KR20140054010A

KR20140054010A - 스퍼터링용 MgO 타겟

Info

Publication number: KR20140054010A
Application number: KR1020147002558A
Authority: KR
Inventors: 사토루 사노; 요시히로 니시무라; 타카유키 와타나베; 유우조우 카토우; 아키라 우에키; 신조 미토미; 마사노부 타카스; 유스케 하라; 타카아키 타나카
Original assignee: 우베 마테리알즈 가부시키가이샤; 니혼텅스텐 가부시키가이샤
Priority date: 2011-07-01
Filing date: 2012-06-29
Publication date: 2014-05-08
Also published as: CN103687977B; US20140144775A1; KR101731847B1; JP5413540B2; JP2013241684A; WO2013005690A1; JPWO2013005690A1; CN103687977A; US9773652B2

Abstract

본 발명은 MgO 막을 성막할 때 스퍼터링용 타겟으로 MgO를 이용하는 경우에도 성막 속도를 빠르게 할 수 있는 스퍼터링용 MgO 타겟을 제공한다. 본 발명에 따른 스퍼터링용 타겟은 MgO 및 전도성 물질을 주성분으로 포함하는 스퍼터링용 MgO 타겟이며, 상기 전도성 물질은 이를 포함하는 MgO 필를을 DC 스퍼터링법에 의해 성막할 때, 성막된 MgO 막에 배향성을 부여할 수 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 MgO 타겟이다.

Description

스퍼터링용 MgO 타겟 {MgO TARGET FOR SPUTTERING}

본 발명은 DC 스퍼터링법으로 MgO 막을 생성할 수 있는 스퍼터링용 MgO 타겟에 관한 것이다.

예전부터 전기, 전자부품용 재료의 성막법의 하나로서 옹스트롬 단위 내지 마이크론 수준까지의 막 두께와 그 성분을 쉽게 제어할 수 있는 스퍼터링법이 널리 사용되고 있다. 이러한 스퍼터링법은 양극과 음극으로 이루어지고, 기판과 타겟을 대향시켜 불활성 가스 분위기 하에서 이러한 기판과 타겟 사이에 높은 전압을 인가하여 전기장을 발생시키는 장치를 이용한다. 스퍼터링법은 다음과 같은 원리를 이용한다. 즉, 이온화된 전자와 불활성 가스가 충돌하여 플라즈마가 형성되고, 이러한 플라즈마의 양이온이 타겟 (음극) 표면에 충돌하여 타겟을 구성하는 원자를 배출시키면, 배출된 원자가 대향하는 기판 표면에 증착되어 막이 형성되는 원리를 이용한 것이다.

스퍼터링용 MgO 타겟은 자기 기록 매체 등의 계층 구조를 사용하는 장치의 기초층 (ground layer)의 제조시에 사용하기에 적합하다 (특허문헌 1).

일본 특허공개공보 특개2001-101645호

그러나, 종래에는 MgO 막을 형성하기 위해서는, MgO가 절연체이기 때문에 RF 스퍼터링 법을 이용해야 되어, 성막 속도가 느려 생산성이 떨어지는 문제점이 있다.

따라서, 본 발명은 MgO 막을 형성할 때 스퍼터링용 타겟으로 MgO를 이용하는 경우에도 성막 속도를 빠르게 할 수 있는 스퍼터링용 MgO 타겟을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명자들은 상기의 목표를 달성하기 위하여 심도깊게 연구한 결과, 스퍼터링용 타겟으로 MgO와 함께 특정한 전도성 물질 (예 : 전도성 화합물)을 주성분으로 하여 DC 스퍼터링법을 이용하면 MgO 막을 형성 가능하게 하는 것을 발견하여, 본 발명에 이르렀다. 즉, 본 발명은 MgO 및 전도성 물질 (electroconductive material)을 주성분으로 포함하는 스퍼터링용 MgO 타겟이며, 상기 전도성 물질은 MgO와 함께 DC 스퍼터링법에 의하여 성막할 때, 성막된 MgO 막에 배향성을 부여하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 MgO 타겟에 관한 것이다.

전술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, MgO 막을 형성할 때 스퍼터링용 타겟으로 MgO를 이용한 경우에도 성막 속도를 빠르게 할 수 있는 스퍼터링용 MgO 타겟을 제공할 수 있다.

본 발명에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟은 MgO 및 전도성 물질을 주성분으로 포함하고, 상기 전도성 물질은 MgO 와 함께 DC 스퍼터링법에 의해 성막할 때, 성막된 MgO 막에 배향성을 부여할 수 있다. 본 발명에서 "성막된 MgO 막 배향성을 부여할 수 있다"는 것은, 예를 들어, (001) 배향과 (111) 배향 등과 같은 배향으로 원하는 배향성을 갖는 MgO 층을 형성하는 것을 말한다.

전도성 물질은 MgO 와 함께 DC 스퍼터링법에 의해 성막할 때, 성막된 MgO 막 배향성을 부여할 수 있는 것이면 어느 것이라도 사용될 수 있지만, 특히, MgO와 함께 DC 스퍼터링법에 의하여 성막할 때, 그 MgO 막의 (001)면에 단일 배향성을 부여 할 수 있는 것을 전도성 물질로 사용하는 것이 바람직하다.

MgO 막의 (001)면에 단일 배향성을 부여할 수 있는 전도성 물질로 그 결정계가 입방정 (큐빅)계 또는 육방정계인 것이 바람직하고, 그 중에서도 특히 TiC, VC, TiN 및 WC 중에서 선택되는 적어도 하나의 전도성 화합물이 바람직하다. 또한, 전도성 물질은 상기 전도성 화합물에 한정되지 않고, 단일 물질일 수 있다.

본 발명에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟에서 스퍼터링용 MgO 타겟에 포함되는 전도성 물질은 상기 MgO 타겟 내에서 상기 전도성 물질의 입자끼리 서로 접촉해 전자의 통로를 형성하는 것을 특징으로 한다. 상기 전도성 물질은 전자의 통로를 형성하여 스퍼터링용 MgO 타겟이 전도성을 갖게 되기 때문에 바람직하다. 또한, 바람직하게는 전도성 물질은 MgO 입자들의 입자 경계 (grain boundary)에 존재하는 것을 특징으로 한다. 더욱 바람직하게는 전도성 물질은 실질적으로 균일한 입자 크기의 MgO 입자를 둘러싸는 것을 특징으로 한다.

상기 구성에서 전도성 물질이 스퍼터링용 MgO 타겟에 포함됨으로써, DC 스퍼터링법에 의하여 증착될 때 스퍼터링용 MgO 타겟에 충돌한 이온이 음극으로 흘러 가서, 스퍼터링용 MgO 타겟의 표면에 이온이 퇴적되어 흐름이 중단됨으로써 방전이 되는 것을 방지할 수 있게 한다.

상기 구성을 채택함으로써, 이 스퍼터링용 MgO 타겟에 함유된 모든 형태가 적용될 수 있다. 전도성 물질의 함량은 하기의 내용에 국한되지 않는다. 그러나, 아래 설명에 하기의 농도에 한정되는 것은 아니지만, 전도성 물질로 상기 전도성 화합물을 사용한 경우, MgO 및 전도성 화합물의 총량에 대한 MgO의 비율은 40 내지 90mol%인 것이 바람직하고, 50 내지 90mol%인 것이 보다 바람직하고, 65 내지 90mol%인 것이 특히 바람직하다. MgO의 비율이 90mol% 보다 크면, 저항값이 크게 되어 DC 스퍼터링이 곤란할 수 있다. MgO의 비율이 40mol%보다 작으면 소결하기 어려워 , MgO 타겟의 제조가 곤란해질 수 있다.

본 발명에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟은 MgO 및; MgO 와 함께 DC 스퍼터링법에 의해 증착 된 때에 MgO 막에 배향성을 부여할 수 있는 전도성 물질을 전술한 소정의 비율로 혼합하여, 얻어진 혼합물을 공지된 MgO 등의 소결 방법, 예를 들면, 상압소결법, 핫프레스소결법, 열간등방가압 (HIP)소결법, 방전 플라즈마 (SPS) 소결법 등으로 소결하여 얻을 수 있다. 소결 온도는 원재료에 함유된 MgO의 비율에 따라 적절하게 조정될 수 있지만, 1800 내지 1950K가 바람직하고, 1890 내지 1950K이 보다 바람직하다. 소결 온도가 너무 높으면 타겟의 전도성이 나빠질 수 있다. 소결 온도가 너무 낮으면 소결되지 못하고 성막 후 가스가 내포되어 균일한 막을 얻을 수 없기 때문에 바람직하지 않다. 따라서, 재료, 성분, 혼합 및 소결의 조건들을 위와 같이 적절히 조합함으로써, 그로 인하여 MgO 입자의 경계에 전도성 물질 입자가 배치되고, 전도성 물질의 입자의 첨가량을 증가하면 접촉·커플링 단면 구조를 갖는 DC 스퍼터링용 타겟이 제조될 수 있다. 예를 들어, 소결 온도가 너무 높은 경우에는 MgO 입자가 입자 성장하여 전도성 물질의 입자가 MgO 입자에 침투하게 된다. 이 경우, 상기 전도성 물질의 입자는 MgO 입자의 경계에 배치되지 않기 때문에, 전기 전도성이 악화되는 문제가 있다.

본 발명에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟은 상기와 같이 제조될 때, 소결체 내에 전도성 물질의 입자들이 서로 연결되고, 상기 MgO 타겟은 전기 전도성을 띄게 되어, DC 스퍼터링법에 의해 MgO 막을 형성할 수 있다. 즉, 상기와 같이 스퍼터링용 MgO 타겟의 제조시에, 제조하여 MgO 입자의 경계에 전도성 물질의 입자가 배치될 때, 전기 전도성 물질 입자가 서로 접촉할 수 없다 하더라도 소위 터널 전자 효과에 의해 상기 MgO 타겟은 전기 전도성을 가질 수 있다. 또한, 전도성 물질의 입자가 서로 접촉할 수 있거나, 서로 접촉될 수 있을 정도로 커플링된 구조가 제공되는 경우, 더 향상된 전도성을 갖는 DC 스퍼터링용 타겟 물질을 제조할 수 있고, DC 스퍼터링법에 의해 MgO 막을 형성할 수 있다. 또한, 전도성 물질은 MgO와 함께 DC 스퍼터링법에 의해 성막될 때 배향성을 갖는 MgO 막을 형성할 수 있기 때문에, 다른 층들과의 추종성이 우수하고, 층 구조를 갖는 장치의 기초층으로서 사용하기에 적합할 수 있다.

본 발명에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟의 전기 저항은 1×10^-4 내지 1×10⁹mΩ·cm 가 바람직하다. 전기 저항이 너무 높으면 스퍼터링이 되지 않을 수 있다. 전기 저항이 너무 작으면 막에 파티클이 발생할 수 있고, 또한, MgO 및 전도성 물질의 스퍼터링율이 다르기 때문에 전도성 물질의 스퍼터링 속도가 느리게 되어, 막이 불균일하게 형성되므로 바람직하지 않다. 전기 저항이 상기 범위 내에 있는 경우에는 바람직한 성막 속도를 얻을 수 있고, DC 스퍼터링법에 의해 MgO 막을 고효율로 제조할 수 있다.

또한, 본 발명에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟 전도성 물질은 MgO와 함께 사용되어 DC 스퍼터링법에 의해 성막할 때, (001) 면에 단일 배향성을 갖는 MgO 막을 형성할 수 있다. 따라서, 이러한 막은 자기 기록 매체의 자성층의 기초 층으로서 바람직하게 사용될 수 있다. 종래에는, 자기 기록 매체는 다수의 층을 포함하는 층구조를 가지고 있기 때문에 각 층에 따라 DC 스퍼터링법 및 RF 스퍼터링법을 각각 구분하여 이용해야된다. 그러나, 본 발명에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟을 사용하면 각층 모두 DC 스퍼터링법을 이용하여 제작할 수 있다. 따라서, 자기 기록 매체의 제조 속도도 빠르게 할 수 있게 된다.

[실시예]

이하, 본 발명을 실시예에 기초하여 구체적으로 설명한다. 당해 실시예들은 본 발명의 목적을 한정하는 것은 아니다. 먼저 형성된 막을 분석한 방법은 다음과 같다.

(주사형 전자 현미경 (SEM))

성막된 기판의 단면을 SEM으로 관찰한 결과, 기판 상에 약 200nm의 두께의 막이 형성된 것을 확인했다.

(X 선 회절 (XRD) 측정)

XRD 측정은 표면 구조 평가를 위하여 Rigaku사에서 제조된 ATX-G형 다기능 X 선 회절 장치를 이용하여 실시 하였다. 전반사 임계각 이하로 X 선을 샘플 표면의 부근에 조사하여 측정하는 인-플레인 (In-plane) 측정에 의하여 막의 결정성을 확인했다. 인-플레인 측정은 X 선 입사 각도가 0.10도, 측정 간격 (2θ)이 0.02도, 측정 속도가 5도/분의 조건에서 실시했다.

(투과형 전자 현미경 (TEM) 관찰)

각 타겟을 이용하여 제조한 기판의 샘플을 연마 가공하여 TEM 및 전자 회절상의 관찰을 실시했다. 이러한 결과로부터 막이 기판 상에 배향되어 성장된 것을 확인했다.

(스퍼터링용 타겟 의 제조 방법)

(실시예 1)

평균 입자 지름 0.2μm이고 순도 5N인 MgO 분말 90.0mol%와 평균 입경 1.0μm이고 순도 3N의 TiC 분말 10.0mol%를 배합하였다. 배합된 파우더를 나일론 볼을 넣은 나일론 용기에서 메탄올 용매와 함께 24 시간동안 분산 및 혼합시켜 MgO - TiC 슬러리를 얻었다. 얻어진 MgO - TiC 슬러리를 나일론 용기에서 꺼내어 건조시킨 후, # 50 메쉬체로 체분급을 실시했다.

얻어진 과립 분말을 금형 프레스로 성형하여 스퍼터링용 MgO 타겟의 성형체를 얻었다. Ar 가스 분위기와 1898K 의 온도에서 고온 프레스 장치로 소결 시 25MPa 의 압력을 가하면서 90 분동안 핫 프레스 소결하여 상대 밀도 99 % 이상의 치밀한 소결체 (실시예 1에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟)를 얻었다. 또한, 제조된 실시예 1에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟의 전기 저항은 1×10⁶mΩ·cm이었다.

(실시예 2)

MgO 분말의 양을 89.0mol%로, TiC 분말의 양을 11.0mol%로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 2에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 1×10⁶mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 3)

MgO 분말의 양을 88.0mol%로, TiC 분말의 양을 12.0mol%로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 3에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 5×10⁵mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 4)

MgO 분말의 양을 85.6mol%로, TiC 분말의 양을 14.4mol%로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 4에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 47.39mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 5)

MgO 분말의 양을 77.6mol%로, TiC 분말의 양을 22.4mol%로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 5에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 2.04mΩ·cm)을 제조하였다. 후술한 성막 방법에 의해 형성된 막의 격자 상수는 TEM으로 얻은 전자 회절상으로 계산한 결과, 4.2 Å 이었다.

(실시예 6)

MgO 분말의 양을 60.0mol%로, TiC 분말의 양을 40.0mol%로, 소결 온도를 1923K로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 6에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 0.08mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 7)

MgO 분말의 양을 55.0mol%로, TiC 분말의 양을 45.0mol%로, 소결 온도를 1948K로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 7에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 0.03mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 8)

MgO 분말의 양을 50.0mol%로, TiC 분말의 양을 50.0mol%로, 소결 온도를 1948K로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 8에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 0.01mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 9)

MgO 분말의 양을 90.0mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 VC 분말 10mol%로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 9에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 3.4×10⁵mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 10)

MgO 분말의 양을 89.0mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 VC 분말 11mol%로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 10에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 2.3×10⁵mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 11)

MgO 분말의 양을 88.0mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 VC 분말 12.0mol%로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 11에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 1.1×10⁵mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 12)

MgO 분말의 양을 85.0mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 VC 분말 15.0mol%로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 12에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 11.85mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 13)

MgO 분말의 양을 69.3mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 VC 분말 30.7mol%로, 소결 온도를 1923K로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 13에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 0.65mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 14)

MgO 분말의 양을 60.0mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 VC 분말 40mol%로, 소결 온도를 1923K로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 14에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 0.02mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 15)

MgO 분말의 양을 55.0mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 VC 분말 45mol%로, 소결 온도를 1948K로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 15에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 0.008mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 16)

MgO 분말의 양을 50.0mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 VC 분말 50.0mol%로, 소결 온도를 1948K로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 16에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 0.002mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 17)

MgO 분말의 양을 90.0mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 WC 분말 10mol%로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 17에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 2.9×10⁵mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 18)

MgO 분말의 양을 89.0mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 WC 분말 11mol%로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 18에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 2.1×10⁵mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 19)

MgO 분말의 양을 88.0mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 WC 분말 12.0mol%로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 19에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 1.1×10⁵mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 20)

MgO 분말의 양을 85.0mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 WC 분말 15.0mol%로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 20에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 10.2mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 21)

MgO 분말의 양을 72.1mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 WC 분말 27.9mol%로, 소결 온도를 1923K로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 21에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 0.58mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 22)

MgO 분말의 양을 60.0mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 WC 분말 40.0mol%로, 소결 온도를 1923K로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 22에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 0.01mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 23)

MgO 분말의 양을 55.0mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 WC 분말 45m . 0ol % 대신 소결 온도를 1948K로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 23에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 0.005mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 24)

MgO 분말의 양을 50.0mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 WC 분말 50.0mol%로, 소결 온도를 1948K로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 24에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 0.001mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 25)

MgO 분말의 양을 90.0mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 TiN 분말 10.0mol%로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 25에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 1×10⁶mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 26)

MgO 분말의 양을 89.0mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 TiN 분말 11.0mol%로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 26에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 1×10⁶mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 27)

MgO 분말의 양을 88.0mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 TiN 분말 12.0mol%로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 27에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 1×10⁶mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 28)

MgO 분말의 양을 85.0mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 TiN 분말 15.0mol%로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 28에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 80mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 29)

MgO 분말의 양을 75.2mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 TiN 분말 24.8mol%로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 29에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 4mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 30)

MgO 분말의 양을 60.0mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 TiN 분말 40.0mol%로, 소결 온도를 1923K로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 30에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 0.01mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 31)

MgO 분말의 양을 55mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 TiN 분말 45mol%로, 소결 온도를 1948K로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 31에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 0.005mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 32)

MgO 분말의 양을 50.0mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 TiN 분말 50.0mol%로, 소결 온도를 1948K로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 32에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 0.001mΩ·cm)을 제조하였다.

(비교예 1)

MgO 분말의 양을 100.0mol%로, TiC 분말의 양을 0mol%로, 소결 온도를 1873K 로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 비교예 1에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 1×10¹⁵mΩ·cm 이상)을 제조하였다.

(비교예 2)

MgO 분말의 양을 95.0mol%로, TiC 분말의 양을 5.0mol%로, 소결 온도를 1873K로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 비교예 2에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 1×10¹³mΩ·cm)을 제조하였다.

(비교예 3)

MgO 분말의 양을 92.9mol%로, TiC 분말의 양을 7.1mol%로, 소결 온도를 1873K로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 비교예 3에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 1×10¹⁰mΩ·cm)을 제조하였다.

(비교예 4)

MgO 분말의 양을 91.0mol%로, TiC 분말의 양을 9.0mol%로, 소결 온도를 1873K로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 비교예 4에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 1.6×10⁸mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 33)

MgO 분말의 양을 49.0mol%로, TiC 분말의 양을 51.0mol%로, 소결 온도를 1948K로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 33에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 1.6×10^-3mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 34)

MgO 분말의 양을 45.0mol%로, TiC 분말의 양을 55.0mol%로, 소결 온도를 1948K로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 34에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 4×10^-4mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 35)

MgO 분말의 양을 40.0mol%로, TiC 분말의 양을 60.0mol%로, 소결 온도를 1948K로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 35에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 5×10^-5mΩ·cm)을 제조하였다.

(비교예 5)

MgO 분말의 양을 95mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 VC 분말 5mol%로, 소결 온도를 1898K로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 비교예 5 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 1×10¹³mΩ·cm)을 제조하였다.

(비교예 6)

MgO 분말의 양을 91.0mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 VC 분말 9.0mol%로, 소결 온도를 1873K로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 비교예 6에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 1×10⁸mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 36)

MgO 분말의 양을 49.0mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 VC 분말 51.0mol%로, 소결 온도를 1948K로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 36에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 1.0×10^-3mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 37)

MgO 분말의 양을 45.0mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 VC 분말 55.0mol%로, 소결 온도를 1948K로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 37에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 1×10^-4mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 38)

MgO 분말의 양을 40.0mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 VC 분말 60.0mol%로, 소결 온도를 1948K로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 38에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 1×10^-5mΩ·cm)을 제조하였다.

(비교예 7)

MgO 분말의 양을 95.0mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 WC 분말 5mol%로, 소결 온도를 1873K로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 비교예 7에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 1×10¹³mΩ·cm)을 제조하였다.

(비교예 8)

MgO 분말의 양을 91.0mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 WC 분말 9.0mol%로, 소결 온도를 1873K로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 비교예 8에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 1×10⁸mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 39)

MgO 분말의 양을 49.0mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 WC 분말 51.0mol%로, 소결 온도를 1948K로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 39에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 1.0×10^-3mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 40)

MgO 분말의 양을 45.0mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 WC 분말 55.0mol%로, 소결 온도를 1948K로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 40에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 1×10^-4mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 41)

MgO 분말의 양을 40.0mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 WC 분말 60.0mol%로, 소결 온도를 1948K로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 41에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 1×10^-5mΩ·cm)을 제조하였다.

(비교예 9)

MgO 분말의 양을 95.0mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 TiN 분말 5.0mol%로, 소결 온도를 1873K로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 비교예 9에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 8×10¹³mΩ·cm)을 제조하였다.

(비교예 10)

MgO 분말의 양을 91.0mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 TiN 분말 9.0mol%로, 소결 온도를 1873K로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 비교예 10에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 8×10⁸mΩ·cm) 를 제조하였다.

(실시예 42)

MgO 분말의 양을 49.0mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 TiN 분말 51.0mol%로, 소결 온도를 1948K로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 42에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 7.0×10^-3mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 43)

MgO 분말의 양을 45.0mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 TiN 분말 55.0mol%로, 소결 온도를 1948K로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 43에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 8×10^-4mΩ·cm)을 제조하였다.

(실시예 44)

MgO 분말의 양을 40.0mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 TiN 분말 60.0mol%로, 소결 온도를 1948K로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 44에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟(전기 저항 ; 7.5×10^-5mΩ·cm) 를 제조하였다.

(비교예 11)

MgO 분말의 양을 39.0mol%로, TiC 분말의 양을 61.0mol%로, 소결 온도를 1948K 로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 비교예 11에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟을 제조하려고 했지만, 치밀하게 소결시킬 수 없었다. 소결 온도를 올려 보았지만, MgO 결정의 입자가 불균질한 소결체로 입자 성장하였다. TiC 분말의 양이 61.0mol%를 넘는 경우도 비슷한 결과가 되었다.

(비교예 12)

MgO 분말의 양을 39.0mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 VC 분말 61.0mol%로, 소결 온도를 1948K로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 비교예 12에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟을 제조하려고 했지만, 치밀하게 소결시킬 수 없었다. 소결 온도를 올려 보았지만, MgO 결정의 입자가 불균질한 소결체로 입자 성장하였다. VC 분말의 양이 61.0mol%를 넘는 경우도 비슷한 결과 가되었다.

(비교예 13)

MgO 분말의 양을 39.0mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 WC 분말 61.0mol%로, 소결 온도를 1948K 로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 비교예 13에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟을 제조하려고 했지만, 치밀하게 소결시킬 수 없었다. 소결 온도를 올려 보았지만, MgO 결정의 입자가 불균질한 소결체로 입자 성장하였다. WC 분말의 양이 61.0mol%를 넘는 경우도 비슷한 결과가 되었다.

(비교예 14)

MgO 분말의 양을 39.0mol%로, TiC 분말을 평균 입경 1.0μm이고 순도 2N인 TiN 분말 61.0mol%로, 소결 온도를 1948K 로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 비교예 14에 따른 스퍼터링용 MgO 타겟을 제조하려고 했지만, 치밀하게 소결시킬 수 없었다. 소결 온도를 올려 보았지만, MgO 결정의 입자가 불균질한 소결체로 입자 성장하였다. TiN 분말의 양이 61.0mol%를 넘는 경우도 비슷한 결과가 되었다.

(성막 방법)

먼저, 기판으로서 MgO (001) 기판을 준비하고, 상기 기판과 MgO 막의 중간층으로서 Fe 막을 스퍼터링으로 상기 기판 상에 형성했다. Fe 막의 스퍼터링시, 스퍼터링 챔버 내의 공기를 5×10^-4Pa까지 배기하고 0.67Pa의 Ar 분위기에서 성막을 실시했다. Fe 타겟에 대한 투입 전력은 50W로 하였고, RF 마그네트론 스퍼터링법으로 성막했다.

상기 중간층을 갖는 MgO (001) 기판 상에 스퍼터링으로 MgO - TiC 막 (실시예 1 내지 8), MgO - VC 막 (실시예 9 내지 16), MgO - WC 막 (실시예 17 내지 24)과 MgO - TiN 막 (실시예 25 내지 32)을 형성했다. 상기 방법과 동일하게, 스퍼터링으로 MgO - TiC 막 (실시예 33 내지 35), MgO - VC 막 (실시예 36 내지 38), MgO - WC 막 (실시예 39 내지 41), MgO - TiN 막 (실시예 42 내지 44)을 형성했다. 스퍼터링으로 각 필름을 형성시, 각각의 스퍼터링 챔버 내의 공기를 5×10^-4Pa까지 배기하고 0.3Pa의 Ar 분위기에서 성막을 실시했다. 타겟에 대한 투입 전력은 300W로 하였고, DC 마그네트론 스퍼터링법으로 성막했다.

각 기판에 대해 X 선 회절 (XRD) 측정을 실행하여, 성막된 막의 배향성을 조사했다, 그 결과를 표 1에 나타낸다.

	사용 타겟	성막기판	Fe막 두께	성막 속도	배향성
실시예 1	MgO90mol%-TiC10mol%	MgO(001)	10nm	23nm/분	큐빅(001)배향
실시예 2	MgO89mol%-TiC11mol%	MgO(001)	10nm	25nm/분	큐빅(001)배향
실시예 3	MgO88.0mol%-TiC12.0mol%	MgO(001)	10nm	27nm/분	큐빅(001)배향
실시예 4	MgO85.6mol%-TiC14.4mol%	MgO(001)	10nm	33nm/분	큐빅(001)배향
실시예 5	MgO77.6mol%-TiC22.4mol%	MgO(001)	10nm	36nm/분	큐빅(001)배향
실시예 6	MgO60mol%-TiC40mol%	MgO(001)	10nm	64nm/분	큐빅(001)배향
실시예 7	MgO55mol%-TiC45mol%	MgO(001)	10nm	72nm/분	큐빅(001)배향
실시예 8	MgO50.0mol%-TiC50.0mol%	MgO(001)	10nm	80nm/분	큐빅(001)배향
실시예 9	MgO90mol%-VC10mol%	MgO(001)	10nm	13nm/분	큐빅(001)배향
실시예 10	MgO89mol%-VC11mol%	MgO(001)	10nm	14nm/분	큐빅(001)배향
실시예 11	MgO88.0mol%-VC12.0mol%	MgO(001)	10nm	15nm/분	큐빅(001)배향
실시예 12	MgO85.0mol%-VC15.0mol%	MgO(001)	10nm	19nm/분	큐빅(001)배향
실시예 13	MgO69.3mol%-VC30.7mol%	MgO(001)	10nm	39nm/분	큐빅(001)배향
실시예 14	MgO60mol%-VC40mol%	MgO(001)	10nm	51nm/분	큐빅(001)배향
실시예 15	MgO55mol%-VC45mol%	MgO(001)	10nm	57nm/분	큐빅(001)배향
실시예 16	MgO50.0mol%-VC50.0mol%	MgO(001)	10nm	64nm/분	큐빅(001)배향
실시예 17	MgO90mol%-WC10mol%	MgO(001)	10nm	21nm/분	큐빅(001)배향
실시예 18	MgO89mol%-WC11mol%	MgO(001)	10nm	23nm/분	큐빅(001)배향
실시예 19	MgO88.0mol%-WC12.0mol%	MgO(001)	10nm	25nm/분	큐빅(001)배향
실시예 20	MgO85.0mol%-WC15.0mol%	MgO(001)	10nm	31nm/분	큐빅(001)배향
실시예 21	MgO72.1mol%-WC27.9mol%	MgO(001)	10nm	57nm/분	큐빅(001)배향
실시예 22	MgO60mol%-WC40mol%	MgO(001)	10nm	81nm/분	큐빅(001)배향
실시예 23	MgO55mol%-WC45mol%	MgO(001)	10nm	92nm/분	큐빅(001)배향
실시예 24	MgO50.0mol%-WC50.0mol%	MgO(001)	10nm	102nm/분	큐빅(001)배향
실시예 25	MgO90mol%-TiN10mol%	MgO(001)	10nm	21nm/분	큐빅(001)배향
실시예 26	MgO89mol%-TiN11mol%	MgO(001)	10nm	23nm/분	큐빅(001)배향
실시예 27	MgO88.0mol%-TiN12.0mol%	MgO(001)	10nm	25nm/분	큐빅(001)배향
실시예 28	MgO85.0mol%-TiN15.0mol%	MgO(001)	10nm	31nm/분	큐빅(001)배향
실시예 29	MgO75.2mol%-TiN24.8mol%	MgO(001)	10nm	35nm/분	큐빅(001)배향
실시예 30	MgO60mol%-TiN40mol%	MgO(001)	10nm	56nm/분	큐빅(001)배향
실시예 31	MgO55mol%-TiN45mol%	MgO(001)	10nm	63nm/분	큐빅(001)배향
실시예 32	MgO50.0mol%-TiN50.0mol%	MgO(001)	10nm	70nm/분	큐빅(001)배향
비교예 1	MgO100mol%-TiC0mol%	MgO(001)	10nm	-	-
비교예 2	MgO95mol%-TiC5mol%	MgO(001)	10nm	-	-
비교예 3	MgO92.9mol%-TiC7.1mol%	MgO(001)	10nm	-	-
비교예 4	MgO91mol%-TiC9mol%	MgO(001)	10nm	-	-
실시예 33	MgO49mol%-TiC51mol%	MgO(001)	10nm	82nm/분	큐빅(001)배향
실시예 34	MgO45mol%-TiC55mol%	MgO(001)	10nm	88nm/분	큐빅(001)배향
실시예 35	MgO40mol%-TiC60mol%	MgO(001)	10nm	96nm/분	큐빅(001)배향
비교예 5	MgO95mol%-VC5mol%	MgO(001)	10nm	-	-
비교예 6	MgO91mol%-VC9mol%	MgO(001)	10nm	-	-
실시예 36	MgO49mol%-VC51mol%	MgO(001)	10nm	65nm/분	큐빅(001)배향
실시예 37	MgO45mol%-VC55mol%	MgO(001)	10nm	70nm/분	큐빅(001)배향
실시예 38	MgO40mol%-VC60mol%	MgO(001)	10nm	77nm/분	큐빅(001)배향
비교예 7	MgO95mol%-WC5mol%	MgO(001)	10nm	-	-
비교예 8	MgO91mol%-WC9mol%	MgO(001)	10nm	-	-
실시예 39	MgO49mol%-WC51mol%	MgO(001)	10nm	104nm/분	큐빅(001)배향
실시예 40	MgO45mol%-WC55mol%	MgO(001)	10nm	112nm/분	큐빅(001)배향
실시예 41	MgO40mol%-WC60mol%	MgO(001)	10nm	122nm/분	큐빅(001)배향
비교예 9	MgO95mol%-TiN5mol%	MgO(001)	10nm	-	-
비교예 10	MgO91mol%-TiN9mol%	MgO(001)	10nm	-	-
실시예 42	MgO49mol%-TiN51mol%	MgO(001)	10nm	71nm/분	큐빅(001)배향
실시예 43	MgO45mol%-TiN55mol%	MgO(001)	10nm	77nm/분	큐빅(001)배향
실시예 44	MgO40mol%-TiN60mol%	MgO(001)	10nm	84nm/분	큐빅(001)배향

표 1에서 알 수 있듯이, MgO - TiC 막 (실시예 1 내지 8) , MgO - VC 막 (실시예 9 내지 16) , MgO - WC 막 (실시예 17 내지 24)과 MgO - TiN 막 (실시예 25 내지 32)은 큐빅 구조 (001) 면에 단일 배향된 치밀하고 평평하며, 소위 파티클이 실질적으로 없는 막이 얻어지는 것을 확인할 수 있었다.

이상과 같이, MgO 및 입방정계의 전도성 화합물 TiC, VC 또는 TiN, 또는 육방정계인 전도성 화합물 WC를 주성분으로 포함하는 스퍼터링용 MgO 타겟을 이용하여 결정계가 입방정계이며, (001) 표면에 단일 배향된 막을 형성하는 것이 가능하고, 해당 타겟은 자기 기록 매체의 자성층의 기초 층을 형성하는 타겟으로 가장 바람직하게 사용할 수 있는 것으로 나타났다. 한편, 실시예 33 내지 44의 스퍼터링용 MgO 타겟에 대해서도 상기와 같이 스퍼터링으로 성막한 결과, 성막 속도가 빠르고, 상기와 같이 (001) 표면에 단일 배향된 막을 형성할 수 있었지만, 파티클이 발생하기 때문에 평활하고 치밀한 막을 얻을 수 없는 경우도 있었다. 비교예 1 내지 10의 스퍼터링용 MgO 타겟을 상기와 같이 스퍼터링으로 성막하려고 했지만, 이러한 타겟의 저항값이 커서 DC 스퍼터링법에 의해 성막 할 수 없었다. 비교예 11 내지 14의 물질은 치밀한 소결체를 얻을 수 없었기 때문에 스퍼터 성막 평가를 얻을 수 없었다.

실시예 1 내지 44 에서 이용한 TiC 분말과 같은 전기 전도성 분말보다 더 작은 직경을 갖는 분말을 사용하고, 상기 전기 전도성 분말의 입자들이 MgO 타겟 내에서 MgO 입자의 경계에 인접하면, 전자의 통로가 형성된다. 예를 들어, 심지어 비교예 3의 경우에도, 전기 전도성 분말의 농도가 7.1mol% 이하이었음에도 불구하고 성막이 가능하다는 것을 알 수 있었다.

비교예로서 표 1 에 기재하지 않았지만, 전기 전도성 물질로 TaC (입방정계), NbC (체심 입방정계), SiC (육방정계), Cr₃C₂ (사방정계), Fe₃C₂ (사방정계), C (육방정계) 등의 입자를 MgO 입자에 첨가한 스퍼터링용 MgO 타겟을 제조하였다. 그러나, TaC (입방정계), NbC (체심 입방정계), SiC (육방정계) 이외의 것은 소결이 불충분하여 스퍼터 증착을 할 수 없었다. Cr₃C₂ (사방정계), Fe₃C₂ (사방정계), 또는 C (육방정계)의 입자를 MgO 입자에 첨가한 MgO 타겟에서 스퍼터링 성막은 할 수 있었지만, 파티클이 현저하게 발생하여, 치밀하고 평활한 막이 얻을 수 없었다. 그래서, 상기 MgO 타겟은 DC 스퍼터링용 타겟으로 적합하지 않았다. 특히, Cr₃C₂ (사방정계)와 Fe₃C₂ (사방정계)에서, MgO 막의 (001) 표면에 단일 배향성을 부여할 수 없었다. 또한, 본 발명에 따른, 입방정계 또는 육방정계의 전기 전도성 물질 이외의 결정계의 전도성 물질도 마찬가지로 MgO 막의 (001) 표면에 단일 배향성을 부여할 수 없었다. 결국, TiC (입방정계), VC (입방정계), TiN (입방정) 및 WC (육방정계)가 본 발명의 타겟에 적합한 고융점의 전도성 물질인 것으로 나타났다.

Claims

MgO 및 전도성 물질을 주성분으로 포함하는 스퍼터링용 MgO 타겟이며,
상기 전도성 물질은 MgO와 함께 DC 스퍼터링법에 의하여 성막할 때, 성막된 MgO 막에 배향성을 부여하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 MgO 타겟.
제1항에 있어서, 상기 전도성 물질은 전도성 화합물인 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 MgO 타겟.
제2항에 있어서, 상기 스퍼터링용 MgO 타겟에 포함된 MgO 및 전도성 화합물의 총량에 대한 MgO의 비율이 40 내지 90 mol%인 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 MgO 타겟.
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 전도성 화합물의 결정계가 입방정계 또는 육방정계인 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 MgO 타겟.
제4항에 있어서, 상기 전도성 화합물이 TiC, VC, WC 및 TiN 중 적어도 하나 이상인 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 MgO 타겟.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전도성 물질의 입자들은 상기 MgO 타겟 내에서 서로 접촉하여 전자의 통로를 형성하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 MgO 타겟.
제6항에 있어서, 상기 전도성 물질은 MgO 입자들의 입자 경계에 존재하는 것을 특징으로하는 스퍼터링용 MgO 타겟.
제7항에 있어서, 상기 전도성 물질은 상기 MgO 입자들을 둘러싸고 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 MgO 타겟.