JPWO2011152051A1 - ウェーハの汚染防止方法、検査方法および製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
装置内清掃は、汚染源除去作業、具体的には清浄で発塵しづらい不織布等に超純水ないしアルコールを含ませて拭き取る作業であるが、この種の作業は、汚染源を有効に除去するには有効であるものの、一時的な装置内環境の不安定化をもたらし、安定するまで清浄なウェーハをダミー搬送する等に相当な時間を要するため、生産がタイトな時には適用することが困難である。
また、保守は、具体的には磨耗したウェーハ保持部の交換である。保持部には通常、シリコンより柔らかい樹脂が使われるため、磨耗することは不可避であるとともに、端部保持は、接触部の単位面積あたりの樹脂にかかる力が、裏面保持の場合よりも大きくなるため、1、2年に一回程度の交換が必要である。一方、裏面保持の場合、磨耗の程度は非常に少なく抑えられるため、その耐久年数は装置寿命以上と考えられている。
従って、品質検査装置内のこうした交差汚染を防止する方法の確立を目指した検討の結果、本発明を導くに至ったのである。
本発明のウェーハの汚染防止方法は、上記したシリコンウェーハの製造ラインにおいて、DSP処理後のシリコンウェーハを最終洗浄工程後、品質検査装置へ搬送し、該品質検査工程にて品質検査するに際し、該品質検査工程の前工程では前記シリコンウェーハの端部を保持し、前記品質検査工程では前記シリコンウェーハの裏面を保持することを特徴とするものである。
ウェーハの平坦度は、静電容量方式や光学式等の平坦度測定器を用いて測定することができる。例えば、静電容量方式の測定器を用いる場合には、検査対象のシリコンウェーハの表裏面を2つのプローブで挟み、ウェーハを回転させながらプローブとウェーハとの間の静電容量を求めることにより、プローブからウェーハの表面および裏面までの距離の差からウェーハの厚さを測定し、得られた厚さから平坦度を算出する。また、光学式の平坦度測定器を用いる場合には、基準面からの反射光とウェーハ表面からの反射光の位相差にて発生する干渉縞をCCDカメラにて検出し、ウェーハの表面の高低差を直接測定する。
シリコンウェーハの表面に存在するパーティクルや結晶欠陥を、パーティクル検査装置により検査する。具体的には、検査対象のウェーハ表面にレーザー光を照射し、散乱されたレーザー光の強度を信号光としてパーティクル検査装置により検出し、この信号光の強度を用いて欠陥を輝点欠陥(Light Point Defects:以下、「LPD」と称する)として検出する。その際、サイズが既知である標準粒子を用いて、ウェーハの表面に照射された入射光が標準粒子により散乱された光の強度と標準粒子のサイズとの相関を予め求めておき、検出された信号光の強度(即ち、LPDのサイズ)が所定の閾値を超えた回数を計数(カウント)することにより、ウェーハ表面の品質を評価する。
(発明例)
育成したシリコン単結晶をスライスしてDSP処理を施した直径200mmのシリコンウェーハに対して、該SSP(Single Sided Polishing)処理の後から品質検査工程の前工程まで「裏面」を保持して処理および搬送を行い、最終洗浄工程においてウェーハを洗浄した後に、品質検査工程にて、パーティクル検査装置に搬送し、シリコンウェーハの「裏面」を保持してパーティクルの検査を行った。その後、該シリコンウェーハの裏面および端部のMCLを分析した。MCL分析ウェーハは前出と同様、25枚1カセット単位で工程を流れているものにおいて、品質検査後に1枚ずつ抜き出した全27枚について評価した。分析した元素も前出と同様、重金属については、鉄、ニッケルおよびクロム、軽金属については、ナトリウム、カリウムおよびカルシウムである。図3は、その結果を時系列にプロットした図であり、シリコンウェーハのそれぞれ(a)端部、および(b)裏面のMCLを示す図である。この結果より、交差汚染がこの時系列の初期、又は、それ以前に発生したと考えられる。更に図3(b)から明らかなように、図2に見られるような1ロットごと独立した変動をしているのと異なり、品質検査工程の前工程までにウェーハの裏面において万一汚染が発生した場合にも、汚染されたウェーハから数ロットまでのウェーハについては裏面に、汚染の影響が残っていることが分かる。このため、SSPのような古い世代の装置においては、定期的にウェーハ接触部をクリーニングすることが一般的である。また、SSPのような古い世代の装置においては、直径300mmのウェーハ用のミニエンバイロメント化された装置と異なり、ウェーハ接触部の清掃も比較的容易である。
育成したシリコン単結晶をスライスして、SSPより新しい加工方法であるDSP処理を施した直径300mmのシリコンウェーハに対して、該DSP処理の後から品質検査工程の前工程まで「端部」を保持して処理および搬送を行い、最終洗浄工程においてウェーハを洗浄した後に、品質検査工程にて、パーティクル検査装置に搬送し、シリコンウェーハの「端部」を保持してパーティクルの検査を行った。その後、該シリコンウェーハの裏面および端部のMCLを分析した。MCL分析ウェーハは前出と同様、25枚1カセット単位で工程を流れているものにおいて、品質検査後に1枚ずつ抜き出した全27枚について評価した。分析した元素も前出と同様、重金属については、鉄、ニッケルおよびクロム、軽金属については、ナトリウム、カリウムおよびカルシウムである。図4は、その結果を時系列にプロットした図であり、シリコンウェーハのそれぞれ(a)端部、および(b)裏面のMCLを示す図である。図4(a)から明らかなように、図2に見られるような1ロットごと独立した変動をしているのと異なり、1桁MCLの高いウェーハがあるとそのウェーハのロットから数ロットまでのウェーハについては端部のMCLの高い状況に保持されており、前のMCLの高いウェーハの影響が残っているため、交差汚染が発生していると推測される。特に昨今の検査装置においては、高速なウェーハハンドリングが要求されており、端部の磨耗も著しいことから、長期間の使用による発塵発生も懸念されている。このため、単なる定期的なクリーニングだけでは不十分で、磨耗したウェーハ接触部を新品に交換することが一般的である。しかし、この世代の装置は、ミニエンバイロメント化されており、清掃の為にたびたび装置を開放することは望ましく無く、更にウェーハ接触部の交換では、長期間の装置使用停止を余儀なくされる。この辺の事情に関しては、特にパーティクル検査装置において、シビアな問題となっている。
Claims (12)
- シリコンウェーハの製造ラインにおいて、両面研磨後のシリコンウェーハを品質検査工程に搬送し、該品質検査工程にて品質検査するに際し、
該品質検査工程の前工程では前記シリコンウェーハの端部を保持し、
前記品質検査工程では前記シリコンウェーハの裏面を保持することを特徴とするシリコンウェーハの汚染防止方法。 - 前記シリコンウェーハの裏面の保持は、真空吸着または静電気吸着により行うことを特徴とする、請求項1に記載の汚染防止方法。
- 前記品質検査工程の前に、前記シリコンウェーハの主面および裏面のうち少なくとも裏面に酸化膜を形成することを特徴とする、請求項1または2に記載の汚染防止方法。
- 前記酸化膜の厚さが5〜1000オングストロームである、請求項3に記載の汚染防止方法。
- シリコンウェーハの製造ラインにおいて、両面研磨後のシリコンウェーハを品質検査工程に搬送し、該品質検査工程にて品質検査するに際し、
該品質検査工程の前工程では前記シリコンウェーハの端部を保持し、
前記品質検査工程では前記シリコンウェーハの裏面を保持することを特徴とするウェーハの検査方法。 - 前記シリコンウェーハの裏面の保持は、真空吸着または静電気吸着により行うことを特徴とする、請求項5に記載の検査方法。
- 前記品質検査工程の前に、前記シリコンウェーハの主面および裏面のうち少なくとも裏面に酸化膜を形成することを特徴とする、請求項5または6に記載の検査方法。
- 前記酸化膜の厚さが5〜1000オングストロームである、請求項7に記載の検査方法。
- シリコンインゴットから切り出されたシリコンウェーハに対して両面研磨処理を施し、その後品質検査工程を行うシリコンウェーハの製造方法において、
該品質検査工程の前工程では前記シリコンウェーハの端部を保持し、
前記品質検査工程では前記シリコンウェーハの裏面を保持することを特徴とするウェーハの製造方法。 - 前記シリコンウェーハの裏面の保持は、真空吸着または静電気吸着により行うことを特徴とする、請求項9に記載のウェーハの製造方法。
- 前記品質検査工程の前に、前記シリコンウェーハの主面および裏面のうち少なくとも裏面に酸化膜を形成することを特徴とする、請求項9または10に記載のウェーハの製造方法。
- 前記酸化膜の厚さが5〜1000オングストロームである、請求項11に記載のウェーハの製造方法。
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