JP6935869B2 - 熱アシスト磁気記録媒体および磁気記憶装置 - Google Patents
熱アシスト磁気記録媒体および磁気記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6935869B2 JP6935869B2 JP2018121662A JP2018121662A JP6935869B2 JP 6935869 B2 JP6935869 B2 JP 6935869B2 JP 2018121662 A JP2018121662 A JP 2018121662A JP 2018121662 A JP2018121662 A JP 2018121662A JP 6935869 B2 JP6935869 B2 JP 6935869B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base layer
- magnetic
- recording medium
- heat
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 36
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 13
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- INZDTEICWPZYJM-UHFFFAOYSA-N 1-(chloromethyl)-4-[4-(chloromethyl)phenyl]benzene Chemical compound C1=CC(CCl)=CC=C1C1=CC=C(CCl)C=C1 INZDTEICWPZYJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- SKKMWRVAJNPLFY-UHFFFAOYSA-N azanylidynevanadium Chemical compound [V]#N SKKMWRVAJNPLFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 126
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 description 29
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 22
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- 229910005335 FePt Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018979 CoPt Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 2
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- KELHQGOVULCJSG-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-1-(5-methylfuran-2-yl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CN(C)C(CN)C1=CC=C(C)O1 KELHQGOVULCJSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910019582 Cr V Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000914 Mn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003310 Ni-Al Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000929 Ru alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 Ta 2 O 5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010702 perfluoropolyether Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/4806—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed specially adapted for disk drive assemblies, e.g. assembly prior to operation, hard or flexible disk drives
- G11B5/4866—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed specially adapted for disk drive assemblies, e.g. assembly prior to operation, hard or flexible disk drives the arm comprising an optical waveguide, e.g. for thermally-assisted recording
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7369—Two or more non-magnetic underlayers, e.g. seed layers or barrier layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7375—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer for heat-assisted or thermally-assisted magnetic recording [HAMR, TAMR]
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
- G11B5/82—Disk carriers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
- G11B2005/0005—Arrangements, methods or circuits
- G11B2005/0021—Thermally assisted recording using an auxiliary energy source for heating the recording layer locally to assist the magnetization reversal
Description
本発明は、熱アシスト磁気記録媒体および磁気記憶装置に関する。
近接場光等を磁気記録媒体に照射して表面を局所的に加熱し、磁気記録媒体の保磁力を低下させて書き込む熱アシスト記録方式は、１Ｔｂｉｔ／ｉｎｃｈ２程度の面記録密度を実現することが可能な次世代記録方式として注目されている。熱アシスト記録方式を用いると、室温における保磁力が数十ｋＯｅである磁気記録媒体に対して、磁気ヘッドの記録磁界により、容易に書き込むことができる。このため、結晶磁気異方性定数Ｋｕが１０６Ｊ／ｍ３台である高Ｋｕ材料を磁性層に用いることができ、その結果、磁性層の熱安定性を維持したまま、磁性粒子の粒径を６ｎｍ以下まで微細化することができる。高Ｋｕ材料としては、Ｌ１０構造を有するＦｅＰｔ合金（Ｋｕ〜７×１０６Ｊ／ｍ３）や、ＣｏＰｔ合金（Ｋｕ〜５×１０６Ｊ／ｍ３）等が知られている。
熱アシスト磁気記録媒体の面記録密度を向上させるためには、磁性層の結晶配向性を向上させ、磁性粒子を微細化し、磁性粒子間の交換結合を低減することで、熱アシスト磁気記録媒体の保磁力を向上させる必要がある。
Ｌ１０構造を有するＦｅＰｔ合金を磁性層に用いる場合、磁性層の結晶配向性を向上させるためには、磁性層は（００１）配向している必要がある。このため、下地層には、（１００）配向しているＭｇＯを用いることが望ましい。ここで、ＭｇＯの（１００）面は、Ｌ１０構造を有するＦｅＰｔ合金の（００１）面と格子整合する。
また、磁性粒子を微細化し、磁性粒子間の交換結合を低減させるために、ＭｇＯを主成分とし、かつ、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯから選択される少なくとも一種類の酸化物を含有する下地層を形成することが開示されている（例えば、特許文献１参照）。
しかしながら、熱アシスト磁気記録媒体の面記録密度をさらに向上させること、即ち、熱アシスト磁気記録媒体の保磁力をさらに向上させることが望まれている。
本発明の一態様は、保磁力に優れた熱アシスト磁気記録媒体を提供することを目的とする。
（１）基板と、下地層と、Ｌ１０構造を有する合金を含む磁性層をこの順で有し、前記下地層は、第一の下地層を含み、前記第一の下地層は、酸化マグネシウムと、酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、窒化バナジウムおよび炭化バナジウムからなる群より選択される一種以上の化合物とを含み、該化合物の総含有量が４５ｍｏｌ％〜７０ｍｏｌ％の範囲内であることを特徴とする熱アシスト磁気記録媒体。
（２）前記第一の下地層は、前記磁性層と接触していることを特徴とする（１）に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（３）前記下地層は、第二の下地層をさらに含み、前記第二の下地層は、酸化マグネシウムを含み、前記基板と前記第一の下地層との間に形成されていることを特徴とする（１）または（２）に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（４）前記下地層は、第三の下地層をさらに含み、前記第三の下地層は、ＢＣＣ構造またはＢ２構造を有する物質を含み、前記第一の下地層と前記磁性層との間に形成されており、前記第一の下地層と接触していることを特徴とする（１）〜（３）の何れか１項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（５）（１）〜（４）の何れか１項に記載の熱アシスト磁気記録媒体を有することを特徴とする磁気記憶装置。
（２）前記第一の下地層は、前記磁性層と接触していることを特徴とする（１）に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（３）前記下地層は、第二の下地層をさらに含み、前記第二の下地層は、酸化マグネシウムを含み、前記基板と前記第一の下地層との間に形成されていることを特徴とする（１）または（２）に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（４）前記下地層は、第三の下地層をさらに含み、前記第三の下地層は、ＢＣＣ構造またはＢ２構造を有する物質を含み、前記第一の下地層と前記磁性層との間に形成されており、前記第一の下地層と接触していることを特徴とする（１）〜（３）の何れか１項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
（５）（１）〜（４）の何れか１項に記載の熱アシスト磁気記録媒体を有することを特徴とする磁気記憶装置。
本発明の一態様によれば、保磁力に優れた熱アシスト磁気記録媒体を提供することができる。
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上、特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率等が同一であるとは限らない。
［熱アシスト磁気記録媒体］
図１に、本実施形態の熱アシスト磁気記録媒体の層構成の一例を示す。
図１に、本実施形態の熱アシスト磁気記録媒体の層構成の一例を示す。
熱アシスト磁気記録媒体１００Ａは、基板１と、下地層２Ａと、Ｌ１０構造を有する合金を含む磁性層３をこの順で有する。ここで、下地層２Ａは、第二の下地層４および第一の下地層５がこの順で積層されている。また、第一の下地層５は、酸化マグネシウムと、酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、窒化バナジウムおよび炭化バナジウムからなる群より選択される一種以上の化合物とを含み、上記化合物の総含有量が４５ｍｏｌ％〜７０ｍｏｌ％の範囲内である。さらに、第二の下地層４は、酸化マグネシウムを含む。
熱アシスト磁気記録媒体１００Ａは、以上のような構造を有することで、Ｌ１０構造を有する合金を含む磁性層３の（００１）配向性が向上する。また、熱アシスト磁気記録媒体１００Ａは、磁性層３に含まれる磁性粒子が微細化され、磁性粒子間の交換結合が低減する。その結果、熱アシスト磁気記録媒体１００Ａの保磁力が向上する。
ここで、酸化マグネシウムを含む第二の下地層４は、（１００）配向しているため、ＮａＣｌ型構造を有する酸化マグネシウムを含む第一の下地層５を（１００）配向させる。その結果、第一の下地層５の（１００）面は、Ｌ１０型結晶構造を有する磁性層３の（００１）面と格子整合し、磁性層３の（００１）配向性が向上する。
一方、第一の下地層５に含まれる前述した化合物は、第一の下地層５に含まれる酸化マグネシウム粒子を微細化する。そして、一つの酸化マグネシウム結晶粒の上に、磁性層３を構成する一つの磁性結晶粒が成長する"Ｏｎｅ ｂｙ ｏｎｅ成長"が促進される。これにより、磁性層３の（００１）配向性が向上する。また、磁性層３に含まれる磁性粒子を微細化すると共に、磁性粒子間の分離が促進され、磁性粒子間の交換結合を低減することができる。
ここで、上記"Ｏｎｅ ｂｙ ｏｎｅ成長"が促進されることから、第一の下地層５は、磁性層３と接触していることが好ましいが、第一の下地層５は、磁性層３と接触していなくてもよい。
なお、上記化合物の代わりに、金属状態のバナジウム、亜鉛、スズを用いると、磁性粒子と接触したときに、金属状態のバナジウム、亜鉛、スズの少なくとも一部が磁性粒子内に拡散して、磁性粒子の磁性が低下する。
第一の下地層５中の上記化合物の含有量は、４５ｍｏｌ％〜７０ｍｏｌ％の範囲内であるが、４５ｍｏｌ％〜５５ｍｏｌ％の範囲内であることが好ましい。第一の下地層５中の上記化合物の含有量が４５ｍｏｌ％未満であると、第一の下地層５に含まれる酸化マグネシウム粒子を十分に微細化することができず、７０ｍｏｌ％を超えると、第一の下地層５に含まれる酸化マグネシウム粒子の粒径の分散が増大し、第一の下地層５の（１００）配向性が低下する。
第一の下地層５中の酸化マグネシウムの含有量は、３０ｍｏｌ％以上であることが好ましく、４５ｍｏｌ％以上であることがより好ましい。第一の下地層５中の酸化マグネシウムの含有量が３０ｍｏｌ％以上であると、第一の下地層５の（１００）配向性が向上する。
第一の下地層５の厚さは、０．２ｎｍ〜２ｎｍの範囲内であることが好ましく、０．５ｎｍ〜１．５ｎｍの範囲内であることがより好ましい。第一の下地層５の厚さが０．２ｎｍ以上であると、第一の下地層５に含まれる酸化マグネシウム粒子をさらに微細化することができ、２ｎｍ以下であると、熱アシスト磁気記録媒体１００Ａに書き込む際の放熱性がさらに向上する。
第二の下地層４中の酸化マグネシウムの含有量は、５０ｍｏｌ％以上であることが好ましく、７０ｍｏｌ％以上であることがより好ましい。第二の下地層４中の酸化マグネシウムの含有量が５０ｍｏｌ％以上であると、第二の下地層４の（１００）配向性が向上する。
磁性層３に含まれるＬ１０構造を有する合金は、ＦｅＰｔ磁性合金またはＣｏＰｔ磁性合金であることが好ましい。
磁性層３は、磁性粒子の粒界偏析材料を含むことが好ましい。これにより、磁性層３は、Ｌ１０構造を有する磁性粒子が、粒界偏析材料によって分断されているグラニュラー構造となる。
磁性粒子の粒界偏析材料としては、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、酸化セリウム（ＣｅＯ２）、酸化マンガン（ＭｎＯ）、一酸化チタン（ＴｉＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の酸化物や、炭素（Ｃ）、炭化バナジウム（ＶＣ）等の炭化物、窒化バナジウム（ＶＮ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）等の窒化物等が挙げられ、二種以上を併用してもよい。
熱アシスト磁気記録媒体１００Ａは、磁性層３上に、保護層が形成されていることが好ましい。
保護層の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、炭化水素からなる原料ガスを高周波プラズマで分解して成膜するＲＦ−ＣＶＤ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ−Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、フィラメントから放出された電子で原料ガスをイオン化して成膜するＩＢＤ（Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原料ガスを用いずに、固体炭素ターゲットを用いて成膜するＦＣＶＡ（Ｆｉｌｔｅｒｅｄ Ｃａｔｈｏｄｉｃ Ｖａｃｕｕｍ Ａｒｃ）法等が挙げられる。
保護層の厚さは、１ｎｍ以上６ｎｍ以下であることが好ましい。保護層の厚さが１ｎｍ以上であると、磁気ヘッドの浮上特性が良好となり、６ｎｍ以下であると、磁気スペーシングが小さくなり、熱アシスト磁気記録媒体１００ＡのＳＮＲが向上する。
熱アシスト磁気記録媒体１００Ａは、保護層上に、パーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を含む潤滑剤層がさらに形成されていてもよい。
図２に、本実施形態の熱アシスト磁気記録媒体の層構成の他の例を示す。
熱アシスト磁気記録媒体１００Ｂは、下地層２Ａの代わりに、下地層２Ｂが形成されている以外は、熱アシスト磁気記録媒体１００Ａと同一の構成である。
なお、熱アシスト記録媒体１００Ｂにおいて、熱アシスト記録媒体１００Ａと同一の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
下地層２Ｂは、第二の下地層４が形成されておらず、第一の下地層５と磁性層３との間に、第二の下地層６が形成されている以外は、下地層２Ａと同一の構成である。
第二の下地層６は、ＢＣＣ構造またはＢ２構造を有する物質を含む。
ここで、ＮａＣｌ型構造を有する酸化マグネシウムを含む第一の下地層５は、（１００）配向しているため、ＢＣＣ構造またはＢ２構造を有する物質を含む第二の下地層６を（１００）配向させる。その結果、第二の下地層６の（１００）面は、Ｌ１０構造を有する合金を含む磁性層３の（００１）面と格子整合し、磁性層３の（００１）配向性が向上する。
一方、第一の下地層５に含まれる前述した化合物は、第一の下地層５に含まれる酸化マグネシウム粒子を微細化する。そして、一つの酸化マグネシウム結晶粒の上に、第二の下地層６を構成する一つのＢＣＣ構造またはＢ２構造を有する物質の結晶粒子がヘテロエピタキシャル成長する"Ｏｎｅ ｂｙ ｏｎｅ成長"が促進される。また、一つのＢＣＣ構造またはＢ２構造を有する物質の結晶粒子の上に、磁性層３を構成する一つの磁性結晶粒が成長する"Ｏｎｅ ｂｙ ｏｎｅ成長"が促進される。これにより、磁性層３の（００１）配向性が向上する。また、磁性層３に含まれる磁性粒子を微細化すると共に、磁性粒子間の分離が促進され、磁性粒子間の交換結合を低減することができる。
第二の下地層６に含まれるＢＣＣ構造を有する物質としては、Ｃｒ、Ｃｒ−Ｍｎ合金、Ｃｒ−Ｍｏ合金、Ｃｒ−Ｗ合金、Ｃｒ−Ｖ合金、Ｃｒ−Ｔｉ合金、Ｃｒ−Ｒｕ合金等が挙げられる。
第二の下地層６に含まれるＢ２構造を有する物質としては、Ｒｕ−Ａｌ合金、Ｎｉ−Ａｌ合金等が挙げられる。
第二の下地層６中のＢＣＣ構造またはＢ２構造を有する物質の含有量は、６０ｍｏｌ％以上であることが好ましく、８０ｍｏｌ％以上であることがより好ましい。第二の下地層６中のＢＣＣ構造またはＢ２構造を有する物質の含有量が６０ｍｏｌ％以上であると、第二の下地層６の（１００）配向性が向上する。
［磁気記憶装置］
本実施形態の磁気記憶装置は、本実施形態の熱アシスト磁気記録媒体を有していれば、特に限定されない。
本実施形態の磁気記憶装置は、本実施形態の熱アシスト磁気記録媒体を有していれば、特に限定されない。
本実施形態の磁気記憶装置は、例えば、熱アシスト磁気記録媒体を回転させるための磁気記録媒体駆動部と、先端部に近接場光発生素子が設けられている磁気ヘッドと、磁気ヘッドを移動させるための磁気ヘッド駆動部と、記録再生信号処理系を有する。
また、磁気ヘッドは、例えば、熱アシスト磁気記録媒体を加熱するためのレーザー光発生部と、レーザー光発生部から発生したレーザー光を近接場光発生素子まで導く導波路を有する。
図３に、本実施形態の磁気記憶装置の一例を示す。
図３の磁気記憶装置は、熱アシスト磁気記録媒体１００（１００Ａまたは１００Ｂ）と、熱アシスト磁気記録媒体１００を回転させるための磁気記録媒体駆動部１０１と、磁気ヘッド１０２と、磁気ヘッドを移動させるための磁気ヘッド駆動部１０３と、記録再生信号処理系１０４を有する。
図４に、磁気ヘッド１０２の一例を示す。
磁気ヘッド１０２は、記録ヘッド２０８と、再生ヘッド２１１を有する。
記録ヘッド２０８は、主磁極２０１と、補助磁極２０２と、磁界を発生させるコイル２０３と、レーザー光発生部としての、レーザーダイオード（ＬＤ）２０４と、ＬＤ２０４から発生したレーザー光２０５を近接場光発生素子２０６まで伝送する導波路２０７を有する。
再生ヘッド２１１は、シールド２０９で挟まれている再生素子２１０を有する。
以下、本発明の実施例を説明する。なお、本発明は、以下の実施例に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で、適宜変更して実施することができる。
（実施例１〜６、比較例１〜３）
耐熱ガラス基板上に、厚さ５０ｎｍのＣｒ−５０ａｔ％Ｔｉ合金層（下地層）を形成し、２５０℃まで加熱した後、厚さ１０ｎｍのＣｒ層（下地層）を形成した。その後、厚さ１ｎｍのＭｏ層（下地層）と、厚さ１ｎｍのＭｇＯ層（第二の下地層）と、厚さ０．３ｎｍの第一の下地層をこの順で形成し、５２０℃まで加熱した。その後、厚さ３ｎｍの（Ｆｅ−５５ａｔ％Ｐｔ）−４０ｍｏｌ％Ｃ層（磁性層）と、厚さ３ｎｍの（Ｆｅ−５５ａｔ％Ｐｔ）−４０ｍｏｌ％ＳｉＯ２層（磁性層）をこの順で形成し、熱アシスト磁気記録媒体を得た。
耐熱ガラス基板上に、厚さ５０ｎｍのＣｒ−５０ａｔ％Ｔｉ合金層（下地層）を形成し、２５０℃まで加熱した後、厚さ１０ｎｍのＣｒ層（下地層）を形成した。その後、厚さ１ｎｍのＭｏ層（下地層）と、厚さ１ｎｍのＭｇＯ層（第二の下地層）と、厚さ０．３ｎｍの第一の下地層をこの順で形成し、５２０℃まで加熱した。その後、厚さ３ｎｍの（Ｆｅ−５５ａｔ％Ｐｔ）−４０ｍｏｌ％Ｃ層（磁性層）と、厚さ３ｎｍの（Ｆｅ−５５ａｔ％Ｐｔ）−４０ｍｏｌ％ＳｉＯ２層（磁性層）をこの順で形成し、熱アシスト磁気記録媒体を得た。
ここで、第一の下地層を構成する材料は、表１に示す通りである。
例えば、ＭｇＯ−５０ｍｏｌ％ＺｎＯ２は、ＭｇＯの含有量が５０ｍｏｌ％であり、ＺｎＯ２の含有量が５０ｍｏｌ％であることを意味する。
（ＭｇＯ粒子の平均粒径＜Ｄ＞、平均粒径で規格化した粒径の分散σ／＜Ｄ＞）
ＴＥＭを用いて、第一の下地層に含まれるＭｇＯ粒子の＜Ｄ＞、σ／＜Ｄ＞を測定した。
ＴＥＭを用いて、第一の下地層に含まれるＭｇＯ粒子の＜Ｄ＞、σ／＜Ｄ＞を測定した。
（磁性粒子の（００１）配向性Δθ５０）
Ｘ−ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ（ＸＲＤ）装置（Ｐｈｉｌｉｐｓ社製）を用いて、磁性層に含まれる磁性粒子のΔθ５０を測定した。
Ｘ−ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ（ＸＲＤ）装置（Ｐｈｉｌｉｐｓ社製）を用いて、磁性層に含まれる磁性粒子のΔθ５０を測定した。
（熱アシスト磁気記録媒体の保磁力Ｈｃ）
Ｋｅｒｒ磁気測定装置（ネオアーク社製）を用いて、熱アシスト磁気記録媒体のＨｃを測定した。
Ｋｅｒｒ磁気測定装置（ネオアーク社製）を用いて、熱アシスト磁気記録媒体のＨｃを測定した。
表１に、ＭｇＯ粒子の＜Ｄ＞、σ／＜Ｄ＞、磁性粒子のΔθ５０、熱アシスト磁気記録媒体のＨｃの測定結果を示す。なお、磁性粒子のΔθ５０は、値が小さい程、（００１）配向性が高い。
これに対して、比較例１の熱アシスト記録媒体は、第一の下地層がＶ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＶＮまたはＶＣを含まないため、ＭｇＯ粒子の＜Ｄ＞および磁性粒子のθ５０が大きく、Ｈｃが小さい。
比較例２の熱アシスト記録媒体は、第一の下地層中のＺｎＯの含有量が７５ｍｏｌ％であるため、ＭｇＯ粒子のσ／＜Ｄ＞および磁性粒子のθ５０が大きく、Ｈｃが小さい。
比較例３の熱アシスト記録媒体は、第一の下地層中のＺｎＯの含有量が３０ｍｏｌ％であるため、ＭｇＯ粒子が存在しなかった。このため、磁性粒子のθ５０およびＨｃの測定を省略した。
（実施例７〜１２、比較例４〜６）
耐熱ガラス基板上に、厚さ５０ｎｍのＣｒ−５０ａｔ％Ｔｉ合金層（下地層）と、厚さ２５ｎｍのＣｏ−２０ａｔ％Ｔａ−５ａｔ％Ｂ合金層（軟磁性下地層）と、厚さ０．３ｎｍの第一の下地層をこの順で形成した後、２５０℃まで加熱した。その後、厚さ１０ｎｍのＣｒ層（第二の下地層）と、厚さ１ｎｍのＭｏ層（下地層）と、厚さ１ｎｍのＭｇＯ層（下地層）を形成した後、５２０℃まで加熱した。その後、厚さ３ｎｍの（Ｆｅ−５５ａｔ％Ｐｔ）−４０ｍｏｌ％Ｃ層（磁性層）と、厚さ３ｎｍの（Ｆｅ−５５ａｔ％Ｐｔ）−４０ｍｏｌ％ＳｉＯ２層（磁性層）を形成し、熱アシスト磁気記録媒体を得た。
耐熱ガラス基板上に、厚さ５０ｎｍのＣｒ−５０ａｔ％Ｔｉ合金層（下地層）と、厚さ２５ｎｍのＣｏ−２０ａｔ％Ｔａ−５ａｔ％Ｂ合金層（軟磁性下地層）と、厚さ０．３ｎｍの第一の下地層をこの順で形成した後、２５０℃まで加熱した。その後、厚さ１０ｎｍのＣｒ層（第二の下地層）と、厚さ１ｎｍのＭｏ層（下地層）と、厚さ１ｎｍのＭｇＯ層（下地層）を形成した後、５２０℃まで加熱した。その後、厚さ３ｎｍの（Ｆｅ−５５ａｔ％Ｐｔ）−４０ｍｏｌ％Ｃ層（磁性層）と、厚さ３ｎｍの（Ｆｅ−５５ａｔ％Ｐｔ）−４０ｍｏｌ％ＳｉＯ２層（磁性層）を形成し、熱アシスト磁気記録媒体を得た。
（Ｃｒの（２００）配向性Δθ５０）
Ｘ−ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ（ＸＲＤ）装置（Ｐｈｉｌｉｐｓ社製）を用いて、第二の下地層に含まれるＣｒのΔθ５０を測定した。
Ｘ−ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ（ＸＲＤ）装置（Ｐｈｉｌｉｐｓ社製）を用いて、第二の下地層に含まれるＣｒのΔθ５０を測定した。
表２に、ＭｇＯ粒子の＜Ｄ＞、σ／＜Ｄ＞、Ｃｒ、磁性粒子のΔθ５０、熱アシスト磁気記録媒体のＨｃの測定結果を示す。なお、ＣｒのΔθ５０は、値が小さい程、（２００）配向性が高い。
これに対して、比較例４の熱アシスト記録媒体は、第一の下地層がＶ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＶＮまたはＶＣを含まないため、ＭｇＯ粒子の＜Ｄ＞およびＣｒ、磁性粒子のθ５０が大きく、Ｈｃが小さい。
比較例５の熱アシスト記録媒体は、第一の下地層中のＺｎＯの含有量が７５ｍｏｌ％であるため、ＭｇＯ粒子のσ／＜Ｄ＞およびＣｒ、磁性粒子のθ５０が大きく、Ｈｃが小さい。
比較例６の熱アシスト記録媒体は、第一の下地層中のＺｎＯの含有量が３０ｍｏｌ％であるため、ＭｇＯ粒子が存在しなかった。このため、Ｃｒ、磁性粒子のθ５０およびＨｃの測定を省略した。
１ 基板
２Ａ、２Ｂ 下地層
３ 磁性層
４ 第二の下地層
５ 第一の下地層
６ 第二の下地層
１００Ａ、１００Ｂ、１００ 磁気記録媒体
１０１ 磁気記録媒体駆動部
１０２ 磁気ヘッド
１０３ 磁気ヘッド駆動部
１０４ 記録再生信号処理系
２０１ 主磁極
２０２ 補助磁極
２０３ コイル
２０４ レーザーダイオード（ＬＤ）
２０５ レーザー光
２０６ 近接場光発生素子
２０７ 導波路
２０８ 記録ヘッド
２０９ シールド
２１０ 再生素子
２１１ 再生ヘッド
２Ａ、２Ｂ 下地層
３ 磁性層
４ 第二の下地層
５ 第一の下地層
６ 第二の下地層
１００Ａ、１００Ｂ、１００ 磁気記録媒体
１０１ 磁気記録媒体駆動部
１０２ 磁気ヘッド
１０３ 磁気ヘッド駆動部
１０４ 記録再生信号処理系
２０１ 主磁極
２０２ 補助磁極
２０３ コイル
２０４ レーザーダイオード（ＬＤ）
２０５ レーザー光
２０６ 近接場光発生素子
２０７ 導波路
２０８ 記録ヘッド
２０９ シールド
２１０ 再生素子
２１１ 再生ヘッド
Claims (5)
- 基板と、下地層と、Ｌ１０構造を有する合金を含む磁性層をこの順で有し、
前記下地層は、第一の下地層を含み、
前記第一の下地層は、酸化マグネシウムと、酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、窒化バナジウムおよび炭化バナジウムからなる群より選択される一種以上の化合物とを含み、該化合物の総含有量が４５ｍｏｌ％〜７０ｍｏｌ％の範囲内であることを特徴とする熱アシスト磁気記録媒体。 - 前記第一の下地層は、前記磁性層と接触していることを特徴とする請求項１に記載の熱アシスト磁気記録媒体。
- 前記下地層は、第二の下地層をさらに含み、
前記第二の下地層は、酸化マグネシウムを含み、前記基板と前記第一の下地層との間に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の熱アシスト磁気記録媒体。 - 前記下地層は、第二の下地層をさらに含み、
前記第二の下地層は、ＢＣＣ構造またはＢ２構造を有する物質を含み、前記第一の下地層と前記磁性層との間に形成されており、前記第一の下地層と接触していることを特徴とする請求項１に記載の熱アシスト磁気記録媒体。 - 請求項１〜４の何れか１項に記載の熱アシスト磁気記録媒体を有することを特徴とする磁気記憶装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018121662A JP6935869B2 (ja) | 2018-06-27 | 2018-06-27 | 熱アシスト磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
| US16/448,187 US10643649B2 (en) | 2018-06-27 | 2019-06-21 | Heat-assisted magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| CN201910552861.3A CN110648693B (zh) | 2018-06-27 | 2019-06-25 | 热辅助磁记录介质和磁存储装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018121662A JP6935869B2 (ja) | 2018-06-27 | 2018-06-27 | 熱アシスト磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020004467A JP2020004467A (ja) | 2020-01-09 |
| JP6935869B2 true JP6935869B2 (ja) | 2021-09-15 |
Family
ID=69008315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018121662A Active JP6935869B2 (ja) | 2018-06-27 | 2018-06-27 | 熱アシスト磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10643649B2 (ja) |
| JP (1) | JP6935869B2 (ja) |
| CN (1) | CN110648693B (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7244721B2 (ja) * | 2019-04-09 | 2023-03-23 | 株式会社レゾナック | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5015901B2 (ja) * | 2008-12-01 | 2012-09-05 | 昭和電工株式会社 | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
| JP5561766B2 (ja) * | 2010-02-04 | 2014-07-30 | 昭和電工株式会社 | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
| JP5570270B2 (ja) * | 2010-03-29 | 2014-08-13 | 昭和電工株式会社 | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
| KR101731847B1 (ko) * | 2011-07-01 | 2017-05-08 | 우베 마테리알즈 가부시키가이샤 | 스퍼터링용 MgO 타겟 |
| CN104661983A (zh) * | 2013-03-29 | 2015-05-27 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | MgO-TiO烧结体靶及其制造方法 |
| US9472228B2 (en) * | 2013-05-28 | 2016-10-18 | HGST Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording media having novel magnetic under-layer structure |
| JP6317896B2 (ja) * | 2013-07-26 | 2018-04-25 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
| JP6145350B2 (ja) * | 2013-07-31 | 2017-06-07 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体、磁気記憶装置 |
| JP2018106774A (ja) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
| JP6887810B2 (ja) * | 2017-01-13 | 2021-06-16 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
| JP6887814B2 (ja) * | 2017-01-24 | 2021-06-16 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
| JP7122175B2 (ja) * | 2018-06-25 | 2022-08-19 | 昭和電工株式会社 | 熱アシスト磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
-
2018
- 2018-06-27 JP JP2018121662A patent/JP6935869B2/ja active Active
-
2019
- 2019-06-21 US US16/448,187 patent/US10643649B2/en active Active
- 2019-06-25 CN CN201910552861.3A patent/CN110648693B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2020004467A (ja) | 2020-01-09 |
| CN110648693B (zh) | 2021-01-15 |
| CN110648693A (zh) | 2020-01-03 |
| US20200005823A1 (en) | 2020-01-02 |
| US10643649B2 (en) | 2020-05-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5561766B2 (ja) | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置 | |
| JP5570270B2 (ja) | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置 | |
| JP6145332B2 (ja) | 磁気記録媒体、磁気記憶装置 | |
| JP6832189B2 (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 | |
| JP2017224371A (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 | |
| JP2015088197A (ja) | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 | |
| JP7011477B2 (ja) | アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置 | |
| CN110660414B (zh) | 热辅助磁记录介质和磁存储装置 | |
| JP7049182B2 (ja) | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 | |
| JP2018106774A (ja) | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 | |
| US11037591B2 (en) | Heat-assisted magnetic recording medium and magnetic storage apparatus | |
| JP6935869B2 (ja) | 熱アシスト磁気記録媒体および磁気記憶装置 | |
| JP5961439B2 (ja) | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 | |
| JP6088811B2 (ja) | スパッタリングターゲットの製造方法、磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP7279563B2 (ja) | 熱アシスト磁気記録媒体および磁気記憶装置 | |
| JP7107765B2 (ja) | アシスト磁気記録媒体および磁気記憶装置 | |
| JP7388226B2 (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法ならびに磁気記憶装置 | |
| JP7388246B2 (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法ならびに磁気記憶装置 | |
| JP2022150658A (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 | |
| CN111916114B (zh) | 磁记录介质和磁记录再现装置 | |
| JP6803045B2 (ja) | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 | |
| JP2021184323A (ja) | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 | |
| JP2021072142A (ja) | アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201019 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210712 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210720 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210727 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210810 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210816 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6935869 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |