JPWO2010150882A1 - 弾性表面波フィルタおよびそれを用いた分波器 - Google Patents

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Abstract

【課題】 電気的な特性に優れたSAWフィルタおよび分波器を提供する。【解決手段】 圧電基板40と、圧電基板40上に配置された第1のIDT電極1を有する弾性表面波素子10と、第1のIDT電極1と電気的に接続された第1の信号配線31と、第1の信号配線31と絶縁部材41を介して交差する第1の交差部を有し、且つ弾性表面波素子10を囲うようにして形成された環状の基準電位配線9と、を備えたSAWフィルタとする。

Description

本発明は、移動体通信機器等に使用される弾性表面波フィルタおよび分波器に関するものである。
従来、携帯電話機などの通信端末の高周波回路には弾性表面波(Surface Acoustic Wave:以下「SAW」と略して表記することがある。)を利用したSAWフィルタが使用されている。SAWフィルタは、送信用フィルタ、受信用フィルタ、分波器などに用いられる。
近年、SAWフィルタには、減衰量の拡大、平衡−不平衡変換機能の付加などが求められることがあり、その回路構成が複雑化する傾向にある。このような複雑な回路を実現するために、異なる電位の配線同士を立体的に交差させるようにして配線の引き回しを行う技術が知られている(例えば、特許文献1の図9を参照)。
このような立体配線構造を採用することにより、複数のグランド用の配線を共通のグランド端子に接続することができるため、複雑な回路構成からなるSAWフィルタであっても、その全体構造を小型にすることができる。
しかしながら、上述した従来のSAWフィルタの場合、SAW素子が外部の不要な電磁波の影響を受け易く、電気的特性の劣化が起こりやすかった。またグランド配線によるインダクタ成分が大きくなりやすく、これも電気的特性の劣化を招く要因となっていた。
本発明は、上記課題を解決するべく発明されたものであり、電気的な特性に優れたSAWフィルタおよび分波器を提供するものである。
特許文献1:特開2007−142491号公報
本発明の一態様におけるSAWフィルタは、圧電基板と、前記圧電基板上に位置している第1のIDT電極を有する弾性表面波素子と、前記第1のIDT電極と電気的に接続された第1の信号配線と、前記第1の信号配線と第1の絶縁部材を介して交差する第1の交差部を有し、且つ前記弾性表面波素子を囲っている環状の基準電位配線と、を備えるものである。
また本発明の別の態様におけるSAWフィルタは、圧電基板と、前記圧電基板上に配置され、且つ第1の信号用バスバー導体および第1の基準電位用バスバー導体を有する第1のIDT電極と、前記圧電基板上に前記第1のIDT電極と並んで位置し、且つ第2の信号用バスバー導体および第2の基準電位用バスバー導体を有する第2のIDT電極と、を有する弾性表面波素子と、前記第1の信号用バスバー導体と電気的に接続された第1の信号配線と、前記第2の信号用バスバー導体と電気的に接続された第2の信号配線と、前記第1、第2の基準電位用バスバー導体のそれぞれと接続され、且つ前記弾性表面波素子を囲むようにして形成された環状の基準電位配線と、を備えるものである。
また本発明の一態様における分波器は、送信用フィルタおよび受信用フィルタを備えた分波器であって、前記送信用フィルタおよび受信用フィルタのうち少なくとも一方が、上述した弾性表面波フィルタからなるものである。
上記のSAWフィルタによれば、基準電位配線が弾性表面波素子を囲うようにして環状に形成されていることから、弾性表面波素子が外部の不要な電磁波の影響を受けにくくなる。また、基準電位配線のインダクタ成分を小さくすることができる。そのため電気的な特性に優れたSAWフィルタとすることができる。
またこのようなSAWフィルタを分波器に適用すれば、電気的な特性に優れた分波器とすることができる。
本発明の第1の実施形態にかかるSAWフィルタの平面図である。 図1に示すSAWフィルタの要部拡大図である。 比較例のSAWフィルタを示す図であり、(a)は平面図、(b)は等価回路図である。 図1に示すSAWフィルタの効果を説明するための図であり、(a)は平面図、(b)は等価回路図である。 比較例のSAWフィルタを示す図であり、(a)は平面図、(b)は等価回路図である。 図1に示すSAWフィルタの効果を説明するための図であり、(a)は平面図、(b)は等価回路図である。 第2の実施形態にかかるSAWフィルタの平面図である。 第3の実施形態にかかるSAWフィルタの平面図である。 第4の実施形態にかかるSAWフィルタの平面図である。 第5の実施形態にかかるSAWフィルタの平面図である。 図10に示すSAWフィルタの効果を説明するための図であり、(a)は平面図、(b)は等価回路図である。 本発明の実施形態にかかる分波器の平面図である。 比較例1の分波器を示す平面図である。 実施例1および比較例1の分波器のコモンモードアイソレーション特性を示す図である。 実施例2および比較例2の分波器のコモンモードアイソレーション特性を示す図である。 図1に示すSAWフィルタの変形例の要部拡大図である。
以下、本発明にかかるSAWフィルタおよび分波器の実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、各パターンの大きさやパターン間の距離等は、模式的に図示したものであり、これらに限定されるものではない。
<弾性表面波フィルタ>
(第1の実施形態)
図1は第1の実施形態にかかるSAWフィルタ100の平面図である。本実施形態のSAWフィルタ100は、平衡−不平衡変換機能を有するUMTS(Universal Mobile Telecommunications System)のBand1(送信帯域:1920〜1980MHz、受信帯域:2110〜2170MHz)の受信帯域フィルタとして用いられるものである。
図1に示すように、第1の実施形態にかかるSAWフィルタ100は、圧電基板40と、圧電基板上に配置されたSAW素子10と、SAW素子10を囲うようにして形成された環状の基準電位配線9と、SAW共振子11,12,13と、を有している。
圧電基板40は、例えば、36°±3°YカットX伝搬タンタル酸リチウム単結晶、42°±3°YカットX伝搬タンタル酸リチウム単結晶、64°±3°YカットX伝搬ニオブ酸リチウム単結晶、41°±3°YカットX伝搬ニオブ酸リチウム単結晶、45°±3°XカットZ伝搬四ホウ酸リチウム単結晶からなる。これらの単結晶は、電気機械結合係数が大きく、かつ、SAWの伝搬損失が小さいため、圧電基板40として好ましい。またこれらの単結晶のうち、酸素欠陥やFe等の固溶により焦電性を著しく減少させた圧電基板40を用いてSAWフィルタを形成した場合には、信頼性に優れたものとなる。圧電基板40の厚みは、例えば、0.1〜0.5mmであり、形状は直方体状である。
圧電基板40の主面には、IDT(Inter Digital Transducer)電極、信号配線、基準電位配線、端子などが設けられている。これらIDT電極などは、Alなどの金属膜をパターニングすることにより形成されている。
圧電基板40の主面に配置された5個のIDT電極1〜5と2個の反射器電極6,7によりSAW素子10が形成されている。IDT電極1〜5はSAWの伝搬方向(紙面の上下方向)に沿って並んで配置されており、その両側に反射器電極6,7が配置されている。SAW素子10は、縦結合共振子型のSAWフィルタ素子である。
5個のIDT電極1〜5のうち、IDT1,4,5は不平衡信号端子21と電気的に接続されている。一方、IDT電極のうち、IDT電極2は第1の平衡信号端子22と電気的に接続され、IDT電極3は第2の平衡信号端子23と電気的に接続されている。本実施形態では、不平衡信号端子21から信号を入力した場合、第1の平衡信号端子22から出力される信号の位相が、第2の平衡信号端子23から出力される信号の位相と180°異なるようにIDT電極1〜5が形成されている。すなわち、SAW素子10は平衡−不平衡変換機能を有している。なお、第1、第2の平衡信号端子22,23を入力用端子、不平衡信号端子21を出力用端子としてもよい。
図2はSAW素子10とその周辺の配線を含めた部分の拡大平面図である。同図に示すように、各IDT電極1〜5は、SAWの伝搬方向と直交する方向に伸びる複数本の電極指を有し、これら複数の電極指がバスバー導体に接続されている。ここでIDT電極1,2,3,4,5の電極指本数は、例えば、37本、42本、57本、42本、37本である。反射器電極6,7の電極指本数は、例えば、100本である。また、IDT電極1〜5の交差幅は、例えば、80μmであり、電極膜厚は、例えば、1600Åである。
IDT電極の電極指と接続されるバスバー導体は2種類あり、一方が信号用バスバー導体(1s〜5s)であり、もう一方が基準電位用バスバー導体(1g〜5g)である。
このようなIDT電極1〜5および反射器電極6,7を含むSAW素子10を囲うようにして環状の基準電位配線9が圧電基板40上に形成されている。ここでいう「環状」とは、円形状のものだけでなく、図1などに示されるように角部を有する多角形状のものを含む。基準電位配線9は、図1に示すようにグランド端子24と接続されており、SAWフィルタ100の使用時にグランド電位に保持されるようになっている。基準電位配線9に接続されるグランド端子は図1に示すように1個でもよいし、複数個でもよい。なおグランド電位は必ずしもゼロボルト(0V)とは限らない。
ここでIDT電極1に着目すると、IDT電極1の信号用バスバー導体1sは、信号配線31と接続されている。一方、IDT電極1の基準電位バスバー導体1gは、基準電位配線9に接続されている。
信号用バスバー導体1sと接続される信号配線31は、SiOなどからなる第1の絶縁部材41a(以下、第1〜第5の絶縁部材を区別せずに単に絶縁部材41ということがある)を介して環状の基準電位配線9と立体的に交差している。本実施形態では、第1の絶縁部材41aの下に信号配線31が配置され、第1の絶縁部材41aの上に基準電位配線9が配置されている。図2では第1の絶縁部材41aの下を通る信号配線31を破線で示している。すなわち、信号配線31の破線で示した部分と基準電位配線9との交差する部分が交差部43となっている。なお、信号配線31と基準電位配線9とは交差部43における上下の位置関係が逆になっていてもよい。すなわち、交差部において第1の絶縁部材41aの下に基準電位配線9が配置され、第1の絶縁部材41aの上に信号配線31が配置されるようにしてもよい。ただし、交差部における基準電位配線9と信号配線との上下の位置関係は、すべての交差部43〜47において同じにしておくことが好ましい。例えば、図2に示すように交差部43において、第1の絶縁部材41aの下に信号配線31が配置され、第1の絶縁部材41aの上に基準電位配線9が配置されている場合には、それ以外の交差部44〜47においても、絶縁部材の下に信号配線が配置され、絶縁部材41の上に基準電位配線9が配置される位置関係としておくことが好ましい。これによって、基準電位配線9全体を単一材料で形成しやすくなり、生産効率がよい。また、基準電位配線9の途中に異種材料が入る場合に比べてフィルタの挿入損失を小さくすることができるといった利点もある。
図1,図2に示すようにSAW素子10全体を囲うようにして基準電位配線9が形成されていることから、外部からの電磁的なノイズのSAW素子10への影響が、基準電位配線9による電磁的なシールド効果によって低減される。その結果、電気的な特性が安定したSAWフィルタとすることができる。またSAW素子10に熱が伝わった場合でも、その熱が基準電位配線9によって効率よく放熱される構造となっていることから、熱によるフィルタ特性の変動を抑えることができる。さらに、放熱性が良くなることによってSAW素子10の耐電力性が向上し、電極指の破損を抑制することができる。特に分波器の受信帯域フィルタとして使用されることが多い縦結合多重モード型弾性表面波フィルタは、耐電圧性が低く、電極指が破損しやすいという問題があるが、この縦結合多重モード型弾性表面波フィルタとして本実施形態のSAWフィルタ100を用いれば電極指の破損を抑制でき、電気的な特性の信頼性が高い分波器とすることができる。
次に、IDT電極2に着目する。IDT電極2の信号用バスバー導体2sは、信号配線32と接続されている。この信号配線32は、信号配線31と同様に基準電位配線9と第2の絶縁部材41bを介して立体的に交差している。すなわち基準電位配線9が信号配線32と交差している部分が交差部44である。一方、IDT電極2の基準電位用バスバー導体2gは、基準電位配線9と接続されている。
IDT電極1とIDT電極2の基準電位用バスバー導体1g、2gはそれぞれIDT電極1およびIDT電極2を取り囲む環状の基準電位配線9に接続されているが、このような接続構造とすることで、グランド端子24に至るまでの全体のインダクタを小さくすることができ、SAWフィルタ100の減衰特性を改善することができる。
本実施形態にかかるSAWフィルタ100において、全体のインダクタを小さくできる原理を図3、図4を用いて説明する。図3はIDT電極の基準電位用バスバー導体が接続される基準電位配線が環状になっていない比較例としてのSAWフィルタ101であり、(a)はSAWフィルタ101の概略的な平面図、(b)はSAWフィルタ101の等価回路図である。一方、図4はIDT電極の基準電位用バスバー導体が接続される基準電位配線が環状になっているSAWフィルタ102であり、(a)はSAWフィルタ102の概略的な平面図、(b)はSAWフィルタ102の等価回路図である。なお、説明を分かり易くするために、図3、図4では、2個のIDT電極からなる不平衡−不平衡型のSAWフィルタとしている。
図3に示すSAWフィルタ101において、IDT電極1,2のそれぞれから基準電配線9を経由してグランド端子24に至るまでに、インダクタL1とインダクタL2とが存在する。ここでインダクタL1は、IDT電極1の基準電位用バスバー導体1gからグランド端子24に至るまでの基準電位配線9によるインダクタであり、インダクタL2は、IDT電極2の基準電位用バスバー導体2gからグランド端子24に至るまでの基準電位配線9によるインダクタである。
これに対し、図4に示すSAWフィルタ102の場合は、インダクタL1’とインダクタL2’とが、前述のインダクタL1,L2に対し、それぞれ並列に加わることになる(図4(b)参照)。ここでインダクタL1’は、IDT電極1の基準電位用バスバー導体1gから左回りに基準電位配線9を伝ってグランド端子24に至るまでの基準電位配線9によるインダクタであり、インダクタL2’は、IDT電極2の基準電位用バスバー導体2gから右回りに基準電位配線9を伝ってグランド端子24に至るまでの基準電位配線9によるインダクタである。基準電位配線9を環状としたことにより、これらのインダクタL1’,L2’が、もともと存在していたインダクタL1,L2に並列に加わることになるため、全体のインダクタは、SAWフィルタ101よりもSAWフィルタ102の方が小さくなる。
このようにグランド端子24までのインダクタが小さくなると、インダクタによって誘起される電圧が小さくなるため、基準電位配線9に発生する電流(以下、グランド電流ともいう)の逆流が小さくなる。このようにグランド電流の逆流が小さくなると、通過帯域外の減衰量を大きくすることができ、電気特性に優れたSAWフィルタとなる。また、IDT電極1とIDT電極2との間のインダクタも小さくなるため、このインダクタに基づいて発生する不要なグランド電流を抑制することができ、これによっても通過帯域外の減衰量を大きくすることができる。
なお、図では、信号配線31,32が逆方向(紙面の左方向と右方向)に引き出されている場合について説明したが、信号配線31,32が同一方向に引き出されていても同じ等価回路となるため、同じ効果を奏する。
図2に戻り、IDT電極3に着目すると、IDT電極3の信号用バスバー導体3sは、信号配線33と接続されている。この信号配線33は、基準電位配線9と第3の絶縁部材41cを介して立体的に交差している。基準電位配線9が信号配線33と交差している部分が交差部45である。一方、IDT電極3の基準電位用バスバー導体3gは、基準電位配線9と接続されている。
本実施形態において、IDT電極1〜3と、それぞれのIDT電極のバスバー導体とは、所定の条件を満たすように配置されている。具体的には、まずIDT電極2とIDT電極3との間にIDT電極1が配置されている。すなわち、IDT電極1〜3のうち、IDT電極1が中央に配置され、その一方側にIDT電極2が、他方側にIDT電極3が配置されている。また、基準電位配線9の枠内をSAWの伝搬方向に平行なA−A線に沿って2分割したときに、一方の領域(第1の領域T1)にIDT電極1の信号用バスバー導体1s、IDT電極2の基準電用バスバー導体2g、およびIDT電極3の基準電位用バスバー導体3gが位置し、他方の領域(第2の領域T2)にIDT電極1の基準電位用バスバー導体1g、IDT電極2の信号用バスバー導体2sおよびIDT電極3の信号用バスバー導体3sが位置するようにしてIDT電極1〜3が配置されている。
このような配置のもと、IDT電極1〜3の基準電位用バスバー導体1g、2g、3gを環状の基準電位配線9に接続することによって、基準電位配線9に不要なグランド電流が発生するのを抑えて、帯域外減衰量を大幅に改善することができる。
グランド電流の発生を抑えることができる原理を、図5、図6を用いて説明する。図5はIDT電極の基準電位用バスバー導体が接続される基準電位配線が環状になっていない比較例としてのSAWフィルタ103の概略的な平面図である。図6はIDT電極の基準電位用バスバー導体が接続される基準電位配線が環状になっているSAWフィルタ104の概略的な平面図である。SAWフィルタ103とSAWフィルタ104とでは、基準電位配線以外の条件は同じである。なお、説明を分かり易くするために、図5、図6では、3個のIDT電極からなる不平衡−不平衡型のSAWフィルタとしている。
図5に示すSAWフィルタ103の場合は、IDT電極1の基準電位用バスバー導体1gから基準電位配線9に沿ってIDT電極2の基準電位用バスバー導体2gに至るまでの基準電位配線9の長さと、IDT電極1の基準電位用バスバー導体1gから基準電位配線9に沿ってIDT電極3の基準電位用バスバー導体3gに至るまでの基準電位配線9の長さとでは、図に示したdの分だけ違いが存在する。この場合には、SAWフィルタ103に信号が流れると、配線長の違いdに基づくインダクタ成分が発生し、基準電位用バスバー導体1gから基準電位用バスバー導体2gを見たときの電位と、基準電位用バスバー導体1gから基準電位用バスバー導体3gを見たときの電位とに差が生じる。そして、この電位差に基づいて、基準電位配線9に不要なグランド電流が発生し、これがノイズとなって帯域外減衰量の劣化を招くこととなる。
一方、図6に示すSAWフィルタの104の場合には、基準電位用バスバー導体が接続される基準電位配線9をループ状にしたことから、基準電位用バスバー導体1gから右回り、左回り両方の経路で考えたときに、上記の差dに基づく電位差が相殺されるため、不要なグランド電流の発生を抑えることができる。その結果、基準電位配線9にノイズが発生するのを抑制し、帯域外の減衰量を大きくすることができ、電気特性に優れたSAWフィルタとすることができる。
本実施形態のSAWフィルタ100は、さらにIDT電極4とIDT電極5を備えている。IDT電極4の信号用バスバー導体4sは、信号配線34と接続されている。この信号配線34は、基準電位配線9と第4の絶縁部材41dを介して立体的に交差している。一方、IDT電極4の基準電位用バスバー導体4gは、基準電位配線9に接続されている。IDT電極5の信号用バスバー導体5sは、信号配線35と接続されている。この信号配線35は、基準電位配線9と第5の絶縁部材41eを介して立体的に交差している。一方、IDT電極5の基準電位用バスバー導体5gは、基準電位配線9に接続されている。また反射器電極6,7は一方のバスバー導体が基準電位配線9と接続されている。
IDT電極1,4,5の信号用バスバー導体1s,4s,5sと接続される信号配線31,34,35は、SAW共振子11を介して不平衡信号端子21に接続されている。SAW共振子11を設けることによって、インピーダンス整合の調整、SAW素子10の静電耐圧の向上、あるいは減衰極形成による通過帯域外減衰量の改善などを行うことができる。
また、IDT電極2の信号用バスバー導体2sと接続される信号配線32は、SAW共振子12を介して平衡信号端子22と接続され、IDT電極3の信号用バスバー導体3sと接続される信号配線33は、SAW共振子13を介して平衡信号端子23と接続されている。SAW共振子12,13も、SAW共振子11と同様にインピーダンス整合の調整、SAW素子10の静電耐圧の向上、あるいは減衰極形成による通過帯域外減衰量の改善などを行うためのものである。
図16は第1の実施形態のSAWフィルタ100の変形例を示すものであり、SAW10とその周辺の配線を含めた部分の拡大平面図である。
この変形例のSAWフィルタ100は、立体的な交差部を形成するための絶縁部材41の位置を変えたものである。具体的には、絶縁部材41が、その絶縁部材41の下を通る配線と接続されるバスバー導体に重なるようにして配置されている。例えばIDT電極1に着目すると、IDT電極1の信号用バスバー導体1sと接続されている信号配線31と基準電位配線9とを立体交差させるための第1の絶縁部材41aは、その一部が信号用バスバー導体1sに積層されている。このように絶縁部材41を配置することによって、基準電位配線9をIDT電極に近付けることができる。これにより、基準電位配線9とIDT電極との間にできるデッドスペースを少なくすることができ、ひいてはSAWフィルタ100を小型化することができる。なお、この変形例は、以下に述べる他の実施形態のSAWフィルタに適用してもよい。
(第2の実施形態)
図7は第2の実施形態にかかるSAWフィルタ200の平面図である。SAWフィルタ200は、基準電位配線9が反射器電極6を介して環状となっている。換言すれば、基準電位配線9の一部に反射器電極6が挿入されている。反射器電極6は、基準電位用バスバー導体6gを2個有し、それぞれの基準電位用バスバー導体6gに基準電位配線9が接続されている。また、2個の基準電位用バスバー導体6gの間に配置された電極指は、その両端が各基準電位用バスバー導体6gに接続されている。
このように基準電位配線9を反射器電極6を介して環状とすることにより、基準電位配線9を反射器電極6の外側まで回り込ませる必要がないため、その分、SAWフィルタ200を小型にすることができる。図7では一方の反射器電極6のみを基準電位配線9に挿入した構造としているが、もう一方の反射器電極7も基準電位配線9に挿入した構造としてもよい。すなわち、基準電位配線9を反射器電極6および反射器電極7を介して環状としてもよい。これにより、SAWフィルタ200をより小型化することができる。
また、反射器電極6を介して環状とすることにより、基準電位配線9を反射器電極6の外側に回り込ませる場合に比べてIDT電極2,3の基準電位用バスバー導体とIDT電極1,4,5の基準電位用バスバー導体との間の基準電位配線9を介した距離が小さくなることにより、その間のインダクタが小さくなる。したがって、その間のインダクタに基づいて発生する不要なグランド電流を抑制することができ、これによっても通過帯域外の減衰量を大きくすることができるという利点もある。
なお、図1に示したSAWフィルタ100と同じ構成部分については同一の符号を付し、その説明を省略する。
(第3の実施形態)
図8は第3の実施形態にかかるSAWフィルタ300の平面図である。SAWフィルタ300には、分岐配線39が形成されている。分岐配線39は、一端が基準電位配線9と接続され、他端がグランド端子25と接続されている。また分岐配線39は、信号配線32と信号配線33の間に配置されている。
このような分岐配線39を設けることにより、基準電位配線9に流れる電流が分流するため、その分、基準電位配線9に流れる電流量が少なくなる。その結果、基準電位配線9のインダクタンスによって誘起される電圧が小さくなるため、グランド電流の逆流も抑えられ、帯域外減衰量を大幅に改善することができる。また、分岐配線39が、出力用端子につながる信号配線32と、同じく出力用端子につながる信号配線33との間に配置されていることにより、信号線路32と信号線路33とに流れる出力信号の電流に対するグランド電流のリターン経路の大部分が、信号線路32および信号線路33の近傍にある分岐配線39となる。これによって、出力信号の電流に対するグランド電流と、入力用端子につながる信号配線31,34,35に流れる入力信号の電流に対するグランド電流との干渉を抑制でき、帯域外減衰量を大幅に改善することができる。
(第4の実施形態)
図9は第4の実施形態にかかるSAWフィルタ400の平面図である。SAWフィルタ400は、SAW素子10’を備えている。SAW素子10’は、2個のIDT電極1,2とその両側に配置された2個の反射器電極6,7から成る。
IDT電極1は信号用バスバー導体1sおよび基準電位用バスバー導体1gを有している。信号用バスバー導体1sは信号配線31に、基準電位用バスバー導体1gは基準電位配線9にそれぞれ接続されている。またIDT電極2は信号用バスバー導体2sおよび基準電位用バスバー導体2gを有している。信号用バスバー導体2sは信号配線32に、基準電位用バスバー導体2gは基準電位配線9にそれぞれ接続されている。基準電位配線9は、SAW素子10’を囲うようにして環状になっている。
SAWフィルタ400は不平衡−不平衡型のSAWフィルタであり、不平衡信号端子21と不平衡信号端子21’を有している。不平衡信号端子21,21’は、基準電位配線9の枠内に配置されている。これによりSAWフィルタ400は、SAWフィルタ100のように立体配線を有しない構造となっている。
SAWフィルタ400は、図3、図4を用いて説明したのと同じ理由により、全体のインダクタを小さく抑えることができるため、通過帯域外の減衰量が大きい電気特性に優れたSAWフィルタとなる。
(第5の実施形態)
図10は第5の実施形態にかかるSAWフィルタ500の平面図である。SAWフィルタ500は、隣接するIDT電極において、一方のIDT電極の基準電位用バスバー導体と他方のIDT電極の基準電位用バスバー導体とが電極指を介して接続された構造となっている(図中、点線の丸で囲った部分)。例えば、IDT電極1とIDT電極3に着目すると、IDT電極1の基準電位用バスバー導体1gに接続されている電極指がIDT電極3の基準電位用バスバー導体3gにも接続されている。
このような構造とすることによって、SAWフィルタ500の減衰特性をより改善することができる。これを図11を用いて説明する。図11(a)は、図4と同様にSAWフィルタ500を簡略化した場合のSAWフィルタ105の平面図であり、図11(b)はSAWフィルタ105の等価回路図である。
SAWフィルタ105は、IDT電極1の基準電位用バスバー導体1gとIDT電極2の基準電位用バスバー導体2gとが電極指を介して接続されたものである。この場合、基準電位用バスバー導体1g、2gを接続する電極指によって、図11(b)に示すようにインダクタL1,L1’,L2,L2’に対し、インダクタL3が並列に付加されることになる。したがって全体のインダクタの大きさがより小さくなり、第1の実施形態でも述べたように、基準電位用バスバー導体からグランド端子24に至るまでの間に基準電位配線9に生じるインダクタに基づいて誘起される電圧が小さくなる。その結果、基準電位配線9に発生するグランド電流の逆流が小さくなり、通過帯域外の減衰量を大きくすることができる。
<分波器>
上述した実施形態にかかるSAWフィルタは、分波器を構成するのに好適に用いられる。図12は、SAWフィルタ100を用いた分波器600の平面図である。分波器600において、SAWフィルタ100は受信帯域フィルタとして機能するものである。この場合、不平衡信号端子21がアンテナ端子として機能し、平衡信号端子22,23が受信端子として機能する。
分波器600は送信帯域フィルタとして機能するフィルタ105も備えている。本実施形態においてフィルタ105は、ラダー型のSAWフィルタから成り、並列腕共振子14,15および直列腕共振子16,17,18を備えている。なお、並列腕共振子14はグランド端子25に接続され、並列腕共振子15はグランド端子26に接続されている。また直列腕共振子16は送信端子27に接続され、直列腕共振子18はアンテナ端子である不平衡信号端子21に接続されている。
分波器600の受信帯域フィルタは、SAWフィルタ100を用いて構成されているため、平衡信号端子22,23のそれぞれから出力される信号の通過帯域外の減衰量を大きくすることができ、分波器600に要求される送信帯域のコモンモードアイソレーション特性に優れた分波器とすることができる。なおコモンモードアイソレーションとは、送信帯域フィルタと受信帯域フィルタの分離度を表わす指標であり、送信端子(不平衡信号端子)の不平衡信号が、どの程度受信端子(平衡信号端子)から不平衡信号として漏れているかを示すものである。
(実施例1)
次に、本発明にかかる分波器の実施例1について説明する。図12で示した構造からなる実施例1の分波器600と図13に示す構造からなる比較例1の分波器900について、コモンモードアイソレーション特性をシミュレーションにより計算した。
比較例1の分波器900は、実施例1の分波器600と比べて基準電位配線9の形状が異なっている。具体的には、実施例1の分波器600において反射器電極6の外側まで回り込んでいた部分の基準電位配線9が、比較例1の分波器600では反射器電極6の外側には回り込まずに、一方端が反射器電極6のバスバー導体に接続され、他方端がIDT電極2の基準電位用バスバー導体に接続された形状になっている。なお基準電位配線9以外の構成は、実施例1の分波器600と同じである。
図14は、実施例1と比較例1についてのコモンモードアイソレーション特性のシミュレーション結果を示す図である。図中、実施例1にかかる分波器のコモンモードアイソレーション特性を実線で、比較例1にかかる分波器のコモンモードアイソレーション特性を破線で示す。同図に示すように実施例1の分波器は、比較例1の分波器に比べて通過帯域(1920MHz〜1980MHz)におけるコモンモードアイソレーション特性が約5dB改善されている。
この結果から実施例1の分波器は、比較例1の分波器に比べて、コモンモードアイソレーション特性を大幅に改善できることを確認できた。
(実施例2)
次に実施例2の分波器について説明する。実施例2の分波器は、図12に示した分波器600におけるSAWフィルタ100を図10に示したSAWフィルタ500で置き換えたものである。このような電極構造からなる実施例2の分波器を作製し、コモンモードアイソレーション特性を測定した。
実施例2の分波器に使用したSAWフィルタ500は、以下の仕様からなる。
・電極指の交差幅:80μm
・IDT電極1の電極指本数:30本
・IDT電極2の電極指本数:44本
・IDT電極3の電極指本数:64本
・IDT電極4の電極指本数:42本
・IDT電極5の電極指本数:30本
・反射器電極6,7の電極指本数:50本
・電極膜厚:1600Å
・Duty:0.55
なお圧電基板40の材料には、42°YカットX伝搬LiTaOを用いた。またIDT電極1〜5および反射器電極6,7は、Tiからなる層の上にAl−Cu合金からなる層を重ねることにより形成した。
この実施例2と比較するために、図12に示す実施例1の分波器600を作製した。実施例1の分波器のSAWフィルタ100も上記仕様に基づき作製した。
実施例2の分波器と実施例1の分波器について、コモンモードアイソレーション特性を測定した結果を図15に示す。測定は、ネットワークアナライザーを用いて行った。図中、実施例2の分波器の結果を実線で、実施例1の分波器の結果を破線で示す。
図15から明らかなように、実施例1の分波器に対して実施例2の分波器は通過帯域(1920MHz〜1980MHz)におけるコモンモードアイソレーション特性が約1dB良くなっている。
この結果から、隣接するIDT電極において、一方のIDT電極の基準電位用バスバー導体と他方のIDT電極の基準電位用バスバー導体とを電極指を介して接続した構造とすることによって、コモンモードアイソレーション特性をより改善できることを確認できた。
1〜5・・・IDT電極
6,7・・・反射器電極
9・・・・・基準電位配線
10・・・・SAW素子
40・・・・圧電基板

Claims (11)

  1. 圧電基板と、
    前記圧電基板上に位置している第1のIDT電極を有する弾性表面波素子と、
    前記第1のIDT電極と電気的に接続された第1の信号配線と、
    前記第1の信号配線と第1の絶縁部材を介して交差する第1の交差部を有し、且つ前記弾性表面波素子を囲っている環状の基準電位配線と、
    を備える弾性表面波フィルタ。
  2. 第2の信号配線をさらに備え、
    前記弾性表面波素子は、該弾性表面波素子の弾性表面波伝搬方向に沿うように前記第1のIDT電極と並んで位置し、前記第2の信号配線と電気的に接続された第2のIDT電極をさらに有し、
    前記基準電位配線は、前記第2の信号配線と第2の絶縁部材を介して交差する第2の交差部をさらに有し、
    前記第1のIDT電極は、前記第1の信号配線と接続された第1の信号用バスバー導体および前記基準電位配線と電気的に接続された第1の基準電位用バスバー導体を有し、
    前記第2のIDT電極は、前記第2の信号配線と接続された第2の信号用バスバー導体および前記基準電位配線と電気的に接続された第2の基準電位用バスバー導体を有する請求項1に記載の弾性表面波フィルタ。
  3. 第3の信号配線をさらに備え、
    前記弾性表面波素子は、前記弾性表面波伝搬方向に沿って位置し、前記第3の信号配線と電気的に接続された第3のIDT電極をさらに有し、
    前記基準電位配線は、前記第3の信号配線と第3の絶縁部材を介して交差する第3の交差部をさらに有し、
    前記第3のIDT電極は、前記第3の信号配線と接続された第3の信号用バスバー導体および前記基準電位配線と電気的に接続された第3の基準電位用バスバー導体を有し、
    前記第1のIDT電極は、前記第2のIDT電極と前記第3のIDT電極との間に配置され、
    前記弾性表面波伝搬方向に沿って、前記基準電位配線の環内を第1の領域と第2の領域とに2分割したときに、
    前記第1の信号用バスバー導体、前記第2の基準電位用バスバー導体および前記第3の基準電位用バスバー導体は、前記第1の領域に位置し、
    前記第1の基準電位用バスバー導体、前記第2の信号用バスバー導体および前記第3の信号用バスバー導体は、前記第2の領域に位置している、請求項2に記載の弾性表面波フィルタ。
  4. 前記弾性表面波素子は第1の反射器電極および第2の反射器電極をさらに有し、前記第1および第2の反射器電極は両者間に前記第1、第2および第3のIDT電極を前記弾性表面波伝搬方向に沿うように挟んでおり、
    前記基準電位配線は、その環状の一部が前記第1および第2の反射器電極のうち少なくとも一方によって構成されている請求項3に記載の弾性表面波フィルタ。
  5. 前記第1の信号配線と電気的に接続された不平衡信号端子と、
    前記第2の信号配線と電気的に接続された第1の平衡信号端子と、
    前記第3の信号配線と電気的に接続された第2の平衡信号端子と、をさらに備える請求項3に記載の弾性表面波フィルタ。
  6. 前記第2の信号配線と前記第3の信号配線との間に位置し、且つ前記基準電位配線と接続された分岐配線をさらに備える請求項5に記載の弾性表面波フィルタ。
  7. 前記第1のIDT電極は、前記第1の基準電位用バスバー導体に接続された複数の電極指をさらに有し、前記複数の電極指のうち前記第2のIDT電極側の端部に位置している電極指が、前記第2の基準電位用バスバー導体に接続されている請求項2に記載の弾性表面波フィルタ。
  8. 前記第1のIDT電極は、前記第1の信号配線と接続された第1の信号用バスバー導体を有し、
    前記第1の絶縁部材の一部が前記第1の信号用バスバー導体に積層されている請求項1に記載の弾性表面波フィルタ。
  9. 圧電基板と、
    前記圧電基板上に位置し、且つ第1の信号用バスバー導体および第1の基準電位用バスバー導体を有する第1のIDT電極と、前記圧電基板上に前記第1のIDT電極と並んで位置し、且つ第2の信号用バスバー導体および第2の基準電位用バスバー導体を有する第2のIDT電極と、を有する弾性表面波素子と、
    前記第1の信号用バスバー導体と電気的に接続された第1の信号配線と、
    前記第2の信号用バスバー導体と電気的に接続された第2の信号配線と、
    前記第1および第2の基準電位用バスバー導体のそれぞれと接続され、且つ前記弾性表面波素子を囲っている環状の基準電位配線と、を備える弾性表面波フィルタ。
  10. 前記基準電位配線は、単一材料からなる請求項1乃至9のいずれか1項に記載の弾性表面波フィルタ。
  11. 送信用フィルタおよび受信用フィルタを備えた分波器であって、
    前記送信用フィルタおよび受信用フィルタのうち少なくとも一方が、請求項1乃至10のいずれか1項に記載の弾性表面波フィルタを有する分波器。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012117864A1 (ja) * 2011-02-28 2012-09-07 京セラ株式会社 弾性波フィルタ
CN104115411B (zh) * 2012-02-06 2016-01-20 太阳诱电株式会社 滤波器电路和模块
WO2014013832A1 (ja) 2012-07-19 2014-01-23 株式会社村田製作所 分波器およびこの分波器を備えるモジュール
WO2014133084A1 (ja) 2013-02-27 2014-09-04 京セラ株式会社 弾性波素子、分波器および通信モジュール
JP6042774B2 (ja) * 2013-05-30 2016-12-14 京セラ株式会社 検体センサおよび検体センシング方法
JP6332457B2 (ja) * 2014-07-28 2018-05-30 株式会社村田製作所 ラダー型フィルタ
DE112016003390B4 (de) 2015-07-28 2024-06-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Vorrichtung für elastische Wellen
US10333484B2 (en) * 2016-11-08 2019-06-25 Skyworks Solutions, Inc. Filter modules and filter arrays having inductive impedance
JP2019070563A (ja) * 2017-10-06 2019-05-09 株式会社デンソー 電流センサ
DE102019107011A1 (de) * 2019-03-19 2020-09-24 RF360 Europe GmbH 11-IDT-DMS-Filter, elektroakustisches Filter und Multiplexer
DE102019107010A1 (de) * 2019-03-19 2020-09-24 RF360 Europe GmbH DMS-Filter, elektroakustisches Filter und Multiplexer
WO2022065137A1 (ja) * 2020-09-28 2022-03-31 株式会社村田製作所 弾性波装置
KR20230054462A (ko) * 2020-09-29 2023-04-24 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 종결합 공진자형 탄성파 필터 및 탄성파 필터
CN116418312A (zh) * 2023-02-23 2023-07-11 无锡市好达电子股份有限公司 声表面波双工器及多工器
CN116633312B (zh) * 2023-07-24 2023-10-24 常州承芯半导体有限公司 滤波器及滤波器的形成方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5579124U (ja) * 1978-11-25 1980-05-31
JPS5810225B2 (ja) 1978-12-12 1983-02-24 松下電工株式会社 模様付建築用板の製造方法
JPS58154917A (ja) * 1982-03-10 1983-09-14 Hitachi Ltd 弾性表面波バンドパスフイルタ
JPS6194409A (ja) * 1984-10-15 1986-05-13 Clarion Co Ltd 弾性表面波素子の素子分離構造
JPH071859B2 (ja) * 1988-03-11 1995-01-11 国際電気株式会社 弾性表面波フィルタ
CA2038474C (en) * 1990-03-19 1994-09-20 Yoshio Satoh Surface-acoustic-waver filter having a plurality of electrodes
JPH0491508A (ja) 1990-08-06 1992-03-25 Fujitsu Ltd 弾性表面波デバイスとその製造方法
JPH04281613A (ja) * 1991-03-11 1992-10-07 Fujitsu Ltd 弾性表面波フィルタ
JP3160023B2 (ja) * 1991-08-21 2001-04-23 東洋通信機株式会社 縦結合二重モードsawフィルタ
JP3254779B2 (ja) * 1993-01-05 2002-02-12 株式会社村田製作所 多電極形弾性表面波装置
JPH09162676A (ja) 1995-12-06 1997-06-20 Japan Energy Corp 弾性表面波装置
JP2000261285A (ja) * 1999-03-09 2000-09-22 Hitachi Media Electoronics Co Ltd 弾性表面波装置
DE10013861A1 (de) * 2000-03-21 2001-09-27 Epcos Ag Dualmode-Oberflächenwellenfilter mit verbesserter Symmetrie und erhöhter Sperrdämpfung
JP3358615B2 (ja) * 2000-06-26 2002-12-24 株式会社村田製作所 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ
JP3931767B2 (ja) * 2002-08-29 2007-06-20 株式会社村田製作所 弾性表面波装置、通信装置
JP2004235908A (ja) * 2003-01-30 2004-08-19 Kyocera Corp 弾性表面波装置及びそれを用いた通信機
JP2004153580A (ja) * 2002-10-30 2004-05-27 Kyocera Corp 弾性表面波装置
JP4222197B2 (ja) 2003-02-24 2009-02-12 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ、通信機
DE10325798B4 (de) * 2003-06-06 2015-06-18 Epcos Ag SAW-Filter mit verbesserter Selektion oder Isolation
US7298231B2 (en) * 2004-05-27 2007-11-20 Kyocera Corporation Surface acoustic wave device and communication apparatus
WO2006009021A1 (ja) 2004-07-23 2006-01-26 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性表面波装置
JP2007142491A (ja) 2005-11-14 2007-06-07 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置
JP5121178B2 (ja) * 2006-07-24 2013-01-16 京セラ株式会社 弾性表面波装置及び通信装置
JP4655161B2 (ja) * 2007-05-22 2011-03-23 株式会社村田製作所 バランス型弾性波フィルタ装置及び複合フィルタ
JP5110611B2 (ja) * 2007-07-26 2012-12-26 京セラ株式会社 弾性表面波装置及び通信装置
CN101874348B (zh) * 2008-03-27 2013-11-06 株式会社村田制作所 弹性波滤波装置
JP4809448B2 (ja) * 2009-02-02 2011-11-09 日本電波工業株式会社 デュプレクサ

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