CN114121699A - 一种硅片清洗过程异常的排查方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种硅片清洗过程异常的排查方法，所述排查方法包括：(Ⅰ)在不同的工艺槽内对硅片进行完整的制绒清洗工序后进行少子寿命检测，检测到的少子寿命低于标准值，表明制绒清洗工序中的至少一个工艺槽出现异常，对工艺槽逐一排查；(Ⅱ)采用与步骤(Ⅰ)中制绒清洗工序相同的操作过程和工艺参数，仅省去其中一个工艺槽，完成制绒清洗后，检测硅片表面的少子寿命；(Ⅲ)如果少子寿命恢复至标准值，表明省去的工艺槽出现异常；如果少子寿命仍低于标准值，对下一个工艺槽重复进行步骤(Ⅱ)，直至排查出异常的工艺槽。通过少子寿命异常判断制绒清洗工序中各个工艺槽是否存在污染并锁定异常的工艺槽。

Description

一种硅片清洗过程异常的排查方法
技术领域
本发明属于硅片清洗技术领域，涉及一种硅片清洗过程异常的排查方法。
背景技术
HJT电池因具有高转换效率、工艺步骤少等优势，近年来光伏行业对HJT电池技术愈发关注，该技术被认为是最有潜力取代当前PERC电池技术的下一代晶硅太阳电池路线之一。
在硅片抛光过程中，由于硅片与研磨浆料的化学反应以及抛光垫与晶圆硅片的摩擦，会生成研磨残余物和抛光垫渣滓残余物。当浆料会被循环使用，此时未被过滤的副产物也会随着浆料一起循环，该副产物就会积聚于抛光垫表面。由此，再使用受污染的抛光垫进行加工时，硅片表面就会被粘带有残余物颗粒的研磨浆料所污染，形成硅片表面的颗粒杂质。在完成此工序之后若不继续下一个加工工序，会暂时将硅片放置于水中，在放置过程中，因为水的污染和残余物的沉积就会发生更严重的颗粒杂质污染，随之导致硅片收率的良率下降，另外，硅片表面的颗粒及杂质会形成氧化物，非常牢固地附着在硅片表面的自然氧化层上。
因此，半导体器件生产中硅片须经严格清洗，微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。有机污染包括光刻胶、有机溶剂残留物、合成蜡和人接触器件、工具、器皿带来的油脂或纤维。无机污染包括重金属金、铜、铁、铬等，严重影响少数载流子寿命和表面电导；碱金属如钠等，引起严重漏电；颗粒污染包括硅渣、尘埃、细菌、微生物、有机胶体纤维等，会导致各种缺陷。
随着超大规模集成电路的发展，集成度不断提高，期间的特征尺寸不断减小，对半导体晶片硅衬底表面洁净度的要求也更佳严格，硅片清洗在半导体工业的重要性早已引起人们的高度重视。清除污染的方法有物理清洗和化学清洗两种。
CN108818161A公开了一种硅片的返工系统，包括：检测装置、分类装置、抛光装置及清洗装置；所述检测装置对硅片进行检测以判断其规格参数，若达到预设值则为优质类，反之则为瑕疵类；所述抛光装置对瑕疵硅片抛光；所述清洗装置对抛光后的硅片进行清洗，所述检测装置对预清洗的硅片进行平整度检测以初步定级；对再次清洗的硅片进行微粒污染度的检测并定级，所述分类装置区分出合格硅片和不合格硅片。
CN110942975A公开了一种硅片清洗方法，包括：将硅片放入第一溶液中，并在所述第一溶液中通入臭氧；其中，所述第一溶液包括盐酸；将所述硅片从第一溶液中取出，放入第二溶液中，所述第二溶液包括硝酸和氢氟酸；将所述硅片从第二溶液中取出，放入第三溶液中，并在所述第三溶液中通入臭氧；其中，所述第三溶液包括氨水；将所述硅片从第三溶液中取出，放入第四溶液中，所述第四溶液包括盐酸和氢氟酸；将所述硅片从第四溶液中取出，并将所述硅片烘干。
CN110828290A公开了一种硅片的清洗方法，首先，制备酸性清洗剂；接着，将硅片放入酸性清洗剂中浸泡；最后，从酸性清洗剂中取出硅片，将硅片放入去离子水中进行清洗，以完成硅片的清洗。由于该硅片的清洗方法采用酸性清洗剂对硅片进行酸洗，因此易于将硅片上的金属等各种杂质和表面污迹清洗掉，并且确保了不会划伤硅片，从而提高了硅片的使用寿命。
HJT电池技术虽然工艺步骤少，但对每一步的要求都更为苛刻，在HJT电池制备过程中，仅有制绒为湿法工序，硅片清洗的洁净程度完全取决于制绒的清洗效果。目前除了明显的表面脏污可以通过肉眼判断外，仅能通过CVD钝化后的少子寿命判断硅片表面的洁净程度。
发明内容
针对现有技术存在的不足，本发明的目的在于提供一种硅片清洗过程异常的排查方法，通过少子寿命异常判断制绒清洗工序中各个工艺槽是否存在污染并锁定异常的工艺槽。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
第一方面，本发明提供了一种硅片清洗过程异常的排查方法，所述排查方法包括：
(Ⅰ)在不同的工艺槽内对硅片进行完整的制绒清洗工序后进行少子寿命检测，检测到的少子寿命低于标准值，表明制绒清洗工序中的至少一个工艺槽出现异常，对工艺槽逐一排查；
(Ⅱ)采用与步骤(Ⅰ)中制绒清洗工序相同的操作过程和工艺参数，仅省去其中一个工艺槽，完成制绒清洗后，检测硅片表面的少子寿命；
(Ⅲ)如果少子寿命恢复至标准值，表明省去的工艺槽出现异常；如果少子寿命仍低于标准值，对下一个工艺槽重复进行步骤(Ⅱ)，直至排查出异常的工艺槽。
本发明提出了一种硅片清洗过程异常的排查方法，为了表征清洗后硅片的清洁度，将经过清洗后的硅片取出立即测定少子寿命，经过清洗后的硅片表面呈疏水性，表面硅原子的悬挂键与氢离子结合，起到了钝化作用，减少载流子的复合几率，可以在短时间内测得较高的少子寿命，数十秒后少子寿命迅速降低，对硅片连续测定少子寿命，取最大值作为少子寿命的标准值，通过少子寿命异常判断制绒清洗工序中各个工艺槽是否存在污染并锁定异常的工艺槽。
需要说明的是，少子寿命还受到硅片电阻率、硅片厚度和氢氟酸浓度等因素的影响，电阻率越高、厚度越大、氢氟酸浓度越高，少子寿命越高，要结合多方面因素来判断硅片的清洁度。
作为本发明一种优选的技术方案，所述完整的制绒清洗工序包括依次进行的粗抛光、第一清洗、制绒、第二清洗、第三清洗和氢氟酸清洗。
本发明中，第一清洗用于洗去粗抛后的硅片表面脏污，第二清洗用于洗去制绒过程中硅片表面残留的添加剂，第三清洗用于洗去硅片表面的金属离子。
优选地，所述抛光、第一清洗、制绒、第二清洗、第三清洗和氢氟酸清洗分别在不同的工艺槽中进行。
作为本发明一种优选的技术方案，所述抛光采用的抛光液包括氢氧化钾溶液。
优选地，所述氢氧化钾溶液的浓度为10～15wt％，例如可以是10wt％、10.5wt％、11wt％、11.5wt％、12wt％、12.5wt％、13wt％、13.5wt％、14wt％、14.5wt％或15wt％，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述抛光的温度为70～90℃，例如可以是70℃、72℃、74℃、76℃、78℃、80℃、82℃、84℃、86℃、88℃或90℃，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
作为本发明一种优选的技术方案，所述第一清洗采用的清洗液与第二清洗采用的清洗液相同。
优选地，所述第一清洗和第二清洗采用的清洗液均包括氢氧化钾溶液和双氧水溶液。
优选地，所述氢氧化钾溶液的浓度为1～2wt％，例如可以是1.0wt％、1.1wt％、1.2wt％、1.3wt％、1.4wt％、1.5wt％、1.6wt％、1.7wt％、1.8wt％、1.9wt％或2.0wt％，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述双氧水溶液的浓度为5～10wt％，例如可以是5.0wt％、5.5wt％、6.0wt％、6.5wt％、7.0wt％、7.5wt％、8.0wt％、8.5wt％、9.0wt％、9.5wt％或10.0wt％，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述第一清洗和第二清洗的清洗温度相同。
优选地，所述第一清洗和第二清洗的清洗温度为60～70℃，例如可以是60℃、61℃、62℃、63℃、64℃、65℃、66℃、67℃、68℃、69℃或70℃，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
作为本发明一种优选的技术方案，所述第三清洗采用的清洗液包括盐酸溶液和双氧水溶液。
优选地，所述盐酸溶液的浓度为1～2wt％，例如可以是1.0wt％、1.1wt％、1.2wt％、1.3wt％、1.4wt％、1.5wt％、1.6wt％、1.7wt％、1.8wt％、1.9wt％或2.0wt％，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述双氧水溶液的浓度为5～10wt％，例如可以是5.0wt％、5.5wt％、6.0wt％、6.5wt％、7.0wt％、7.5wt％、8.0wt％、8.5wt％、9.0wt％、9.5wt％或10.0wt％，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述第三清洗的清洗温度为60～70℃，例如可以是60℃、61℃、62℃、63℃、64℃、65℃、66℃、67℃、68℃、69℃或70℃，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
作为本发明一种优选的技术方案，所述制绒采用的制绒液包括氢氧化钾溶液和添加剂。
优选地，所述氢氧化钾溶液的浓度为1～5wt％，例如可以是1.0wt％、1.5wt％、2.0wt％、2.5wt％、3.0wt％、3.5wt％、4.0wt％、4.5wt％或5.0wt％，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述制绒的温度为70～90℃，例如可以是70℃、72℃、74℃、76℃、78℃、80℃、82℃、84℃、86℃、88℃或90℃，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
作为本发明一种优选的技术方案，所述氢氟酸清洗的时间为1～5min，例如可以是1.0min、1.5min、2.0min、2.5min、3.0min、3.5min、4.0min、4.5min或5.0min，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述氢氟酸清洗采用的氢氟酸溶液浓度为2～5wt％，例如可以是2.0wt％、2.5wt％、3.0wt％、3.5wt％、4.0wt％、4.5wt％或5.0wt％，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述氢氟酸清洗的温度为20～30℃，例如可以是20℃、21℃、22℃、23℃、24℃、25℃、26℃、27℃、28℃、29℃或30℃，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
需要说明的是，氢氟酸钝化原理是：硅片表层原子均存在悬挂键，当氢氟酸溶液将表面的自然氧化硅进行刻蚀后，表面悬挂键裸露在表面，溶液中的H离子容易与悬挂键进行结合，当表面洁净时H离子将硅片表面的悬挂键完全饱和，当表面存在污染区域时，该区域H离子无法结合，光生载流子易在此处复合，导致少子寿命低。
作为本发明一种优选的技术方案，所述标准值采用如下方法获取：
硅片在确认无异常的工艺槽内进行完整的制绒清洗工序，制绒清洗完成后检测硅片表面的少子寿命，即为标准值。
作为本发明一种优选的技术方案，所述硅片为N型硅片。
优选地，所述硅片的电阻率为1Ω·cm或2Ω·cm。
作为本发明一种优选的技术方案，所述硅片的电阻率为1Ω·cm，制绒清洗后的硅片表面少子寿命的标准值＞70μs。
优选地，所述硅片的电阻率为2Ω·cm，制绒清洗后的硅片表面少子寿命的标准值＞100μs。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：
本发明提出了一种硅片清洗过程异常的排查方法，为了表征清洗后硅片的清洁度，将经过清洗后的硅片取出立即测定少子寿命，经过清洗后的硅片表面呈疏水性，表面硅原子的悬挂键与氢离子结合，起到了钝化作用，减少载流子的复合几率，可以在短时间内测得较高的少子寿命，数十秒后少子寿命迅速降低，对硅片连续测定少子寿命，取最大值作为少子寿命的标准值，通过少子寿命异常判断制绒清洗工序中各个工艺槽是否存在污染并锁定异常的工艺槽。
附图说明
图1为本发明实施例1提供的制绒清洗工序的操作流程图。
具体实施方式
下面通过附图和具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
实施例1
本实施例提供了一种硅片清洗过程异常的排查方法，所述排查方法具体包括如下步骤：
(1)将电阻率为1Ω·cm的N型硅片在不同的工艺槽内依次进行抛光(抛光液为10wt％的氢氧化钾溶液，温度为90℃)、第一清洗(清洗液为1wt％的氢氧化钾溶液+5wt％的双氧水溶液，温度为70℃)、制绒(制绒液为1wt％的氢氧化钾溶液+添加剂ADD，温度为90℃)、第二清洗(清洗液为1wt％的氢氧化钾溶液+5wt％的双氧水溶液，温度为70℃)、第三清洗(清洗液为1wt％的盐酸溶液+5wt％双氧水溶液，温度为70℃)和氢氟酸清洗(清洗液为2wt％的氢氟酸溶液，温度为30℃，时间为1min)，制绒清洗完成后检测硅片表面的少子寿命，检测到的少子寿命低于70μs，表明制绒清洗工序中的至少一个工艺槽出现异常，对工艺槽逐一排查；
(2)采用与步骤(1)中制绒清洗工序相同的操作过程和工艺参数，仅省去其中一个工艺槽，完成制绒清洗后，检测硅片表面的少子寿命；
(3)如果少子寿命恢复至标准值，表明省去的工艺槽出现异常；如果少子寿命仍低于标准值，对下一个工艺槽重复进行步骤(2)，直至排查出异常的工艺槽。
实施例2
本实施例提供了一种硅片清洗过程异常的排查方法，所述排查方法具体包括如下步骤：
(1)将电阻率为2Ω·cm的N型硅片在不同的工艺槽内依次进行抛光(抛光液为11wt％的氢氧化钾溶液，温度为86℃)、第一清洗(清洗液为1.2wt％的氢氧化钾溶液+6wt％的双氧水溶液，温度为68℃)、制绒(制绒液为2wt％的氢氧化钾溶液+添加剂ADD，温度为86℃)、第二清洗(清洗液为1.2wt％的氢氧化钾溶液+6wt％的双氧水溶液，温度为68℃)、第三清洗(清洗液为1.2wt％的盐酸溶液+6wt％双氧水溶液，温度为68℃)和氢氟酸清洗(清洗液为2.6wt％的氢氟酸溶液，温度为28℃，时间为2min)，制绒清洗完成后检测硅片表面的少子寿命，检测到的少子寿命低于100μs，表明制绒清洗工序中的至少一个工艺槽出现异常，对工艺槽逐一排查；
(2)采用与步骤(1)中制绒清洗工序相同的操作过程和工艺参数，仅省去其中一个工艺槽，完成制绒清洗后，检测硅片表面的少子寿命；
(3)如果少子寿命恢复至标准值，表明省去的工艺槽出现异常；如果少子寿命仍低于标准值，对下一个工艺槽重复进行步骤(2)，直至排查出异常的工艺槽。
实施例3
本实施例提供了一种硅片清洗过程异常的排查方法，所述排查方法具体包括如下步骤：
(1)将电阻率为1Ω·cm的N型硅片在不同的工艺槽内依次进行抛光(抛光液为12wt％的氢氧化钾溶液，温度为82℃)、第一清洗(清洗液为1.4wt％的氢氧化钾溶液+7wt％的双氧水溶液，温度为66℃)、制绒(制绒液为3wt％的氢氧化钾溶液+添加剂ADD，温度为82℃)、第二清洗(清洗液为1.4wt％的氢氧化钾溶液+7wt％的双氧水溶液，温度为66℃)、第三清洗(清洗液为1.4wt％的盐酸溶液+7wt％双氧水溶液，温度为66℃)和氢氟酸清洗(清洗液为3.2wt％的氢氟酸溶液，温度为26℃，时间为3min)，制绒清洗完成后检测硅片表面的少子寿命，检测到的少子寿命低于70μs，表明制绒清洗工序中的至少一个工艺槽出现异常，对工艺槽逐一排查；
(2)采用与步骤(1)中制绒清洗工序相同的操作过程和工艺参数，仅省去其中一个工艺槽，完成制绒清洗后，检测硅片表面的少子寿命；
(3)如果少子寿命恢复至标准值，表明省去的工艺槽出现异常；如果少子寿命仍低于标准值，对下一个工艺槽重复进行步骤(2)，直至排查出异常的工艺槽。
实施例4
本实施例提供了一种硅片清洗过程异常的排查方法，所述排查方法具体包括如下步骤：
(1)如图1所示，将电阻率为1Ω·cm的N型硅片在不同的工艺槽内依次进行抛光(抛光液为13wt％的氢氧化钾溶液，温度为78℃)、第一清洗(清洗液为1.6wt％的氢氧化钾溶液+8wt％的双氧水溶液，温度为64℃)、制绒(制绒液为3wt％的氢氧化钾溶液+添加剂ADD，温度为78℃)、第二清洗(清洗液为1.6wt％的氢氧化钾溶液+8wt％的双氧水溶液，温度为64℃)、第三清洗(清洗液为1.6wt％的盐酸溶液+8wt％双氧水溶液，温度为64℃)和氢氟酸清洗(清洗液为3.8wt％的氢氟酸溶液，温度为24℃，时间为3min)，制绒清洗完成后检测硅片表面的少子寿命，检测到的少子寿命低于70μs，表明制绒清洗工序中的至少一个工艺槽出现异常，对工艺槽逐一排查；
(2)采用与步骤(1)中制绒清洗工序相同的操作过程和工艺参数，仅省去其中一个工艺槽，完成制绒清洗后，检测硅片表面的少子寿命；
(3)如果少子寿命恢复至标准值，表明省去的工艺槽出现异常；如果少子寿命仍低于标准值，对下一个工艺槽重复进行步骤(2)，直至排查出异常的工艺槽。
实施例5
本实施例提供了一种硅片清洗过程异常的排查方法，所述排查方法具体包括如下步骤：
(1)将电阻率为2Ω·cm的N型硅片在不同的工艺槽内依次进行抛光(抛光液为14wt％的氢氧化钾溶液，温度为74℃)、第一清洗(清洗液为1.8wt％的氢氧化钾溶液+9wt％的双氧水溶液，温度为62℃)、制绒(制绒液为4wt％的氢氧化钾溶液+添加剂ADD，温度为74℃)、第二清洗(清洗液为1.8wt％的氢氧化钾溶液+9wt％的双氧水溶液，温度为62℃)、第三清洗(清洗液为1.8wt％的盐酸溶液+9wt％双氧水溶液，温度为62℃)和氢氟酸清洗(清洗液为4.4wt％的氢氟酸溶液，温度为22℃，时间为4min)，制绒清洗完成后检测硅片表面的少子寿命，检测到的少子寿命低于100μs，表明制绒清洗工序中的至少一个工艺槽出现异常，对工艺槽逐一排查；
(2)采用与步骤(1)中制绒清洗工序相同的操作过程和工艺参数，仅省去其中一个工艺槽，完成制绒清洗后，检测硅片表面的少子寿命；
(3)如果少子寿命恢复至标准值，表明省去的工艺槽出现异常；如果少子寿命仍低于标准值，对下一个工艺槽重复进行步骤(2)，直至排查出异常的工艺槽。
实施例6
本实施例提供了一种硅片清洗过程异常的排查方法，所述排查方法具体包括如下步骤：
(1)将电阻率为2Ω·cm的N型硅片在不同的工艺槽内依次进行抛光(抛光液为15wt％的氢氧化钾溶液，温度为70℃)、第一清洗(清洗液为2wt％的氢氧化钾溶液+10wt％的双氧水溶液，温度为60℃)、制绒(制绒液为5wt％的氢氧化钾溶液+添加剂ADD，温度为70℃)、第二清洗(清洗液为2wt％的氢氧化钾溶液+10wt％的双氧水溶液，温度为60℃)、第三清洗(清洗液为2wt％的盐酸溶液+10wt％双氧水溶液，温度为60℃)和氢氟酸清洗(清洗液为5wt％的氢氟酸溶液，温度为20℃，时间为5min)，制绒清洗完成后检测硅片表面的少子寿命，检测到的少子寿命低于100μs，表明制绒清洗工序中的至少一个工艺槽出现异常，对工艺槽逐一排查；
(2)采用与步骤(1)中制绒清洗工序相同的操作过程和工艺参数，仅省去其中一个工艺槽，完成制绒清洗后，检测硅片表面的少子寿命；
(3)如果少子寿命恢复至标准值，表明省去的工艺槽出现异常；如果少子寿命仍低于标准值，对下一个工艺槽重复进行步骤(2)，直至排查出异常的工艺槽。
申请人声明，以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，所属技术领域的技术人员应该明了，任何属于本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

Claims (10)

1.一种硅片清洗过程异常的排查方法，其特征在于，所述排查方法包括：
(Ⅰ)在不同的工艺槽内对硅片进行完整的制绒清洗工序后进行少子寿命检测，检测到的少子寿命低于标准值，表明制绒清洗工序中的至少一个工艺槽出现异常，对工艺槽逐一排查；
(Ⅱ)采用与步骤(Ⅰ)中制绒清洗工序相同的操作过程和工艺参数，仅省去其中一个工艺槽，完成制绒清洗后，检测硅片表面的少子寿命；
(Ⅲ)如果少子寿命恢复至标准值，表明省去的工艺槽出现异常；如果少子寿命仍低于标准值，对下一个工艺槽重复进行步骤(Ⅱ)，直至排查出异常的工艺槽。
2.根据权利要求1所述的排查方法，其特征在于，所述完整的制绒清洗工序包括依次进行的粗抛光、第一清洗、制绒、第二清洗、第三清洗和氢氟酸清洗；
优选地，所述抛光、第一清洗、制绒、第二清洗、第三清洗和氢氟酸清洗分别在不同的工艺槽中进行。
3.根据权利要求1或2所述的排查方法，其特征在于，所述抛光采用的抛光液包括氢氧化钾溶液；
优选地，所述氢氧化钾溶液的浓度为10～15wt％；
优选地，所述抛光的温度为70～90℃。
4.根据权利要求1-3任一项所述的排查方法，其特征在于，所述第一清洗采用的清洗液与第二清洗采用的清洗液相同；
优选地，所述第一清洗和第二清洗采用的清洗液均包括氢氧化钾溶液和双氧水溶液；
优选地，所述氢氧化钾溶液的浓度为1～2wt％；
优选地，所述双氧水溶液的浓度为5～10wt％；
优选地，所述第一清洗和第二清洗的清洗温度相同；
优选地，所述第一清洗和第二清洗的清洗温度为60～70℃。
5.根据权利要求1-4任一项所述的排查方法，其特征在于，所述第三清洗采用的清洗液包括盐酸溶液和双氧水溶液；
优选地，所述盐酸溶液的浓度为1～2wt％；
优选地，所述双氧水溶液的浓度为5～10wt％；
优选地，所述第三清洗的清洗温度为60～70℃。
6.根据权利要求1-5任一项所述的排查方法，其特征在于，所述制绒采用的制绒液包括氢氧化钾溶液和添加剂；
优选地，所述氢氧化钾溶液的浓度为1～5wt％；
优选地，所述制绒的温度为70～90℃。
7.根据权利要求1-6任一项所述的排查方法，其特征在于，所述氢氟酸清洗的时间为1～5min；
优选地，所述氢氟酸清洗采用的氢氟酸溶液浓度为2～5wt％；
优选地，所述氢氟酸清洗的温度为20～30℃。
8.根据权利要求1-7任一项所述的排查方法，其特征在于，所述标准值采用如下方法获取：
硅片在确认无异常的工艺槽内进行完整的制绒清洗工序，制绒清洗完成后检测硅片表面的少子寿命，即为标准值。
9.根据权利要求1-8任一项所述的排查方法，其特征在于，所述硅片为N型硅片；
优选地，所述硅片的电阻率为1Ω·cm或2Ω·cm。
10.根据权利要求1-9任一项所述的排查方法，其特征在于，所述硅片的电阻率为1Ω·cm，制绒清洗后的硅片表面少子寿命的标准值＞70μs；
优选地，所述硅片的电阻率为2Ω·cm，制绒清洗后的硅片表面少子寿命的标准值＞100μs。
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