JPWO2013005690A1 - スパッタリング用MgOターゲット - Google Patents
スパッタリング用MgOターゲット Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2013005690A1 JPWO2013005690A1 JP2013522997A JP2013522997A JPWO2013005690A1 JP WO2013005690 A1 JPWO2013005690 A1 JP WO2013005690A1 JP 2013522997 A JP2013522997 A JP 2013522997A JP 2013522997 A JP2013522997 A JP 2013522997A JP WO2013005690 A1 JPWO2013005690 A1 JP WO2013005690A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mgo
- sputtering
- powder
- mol
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
- H01J37/3429—Plural materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/03—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on magnesium oxide, calcium oxide or oxide mixtures derived from dolomite
- C04B35/04—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on magnesium oxide, calcium oxide or oxide mixtures derived from dolomite based on magnesium oxide
- C04B35/053—Fine ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/5607—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on refractory metal carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/5607—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on refractory metal carbides
- C04B35/5611—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on refractory metal carbides based on titanium carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/5607—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on refractory metal carbides
- C04B35/5626—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on refractory metal carbides based on tungsten carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/58007—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on refractory metal nitrides
- C04B35/58014—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on refractory metal nitrides based on titanium nitrides, e.g. TiAlON
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
- C04B35/6261—Milling
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
- C04B35/645—Pressure sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/081—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3206—Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
- C04B2235/3817—Carbides
- C04B2235/3839—Refractory metal carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
- C04B2235/3817—Carbides
- C04B2235/3839—Refractory metal carbides
- C04B2235/3843—Titanium carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
- C04B2235/3817—Carbides
- C04B2235/3839—Refractory metal carbides
- C04B2235/3847—Tungsten carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
- C04B2235/3852—Nitrides, e.g. oxynitrides, carbonitrides, oxycarbonitrides, lithium nitride, magnesium nitride
- C04B2235/3886—Refractory metal nitrides, e.g. vanadium nitride, tungsten nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/54—Particle size related information
- C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
- C04B2235/5445—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof submicron sized, i.e. from 0,1 to 1 micron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/76—Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
- C04B2235/761—Unit-cell parameters, e.g. lattice constants
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/76—Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
- C04B2235/762—Cubic symmetry, e.g. beta-SiC
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/77—Density
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
Description
導電性物質は、MgOとともにDCスパッタリング法によって成膜された際に、成膜されたMgO膜に配向性を付与可能であるものであれば良いが、特に、MgOとともにDCスパッタリング法によって成膜された際に、そのMgO膜の(001)面に単一配向性を付与可能であるものが好ましい。
MgO膜の(001)面に単一配向性を付与可能である導電性物質として、その結晶系が立方晶(キュービック)系又は六方晶系のものが好ましく、その中でも特に、TiC、VC、TiN、WCのうち1以上の導電性化合物が好ましい。また、導電性物質は、導電性化合物に限られず、単体のものであっても良い。
上記のような構成で導電性物質がスパッタリング用MgOターゲット内に含有されることにより、DCスパッタリング法によって成膜する際に、スパッタリング用MgOターゲットに衝突したイオンは、負の電極に流れて行くため、スパッタリング用MgOターゲットの表面にイオンが堆積し、放電が止まってしまうということを防止することが可能となる。
そして、導電性物質の含有の形態は、上記のような構成であれば良く、下記に説明するような濃度のものに限られるものではないが、導電性物質として上記導電性化合物を用いた場合、MgOと導電性化合物との合計に対するMgOの比率は、40〜90mol%であることが好ましく、50〜90mol%であることがより好ましく、65〜90mol%であることが特に好ましい。MgOの比率が90mol%より大きいと、抵抗値が大きくDCスパッタリングが困難であり、40mol%よりも小さいと焼結し難くなり、MgOターゲットの製造が困難となる。
成膜した基板を割ったものの断面をSEMで観察し、基板上に約200nmの膜が成膜されていることを確認した。
XRD測定は株式会社リガク製ATX−G型 表面構造評価用多機能X線回折装置を用いて実施した。X線を全反射臨界角以下でサンプル表面付近に照射して測定するIn−plane測定によって膜の結晶性を確認した。In−plane測定はX線入射角度が0.10degree、測定間隔(2θ)が0.02degree、測定速度が5degree/min.の条件で実施した。
それぞれのターゲットを用いて作製した基板のサンプルを薄片に加工し、TEM及び電子回折像の観察を行った。この結果から膜が基板上に配向して成長していることを確認した。
(実施例1)
平均粒子径0.2μm、純度5NのMgO粉末90.0mol%と、平均粒子径1.0μm、純度3NのTiC粉末10.0mol%を配合後、ナイロンボールを入れたナイロンポット中のメタノール溶媒中にて24時間分散混合し、MgO−TiCスラリーを得た。得られたMgO−TiCスラリーをナイロンポットから取り出し、乾燥させた後、#50メッシュ篩にて篩分級を行った。
得られた造粒粉を金型プレスで成形することにより、スパッタリング用MgOターゲットの成形体を得、Arガス雰囲気中1898Kの温度でホットプレス装置にて焼結時に25MPaの圧力を加えながら90分ホットプレス焼結することで、相対密度99%以上の緻密な焼結体(実施例1に係るスパッタリング用MgOターゲット)を得た。なお、製造した実施例1に係るスパッタリング用MgOターゲットの電気抵抗率は、1×106mΩ・cmであった。
MgO粉末量を89.0mol%、TiC粉末量を11.0mol%に代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例2に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;1×106mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を88.0mol%、TiC粉末量を12.0mol%に代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例3に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;5×105mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を85.6mol%、TiC粉末量を14.4mol%に代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例4に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;47.39mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を77.6mol%、TiC粉末量を22.4mol%に代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例5に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;2.04mΩ・cm)を製造した。後述の成膜方法によって成膜された膜の格子定数は、TEMによる電子回析像より算出した結果、4.2Åであった。
MgO粉末量を60.0mol%、TiC粉末量を40.0mol%に代え、焼結温度を1923Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例6に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;0.08mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を55.0mol%、TiC粉末量を45.0mol%に代え、焼結温度を1948Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例7に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;0.03mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を50.0mol%、TiC粉末量を50.0mol%に代え、焼結温度を1948Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例8に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;0.01mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を90.0mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのVC粉末10mol%に代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例9に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;3.4×105mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を89.0mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのVC粉末11mol%に代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例10に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;2.3×105mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を88.0mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのVC粉末12.0mol%に代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例11に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;1.1×105mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を85.0mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのVC粉末15.0mol%に代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例12に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;11.85mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を69.3mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのVC粉末30.7mol%に代え、焼結温度を1923Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例13に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;0.65mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を60.0mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのVC粉末40mol%に代え、焼結温度を1923Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例14に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;0.02mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を55.0mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのVC粉末45mol%に代え、焼結温度を1948Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例15に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;0.008mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を50.0mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのVC粉末50.0mol%に代え、焼結温度を1948Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例16に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;0.002mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を90.0mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのWC粉末10mol%に代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例17に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;2.9×105mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を89.0mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのWC粉末11mol%に代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例18に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;2.1×105mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を88.0mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのWC粉末12.0mol%に代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例19に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;1.1×105mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を85.0mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのWC粉末15.0mol%に代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例20に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;10.2mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を72.1mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのWC粉末27.9mol%に代え、焼結温度を1923Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例21に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;0.58mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を60.0mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのWC粉末40.0mol%に代え、焼結温度を1923Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例22に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;0.01mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を55.0mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのWC粉末45m.0ol%に代え、焼結温度を1948Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例23に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;0.005mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を50.0mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのWC粉末50.0mol%に代え、焼結温度を1948Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例24に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;0.001mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を90.0mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのTiN粉末10.0mol%に代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例25に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;1×106mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を89.0mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのTiN粉末11.0mol%に代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例26に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;1×106mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を88.0mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのTiN粉末12.0mol%に代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例27に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;1×106mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を85.0mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのTiN粉末15.0mol%に代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例28に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;80mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を75.2mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのTiN粉末24.8mol%に代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例29に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;4mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を60.0mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのTiN粉末40.0mol%に代え、焼結温度を1923Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例30に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;0.01mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を55mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのTiN粉末45mol%に代え、焼結温度を1948Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例31に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;0.005mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を50.0mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのTiN粉末50.0mol%に代え、焼結温度を1948Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例32に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;0.001mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を100.0mol%、TiC粉末量を0mol%に代え、焼結温度を1873Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして比較例1に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;1×1015mΩ・cm以上)を製造した。
MgO粉末量を95.0mol%、TiC粉末量を5.0mol%に代え、焼結温度を1873Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして比較例2に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;1×1013mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を92.9mol%、TiC粉末量を7.1mol%に代え、焼結温度を1873Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして比較例3に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;1×1010mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を91.0mol%、TiC粉末量を9.0mol%に代え、焼結温度を1873Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして比較例4に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;1.6×108mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を49.0mol%、TiC粉末量を51.0mol%に代え、焼結温度を1948Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例33に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;1.6×10−3mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を45.0mol%、TiC粉末量を55.0mol%に代え、焼結温度を1948Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例34に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;4×10−4mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を40.0mol%、TiC粉末量を60.0mol%に代え、焼結温度を1948Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例35に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;5×10−5mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を95mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのVC粉末5mol%に代え、焼結温度を1898Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして比較例5に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;1×1013mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を91.0mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのVC粉末9.0mol%に代え、焼結温度を1873Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして比較例6に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;1×108mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を49.0mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのVC粉末51.0mol%に代え、焼結温度を1948Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例36に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;1.0×10−3mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を45.0mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのVC粉末55.0mol%に代え、焼結温度を1948Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例37に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;1×10−4mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を40.0mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのVC粉末60.0mol%に代え、焼結温度を1948Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例38に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;1×10−5mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を95.0mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのWC粉末5mol%に代え、焼結温度を1873Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして比較例7に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;1×1013mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を91.0mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのWC粉末9.0mol%に代え、焼結温度を1873Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして比較例8に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;1×108mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を49.0mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのWC粉末51.0mol%に代え、焼結温度を1948Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例39に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;1.0×10−3mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を45.0mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのWC粉末55.0mol%に代え、焼結温度を1948Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例40に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;1×10−4mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を40.0mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのWC粉末60.0mol%に代え、焼結温度を1948Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例41に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;1×10−5mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を95.0mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのTiN粉末5.0mol%に代え、焼結温度を1873Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして比較例9に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;8×1013mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を91.0mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのTiN粉末9.0mol%に代え、焼結温度を1873Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして比較例10に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;8×108mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を49.0mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのTiN粉末51.0mol%に代え、焼結温度を1948Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例42に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;7.0×10−3mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を45.0mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのTiN粉末55.0mol%に代え、焼結温度を1948Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例43に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;8×10−4mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を40.0mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのTiN粉末60.0mol%に代え、焼結温度を1948Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして実施例44に係るスパッタリング用MgOターゲット(電気抵抗率;7.5×10−5mΩ・cm)を製造した。
MgO粉末量を39.0mol%、TiC粉末量を61.0mol%に代え、焼結温度を1948Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして比較例11に係るスパッタリング用MgOターゲットを製造しようとしたが、緻密に焼結できなかった。焼結温度を上げてみたが、MgO結晶粒子が粒成長して不均質な焼結体となった。TiC粉末量が61.0mol%を越えるものも同様の結果となった。
MgO粉末量を39.0mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのVC粉末61.0mol%に代え、焼結温度を1948Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして比較例12に係るスパッタリング用MgOターゲットを製造しようとしたが、緻密に焼結できなかった。焼結温度を上げてみたが、MgO結晶粒子が粒成長して不均質な焼結体となった。VC粉末量が61.0mol%を越えるものも同様の結果となった。
MgO粉末量を39.0mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのWC粉末61.0mol%に代え、焼結温度を1948Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして比較例13に係るスパッタリング用MgOターゲットを製造しようとしたが、緻密に焼結できなかった。焼結温度を上げてみたが、MgO結晶粒子が粒成長して不均質な焼結体となった。WC粉末量が61.0mol%を越えるものも同様の結果となった。
MgO粉末量を39.0mol%、TiC粉末を平均粒子径1.0μm、純度2NのTiN粉末61.0mol%に代え、焼結温度を1948Kに代えたこと以外は、実施例1と同様にして比較例14に係るスパッタリング用MgOターゲットを製造しようとしたが、緻密に焼結できなかった。焼結温度を上げてみたが、MgO結晶粒子が粒成長して不均質な焼結体となった。TiN粉末量が61.0mol%を越えるものも同様の結果となった。
まず、基板として、MgO(001)基板を用意し、その基板上に、基板とMgO膜との中間層としてFe膜をスパッタ成膜した。Fe膜のスパッタは、スパッタリングチャンバー内を5×10−4Paまで排気し、0.67PaのAr雰囲気中で行った。Feターゲットへの投入電力は50Wとし、RFマグネトロンスパッタリング法で成膜した。
この中間層を有するMgO(001)基板に、MgO−TiC膜(実施例1〜8)、MgO−VC膜(実施例9〜16)、MgO−WC膜(実施例17〜24)及びMgO−TiN膜(実施例25〜32)をスパッタ成膜した。前記と同様にしてMgO−TiC膜(実施例33〜35)、MgO−VC膜(実施例36〜38)、MgO−WC膜(実施例39〜41)、MgO−TiN膜(実施例42〜44)をスパッタ成膜した。それぞれのスパッタは、スパッタリングチャンバー内を5×10−4Paまで排気し、0.3PaのAr雰囲気中で成膜を行った。ターゲットへの投入電力は300Wとし、DCマグネトロンスパッタリング法で成膜した。
それぞれの基板について、X線回折(XRD)測定を行い、成膜された膜の配向性を調べた。結果を表1に示す。
Claims (8)
- MgOと導電性物質とを主成分とするスパッタリング用MgOターゲットであって、
前記導電性物質は、MgOとともにDCスパッタリング法によって成膜された際に、成膜されたMgO膜に配向性を付与可能であることを特徴とするスパッタリング用MgOターゲット。 - 前記導電性物質は、導電性化合物であることを特徴とする請求項1記載のスパッタリング用MgOターゲット。
- 前記スパッタリング用MgOターゲットに含まれるMgOと導電性化合物との合計に対するMgOの比率が、40〜90mol%であることを特徴とする請求項2記載のスパッタリング用MgOターゲット。
- 前記導電性化合物の結晶系が、立方晶系又は六方晶系であることを特徴とする請求項2又は3記載のスパッタリング用MgOターゲット。
- 前記導電性化合物が、TiC、VC、WC又はTiNのうち1以上であることを特徴とする請求項4記載のスパッタリング用MgOターゲット。
- 前記導電性物質は、前記MgOターゲット内において粒子同士が互いに接触し合い電子の通路を形成していることを特徴とする請求項1乃至5いずれか記載のスパッタリング用MgOターゲット。
- 前記導電性物質は、MgO粒子の粒界に存在していることを特徴とする請求項6記載のスパッタリング用MgOターゲット。
- 前記導電性物質は、MgO粒子を包み込むように存在していることを特徴とする請求項7記載のスパッタリング用MgOターゲット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013522997A JP5413540B2 (ja) | 2011-07-01 | 2012-06-29 | スパッタリング用MgOターゲット |
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011147026 | 2011-07-01 | ||
JP2011147026 | 2011-07-01 | ||
JP2012011746 | 2012-01-24 | ||
JP2012011746 | 2012-01-24 | ||
JP2013522997A JP5413540B2 (ja) | 2011-07-01 | 2012-06-29 | スパッタリング用MgOターゲット |
PCT/JP2012/066789 WO2013005690A1 (ja) | 2011-07-01 | 2012-06-29 | スパッタリング用MgOターゲット |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013186588A Division JP2013241684A (ja) | 2011-07-01 | 2013-09-09 | スパッタリング用MgOターゲット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5413540B2 JP5413540B2 (ja) | 2014-02-12 |
JPWO2013005690A1 true JPWO2013005690A1 (ja) | 2015-02-23 |
Family
ID=47437042
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013522997A Expired - Fee Related JP5413540B2 (ja) | 2011-07-01 | 2012-06-29 | スパッタリング用MgOターゲット |
JP2013186588A Pending JP2013241684A (ja) | 2011-07-01 | 2013-09-09 | スパッタリング用MgOターゲット |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013186588A Pending JP2013241684A (ja) | 2011-07-01 | 2013-09-09 | スパッタリング用MgOターゲット |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9773652B2 (ja) |
JP (2) | JP5413540B2 (ja) |
KR (1) | KR101731847B1 (ja) |
CN (1) | CN103687977B (ja) |
WO (1) | WO2013005690A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015067864A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | Tdk株式会社 | スパッタリングターゲット |
JP2015067867A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | Tdk株式会社 | スパッタリングターゲット |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5925907B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2016-05-25 | Jx金属株式会社 | MgO−TiO焼結体ターゲット及びその製造方法 |
TW201527566A (zh) * | 2014-01-06 | 2015-07-16 | Kojundo Chemical Lab Co Ltd | 濺鍍靶 |
JPWO2016088867A1 (ja) * | 2014-12-05 | 2017-09-21 | 宇部マテリアルズ株式会社 | スパッタリング用MgOターゲット材及び薄膜 |
JP6570175B2 (ja) * | 2015-08-18 | 2019-09-04 | 株式会社高純度化学研究所 | 直流スパッタ用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP6489694B2 (ja) * | 2015-09-08 | 2019-03-27 | 株式会社高純度化学研究所 | スパッタリングターゲット |
WO2017170152A1 (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | Jx金属株式会社 | Mg-Ti-Oスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP7057069B2 (ja) * | 2017-03-30 | 2022-04-19 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット |
JP7014541B2 (ja) * | 2017-07-21 | 2022-02-01 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲットの製造方法及び磁気媒体の製造方法 |
DE102018112335A1 (de) * | 2018-05-23 | 2019-11-28 | Hartmetall-Werkzeugfabrik Paul Horn Gmbh | Magnetronsputtervorrichtung |
JP7122175B2 (ja) * | 2018-06-25 | 2022-08-19 | 昭和電工株式会社 | 熱アシスト磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
JP6935869B2 (ja) * | 2018-06-27 | 2021-09-15 | 昭和電工株式会社 | 熱アシスト磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
JP7246232B2 (ja) * | 2019-03-29 | 2023-03-27 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット部材、スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲット部材の製造方法、及びスパッタ膜の製造方法 |
TW202200816A (zh) * | 2020-05-28 | 2022-01-01 | 日商三菱綜合材料股份有限公司 | 濺鍍靶材及光學功能膜 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001352109A (ja) * | 2000-06-08 | 2001-12-21 | Communication Research Laboratory | 超電導体多層構造体およびその製造方法ならびに超電導体装置 |
JP2003073820A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-03-12 | Wc Heraeus Gmbh | 二酸化チタンを基礎とするスパッタターゲット |
JP2005179129A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Kyocera Corp | 導電性酸化チタン焼結体、スパッタリングターゲット、透光性部材、および画像表示装置 |
JP2005525463A (ja) * | 2002-02-06 | 2005-08-25 | サン−ゴバン グラス フランス | 非化学量論的NiOxセラミックターゲット |
JP2009511742A (ja) * | 2005-10-13 | 2009-03-19 | ナムローゼ・フェンノートシャップ・ベーカート・ソシエテ・アノニム | スパッタリングによって被膜を堆積する方法 |
JP2012094202A (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-17 | Fuji Electric Co Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61111969A (ja) * | 1984-11-05 | 1986-05-30 | 住友電気工業株式会社 | 放電加工可能な導電性窒化珪素焼結体およびその製造方法 |
JP2585595B2 (ja) * | 1987-05-18 | 1997-02-26 | 日新製鋼株式会社 | セラミックス焼結体の製造方法 |
JPS6452489A (en) * | 1987-08-24 | 1989-02-28 | Mizuno Kk | Golf club head |
ATE113932T1 (de) * | 1988-08-09 | 1994-11-15 | Tosoh Corp | Sinterkörper aus zinkoxid und seine herstellung. |
JPH07157837A (ja) * | 1993-12-08 | 1995-06-20 | Hitachi Tool Eng Ltd | 超微粒硬質合金及び部品 |
JP3223822B2 (ja) * | 1996-12-09 | 2001-10-29 | 三菱マテリアル株式会社 | MgO複合セラミックス及びその製造方法 |
JP2991672B2 (ja) | 1997-05-30 | 1999-12-20 | 株式会社日立製作所 | 磁気記録媒体 |
JP3494205B2 (ja) * | 1998-05-28 | 2004-02-09 | 三菱マテリアル株式会社 | MgOを主成分とするタ−ゲット材料およびその製造方法 |
JP3434476B2 (ja) | 1999-09-29 | 2003-08-11 | 秋田県 | 高密度情報記録媒体及びその媒体の製造方法 |
JP2004197140A (ja) * | 2002-12-17 | 2004-07-15 | Mitsubishi Materials Corp | 有機elディスプレイ吸湿膜用ターゲットおよびその製造方法 |
JP4211558B2 (ja) | 2003-10-07 | 2009-01-21 | 住友金属鉱山株式会社 | スパッタリングターゲット材料、その製造方法、及びそれを用いた透明導電膜の製造方法 |
JP2005268203A (ja) * | 2004-02-17 | 2005-09-29 | Tdk Corp | 平面パネルディスプレイ用スペーサの製造方法 |
EP1887100B1 (en) * | 2005-05-30 | 2011-05-11 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Sputtering target and process for producing the same |
CN101229976A (zh) * | 2007-12-21 | 2008-07-30 | 东华大学 | 一种高性能WC/MgO纳米复合材料的制备方法 |
CN100580843C (zh) * | 2007-12-28 | 2010-01-13 | 南京华显高科有限公司 | 提高PDP统计放电延迟时间的MgO薄膜制备方法 |
JP5231823B2 (ja) * | 2008-01-28 | 2013-07-10 | 日本タングステン株式会社 | 多結晶MgO焼結体及びその製造方法、並びにスパッタリング用MgOターゲット |
CN201217084Y (zh) * | 2008-07-09 | 2009-04-08 | 山东法因数控机械股份有限公司 | 一种型钢数控钻床 |
JP5396353B2 (ja) * | 2009-09-17 | 2014-01-22 | 日本碍子株式会社 | 静電チャック及びその製法 |
-
2012
- 2012-06-29 KR KR1020147002558A patent/KR101731847B1/ko active IP Right Grant
- 2012-06-29 CN CN201280032640.XA patent/CN103687977B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-06-29 JP JP2013522997A patent/JP5413540B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-06-29 WO PCT/JP2012/066789 patent/WO2013005690A1/ja active Application Filing
- 2012-06-29 US US14/130,438 patent/US9773652B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-09-09 JP JP2013186588A patent/JP2013241684A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001352109A (ja) * | 2000-06-08 | 2001-12-21 | Communication Research Laboratory | 超電導体多層構造体およびその製造方法ならびに超電導体装置 |
JP2003073820A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-03-12 | Wc Heraeus Gmbh | 二酸化チタンを基礎とするスパッタターゲット |
JP2005525463A (ja) * | 2002-02-06 | 2005-08-25 | サン−ゴバン グラス フランス | 非化学量論的NiOxセラミックターゲット |
JP2005179129A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Kyocera Corp | 導電性酸化チタン焼結体、スパッタリングターゲット、透光性部材、および画像表示装置 |
JP2009511742A (ja) * | 2005-10-13 | 2009-03-19 | ナムローゼ・フェンノートシャップ・ベーカート・ソシエテ・アノニム | スパッタリングによって被膜を堆積する方法 |
JP2012094202A (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-17 | Fuji Electric Co Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015067864A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | Tdk株式会社 | スパッタリングターゲット |
JP2015067867A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | Tdk株式会社 | スパッタリングターゲット |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013241684A (ja) | 2013-12-05 |
US9773652B2 (en) | 2017-09-26 |
WO2013005690A1 (ja) | 2013-01-10 |
US20140144775A1 (en) | 2014-05-29 |
JP5413540B2 (ja) | 2014-02-12 |
CN103687977A (zh) | 2014-03-26 |
KR101731847B1 (ko) | 2017-05-08 |
KR20140054010A (ko) | 2014-05-08 |
CN103687977B (zh) | 2016-08-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5413540B2 (ja) | スパッタリング用MgOターゲット | |
JP6526837B2 (ja) | 強磁性材スパッタリングターゲット | |
JP5913620B2 (ja) | Fe−Pt系焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
US10325762B2 (en) | Sputtering target for forming magnetic recording film and process for producing same | |
WO2012017659A1 (ja) | スパッタリングターゲットの製造方法およびスパッタリングターゲット | |
JP6692724B2 (ja) | 非磁性材料分散型Fe−Pt系スパッタリングターゲット | |
TW201632482A (zh) | 濺鍍用MgO靶材及薄膜 | |
El Mel et al. | Shape control of nickel nanostructures incorporated in amorphous carbon films: From globular nanoparticles toward aligned nanowires | |
WO2012073882A1 (ja) | スパッタリングターゲット | |
Zhang et al. | Characteristics of FeCo nano-particles synthesized using plasma focus | |
KR20080078507A (ko) | 자성 및 비자성 원소를 포함하는 스퍼터링 타겟 내 누설 자속 제어방법 및 시스템 | |
JP5334246B2 (ja) | 酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲット | |
Ahmed et al. | Microstructure and residual stress dependence of molybdenum films on DC magnetron sputtering conditions | |
TWI515321B (zh) | 多元合金濺鍍靶材、其製法及多元合金層 | |
JP4917725B2 (ja) | 透明導電膜およびその製造方法並びにその用途 | |
CN108754215A (zh) | 一种兼具高硬高韧高导电性的铜硼合金材料及其制备方法 | |
Chung et al. | Thermally induced formation of SiC nanoparticles from Si/C/Si multilayers deposited by ultra-high-vacuum ion beam sputtering | |
Wang et al. | Self-assembled Co nanorods in diamond-like carbon thin films synthesized by plasma-assisted magnetron sputtering | |
Karthikeyan et al. | Nano-structured morphological features of pulsed direct current magnetron sputtered Mo films for photovoltaic applications | |
Dasgupta et al. | Structural characteristics of titanium coating on copper substrates | |
TWI469948B (zh) | Oxide sintered body and oxide semiconductor thin film | |
JP7165023B2 (ja) | 酸化マグネシウムスパッタリングターゲット | |
Kornyushchenko et al. | Formation of C/Zn C/Ni nanocomposites for potential application in electrodes of LIB | |
US20230220538A1 (en) | METAL-Si BASED POWDER, METHOD FOR PRODUCING SAME, METAL-Si BASED SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND METAL-Si BASED THIN FILM MANUFACTURING METHOD | |
KR20230014414A (ko) | 알루미늄-탄소 복합재 박막의 제조방법 및 알루미늄-탄소 복합재 박막 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131015 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5413540 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |