CN116418312A - 声表面波双工器及多工器 - Google Patents

Abstract

本申请关于一种声表面波双工器及多工器，涉及声表面波器件领域。该声表面波双工器/多工器，包括压电基底以及位于所述压电基底上的金属薄膜图案，金属薄膜图案包括天线端子、独立端子、滤波器金属薄膜图案以及接地端子，通过在压电基底的上方设置金属屏蔽环，并且将金属屏蔽环围绕至少一个滤波器金属薄膜图案的部分或全部，可以阻碍滤波器之间电磁信号的相互干扰，具有良好的电磁屏蔽性能，兼顾了器件小型化和高隔离度性能。

Description

声表面波双工器及多工器

技术领域

本申请涉及声表面波器件技术领域，特别涉及一种声表面波双工器及多工器。

背景技术

在通讯业中，器件小型化和高性能的需求日渐明显。例如在射频前端系统中，双工器的结构为由一个天线端、一个发射端、一个接收端、一个带通发射滤波器和一个带通接收滤波器组成，其中，带通发射滤波器的两端分别电连接发射端和天线端，带通接收滤波器的两端分别电连接接收端和天线端。双工器主要性能指标包括插损、驻波比、温漂和隔离度等，其中，隔离度能表征发送信号和接收信号的品质，因此业界人士不断提升双工器的隔离度性能。同样地，与双工器类似的多工器，也有不断提升器件隔离度性能的需求。

公告号为CN108352826A的专利文件中，公开了一种滤波器装置，具体为通过在并联谐振器与地之间添加电感，并通过变动电感值来调节带外零点位置。

公告号为CN109155623B的专利文件中，公开了一种滤波器装置，具体为通过在同层基板上的不同电感之间配置接地布线进行隔绝、在不同层基板上的不同电感之间配置金属层进行隔绝，以此实现良好的隔离度性能。

然而，随着器件尺寸的不断小型化，器件芯片和基板空间不断变小，使得上述相关技术中的在双工器/多工器的基板中添加电感、接地布线或隔绝金属层的方案变得越来越难以实现。因此，亟需一种能兼顾器件小型化和高隔离度性能的双工器/多工器设计方法。

发明内容

本申请的目的是提供一种声表面波双工器及多工器，以解决上述现有技术存在的问题。

为实现上述目的，本申请采用的技术方案为：

一方面，本申请提供了一种声表面波双工器，包括压电基底以及位于所述压电基底上的金属薄膜图案，所述金属薄膜图案包括天线端子、独立端子一、独立端子二、连接于所述天线端子与所述独立端子一之间的滤波器金属薄膜图案一、连接于所述天线端子与所述独立端子二之间的滤波器金属薄膜图案二、与所述滤波器金属薄膜图案一电连接的至少一个接地端子一以及与所述滤波器金属薄膜图案二电连接的至少一个接地端子二，其特征在于，所述声表面波双工器还包括：

位于所述压电基底上方的金属屏蔽环，所述金属屏蔽环围绕所述滤波器金属薄膜图案一、所述滤波器金属薄膜图案二中的至少一个的部分或全部；

所述接地端子一、所述接地端子二以及所述金属屏蔽环均与所述声表面波双工器的接地电位电连接。

在一种可能的实现方式中，所述压电基底为具有压电性的块体材料；

或，所述压电基底由不具有压电性的块体材料以及位于所述块体材料上的具有压电性的薄膜材料组成。

在一种可能的实现方式中，所述金属屏蔽环直接接触所述压电基底，且所述金属屏蔽环与所述金属薄膜图案经同一MEMS加工步骤制成；

或，所述金属屏蔽环不直接接触所述压电基底，其与所述压电基底之间具有绝缘层结构。

在一种可能的实现方式中，所述金属屏蔽环直接电连接到至少一个所述接地端子一，或至少一个所述接地端子二，或至少一个所述接地端子一与至少一个所述接地端子二的组合；

至少一个所述接地端子一，或至少一个所述接地端子二，或至少一个所述接地端子一与至少一个所述接地端子二的组合与所述声表面波双工器的接地电位电连接。

在一种可能的实现方式中，所述金属屏蔽环围绕所述天线端子；

或，所述金属屏蔽环不围绕所述天线端子。

另一方面，本申请还提供了一种声表面波多工器，包括压电基底以及位于所述压电基底上的金属薄膜图案，所述金属薄膜图案包括天线端子、至少三个独立端子、连接于所述天线端子与每个所述独立端子之间的至少三个滤波器金属薄膜图案以及与每个所述滤波器金属薄膜图案电连接的至少一个接地端子，所述声表面波多工器还包括：

位于所述压电基底上方的金属屏蔽环，所述金属屏蔽环围绕至少三个所述滤波器金属薄膜图案中的至少一个的部分或全部；

每个所述接地端子以及所述金属屏蔽环均与所述声表面波多工器的接地电位电连接。

在一种可能的实现方式中，所述压电基底为具有压电性的块体材料；

或，所述压电基底由不具有压电性的块体材料以及位于所述块体材料上的具有压电性的薄膜材料组成。

在一种可能的实现方式中，所述金属屏蔽环直接接触所述压电基底，且所述金属屏蔽环与所述金属薄膜图案经同一MEMS加工步骤制成；

或，所述金属屏蔽环不直接接触所述压电基底，其与所述压电基底之间具有绝缘层结构。

在一种可能的实现方式中，所述金属屏蔽环直接电连接到至少一个所述接地端子；

至少一个所述接地端子与所述声表面波多工器的接地电位电连接。

在一种可能的实现方式中，所述金属屏蔽环围绕所述天线端子；

或，所述金属屏蔽环不围绕所述天线端子。

本申请提供的技术方案带来的有益效果至少包括：

通过在压电基底的上方设置金属屏蔽环，并且将金属屏蔽环围绕至少一个滤波器金属薄膜图案的部分或全部，可以阻碍滤波器之间电磁信号的相互干扰，具有良好的电磁屏蔽性能，兼顾了器件小型化和高隔离度性能。

附图说明

附图用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请，并不构成对本申请的限制。在附图中：

图1示出了公知技术例提供的声表面波双工器1a的俯视图；

图2示出了本申请第一实施例的声表面波双工器1b的俯视图；

图3示出了图1中的声表面波双工器1a和图2中的声表面波双工器1b的隔离度性能对比图；

图4示出了本申请第二实施例的声表面波双工器1c的俯视图；

图5示出了图1中的声表面波双工器1a和图4中的声表面波双工器1c的隔离度性能对比图；

图6示出了本申请第三实施例的声表面波双工器1d的俯视图；

图7示出了图1中的声表面波双工器1a和图6中的声表面波双工器1d的隔离度性能对比图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

其中，相同的零部件用相同的附图标记表示。需要说明的是，下面描述中使用的词语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是本申请说明书附图中的方向，词语“底面”和“顶面”、“内”和“外”分别指的是朝向或远离特定部件。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者多个该特征。在本申请说明书的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上。

下面结合附图和实施例对本申请作更进一步的说明。

首先，对本申请实施例中涉及的名词进行简单的介绍：

MEMS(微机电系统)是一个独立的智能系统，可大批量生产，其系统尺寸在几毫米乃至更小，其内部结构一般在微米甚至纳米量级。例如，常见的MEMS产品尺寸一般都在3mm×3mm×1.5mm，甚至更小。微机电系统在国民经济和军事系统方面将有着广泛的应用前景。主要民用领域是电子、医学、工业、汽车和航空航天系统。

公知技术例

图1示出了公知技术例提供的声表面波双工器1a的俯视图，该声表面波双工器1a包括压电基底2和位于压电基底2上的金属薄膜图案。

在一个示例中，压电基底2为一个具有压电性的单晶钽酸锂块体材料，金属薄膜图案为先在压电基底2上制备一层或几层金属薄膜、然后通过MEMS工艺去除金属薄膜的特定区域的金属得到的结构。

详细地，请参阅图1，金属薄膜图案包括天线端子3，接收端子4，发送端子5，接地端子一6a、接地端子二6b、接地端子三6c、接地端子四6d和接地端子五6e，连接在天线端子3与接收端子4之间的、且与接地端子一6a和接地端子二6b电连接的接收端滤波器金属薄膜图案F1(点线框内其余图形)，连接在天线端子3与发送端子5之间的、且与接地端子三6c、接地端子四6d和接地端子五6e电连接的发送端滤波器金属薄膜图案F2(点线框内其余图形)。接收端滤波器金属薄膜图案F1和发送端滤波器金属薄膜图案F2均分别包括电连接的多个声表面波谐振器金属薄膜图案S，多个声表面波谐振器金属薄膜图案S经由金属薄膜导线以串联方式或并联方式电连接。另外，接地端子一6a、接地端子二6b、接地端子三6c、接地端子四6d和接地端子五6e均电连接到声表面波双工器1a的接地电位。

第一实施例

图2示出了本申请第一实施例的声表面波双工器1b的俯视图，该声表面波双工器1b包括压电基底2和位于压电基底2上的金属薄膜图案。

具体来说，该金属薄膜图案包括天线端子3，接收端子4，发送端子5，接地端子一6a、接地端子二6b、接地端子三6c、接地端子四6d和接地端子五6e，连接在天线端子3与接收端子4之间的、且与接地端子一6a和接地端子二6b电连接的接收端滤波器金属薄膜图案F1(点线框内其余图形)，连接在天线端子3与发送端子5之间的、且与接地端子三6c、接地端子四6d和接地端子五6e电连接的发送端滤波器金属薄膜图案F2(点线框内其余图形)。接收端滤波器金属薄膜图案F1和发送端滤波器金属薄膜图案F2均分别包括电连接的多个声表面波谐振器金属薄膜图案S，多个声表面波谐振器金属薄膜图案S经由金属薄膜导线以串联方式或并联方式电连接。另外，接地端子一6a、接地端子二6b、接地端子三6c、接地端子四6d和接地端子五6e都电连接到声表面波双工器1b的接地电位。

需要说明的是，请参阅图2，与声表面波双工器1a不同的设置在于，声表面波双工器1b中还具有位于压电基底2上方的一个金属屏蔽环7b(图2中黑色块图案)。金属屏蔽环7b为一个具有一定投影图案的金属薄膜，从图2的俯视图视角可以看出，金属屏蔽环7b闭合围绕了整个接收端滤波器金属薄膜图案F1。金属屏蔽环7b上设有金属薄膜接地端子六8b，金属屏蔽环7b通过接地端子六8b电连接到声表面波双工器1b的接地电位。

值得注意的是，接收端滤波器金属薄膜图案F1中的金属薄膜导线中的其中一部分是与接地电位等电位的，另一部分是不与接地电位等电位的；而金属屏蔽环7b由于电连接到接地电位，所以金属屏蔽环7b与接地电位是等电位的。因此，当接收端滤波器金属薄膜图案F1中的不与接地电位等电位的金属薄膜导线与金属屏蔽环7b金属导线出现相互交叉和搭接的情况时，应在交叉和搭接区域设置绝缘材料结构，以避免这两种导线直接电连接。在本实施例中，设置如图2所示的绝缘膜9b(图中虚线框区域)作为这种绝缘材料结构。更具体地，绝缘膜9b是一块绝缘材料薄膜如二氧化硅、环氧树脂或氮化硅薄膜；绝缘膜9b位于接收端滤波器金属薄膜图案F1的上方、位于金属屏蔽环7b的下方，且在图2的俯视图视角中可以看出，绝缘膜9b的投影面积大于接收端滤波器金属薄膜图案F1中的不与接地电位等电位的金属薄膜导线与金属屏蔽环7b金属导线出现相互交叉和搭接区域的面积。在本实施方式中，天线端子3设为不被金属屏蔽环7b围绕，但作为一种可选方案，天线端子3也可以设为被金属屏蔽环7b围绕。

图3示出了图1中的声表面波双工器1a和图2中的声表面波双工器1b的隔离度性能对比图，可以看出，相比于图1中的公知的声表面波双工器1a，图2中的本申请第一实施例的声表面波双工器1b在接收频段的隔离特性有明显的提升。这是因为，在图1中的声表面波双工器1a中，接收端滤波器和发送端滤波器都会产生射频信号，接收端滤波器的射频信号的一部分会经由空间向外扩散并进而干扰发送端滤波器的工作，发送端滤波器的射频信号的一部分会经由空间向外扩散并进而干扰接收端滤波器的工作，从而导致声表面波双工器1a的隔离度性能变差。而在图2中的声表面波双工器1b中，闭合围绕整个接收端滤波器金属薄膜图案F1的、且与接地电位电连接的金属屏蔽环7b能够起到屏蔽射频信号的作用，也就是说，接收端滤波器的射频信号更少的扩散到空中并干扰发送端滤波器，发送端滤波器的扩散到空中的射频信号也更不容易穿过金属屏蔽环7b并干扰接收端滤波器。

在本实施例中，所述金属屏蔽环7b闭合围绕了整个接收端滤波器金属薄膜图案F1。但作为一种补充方案，所述金属屏蔽环7b也可以非闭合地围绕接收端滤波器金属薄膜图案F1，甚至是所述金属屏蔽环7b只围绕接收端滤波器金属薄膜图案F1的一部分。更进一步地，可以将非闭合区域设在原本所述接收端滤波器金属薄膜图案F1中的不与接地电位等电位的金属薄膜导线与所述金属屏蔽环7b金属导线出现相互交叉和搭接的区域，这个可以免掉在该区域设置绝缘膜9b的步骤，且能实现在一次MEMS工艺中完成接收端滤波器金属薄膜图案F1和金属屏蔽环7b的制造，获得更低的器件生产成本。

在本实施例中，所述金属屏蔽环7b是直接制作在压电基底2上的，但作为一种补充方案，所述金属屏蔽环7b也可以不与压电基底2直接接触，即在金属屏蔽环7b和压电基底2之间还有其他层结构。

第二实施例

图4示出了本申请第二实施例的声表面波双工器1c的俯视图，该声表面波双工器1c包括压电基底2和位于压电基底2上的金属薄膜图案。

详细地，金属薄膜图案包括天线端子3，接收端子4，发送端子5，接地端子一6a、接地端子二6b、接地端子三6c、接地端子四6d和接地端子五6e，连接在天线端子3与接收端子4之间的、且与接地端子一6a和接地端子二6b电连接的接收端滤波器金属薄膜图案F1(点线框内其余图形)，连接在天线端子3与发送端子5之间的、且与接地端子三6c、接地端子四6d和接地端子五6e电连接的发送端滤波器金属薄膜图案F2(点线框内其余图形)。接收端滤波器金属薄膜图案F1和发送端滤波器金属薄膜图案F2均分别包括电连接的多个声表面波谐振器金属薄膜图案S，多个声表面波谐振器金属薄膜图案S经由金属薄膜导线以串联方式或并联方式电连接。接地端子一6a、接地端子二6b、接地端子三6c、接地端子四6d和接地端子五6e均电连接到声表面波双工器1c的接地电位。

值得说明的是，请参阅图4，与声表面波双工器1a不同的设置在于，声表面波双工器1c中还具有位于压电基底2上方的一个金属屏蔽环7c(图4中黑色块图案)。金属屏蔽环7c为具有一定投影图案的金属薄膜，从图4的俯视图视角可以看出，金属屏蔽环7c闭合围绕了整个发送端滤波器金属薄膜图案F2。金属屏蔽环7c上设有金属薄膜接地端子六8c，金属屏蔽环7c通过接地端子六8c电连接到声表面波双工器1c的接地电位。

需要注意的是，发送端滤波器金属薄膜图案F2中的金属薄膜导线中的其中一部分是与接地电位等电位的，另一部分是不与接地电位等电位的。而金属屏蔽环7c由于电连接到接地电位，所以金属屏蔽环7c与接地电位是等电位的。因此，当发送端滤波器金属薄膜图案F2中的不与接地电位等电位的金属薄膜导线与金属屏蔽环7c金属导线出现相互交叉和搭接的情况时，应在交叉和搭接区域设置绝缘材料结构，以避免这两种导线直接电连接。在本实施例中，设置如图4所示的绝缘膜9c(图中虚线框区域)作为这种绝缘材料结构。更具体地，绝缘膜9c是一块绝缘材料薄膜如二氧化硅、环氧树脂或氮化硅薄膜。绝缘膜9c位于发送端滤波器金属薄膜图案F2的上方、位于金属屏蔽环7c的下方，且在图4的俯视图视角中可以看出，绝缘膜9c的投影面积大于发送端滤波器金属薄膜图案F2中的不与接地电位等电位的金属薄膜导线与金属屏蔽环7c金属导线出现相互交叉和搭接区域的面积。

图5示出了图1中的声表面波双工器1a和图4中的声表面波双工器1c的隔离度性能对比图，可以看出，相比于图1中的公知的声表面波双工器1a，图4中的声表面波双工器1c在发送频段和接收频段的隔离特性都有明显的提升。这是因为，在图1中的声表面波双工器1a中，接收端滤波器和发送端滤波器都会产生射频信号，接收端滤波器的射频信号的一部分会经由空间向外扩散并进而干扰发送端滤波器的工作，发送端滤波器的射频信号的一部分会经由空间向外扩散并进而干扰接收端滤波器的工作，从而导致声表面波双工器1a的隔离度性能变差。而在图4中的声表面波双工器1c中，闭合围绕整个发送端滤波器金属薄膜图案F2的、且与接地电位电连接的金属屏蔽环7c能够起到屏蔽射频信号的作用，也就是说，发送端滤波器的射频信号更少的扩散到空中并干扰接收端滤波器，接收端滤波器的扩散到空中的射频信号更不容易穿过金属屏蔽环7c并干扰发送端滤波器。

在本实施例中，所述金属屏蔽环7c闭合围绕了整个发送端滤波器金属薄膜图案F2。但作为一种补充方案，所述金属屏蔽环7c也可以非闭合地围绕发送端滤波器金属薄膜图案F2，甚至是所述金属屏蔽环7c只围绕发送端滤波器金属薄膜图案F2的一部分。更进一步地，可以将非闭合区域设在原本所述发送端滤波器金属薄膜图案F2中的不与接地电位等电位的金属薄膜导线与所述金属屏蔽环7c金属导线出现相互交叉和搭接的区域，这个可以免掉在该区域设置绝缘膜9c的步骤，且能实现在一次MEMS工艺中完成发送端滤波器金属薄膜图案F2和金属屏蔽环7c的制造，获得更低的器件生产成本。

在本实施例中，所述金属屏蔽环7c是直接制作在压电基底2上的，但作为一种补充方案，所述金属屏蔽环7c也可以不与压电基底2直接接触，即在金属屏蔽环7c和压电基底2之间还有其他层结构。

第三实施例

图6示出了本申请第三实施例的声表面波双工器1d的俯视图，该声表面波双工器1d包括压电基底2和位于压电基底2上的金属薄膜图案。

具体地，金属薄膜图案包括天线端子3，接收端子4，发送端子5，接地端子一6a、接地端子二6b、接地端子三6c、接地端子四6d和接地端子五6e，连接在天线端子3与接收端子4之间的、且与接地端子一6a和接地端子二6b电连接的接收端滤波器金属薄膜图案F1(点线框内其余图形)，连接在天线端子3与发送端子5之间的、且与接地端子三6c、接地端子四6d和接地端子五6e电连接的发送端滤波器金属薄膜图案F2(点线框内其余图形)。接收端滤波器金属薄膜图案F1和发送端滤波器金属薄膜图案F2都分别包括电连接的多个声表面波谐振器金属薄膜图案S，多个声表面波谐振器金属薄膜图案S经由金属薄膜导线以串联方式或并联方式电连接。接地端子一6a、接地端子二6b、接地端子三6c、接地端子四6d和接地端子五6e均电连接到声表面波双工器1d的接地电位。

值得说明的是，请参阅图6，与声表面波双工器1a不同的设置在于，声表面波双工器1d中还具有位于压电基底2上方的一个金属屏蔽环7d(图6中两个黑色块图案框)。金属屏蔽环7d为一个具有一定投影图案的金属薄膜，从图6的俯视图视角可以看出，金属屏蔽环7d分别闭合围绕了整个接收端滤波器金属薄膜图案F1和整个发送端滤波器金属薄膜图案F2。金属屏蔽环7d上设有金属薄膜接地端子六8d，金属屏蔽环7d通过接地端子六8d电连接到声表面波双工器1d的接地电位。

需要注意的是，接收端滤波器金属薄膜图案F1和发送端滤波器金属薄膜图案F2中的金属薄膜导线中的其中一部分是与接地电位等电位的，另一部分是不与接地电位等电位的。而金属屏蔽环7d由于电连接到接地电位，所以金属屏蔽环7d与接地电位是等电位的。因此，当接收端滤波器金属薄膜图案F1和发送端滤波器金属薄膜图案F2中的不与接地电位等电位的金属薄膜导线与金属屏蔽环7d金属导线出现相互交叉和搭接的情况时，应在交叉和搭接区域设置绝缘材料结构，以避免这两种导线直接电连接。在本实施例中，设置如图6所示的绝缘膜9d(图中虚线框区域)作为这种绝缘材料结构。更具体地，绝缘膜9d是一块绝缘材料薄膜如二氧化硅、环氧树脂或氮化硅薄膜。绝缘膜9d位于接收端滤波器金属薄膜图案F1和发送端滤波器金属薄膜图案F2的上方、位于金属屏蔽环7d的下方，且在图6的俯视图视角中可以看出，绝缘膜9d的投影面积大于接收端滤波器金属薄膜图案F1和发送端滤波器金属薄膜图案F2中的不与接地电位等电位的金属薄膜导线与金属屏蔽环7d金属导线出现相互交叉和搭接区域的面积。

图7示出了图1中的声表面波双工器1a和图6中的声表面波双工器1d的隔离度性能对比图，可以看出，相比于图1中的公知的声表面波双工器1a，图6中的声表面波双工器1d在发送频段和接收频段的隔离特性都有明显的提升。这是因为，在图1中的声表面波双工器1a中，接收端滤波器和发送端滤波器都会产生射频信号，接收端滤波器的射频信号的一部分会经由空间向外扩散并进而干扰发送端滤波器的工作，发送端滤波器的射频信号的一部分会经由空间向外扩散并进而干扰接收端滤波器的工作，从而导致声表面波双工器1a的隔离度性能变差。而在图6中的声表面波双工器1d中，分别闭合围绕整个接收端滤波器金属薄膜图案F1和整个发送端滤波器金属薄膜图案F2的、且与接地电位电连接的金属屏蔽环7d能够起到屏蔽射频信号的作用，也就是说，发送端滤波器的射频信号更少的扩散到空中并干扰接收端滤波器，接收端滤波器的射频信号更少的扩散到空中并干扰发送端滤波器。

在本实施例中，所述金属屏蔽环7d分别闭合围绕整个接收端滤波器金属薄膜图案F1和整个发送端滤波器金属薄膜图案F2。但作为一种补充方案，所述金属屏蔽环7d也可以非闭合地围绕接收端滤波器金属薄膜图案F1和发送端滤波器金属薄膜图案F2，甚至是所述金属屏蔽环7d只围绕接收端滤波器金属薄膜图案F1和发送端滤波器金属薄膜图案F2的一部分。更进一步地，可以将非闭合区域设在原本所述接收端滤波器金属薄膜图案F1和发送端滤波器金属薄膜图案F2中的不与接地电位等电位的金属薄膜导线与所述金属屏蔽环7d金属导线出现相互交叉和搭接的区域，这个可以免掉在该区域设置绝缘膜9d的步骤，且能实现在一次MEMS工艺中完成接收端滤波器金属薄膜图案F1、发送端滤波器金属薄膜图案F2和金属屏蔽环7c的制造，获得更低的器件生产成本。

在本实施例中，所述金属屏蔽环7d是直接制作在压电基底2上的，但作为一种补充方案，所述金属屏蔽环7d也可以不与压电基底2直接接触，即在金属屏蔽环7d和压电基底2之间还有其他层结构。

另外，本申请还提供了一种声表面波多工器，包括压电基底以及位于压电基底上的金属薄膜图案，金属薄膜图案包括天线端子、至少三个独立端子、连接于天线端子与每个独立端子之间的至少三个滤波器金属薄膜图案以及与每个滤波器金属薄膜图案电连接的至少一个接地端子，声表面波多工器还包括：位于压电基底上方的金属屏蔽环，金属屏蔽环围绕至少三个滤波器金属薄膜图案中的至少一个的部分或全部；每个接地端子以及金属屏蔽环均与声表面波多工器的接地电位电连接。

需要说明的是，该声表面波多工器是根据上述声表面波双工器的基础上，对应增加了独立端子、滤波器金属薄膜图案以及接地端子，原理一致，故不做更加详细的阐述。

综上所述，本申请提供的声表面波双工器/多工器，通过在压电基底的上方设置金属屏蔽环，并且将金属屏蔽环围绕至少一个滤波器金属薄膜图案的部分或全部，可以阻碍滤波器之间电磁信号的相互干扰，具有良好的电磁屏蔽性能，兼顾了器件小型化和高隔离度性能。

在本申请公开的实施例中，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语均应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；“相连”可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明公开的实施例中的具体含义。

以上所述仅是本申请的优选实施方式，应当指出：对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种声表面波双工器，包括压电基底以及位于所述压电基底上的金属薄膜图案，所述金属薄膜图案包括天线端子、独立端子一、独立端子二、连接于所述天线端子与所述独立端子一之间的滤波器金属薄膜图案一、连接于所述天线端子与所述独立端子二之间的滤波器金属薄膜图案二、与所述滤波器金属薄膜图案一电连接的至少一个接地端子一以及与所述滤波器金属薄膜图案二电连接的至少一个接地端子二，其特征在于，所述声表面波双工器还包括：

位于所述压电基底上方的金属屏蔽环，所述金属屏蔽环围绕所述滤波器金属薄膜图案一、所述滤波器金属薄膜图案二中的至少一个的部分或全部；

所述接地端子一、所述接地端子二以及所述金属屏蔽环均与所述声表面波双工器的接地电位电连接。

2.根据权利要求1所述的声表面波双工器，其特征在于，所述压电基底为具有压电性的块体材料；

或，所述压电基底由不具有压电性的块体材料以及位于所述块体材料上的具有压电性的薄膜材料组成。

3.根据权利要求1所述的声表面波双工器，其特征在于，所述金属屏蔽环直接接触所述压电基底，且所述金属屏蔽环与所述金属薄膜图案经同一MEMS加工步骤制成；

或，所述金属屏蔽环不直接接触所述压电基底，其与所述压电基底之间具有绝缘层结构。

4.根据权利要求1所述的声表面波双工器，其特征在于，所述金属屏蔽环直接电连接到至少一个所述接地端子一，或至少一个所述接地端子二，或至少一个所述接地端子一与至少一个所述接地端子二的组合；

至少一个所述接地端子一，或至少一个所述接地端子二，或至少一个所述接地端子一与至少一个所述接地端子二的组合与所述声表面波双工器的接地电位电连接。

5.根据权利要求1所述的声表面波双工器，其特征在于，所述金属屏蔽环围绕所述天线端子；

或，所述金属屏蔽环不围绕所述天线端子。

6.一种声表面波多工器，包括压电基底以及位于所述压电基底上的金属薄膜图案，所述金属薄膜图案包括天线端子、至少三个独立端子、连接于所述天线端子与每个所述独立端子之间的至少三个滤波器金属薄膜图案以及与每个所述滤波器金属薄膜图案电连接的至少一个接地端子，其特征在于，所述声表面波多工器还包括：

位于所述压电基底上方的金属屏蔽环，所述金属屏蔽环围绕至少三个所述滤波器金属薄膜图案中的至少一个的部分或全部；

每个所述接地端子以及所述金属屏蔽环均与所述声表面波多工器的接地电位电连接。

7.根据权利要求6所述的声表面波多工器，其特征在于，所述压电基底为具有压电性的块体材料；

或，所述压电基底由不具有压电性的块体材料以及位于所述块体材料上的具有压电性的薄膜材料组成。

8.根据权利要求6所述的声表面波多工器，其特征在于，所述金属屏蔽环直接接触所述压电基底，且所述金属屏蔽环与所述金属薄膜图案经同一MEMS加工步骤制成；

或，所述金属屏蔽环不直接接触所述压电基底，其与所述压电基底之间具有绝缘层结构。

9.根据权利要求6所述的声表面波多工器，其特征在于，所述金属屏蔽环直接电连接到至少一个所述接地端子；

至少一个所述接地端子与所述声表面波多工器的接地电位电连接。

10.根据权利要求6所述的声表面波多工器，其特征在于，所述金属屏蔽环围绕所述天线端子；

或，所述金属屏蔽环不围绕所述天线端子。

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