JP7014541B2 - スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲットの製造方法及び磁気媒体の製造方法 - Google Patents
スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲットの製造方法及び磁気媒体の製造方法 Download PDFInfo
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Description
Mg、Ti、O、C及び不可避的不純物からなり、
比抵抗が1.1Ω・cm以下である、
スパッタリングターゲット。
(発明2)
以下の組成からなる発明1に記載のスパッタリングターゲット:
(1)C、
(2)TiC、並びに、
(3)MgnTimO4(ここで、1≦n≦2、且つ1≦m≦2、且つn+m=3)、
(4)場合により、MgO及びTiOから選択される1種以上。
(発明3)
相対密度が、65%以上であることを特徴とする発明1又は2に記載のスパッタリングターゲット。
(発明4)
粒径5μm以上のC粒子が、1mm2あたり0から10000個であることを特徴とする発明1~3のいずれか1つに記載のスパッタリングターゲット。
(発明5)
発明1~4のいずれか1つに記載のスパッタリングターゲットの製造方法であって、
以下の粉末を混合する工程と、
MgO;
TiO;並びに
粒径5μm以上のC粉末及び/又は粒径0.1μm以下のC粉末;
混合物を成形及び焼結する工程と
を含む、該方法。
(発明6)
磁気媒体の製造方法であって、発明1~4のいずれか1つに記載のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行う工程を含む、該方法。
(1)組成
本発明の一実施形態において、ターゲット材は、Mg、Ti、O、C及び不可避的不純物からなる。
(1)C、
(2)TiC、並びに、
(3)MgnTimO4(ここで、1≦n≦2、且つ1≦m≦2、且つn+m=3)、
(4)場合により、MgO及びTiOから選択される1種以上。
・C、MgnTimO4
・MgO、TiO、C
・MgO、TiC、C
・MgO、C、MgnTimO4
・C、MgnTimO4、TiO
・C、MgnTimO4、TiC
・MgO、TiO、TiC、C
・C、MgnTimO4、TiO、TiC
・MgO、C、MgnTimO4、TiC
・MgO、C、MgnTimO4、TiO
・MgO、C、MgnTimO4、TiO、TiC
(ここで、1≦n≦2、且つ1≦m≦2、且つn+m=3)
一実施形態において、本発明のターゲット材は、比抵抗が、1.1Ω・cm以下、好ましくは0.2Ω・cm以下、更に好ましくは、0.03Ω・cm以下である。上記比抵抗であることにより、DCスパッタリングが可能となる。そして、DCスパッタリングが可能であることにより効率よく薄膜を生成することができる。下限値について特に規定されないが、典型的には0.001mΩ・cm以上である。本発明における比抵抗は、薄膜の場合も含めて、四端針法により測定した値とする。
一実施形態において、本発明のターゲット材は、相対密度が65%以上、好ましくは、85%以上、更に好ましくは、90%以上である。これにより、スパッタ時のアーキングの発生が抑制される。相対密度が高いと、アーキングの発生が更に抑制される。上限値については、特に規定されないが、典型的には、100%以下、又は99%以下であってもよい。なお、本明細書で言及する相対密度は、実測密度と理論密度との比を指す。実測密度については、純水を溶媒として用いたアルキメデス法にて測定を行った値を指す。理論密度は、下記の通り、原料の単体密度それぞれに混合質量比を掛け、得られた値の総和とする。
理論密度=Σ{(成分nの理論密度×混合質量比)}
一実施形態において、本発明のターゲット材は、直径5μm以上の粗大なC粒子の1平方mmあたりの個数が、0から10000個である。より好ましくは500から7900個である。
(1)原料
一実施形態において、本発明のターゲット材は、原料として、MgO、TiO、及びC粉末を使用することができる。
MgO粉末、TiO粉末及び所定のサイズのC粉末を混合する。原料粉末の混合処理は、特に限定されないが、典型的には乳鉢で混合することができる。この方法だと、C粉末の粒径サイズに大きく影響を与えることなく混合することができる。
上記方法で得られたターゲット材は、比抵抗が充分に低い。従って、生産性の高いDCスパッタリングなどで利用することができる。
Claims (5)
- Mg、Ti、O、C及び不可避的不純物からなり、
比抵抗が1.1Ω・cm以下である、
スパッタリングターゲットであって、
相対密度が、85%以上であり、
ターゲットの構成相として、Cの相を含み、
粒径5μm以上のC粒子が、1mm 2 あたり0から10000個である、
スパッタリングターゲット。 - 以下の組成からなる請求項1に記載のスパッタリングターゲット:
(1)C、
(2)TiC、並びに、
(3)MgnTimO4(ここで、1≦n≦2、且つ1≦m≦2、且つn+m=3)、
(4)場合により、MgO及びTiOから選択される1種以上。 - 相対密度が、90%以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載のスパッタリングターゲット。
- 請求項1~3のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲットの製造方法であって、
以下の粉末を混合する工程と、
MgO;
TiO;並びに
粒径5μm以上のC粉末及び/又は粒径0.1μm以下のC粉末;
混合物を成形及び焼結する工程と
を含む、該方法。 - 磁気媒体の製造方法であって、請求項1~3のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行う工程を含む、該方法。
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JP2013137842A (ja) | 2011-12-28 | 2013-07-11 | Ube Material Industries Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
WO2016088867A1 (ja) | 2014-12-05 | 2016-06-09 | 宇部マテリアルズ株式会社 | スパッタリング用MgOターゲット材及び薄膜 |
JP2017039965A (ja) | 2015-08-18 | 2017-02-23 | 株式会社高純度化学研究所 | スパッタリングターゲット |
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