JP6635862B2 - BiFeO3系焼結体からなるスパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents
BiFeO3系焼結体からなるスパッタリングターゲット及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6635862B2 JP6635862B2 JP2016079958A JP2016079958A JP6635862B2 JP 6635862 B2 JP6635862 B2 JP 6635862B2 JP 2016079958 A JP2016079958 A JP 2016079958A JP 2016079958 A JP2016079958 A JP 2016079958A JP 6635862 B2 JP6635862 B2 JP 6635862B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering target
- ray diffraction
- sintered body
- powder
- sintering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 229910002902 BiFeO3 Inorganic materials 0.000 title description 7
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims description 43
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 42
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 40
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims description 15
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 26
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 23
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 7
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 7
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 3
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001028 reflection method Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 1
- 101000892301 Phomopsis amygdali Geranylgeranyl diphosphate synthase Proteins 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001739 density measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
記載されている。
1)原子比における組成式:Bix(Fe1−yTiy)O3、0.9≦x≦1.1、0<y≦0.3、で表される成分組成を有する焼結体からなり、X線回折においてバックグランド強度に対する金属Biに帰属するX線回折ピーク強度比が3.0未満であり、かつ、バルク抵抗率が500kΩcm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
2)X線回折において、Bi25FeO40相に帰属するX線回折ピークが出現し、かつ、Bi25FeO40相に帰属するX線回折ピーク強度比が他の相のX線回折ピーク強度に対して1.0以上であることを特徴とする上記1)記載のスパッタリングターゲット。
3)密度が6.5g/cm3以上であることを特徴とする上記1)又は2)記載のスパッタリングターゲット。
4)抗折強度が80MPa以上であることを特徴とする上記1)〜3)のいずれか一に記載のスパッタリングターゲット。
5)Bi2O3、Fe2O3、TiO2の粉末を、原子比における組成式:Bix(Fe1−yTiy)O3、0.9≦x≦1.1、0<y≦0.3、で表される成分組成となるように秤量、混合し、得られた混合粉末を、真空中又は不活性ガス雰囲気中、温度650℃超800℃未満で加圧焼結することを特徴とすることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
6)加圧焼結は、ホットプレス焼結によって行うことを特徴とする上記5)記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
7)プレス面圧を50〜500kg/cm2とすることを特徴とする上記6)記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
なお、上記のX線回折ピークは、X線回折装置(リガク社製:UltimaIV、Cu−Kα線)を用い、測定条件(管電圧:40kV、管電流:30mA、測定方法:2θ−θ反射法、スキャン速度:8.0°/min、サンプリング間隔:0.02°)の下で得られるXRDスペクトルから分析した。
まず、Bi2O3、Fe2O3、TiO2の原料粉末を秤量、混合した後、この混合粉末を真空中又は不活性ガス雰囲気中にて加圧焼結して、製造する。このとき、焼結温度は、650℃超、800℃未満とすることが好ましい。650℃以下であると、高密度のターゲットが得られず、一方、800℃以上であると、Bi2O3の蒸発による組成ズレや密度の低下が生じるため、好ましくない。さらに好ましくは、670℃以上750℃以下である。また、原料粉末は、緻密な焼結体を作製するために、平均粒子径2μm以下とすることが好ましい。
(成分組成について)
装置:SII社製SPS3500DD
方法:ICP-OES(高周波誘導結合プラズマ発光分析法)
(密度測定について)
寸法測定(ノギス)、重量測定
(バルク抵抗値について)
装置:NPS社製 抵抗率測定器 Σ−5+
方法:直流4探針法
(X線回折分析について)
装置:リガク社製UltimaIV、Cu−Kα線
測定条件
管電圧:40kV
管電流:30mA
測定方法:2θ−θ反射法
スキャン速度:8.0°/min
サンプリング間隔:0.02°
(抗折力測定について)
装置:今田製作所製引張圧縮試験機 SV−201NA−50SL
測定方法:「JIS R 1601 ファインセラミックスの室温曲げ強さ試験方法」に準じて測定を行った。
Bi2O3粉、Fe2O3粉、TiO2粉を準備し、これらの粉末を、表1に記載される成分組成となるように配合比に調合し、これを混合した。次に、この混合粉末をAr雰囲気中、温度700℃、面圧250kgf/cm2の条件でホットプレス焼結した。その後、この焼結体を機械加工してスパッタリングターゲット形状に仕上げた。また、得られたターゲットが所望の組成になっていることを確認した。
得られた焼結体のバルク抵抗率と密度を測定した結果、表1に示す通り、密度は7.25g/cm3に達し、バルク抵抗は12.5kΩ・cm、抗折力は82.5MPaであった。また、焼結体のX線回折を分析した結果、表1に示す通り、金属BiのX線回折ピーク/バックグラウンド強度比は2.0であり、Bi25FeO40のX線回折ピーク/Bi25FeO40以外の相の最強ピーク強度比は1.9であった。このターゲットを使用してスパッタリングを実施したところ、パーティクル数は少なかった。
Bi2O3粉、Fe2O3粉、TiO2粉を準備し、これらの粉末を、表1に記載される成分組成となるように配合比に調合し、これを混合した。次に、この混合粉末をAr雰囲気中、温度700℃、面圧250kgf/cm2の条件でホットプレス焼結した。その後、この焼結体を機械加工してスパッタリングターゲット形状に仕上げた。また、得られたターゲットが所望の組成になっていることを確認した。
得られた焼結体のバルク抵抗率と密度を測定した結果、表1に示す通り、いずれも、密度は6.5g/cm3を超え、バルク抵抗は500kΩ・cm未満であった。また、焼結体のX線回折を分析した結果、表1に示す通り、金属BiのX線回折ピーク強度比は3.0未満であり、Bi25FeO40のX線回折ピーク強度比は1.0以上であった。このターゲットを使用してスパッタリングを実施したところ、いずれもパーティクル数は少なかった。
比較例1〜2は、焼結温度を650℃以下とした例である。
Bi2O3粉、Fe2O3粉、TiO2粉を準備し、これらの粉末を、表1に記載される成分組成となるように配合比に調合し、これを混合した。次に、この混合粉末をAr雰囲気中、温度650℃未満、面圧250kgf/cm2の条件でホットプレス焼結した。その後、この焼結体を機械加工してスパッタリングターゲット形状に仕上げた。また、得られたターゲットが所望の組成になっていることを確認した。
得られた焼結体のバルク抵抗率と密度を測定した結果、表1に示す通り、いずれも密度は6.5g/cm3未満、バルク抵抗は500kΩ・cm超であった。このターゲットを使用してスパッタリングを実施したところ、いずれも実施例に比べてパーティクル数が増加していた。以上の通り、焼結温度が低すぎると密度が上がらないという問題がある。
比較例3は、焼結温度を800℃以上とした例である。
Bi2O3粉、Fe2O3粉、TiO2粉を準備し、これらの粉末を、表1に記載される成分組成となるように配合比に調合し、これを混合した。次に、この混合粉末をAr雰囲気中、温度750℃超、面圧250kgf/cm2の条件でホットプレス焼結した。その後、この焼結体を、機械加工してスパッタリングターゲット形状に仕上げた。なお、得られたターゲットが所望の組成になっていることを確認した。
得られた焼結体のバルク抵抗率と密度を測定した結果、表1に示す通り、いずれも密度は6.5g/cm3未満、バルク抵抗は500kΩ・cm超であった。また、焼結体のX線回折を分析した結果、表1に示す通り、金属BiのX線回折ピーク強度比は3.0超で、金属Biの析出が観察された。このターゲットを使用してスパッタリングを実施したところ、いずれも実施例に比べてパーティクル数が増加していた。以上の通り、焼結温度が高すぎると金属Biが析出するという問題がある。
比較例4は、常圧焼結(焼結温度800℃)した例である。
Bi2O3粉、Fe2O3粉、TiO2粉を準備し、これらの粉末を、表1に記載される成分組成となるように配合比に調合し、これを混合した。次に、この混合粉末を大気若しくは酸素雰囲気中、温度800℃の条件で、常圧焼結した。その後、この焼結体を、機械加工してスパッタリングターゲット形状に仕上げた。なお、得られたターゲットが所望の組成になっていることを確認した。
得られた焼結体の密度を測定した結果、密度が4.64g/cm3と極めて低くなった。比較例4は、密度が低いため、X線回折分析、抗折力試験が困難であり、またスパッタリングの実施も困難であった。
比較例4〜5は、常圧焼結(焼結温度850℃)した例である。
Bi2O3粉、Fe2O3粉、TiO2粉を準備し、これらの粉末を、表1に記載される成分組成となるように配合比に調合し、これを混合した。次に、この混合粉末を大気若しくは酸素雰囲気中、温度850℃の条件で、常圧焼結した。その後、この焼結体を、機械加工してスパッタリングターゲット形状に仕上げた。なお、得られたターゲットが所望の組成になっていることを確認した。
得られた焼結体の密度を測定した結果、表1に示す通り、密度が7.17g/cm3であった。比較例5は、比較例4に比べて密度が上っていたものの、クラックが多数発生しており、スパッタリングの実施が困難であった。以上の通り、常圧焼結では、焼結温度が低いと密度が上がらず、焼結温度が高いと密度が上るが、クラックが発生した。
なお、図3に示すように、混合粉についてTMA(熱機械分析)にて室温から800℃までの体積変化を測定したところ、体積膨張が確認された。この体積膨張によりクラックが生じたと考えられる。
比較例6〜9は、仮焼を行った例である。
Bi2O3粉、Fe2O3粉、TiO2粉を準備し、これらの粉末を、表1に記載される成分組成となるように配合比に調合し、これを混合した。次に、この混合粉末を大気中、温度750℃(比較例7、8)、800℃(比較例6、9)で仮焼した後、粉砕した。その後、この粉砕粉をAr雰囲気中、温度650℃(比較例6)、720℃(比較例7)、800℃(比較例8、9)、面圧250kgf/cm2の条件でホットプレス焼結した。その後、この焼結体を、機械加工してスパッタリングターゲット形状に仕上げた。また、得られたターゲットが所望の組成になっていることを確認した。
得られた焼結体のX線回折を分析した結果、表1に示す通り、金属BiとバックグラウンドのX線回折ピーク強度比は3.0超で、金属Biの析出が観察された。また、Bi25FeO40と第2相最大ピークのX線回折ピーク強度比は1.0以下であった。このターゲットを使用してスパッタリングを実施したところ、いずれも実施例に比べてパーティクル数が増加していた。以上の通り、焼結温度が低いと密度が上らないだけでなく、金属Biが析出し、焼結温度が高いと密度が上るものの金属Biの析出が増加する。また、仮焼温度を上げても、上記の問題を解消することができない。
Claims (7)
- 原子比における組成式:Bix(Fe1−yTiy)O3、0.9≦x≦1.1、0<y≦0.3、で表される成分組成を有する焼結体からなり、X線回折において、バックグランド強度に対する金属Biの(012)面に帰属するX線回折ピーク強度比が3.0未満であり、かつ、バルク抵抗率が500kΩcm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
- X線回折において、Bi25FeO40相に帰属するX線回折ピークが出現し、かつ、Bi25FeO40相の(310)面に帰属するX線回折ピーク強度比が他の相のX線回折ピーク強度に対して1.0以上であることを特徴とする請求項1記載のスパッタリングターゲット。
- 密度が6.5g/cm3以上であることを特徴とする請求項1又は2記載のスパッタリングターゲット。
- 抗折強度が80MPa以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
- Bi2O3、Fe2O3、TiO2の粉末を、原子比における組成式:Bix(Fe1−yTiy)O3、0.9≦x≦1.1、0<y≦0.3、で表される成分組成となるように秤量、混合し、得られた混合粉末を、真空中又は不活性ガス雰囲気中、温度650℃超800℃未満で加圧焼結することを特徴とすることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
- 加圧焼結は、ホットプレス焼結によって行うことを特徴とする請求項5記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- プレス面圧を50〜500kg/cm2とすることを特徴とする請求項6記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016079958A JP6635862B2 (ja) | 2016-04-13 | 2016-04-13 | BiFeO3系焼結体からなるスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016079958A JP6635862B2 (ja) | 2016-04-13 | 2016-04-13 | BiFeO3系焼結体からなるスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017190487A JP2017190487A (ja) | 2017-10-19 |
JP6635862B2 true JP6635862B2 (ja) | 2020-01-29 |
Family
ID=60085001
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016079958A Active JP6635862B2 (ja) | 2016-04-13 | 2016-04-13 | BiFeO3系焼結体からなるスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6635862B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110498676B (zh) * | 2019-09-17 | 2022-08-12 | 江西科技学院 | 一种纳米陶瓷及制备方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5507097B2 (ja) * | 2008-03-12 | 2014-05-28 | 富士フイルム株式会社 | ペロブスカイト型酸化物とその製造方法、圧電体、圧電素子、液体吐出装置 |
JP5177565B2 (ja) * | 2009-03-13 | 2013-04-03 | 国立大学法人金沢大学 | 強誘電体、圧電体及びこれらの製造方法 |
KR101394340B1 (ko) * | 2012-06-21 | 2014-05-14 | 창원대학교 산학협력단 | 아연과 티타늄을 첨가한 BiFeO3 박막의 제조방법 |
WO2014119706A1 (en) * | 2013-01-29 | 2014-08-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Piezoelectric material, piezoelectric device, and electronic apparatus |
JP6299338B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2018-03-28 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電素子、液体噴射ヘッド、液体噴射装置及びセンサー |
-
2016
- 2016-04-13 JP JP2016079958A patent/JP6635862B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017190487A (ja) | 2017-10-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101731847B1 (ko) | 스퍼터링용 MgO 타겟 | |
Wang et al. | A novel low-temperature fired microwave dielectric ceramic BaMg2V2O8 with ultra-low loss | |
JP6296207B2 (ja) | 誘電体薄膜、容量素子および電子部品 | |
JP6930059B2 (ja) | ニオブ酸カリウムナトリウムスパッタリングターゲット | |
WO2016088867A1 (ja) | スパッタリング用MgOターゲット材及び薄膜 | |
JP6724266B2 (ja) | ニオブ酸カリウムナトリウムスパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
Du et al. | Ultrahigh room temperature electrocaloric response in lead-free bulk ceramics via tape casting | |
Kim et al. | Effects of sintering temperature on the electric properties of Mn-modified BiFeO 3-BaTiO 3 bulk ceramics | |
KR101702790B1 (ko) | NbO2 소결체 및 그 소결체로 이루어지는 스퍼터링 타깃 그리고 NbO2 소결체의 제조 방법 | |
WO2017135294A1 (ja) | 多結晶誘電体薄膜および容量素子 | |
JP4524411B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JP6094168B2 (ja) | 圧電組成物および圧電素子 | |
JP6635862B2 (ja) | BiFeO3系焼結体からなるスパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
CN108695064A (zh) | 氧氮化物薄膜及电容元件 | |
TW201605762A (zh) | 氧化物燒結體、濺鍍靶材及薄膜 | |
Hahn et al. | Effects of Zr/Ti ratio and post-annealing temperature on the electrical properties of lead zirconate titanate (PZT) thick films fabricated by aerosol deposition | |
KR101913052B1 (ko) | 니오븀 산화물 소결체 및 해당 소결체로 이루어지는 스퍼터링 타깃, 그리고 니오븀 산화물 소결체의 제조 방법 | |
Chen et al. | Effects of B‐site Substitution on Microwave Dielectric Properties of Ba6− 3xNd8+ 2x [Ti1− z (Ni1/3Nb2/3) z] 18O54 Ceramics | |
CN112236403B (zh) | 靶和用于制造靶的方法 | |
CN115667182A (zh) | Cr-Si-C系烧结体 | |
CN108695063B (zh) | 氧氮化物薄膜及电容元件 | |
JP7000882B2 (ja) | 酸窒化物薄膜および容量素子 | |
JP5309975B2 (ja) | 透明導電膜用焼結体及びスパッタリングターゲット並びにその製造方法 | |
JP2004359539A (ja) | ニオブ酸カリウム焼結体の製造方法 | |
CN110581211A (zh) | 压电陶瓷、压电元件和电子装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190222 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191107 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191210 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191217 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6635862 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |