CN1716766A - 弹性表面波装置及其制造方法与通信装置 - Google Patents

Abstract

在压电基板(2)的与IDT电极形成面相反的另一面中，为了防止弹性表面波元件(1)的制作工序中所产生的热电破坏，而设置导体层(10)。此时，导体层(10)被形成在除了与滤波器区域(9)的输入电极部(5)相面对的区域(5a)及/或输出电极部(6)相面对的区域(6a)之外的区域中。通过这样，能够减小滤波器区域(9)的输入电极部(5)与输出电极部(6)之间所形成的寄生电容所引起的输入电极部(5)与输出电极部(6)之间的耦合量，从而能够改善弹性表面波装置的通过带域外衰减特性。

Description

弹性表面波装置及其制造方法与通信装置

技术领域

本发明涉及一种作为弹性表面波(Surface Acoustic Wave)滤波器等被使用的弹性表面波装置及其制造方法与通信装置。

背景技术

近年来，弹性表面波滤波器应用于各种通信装置。

随着通信装置的高频化、高功能化的发展，越来越要求提高弹性表面波滤波器的带域外的衰减量(attenuation)。

图45中表示了以前的弹性表面波装置的倒装构造的模式剖视图。

图45中，51为压电基板，52为接地焊盘，53为形成在压电基板51上的梳形IDT(Inter Digital Transducer)电极(称作IDT电极)，54为组成在封装(安装用基板)57中的导电图形，55为连接用凸起，59为形成在压电基板51的内侧(与IDT电极的形成面相反的面)上的导体层。

该图的构成中，接地焊盘52以及IDT电极53例如由Al-Cu膜形成，导电图形54与接地焊盘52之间，通过例如由Au形成的凸起55电连接。另外，还经接合层58，对盖体56进行缝焊等存在，通过这样，将封装57密封起来，保持存放弹性表面波元件的内部的气密性。

这样的以前的倒装构造的弹性表面波装置中的带域外衰减量的恶化的主要原因，是例如因弹性表面波元件的接地焊盘52或IDT电极53以及封装57的导电图形54等的电极的电阻增加、寄生电感或浮置电容所引起的输入输出之间的电磁耦合。

下面专门对浮置电容所引起的输入输出之间的电磁耦合进行说明。

弹性表面波元件是使用制作在压电基板上的梳齿状的IDT电极的元件。通常，压电体由于急剧的温度变化而表示出热电性，因此，在压电基板中制作具有IDT电极的元件时，如果经过了温度变化急剧的工序，IDT电极的电极之间就会产生火花，从而破坏元件。因此，为了尽量让压电基板中不积蓄电荷，一般在压电基板的内侧全范围内形成导体层59。

该导体层59，在元件制作工序中能够有效防止热电破坏，但是该导体层59与IDT电极53的输入输出电极部之间产生会电容耦合，导致带域外衰减量的恶化。

下面专门对弹性表面波装置中的分离发送侧频带(例如低频侧频带)的信号，与接收侧频带(例如高频侧频带)的信号的分频器(双工器)，进行详细说明。

该分频器称作弹性表面波分频器(以下记录为SAW-DPX)。

SAW-DPX中，通过将发送侧频带的滤波器(以下称作发送侧滤波器)，与接收侧频带的滤波器(以下称作接收侧滤波器)，形成在同一个压电基板的同一个面上，来实现小型化。

但是，实际上如果在同一个压电基板上形成发送侧滤波器与接收侧滤波器，则成为两个滤波器之间的绝缘特性就会无法满足通信器终端中所要求的标准这样的问题。

该绝缘特性是指从一个滤波器中泄漏到另一个滤波器中的信号的水平。必须将这样的信号泄漏抑制为尽可能小。

特别是，分频器中，如果发送侧所放大的功率很大的发送信号，从发送侧滤波器泄漏到接收侧滤波器中，从而进入接收侧之后，就会无法接收本来功率就很小的接收信号。

因此，分频器所要求的绝缘特性的规范中，要求将信号的泄漏抑制为非常小，该要求与区段间所使用的Dual-SAW滤波器所要求的规范相比，非常严格。

该滤波器间的绝缘特性的恶化原因之一，被认为是弹性波的泄漏。特别是SAW-DPX中，被形成发送侧滤波器的IDT电极所激励的弹性波，无法被充分限制在该IDT电极中，从发送侧滤波器的IDT电极所泄漏的弹性波被传送到压电基板的表面，并被形成接收侧滤波器的IDT电极所接收，通过这样，信号从发送侧滤波器泄漏到接收侧滤波器，绝缘特性恶化(Akinori Miyamoto，Shin-ichi Wakana，and Akio Ito，Fujitsu LaboratoriesLimited，“Novel optical observation technique for shear horizontal wave inSAW resonators on 42°YX-cut lithium tantalate”2002 IEEEULTRASONICS SYSPOSIUM-89)。

具体的说，由于发送侧滤波器的IDT电极的弹性表面波的传送线路，与接收侧滤波器的IDT电极的弹性表面波的传送线路，被设置为重叠在同一个直线上，因此，产生从发送侧滤波器的IDT电极向接收侧滤波器的IDT电极的弹性表面波的泄漏，从而使得绝缘特性恶化。

因此，有人尝试通过将形成在同一个压电基板上的发送侧滤波器与接收侧滤波器，分别形成在不同的压电基板上从而截断，来切断弹性表面波的泄漏的传送，改善绝缘特性。

但是，这样的尝试虽然确实改善了绝缘特性，但由于原来一体形成的发送侧滤波器与接收侧滤波器，截断形成在不同的压电基板上，因此，在将发送侧滤波器与接收侧滤波器安装在安装用基板中的情况下，用作分频器的区域所占据的面积，与发送侧滤波器以及接收侧滤波器一体形成在同一个压电基板中的情况相比较大，因此无法符合小型化的要求。

因此，有人考虑将发送侧滤波器以及接收侧滤波器的IDT电极的弹性表面波的传送线路设置为平行，使得两个IDT电极的弹性表面波的传送线路不会重叠。并认为不将发送侧滤波器与接收侧滤波器，截断在不同的压电基板上，而是形成在同一个压电基板上，一定能够得到一种实现了小型化，且改善了绝缘特性的小型的SAW-DPX。

但是，本发明人进行了详细的实验，但并没有改善绝缘特性。这表面绝缘特性恶化的原因并不仅是弹性表面波的泄漏。

本发明人发现，上述内侧导体层59，虽然在元件制作工序中能够有效防止热电破坏，但有害于弹性表面波元件的绝缘特性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种在将弹性表面波元件倒装在安装用基板上的弹性表面波装置中，能够提高滤波器的带域外衰减量、可靠性优秀的弹性表面波装置，以及使用该弹性表面波装置的通信装置。

本发明的目的还在于提供一种在同一个压电基板中形成发送滤波器与接收侧滤波器，小型且具有优秀的绝缘特性的弹性表面波装置，以及使用该弹性表面波装置的通信装置。

本发明的弹性表面波装置，将形成有滤波器区域的压电基板的主面，安装(mount)在安装用基板上，在上述压电基板的主面的上述滤波器区域中，形成有IDT电极与输入电极部以及输出电极部，上述压电基板的与上述主面相反的另一面中，部分地形成有导体层。

该另一面中没有形成导体层的区域称作“未形成导体区域”。

通过以上的构成，即使将压电基板的IDT电极形成面与安装用基板的主面相面对进行安装(倒装安装)，滤波器的输入电极部与输出电极部之间，也很难经另一面的导体层产生电容耦合，从而能够得到一种小型而通过带域外衰减量的恶化较小的弹性表面波装置。

特别是，由于近年来对部件的小型化·低高度化的要求，对于弹性表面波装置也要求压电基板的厚度较薄。如果压电基板的厚度较薄，压电基板的主面的电极与另一面的导体层之间的电容就变大，因此，通过带域外衰减量的恶化会进一步加重，与此相对，通过形成一部分中具有未形成导体区域的导体层，能够得到一种较薄且具有良好的通过带域外衰减特性的弹性表面波装置。

并且，由于弹性表面波装置的制作工序中，存在压电基板的另一面的导体层，因此能够防止弹性表面波元件的热电破坏。

作为优选方式，上述导体层，在除了上述压电基板的另一面的与上述输入电极部相面对的区域，及/或与上述输出电极部相面对的区域之外，在上述压电基板的另一面中形成。

通过该构成，由于滤波器的输入电极部以及输出电极部之间所形成的寄生电容，能够在各个输入输出电极之间分离，因此，与以前那样的在另一面的全范围内形成导体层的情况相比，能够大幅降低电容耦合量，因此，能够增大·改善该寄生电容所引起的通过带域外衰减特性。

作为优选方式，上述导体层，在除了与上述压电基板的另一面的与从上述输入电极部到上述IDT电极之间直流连接的部分相面对的区域，及/或与从上述输出电极部到上述IDT电极之间直流连接的部分相面对的区域之外，在上述压电基板的另一面中形成。

这种情况下，由于能够降低因从输入电极部到IDT电极之间直流连接的部分，以及从输出电极部到IDT电极之间直流连接的部分所形成的寄生电容而引起的输入输出电极间的耦合量，因此，能够抑制该寄生电容所引起的通过带域外衰减特性的恶化，从而能够进一步增大通过带域外衰减量。

作为优选方式，上述导体层，形成在上述压电基板的另一面中，除了与上述滤波器区域相面对的区域之外。

这种情况下，由于能够进一步降低因连接形成滤波器的多个IDT电极的连接电极或IDT电极与输入输出电极部之间所形成的寄生电容而引起的耦合量，因此，能够抑制该寄生电容所引起的通过带域外衰减特性的恶化，从而能够进一步增大通过带域外衰减量。

作为优选方式，上述导体层，在上述压电基板的另一面的与上述输入电极部相面对的区域，及/或与上述输出电极部相面对的区域中，具有与其他区域分离(isolate)的分离部。

通过该构成，由于滤波器的输入电极部以及输出电极部之间所形成的寄生电容，能够通过上述分离部进行分离，因此，与以前那样的在另一面的全范围内形成导体层的情况相比，能够大幅降低输入输出电极间的寄生电容所引起的耦合量。因此，能够增大·改善该寄生电容所引起的通过带域外衰减特性。从而能够抑制该寄生电容所引起的通过带域外衰减特性的恶化，能够进一步增大通过带域外衰减量。

作为优选方式，上述导体层，在上述压电基板的另一面的与从上述输入电极部到上述IDT电极之间直流连接的部分相面对的区域，及/或与从上述输出电极部到上述IDT电极直流连接的部分相面对的区域中，具有与其他区域分离的分离部。这种情况下，由于能够降低因从输入电极部到IDT电极之间直流连接的部分，以及从输出电极部到IDT电极之间直流连接的部分所形成的寄生电容而引起的输入输出电极间的耦合量，因此，能够抑制该寄生电容所引起的通过带域外衰减特性的恶化，从而能够进一步增大通过带域衰减量。

作为优选方式，上述导体层，在上述压电基板的另一面中，分散有多个未形成导体区域而形成。

该构成中，由于能够让滤波器的输入电极部以及输出电极部之间所形成的寄生电容，与以前那样的在另一面的全范围内形成导体层的情况相比较小，因此，能够将该寄生电容所引起的通过带域外衰减特性的恶化减少对应于上述另一面的导体层的面积变小程度的量，从而能够增大通过带域外衰减量。

作为优选方式，上述压电基板的另一面的与上述输入电极部相面对的区域，及/或与上述输出电极部相面对的区域中，上述未形成导体区域所占面积的比例比其他区域大。通过该构成，由于输入电极部与输出电极部的至少一方所面对的区域中，导体层所占面积的比例比另一区域大，因此，能够进一步降低滤波器区域的输入电极部以及输出电极部之间的耦合量，进一步改善通过带域外衰减特性。

作为优选方式，上述压电基板的另一面的与从上述输入电极部到上述IDT电极之间直流连接的部分相面对的区域，及/或与从上述输出电极部到上述IDT电极之间直流连接的部分相面对的区域中，上述未形成导体区域所占面积的比例比其他区域大。

这种情况下，由于能够进一步降低滤波器区域的输入电极部以及输出电极部之间的寄生量，从而进一步改善通过带域外衰减特性。

本发明的弹性表面波装置中，上述滤波器区域由发送侧滤波器区域以及接收侧滤波器区域构成。可以适用于分离发送侧频带信号与接收侧频带信号的分频器(双工器)。

分频器中的绝缘特性的恶化的原因，是形成在压电基板的主面中的发送侧滤波器(例如低频侧滤波器)的输入电极与接收侧滤波器(例如高频侧滤波器)的输出电极之间，经通常形成在压电基板的另一面的全范围中的内侧导体层而电容耦合。

使用模拟结果以及模拟中所使用的电路的示意图，对将本发明用作分频器的情况下的效果进行说明。

图35(a)为说明没有寄生电容的情况下的通信装置的电路图，图35(b)为说明绝缘特性的例子的曲线图，图35(c)为有内侧导体所产生的寄生电容C的情况下的通信装置的电路图，图35(d)为说明绝缘特性的例子的曲线图。

图35(c)所示的寄生电容C，为发送侧滤波器的输入电极部与接收侧滤波器的输出电极部之间所存在的寄生电容，为50fF左右(飞＝10^-15)的非常小的寄生电容。

通过图35(b)与图35(d)的比较可以得知，869MHz至894MHz之间的信号强度，在存在这样的寄生电容C的情况下如图35(d)所示，为-30dB～-40dB，在没有寄生电容的情况下，如图35(b)所示，为-50dB以下，可以得出结论，通过没有寄生电容能够大幅改善绝缘特性。

这样的50fF左右的寄生电容，例如在压电基板使用厚度为250μm的钽酸锂单晶体基板的情况下，将比介电率作为42.7进行计算，相当于在压电基板的外侧与内侧中，一边约为180μm的正方形的电极相面对的情况下所形成的电容。通常，由于弹性表面波滤波器的输入输出电极部的面积在这个程度，因此可以说模拟中作为寄生电容C所插入的值是恰当地反映了现实的值。

另外，对绝缘特性影响最大的，是这里所说明的发送侧滤波器的输入电极部与接收侧滤波器的输出电极部之间的寄生电容C，但连接各个滤波器的IDT电极的连接电极与各个滤波器的输入输出电极部之间也存在寄生电容，一方的滤波器的连接IDT电极的连接电极与另一方的滤波器的连接IDT电极的连接电极之间也存在寄生电容。这些寄生电容也同样让绝缘特性恶化。

这里，通过本发明，形成具有本发明未形成导体区域的导体层，能够改善发送侧滤波器与接收侧滤波器之间的绝缘特性，从而能够在同一个压电基板中形成发送侧滤波器与接收侧滤波器。

通过这样，与发送侧滤波器以及接收侧滤波器在不同的压电基板中制作的情况相比，能够制作出更小型的SAW-DPX。由于发送侧滤波器的输入电极与接收侧滤波器的输出电极之间，经另一面的导体层的电容耦合变少，因此，能够得到一种作为小型的SAW-DPX而绝缘特性不会恶化的弹性表面波装置，并且，还能够防止制作工序中的弹性表面波元件的热电破坏。

作为优选方式，上述导体层，形成在上述压电基板的另一面中，除了上述压电基板的另一面的、与发送侧滤波器区域的上述输入电极部相面对的区域，及/或与上述接收侧滤波器区域的上述输出电极部相面对的区域之外。

通过该构成，由于滤波器的输入电极部以及输出电极部之间所形成的寄生电容，与以前那样的在全范围内形成导体层的情况相比，能够大幅减小，因此能够抑制该寄生电容所引起的信号回流，从而能够改善绝缘特性特性。

作为优选方式，上述导体层，形成在上述压电基板的另一面中，除了与从发送侧滤波器区域的上述输入电极部到上述IDT电极之间直流连接的部分相面对的区域，及/或与从上述接收侧滤波器区域的上述输出电极部到上述IDT电极之间直流连接的部分相面对的区域之外。通过该构成，由于能够降低因从发送侧滤波器区域的输入电极部到IDT电极之间直流连接的部分，及/或从接收侧滤波器区域的输出电极部到IDT电极之间直流连接的部分所形成的寄生电容。因此，能够进一步改善绝缘特性。

作为优选方式，上述导体层，形成在上述压电基板的另一面中，除了与上述发送侧滤波器区域相面对的区域，及/或与上述接收侧滤波器区域相面对的区域之外。此时，能够更加可靠地全部降低多个IDT电极，或连接IDT电极的连接电极与输入输出电极之间所形成的寄生电容，因此能够进一步改善绝缘特性。

作为优选方式，上述导体层，在上述压电基板的另一面的与上述发送侧滤波器区域的上述输入电极部相面对的区域，及/或与上述接收侧滤波器区域的上述输出电极部相面对的区域中，具有与其他区域分离的分离部。

通过该构成，由于发送侧滤波器的输入电极部以及接收侧滤波器的输出电极部之间所形成的寄生电容，能够通过上述分离部进行分离，因此，与以前那样的在另一面的全范围内形成导体层的情况相比，能够大幅降低耦合量。因此，能够抑制该寄生电容所引起的绝缘特性的恶化，改善绝缘特性。

作为优选方式，上述导体层，在上述压电基板的另一面的与从上述发送侧滤波器区域的上述输入电极部到上述IDT电极之间直流连接的部分相面对的区域，及/或与从上述接收侧滤波器区域的上述输出电极部到上述IDT电极之间直流连接的部分相面对的区域中，具有与其他区域分离的分离部。

通过该构成，能够降低从发送侧滤波器区域的输入电极部到IDT电极之间直流连接的部分，以及从接收侧滤波器区域的输出电极部到上IDT电极之间直流连接的部分所形成的寄生电容所引起的耦合量，因此，能够抑制该寄生电容所引起的绝缘特性的恶化。

作为优选方式，上述导体层，在上述压电基板的另一面的与上述发送侧滤波器区域相面对的区域，及/或与上述接收侧滤波器区域相面对的区域中，具有与其他区域分离的分离部。

通过该弹性表面波装置，能够进一步降低连接形成滤波器的多个IDT电极的连接电极或IDT电极自身与输入输出电极之间所形成的寄生电容所引起的各个滤波器之间的寄生电容所产生的耦合量，因此，能够抑制该寄生电容所引起的绝缘特性的恶化。

作为优选方式，上述导体层，将上述压电基板的另一面的与上述发送侧滤波器区域相面对的区域，以及与上述接收侧滤波器区域相面对的区域互相分离而形成。

通过该弹性表面波装置，能够进一步降低连接形成各个滤波器的多个IDT电极的连接电极或IDT电极自身与输入输出电极之间所形成的寄生电容所引起的各个滤波器之间的寄生电容所产生的耦合量，因此，能够抑制该寄生电容所引起的绝缘特性的恶化。

作为优选方式，上述导体层，在上述压电基板的另一面的与上述发送侧滤波器区域相面对的区域，及/或与上述接收侧滤波器区域相面对的区域中，将与发送侧滤波器区域的上述输入电极部相面对的区域，以及与接收侧滤波器区域的上述输出电极部相面对的区域互相分离而形成。

该构成中，由于将形成各个滤波器的输入电极部所对应的另一面的导体层，与对应于输出电极部的另一面的导体层分离而形成，因此，能够抑制经形成滤波器的输入电极部与输出电极部之间的寄生电容所产生的耦合，从而能够改善各个滤波器的通过带域附近的衰减特性。通过这样，能够改善各个滤波器之间的绝缘特性。

作为优选方式，上述导体层，在上述压电基板的另一面中，分散有多个未形成导体区域而形成。

根据本发明的弹性表面波装置，由于压电基板的另一面中所形成的导体层中，分散有多个未形成导体区域，因此能够让发送侧滤波器区域的输入电极部以及接收侧滤波器区域的输出电极部之间所形成的寄生电容，与以前那样的在另一面的全范围内形成导体层的情况相比较小，因此，能够将该寄生电容所引起的绝缘特性的恶化减少对应于上述另一面的导体层的面积变小程度的量，从而能够改善绝缘特性。

作为优选方式，上述压电基板的另一面的与上述发送侧滤波器区域的上述输入电极部相面对的区域，及/或与上述接收侧滤波器区域的上述输出电极部相面对的区域中，上述未形成导体区域所占面积的比例比其他区域大。

通过该构成，能够进一步减小发送侧滤波器区域的输入电极部以及接收侧滤波器区域的输出电极部之间所形成的寄生电容，因此能够进一步改善绝缘特性。

作为优选方式，上述压电基板的另一面的与从上述发送侧滤波器区域的上述输入电极部到上述IDT电极之间直流连接的部分相面对的区域，及/或与从上述接收侧滤波器区域的上述输出电极部到上述IDT电极之间直流连接的部分相面对的区域中，上述未形成导体区域所占面积的比例比其他区域大。

这种情况下，也能够进一步减小发送侧滤波器区域的输入电极部以及接收侧滤波器区域的输出电极部之间所形成的寄生电容，因此能够进一步改善绝缘特性。

在上述压电基板的另一面的上述未形成导体区域的表面粗糙度，比形成有上述导体层的区域的表面粗糙度大的情况下，能够降低通过带域外衰减特性的恶化中的，因脉冲波的传送所恶化的部分，因此，能够大幅改善通过带域外衰减特性。

通过带域外衰减量，因输入输出电极间的电容耦合而恶化，同时，IDT电极中变成了无法变换成弹性表面波的脉冲波的声波(acoustic wave)，在压电基板内部传送，被压电基板的另一面的表面以及弹性表面波元件的端面所反射，再次与滤波器区域中所形成的IDT电极接合，也引起通过带域外衰减量恶化。

该脉冲波的传送所引起的恶化程度，比寄生电容所引起的影响小，但是，为了完全满足通过带域外衰减特性所需要的严格的要求，最好对脉冲波所引起的恶化也进行控制。

因此，通过让压电基板的另一面的去除了导体层的部位的另一面的表面粗糙度，比形成有导体层的区域的另一面的表面粗糙度大，能够通过部分粗糙的压电基板的另一面来散射脉冲波，因此，能够让IDT电极所产生的脉冲波，不会再次与形成在滤波器区域中的IDT电极充分耦合，从而能够进一步改善通过带域外衰减特性。

在上述压电基板的主面中，形成有包围上述滤波器区域的环状电极，该环状电极与上述安装用基板上所形成的安装基板侧环状导体相接合的情况下，通过将这些环状电极与安装基板侧环状电极导体接合起来，能够将弹性表面波元件牢固地，且在将IDT电极与输入电极部以及输出电极部气密封起来的状态下，安装在安装用基板上，如下所述，在安装用基板上安装了弹性表面波元件之后，对压电基板的另一面的导体层进行加工时，能够不给形成在压电基板的主面中的IDT电极带来损害而进行加工。

另外，该环状电极的形状，既可以将发送侧滤波器区域以及接收侧滤波器区域分别包围起来，又可以一起包围起来。

在上述IDT电极经阻抗体与上述环状电极电连接，该环状电极处于接地电位的情况下，IDT电极变为直流接地电位，而在弹性表面波装置所使用的频带中，可以看作几乎与接地电位绝缘的状态，因此，能够防止在IDT电极中积蓄电荷，而不会给滤波器的带通特性带来影响。因此，即使压电基板的另一面的全范围内没有导体层，也能够可靠地防止弹性表面波装置的热电破坏。

作为优选方式，上述压电基板，由氧元素的含有量比化学计量比组成少的钽酸锂单晶体、铌酸锂单晶体或四硼酸锂单晶体构成。这种情况下的压电基板，与将IDT电极与环状电极电连接起来的阻抗一样，在直流中可以看作导体，而在弹性表面波装置所使用的频带中，几乎可以看作绝缘体。因此，通过将其用作弹性表面波装置的基板中使用这些材料，能够防止在IDT电极中积蓄电荷，而不会给滤波器的带通特性带来影响。因此，即使压电基板的另一面的全范围内没有导体层，也能够良好地防止弹性表面波装置的热电破坏。并且，不会为了防止热电破坏，而增加弹性表面波装置的制造工艺中的工序数。

作为优选方式，上述压电基板为压电材料的双层重叠，上述主面侧由压电材料形成，上述另一面侧由介电率比上述压电材料小的材料形成。

在压电基板的主面侧由压电材料形成，另一面侧由介电率比该压电材料小的电介质材料形成的情况下，能够让滤波器的输入电极部与输出电极部之间的实效介电率较小，通过这样也能够降低寄生电容(相当于减小形成寄生电容的电极间的介电率)。

因此，能够进一步改善通过带域外衰减特性。特别是，如果该压电材料使用上氧元素的含有量比化学计量比组成少的钽酸锂单晶体、铌酸锂单晶体或四硼酸锂单晶体，就能够同时得到良好地防止热电破坏的效果，以及缩小实效介电率的效果。

为了制作如上所述的本发明的弹性表面波装置，下述的本发明的弹性表面波装置的制造方法非常理想。

本发明的弹性表面波装置的制造方法，包括：在压电基板的主面形成电极层的电极层形成工序；以及对上述主面的上述电极层进行图形形成，形成具有IDT电极与输入电极部以及输出电极部的滤波器区域的电极图形形成工序；以及让分离上述压电基板，得到多个弹性表面波元件的工序，将上述弹性表面波元件，在安装基板上与上述压电基板的主面相面对进行安装的安装工序中，任一方先进行，另一方后进行的工序，设有在上述压电基板的另一面中，部分形成导体层的部分导体层形成工序。

通过该制造方法，对一体形成有多个弹性表面波元件的压电基板，一并进行对另一面中的导体层的处理，因此效率很高。

作为优选方式，上述部分导体层形成工序包括：在上述电极层形成工序之前，或上述电极层形成工序与上述电极图形形成工序之间，或电极图形形成工序与上述分离工序或安装工序之间，在上述压电基板的另一面形成导体层的导体层形成工序；以及在上述导体层形成工序之后，将上述另一面中所形成的上述导体层的相当于上述未形成导体区域的部分去除的去除工序。

对一体形成有多个弹性表面波元件的压电基板，一并进行对另一面中的导体层的处理，因此效率很高。

作为优选方式，上述部分导体层形成工序，预先设定不形成导体层的未形成导体区域，在该区域之外形成导体层。

作为优选方式，上述去除工序中，在为了分离上述另一面中所形成的上述导体层而进行部分去除时，让所去除的部分的上述另一面的表面粗糙度，比没有去除的区域的上述另一面的表面粗糙度大。

通过该方法，能够有效地抑制脉冲波的传送所引起的通过带域外衰减特性的恶化，而不会加大损害越来越薄的压电基板的危险性。另外，由于能够和对寄生电容所引起的通过带域外衰减特性的恶化的解决方法同时进行，因此很有效率。

本发明的通信装置，至少具备具有上述弹性表面波装置的接收电路与发送电路中的任一方。根据本发明的通信装置，通过在通信装置中使用上述的本发明的弹性表面波装置，能够满足以前所要求的严格的通过带域外衰减量，另外既是具有良好的通过带域外衰减特性的弹性表面波装置，又非常小，因此，其他部件的安装面积可以较大，从而能够扩展部件的选择范围，实现高功能的通信装置。

另外，本发明的通信装置，将上述弹性表面波装置用作分频器。通过将上述的本发明的弹性表面波装置用作分频器，能够满足对分频器的严格的绝缘特性要求，另外，弹性表面波装置既是具有良好的绝缘特性的分频器，又非常小，因此，其他部件的安装面积可以较大，从而能够扩展部件的选择范围，实现高功能的通信装置。

本发明的上述的以及其他的优点、特征以及效果，通过对照附图所进行的实施方式的说明，能够更加明确。

附图说明

图1为说明形成有作为本发明的弹性表面波装置的构成要素的弹性表面波元件的压电基板的主面的俯视图。

图2为说明形成有发送用滤波器与接收用滤波器的弹性表面波元件的主面的俯视图。

图3为说明另一个弹性表面波元件的压电基板的主面的俯视图。

图4为说明再另一个弹性表面波元件的压电基板的主面的俯视图。

图5为说明除了面对滤波器的输入电极部5的区域，与面对输出电极部6的区域之外，弹性表面波元件的另一面上所形成的导体层图形的一例俯视图。

图6为说明弹性表面波元件的另一面上所形成的导体层的另一个图形的一例俯视图。

图7为说明弹性表面波元件的另一面上所形成的导体层的另一个图形的一例俯视图。

图8为说明弹性表面波元件的另一面上所形成的导体层的另一个图形的一例俯视图。

图9为说明压电基板中形成有发送用滤波器与接收用滤波器的弹性表面波元件的另一面上所形成的导体层图形的俯视图。

图10为说明导体层的另一个图形的俯视图。

图11为说明导体层的再另一个图形的俯视图。

图12为说明导体层的再另一个图形的俯视图。

图13为说明导体层的再另一个图形的俯视图。

图14为说明面对输入电极部5的区域，和面对输出电极部6的区域中形成有分离区域的导体层图形的俯视图。

图15为说明导体层的另一个图形的俯视图。

图16为说明导体层的再另一个图形的俯视图。

图17为说明形成有发送用滤波器与接收用滤波器的弹性表面波元件的另一面中，面对接收用滤波器的输出电极部6j的区域，与面对发送用滤波器的输入电极部5i的区域中形成有分离区域的导体层图形的俯视图。

图18为说明导体层的另一个图形的俯视图。

图19为说明导体层的再另一个图形的俯视图。

图20为说明导体层的再另一个图形的俯视图。

图21为说明压电基板的面对发送侧滤波器区域的区域，与面对接收侧滤波器区域的区域互相分离的导体层图形的俯视图。

图22为说明导体层的再另一个图形的俯视图。

图23为说明分散有多个未形成导体区域的导体层图形的例子的俯视图。

图24为导体层图形的另一例的俯视图。

图25为说明在面对输入电极部5的区域，与面对输出电极部6的区域这两者中，增大了未形成导体区域所占面积的比例的导体层图形的例子的俯视图。

图26为说明导体层的另一个例的俯视图。

图27为说明导体层的另一个例的俯视图。

图28为说明形成有发送用滤波器与接收用滤波器的弹性表面波元件的另一面中，分散有多个未形成导体区域的导体层图形的例子的俯视图。

图29为说明导体层的另一个图形的俯视图。

图30为说明在面对输入电极部5的区域，与面对输出电极部6的区域这两者中，增大了未形成导体区域所占面积的比例的导体层图形的例子的俯视图。

图31为说明导体层的另一个例的俯视图。

图32为说明导体层的另一个例的俯视图。

图33(a)～图33(j)分别为说明本发明的每一个弹性表面波装置的制造方法的工序的剖视图。

图34(a)～图34(i)分别为说明本发明的每一个弹性表面波装置的另一种制造方法的工序的剖视图。

图35(a)为没有寄生电容的情况下的通信装置的电路图。

图35(b)为说明没有寄生电容的情况下的绝缘特性的例子的曲线图。

图35(c)为有寄生电容C的情况下的通信装置的电路图。

图35(d)为说明有寄生电容C的情况下的绝缘特性的例子的曲线图。

图36为说明将本发明的弹性表面波装置1，用于将区段间Rx滤波器与具有让本地信号的频带通过的特性的滤波器集成起来所得到的分频器的一例电路图。

图37为说明使用WLP(Wafer-Level-Packaging)技术所制作的弹性表面波元件的一例剖视图。

图38为说明本发明的实施例1中所制作的弹性表面波装置的带域通过特性的曲线图。

图39为说明本发明的实施例2中所制作的弹性表面波装置的绝缘特性的曲线图。

图40为说明本发明的实施例3中所制作的弹性表面波装置的带域通过特性的曲线图。

图41为说明本发明的实施例4中所制作的弹性表面波装置的绝缘特性的曲线图。

图42为说明本发明的实施例5中所制作的弹性表面波装置的带域通过特性的曲线图。

图43为说明本发明的实施例6中所制作的弹性表面波装置的绝缘特性的曲线图。

图44(a)～图44(c)为说明将另一面的导体层机械除去之后的弹性表面波装置的绝缘特性的曲线图。

图45为模式地说明以前的弹性表面波装置的安装构造的剖视图。

具体实施方式

<弹性表面波元件>

图1为说明形成有作为本发明的弹性表面波装置的构成要素的弹性表面波元件的压电基板的主面的俯视图。

如图1所示，压电基板2的IDT电极形成面(称作主面)上，形成有滤波器区域9。滤波器区域9中，形成有构成梯子式滤波器的多个IDT电极3、将它们连接起来的连接电极4、为了连接弹性表面波元件1与安装用基板(图中未表示)而与IDT电极3电连接的输入电极部5与输出电极部6。

7为将上述IDT电极3、连接电极4、输入电极部5、输出电极部6以及接地电极8(以下称作“IDT电极等”)包围起来而形成的四边框状的环状电极。8表示接地电极。接地电极8与环状电极7相连接。

环状电极7使用焊锡等与安装用基板的安装基板侧环状导体相连接，具有作为弹性表面波滤波器的接地电极的功能，同时还具有将压电基板2与安装用基板之间的空间密封起来的作用。

该弹性表面波元件1中，压电基板2的与形成有IDT电极等的面相反的面(称作另一面)中，形成有具有一部分未形成导体区域的导体层。通过这样，能够降低滤波器区域9的输入电极部5以及滤波器区域9的输出电极部6，经与导体层之间所产生的寄生电容而电容耦合，因此能够改善弹性表面波元件1的通过带域外衰减特性。

本例中，将环状电极7用作弹性表面波元件1的接地电极，但也可以不将环状电极7用作接地电极，让弹性表面波元件1的接地电极8与安装用基板的接地电极直接连接。

通过将以上所说明的压电基板2的主面，与安装用基板的上表面相面对而进行安装，构成弹性表面波装置。

图2为说明通过本发明所制作的另一个弹性表面波元件的主面的俯视图。

该弹性表面波元件，是使用两个梯子式弹性表面波元件构成双工器的例子。滤波器区域形成有两个，分别构成发送用滤波器与接收用滤波器。

如图2所示，压电基板2上形成有发送侧滤波器区域12以及接收侧滤波器区域13。发送侧滤波器区域12中，形成有构成IDT电极的多个IDT电极3以及将它们连接起来的连接电极4，与为了连接弹性表面波元件1与安装用基板(图中未表示)而与IDT电极3电连接的输入电极部5i与输出电极部6i。

同样，接收侧滤波器区域13中，形成有构成IDT电极的多个IDT电极3以及将它们连接起来的连接电极4，与为了连接弹性表面波元件1与安装用基板而与IDT电极3电连接的输入电极部5j与输出电极部6j。

之后，形成将发送侧滤波器区域12与接收侧滤波器区域13分别包围起来的环状电极7，环状电极7使用焊锡等与对应于该环状电极而形成的安装基板侧环状导体相连接

本例中，环状电极7一体形成为将发送侧滤波器区域12与接收侧滤波器区域13分别包围起来，具有作为接收侧滤波器区域13的接收侧滤波器的接地电极的功能，同时还具有在压电基板2与安装用基板之间，将发送侧滤波器区域12与接收侧滤波器区域13分别密封起来的作用。

该弹性表面波元件1中，压电基板2的与形成有IDT电极等的面相反的面(称作另一面)中，形成有具有一部分未形成导体区域的导体层。通过这样，能够降低发送侧滤波器区域12的输入电极部5i以及接收侧滤波器区域13的输出电极部6j，经与导体层之间所产生的寄生电容而电容耦合，因此能够改善弹性表面波元件1的通过带域外衰减特性。

另外，本例中，发送侧滤波器的接地电极11，不在压电基板2上与环状电极7相连接。发送侧滤波器区域12的发送侧滤波器的接地，是通过使用焊锡等将接地电极11与安装用基板的接地电极连接起来而进行的。特别是，在发送侧滤波器的通过带域，位于比接收侧滤波器的通过带域低频侧时，如图2所示，发送侧滤波器的接地电极11不和环状电极7相连接的构成，在发送侧滤波器的通过带域中的与高频侧的接收侧滤波器的通过带域相当的频率下，能够得到高衰减量，是很理想的。

但是，反之，也可以将环状电极7用作发送侧滤波器的接地电极，接收侧滤波器与安装用基板的接地电极直接连接。另外，接收侧滤波器中也可以与发送侧滤波器一样，也可以不将环状电极7用作接地电极，而是与安装用基板的接地电极直接连接。

图3为说明弹性表面波元件另一个例子中的压电基板的主面的俯视图。

本例中，压电基板2的主面侧，按照IDT电极3与环状电极7处于高频不导通，而直流导通状态的方式，经阻抗体15与IDT电极3和环状电极7相连接，环状电极7与安装基板侧环状导体连接处于接地电位。

图4为说明形成有两个滤波器区域的弹性表面波元件的压电基板的主面的俯视图。

本例中也一样，压电基板2的主面侧的两个滤波器区域中，IDT电极3与环状电极7经阻抗体15相连接。另外，环状电极7与安装基板侧环状导体相连接，处于接地电位。

这样，IDT电极3经阻抗体15与环状电极7电连接，该环状电极7变为接地电位。通过这样，由于电荷能够从压电基板2的主面逃逸到安装用基板的接地电极中，因此，能够有效地防止弹性表面波元件1的热电破坏。

另外，这些阻抗体15，选择在滤波器所使用的频带中足够的高阻抗，几乎可以看成绝缘体的阻抗值。使用硅或氧化钛等高阻抗半导体作为阻抗体15的材料是很理想的。通过在这些材料中添加微量的硼等元素，调整组成比，，能够控制阻抗值为适当的值。

下面对以上所述的弹性表面波元件的材料进行说明。

为了防止热电破坏，压电基板可以使用氧元素的含有量比化学计量比组成少的钽酸锂单晶体、铌酸锂单晶体或四硼酸锂单晶体。

这些材料与上述阻抗体15相同，具有在直流下可以看成导体，而在滤波器所使用的频带中阻抗十分高，几乎可以当做绝缘体的性质。因此，通过在压电基板2中使用这些材料，能够防止在IDT电极3中积蓄电荷，而不会给滤波器的带通特性带来影响。因此，即使压电基板2的另一面的全范围内没有导体层10，也能够良好地防止弹性表面波元件1的热电破坏。并且，不会为了防止热电破坏，而增加弹性表面波装置的制造工艺中的工序数，这一点非常理想。

为了实现寄生电容的降低，将压电基板2的主面的IDT电极与另一面的导体层10之间的实效介电率缩小也是很有效的。

这里，压接基板2具有双重层积构造，主面侧由钽酸锂单晶体、铌酸锂单晶体等压电材料制成，另一面侧由介电率比主面的压电材料小的材料制成。通过该构成，能够确保必要的压电特性，实现寄生电容的降低。

作为高介电率侧的压电材料，可以使用弹性表面波元件中所使用的各种压电材料，但如果使用上述的氧元素的含有量比化学计量比组成少的钽酸锂单晶体、铌酸锂单晶体或四硼酸锂单晶体，则能够得到良好地防止热电破坏的效果，以及缩小有效介电率的效果。另外，作为低介电率的电介质材料，可以使用水晶、硅、金刚砂、玻璃、蓝宝石等。

这样的两种材料所构成的压电基板2，可以通过将这些压电材料所制成的基板，与电介质材料所制成的基板贴合起来而得到。

<导体层的图形>

弹性表面波元件的另一面的俯视图如图5所示。

压电基板2的主面侧的构成与图1、图3中所示的相同，但如图5所示，压电基板2的另一面形成有导体层10。

导体层10被形成为除了与压电基板2的主面的滤波器区域9的输入电极部5相面对的区域5a，以及与滤波器区域9的输出电极部6相面对的区域6a。这些区域5a、6a为导体非形成区域。另外，图5中，9a表示面对滤波器区域9的区域。

通过在除去区域5a、6a而形成导体层10，能够防止滤波器区域9的输入电极部5以及输出电极部6，经它们与导体层10之间所产生的寄生电容，而发生电容耦合。因此可以改善通过带域外衰减特性。

另外，本例中表示了压电基板2的另一面的与滤波器区域9的输入电极部5相面对的区域5a，以及与输出电极部6相面对的区域6a双方都没有导体层10的图形，而如果在这些区域5a、6a中的至少任一区域中任一单方没有导体层10，也能够得到某个程度的通过带域外衰减特性改善的效果。

图6为说明导体层10的另一个图形的俯视图。

本例中，另一面导体层10的图形与图5不同。

图5中，使用压电基板2的另一面的与滤波器区域9的输入电极部5相面对的区域5a，以及与输出电极部6相面对的区域6a中没有导体层10的图形，而本图6的例子中，从除去压电基板2的主面的滤波器区域9的输入电极部5到IDT电极3之间直流连接的部分相面对的区域5b，以及与从输出电极部6到IDT电极3之间直流连接的部分相面对的区域6b，形成导体层10。

通过像这样除去区域5b与区域6b形成导体层10，能够进一步降低寄生电容，从而能够更加可靠地抑制经寄生电容而产生的电容耦合。

图7为说明从压电基板2的主面的滤波器区域9的输入电极部5到IDT电极3之间直流连接的所有部分相面对的区域5c，以及与从滤波器区域9的输出电极部6到IDT电极3之间直流连接的所有部分相面对的区域6c的单纯图形的俯视图。

像这样通过简单的矩形图形来构成未形成导体区域，与图6一样，也能够降低经寄生电容所产生的电容耦合，得到更好的效果。

图8为说明弹性表面波元件的另一面的俯视图。

本例中，为了更加可靠地抑制经寄生电容所产生的电容耦合，而除了与压电基板2的主面的滤波器区域9全体相面对的区域9a，在压电基板2的另一面中形成导体层10。

另外，如该图8的例子所示，将导体层10中与压电基板2的滤波器区域9相面对的区域9a除去的情况下，可以让压电基板2的另一面的导体层10被除去了的区域9a的表面粗糙度，比形成有导体层10的区域的表面粗糙度大(粗糙)。

通过这样，能够在相当大的面积中，更加可靠地抑制压电基板2的内部的脉冲波的传送。因此，能够有效地降低通过带域外衰减特性的恶化要因中，因脉冲波的传送所引起恶化的那一部分，从而能够大幅度改善通过带域外衰减特性。

另外，通过像这样让导体层10被除去了的区域9a的表面粗糙度，比形成有导体层10的区域的表面粗糙度大，而得到的因脉冲波的传送所引起那一部分恶化的改善的效果，在图5至图7的例子中也是一样的。

图9为说明未形成导体区域的另一个例子的俯视图。

该压电基板2，与图2、图4中所示的具有发送侧滤波器以及接收侧滤波器的压电基板相对应。

本例中，导体层10如图9中的图形所示，被形成为除了与压电基板2的主面的发送侧滤波器区域12的输入电极部5i相面对的区域5d，以及与接收侧滤波器区域13的输出电极部6j相面对的区域6d。

通过像这样在除去区域5d、6d而形成导体层10，能够防止发送侧滤波器的输入电极部5i以及接收侧滤波器的输出电极部6j，经与导体层10之间所产生的寄生电容，而发生电容耦合。因此能够改善两个滤波器之间的绝缘特性。

另外，本例中表示了压电基板2的另一面的区域5d，以及区域6d双方都没有导体层10的图形，而如果在这些区域5d、6d中的至少任一区域中单方没有导体层10，也能够得到某个程度的绝缘特性改善的效果。

图10为说明未形成导体区域的另一个例子的俯视图。该压电基板2，与图2、图4中所示的具有发送侧滤波器以及接收侧滤波器的压电基板相对应。

图9中，使用压电基板2的另一面的发送侧滤波器区域12输入电极部5i相面对的区域5d，以及与接收侧滤波器区域13的输出电极部6j相面对的区域6d中，使用没有导体层10的图形，而本图10中，除去从压电基板2的主面的发送侧滤波器区域12的输入电极部5i到IDT电极3之间直流连接的部分相面对的区域5e，以及与从接收侧滤波器区域13的输出电极部6j到IDT电极3之间直流连接的部分相面对的区域6e，形成导体层10。

通过像这样除去区域5e与区域6e形成导体层10，能够进一步降低寄生电容，从而能够更加可靠地抑制经寄生电容而产生的电容耦合。

图11为说明另一个未形成导体区域的例子的俯视图。

如图11所示，未形成导体区域可以为，具有从压电基板2的主面的发送侧滤波器区域12的输入电极部5i到IDT电极3之间直流连接的部分全部覆盖起来的单纯的矩形图形形状的区域5f。

另外，导体形成区域可以为，具有将从接收侧滤波器区域13的输出电极部6j到IDT电极3之间直流连接的部分全部覆盖起来的简单的矩形图形形状的区域6f。

为了更加可靠地抑制经寄生电容所产生的电容耦合，可以让与压电基板2的主面的发送侧滤波器区域12以及接收侧滤波器区域13中的至少一个相面对的区域，全部为未形成导体区域。

该导体层10的图形例如图12所示。图12中表示了除去与发送侧滤波器区域12相面对的区域12a而形成导体层10的例子。

另外，如图13的俯视图所示，也可以是将与压电基板2的主面的发送侧滤波器区域12以及接收侧滤波器区域13相面对的区域12a以及13a双方除去的导体层10的图形。

通过像这样，将与压电基板2的主面的发送侧滤波器区域12相面对的区域12a，或与接收侧滤波器区域13相面对的区域13a除去，在压电基板2的另一面中形成导体层10，能够可靠地抑制发送侧滤波器以及接收侧滤波器与导体层10之间的不需要的寄生电容的产生，因此，能够更加可靠地抑制经寄生电容所产生的电容耦合所引起的绝缘特性的恶化。

因此，能够得到一种绝缘特性非常好，且能够有效地抑制制作时的热电破坏的产生的弹性表面波装置。

另外，图11以及图13中所示的例子中，在与压电基板2的主面的发送侧滤波器区域12以及接收侧滤波器区域13相面对的区域12a以及13a中设置了相同形状的未形成导体区域的图形，但也可以让它们是互不相同的图形。

另外，这种情况下，如果让压电基板2的另一面的导体层10被除去了的区域12a、13a的表面粗糙度，比形成有导体层10的区域的表面粗糙度大，就能够可靠地抑制压电基板2的内部的脉冲波的传送。还能够有效地降低绝缘特性的恶化要因中，因脉冲波的传送所引起恶化的那一部分，从而有利于大幅度改善绝缘特性。通过像这样让导体层10被除去了的区域12a、13a的表面粗糙度，比形成有导体层10的区域的表面粗糙度大，而得到的绝缘特性的改善的效果，在图9至图12的例子中也是一样的。

弹性表面波元件的另一面的俯视图如图14所示。

如图14所示，压电基板2的另一面形成有导体层10。

这里，导体层10被形成为将与压电基板2的滤波器区域9的输入电极部5相面对的区域5g，以及与滤波器区域9的输出电极部6相面对的区域6g与其他区域分离(isolate)。这些分离区域与导体层10的其他部分电绝缘。

通过这样，能够防止滤波器区域9的输入电极部5以及输出电极部6，经它们与导体层10之间所产生的寄生电容，而发生电容耦合。因此，能够改善通过带域外衰减特性。

另外，本例中表示了区域5g、区域6g双方都与导体层10的其他区域分离的图形，而如果在这些区域5g、6g中的至少任一区域与导体层10的其他区域分离，也能够得到某种程度的通过带域外衰减特性改善的效果。

图15中表示了具有另一个导体层10的图形的弹性表面波元件的另一面。

图14中，使用只让滤波器区域9的输入电极部5相面对的区域5g，以及与输出电极部6相面对的区域6g与导体层10的其他区域分离的图形，而本图15的例子中，从压电基板2的滤波器区域9的输入电极部5到IDT电极3之间直流连接的部分相面对的区域5h，以及从滤波器区域9的输出电极部6到IDT电极3之间直流连接的部分相面对的区域6h与其他区域分离，而形成导体层10。

通过像这样让区域5h、区域6h与其他区域分离，形成导体层10，能够进一步降低寄生电容，从而能够更加可靠地抑制经寄生电容而产生的电容耦合。

另外，如图16所示，可以采用让与滤波器区域9的从输入电极部5到IDT电极3之间直流连接的所有部分相面对的矩形图形的区域5k，以及与滤波器区域9的从输出电极部6到IDT电极3之间直流连接的所有部分相面对的矩形图形的区域6k，与其他区域分离的导体层10的图形。

图17为说明未形成导体区域的另一个例子的弹性表面波元件的俯视图。该压电基板2，与图2、图4中所示的具有发送侧滤波器以及接收侧滤波器的压电基板相对应。

如图17所示，压电基板2的另一面中所形成的导体层10，被形成为与压电基板2的发送侧滤波器区域12的输入电极部5i相面对的区域5m，以及与接收侧滤波器区域13的输出电极部6j相面对的区域6m，分别与其他区域分离。

通过像这样形成区域5m、6m与其他区域分离的图形，能够防止发送侧滤波器的输入电极部5i以及接收侧滤波器的输出电极部6j，经它们与导体层10之间所产生的寄生电容，而发生电容耦合。因此能够改善绝缘特性。

另外，本例中表示了区域5m、6m双方都与导体层10的其他区域分离的图形，而如果让区域5m、6m中的至少任一方任一与导体层10的其他区域分离，也能够得到某个程度的绝缘特性改善的效果。

图18为说明压电基板2的另一面的导体层10的图形的另一个例子的俯视图。

图17中，只使用压电基板2的与发送侧滤波器区域12的输入电极部5i相面对的区域5m，以及与接收侧滤波器区域13的输出电极部6j相面对的区域6m与导体层10的其他区域分离的图形，而本图18的例子中，与从压电基板2的主面的发送侧滤波器区域12的输入电极部5i到IDT电极3之间直流连接的部分相面对的区域5n，以及与从接收侧滤波器区域13的输出电极部6j到IDT电极3之间直流连接的部分相面对的区域6n与其他区域分离，形成导体层10。

通过像这样让区域5n与区域6n与其他区域分离，形成导体层10，能够进一步降低寄生电容，从而能够更加可靠地抑制经寄生电容而产生的电容耦合。

另外，分离图形可以如图19所示，可以是与从压电基板2的滤波器区域9的输入电极部5i到IDT电极3之间直流连接的全体部分相面对的单纯的矩形图形的区域5p，以及从滤波器区域9的输出电极部6到IDT电极3之间直流连接的全体部分相面对的单纯的矩形图形的区域6p。

图20中表示了另一个导体层10的图形。

本例中，为了更加可靠地抑制经寄生电容所产生的电容耦合，可以让与压电基板2的发送侧滤波器区域12的全范围相面对的区域12a，与其他区域分离，形成压电基板2的另一面的导体层10。

另外，也可以是与接收侧滤波器区域13的相面对的区域13a与其他区域分离的图形。也可以是让上述区域12a与区域13a双方都与其他区域分离的图形。

如图20所示，通过让与压电基板2的发送侧滤波器区域12相面对的区域12a，及/或与接收侧滤波器区域13的相面对的区域13a与其他区域分离，形成压电基板2的另一面的导体层10，能够更加可靠地抑制应发送侧滤波器与接收侧滤波器之间的电容耦合所产生的绝缘特性的恶化。因此，能够得到一种绝缘特性非常好，且能够有效地抑制制作时的热电破坏的产生的弹性表面波装置。

另外，如图20所示，在让导体层10中的与压电基板2的发送侧滤波器区域12相面对的区域12a，及/或与接收侧滤波器区域13的相面对的区域13a与其他区域分离时，可以让因分离而将压电基板2的导体层10除去的部分的表面粗糙度，比形成有导体层10的区域的表面粗糙度大。

此时，加大压电基板2的另一面的表面粗糙度，能够可靠地抑制脉冲波的传送。还能够有效地降低绝缘特性的恶化要因中，因脉冲波的传送所引起那一部分恶化，从而有利于大幅度改善绝缘特性。

通过像这样，让用来将导体层10的给定区域与其他区域分离的部分的导体层除去之后的部分的表面粗糙度，比形成有导体层10的其他区域的表面粗糙度大，而得到的绝缘特性的改善的效果，在图14至图19的例子中也是一样的。

图21中表示了导体层10的另一个图形的例子。

该例子中，为了进一步可靠地抑制经寄生电容所产生的电容耦合，将与压电基板2的主面的发送侧滤波器区域12相面对的区域12a，和与接收侧滤波器区域13相面对的区域13a互相分离，形成压电基板2的另一面的导体层10。

通过这样，导体层10的各个图形在大面积内电连接。由于各个图形不具有和周围相比面积非常小的分离区域，因此能够有效地防止成为热电破坏的原因之一的对压电基板2的不均匀的场所电荷积蓄。

另外，如图22所示，也可以在与发送侧滤波器区域12相面对的区域12a以及与接收侧滤波器区域13相面对的区域13a的至少一方中，让与输入电极部5i、5j相面对的区域，以及与输出电极部6i、6j相面对的区域分离，形成图形。

根据该图形，能够抑制经发送侧滤波器的输入电极部5i与发送侧滤波器的输出电极部6i之间的寄生电容所产生的耦合，因此，能够让通过带域附近的衰减特性更加陡峭。

另外，对于接收侧滤波器来说也一样，由于能够抑制经接收侧滤波器的输入电极部5j与输出电极部6j之间的寄生电容所产生的耦合，因此，能够改善通过带域附近的衰减特性。通过这样，能够改善各个滤波器间的绝缘特性。

另外，该图22所示的例子中，在区域12a与区域13a的双方中，同时让与输入电极部5i、5j相面对的区域，以及与输出电极部6i、6j相面对的区域分离，但也可以在任一个单方中进行这样的设置。

另外，本例中，在让与输入电极部5i、5j相面对的区域，以及与输出电极部6i、6j相面对的区域的中央部分离导体层10，但也可以像图17所示的例子那样，只让分别对应于电极部的区域与其他区域分离。

另外，该图21、图22的情况下，通过让用于分离的未形成导体区域的表面粗糙度，比形成有导体层10的区域的表面粗糙度大，也能够在更加大的面积上更加可靠地抑制脉冲波的传送。还能够有效地降低绝缘特性的恶化要因中，因脉冲波的传送所引起恶化的那一部分，从而有利于大幅度改善绝缘特性。

图23中表示了导体层10的另一个图形的例子。

导体层10如图23中的图形所示，分散或散布有形成导体区域。本例中导体层10形成为格子状。

通过让导体层10形成为这样的形状，与在压电基板2的另一面的全范围内形成导体层10相比，能够减小导体层的面积，降低滤波器区域9的输入电极部5与滤波器区域9的输出电极部6之间所产生的寄生电容。因此，能够改善通过带域外衰减特性。

另外，本例中表示了包括与压电基板2的滤波器区域9的输入电极部5相面对的区域5a，以及与输出电极部6相面对的区域6a，而在压电基板2的另一面中分散有多个未形成导体区域的图形。而如果在包括这些区域5a、6a中的至少任一个单方的区域中分散有多个未形成导体区域，也能够得到某个程度的通过带域外衰减特性改善的效果。

另外，由于导体层10的图形自身连续形成在压电基板2的另一面上，因此能够防止电荷在另一面的一部分区域中积蓄，从而能够可靠地防止热电破坏。

图23中，表示了将四边形纵横排列而形成的单纯的格子状图形，作为未形成导体区域的例子，但除此之外，也可以例如图24所示，将圆形作为未形成导体区域纵横排列形成图形，这种情况下效果也相同。另外，格子状图形，也可以形成为例如具有45度的角度的倾斜。

图25中表示了导体层10的另一个图形。

本例中，导体层10的图形，除了与压电基板2的滤波器区域9的输入电极部5相面对的区域5a及其周围，以及与输出电极部6相面对的区域6a及其周围之外，将小四边形未形成导体区域纵横排列，形成格子状的图形。

另外，在上述区域5a以及区域6a中，增大四边形未形成导体区域的面积，未形成导体区域所占面积的比例，比其他区域大。

通过这样，由于增大了未形成导体区域的占有率，因此能够可靠地防止经滤波器区域的输入电极部5与输出电极部6之间所发生的寄生电容而产生的电容耦合，从而能够进一步大幅改善通过带域外衰减特性。

另外，该图25中所示的例子中，在与滤波器区域9的输入电极部5相面对的区域5a，以及与输出电极部6相面对的区域6a的双方中，未形成导体区域所占面积的比例，比其他区域大，但也可以在任一方区域中加大未形成导体区域所占面积的比例。这种情况下，也能够降低滤波器区域的输入电极部5与输出电极部6之间的电容耦合，改善通过带域外衰减特性。

另外，本例中在与滤波器区域9的输入电极部5相面对的区域5a，以及与输出电极部6相面对的区域6a，增大了四边形的未形成导体区域的面积，使其所占面积的比例比其他区域大，但也可以让未形成导体区域的面积和其他区域相同，通过高密度配置未形成导体区域，来让其所占标记的比例比其他区域大。

图26表示了未形成导体区域的另一个图形的例子。

本例中，在与从压电基板2的滤波器区域9的输入电极部5到IDT电极3之间直流连接的部分相面对的区域5b，以及与从滤波器区域9的输出电极部6到IDT电极3之间直流连接的部分相面对的区域6b中，加大四边形的未形成导体区域，同时将其设置的较密。

通过这样，未形成导体区域所占的比例比其他区域大，能够可靠地抑制滤波器区域9的输入电极部5与输出电极部6之间的电容耦合，因此能够改善通过带域外衰减特性。

另外，该图26的例子中，在与从滤波器区域9的输入电极部5到IDT电极3之间直流连接的部分相面对的区域5b，以及与从滤波器区域9的输出电极部6到IDT电极3之间直流连接的部分相面对的区域6b的双方中，未形成导体区域所占面积的比例，比其他区域大，但也可以在任一方区域中加大未形成导体区域所占面积的比例。这种情况下，也能够防止滤波器区域9的输入电极部5与输出电极部6之间的电容耦合，改善通过带域外衰减特性。

另外，在该图26的例子中也一样，通过让未形成导体区域，特别是占据面积的比例大的未形成导体区域的表面粗糙度，比形成有导体层10的区域的表面粗糙度大，就能够可靠地抑制脉冲波的传送。由于能够有效地降低通过带域外衰减量的恶化中，因脉冲波的传送所引起那一部分恶化，因此有利于进一步大幅度改善通过带域外衰减特性。以上的脉冲波抑制效果，在图23至图25的例子中也是一样的。

图27表示了未形成导体区域的另一个图形。

本例中，为了更加可靠地抑制滤波器区域9的输入电极部5与输出电极部6之间的电容耦合，在包含有与滤波器区域9的输入电极部5相面对的区域5a的区域中，和包含有与输出电极部6相面对的区域6a的区域相比，多个分散在导体层10中的未形成导体区域所占面积的比例比其他区域大。该导体层10的图形如图27所示。

该图27中所示的例子中，包含有与滤波器区域9的输入电极部5相面对的区域5a的未形成导体区域所占面积的比例，比其他区域，也即包含有与滤波器区域9的输出电极部6相面对的区域6a的未形成导体区域所占面积的比例大。

另外，也可以与上述相反，让包含有与滤波器区域9的输出电极部6相面对的区域6a的未形成导体区域所占面积的比例，比包含有与滤波器区域9的输入电极部5相面对的区域5a的未形成导体区域所占面积的比例大。另外，也可以让与滤波器区域9的输入电极部5以及输出电极部6相面对的区域5a、6a双方中的未形成导体区域所占面积的比例，比其他区域的大。

不管在哪一种情况，都能够防止滤波器区域9的输入电极部5与输出电极部6之间的电容耦合，因此能够改善通过带域外衰减特性。

另外，该图27的情况下也一样，通过让该未形成导体区域的表面粗糙度，比形成有导体层10的区域的表面粗糙度大，就能够在相当大的面积中加大表面粗糙度，从而能够更加可靠地抑制脉冲波的传送。

图28中表示了具有另一个图形的弹性表面波元件的另一面的俯视图。

该压电基板2，与图2、图4中所示的具有发送侧滤波器以及接收侧滤波器的压电基板相对应。

如图28所示，压电基板2的另一面中的导体层10中，分散有多个未形成导体区域。本例中，导体层10形成为格子状。

通过让导体层10形成为这样的形状，与以前的在全范围内形成导体层10相比，能够减小导体层的面积。从而能够减少该导体层10与输入电极部5i、5j以及输出电极部6i、6j之间所产生的寄生电容。

另外，由于导体层10的图形连续形成在压电基板2的另一面的大范围内，因此能够防止电荷在压电基板2的另一面的局部积蓄，从而能够可靠地防止热电破坏。

另外，图28中表示了将未形成导体区域作为四边，形纵横排列而形成的单纯的格子状图形，作为导体层10的例子，但除此之外，也可以例如图29所示，将圆形作为未形成导体区域，纵横排列形成图形，这种情况下效果也相同。另外，格子状图形，也可以形成为例如具有45度的角度的倾斜。

图30为说明未形成导体区域的另一个图形的俯视图。

本例中，未形成导体区域的图形，在与压电基板2的发送侧滤波器区域12相面对的区域12a，以及与接收侧滤波器区域13相面对的区域13a中，将小四边形的未形成导体区域纵横排列，形成格子状的图形。

另外，在与发送侧滤波器区域12的输入电极部5i相面对的区域以及与接收侧滤波器区域13的输出电极部6j相面对的区域中，增大四边形的未形成导体区域的面积，使其所占面积的比例，比其他区域大。

通过像这样设置图形，由于增大了未形成导体区域的占有率，因此能够更加可靠地防止发送侧滤波器区域12的输入电极部5i与接收侧滤波器区域13的输出电极部6j之间所产生的电容耦合，从而能够进一步大幅改善绝缘特性。

另外，该图30的例子中，在与发送侧滤波器区域12的输入电极部5i相面对的区域以及与接收侧滤波器区域13的输出电极部6j相面对的区域的双方中，未形成导体区域所占面积的比例，比其他区域大，但也可以在任一方区域中加大未形成导体区域所占面积的比例。这种情况下，也能够降低发送侧滤波器区域12的输入电极部5i与接收侧滤波器区域13的输出电极部6j之间的，经寄生电容而产生的电容耦合，改善绝缘特性。

图31为说明未形成导体区域的另一个图形的俯视图。

本例中，在与从压电基板2的主面的发送侧滤波器区域12的输入电极部5i到IDT电极3之间直流连接的部分相面对的区域，以及与从接收侧滤波器区域13的输出电极部6j到IDT电极3之间直流连接的部分相面对的区域中，加大四边形的未形成导体区域，同时将其设置的较密。

通过这样的配置，未形成导体区域所占的比例比其他区域大。这样，能够更加可靠地抑制发送侧滤波器区域12的输入电极部5i与接收侧滤波器区域13的输出电极部6j之间的电容耦合，因此能够改善绝缘特性。

另外，该图31的例子中，在与从发送侧滤波器区域12的输入电极部5i到IDT电极3之间直流连接的部分相面对的区域，以及与从接收侧滤波器区域13的输出电极部6j到IDT电极3之间直流连接的部分相面对的区域的双方中，未形成导体区域所占面积的比例，比其他区域大，但也可以在任一方区域中加大未形成导体区域所占面积的比例。这种情况下，也能够防止发送侧滤波器区域12的输入电极部5i与接收侧滤波器区域13的输出电极部6j之间的电容耦合，改善通过带域外衰减特性。

另外，在该图31的例子中也一样，通过让未形成导体区域，特别是占据面积的比例大的未形成导体区域的表面粗糙度，比形成有导体层10的区域的表面粗糙度大，就能够可靠地抑制脉冲波的传送。

另外，像这样通过让未形成导体区域的表面粗糙度，比形成有导体层10的区域的表面粗糙度大而得到的绝缘特性的改善效果，在上述图28至图30的例子中也是一样的。

图32表示了导体层10的另一个图形的例子。

本例中，为了更加可靠地抑制发送侧滤波器区域12与接收侧滤波器区域13之间的电容耦合，在压电基板2的另一面的与发送侧区域12相面对的区域12a中，分散在导体层10中的多个未形成导体区域所占面积的比例，比其他区域大。

如图32所示，发送侧区域12相面对的区域12a中的未形成导体区域所占面积的比例，比其他区域，这种情况下为与发送侧滤波器区域13相面对的区域13a大。

与此相对，也可以让与发送侧滤波器区域13相面对的区域13a中的未形成导体区域所占面积的比例，比与发送侧区域12相面对的区域12a大。还可以让与发送侧滤波器区域12以及接收侧滤波器区域13相面对的区域12a、13a双方中的未形成导体区域所占面积的比例，比其他区域的大。不管在哪一种情况，都能够防止发送侧滤波器区域12的输入电极部5i与接收侧滤波器区域13的输出电极部6j之间的电容耦合，因此能够改善通过带域外衰减特性。

另外，本例的情况下也一样，通过让该未形成导体区域的表面粗糙度，比形成有导体层10的区域的表面粗糙度大，就能够在相当大的面积中加大表面粗糙度，从而能够更加可靠地抑制脉冲波的传送。

<制造方法>

图33(a)～图33(j)分别为说明本发明的弹性表面波装置的制造方法的一例的各个工序的剖视图。

如图33(a)所示，在压电基板2的主面形成电极层14。

如图33(b)所示，在压电基板2的主面的电极层14中形成图形，形成分别具有IDT电极、输入电极部以及输出电极部的多个滤波器区域。

如图33(c)所示，在压电基板2的另一面形成导体层10。

至此的工序，除了上述顺序以外，还可以以图33(a)、(c)、(b)或图33(c)、(b)、(a)的顺序来进行。

这里，压电基板可以使用钽酸锂单晶体、铌酸锂单晶体或四硼酸锂单晶体等。

另外，主面上的电极层14，可以使用铝、铝合金、铜、铜合金、金、金合金、钽、钽合金，或这些材料所形成的一层层积膜，以及这些材料与钛、铬等材料所形成的一层层积膜。电极层14的成膜方法可以使用溅射法或电子束蒸镀法。

图形形成该电极层14的方法，有在电极层14成膜之后进行光刻法，接下来进行RIE(Reactive Ion Etching)或湿蚀刻的方法。另外，还可以在电极层14的成膜之前，在压电基板2的主面上形成抗蚀剂，进行光刻法开口了所期望的图形之后，再成膜电极层14，之后，进行在抗蚀剂中将成膜在不需要的部分的电极层14去除的剔除工序。

另外，压电基板2的另一面的导体层10的材料，可以使用铝等。其成膜方法可以使用溅射法或电子束蒸镀法。

接下来，如图33(d)所示，形成用来保护(protect)IDT电极的保护膜17。保护膜17的材料可以使用硅、硅石等。成膜方法可以使用溅射法、CVD(Chemical Vapor Deposition)法、电子束蒸镀法等。该保护膜成膜工序中，在为了得到良好的膜质以及密合性而加热压电基板进行成膜的情况下，或者在不积极进行加热的情况下，为了通过等离子照射压电基板的表面，因此压电基板的温度变为50℃～300℃左右，这种情况下，另一面的导体层10能够有效地防止热电破坏。

接下来，如图33(e)所示，在输入电极部与输出电极部上层积新的电极层，形成输入电极焊盘与输出电极焊盘。该新的电极层，用来让弹性表面波元件与安装用基板16之间通过高可靠性电连接及/或构造连接。例如在连接中使用焊锡的情况下，具有确保焊锡的可湿性(wettability)，防止扩散的功能，另外，如果在使用金属凸起的情况下，像能够使用超声波进行粘接那样，具有调整焊盘的硬度的功能。这样的新电极层的材料·构造，可以使用铬/镍/金或铬/银/金的基底膜，或金、铝的厚膜。成膜方法可以使用溅射法或电子束蒸镀法。另外，该新电极膜成膜工序中，在为了得到良好的膜质以及密合性而加热压电基板进行成膜的情况下，或者在不积极进行加热的情况下，由于通过等离子照射压电基板的表面，因此压电基板的温度变为50℃～300℃左右，这种情况下，另一面的导体层10也能够有效地防止热电破坏。

通过至此的工序所制作的压电基板2的主面的IDT电极、输入电极部以及输出电极部等图形，例如为图1、图3、图2、图4中的俯视图所示。但各图中并未表示保护膜。

这里，如图33(f)所示，将压电基板2的另一面(内侧)的导体层10的一部分除去。所除去的部分，如图5至图13所示，为包含有与滤波器区域的输入电极部及/或滤波器区域的输出电极部相面对的区域的给定区域。

另外，也可以如图14至图20所示，是用来让与滤波器区域的输入电极部及/或滤波器区域的输出电极部相面对的区域，与周围分离的宽度较短的区域。

另外，也可以如图21、图22所示，为了将压电基板2的另一面的导体层10分割成两个或4个，而除去某些区域。

另外，还可以如图23至图32所示，将压电基板的另一面的导体层部分去除，使其成为例如格子状，而分散有多个未形成导体区域。

去除该导体层10的方法，可以是通过抗蚀剂等对压电基板2的主面进行保护之后，在压电基板的另一面形成抗蚀剂并进行光刻，开口了必要的部分的抗蚀剂之后，通过湿蚀刻、RIE(Reactive Ion Etching)、喷砂等方法去除该开口部分的导体层。

此时，如果使用主要通过化学作用来蚀刻去除导体层的方法，就能够可靠地将另一面的导体层部分去除，而不会给压电基板带来很大的损害。

另外，如果使用主要通过物理作用来研磨去除导体层的方法，则在去除导体层的同时，还能够让该部分的压电基板的另一面比原来的状态粗糙，通过这样，从一方的滤波器区域像压电基板的内部传送，被压电基板的另一面所反射，与另一方的滤波器区域中所形成的IDT电极相结合，使得通过带域外衰减特性恶化的脉冲波，能够被压电基板的另一面的该部分所散射，从而能够进一步改善通过带域外衰减特性。

之后，将压电基板的主面侧的抗蚀剂以及另一面侧的抗蚀剂去除。

这些工序中，对多个形成弹性表面波元件的压电基板分别进行处理，因此，能够一并处理多个弹性表面波元件，很有效率。

接下来，至此在通过1张压电基板2中形成了多个滤波器区域的所谓多个处理方法，进行了制作的情况下，如图33(g)所示，将压电基板2的各个滤波器区域分离，得到多个弹性表面波元件。分离方法可以采用例如使用刻模刀的切割法，或通过激光加工所进行的激光切割法等。

接下来，如图33(h)所示，将弹性表面波元件在安装用基板16上，主面相面对进行安装。

之后，如图33(i)所示，对安装在安装用基板16上的弹性表面波元件，使用密封树脂进行树脂铸模，接下来如图33(j)所示，通过切割等将安装用基板16与弹性表面波元件以及铸模树脂一起切断，得到本发明的弹性表面波装置。

另外，本例中，制造工序中还包括保护膜17的成膜工序以及输入输出电极焊盘的形成工序，但这些工序也可以不专门进行。另外，还可以设置主面上的电极层等的膜厚测定或电气特性检查或退火等其他工序。

如上所述，由于在压电基板2的另一面形成了导体层10，因此能够有效地防止在将压电基板的弹性表面波区域安装到安装用基板中的工序(图33(h))等中，有可能因经历温度而引起的弹性表面波元件的热电破坏。

本发明的弹性表面波装置的制造方法的其他例子，如图34(a)～(j)所示。

上述的制作方法中，在图33(g)中，经过了将形成有多个弹性表面波元件的压电基板2的各个滤波器区域分离，得到多个弹性表面波元件的工序之后，在安装工序(图33(h))中安装到安装用基板16上。

本例中，在将各个滤波器区域分离之前，在图34(f)所示的安装工序中，让形成有多个滤波器区域的压电基板2的主面与安装用基板16相面对进行安装。

之后，如图34(h)所示，对与安装用基板16一体化了的压电基板2，通过所谓的半切割将各个滤波器区域分割开，接下来，如图34(i)所示，对安装在安装用基板16上的弹性表面波元件，使用密封树脂进行树脂铸模，接下来，将安装用基板16与铸模树脂一起，以各个弹性表面波元件进行分离(图34(j))。通过这样，得到弹性表面波装置。

本制造方法中，将压电基板2的另一面的导体层10部分去除的工序，在图34(f)的安装工序之后进行。安装之后，由于压电基板2的主面已经与安装用基板16相面对设置了，因此能够省略保护主面的工序。特别是在使用环状电极进行密封的情况下，由于弹性表面波元件被牢固固定在安装用基板16上，且滤波器区域还与外部空气隔绝，因此，如前所述使用湿蚀刻、RIE(Reactive Ion Etching)、喷砂等方法，能够高效地将另一面的导体层10的一部分去除。

另外，本例中，将压电基板2的另一面的导体层10部分去除的工序，也可以在图34(f)的安装工序之前进行。

<通信装置>

本发明的弹性表面波装置能够适用于通信装置。

也即，在至少具有接收电路或发送电路的一方的通信装置中，能够将本发明的弹性表面波装置用作这些电路中分包括的带通滤波器。

例如，能够适用于具有能够通过混频器将发送电路所输出的发送信号加载到载波频率上，通过带通滤波器来衰减不需要的信号，之后，通过功率放大器来放大发送信号，通过双工器从天线进行发送的发送电路的通信装置，以及具有通过天线接收接收信号，从双工器通过，由低噪声放大器来放大接收信号，之后，通过带通滤波器来衰减不需要的信号，通过混频器从载波频率中分离信号，传送给取出该信号的接收电路这样的接收电路的通信装置。

如果在这些接收电路以及发送电路的至少一方中采用本发明的弹性表面波装置，就能够提供一种提高了传送特性的优秀的本发明的通信装置。

另外，通过本发明的弹性表面波装置所构成的双工器，如图35(a)中所示的电路图所示，可以用于通信装置的前端的SAW-DPX。

另外，如图36的电路图所示，还可以适用于在将接收信号变换成中间频率时，防止通往混频器的本地信号泄漏到天线侧，同时只让接收信号透过的接收侧滤波器，与具有让本地信号的频带通过的特性的滤波器集成化所得到的分频器。

另外，图36为说明通信装置的混频器周边部构成的电路图，图36中，一并表示了由压电基板的另一面的导体层所产生的寄生电容C。

<变形例>

另外，本发明并不仅限于以上的未形成导体区域的例子，在不脱离本发明的要点的范围内，可以追加各种变更。

例如，图1至图4中表示了使用梯子式滤波器的情况，但本发明并没有限定滤波器的构造，还可以使用DMS式或IIDT式滤波器。

另外，输入输出端子的设置也不限于图1至图5中所示。例如，输入输出端子还可以位于压电基板的对角。

另外，也可以将两组以上的分频器设置在同一个压电基板中，甚至还可以将不影响分频器的绝缘特性的另一个滤波器设置的同一个压电基板中。这种情况下，与分别制作多个弹性表面波元件的情况相比，能够让全体所占面积小型化。

另外，以上的例子中主要对在压电基板的另一面中形成导体层之后，就将所期望的区域的导体层去除的情况进行了说明，但也可以预先设定不形成导体层的区域，在该区域以外形成导体层，来设置所期望的未形成导体区域。

另外，该导体层10的图形并不仅限于图5至图32所示，可以对应于主面中所形成的滤波器的形状进行变化。

另外，另一面的导体层10的未形成导体区域的外周部，并不仅限于图示的平滑的形状，还可以是具有波浪式或锯齿式凹凸的形状。在这种外周部中具有凹凸的形状的情况下，具有抑制从另一面剥离导体层10的效果。

另外，图5至图32中表示了压电基板2的外周部中残留有导体层10的图形，但也可以不在压电基板2的外周部残留导体层10。另外，图11等中所表示的是在各个滤波器区域中各设置一个未形成导体企业的状态，但也可以有分别有多个未形成导体区域构成。

另外，以上对低频侧滤波器作为发送侧滤波器，高频侧滤波器作为接收侧滤波器进行了说明，但也可以将低频侧滤波器作为接收侧滤波器，将高频侧滤波器作为发送侧滤波器。

另外，将使用在压电基板的表面形成确保振动空间而密封的构造体的，所谓的晶片级封装(Wafer-Level-Packaging，以下称作WLP)技术所制作的元件，直接倒装到便携式通信机器等的PCB(Printed Circuit Board)中时，通过导入在本发明的压电基板的内侧，形成具有未形成导体区域的导体层的工序，也很有效。这种情况下，PCB相当于安装用基板。

使用WLP技术所制作的弹性表面波元件的一例如图37所示。压电基板20的主面中形成有IDT电极23、输入输出电极24等，通过空腔构造体28a、28b来确保振动空间22。输入输出电极24上形成有焊盘电极26，成为镀覆的片层。29为通过电镀所制作的柱电极。还可以根据需要，形成端子电极30、保护膜25、外装树脂21等。在这样的弹性表面波元件的情况下，能够实现非常小型的弹性表面波装置。

另外，为了对各个电极的大小或电极间距离等，或电极指的根数、间隔等进行说明，而进行了模式性图示，因此，并不能够通过图示来限定本发明。

<实施例1>

在38.7°Y切X传送方向钽酸锂单晶体基板所形成的压电基板2(基板厚度为250μm)的主面，通过溅射法从基板侧成膜由Ti/Al-1质量％Cu/Ti/Al-1质量％Cu所形成的4层电极层。膜厚分别为6nm/209nm/6nm/209nm。

接下来，通过光刻法与RIE来刻画该电极层，形成多个弹性表面波元件区域，如图1所示，其具有：分别形成具有IDT电极3、输入电极部5以及输出电极部6的滤波器区域。另外，此时也同时形成接地电极部8、连接电极4以及环状电极7。

此时的蚀刻气体使用BC13与C12的混合气体。形成IDT电极3的梳形电极的线宽以及相邻的梳形电极之间的距离，都约为1μm。

接下来，通过溅射法在压电基板2的另一面上形成纯Al所制成的导体层10。该导体层10的厚度为200nm。

接下来，通过等离子CVD法在压电基板的主面上形成硅构成的保护膜。该成膜温度为300℃，膜厚为20nm。

接下来，通过光刻法与RIE去除该保护膜的一部分，在输入电极部5、输出电极部6以及接地电极部8上层积新的Cr/Ni/Au所形成的电极层，形成输入电极焊盘、输出电极焊盘以及接地电极焊盘。另外，在环状电极7上也形成相同构造的电极层。该新电极层的厚度分别为6nm/1000nm/100nm。

接下来，通过光致抗蚀剂来保护压电基板2的主面，之后，在另一面上也涂布光致抗蚀剂，进行光刻，接下来，通过采用硝酸、磷酸与醋酸的混合酸的湿蚀刻，对压电基板2的另一面的导体层10进行如图5所示的图形形成。

接下来，去除光致抗蚀剂之后，将压电基板2切割成各个弹性表面波元件区域来进行分离，得到多个弹性表面波元件1。

接下来，将弹性表面波元件1在LTCC(Low Temperature Co-firedCeramics)基板所制成的安装用基板上，与主面相面对进行安装。

这里，LTCC基板具有连接形成在压电基板2的主面中的环状电极7相对应的安装基板侧环状导体以及弹性表面波元件1的输入输出电极焊盘与接地电极焊盘(焊盘通过图中的黑圆圈表示)的焊盘电极，预先在这些安装基板侧环状导体与焊盘电极中印刷焊锡。

在其中安装弹性表面波元件1时，配置弹性表面波元件1并通过加载超声波来暂时固定，使其与这些焊锡图形相一致，之后，通过加热来熔化焊锡，将环状电极7与安装基板侧环状导体，以及输入电极焊盘与接地电极焊盘以及焊盘电极连接起来。通过这样，弹性表面波元件1的滤波器区域9，被LTCC基板的安装基板侧环状导体以及与其相连接的环状导体7完全气密封起来。另外，弹性表面波元件1的安装工序在氮气环境下进行。

接下来，进行树脂铸模，通过铸模树脂来保护弹性表面波元件1的另一面(内侧)，最后，通过在各个弹性表面波元件之间切割安装用基板，得到本发明的弹性表面波装置。

另外，作为比较例，像以前一样，制作将压电基板的主面中形成有具有IDT电极与输入电极部以及输出电极部的滤波器区域，另一面的全范围中形成有导体层的弹性表面波元件，主面与安装用基板相面对进行安装所得到的弹性表面波装置。本比较例的俯视图与图1相同。

对这样所制作的本发明的实施例与比较例测定频率特性。图38中通过曲线图表示该频率特性。

图38中，横轴表示频率(单位：MHz)，纵轴表示衰减量(单位：dB)，虚线的特性曲线表示压电基板的另一面的全范围内形成有导体层的比较例的结果，实线的特性曲线表示压电基板的另一面的导体层被去除了与滤波器区域的输入电极部以及输出电极部相面对的区域的实施例的结果。

从图38的结果可以得知，本例的本发明的弹性表面波装置，与比较例的弹性表面波装置相比，具有非常好的通过带域外衰减特性。特别是，与比较例的弹性表面波装置相比，大幅改善了通过带域附近的通过带域外衰减特性。

另外，对于实施例，也制作出图形形成有如图6～图8所示的导体层10的弹性表面波装置，同样对频率特性进行评价，同样能够确认大幅改善了通过带域附近的通过带域外衰减特性。

<实施例2>

<实施例2-1>

与实施例1一样，在钽酸锂单晶体基板的主面上成膜4层电极层。

接下来，如图2所示，通过光刻法与RIE刻画该电极层，形成多个弹性表面波元件区域，其具有：分别形成具有IDT电极3、输入电极部5i、5j以及输出电极部6i、6j的发送侧滤波器区域12以及接收侧滤波器区域13。另外，此时也同时形成接地电极部11、连接电极4以及环状电极7。

此时的蚀刻气体使用BC13与C12的混合气体。形成IDT电极3的梳形电极的线宽以及相邻的梳形电极之间的距离，都约为1μm。

接下来，通过溅射法在压电基板2的另一面上形成纯Al所制成的导体层10。该导体层10的厚度为200nm。

接下来，通过等离子CVD法在压电基板的主面上成膜硅所形成的保护膜。该成膜温度为300℃，膜厚为20nm。

接下来，通过光刻法与RIE去除该保护膜的一部分，在输入电极部5、输出电极部6以及接地电极部11上层积新的Cr/Ni/Au所形成的电极层，形成输入电极焊盘、输出电极焊盘以及接地电极焊盘。另外，在环状电极7上也形成相同构造的电极层。该新电极层的厚度分别为6nm/1000nm/100nm。

接下来，通过光致抗蚀剂来保护压电基板2的主面，之后，在另一面上也涂布光致抗蚀剂，进行光刻，接下来，通过采用硝酸、磷酸与醋酸的混合酸的湿蚀刻，对压电基板2的另一面的导体层10进行如图13所示的图形形成。

接下来，去除光致抗蚀剂之后，将压电基板2切割成各个弹性表面波元件区域来进行分离，得到多个弹性表面波元件1。

接下来，将弹性表面波元件1在LTCC(Low Temperature Co-firedCeramics)基板所制成的安装用基板上，与主面相面对进行安装。该安装方法与实施例1相同。

接下来，进行树脂铸模，通过铸模树脂来保护弹性表面波元件1的另一面(内侧)，最后，通过在各个弹性表面波元件之间切割安装用基板，得到本发明的弹性表面波装置。

对这样所制作的本发明的弹性表面波装置，测定其绝缘特性。该结果如图39的曲线图所示。

该绝缘特性，通过在发送侧滤波器的输入端中外加RF信号，测定来自接收侧滤波器的输出端的信号而求出(另外，通常，在用作分频器时，在没有组装发送侧滤波器与接收侧滤波器之间所插入的匹配网络的状态下进行测定。)。

从图39中所示的结果可以得知，本例中的本发明的弹性表面波装置，具有非常良好的绝缘特性。

<实施例2-2>

与实施例1一样，在钽酸锂单晶体基板的主面上成膜4层电极层。

接下来，通过溅射法在压电基板2的另一面上形成纯Al所制成的导体层10。该导体层10的厚度为200nm。

接下来，如图4所示，通过光刻法与RIE刻画压电基板2的主面上的电极层，形成多个弹性表面波元件区域，其具有：分别形成具有IDT电极3、输入电极部5i、5j以及输出电极部6i、6j和接地电极部11的发送侧滤波器区域12，以及具有接收侧滤波器区域13。另外，此时也同时形成接地电极部11、连接电极4以及环状电极7。

该RIE中的蚀刻气体使用BC13与C12的混合气体。作为IDT电极3的梳形电极的线宽以及相邻的梳形电极之间的距离，都约为1μm。

接下来，通过等离子CVD法在压电基板2的主面上成膜硅所形成的保护膜。该成膜温度为300℃，膜厚为20nm。

接下来，通过光刻法与RIE去除该保护膜的一部分，在该部分中通过溅射法成膜有添加了微量的硼元素的硅所制成的阻抗体15，IDT电极3经该阻抗体15与环状电极7相连接。

接下来，通过光刻法与RIE去除该保护膜的一部分，在输入电极部5、输出电极部6以及接地电极部11上层积新的Cr/Ni/Au所形成的电极层，形成输入电极焊盘、输出电极焊盘以及接地电极焊盘。另外，在环状电极7上也形成相同构造的电极层。该新电极层的厚度分别为6mm/1000nm/100nm。

接下来，通过光致抗蚀剂来保护压电基板2的主面，之后，在另一面上也涂布光致抗蚀剂，进行光刻，形成与发送侧滤波器区域12相面对的区域12a，以及与接收侧滤波器区域13相面对的区域13a相对应的开口，接下来，通过采用硝酸、磷酸与醋酸的混合酸的湿蚀刻，对另一面的导体层10进行如图13所示的图形形成。

接下来，去除光致抗蚀剂之后，将压电基板2切割成各个弹性表面波元件区域来进行分离，得到多个弹性表面波元件1。此后的安装工序与实施例2-1相同。

实施例2-1中，安装工序中有时会产生因火花所引起的破坏，而该实施例2-2中，通过经阻抗体15将IDT电极3直流与接地电位相连接，不会产生因火花所引起的破坏。

<实施例2-3>

实施例2-1以及实施例2-2中，去除另一面的导体层10的工序中使用湿蚀刻，但本例中使用通过砂纸的机械研磨。

弹性表面波元件1的制作工序与实施例2-1、2-2的工序一样，但另一面的导体层10的去除，在将弹性表面波元件1安装到作为安装用基板的LTCC基板中之后进行。

这里，砂纸使用粗糙度为#1500、#400以及#220的砂纸。这样，使用它去除导体层10之后的压电基板2的另一面的表面粗糙度，与各个砂纸的粗糙度相对应。

对这样所制作的弹性表面波装置，测定对应于所使用的各个砂纸的粗糙度的绝缘特性的变化。

另外，该绝缘特性的测定，在插入有匹配网络的如图35(a)所示的电路的状态下进行。对应于所使用的各个砂纸的粗糙度的绝缘特性的变化，通过图44(a)～图44(c)中的曲线图表示。

从图44(a)～图44(c)中所示的结果可以得知，砂纸的粗糙度越粗，就越能够改善绝缘特性，在使用#220的砂纸的情况下，绝缘特性得到了非常显著地改善。

另外，由于砂纸的粗糙度越粗，压电基板的另一面的表面粗糙度就变得越粗，因此可以得知，在绝缘特性的波形中所看到的因脉冲波所引起的细小波动就变小。

<实施例3>

与实施例1一样，在钽酸锂单晶体基板的主面上成膜4层电极层。

接下来，如图1所示，通过光刻法与RIE来刻画该电极层形成多个弹性表面波元件区域，其具有：分别形成具有IDT电极3、输入电极部5以及输出电极部6的滤波器区域。另外，此时也同时形成接地电极部8、连接电极4以及环状电极7。

此时的蚀刻气体使用BC13与C12的混合气体。形成IDT电极3的梳形电极的线宽以及相邻的梳形电极之间的距离，都约为1μm。

接下来，通过溅射法在压电基板2的另一面上形成纯Al所制成的导体层10。该导体层10的厚度为200nm。

接下来，通过等离子CVD法在压电基板的主面上成膜硅所形成的保护膜。该成膜温度为300℃，膜厚为20nm。

接下来，通过光刻法与RIE去除该保护膜的一部分，在输入电极部5、输出电极部6以及接地电极部8上层积新的Cr/Ni/Au所形成的电极层，形成输入电极焊盘、输出电极焊盘以及接地电极焊盘。另外，在环状电极7上也形成相同构造的电极层。该新电极层的厚度分别为6nm/1000nm/100nm。

接下来，通过光致抗蚀剂来保护压电基板2的主面，之后，在另一面上也涂布光致抗蚀剂，进行光刻，接下来，通过采用硝酸、磷酸与醋酸的混合酸的湿蚀刻，对压电基板2的另一面的导体层10进行如图14所示的图形形成。

接下来，去除光致抗蚀剂之后，将压电基板2切割成各个弹性表面波元件区域来进行分离，得到多个弹性表面波元件1。

接下来，将弹性表面波元件1在LTCC(Low Temperature Co-firedCeramics)基板所制成的安装用基板上，与主面相面对进行安装。该安装方法与实施例1相同。

接下来，进行树脂铸模，通过铸模树脂来保护弹性表面波元件1的另一面(内侧)，最后，通过在各个弹性表面波元件之间切割安装用基板，得到本发明的弹性表面波装置。

另外，作为比较例，像以前一样，制作将压电基板的主面中形成有具有IDT电极与输入电极部以及输出电极部的滤波器区域，另一面的全范围中形成有导体层的弹性表面波元件，主面与安装用基板相面对进行安装所得到的弹性表面波装置。本比较例的俯视图与图1相同。

对这样所制作的本发明的实施例与比较例测定频率特性。

图40中通过曲线图表示该频率特性。图40中，横轴表示频率(单位：MHz)，纵轴表示衰减量(单位：dB)，虚线的特性曲线表示LT基板的另一面的全范围内形成有导体层的比较例的结果，实线的特性区域表示LT基板的另一面的导体层让与滤波器区域的输入电极部以及输出电极部相面对的区域与其他区域分离的实施例的结果。

从图40的结果可以得知，本例的本发明的弹性表面波装置，与比较例的弹性表面波装置相比，具有非常好的通过带域外衰减特性。特别是，与比较例的弹性表面波装置相比，大幅改善了通过带域附近的通过带域外衰减特性。

另外，对于实施例，也制作出图形形成有如图15、图16所示的导体层10的弹性表面波装置，同样对频率特性进行评价，同样能够确认大幅改善了通过带域附近的通过带域外衰减特性。

<实施例4>

<实施例4-1>

与实施例1一样，在钽酸锂单晶体基板的主面上成膜4层电极层。

接下来，如图2所示，通过光刻法与RIE刻画该电极层，形成多个弹性表面波元件区域，其具有：分别形成具有IDT电极3、输入电极部5i、5j以及输出电极部6i、6j的发送侧滤波器区域12，以及接收侧滤波器区域13。另外，此时也同时形成接地电极部11、连接电极4以及环状电极7。

此时的蚀刻气体使用BC13与C12的混合气体。形成IDT电极3的梳形电极的线宽以及相邻的梳形电极之间的距离，都约为1μm。

接下来，通过溅射法在压电基板2的另一面上形成纯Al所制成的导体层10。该导体层10的厚度为200nm。

接下来，通过等离子CVD法在压电基板的主面上成膜硅所形成的保护膜。该成膜温度为300℃，膜厚为20nm。

接下来，通过光刻法与RIE去除该保护膜的一部分，在输入电极部5、输出电极部6以及接地电极部11上层积新的Cr/Ni/Au所形成的电极层，形成输入电极焊盘、输出电极焊盘以及接地电极焊盘。另外，在环状电极7上也形成相同构造的电极层。该新电极层的厚度分别为6nm/1000nm/100nm。

接下来，通过光致抗蚀剂来保护压电基板2的主面，之后，在另一面上也涂布光致抗蚀剂，进行光刻，接下来，通过采用硝酸、磷酸与醋酸的混合酸的湿蚀刻，对压电基板2的另一面的导体层10进行如图22所示的图形形成。

接下来，去除光致抗蚀剂之后，将压电基板2切割成各个弹性表面波元件区域来进行分离，得到多个弹性表面波元件1。

接下来，将弹性表面波元件1在LTCC(Low Temperature Co-firedCeramics)基板所制成的安装用基板上，与主面相面对进行安装。该安装方法与实施例1相同。

接下来，进行树脂铸模，通过铸模树脂来保护弹性表面波元件1的另一面(内侧)，最后，通过在各个弹性表面波元件之间切割安装用基板，得到本发明的弹性表面波装置。

对这样所制作的本发明的弹性表面波装置，测定其绝缘特性。该结果如图41的曲线图所示。

该绝缘特性，通过在发送侧滤波器的输入端中加载RF信号，测定来自接收侧滤波器的输出端的信号而求出(另外，通常，在用作分频器时，在没有组装发送侧滤波器与接收侧滤波器之间所插入的匹配网络的状态下进行测定。)。

从图41中所示的结果可以得知，本例中的本发明的弹性表面波装置，具有非常良好的绝缘特性。

<实施例4-2>

与实施例1一样，在钽酸锂单晶体基板的主面上成膜4层电极层。

接下来，通过溅射法在压电基板2的另一面上形成纯Al所制成的导体层10。该导体层10的厚度为200nm。

接下来，如图4所示，通过光刻法与RIE来刻画压电基板2的主面上的电极层，形成多个弹性表面波元件区域，其具有：其分别形成具有IDT电极3、输入电极部5i、5i以及输出电极部6i、6j的发送侧滤波器区域12以及接收侧滤波器区域13。另外，此时也同时形成接地电极部11、连接电极4以及环状电极7。

该RIE中的蚀刻气体使用BC13与C12的混合气体。作为IDT电极3的梳形电极的线宽以及相邻的梳形电极之间的距离，都约为1μm。

接下来，通过等离子CVD法在压电基板2的主面上成膜硅所形成的保护膜。该成膜温度为300℃，膜厚为20nm。

接下来，通过光刻法与RIE去除该保护膜的一部分，在该部分中通过溅射法成膜有添加了微量的硼元素的硅所构成的阻抗体15，IDT电极3经该阻抗体15与环状电极7相连接。

使用C12的混合气体。形成IDT电极3的梳形电极的线宽以及相邻的梳形电极之间的距离，都约为1μm。

接下来，通过溅射法在压电基板2的另一面上形成纯Al所制成的导体层10。该导体层10的厚度为200nm。

接下来，通过等离子CVD法在压电基板的主面上成膜硅所形成的保护膜。该成膜温度为300℃，膜厚为20nm。

接下来，通过光刻法与RIE去除该保护膜的一部分，在输入电极部5、输出电极部6以及接地电极部11上层积新的Cr/Ni/Au所形成的电极层，形成输入电极焊盘、输出电极焊盘以及接地电极焊盘。另外，在环状电极7上也形成相同构造的电极层。该新电极层的厚度分别为6nm/1000nm/100nm。

接下来，通过光致抗蚀剂来保护压电基板2的主面，之后，在另一面上也涂布光致抗蚀剂，形成与弹性表面波元件区域相对应的开口，通过采用硝酸、磷酸与醋酸的混合酸的湿蚀刻，对与弹性表面波元件区域相对应的压电基板2的另一面的导体层10进行如图22所示的图形形成。

接下来，去除光致抗蚀剂之后，将压电基板2通过切割分离为各个弹性表面波元件区域，得到多个弹性表面波元件1。此后的安装工序与实施例4-1相同。

实施例4-1中，安装工序中有时会产生因火花所引起的破坏，而该实施例4-2中，通过经阻抗体15将IDT电极3直流与接地电位相连接，不会产生因火花所引起的破坏。

<实施例4-3>

实施例4-1以及实施例4-2中，让另一面的导体层10与给定区域分离而部分去除的工序中使用湿蚀刻，但本例中使用通过砂纸的机械研磨。

弹性表面波元件1的制作工序与第1以及第2实施例的工序一样，但另一面的导体层10的用于分离的部分去除，在将弹性表面波元件1安装到作为安装用基板的LTCC基板中之后进行。

这里，砂纸使用粗糙度为#1500、#400以及#220的砂纸。这样，使用它部分去除导体层10之后的压电基板2的该部分的压电基板2的另一面的表面粗糙度，与各个砂纸的粗糙度相对应。

对这样所制作的弹性表面波装置，与实施例4-1中一样测定对应于所使用的各个砂纸的粗糙度的绝缘特性的变化。另外，该绝缘特性的测定，在插入有匹配网络的如图35(a)所示的电路的状态下进行。

其结果是，砂纸的粗糙度越粗，就越能够改善绝缘特性，在使用#220的砂纸的情况下，绝缘特性得到了非常显著地改善。另外，由于砂纸的粗糙度越粗，压电基板的另一面的表面粗糙度就变得越粗，因此可以得知，在绝缘特性的波形中所看到的因脉冲波所引起的细小波动就变小。

<实施例5>

与实施例1一样，在钽酸锂单晶体基板的主面上成膜4层电极层。

接下来，如图1所示，通过光刻法与RIE来刻画该电极层形成多个弹性表面波元件区域，其具有：分别形成具有IDT电极3、输入电极部5以及输出电极部6的滤波器区域。

此时的蚀刻气体使用BC13与C12的混合气体。形成IDT电极3的梳形电极的线宽以及相邻的梳形电极之间的距离，都约为1μm。

接下来，通过溅射法在压电基板2的另一面上形成纯Al所制成的导体层10。该导体层10的厚度为200nm。

接下来，通过等离子CVD法在压电基板的主面上成膜硅所形成的保护膜。该成膜温度为300℃，膜厚为20nm。

接下来，通过光刻法与RIE去除该保护膜的一部分，在输入电极部5、输出电极部6上层积新的Cr/Ni/Au所形成的电极层，形成输入电极焊盘以及输出电极焊盘。另外，在环状电极7上也形成相同构造的电极层。该新电极层的厚度分别为6nm/1000nm/100nm。

接下来，通过光致抗蚀剂来保护压电基板2的主面，之后，在另一面上也涂布光致抗蚀剂，进行光刻，接下来，通过采用硝酸、磷酸与醋酸的混合酸的湿蚀刻，对压电基板2的另一面的导体层10进行如图23所示的图形形成。

接下来，去除光致抗蚀剂之后，将压电基板2通过切割分离为各个弹性表面波元件区域，得到多个弹性表面波元件1。

接下来，将弹性表面波元件1在LTCC(Low Temperature Co-firedCeramics)基板所制成的安装用基板上，与主面相面对进行安装。该安装方法与实施例1相同。

接下来，进行树脂铸模，通过铸模树脂来保护弹性表面波元件1的另一面(内侧)，最后，通过在各个弹性表面波元件之间切割安装用基板，得到本发明的弹性表面波装置。

另外，作为比较例，像以前一样，制作将压电基板的主面中形成有具有IDT电极与输入电极部以及输出电极部的滤波器区域，另一面的全范围中形成有导体层的弹性表面波元件，主面与安装用基板相面对进行安装所得到的弹性表面波装置。本比较例的俯视图与图1相同。

对这样所制作的本发明的实施例与比较例测定频率特性。图42中通过曲线图表示该频率特性。图42的曲线图中，横轴表示频率(单位：MHz)，纵轴表示衰减量(单位：dB)，虚线的特性曲线表示LT基板的另一面的全范围内形成有导体层的比较例的结果，实线的特性区域表示LT基板的另一面的导体层让与滤波器区域的输入电极部以及输出电极部相面对的区域与其他区域分离的实施例的结果。

从图42的结果可以得知，本例的本发明的弹性表面波装置，与比较例的弹性表面波装置相比，具有非常好的通过带域外衰减特性。特别是，与比较例的弹性表面波装置相比，大幅改善了通过带域附近的通过带域外衰减特性。

另外，对于实施例，也制作出图形形成有如图24～图25所示的导体层10的弹性表面波装置，同样对频率特性进行评价，同样能够确认大幅改善了通过带域附近的通过带域外衰减特性。

<实施例6>

<实施例6-1>

与实施例1一样，在钽酸锂单晶体基板的主面上成膜4层电极层。

接下来，如图2所示，通过光刻法与RIE来刻画该电极层形成多个弹性表面波元件区域，其具有：分别形成具有IDT电极3、输入电极部5i、5i以及输出电极部6i、6j的发送侧滤波器区域12以及接收侧滤波器区域13。此时的蚀刻气体使用BC13与C12的混合气体。形成IDT电极3的梳形电极的线宽以及相邻的梳形电极之间的距离，都约为1μm。另外，此时也同时形成接地电极部11、连接电极4以及环状电极7。

接下来，通过溅射法在压电基板2的另一面上形成纯Al所制成的导体层10。该导体层10的厚度为200nm。

接下来，通过等离子CVD法在压电基板的主面上成膜硅所形成的保护膜。该成膜温度为300℃，膜厚为20nm。

接下来，通过光刻法与RIE去除该保护膜的一部分，在输入电极部5、输出电极部6以及接地电极部11上层积新的Cr/Ni/Au所形成的电极层，形成输入电极焊盘、输出电极焊盘以及接地电极焊盘。另外，在环状电极7上也形成相同构造的电极层。该新电极层的厚度分别为6nm/1000nm/100nm。

接下来，通过光致抗蚀剂来保护压电基板2的主面，之后，在另一面上也涂布光致抗蚀剂，进行光刻，接下来，通过采用硝酸、磷酸与醋酸的混合酸的湿蚀刻，对压电基板2的另一面的导体层10进行如图28所示的格子状图形形成。

接下来，去除光致抗蚀剂之后，将压电基板2通过切割分离为各个弹性表面波元件区域，得到多个弹性表面波元件1。

接下来，将弹性表面波元件1在LTCC(Low Temperature Co-firedCeramics)基板所制成的安装用基板上，与主面相面对进行安装。该安装方法与实施例1相同。

接下来，进行树脂铸模，通过铸模树脂来保护弹性表面波元件1的另一面(内侧)，最后，在各个弹性表面波元件之间通过切割安装用基板，得到本发明的弹性表面波装置。

对这样所制作的本发明的弹性表面波装置，测定其绝缘特性。

图43中通过曲线图来表示该绝缘特性。该绝缘特性，通过在发送侧滤波器的输入端中加载RF信号，测定来自接收侧滤波器的输出端的信号而求出(另外，通常，在用作分频器时，在没有组装发送侧滤波器与接收侧滤波器之间所插入的匹配网络的状态下进行测定。)。

从图43中所示的结果可以得知，本例中的本发明的弹性表面波装置，具有非常良好的绝缘特性。

<实施例6-2>

与实施例1一样，在钽酸锂单晶体基板的主面上成膜4层电极层。

接下来，通过溅射法在压电基板2的另一面上形成纯Al所制成的导体层10。该导体层10的厚度为200nm。

接下来，如图4所示，通过光刻法与RIE来刻画压电基板2的主面上的电极层形成多个弹性表面波元件区域，其具有：分别形成具有IDT电极3、输入电极部5i、5i以及输出电极部6i、6j的发送侧滤波器区域12以及接收侧滤波器区域13。另外，此时也同时形成接地电极部11、连接电极4以及环状电极7。

该RIE中的蚀刻气体使用BC13与C12的混合气体。作为IDT电极3的梳形电极的线宽以及相邻的梳形电极之间的距离，都约为1μm。

接下来，通过等离子CVD法在压电基板2的主面上成膜硅所形成的保护膜。该成膜温度为300℃，膜厚为20nm。

接下来，通过光刻法与RIE去除该保护膜的一部分，在该部分中通过溅射法成膜有添加了微量的硼元素的硅所制成的阻抗体15，IDT电极3经该阻抗体15与环状电极7相连接。

接下来，通过光刻法与RIE去除该保护膜的一部分，在输入电极部5、输出电极部6以及接地电极部11上层积新的Cr/Ni/Au所形成的电极层，形成输入电极焊盘、输出电极焊盘以及接地电极焊盘。另外，在环状电极7上也形成相同构造的电极层。该新电极层的厚度分别为6nm/1000nm/100nm。

接下来，通过光致抗蚀剂来保护压电基板2的主面，之后，在另一面上也涂布光致抗蚀剂，形成与弹性表面波元件区域相对应的开口，通过采用硝酸、磷酸与醋酸的混合酸的湿蚀刻，对与弹性表面波元件区域相对应的压电基板2的另一面的导体层10进行如图28所示的格子状图形形成，分散有多个未形成导体区域。

接下来，去除光致抗蚀剂之后，将压电基板2通过切割分离为各个弹性表面波元件区域，得到多个弹性表面波元件1。此后的安装工序与实施例6-1相同。

实施例6-1中，安装工序中有时会产生因火花所引起的破坏，而该实施例6-2中，通过经阻抗体15将IDT电极3直流与接地电位相连接，不会产生因火花所引起的破坏。

<实施例6-3>

实施例6-1以及实施例6-2中，在让给定的区域中分散有多个未形成导体区域，而进行部分去除的工序中使用湿蚀刻，但本例中使用通过砂纸的机械研磨。

弹性表面波元件1的制作工序与第1以及第2实施例的工序一样，但另一面的导体层10的用来分散多个未形成导体区域的部分去除，在将弹性表面波元件1安装到作为安装用基板的LTCC基板中之后进行。

这里，砂纸使用粗糙度为#1500、#400以及#220的砂纸。这样，使用它部分去除导体层10之后的该部分的压电基板2的另一面的表面粗糙度，与各个砂纸的粗糙度相对应。

对这样所制作的弹性表面波装置，与实施例6-1中一样测定对应于所使用的各个砂纸的粗糙度的绝缘特性的变化。另外，该绝缘特性的测定，在插入有匹配网络的如图35(a)所示的电路的状态下进行。对应于所使用的砂纸的粗糙度而绝缘特性的变化，与图44(a)～图44(c)中所示的几乎一样。

其结果是，砂纸的粗糙度越粗，就越能够改善绝缘特性，在使用#220的砂纸的情况下，绝缘特性得到了非常显著地改善。另外，由于砂纸的粗糙度越粗，压电基板的另一面的表面粗糙度就变得越粗，因此可以得知，在绝缘特性的波形中所看到的因脉冲波所引起的细小波动就变小。

Claims (32)

1.一种弹性表面波装置，是将形成有滤波器区域的压电基板的主面，装配在安装用基板上的弹性表面波装置，其特征在于：

上述压电基板的主面的上述滤波器区域中，形成有IDT电极与输入电极部以及输出电极部，

上述压电基板的与上述主面相反的另一面中，部分地形成有导体层。

2.如权利要求1所述的弹性表面波装置，其特征在于：

上述导体层，在除了上述压电基板的另一面的、与上述输入电极部相面对的区域，及/或与上述输出电极部相面对的区域之外，在上述压电基板的另一面中形成。

3.如权利要求1所述的弹性表面波装置，其特征在于：

上述导体层，在除了与上述压电基板的另一面的、与从上述输入电极部到上述IDT电极之间直流连接的部分相面对的区域，及/或与从上述输出电极部到上述IDT电极之间直流连接的部分相面对的区域之外，在上述压电基板的另一面中形成。

4.如权利要求1所述的弹性表面波装置，其特征在于：

上述导体层，形成在上述压电基板的另一面中，除了与上述滤波器区域相面对的区域之外。

5.如权利要求1所述的弹性表面波装置，其特征在于：

上述导体层，在上述压电基板的另一面的、与上述输入电极部相面对的区域，及/或与上述输出电极部相面对的区域中，具有与其他区域分离的分离部。

6.如权利要求1所述的弹性表面波装置，其特征在于：

上述导体层，在上述压电基板的另一面的、与从上述输入电极部到上述IDT电极之间直流连接的部分相面对的区域，及/或与从上述输出电极部到上述IDT电极之间直流连接的部分相面对的区域中，具有与其他区域分离的分离部。

7.如权利要求1所述的弹性表面波装置，其特征在于：

上述导体层，在上述压电基板的另一面中，分散有多个未形成导体区域而形成。

8.如权利要求7所述的弹性表面波装置，其特征在于：

上述压电基板的另一面的与上述输入电极部相面对的区域，及/或与上述输出电极部相面对的区域中，上述未形成导体区域所占面积的比例比其他区域大。

9.如权利要求7所述的弹性表面波装置，其特征在于：

在从上述输入电极部到上述IDT电极之间直流连接的部分相面对的区域，及/或与从上述输出电极部到上述IDT电极之间直流连接的部分相面对的区域中，上述未形成导体区域所占面积的比例比其他区域大。

10.如权利要求1所述的弹性表面波装置，其特征在于：

上述滤波器区域由发送侧滤波器区域以及接收侧滤波器区域构成。

11.如权利要求10所述的弹性表面波装置，其特征在于：

上述导体层，在除了上述压电基板的另一面的、与发送侧滤波器区域的上述输入电极部相面对的区域，及/或与上述接收侧滤波器区域的上述输出电极部相面对的区域之外，在上述压电基板的另一面中形成。

12.如权利要求10所述的弹性表面波装置，其特征在于：

上述导体层，在除了与上述压电基板的另一面的、与从发送侧滤波器区域的上述输入电极部到上述IDT电极之间直流连接的部分相面对的区域，及/或与从上述接收侧滤波器区域的上述输出电极部到上述IDT电极之间直流连接的部分相面对的区域之外，在上述压电基板的另一面中形成。

13.如权利要求10所述的弹性表面波装置，其特征在于：

上述导体层，在除了与上述发送侧滤波器区域相面对的区域，及/或与上述接收侧滤波器区域相面对的区域之外，在上述压电基板的另一面中形成。

14.如权利要求10所述的弹性表面波装置，其特征在于：

上述导体层，在上述压电基板的另一面的、与上述发送侧滤波器区域的上述输入电极部相面对的区域，及/或与上述接收侧滤波器区域的上述输出电极部相面对的区域中，具有与其他区域分离的分离部。

15.如权利要求10所述的弹性表面波装置，其特征在于：

上述导体层，在上述压电基板的另一面的、与从上述发送侧滤波器区域的上述输入电极部到上述IDT电极之间直流连接的部分相面对的区域，及/或与从上述接收侧滤波器区域的上述输出电极部到上述IDT电极之间直流连接的部分相面对的区域中，具有与其他区域分离的分离部。

16.如权利要求10所述的弹性表面波装置，其特征在于：

上述导体层，在上述压电基板的另一面的、与上述发送侧滤波器区域相面对的区域，及/或与上述接收侧滤波器区域相面对的区域中，具有与其他区域分离的分离部。

17.如权利要求10所述的弹性表面波装置，其特征在于：

上述导体层，将上述压电基板的另一面的、与上述发送侧滤波器区域相面对的区域，和与上述接收侧滤波器区域相面对的区域互相分离而形成。

18.如权利要求17所述的弹性表面波装置，其特征在于：

上述导体层，在上述压电基板的另一面的、与上述发送侧滤波器区域相面对的区域，及/或与上述接收侧滤波器区域相面对的区域中，将与发送侧滤波器区域的上述输入电极部相面对的区域，以及与接收侧滤波器区域的上述输出电极部相面对的区域互相分离而形成。

19.如权利要求10所述的弹性表面波装置，其特征在于：

上述导体层，在上述压电基板的另一面中，分散有多个未形成导体区域而形成。

20.如权利要求19所述的弹性表面波装置，其特征在于：

上述压电基板的另一面的、与上述发送侧滤波器区域的上述输入电极部相面对的区域，及/或与上述接收侧滤波器区域的上述输出电极部相面对的区域中，上述未形成导体区域所占面积的比例比其他区域大。

21.如权利要求19所述的弹性表面波装置，其特征在于：

上述压电基板的另一面的、与从上述发送侧滤波器区域的上述输入电极部到上述IDT电极之间直流连接的部分相面对的区域，及/或与从上述接收侧滤波器区域的上述输出电极部到上述IDT电极之间直流连接的部分相面对的区域中，上述未形成导体区域所占面积的比例比其他区域大。

22.如权利要求1所述的弹性表面波装置，其特征在于：

上述压电基板的另一面的、上述未形成导体区域的表面粗糙度，比形成有上述导体层的区域的表面粗糙度大。

23.如权利要求1所述的弹性表面波装置，其特征在于：

上述压电基板的主面中，形成有包围上述滤波器区域的环状电极，该环状电极与上述安装用基板上所形成的安装基板侧环状导体相接合。

24.如权利要求23所述的弹性表面波装置，其特征在于：

上述IDT电极经阻抗体与上述环状电极电连接，该环状电极处于接地电位。

25.如权利要求1所述的弹性表面波装置，其特征在于：

上述压电基板，由氧元素的含有量比化学计量比组成少的钽酸锂单晶体、铌酸锂单晶体或四硼酸锂单晶体构成。

26.如权利要求1所述的弹性表面波装置，其特征在于：

上述压电基板为压电材料的双层重叠，上述主面侧由压电材料形成，上述另一面侧由介电率比上述压电材料小的材料形成。

27.一种弹性表面波装置的制造方法，是制造如权利要求1所述的弹性表面波装置的方法，其特征在于，包括：

在压电基板的主面形成电极层的电极层形成工序；

对上述主面的上述电极层进行图形形成，形成具有IDT电极与输入电极部以及输出电极部的滤波器区域的电极图形形成工序；及

让分离上述压电基板，得到多个弹性表面波元件的工序，与将上述弹性表面波元件，上述压电基板的主面与安装用基板相面对进行安装的安装工序中，任一方先进行，另一方后进行的工序，

其中，设有在上述压电基板的另一面中，部分地形成导体层的部分导体层形成工序。

28.如权利要求27所述的弹性表面波装置的制造方法，其特征在于：

上述部分导体层形成工序包括：

在上述电极层形成工序之前，或上述电极层形成工序与上述电极图形形成工序之间，或电极图形形成工序与上述分离工序或安装工序之间，在上述压电基板的另一面形成导体层的导体层形成工序；以及

在上述导体层形成工序之后，将上述另一面中所形成的上述导体层的相当于上述未形成导体区域的部分去除的去除工序。

29.如权利要求27所述的弹性表面波装置的制造方法，其特征在于：

上述部分导体层形成工序，预先设定不形成导体层的未形成导体区域，在该区域之外形成导体层。

30.如权利要求28所述的弹性表面波装置的制造方法，其特征在于：

上述去除工序中，在为了分离上述另一面中所形成的上述导体层而进行部分地去除时，让所去除的部分的上述另一面的表面粗糙度，比没有去除的区域的上述另一面的表面粗糙度大。

31.一种通信装置，其特征在于：

至少具备具有权利要求1中所述的弹性表面波装置的接收电路与发送电路中的任一方。

32.一种通信装置，其特征在于：

将权利要求1中所述的弹性表面波装置用作分频器。

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