JP6887814B2 - 磁気記録媒体および磁気記憶装置 - Google Patents
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Description
(2)前記第2の下地層が非グラニュラ構造であることを特徴とする(1)に記載の磁気記録媒体。
(3)前記下地層と前記磁性層との間に、バリア層をさらに含み、前記バリア層は、MgO、TiO、NiO、TiN、TaN、HfN、NbN、ZrC、HfC、TaC、NbC、TiCからなる群から選択される1種以上を含み、NaCl型構造を有することを特徴とする(1)または(2)に記載の磁気記録媒体。
(4)前記基板と前記下地層との間に、配向制御層をさらに含み、前記配向制御層は、BCC構造を有する、Cr層もしくは、Crを主成分とする合金層、または、B2構造を有する合金層であることを特徴とする(1)〜(3)のいずれか1つに記載の磁気記録媒体。
(5)(1)〜(4)のいずれか1つに記載の磁気記録媒体を含むことを特徴とする磁気記憶装置。
図1に、本実施形態の磁気記録媒体の一例を示す。
本実施形態の磁気記憶装置の構成例について説明する。
磁気記録媒体(図1参照)を作製した。以下に、磁気記録媒体の製造工程を説明する。
第2の下地層5の組成を、それぞれMo−7.1MoO3、Mo−16.9MoO3、Mo−23.3MoO3に変更した以外は、実施例1と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
第2の下地層5の組成を、それぞれMo−16.9Cr2O3、Mo−16.9WO2、Mo−16.9Nb2O5、Mo−16.9Ta2O5、Mo−16.9V2O3に変更した以外は、実施例1と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
第1の下地層4の組成を、それぞれMo−10W(Moの含有量90at%、Wの含有量10at%の合金)に変更した以外は、実施例3と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
第2の下地層5の組成を、それぞれMo−10W−16.9MoO3(Moの含有量74.1mol%、Wの含有量10mol%、MoO3の含有量16.9mol%の合金)、Mo−8MoO2−8MoO3(Moの含有量84Mol%、MoO2の含有量8mol%、MoO3の含有量8mol%の合金)に変更した以外は、実施例1と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
第2の下地層5を形成しなかった以外は、実施例1と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
第1の下地層4を形成しなかった以外は、実施例1と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
第2の下地層5の組成を、それぞれMo−1.6MoO3、Mo−31.3MoO3に変更した以外は、実施例1と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
第2の下地層5の組成をMo−7.9SiO2(Moの含有量92.1mol%、SiO2の含有量7.9mol%の合金)に変更した以外は、実施例1と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
第1の下地層4を形成しなかった以外は、比較例5と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
第2の下地層5の組成を、それぞれMo−15.3TiO、Mo−15.3B2O3、Mo−15.3Al2O3に変更した以外は、実施例1と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
X線回折装置(Philips社製)を用いて、下地層2まで形成した磁気記録媒体の中間サンプルのX線回折スペクトルを測定し、Mo(200)ピークの半値幅を求めた。
X線回折装置(Philips社製)を用いて、磁性層3まで形成した磁気記録媒体の中間サンプルのX線回折スペクトルを測定し、FePt(200)ピークの半値幅を求めた。
リードライトアナライザRWA1632およびスピンスタンドS1701MP(以上、GUZIK社製)を用いて、磁気記録媒体のCTTG(Cross−Track Thermal Gradient)を測定した。ここで、CTTGは、トラック方向に垂直な方向の熱勾配[K/nm]であり、値が大きいほど、熱勾配が急峻であること、すなわち、記録ビット間の記録温度の差が大きく、書きにじみが少ないことを示している。
磁気ヘッド102(図3参照)を用いて、線記録密度1500kFCIのオールワンパターン信号を磁気記録媒体に記録し、SNRを測定した。ここで、レーザーダイオードに投入するパワーは、トラックプロファイルの半値幅と定義したトラック幅MWWが60nmとなるように調整した。
2 下地層
3 磁性層
4 第1の下地層
5 第2の下地層
6 バリア層
7 配向制御層
8 炭素保護層
9 潤滑層
100 磁気記録媒体
101 磁気記録媒体駆動部
102 磁気ヘッド
103 磁気ヘッド駆動部
104 記録再生信号処理系
201 主磁極
202 補助磁極
203 コイル
204 レーザーダイオード
205 レーザー光
206 近接場光発生素子
207 導波路
208 記録ヘッド
209 シールド
210 再生素子
211 再生ヘッド
212 磁気記録媒体
Claims (5)
- 基板と、下地層と、(001)配向しているL10型結晶構造を有する合金を含む磁性層を、この順で含み、
前記下地層は、前記基板の側から、第1の下地層と、第2の下地層を、この順で含み、
前記第1の下地層は、Moを主成分とする結晶質の層であり、
前記第2の下地層は、Moを主成分とする材料および酸化物を含有し、かつ、前記酸化物の含有量が2mol%〜30mol%の範囲内である結晶質の層であり、
前記酸化物が、Moの酸化物であることを特徴とする磁気記録媒体。 - 前記第2の下地層が非グラニュラ構造であることを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記下地層と前記磁性層との間に、バリア層をさらに含み、
前記バリア層は、MgO、TiO、NiO、TiN、TaN、HfN、NbN、ZrC、HfC、TaC、NbC、TiCからなる群から選択される1種以上を含み、NaCl型構造を有することを特徴とする請求項1または2に記載の磁気記録媒体。 - 前記基板と前記下地層との間に、配向制御層をさらに含み、
前記配向制御層は、BCC構造を有する、Cr層もしくは、Crを主成分とする合金層、または、B2構造を有する合金層であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の磁気記録媒体。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の磁気記録媒体を含むことを特徴とする磁気記憶装置。
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