure 112013010201305-pct00062

    [수학식 6]
    Figure 112013010201305-pct00063

    상기 질화 처리를, 질화로 내에 있어서 행하고,
    상기 질화로는,
    상기 강대가 주행하는 영역을 기준으로 하여, 상기 강대의 측방에 위치하는 양쪽 벽부에 설치되어, 암모니아 가스가 통류하는 1 이상의 도입구를 갖고,
    상기 강대의 폭 방향의 양단부로부터 상기 질화로의 상기 강대의 측방에 위치하는 벽부와의 거리를 t3,
    상기 강대와 상기 질화로의 상기 강대의 표면과 평행한 벽부의 거리를 t4,
    상기 강대의 폭을 W,
    상기 강대가 주행하는 영역과 상기 도입구의 거리를 H로 했을 때,
    수학식 12 내지 수학식 14의 관계가 만족되는 것을 특징으로 하는, 방향성 전자기 강판의 제조 방법.
    [수학식 12]
    Figure 112013010201305-pct00064

    [수학식 13]
    Figure 112013010201305-pct00065

    [수학식 14]
    Figure 112013010201305-pct00066
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 슬래브는 Cu:0.05질량％ 내지 0.30질량％를 더 함유하고,
    상기 1회 이상의 냉간 압연 중에서 최종의 것이 행해지는 단계에 있어서, 상기 슬래브에 함유되는 S 및 Se 중 상기 강대 중에 Cu-S 또는 Cu-Se로서 석출한 것의 비율을 S당량으로 환산하여 25％ 내지 60％로 하는 것을 특징으로 하는, 방향성 전자기 강판의 제조 방법.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 슬래브는 Sn 및 Sb로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종을 총계로 0.02질량% 내지 0.30질량％ 더 함유하는 것을 특징으로 하는, 방향성 전자기 강판의 제조 방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 슬래브는 Sn 및 Sb로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종을 총계로 0.02질량% 내지 0.30질량％ 더 함유하는 것을 특징으로 하는, 방향성 전자기 강판의 제조 방법.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 1회 이상의 냉간 압연 중에서 최종의 것의 적어도 1 패스에 있어서, 상기 강대를 100℃ 내지 300℃의 온도 범위에 1분 이상 유지하는 것을 특징으로 하는, 방향성 전자기 강판의 제조 방법.
  8. 제4항에 있어서, 상기 1회 이상의 냉간 압연 중에서 최종의 것의 적어도 1 패스에 있어서, 상기 강대를 100℃ 내지 300℃의 온도 범위에 1분 이상 유지하는 것을 특징으로 하는, 방향성 전자기 강판의 제조 방법.
  9. 제5항에 있어서, 상기 1회 이상의 냉간 압연 중에서 최종의 것의 적어도 1 패스에 있어서, 상기 강대를 100℃ 내지 300℃의 온도 범위에 1분 이상 유지하는 것을 특징으로 하는, 방향성 전자기 강판의 제조 방법.
  10. 제6항에 있어서, 상기 1회 이상의 냉간 압연 중에서 최종의 것의 적어도 1 패스에 있어서, 상기 강대를 100℃ 내지 300℃의 온도 범위에 1분 이상 유지하는 것을 특징으로 하는, 방향성 전자기 강판의 제조 방법.
  11. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 탈탄을 행하여, 1차 재결정을 발생시키는 어닐링에 있어서, 승온 개시로부터 650℃ 이상까지의 가열 속도를 100℃/초 이상으로 하는 것을 특징으로 하는, 방향성 전자기 강판의 제조 방법.
  12. 제4항에 있어서, 상기 탈탄을 행하여, 1차 재결정을 발생시키는 어닐링에 있어서, 승온 개시로부터 650℃ 이상까지의 가열 속도를 100℃/초 이상으로 하는 것을 특징으로 하는, 방향성 전자기 강판의 제조 방법.
  13. 제5항에 있어서, 상기 탈탄을 행하여, 1차 재결정을 발생시키는 어닐링에 있어서, 승온 개시로부터 650℃ 이상까지의 가열 속도를 100℃/초 이상으로 하는 것을 특징으로 하는, 방향성 전자기 강판의 제조 방법.
  14. 제6항에 있어서, 상기 탈탄을 행하여, 1차 재결정을 발생시키는 어닐링에 있어서, 승온 개시로부터 650℃ 이상까지의 가열 속도를 100℃/초 이상으로 하는 것을 특징으로 하는, 방향성 전자기 강판의 제조 방법.
  15. 제7항에 있어서, 상기 탈탄을 행하여, 1차 재결정을 발생시키는 어닐링에 있어서, 승온 개시로부터 650℃ 이상까지의 가열 속도를 100℃/초 이상으로 하는 것을 특징으로 하는, 방향성 전자기 강판의 제조 방법.
  16. 제8항에 있어서, 상기 탈탄을 행하여, 1차 재결정을 발생시키는 어닐링에 있어서, 승온 개시로부터 650℃ 이상까지의 가열 속도를 100℃/초 이상으로 하는 것을 특징으로 하는, 방향성 전자기 강판의 제조 방법.
  17. 제9항에 있어서, 상기 탈탄을 행하여, 1차 재결정을 발생시키는 어닐링에 있어서, 승온 개시로부터 650℃ 이상까지의 가열 속도를 100℃/초 이상으로 하는 것을 특징으로 하는, 방향성 전자기 강판의 제조 방법.
  18. 제10항에 있어서, 상기 탈탄을 행하여, 1차 재결정을 발생시키는 어닐링에 있어서, 승온 개시로부터 650℃ 이상까지의 가열 속도를 100℃/초 이상으로 하는 것을 특징으로 하는, 방향성 전자기 강판의 제조 방법.
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