JPWO2013031900A1 - 配線欠陥検出方法および配線欠陥検出装置、並びに半導体基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

本発明の一形態における配線欠陥検出方法は、欠陥部の温度上昇値が、予め設定されているフレーム数閾値内において、温度上昇閾値を越える場合、対応する画素が欠陥であると判定することができる。本発明に係る配線欠陥検出装置は、半導体基板の温度を測定し画像化する温度測定画像化部を備えている。

Description

本発明は、液晶パネルおよび太陽電池パネル等の半導体基板に形成された配線の欠陥検出に好適な配線欠陥検出方法および配線欠陥検出装置、並びに半導体基板の製造方法に関する。

半導体基板の一例として、例えば、液晶パネルの製造プロセスは、アレイ（ＴＦＴ）工程、セル（液晶）工程、およびモジュール工程に大別される。このうち、アレイ工程においては、透明基板上に、ゲート電極、半導体膜、ソース・ドレイン電極、保護膜、および透明電極が形成された後にアレイ検出が行われ、電極または配線等の配線の短絡の有無が検出される。

通常、アレイ検出においては、このような欠陥を、配線の端部にプローブを接触させ、配線両端における電気抵抗または隣接する配線間の電気抵抗および電気容量を測定することにより特定している。しかしながら、アレイ検出において、配線部の欠陥の有無を検出できたとしても、その欠陥の位置を特定するのは容易ではなかった。

例えば、上記の問題を改善し、欠陥の位置を特定する方法として、リーク欠陥基板に電圧を印加させて発熱させ、赤外線カメラによりリーク欠陥基板表面温度を撮像したものを用いて欠陥位置を特定する赤外線検出がある。

特許文献１は赤外線画像により基板の短絡欠陥を検出する赤外線検出に関するものであり、電圧を印加する前後の基板の赤外線画像の差画像を用いることにより、発熱している配線を検出し、欠陥位置を特定できるようにしている。

また特許文献２にも、赤外線カメラを用いた故障診断方法が開示されている。

日本国公開特許公報「特開平０６−２０７９１４号公報（公開日：１９９４年７月２６日）」 日本国公開特許公報「特開平０４−３４８２６６号公報（公開日：１９９２年１２月３日）」

しかしながら、特許文献１および２の技術を用いると、十分な温度変化が得られない低発熱欠陥の場合、欠陥部（発熱している配線部）および背景部（発熱していない配線部、および基板上の配線部以外の部分）における赤外線画像の差画像を比較しても明確なコントラストの差が生じない虞がある。この場合、該差画像の２値化を行ったところで欠陥部と背景部とを十分に分離することができず、欠陥部を特定することが困難である。

本発明は、上記の課題に鑑みて為されたものであり、その目的は、半導体基板（リーク欠陥基板）の発熱までの時間（フレーム数）および温度上昇値に閾値を設定することにより、欠陥部の発熱量（赤外線画像の強度）に関わらず、基板上の欠陥部を高精度に検出することができる方法および装置、並びに基板の製造方法を提供することにある。

そこで、上記の課題を解決するために、本発明に係る配線欠陥検出方法は、
半導体基板に形成された配線に所定の電圧を印加する電圧印加工程と、
上記電圧印加工程にて電圧印加した半導体基板の少なくとも一部の領域の温度を、赤外線カメラを用いて一定時間連続して測定する測定工程と、
上記測定工程で測定した温度値から、該電圧印加する前の該半導体基板の温度値を差分して導出される温度上昇値が、閾値以上であるか否かを判断する判断工程と、
上記判断工程にて閾値以上であると判断された場合には上記領域に形成された上記配線に短絡欠陥があると判定し、該閾値未満であると判断された場合には該配線に短絡欠陥は無いと判定する欠陥判定工程と、
を含むことを特徴としている。

上記の構成によれば、欠陥が低発熱であるが故に温度変化不足となり、赤外線画像の差分画像を用いた欠陥検出方法にて欠陥であるか否かを判断することが難しい欠陥の場合であっても、目視に頼る赤外線画像を用いずに温度上昇値などの数値データを用いて判断することによって、欠陥を高精度に検出することができる。言い換えれば、欠陥の発熱量（赤外線画像の強度）に関わらず、半導体基板上の短絡に伴う欠陥を高精度に検出することができる。

また本発明の係る配線欠陥検出装置は、上記の課題を解決するために、
半導体基板に形成された配線に所定の電圧を印加する電圧印加手段と、
上記半導体基板の温度を測定する赤外線カメラと、
上記赤外線カメラが上記半導体基板の温度を一定時間連続して測定する測定手段と、
上記測定手段によって得られる温度値から、該電圧印加する前の該半導体基板の温度値を差分して温度上昇値を導出し、導出した温度上昇値が閾値以上であるか否かを判断する判断手段と、
上記判断手段で上記閾値以上であると判断された場合には上記配線に短絡欠陥があると判定し、該閾値未満であると判断された場合には該短絡欠陥は無いと判定する欠陥判定手段とを備えており、
上記測定手段、上記判断手段、および上記欠陥判定手段を、制御部に設けていることを特徴としている。

上記の構成によれば、欠陥が低発熱であるが故に温度変化不足となり、赤外線画像の差分画像を用いた欠陥検出方法にて欠陥であるか否かを判断することが難しい欠陥の場合であっても、目視に頼る赤外線画像を用いずに温度上昇値などの数値データを用いて判断することによって、欠陥を高精度に検出することができる。言い換えれば、欠陥部の発熱量（赤外線画像の強度）に関わらず、欠陥を高精度に検出することができる。

また、本発明に係る、半導体基板の製造方法は、
基板上に、ゲート電極、ソース電極、および、ドレイン電極のうちの少なくとも１つと、それに繋がる配線と、半導体膜とを形成して、当該配線が形成された半導体基板を形成する半導体基板形成工程と、
上記半導体基板に形成された上記配線に所定の電圧を印加する電圧印加工程と、
上記電圧印加工程にて電圧印加した半導体基板の少なくとも一部の領域の温度を、赤外線カメラを用いて一定時間連続して測定する測定工程と、
上記測定工程で測定した温度値から、該電圧印加する前の該半導体基板の温度値を差分して導出される温度上昇値が、閾値以上であるか否かを判断する判断工程と、
上記判断工程にて閾値以上であると判断された場合には上記領域に形成された上記配線に短絡欠陥があると判定し、該閾値未満であると判断された場合には該配線に短絡欠陥は無いと判定する欠陥判定工程と、
を含むことを特徴としている。

以上のように、本発明に係る配線欠陥検出方法および配線欠陥検出装置により、欠陥が低発熱であるが故に温度変化不足となり、赤外線画像の差分画像を用いた欠陥検出方法にて欠陥であるか否かを判断することが難しい欠陥の場合であっても、目視に頼る赤外線画像を用いずに温度上昇値などの数値データを用いて判断することによって、基板上の欠陥部を高精度に検出することができる。言い換えれば、欠陥部の発熱量（赤外線画像の強度）に関わらず、半導体基板上の欠陥部を高精度に検出することができる。

本発明の実施形態に係る配線欠陥検出装置の構成を示すブロック図、および液晶パネルを有するマザー基板の構成を示す斜視図である。 本発明の実施形態に係る配線欠陥検出装置の構成を示す斜視図である。 本発明の実施形態に係る液晶パネルおよびプローブの平面図である。 本発明の実施形態に係る配線欠陥検出方法を示すフローチャートである。 本発明の実施形態に係る画素部の欠陥を示す模式図である。 本発明の実施形態に係る温度上昇閾値を算出する際の背景画像を作成する方法の概略図である。 本発明の実施形態に係る欠陥部の温度変化曲線を示すグラフである。 本発明の実施形態に係る背景部の温度変化曲線を示すグラフである。 本発明の実施形態において用いられる短絡経路を示す模式図である。

本発明に係る配線欠陥検出装置および配線欠陥検出方法の一実施形態について、図１〜図８を参照して説明する。

（１）配線欠陥検出装置の構成
図１の（ａ）は、本実施形態における配線欠陥検出装置１００の構成を示すブロック図であり、図１の（ｂ）は、配線欠陥検出装置１００を用いて配線欠陥検出される対象であるマザー基板１（半導体基板）の斜視図である。

配線欠陥検出装置１００は、図１の（ｂ）に示すマザー基板１上に形成された複数の液晶パネル２（半導体基板）において配線等の欠陥を検出することができる。そのため、配線欠陥検出装置１００は、図１の（ａ）に示すように、液晶パネル２と導通させるためのプローブ３、および、プローブ３を各液晶パネル２上に移動させるプローブ移動手段４を備えている。また配線欠陥検出装置１００は、赤外線画像を取得するための赤外線カメラ５、および、赤外線カメラ５を液晶パネル２上において移動させるカメラ移動手段６を備えている。更に配線欠陥検出装置１００は、プローブ移動手段４およびカメラ移動手段６を制御する制御部７（測定手段、判断手段、欠陥判定手段）を備えている。

上記プローブ３には、液晶パネル２の配線間の抵抗を測定するための抵抗測定部８、および、液晶パネル２の配線間に電圧を印加するための電圧印加部９（電圧印加手段）が接続されている。これら抵抗測定部８および電圧印加部９は、制御部７により制御されている。

上記制御部７は、配線間の抵抗値および画像データを記憶するデータ記憶部１０に接続されている。

図２は、本実施形態における配線欠陥検出装置１００の構成を示す斜視図である。配線欠陥検出装置１００は、図２に示すように、基台上にアライメントステージ１１が設置されており、アライメントステージ１１にはマザー基板１が載置できるように構成されている。マザー基板１が載置されたアライメントステージ１１は、プローブ移動手段４およびカメラ移動手段６のＸＹ座標軸と平行に位置調整される。このとき、アライメントステージ１１の位置調整には、アライメントステージ１１の上方に設けられた、マザー基板１の位置を確認するための光学カメラ１２が用いられる。

上記プローブ移動手段４は、アライメントステージ１１の外側に配置されたガイドレール１３ａにスライド可能に設置されている。また、プローブ移動手段４の本体側にもガイドレール１３ｂおよび１３ｃが設置されており、マウント部１４ａがこれらのガイドレール１３に沿ってＸＹＺの各座標方向に移動できるように設置されている。このマウント部１４ａには、液晶パネル２に対応したプローブ３が搭載されている。

上記カメラ移動手段６は、プローブ移動手段４の外側に配置されたガイドレール１３ｄにスライド可能に設置されている。また、カメラ移動手段６の本体にもガイドレール１３ｅおよび１３ｆが設置されており、３箇所のマウント部１４ｂ、１４ｃ、および１４ｄがこれらのガイドレール１３に沿ってＸＹＺの各座標方向に別々に移動することができる。

本実施形態において、配線欠陥検出装置１００に備えられている赤外線カメラ５は２種類ある。一方は、マクロ測定用の赤外線カメラ５ａであり、もう一方はミクロ測定用の赤外線カメラ５ｂである。

配線欠陥検出装置１００のマウント部１４ｃにはマクロ測定用の赤外線カメラ５ａが搭載され、マウント部１４ｂにはミクロ測定用の赤外線カメラ５ｂが搭載され、また、マウント部１４ｄには光学カメラ１６が搭載されている。

マクロ測定用の赤外線カメラ５ａは、視野が５２０×４０５ｍｍ程度まで広げられたマクロ測定が可能な赤外線カメラである。マクロ測定用の赤外線カメラ５ａは、視野を広げるため、例えば、４台の赤外線カメラを組み合わせて構成されている。すなわち、マクロ測定用の赤外線カメラ１台当たりの視野は、マザー基板１の概ね１／４になっている。

また、ミクロ測定用の赤外線カメラ５ｂは、視野が３２×２４ｍｍ程度と小さいが高分解能の撮影が行えるミクロ測定が可能な赤外線カメラである。

なお、カメラ移動手段６には、マウント部を追加して、欠陥箇所を修正するためのレーザ照射装置を搭載することもできる。レーザ照射装置を搭載することにより、欠陥部の位置を特定した後、欠陥部にレーザを照射することにより連続して欠陥修正を行うことができる。

プローブ移動手段４およびカメラ移動手段６は、それぞれが別々のガイドレール１３ａおよび１３ｄに設置されている。そのため、アライメントステージ１１の上方をＸ座標方向に、互いに干渉されずに移動することができる。これにより、液晶パネル２にプローブ３を接触させた状態のまま、赤外線カメラ５ａ、５ｂ、および光学カメラ１６を液晶パネル２上に移動させることができる。

図３（ａ）は、マザー基板１に形成されている複数の液晶パネル２のうちの１つの液晶パネル２の平面図である。各液晶パネル２には、図３（ａ）に示すように、走査線および信号線が交差する各交点にＴＦＴが形成された画素部１７、および、走査線および信号線をそれぞれ駆動する駆動回路部１８が形成されている。液晶パネル２の縁部には、端子部１９ａ〜１９ｄが設置されており、端子部１９ａ〜１９ｄは画素部１７または駆動回路部１８の配線と繋がっている。

なおこの液晶パネル２は、透明基板上に、ゲート電極、半導体膜、ソース電極、ドレイン電極、保護膜、および透明電極が形成されることで作製されている。以下にこの液晶パネル２の具体的な製造方法について一例を挙げて説明する。

まず、透明基板全体に、スパッタリング法により、例えばチタン膜、アルミニウム膜およびチタン膜等の金属膜を順に成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、ゲート配線、ゲート電極および容量配線を例えば４０００Å程度の厚さで形成する。

続いて、ゲート配線、ゲート電極および容量配線が形成された基板全体に、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、窒化シリコン膜等を成膜し、ゲート絶縁膜を厚さ４０００Å程度に形成する。

さらに、ゲート絶縁膜が形成された基板全体に、プラズマＣＶＤ法により、真性アモルファスシリコン膜、および、リンがドープされたｎ＋アモルファスシリコン膜を連続して成膜する。その後、これらのシリコン膜をフォトリソグラフィによりゲート電極上に島状にパターニングして、厚さ２０００Å程度の真性アモルファスシリコン層、および厚さ５００Å程度のｎ＋アモルファスシリコン層が積層された半導体膜を形成する。

そして、上記半導体膜が形成された基板全体に、スパッタリング法により、アルミニウム膜およびチタン膜等を成膜した後に、フォトリソグラフィによりパターニングして、ソース配線、ソース電極、導電膜、ドレイン電極をそれぞれ厚さ２０００Å程度に形成する。

続いて、ソース電極およびドレイン電極をマスクとして上記半導体膜のｎ＋アモルファスシリコン層をエッチングすることにより、チャネル部をパターニングして、ＴＦＴを形成する。

さらに、ＴＦＴが形成された基板全体に、スピンコート法により、例えば、アクリル系の感光性樹脂を塗布し、その塗布された感光性樹脂をフォトマスクを介して露光する。その後、上記露光した感光性樹脂を現像することにより、ドレイン電極上に層間絶縁膜を厚さ２μｍ〜３μｍ程度に形成する。続いて、層間絶縁膜にコンタクトホールを各画素毎に形成する。

次に、層間絶縁膜上の基板全体に、スパッタリング法により、ＩＴＯ膜を成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、透明電極を厚さ１０００Å程度に形成する。

以上のようにして、液晶パネル２（半導体基板）を形成することができる。

なお、以上の製造方法の一例は、マザー基板１（半導体基板）に対して適用することができ、大型の透明基板を用いて、複数（例えば図１（ｂ）では８つ）の液晶パネルが形成される領域に上述の各過程を適用してゲート電極などを形成し、透明電極を形成した後に、以下に説明する配線欠陥検査方法を実施して、欠陥が検出されたものについては欠陥の修復を行ない、必要に応じて再度配線欠陥検査方法を実施して欠陥の無い良品を製造し、欠陥が検出されなかったものについてはその時点で良品とする。そして、例えば、その後工程として、各液晶パネルをマザー基板から分離して、１つの液晶パネルとして製造を完了することができる。欠陥修復は、例えばレーザを照射して短絡部分を切断する方法があるがこれに限定されるものではない。

図３（ｂ）は、液晶パネル２に設置された端子部１９ａ〜１９ｄと導通させるためのプローブ３（電圧印加手段）の平面図である。プローブ３は、図３（ａ）に示す液晶パネル２の大きさとほぼ同じ大きさの枠状の形状を成しており、液晶パネル２に設置された端子部１９ａ〜１９ｄに対応した複数のプローブ針２１ａ〜２１ｄを備えている。

複数のプローブ針２１ａ〜２１ｄは、スイッチングリレー（図示なし）を介して、プローブ針２１の一本ずつを個別に図１の（ａ）に示す抵抗測定部８および電圧印加部９に接続することができる。このため、プローブ３は、端子部１９ａ〜１９ｄに繋がる複数の配線を選択的に接続させたり、複数の配線をまとめて接続させたりすることができる。

また、プローブ３は、液晶パネル２とほぼ同じ大きさの枠の形状を成している。そのため、端子部１９ａ〜１９ｄと、プローブ針２１ａ〜２１ｄとの位置を合わせる際に、プローブ３の枠の内側から光学カメラ１６を用いて該位置を確認することができる。

上記のように、本実施形態に係る配線欠陥検出装置１００は、プローブ３、および、プローブ３と接続された抵抗測定部８を備えており、プローブ３を液晶パネル２に導通させて、後述するような各配線の抵抗値および隣接する配線間の抵抗値などを測定することができる。

また、本実施形態に係る配線欠陥検出装置１００は、プローブ３、プローブ３と接続された電圧印加部９、および、赤外線カメラ５を備えている。そして、プローブ３を介して液晶パネル２の配線または配線間に電圧を印加する前後に、赤外線カメラ５を用いて液晶パネル２の温度を測定する。

具体的には、電圧を印加する前後に赤外線カメラ５を用いて液晶パネル２を動画で撮像する。撮像して得られた動画像は、データ記憶部１０に保存される。

データ記憶部１０に保存された動画像は、制御部７においてデータ処理され、画素ごとの温度値が算出される。この温度値も、データ記憶部１０に保存される。

更に制御部７は、データ記憶部１０に保存された電圧印加前の画像と電圧印加後の画像とからその差分画像を算出し、画像化されたデータの画素ごとに、電圧印加による発熱に基づいた温度上昇値を算出する。これより、この「画像化されたデータの画素」を「データ画素」と表現する。算出された温度上昇値が、予め設定された時間（フレーム数）閾値内に、予め設定された温度上昇閾値を越えた場合、対応するデータ画素に欠陥が含まれていると判定する。つまり、欠陥部であると特定する。この予め設定された時間（フレーム数）閾値および予め設定された温度上昇閾値については後述する。

以下では、このような構成を具備する本実施形態の配線欠陥検出装置１００を用いておこなう欠陥検出について詳述する。

特に、本実施形態の配線欠陥検出装置１００では、１台の装置により、抵抗検査および赤外線検出を兼用して行うことができる。

（２）配線欠陥検出方法
図４は、本実施形態に係る配線欠陥検出装置１００を用いた配線欠陥検出方法のフローチャートである。

本実施形態の配線欠陥検出方法は、図１の（ｂ）に示すマザー基板１に形成された複数の液晶パネル２について、ステップＳ１〜ステップＳ２１のステップにより、順次、配線欠陥検出が実施される。

本実施形態の配線欠陥検出方法は、
（ｉ）液晶パネル２に形成された配線に所定の電圧を印加する電圧印加工程と、
（ｉｉ）電圧印加工程にて電圧印加した液晶パネル２の少なくとも一部の領域の温度を、赤外線カメラ５を用いて一定時間連続して測定する測定工程と、
（ｉｉｉ）測定工程で測定した温度値から、電圧印加する前の液晶パネル２の温度値を差分して導出される温度上昇値が、閾値以上であるか否かを判断する判断工程と、
（ｉｖ）上記判断工程にて閾値以上であると判断された場合には上記領域に形成された上記配線に短絡欠陥があると判定し、該閾値未満であると判断された場合には該配線に短絡欠陥は無いと判定する欠陥判定工程と、
を含む。

以下、ステップＳ１〜ステップＳ２１の各ステップについて説明する。

ステップＳ１では、図２に示す配線欠陥検出装置１００のアライメントステージ１１にマザー基板１が載置され、ＸＹ座標軸と平行になるように基板の位置が調整される。

ステップＳ２では、図２に示すプローブ移動手段４によりプローブ３が、ステップＳ１において位置調整がされたマザー基板１の、検出対象となる液晶パネル２の上部に移動され、プローブ針２１ａ〜２１ｄが液晶パネル２の端子部１９ａ〜１９ｄと接触する。

ステップＳ３では、ステップＳ２に続けて、各種欠陥の検出モードに対応して、抵抗検査するための配線または配線間が選択され、導通させるプローブ針２１の切り替えが行われる。

ここで、各種欠陥の検出モードについて、図５（ａ）〜（ｃ）を用いて説明する。図５（ａ）〜（ｃ）では、一例として、画素部１７に生じる欠陥部２３（配線短絡部）の位置を模式的に示している。

図５（ａ）は、例えば、走査線および信号線のように、配線Ｘおよび配線Ｙが上下に交差する液晶パネルにおいて、当該交差部分において配線Ｘと配線Ｙとが短絡している欠陥部２３を示している。導通させるプローブ針２１を、図３に示した２１ａと２１ｄとの組または２１ｂと２１ｃとの組に切り替え、配線Ｘ１〜Ｘ１０および配線Ｙ１〜Ｙ１０に関して１対１で配線間の抵抗値を測定することにより、欠陥部２３の有無を特定することができる。

図５（ｂ）は、例えば、走査線および補助容量線のような、隣接する配線Ｘの配線間において短絡した欠陥部２３を示している。このような欠陥部２３は、導通させるプローブ針２１を、２１ｂの奇数番と２１ｄの偶数番との組に切り替えて、配線Ｘ１〜Ｘ１０の隣り合う配線間の抵抗値を測定することにより、欠陥部２３の有る配線を特定することができる。

図５（ｃ）は、例えば、信号線および補助容量線のような、隣接する配線Ｙの配線間において短絡した欠陥部２３を示している。このような欠陥部２３は、導通させるプローブ針２１を、２１ａの奇数番と２１ｃの偶数番との組に切り替えて、配線Ｙ１〜Ｙ１０の隣り合う配線間の抵抗値を測定することにより、欠陥部２３の有る配線を特定できる。

ステップＳ４では、ステップＳ３において切り替えられたプローブ針２１を導通して、選択された配線または配線間の抵抗値を測定し、取得する。取得された抵抗値は、データ記憶部１０に記憶される。

ステップＳ５では、ステップＳ４において取得された抵抗値と、予めデータ記憶部１０に記憶されている、欠陥が無いパネル（基準パネル）の配線または配線間の抵抗値とが比較される。ここでは、ステップＳ４で取得された抵抗値が、予めデータ記憶部１０に記憶されている欠陥が無いパネルの配線または配線間の抵抗値と同一である場合、ステップＳ２０に移行する。ステップＳ４で取得された抵抗値が、欠陥が無いパネルの配線または配線間の抵抗値と同一である場合は、この検出モードにおいて欠陥は無いと特定することができる。

一方、ステップＳ５において、ステップＳ４で取得された抵抗値が、予めデータ記憶部１０に記憶されている欠陥が無いパネルの配線または配線間の抵抗値と同一でない場合、ステップＳ６に移行する。ステップＳ４で取得された抵抗値が、予めデータ記憶部１０に記憶されている欠陥が無いパネルの配線または配線間の抵抗値と同一でない場合、この検出モードにおいて配線または配線間に欠陥が存在する可能性が有ると特定することができる。欠陥が存在する可能性が有る場合、赤外線検出をおこなう必要がある。

例えば、図５（ａ）に示すように、配線Ｘおよび配線Ｙが交差する箇所において欠陥部２３が生じる場合は、配線間の抵抗検査により、配線Ｘ４および配線Ｙ４に異常が検出されるので、欠陥部２３の位置まで特定することができる。そのため、図５（ａ）に示す欠陥部２３の場合は、その位置を赤外線検出により特定（ステップＳ６）することを必ずしも要しない。つまり、配線Ｘと配線Ｙのすべての組み合わせ毎に抵抗検査するのであれば、位置特定もできるので、赤外線検出は不要となる。しかし、組み合わせ数は膨大であるため長時間を要する。例えば、フルハイビジョン用液晶パネルの場合、配線Ｘが１０８０本、配線Ｙが１９２０なので、全組み合わせは約２０７万となる。このような組み合わせ毎に抵抗検査をすると、タクトが長時間となり、検出処理能力が大幅に低くなってしまい、現実的ではない。そのため、配線Ｘと配線Ｙのすべての組み合わせをいくつかにまとめて抵抗検査をすることで、抵抗検査回数を削減できる。例えば、一つにまとめた配線Ｘと、一つにまとめた配線Ｙとの間で抵抗検査を行えば、この抵抗検査回数はわずか１回となる。しかしながら、抵抗検査により、配線間の短絡を検出することはできるが、位置を特定することはできない。そのため、欠陥部２３の位置を赤外線検出により特定することが必要となる。

一方、図５（ｂ）または図５（ｃ）のように、隣接する配線間において欠陥部２３が生じる場合は、一対の配線、例えば、配線Ｘ３と配線Ｘ４との間に欠陥部が有ることは特定できる。しかし、その配線の長さ方向においては欠陥部２３の位置は特定できないため、欠陥部２３の位置を赤外線検出により特定することが必要となる。

隣り合う配線間の抵抗検査は膨大な数であるため長時間を要する。例えば、フルハイビジョン用液晶パネルの場合、隣り合う配線Ｘ間の抵抗検査回数は１０７９、隣り合う配線Ｙ間の抵抗検査回数は１９１９となる。図５（ｂ）の場合のような隣り合う配線Ｘ間の抵抗検査の場合、すべてのＸ奇数番と、すべてのＸ偶数番との間で抵抗検査を行えば、この抵抗検査回数はわずか１回となる。図５（ｃ）の場合のような隣り合う配線Ｙ間の抵抗検査の場合、すべてのＹ奇数番と、すべてのＹ偶数番との間で抵抗検査を行えば、この抵抗検査回数はわずか１回となる。しかしながら、抵抗検査により、配線間の短絡を検出することはできるが、位置を特定することはできない。そのため、欠陥部２３の位置を赤外線検出により特定することが必要となる。

そこで、ステップＳ６（電圧印加工程）では、液晶パネル２に対して赤外線検出で配線に印加する電圧値が、ステップＳ４においてデータ記憶部１０に記憶された抵抗値に基づいて設定される。

具体的には、ステップＳ６（電圧印加工程）では、ステップＳ４において取得した抵抗値の平方根に比例する印加電圧Ｖ（ボルト）を、上記液晶パネル２に印加する。すなわち、ステップＳ６では、印加電圧Ｖ（ボルト）を以下の式（１）；

と設定する。

ここで、単位時間当たりの発熱量Ｊ（ジュール）は、以下の式（２）；

と表されるから、上記式（１）および（２）より、単位時間当たりの発熱量Ｊは以下の式（３）；

と表される。

すなわち、式（１）に基づいて、抵抗値の平方根に比例する印加電圧Ｖ（ボルト）を液晶パネル２に印加することにより、単位時間当たりの発熱量を一定にすることができる。

したがって、基板の種類または基板上における欠陥部２３の発生場所等の短絡原因により、欠陥部２３を含む短絡経路の抵抗値は大きく変動するが、本実施形態のステップＳ６を行えば、単位時間当たりの発熱量を一定にすることができる。

ステップＳ７（測定工程）では、ステップＳ６にて設定された電圧値に基づく電圧を液晶パネル２に印加する前に、赤外線カメラ５を用いて発熱していない液晶パネル２の動画像を読み込む。詳しく述べると、図１に示されている制御部７が、赤外線カメラ５を用いて発熱していない液晶パネル２の温度を測定し、測定された温度値データを記録している画像データをコンピュータメモリに読み込み、データ記憶部１０に記憶させる。

ステップＳ８（電圧印加工程、測定工程）では、まずステップＳ６にて設定された電圧値に基づく電圧を液晶パネル２に印加する。そして、赤外線カメラ５を用いて、電圧が印加されてからの発熱している液晶パネル２の動画像を読み込む。詳しく述べると、図１に示されている制御部７が、赤外線カメラ５を用いて発熱している液晶パネル２の温度値を測定し、測定された温度値データを記録している画像データをコンピュータメモリに読み込み、データ記憶部１０に記憶させる。ここで、印加電圧の調整は、制御部７が電圧印加部９を制御して行う。

ステップＳ９（判断工程）では、制御部７が、ステップＳ７にて読み込まれた電圧印加前の動画像から温度上昇閾値を算出する。ここで、図６を参照しながら、本実施形態における温度上昇閾値の算出方法を説明する。

上記温度上昇閾値は、図６に示されているように、電圧印加前の発熱していない液晶パネル２の動画像（９フレーム分）の隣接フレーム間において、該動画像を差分して積算平均することにより背景画像（符号付（絶対値ではない））を作成し、この背景画像のヒストグラムの平均値と標準偏差を用いて、以下の式（４）；

と設定される。

例えば、ｎを大きく設定すると、式（４）から、温度上昇閾値が大きくなるので、背景ノイズを削減することが可能となる。本実施形態おいては、ｎを４に設定して温度上昇閾値を算出しており、温度上昇閾値は約０．１（ΔＫ）と設定される。

しかしながら、本発明は、式（４）においてｎ＝４に限定されるものではない。

ステップＳ１０（判断工程）では、制御部７が、ステップＳ７にて読み込まれた電圧印加前の発熱していない液晶パネル２の動画像のデータ画素ごとの基準温度値を算出する。ここで、基準温度値とは、図６に示されている方法により作成された背景画像に対応する温度値のことである。

ステップＳ１１（判断工程）では、制御部７が、ステップＳ８にて読み込まれた電圧を印加されてからの発熱している液晶パネル２の動画像のデータ画素ごとの温度上昇値を算出する。ここで、温度上昇値は、以下の式（５）；

から算出される。

ステップＳ１２（欠陥判定工程）では、液晶パネル２に電圧が印加された後の時間、すなわちフレーム数が、フレーム数閾値に達したか否かが判定される。ここで、液晶パネル２に電圧が印加された後のフレーム数が、フレーム数閾値に達したと判定された場合、ステップＳ１５に移行し、このときのフレーム数が取得される。反対に、液晶パネル２に電圧が印加された後のフレーム数が、フレーム数閾値に達していないと判定された場合、次のステップＳ１３に移行し、フレーム数がカウントされる。

ステップＳ１３（欠陥判定工程）では、電圧が印加された後に赤外線カメラ５により液晶パネル２の温度測定が始まってからのフレーム数がカウントされる。

ステップＳ１４（欠陥判定工程）では、温度上昇値が予め設定された温度上昇閾値を越えたか否かが判定される。ここで、温度上昇値が温度上昇閾値より大きいと判定された場合、ステップＳ１５に移行し、このときのフレーム数が取得される。反対に、温度上昇値が温度上昇閾値以下であると判定された場合、ステップＳ１２に戻り、再度、液晶パネル２に電圧が印加された後のフレーム数が、フレーム数閾値に達したか否かが判定される。

ステップＳ１５（欠陥判定工程）では、ステップＳ１３にてカウントされたフレーム数が取得される。

ステップＳ１６（欠陥判定工程）では、ステップＳ１５にて取得されたフレーム数が、予め設定されたフレーム数閾値未満か否かが判定される。ここで、ステップＳ１５において取得されたフレーム数が、予め設定されたフレーム数閾値未満である場合、次のステップＳ１７（欠陥判定工程）に移行し、対応するデータ画素に欠陥が含まれていると判定される。つまり、欠陥部であると特定される。反対に、ステップＳ１５において取得されたフレーム数が、予め設定されたフレーム数閾値以上である場合、ステップＳ１８（欠陥判定工程）に移行し、対応するデータ画素に欠陥が含まれていないと判定される。つまり、背景部であると特定される。

なお、フレーム数閾値であるが、例えば、液晶パネル２に電圧が印加された後の時間の閾値が３秒と設定されている場合、フレームレートを２５フレーム／秒とすると、フレーム数閾値は７５フレームとなる。本実施形態におけるフレーム数閾値は、この７５フレームと設定されている。

しかしながら、本発明は、閾値「３秒」、フレーム数閾値「７５」に限定されるものではない。

すなわち、閾値は、標準偏差を整数倍したものに上記したヒストグラムの平均値を加算して得ることができる値とすることができる。また、閾値は、標準偏差を２倍以上４倍以下としたものに、上記したヒストグラムの平均値を加算して得ることができる値とすることが好ましい。２倍を下回る場合、欠陥だけでなく背景ノイズも過検出してしまうため、欠陥と背景の分離が困難になる傾向にあり、４倍を超える場合、欠陥が背景に埋もれて欠陥部の検出が困難になる傾向にある。

また、フレーム数閾値は、２５ｆｐｓの場合、一定時間を７５フレーム以上、２５０フレーム以下とすることが好ましい。７５フレームを下回る場合、欠陥部の温度上昇不足により、欠陥と背景の分離が困難になり、２５０フレームを超えると、計算負荷が大きくなる（処理に時間がかかる）ため、タクトタイムが伸びてしまう。

ここで、図面を参照しながら、欠陥の有無を、各ステップに沿って説明をする。

まず、欠陥部の温度変化曲線が示されている図７を参照する。図中の曲線より、温度上昇閾値である０．１（ΔＫ）を越えているのは、フレーム数が略４のときであることか分かる（Ｓ１４およびＳ１５）。本実施形態におけるフレーム数閾値は上述の通りに７５フレームであるので、４よりも大きいことが分かる（Ｓ１６）。したがって、このデータ画素に欠陥が含まれていると判定できる。つまり、欠陥部であると特定できる（Ｓ１７）。

次に、背景部の温度曲線変化が示されている図８を参照する。図中の曲線より、どのフレーム数においても温度上昇閾値を越えないまま、曲線がフレーム数閾値に達していることが分かる（Ｓ１４、Ｓ１２、およびＳ１５）。つまり、この場合のフレーム数は、フレーム数閾値「７５」より小さくなることはない（Ｓ１６）。したがって、このデータ画素に欠陥が含まれていないと判定できる。つまり、背景部であると特定できる（Ｓ１８）。

このようにして、各データ画素における欠陥の有無が制御部１０によって判定されている。

ステップＳ１９では、検出中の液晶パネル２におけるデータ画素の全てにおいて検出が終了しているか否かが判定される。ここで、検出中の液晶パネル２におけるデータ画素の全てにおいて検出が終了していない場合、ステップＳ１１に戻り、次の検出対象となるデータ画素に対して検出が始められ、欠陥の有無が判定される。反対に、検出中の液晶パネル２におけるデータ画素の全てにおいて検出が終了している場合、次のステップＳ２０に移行する。

ステップＳ２０では、検出中の液晶パネル２において、検出モードの全てにおいて検出が終了しているか否かが判定される。ここで、検出中の液晶パネル２において、検出モードの全てにおいて検出が終了していない場合、ステップＳ３に戻り、次の検出モードに対応するようにプローブ３の接続が切り替えられ、欠陥検出が繰り返される。反対に、検出中の液晶パネル２において、検出モードの全てにおいて検出が終了している場合、次のステップＳ２１に移行する。

なお、上述の検出モードとは、図５に示したような欠陥部２３の種類に対応した検出の方法（電圧の印加方法）を示している。すなわち、図５（ａ）の配線Ｘと配線Ｙとの短絡欠陥に対応した検出の方法、図５（ｂ）の配線Ｘ間の短絡欠陥に対応した検出の方法、および、図５（ｃ）の配線Ｙ間の短絡欠陥に対応した検出の方法である３つの検出モードである。

ステップＳ２１では、検出中のマザー基板１について、液晶パネル２の全てにおいて欠陥検出が終了しているか否かが判定される。ここで、液晶パネル２の全てにおいて欠陥検出が終了していない場合、ステップＳ２に戻り、次の検出対象となる液晶パネル２にプローブが移動されて、欠陥検出が繰り返される。反対に、液晶パネル２の全てにおいて欠陥検出が終了している場合、配線欠陥検出は終了となる。

（３）本実施形態の作用効果
本実施形態によれば、液晶パネル２に電圧が印加された後に、液晶パネル２におけるデータ画素ごとに時間に対する温度値が測定される。そして、データ画素ごとに予め算出された基準温度値との差分により、データ画素ごとの温度上昇値が算出される。更に、測定する時間（フレーム数）および温度上昇値に閾値を設定することにより、この設定された時間閾値（フレーム数閾値）内において温度上昇閾値を越えたデータ画素には、欠陥が含まれていると判定される。つまり、欠陥部だと特定される。

また、本実施形態に係る配線欠陥検出方法および配線欠陥検出装置を用いれば、欠陥が低発熱であるが故に温度変化不足となり、赤外線画像の差分画像を用いた欠陥検出方法にて欠陥であるか否かを判定することが難しい欠陥の場合であっても、目視に頼る赤外線画像を用いずに温度上昇値などの数値データを用いて判定することによって、基板上の欠陥部２３を高精度に検出することができる。言い換えれば、欠陥部２３の発熱量（赤外線画像の強度）に関わらず、半導体基板上の欠陥部２３を高精度に検出することができる。
（４）変形例
本変形例では、上記実施形態における装置と同様の装置を用い、印加電圧Ｖ（ボルト）が実施形態と異なるよう、以下のように設定する。

上述の実施形態では、ステップＳ６において、ステップＳ４において取得した抵抗値の平方根に比例する印加電圧Ｖ（ボルト）を液晶パネル２に印加する。これに対して、本変形例では、ステップＳ４において取得した抵抗値に比例する印加電圧Ｖ（ボルト）を、液晶パネル２（図１の（ｂ）および図２）に印加する。

具体的には、本実施形態のステップＳ６では、印加電圧Ｖ（ボルト）を以下の式（６）；

と設定する。ここで、電流Ｉ（アンペア）は次の式（７）；

となる。つまり、印加電圧を適切に定めることにより、電流を一定にすることができる。

ここで、基板に形成された配線の抵抗値Ｒは、次の式（８）；

であり、電気抵抗率ρおよび断面積Ａは、配線の種類および場所によって決まっている定数である。したがって、単位長さ当たりの配線の抵抗値Ｒ／Ｌ＝ρ／Ａも定数となる。すなわち、配線の種類および場所ごとに付与した番号をｉとすると、配線ｉの単位長さ当たりの抵抗値ｒ（ｉ）は、次の式（９）；

と表される。

したがって、配線ｉの単位長さ当たりの配線ｉの発熱量は、上記式（２）、（７）および（９）より、次の式（１０）；

となる。

ここで、図９は、短絡経路を説明するための図であり、薄膜トランジスタ基板の電気的配線図の一例である。図９の薄膜トランジスタ基板は、ガラス基板上に走査線（配線）３１〜３５と信号線（配線）４１〜４５が格子状に配置され、各交点には図示しない薄膜トランジスタおよび透明画素電極が接続された、全体で５×５画素が形成された基板である。この薄膜トランジスタ基板と、図示しない共通電極基板とを平行に配置して、その間に液晶が封入したものが、液晶パネルである。また、薄膜トランジスタ基板には、図９に示すように、走査線の各引き出し線３１ｐ〜３５ｐの先端部を共通線３０により共通に接続して静電破壊を防止するようにしている。信号線についても同様である。図９に示す薄膜トランジスタ基板では、走査線３３と信号線４３との間に、短絡箇所５０が形成されている。このような薄膜トランジスタ基板において、短絡経路が引き出し線３３ｐ→走査線３３→短絡箇所５０→信号線４３→引き出し線４３ｐのように分けられた場合を考えると、単位長さ当たりの走査線３３および信号線４３の発熱量を、それぞれ一定にすることができる。

したがって、短絡箇所の電気抵抗の大小に関わらず、あらかじめ定数ｍを適切に定めておくことにより、赤外線画像により、走査線３３および信号線４３を安定して認識することができる。

そして、この認識された配線部分を更に解析して、走査線３３と信号線４３とが短絡している部分を特定することにより、短絡箇所を特定することができる。もし、短絡箇所の抵抗値が高い場合、短絡箇所の発熱量が大きくなるため、赤外線画像から短絡箇所を容易に特定することができる。

また、配線の抵抗値に基づいて電圧を定めるには、制御部７が上記式（１）ないしは式（６）を計算する処理をその都度実行すればよい。あるいは、抵抗値と電圧との関係を予めテーブルにして記憶しておき、制御部７がこのテーブルをその都度参照して、抵抗値から電圧を定めればよい。

以上のように、本実施形態の配線欠陥検出方法および配線欠陥検出装置によっても、実施形態と同様に、欠陥を赤外線画像により認識することができる。

なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。当業者は、請求項に示した範囲内において、本発明をいろいろと変更できる。すなわち、請求項に示した範囲内において、適宜変更された技術的手段を組み合わせれば、新たな実施形態が得られる。すなわち、発明の詳細な説明の項においてなされた具体的な実施形態は、あくまでも、本発明の技術内容を明らかにするものであって、そのような具体例にのみ限定して狭義に解釈されるべきものではなく、本発明の精神と次に記載する請求の範囲内で、いろいろと変更して実施することができるものである。

（本発明の総括）
本発明に係る配線欠陥検出方法は、
半導体基板に形成された配線に所定の電圧を印加する電圧印加工程と、
上記電圧印加工程にて電圧印加した半導体基板の少なくとも一部の領域の温度を、赤外線カメラを用いて一定時間連続して測定する測定工程と、
上記測定工程で測定した温度値から、該電圧印加する前の該半導体基板の温度値を差分して導出される温度上昇値が、閾値以上であるか否かを判断する判断工程と、
上記判断工程にて閾値以上であると判断された場合には上記領域に形成された上記配線に短絡欠陥があると判定し、該閾値未満であると判断された場合には該配線に短絡欠陥は無いと判定する欠陥判定工程と、
を含むことを特徴としている。

上記の構成によれば、欠陥が低発熱であるが故に温度変化不足となり、赤外線画像の差分画像を用いた欠陥検出方法にて欠陥であるか否かを判断することが難しい欠陥の場合であっても、目視に頼る赤外線画像を用いずに温度上昇値などの数値データを用いて判断することによって、欠陥を高精度に検出することができる。言い換えれば、欠陥の発熱量（赤外線画像の強度）に関わらず、半導体基板上の短絡に伴う欠陥を高精度に検出することができる。

また、本発明に係る配線欠陥検出方法は、上記の構成に加えて、
上記判断工程において用いられる上記閾値は、上記電圧印加する前の上記半導体基板を赤外線カメラを用いて一定時間連続して撮像して得られる動画像の隣接フレーム間において、該動画像を差分して積算平均することにより作成した背景画像のヒストグラムの平均値および標準偏差を用いて、該標準偏差を整数倍したものに該平均値を加算して得る、ことが好ましい。

これにより、上記整数を適切に設定することで適切な上記閾値を得ることができ、適切に背景ノイズを削減できるようになるため、欠陥を高精度に検出することができる。

また、本発明に係る配線欠陥検出方法は、上記の構成に加えて、
上記電圧印加工程では、上記配線の抵抗値を測定して、測定した抵抗値に基づいて特定された電圧を印加して、該配線を発熱させる、ことが好ましい。

上記の構成によれば、抵抗検査によって事前に取得された抵抗値に基づいて特定された電圧を、半導体基板（リーク欠陥基板）に印加することにより、印加電圧が高すぎて短絡欠陥を含む配線を焼き切ってしまうことがない。

より具体的には、上記閾値は、上記標準偏差を２倍以上４倍以下としたものに上記平均値を加算して得る、ことができる。

これにより、上記整数を上記のように設定することで最適な上記温度上昇閾値を得ることができ、最適に背景ノイズを削減できるようになるため、欠陥を高精度に検出することができる。

また、より具体的には、２５ｆｐｓ（ｆｒａｍｅｓ ｐｅｒ ｓｅｃｏｎｄ）の場合、上記一定時間を７５フレーム以上、２５０フレーム以下とすることができる。

これにより、上記フレーム数閾値を上記のように設定することで、半導体基板上における背景部と欠陥部とを最適に分離することができ、欠陥を高精度に検出することができる。

また本発明の係る配線欠陥検出装置は、
半導体基板に形成された配線に所定の電圧を印加する電圧印加手段と、
上記半導体基板の温度を測定する赤外線カメラと、
上記赤外線カメラが上記半導体基板の温度を一定時間連続して測定する測定手段と、
上記測定手段によって得られる温度値から、該電圧印加する前の該半導体基板の温度値を差分して温度上昇値を導出し、導出した温度上昇値が閾値以上であるか否かを判断する判断手段と、
上記判断手段で上記閾値以上であると判断された場合には上記配線に短絡欠陥があると判定し、該閾値未満であると判断された場合には該短絡欠陥は無いと判定する欠陥判定手段とを備えており、
上記測定手段、上記判断手段、および上記欠陥判定手段を、制御部に設けていることを特徴としている。

上記の構成によれば、欠陥が低発熱であるが故に温度変化不足となり、赤外線画像の差分画像を用いた欠陥検出方法にて欠陥であるか否かを判断することが難しい欠陥の場合であっても、目視に頼る赤外線画像を用いずに温度上昇値などの数値データを用いて判断することによって、欠陥を高精度に検出することができる。言い換えれば、欠陥部の発熱量（赤外線画像の強度）に関わらず、欠陥を高精度に検出することができる。

また、本発明に係る、半導体基板の製造方法は、
基板上に、ゲート電極、ソース電極、および、ドレイン電極のうちの少なくとも１つと、それに繋がる配線と、半導体膜とを形成して、当該配線が形成された半導体基板を形成する半導体基板形成工程と、
上記半導体基板に形成された上記配線に所定の電圧を印加する電圧印加工程と、
上記電圧印加工程にて電圧印加した半導体基板の少なくとも一部の領域の温度を、赤外線カメラを用いて一定時間連続して測定する測定工程と、
上記測定工程で測定した温度値から、該電圧印加する前の該半導体基板の温度値を差分して導出される温度上昇値が、閾値以上であるか否かを判断する判断工程と、
上記判断工程にて閾値以上であると判断された場合には上記領域に形成された上記配線に短絡欠陥があると判定し、該閾値未満であると判断された場合には該配線に短絡欠陥は無いと判定する欠陥判定工程と、
を含むことを特徴としている。

本発明は、液晶パネルなどの配線を有する半導体基板の配線状態の検出に用いることができる。

１ マザー基板（半導体基板）
２ 液晶パネル（半導体基板）
３ プローブ（電圧印加手段）
４ プローブ移動手段
５、５ａ、５ｂ 赤外線カメラ
６ カメラ移動手段
７ 制御部（測定手段、判断手段、欠陥判定手段）
８ 抵抗測定部
９ 電圧印加部（電圧印加手段）
１０ データ記憶部
１１ アライメントステージ
１２、１６ 光学カメラ
１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ、１３ｆ ガイドレール
１４ａ、１４ｂ、１４ｄ、１４ｄ マウント部
１７ 画素部
１８ 駆動回路部
１９ａ、１９ｂ、１９ｃ、１９ｄ 端子部
２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ プローブ部
２３ 欠陥部（配線短絡部）
３０、４０ａ、４０ｂ 共通線
３１、３２、３３、３４、３５ 走査線
３１ｐ、３２ｐ、３３ｐ、３４ｐ、３５ｐ 走査線引出線
４１、４２、４３、４４、４５ 信号線
４１ｐ、４２ｐ、４３ｐ、４４ｐ、４５ｐ 信号線引出線
５０ 短絡箇所
１００ 配線欠陥検出装置

Claims (7)

1. 半導体基板に形成された配線に所定の電圧を印加する電圧印加工程と、
   上記電圧印加工程にて電圧印加した半導体基板の少なくとも一部の領域の温度を、赤外線カメラを用いて一定時間連続して測定する測定工程と、
   上記測定工程で測定した温度値から、該電圧印加する前の該半導体基板の温度値を差分して導出される温度上昇値が、閾値以上であるか否かを判断する判断工程と、
   上記判断工程にて閾値以上であると判断された場合には上記領域に形成された上記配線に短絡欠陥があると判定し、該閾値未満であると判断された場合には該配線に短絡欠陥は無いと判定する欠陥判定工程と、
   を含んでいることを特徴とする配線欠陥検出方法。
2. 上記判断工程において用いられる上記閾値は、上記電圧印加する前の上記半導体基板を赤外線カメラを用いて一定時間連続して撮像して得られる動画像の隣接フレーム間において、該動画像を差分して積算平均することにより作成した背景画像のヒストグラムの平均値および標準偏差を用いて、該標準偏差を整数倍したものに該平均値を加算して得る、
   ことを特徴とする請求項１に記載の配線欠陥検出方法。
3. 上記電圧印加工程では、上記配線の抵抗値を測定して、測定した抵抗値に基づいて特定された電圧を印加して、該配線を発熱させる、
   ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線欠陥検出方法。
4. 上記閾値は、上記標準偏差を２倍以上４倍以下としたものに上記平均値を加算して得る、ことを特徴とする請求項２に記載の配線欠陥検出方法。
5. ２５ｆｐｓの場合、上記一定時間を７５フレーム以上、２５０フレーム以下とする、
   ことを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の配線欠陥検出方法。
6. 半導体基板に形成された配線に所定の電圧を印加する電圧印加手段と、
   上記半導体基板の温度を測定する赤外線カメラと、
   上記赤外線カメラが上記半導体基板の温度を一定時間連続して測定する測定手段と、
   上記測定手段によって得られる温度値から、該電圧印加する前の該半導体基板の温度値を差分して温度上昇値を導出し、導出した温度上昇値が閾値以上であるか否かを判断する判断手段と、
   上記判断手段で上記閾値以上であると判断された場合には上記配線に短絡欠陥があると判定し、該閾値未満であると判断された場合には該短絡欠陥は無いと判定する欠陥判定手段とを備えており、
   上記測定手段、上記判断手段、および上記欠陥判定手段を、制御部に設けていることを特徴とする配線欠陥検出装置。
7. 基板上に、ゲート電極、ソース電極、および、ドレイン電極のうちの少なくとも１つと、それに繋がる配線と、半導体膜とを形成して、当該配線が形成された半導体基板を形成する半導体基板形成工程と、
   上記半導体基板に形成された上記配線に所定の電圧を印加する電圧印加工程と、
   上記電圧印加工程にて電圧印加した半導体基板の少なくとも一部の領域の温度を、赤外線カメラを用いて一定時間連続して測定する測定工程と、
   上記測定工程で測定した温度値から、該電圧印加する前の該半導体基板の温度値を差分して導出される温度上昇値が、閾値以上であるか否かを判断する判断工程と、
   上記判断工程にて閾値以上であると判断された場合には上記領域に形成された上記配線に短絡欠陥があると判定し、該閾値未満であると判断された場合には該配線に短絡欠陥は無いと判定する欠陥判定工程と、
   を含むことを特徴とする、半導体基板の製造方法。

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