JPWO2009013974A1 - 弾性表面波装置及び通信装置 - Google Patents

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Abstract

SAW装置は、圧電基板1上に3個以上の奇数個のIDT電極4〜9と、反射器電極10〜13とを有する第1及び第2のSAW素子2,3と、第1及び第2のSAW素子2,3を縦続接続する接続配線16と、第1のSAW素子2の両端のIDT電極4,6に接続された第1の不平衡信号端子14と、第2のSAW素子3の両端のIDT電極7,9に接続された第2の不平衡信号端子15と、を具備し、第1及び第2のSAW素子2,3はそれぞれ中央のIDT電極5,8の一方のバスバー電極17が2分割され、第1及び第2のSAW素子2,3の少なくとも一方の中央のIDT電極の非分割のバスバー電極18,19が基準電位電極に接続されており、接続配線16は平衡信号配線とされている。

Description

本発明は、例えば携帯電話等の移動体通信機器に用いられる弾性表面波フィルタ及び弾性表面波共振器等を含む弾性表面波装置、及びこれを備えた通信装置に関するものである。
従来、携帯電話や自動車電話等の移動体通信機器のRF(無線周波数)段に用いられる周波数選択フィルタ(以下、フィルタともいう)として、SAW(Surface Acoustic Wave)フィルタが広く用いられている。一般に、周波数選択フィルタに求められる特性としては、広通過帯域、低損失および高減衰量等の諸特性が挙げられる。
図8に、従来の共振器型SAWフィルタの電極構造の平面図を示す。図8に示す従来のSAWフィルタは、第1のSAW素子91と第2のSAW素子92とが2段で縦続接続されており、第1のSAW素子91の中央に位置するIDT電極82に不平衡入力端子94が接続されており、第2のSAW素子92の中央に位置するIDT電極85に不平衡出力端子95が接続されている(例えば、特許文献1を参照)。
このように、共振器電極パターンを2段縦続接続させることにより、1段目と2段目の定在波の相互干渉が生じる。これにより、帯域外減衰量を高減衰化し、フィルタ特性の帯域外減衰量を向上させることができる。即ち、同様の特性をもつSAWフィルタを2段縦続接続した構成とすることによって、1段目で減衰された信号が2段目でさらに減衰され、帯域外減衰量を約2倍に向上させることができる。
特開2002−84163号公報
図8に示す従来のSAWフィルタの場合、中央のIDT電極に接続された接地端子同士が隣接している位置にある。そのため、接地端子同士の間で容量成分が発生し、SAWフィルタの通過帯域外減衰量が小さくなる傾向にあった。かかるSAWフィルタを通信装置である携帯電話端末に組み込んだ場合、携帯電話端末の通話品質に影響を及ぼすことから、通過帯域外減衰量が大きなSAWフィルタが望まれている。
本発明は、上記ニーズに応えることが可能な弾性表面波装置、およびそれを用いた通信装置を提供するものである。
本発明の一形態にかかる弾性表面波装置は、第1領域と、前記第1領域の両隣に配される第2、第3領域とを有する圧電基板と、前記圧電基板上の前記第2領域に配置されており、前記圧電基板上を伝搬する弾性表面波の伝搬方向に沿って第1、第2、第3のIDT電極が順に配列されているとともに、前記1、第2、第3のIDT電極のうち中央に配された第2のIDT電極は、前記圧電基板上の第1領域側に配され且つ2分割された第1分割バスバー電極と、前記圧電基板上の第2領域に配され且つ前記第2領域に配された基準電位電極に接続される非分割のバスバー電極とを含んで構成されている第1の弾性表面波素子と、前記圧電基板上の前記第3領域に配置されており、前記圧電基板上を伝搬する弾性表面波の伝搬方向に沿って第4、第5、第6のIDT電極が順に配列されているとともに、前記第4、第5、第6のIDT電極のうち中央に配された第5のIDT電極は、前記第1分割バスバー電極と隣り合うように前記第1領域側に配された第2分割バスバー電極と前記圧電基板上の第3領域側に配された非分割のバスバー電極とを含んで構成されている第2の弾性表面波素子と、前記1領域に配置され、前記第1分割バスバー電極と前記第2分割バスバー電極とを接続することにより前記第1及び第2の弾性表面波素子を縦続接続する平衡信号配線と、前記第1弾性表面波素子の第1、第3のIDT電極に接続され、且つ前記第2領域に配置される第1の不平衡信号端子と、前記第2弾性表面波素子の第4、第6のIDT電極に接続され、且つ前記第3領域に配置される第2の不平衡信号端子と、を具備している。
また、本発明の一形態にかかる通信装置は、上記の弾性表面波装置を有する、受信回路及び送信回路の少なくとも一方を備える。
本発明の一形態にかかるSAW装置によれば、中央のIDT電極に生じた電荷を基準電位電極に逃がすことができる。これにより、通過帯域外の減衰量が大きい電気的な特性に優れたSAW装置となすことができる。
また、基準電位電極を第1及び第2のSAW素子の間に設ける必要がなくなることから、従来のように基準電位電極同士の間に容量成分が発生することが殆どない。その結果、SAWフィルタの通過帯域外における減衰量が大きくなり電気的な特性に優れたSAW装置となすことができる。
また、第1のSAW素子と第2のSAW素子との間が平衡信号配線で接続されていることにより、中央のIDT電極の非分割バスバー電極と、両端のIDT電極の基準電位電極に接続されるバスバー電極とが、インダクタンス成分を介して基準電位電極に接続されている場合においても、中央のIDT電極の非分割バスバー電極の電位は平衡信号の基準電位に一致するとともに一定である。そのため、不平衡信号端子に対するインピーダンスの整合を阻害することがなく、SAWフィルタのインピーダンス整合を充分に取ることができる。
本発明の一形態にかかる通信装置によれば、感度が良好な通信装置を実現することができる。
本発明の一実施形態におけるSAW装置の1例を示す平面図である。 本発明の一実施形態におけるSAW装置の他の例を示す平面図である。 本発明の一実施形態におけるSAW装置の他の例を示す平面図である。 本発明の一実施形態におけるSAW装置の他の例を示す平面図である。 本発明の一実施形態におけるSAW装置の他の例を示す平面図である。 本発明の実施例のSAW装置及び比較例のSAW装置について、通過帯域及びその近傍における透過特性の周波数特性をそれぞれ示すグラフである。 図5に示すSAW装置を用いて構成されたフィルタを示す平面図である。 従来のSAW装置の1例を示す平面図である。 本発明の一実施形態にかかる通信装置のブロック回路図である。
符号の説明
1:圧電基板
2,3:SAW素子
4〜9:IDT電極
10〜13:反射器電極
14:第1の不平衡信号端子
15:第2の不平衡信号端子
41:SAW共振子
以下、本発明の実施形態におけるSAW装置について図面を参照しつつ詳細に説明する。また、本実施形態では、SAW装置として共振器型のSAWフィルタを例にとり説明する。なお、以下に説明する図面において同一構成の部分には同一符号を付すものとする。また、各電極の大きさや電極間の距離等、電極指の本数や間隔等については、説明のために模式的に図示している。
図1に示すSAW装置は、第1及び第2のSAW素子2,3を有する。なお図では第1領域と第2領域との境界、第1領域と第3領域との境界をそれぞれ点線で示している。第1のSAW素子2は圧電基板1上に、圧電基板1上を伝搬するSAWの伝搬方向に沿って配列された複数の電極指を備えた第1、第2、第3のIDT電極4,5,6を有する。また第2のSAW素子3は圧電基板1上に、圧電基板1上を伝搬するSAWの伝搬方向に沿って配列された複数の電極指を備えた第4、第5、第6のIDT電極7,8,9を有する。また図1に示すSAW装置は、第1、第2、第3のIDT電極4〜6の両側にそれぞれ配置された電極指を複数備えた第1、第2の反射器電極10,11と、第4、第5、第6のIDT電極7〜9の両側にそれぞれ配置された電極指を複数備えた第3、第4の反射器電極12,13を有する。第1〜第3のIDT電極4〜6及び第4〜第6のIDT電極7〜9が有する電極指、ならびに、第1〜第4反射器電極10〜13が有する電極指は、それぞれの長手方向が伝搬方向に直交する方向に沿って配置されている。また、図1に示すSAW装置は、第1及び第2のSAW素子2,3を縦続接続する平衡信号配線16と、第1のSAW素子2の3個のIDT電極4〜6のうち両端の第1、第3のIDT電極4,6に接続され、第2領域に配された第1の不平衡信号端子14と、第2のSAW素子3の3個のIDT電極7〜9のうち両端の第4,第6のIDT電極7,9に接続され、第3領域に配された第2の不平衡信号端子15と、を更に有する。なお、第1の不平衡信号端子14は、例えば、不平衡信号入力端子であり、第2の不平衡信号端子15は、例えば、不平衡信号出力端子である。
第1のSAW素子2の中央に位置する第2のIDT電極5は、2分割され、第1領域側に配された第1分割バスバー電極17,17を有する。一方、第2のSAW素子3の中央に位置する第5のIDT電極8は、2分割され、第1領域側に配された第2分割バスバー電極17’、17’を有する。この分割された第1、第2バスバー電極17,17、17’,17’は平面的に平衡信号配線16を介して対向するように配置されている。第1のSAW素子2の中央に位置する第5のIDT電極5は、非分割のバスバー電極18を更に有し、該非分割のバスバー電極18が第2領域に配された基準電位電極18Sに接続されている。
第1のSAW素子2の非分割のバスバー電極18が基準電位電極18Sに接続されているので、IDT電極5に生じた電荷を基準電位電極18Sに逃がすことができ、第1のSAW素子2と第2のSAW素子3との間で、IDT電極5,8に生じた電荷が及ぼしあう影響を低減することができる。その結果、通過帯域外減衰量が大きくなる。
また、基準電位電極を第1及び第2のSAW素子2,3の間に設ける必要がなくなることから、基準電位電極同士の間に発生する容量成分を小さくできる。その結果、SAWフィルタの通過帯域外の減衰量が大きくなり、電気的特性に優れたSAW装置となすことができる。
さらには、第1及び第2のSAW素子2,3の間のスペースを小さくすることができるので、SAW装置を小型化することができるという利点もある。例えば、図1のSAW装置の場合、第1及び第2のSAW素子2,3の間の間隔を、30μm程度と小さくすることができる。
また、第1及び第2のSAW素子2,3の間の間隔は10〜70μm程度が好ましい。これにより、第1及び第2のSAW素子2,3の間で電磁的な干渉を低減できるとともにSAW装置を小型化することができる。
また、第1のSAW素子2と第2のSAW素子3との間が平衡信号配線16で接続されていることにより、IDT電極5の非分割バスバー電極18基準電位電極との接続経路において、配線のインダクタンスが含まれている場合であっても、SAWフィルタのインピーダンス整合を充分に取ることができる。
図1に示すSAW装置では、第2のIDT電極5の非分割のバスバー電極18が基準電位電極18Sに接続されており、第5のIDT電極8の非分割のバスバー電極19が電気的に浮遊状態とされている。すなわち、図1に示すSAW装置の場合、非分割のバスバー電極19に接続される基準電位電極が省略されているため、その分より小型化されている。
なお、図1の構成において、第1のIDT電極4が有する一方のバスバー電極が第1の反射器電極10のバスバー電極を介して基準電位(例えば、接地電位)に接続されており、両バスバー電極が直線状に配置されている。すなわち、該両バスバー電極によって、共通バスバー電極4Bを構成している。第3のIDT電極6と第2の反射器電極11、第4のIDT電極7と第3の反射器電極12、及び、第6のIDT電極9と第4の反射器電極13も同様に、共通バスバー電極6B、7B、9Bを共有している。また、第1のIDT電極4は、共通バスバー電極4Bに接続され、第2のIDT電極5に隣接する、一対の電極指を有する。前記一対の電極指は、不平衡信号を平衡信号へ変換する。同様に、第4のIDT電極7は、共通バスバー電極7Bに接続され、第5のIDT電極8に隣接する、一対の電極指を有する。
図2に、本発明の一実施形態におけるSAW装置の他の例の平面図を示す。図1のSAW装置は、第2のSAW素子の中央に位置する第5のIDT電極8が基準電位電極(以下、第1の基準電位電極ともいう)に接続されずに浮遊状態となっているのに対し、図2に示すSAW装置は、第2のSAW素子3の中央に位置する第5のIDT電極8の非分割のバスバー電極19が、第2基準電位電極19Sに接続されているものである。
図2に示すSAW装置の場合、第1及び第2のSAW素子2,3の中央に位置する第2、第5のIDT電極5,8の非分割のバスバー電極18,19が、それぞれ第1、第2基準電位電極18S、19Sに接続されているので、第2、第5のIDT電極5,8に生じた電荷を第1、第2基準電位電極18S、19Sに逃がすことができる。その結果、第1のSAW素子2と第2のSAW素子3との間で、電荷が互いに及ぼす影響が良好に低減される。さらに、第1、第2基準電位電極18S,19S同士が互いに離れた位置に設けられているので、それらの間に発生する電気的な容量成分を大幅に小さくできる。従って、SAWフィルタの通過帯域外減衰量を更に大きくすることができる。
また、図2に示すSAW装置は、基準電位電極18S、10S,11Sが不平衡信号端子14側、換言すれば圧電基板1の第2領域に配置されている。一方、第2基準電位電極19S,12S,13Sは不平衡信号端子15側、換言すれば圧電基板1の第3の領域側に配置されている。
この場合、第1のSAW素子2と第2のSAW素子3との間に基準電位電極10S,11S,12S,13S,18S,19Sが配置されないため、第1のSAW素子2と第2のSAW素子3を近接して配置することができ、SAW装置を小型化することができる。
図3に本発明の一実施形態におけるSAW装置の他の例の平面図を示す。図3の構成は、図1のSAW装置において、第1及び第2のSAW素子31〜36から成る3組(31と34の組、32と35の組、33と36の組)が、第1及び第2の不平衡信号端子14,15に対して並列接続されているものである。
これにより、通過帯域外減衰量を大幅に大きくすることができる。また、第1及び第2のSAW素子31〜36の複数組が並列接続された電極構造を有しているので、それぞれのSAW素子31〜36に印加される電力を分散させることができ、SAWフィルタの耐電力性を向上させることができる。
図4に本発明一実施形態におけるSAW装置の他の例の平面図を示す。図4の構成は、図1のSAW装置において、第1のSAW素子2と不平衡信号端子14との間に、第1のSAW素子2及び不平衡信号端子14に接続されるSAW共振子41を配置したものである。これにより、第1及び第2のSAW素子2,3に対して、SAW共振子41の反共振周波数と共振周波数とを適宜設定することにより、所望の周波数に減衰極を形成することができるので、通過帯域外減衰量をさらに大きくすることができる。
図5に本発明の一実施形態におけるSAW装置の他の例の平面図を示す。図5の構成は、図1に示すSAW装置において、第1の基準電位用引き出し線51と、第1の信号引き出し線53と、両引き出し線51,53との間に介在される第1の絶縁体21と、第2の基準電位引き出し線52と、第2の信号引き出し線54と、両引き出し線52と54との間に介在される第2の絶縁体21と、を有する立体配線が形成された構成である。基準電位用引き出し線51は、第1のSAW素子2の第2のIDT電極5の非分割のバスバー電極18および第1、第2の反射器電極10、11を共通基準電位電極51Sに対して電気的に接続する。信号引き出し線53は、IDT電極5の両側に配置されるIDT電極4,6と第1の不平衡信号端子14とを電気的に接続する。同様に、基準電位用引き出し線52は、第2のSAW素子3の第5のIDT電極8の非分割のバスバー電極19および第3、第4の反射器電極12、13を共通基準電位電極52Sに対して電気的に接続する。信号引き出し線54は、IDT電極8の両側に位置するIDT電極7,9と第2の不平衡信号端子15とを電気的に接続する。
また、図1のSAW装置では、例えば第1のSAW素子2において、基準電位電極18S,基準電位電極10S、基準電位電極11Sがそれぞれ別個に設けられているが、図5に示すSAW装置は、共通基準電位電極51を1個設け、この共通基準電位電極51に第2のIDT電極5、第1、第2の反射器電極10,11が第1の基準電位用引き出し線51を介して共通に接続されている。基準電位電極は通常、半田バンプなどを配置するために比較的大きめの電極パッドにより形成されるが、図5に示すSAW装置は、このような電極パッドの数を減らすことができ、例えば、空いたスペースを他の電極の配置のために使用できるため設計の自由度が増す。
図5に示すSAW装置の場合、第1及び第2の基準電位用引き出し配線51,52と第1及び第2の信号引き出し線53,54とを交差させているため、これによってもSAW装置を小型化することができる。
立体配線の形成は、以下のようにして行う。
先ず、圧電基板1上に第1〜第6のIDT電極4〜9を、例えば、0.1μm〜0.5μm程度の厚みを有するように形成する。この厚みに設定することで、SAW素子2,3を好適に励振させることができる。IDT電極の形成と同時に第1〜第4の反射器電極10〜13、信号引き出し線53,54、第1、第2の不平衡信号端子14,15なども形成される。
次に、IDT電極4〜9などを覆って保護するための保護膜を成膜する。保護膜の材料としては、Si,SiO2,SiNx,Al23等を用いることができる。その成膜方法としては、スパッタリング法,CVD(Chemical Vapor Deposition)法,電子ビーム蒸着法等を用いることができる。
次に、第1及び第2の信号引き出し線53,54のうち、第1及び第2の基準電位用引き出し線51,52と交差すべき部分に第1及び第2の絶縁体21を形成する。第1及び第2の絶縁体21の材料としては、感光性ポリイミド樹脂,非感光性ポリイミド樹脂,SiO2,SiNx,Al23等を用いることができる。第1及び第2の絶縁体21の形成方法としては、スピンコート法により樹脂膜を塗布した後、フォトリソグラフィを行って所望のパターンを得る方法を採用することができる。また、第1及び第2の絶縁体21の材料としてSiO2,SiNx,Al23等を用いる場合の形成方法としては、スパッタリング法,CVD(Chemical Vapor Deposition)法を用いることができる。
第1及び第2の絶縁体21を形成した後、第1及び第2の基準電位用引き出し線51,52をスパッタリング法などにより成膜しパターニングすることで形成する。このようにして立体配線の形成が行われる。
図7に図5に示したSAW装置により構成されるSAWフィルタの平面図を示す。なお図7に示すSAWフィルタは、第1のSAW素子2と第2のSAW素子3との組からなるSAW装置が3組ある場合を示している。図7に示すように、いずれの組においてもSAW素子2とSAW素子3との間のスペースには、基準電位用電極が配置されていないため不要な容量が発生することが低減され、電気特性に優れたSAWフィルタとなすことができる。また図7に示すSAWフィルタは、第1及び第2の基準電位引き出し線51,52と第1及び第2の信号引き出し線53,54とが第1及び第2の絶縁体21を介して絶縁されているため、これらの引き出し線51,52,53,54の引き回しを短くすることができ、SAWフィルタを小型化することができる。
なお、SAWフィルタ用の圧電基板1としては、36°±3°YカットX伝搬タンタル酸リチウム単結晶、42°±3°YカットX伝搬タンタル酸リチウム単結晶、64°±3°YカットX伝搬ニオブ酸リチウム単結晶、41°±3°YカットX伝搬ニオブ酸リチウム単結晶、45°±3°XカットZ伝搬四ホウ酸リチウム単結晶を用いることが好ましい。これらは、電気機械結合係数が大きく、かつ、周波数温度係数が小さいことからである。また、これらの焦電性圧電単結晶のうち、酸素欠陥やFe等の固溶により焦電性を著しく減少させた焦電性圧電単結晶を圧電基板1として用いることが、SAW装置の信頼性上良好である。圧電基板1の厚みは0.1〜0.5mm程度がよく、0.1mm未満では圧電基板1が脆くなり、0.5mm超では材料コストと部品寸法が大きくなり使用に適さない。
また、IDT電極及び反射器電極は、AlもしくはAl合金(Al−Cu系、Al−Ti系)からなり、蒸着法、スパッタリング法、またはCVD法等の薄膜形成法により形成する。電極厚みは0.1〜0.5μm程度とすることがSAWフィルタとしての所期の特性を得る上で好適である。
さらに、各種電極及び圧電基板1上のSAWの伝搬部に、SiO2,SiNx,Si,Al23を保護膜として形成することにより導電性異物による通電を防止したり耐電力性を向上させることができる。
なお図7に示すSAWフィルタでは、第1、第2のSAW素子2,3などを囲む環状導体55が設けられている。環状導体55は、SAWフィルタの使用時、グランド電位に保持されるようになっており、これによって外部の不要な電磁波がSAW素子2,3などに与える影響を小さくすることができ、SAWフィルタの電気特性を向上させることができる。
本発明のSAW装置は、携帯電話端末などの通信装置に適用することができる。
図9は、本発明の一実施形態における通信装置を示すブロック図である。図9において、アンテナ140に送信回路Txと受信回路Rxが分波器150を介して接続されている。この分波器150を構成するフィルタや受信回路Rxのフィルタ170、あるいは送信回路Txのフィルタ210として、例えば図1〜5に示したSAW装置を用いることができる。
図9に示す通信装置において送信される高周波信号は、フィルタ210によりその不要信号が除去され、パワーアンプ220で増幅される。その後、増幅された高周波信号は、アイソレータ230と分波器150を通り、アンテナ140から放射される。また、アンテナ140で受信された高周波信号は、分波器150を通りローノイズアンプ160で増幅されフィルタ170でその不要信号を除去された後、アンプ180で再増幅されミキサ190で低周波信号に変換される。
本発明のSAW装置の実施例について以下に説明する。図2に示すSAW装置を具体的に作製した実施例について説明する。
38.7°YカットのX方向伝搬とするLiTaO3単結晶からなる圧電基板(多数個
取り用の母基板)1上に、Al(99質量%)−Cu(1質量%)合金から成る、IDT電極4〜9や反射器電極10〜13としての微細電極パターンを形成した。
また、各電極のパターンの作製には、スパッタリング装置、縮小投影露光機(ステッパー)、及びRIE(Reactive Ion Etching)装置によりフォトリソグラフィを施すことにより行った。
まず、圧電基板1をアセトン,IPA(イソプロピルアルコール)等によって超音波洗浄し、有機成分を落とした。次に、クリーンオーブンによって充分に圧電基板1の乾燥を行った後、各電極となる金属層の成膜を行った。金属層の成膜にはスパッタリング装置を使用し、金属層の材料としてAl(99質量%)−Cu(1質量%)合金を用いた。このときの金属層の厚みは約0.15μmとした。
次に、金属層上にフォトレジストを約0.5μmの厚みにスピンコートし、縮小投影露光装置(ステッパー)により、所望形状にパターニングを行い、現像装置にて不要部分のフォトレジストをアルカリ現像液で溶解させ、所望パターンを表出させた。その後、RIE装置により金属層のエッチングを行い、パターニングを終了し、SAW装置を構成する各電極のパターンを得た。
この後、電極の所定領域上に保護膜を形成した。即ち、CVD(Chemical Vapor Deposition)装置により、各電極のパターン及び圧電基板1上にSiO膜を約0.02μmの厚みで形成した。
その後、フォトリソグラフィによりパターニングを行い、RIE装置等でフリップチップ用窓開け部のエッチングを行った。その後、そのフリップチップ用窓開け部に、スパッタリング装置を使用して、Cr層、Ni層、Au層を積層した構成のパッド電極を成膜した。このときのパッド電極の厚みは約1.0μmとした。その後、印刷法及びリフロー炉を用いて、SAW装置を外部回路基板等にフリップチップ実装するための半田バンプを、パッド電極上に形成した。
次に、圧電基板1に分割線に沿ってダイシング加工を施し、各SAW装置(チップ)ごとに分割した。その後、各チップをフリップチップ実装装置によってパッド電極の形成面を下面にして、外部のパッケージ内に収容し接着した。その後、Nガス雰囲気中でベーキングを行い、パッケージ化されたSAW装置を完成した。パッケージは、セラミック層を多層積層して成る2.5×2.0mm角の積層構造のものを用いた。
また、比較例1のサンプルとして、図2の構成において、SAW素子2,3のIDT電極5,8の非分割のバスバー電極18,19が基準電位電極に接続されておらず、電気的な浮遊状態(フローティング状態)となっているSAW装置を用いた。比較サンプル1におけるその他の構成は、図2の構成と同様である。
次に、本実施例及び比較例のSAW装置について、それぞれの特性をコンピュータシミュレーションによって求めた。SAW装置の動作周波数は700〜6000MHzである。
通過帯域近傍の周波数特性のグラフを図6に示す。図6は、フィルタの伝送特性を表す透過特性の周波数依存性を示すグラフである。本実施例品のフィルタ特性は非常に良好であった。即ち、図6の破線で示した比較例のSAWフィルタと比較して、図6の実線で示すように、本実施例におけるSAWフィルタの通過帯域外減衰量は大幅に増加した。
また、比較例2のサンプルとして、図8の構成のSAW装置を作製した。このSAW装置において、第1のSAW素子91と第2のSAW素子92との間の間隔は、100μmであった。一方、本実施例のSAW装置において、第1のSAW素子2と第2のSAW素子3との間の間隔は、30μmであった。その結果、本実施例のSAW装置の面積は55300μm、比較例2のSAW装置の面積は68900μmとなり、本実施例のSAW装置は、面積比で20%小型化された。
このように本実施例では、通過帯域外減衰量を大幅に増加させることができ、また小型のSAW装置を実現することができた。

Claims (12)

  1. 第1領域と、前記第1領域の両隣に配される第2、第3領域とを有する圧電基板と、
    前記圧電基板上の前記第2領域に配置されており、
    前記圧電基板上を伝搬する弾性表面波の伝搬方向に沿って第1、第2、第3のIDT電極が順に配列されているとともに、前記1、第2、第3のIDT電極のうち中央に配された第2のIDT電極は、前記圧電基板上の第1領域側に配され且つ2分割された第1分割バスバー電極と、前記圧電基板上の第2領域に配され且つ前記第2領域に配された基準電位電極に接続される非分割のバスバー電極とを含んで構成されている第1の弾性表面波素子と、
    前記圧電基板上の前記第3領域に配置されており、
    前記圧電基板上を伝搬する弾性表面波の伝搬方向に沿って第4、第5、第6のIDT電極が順に配列されているとともに、前記第4、第5、第6のIDT電極のうち中央に配された第5のIDT電極は、前記第1分割バスバー電極と隣り合うように前記第1領域側に配された第2分割バスバー電極と前記圧電基板上の第3領域側に配された非分割のバスバー電極とを含んで構成されている第2の弾性表面波素子と、
    前記1領域に配置され、前記第1分割バスバー電極と前記第2分割バスバー電極とを接続することにより前記第1及び第2の弾性表面波素子を縦続接続する平衡信号配線と、
    前記第1弾性表面波素子の第1、第3のIDT電極に接続され、且つ前記第2領域に配置される第1の不平衡信号端子と、
    前記第2弾性表面波素子の第4、第6のIDT電極に接続され、且つ前記第3領域に配置される第2の不平衡信号端子と、
    を具備している弾性表面波装置。
  2. 前記第5のIDT電極の非分割のバスバー電極が電気的に浮遊状態とされている
    請求項1記載の弾性表面波装置。
  3. 前記第5のIDT電極の非分割のバスバー電極が前記第3領域に配された第2基準電位電極に接続されている
    請求項1記載の弾性表面波装置。
  4. 前記第1及び第2の弾性表面波素子から成る組を複数備え、
    該複数の組が、前記第1及び第2の不平衡信号端子に対して並列接続されている
    請求項1に記載の弾性表面波装置。
  5. 前記第1の弾性表面波素子と前記第1の不平衡信号端子との間、または前記第2の弾性表面波素子と前記第2の不平衡信号端子との間に、弾性表面波共振子が接続されている
    請求項1に記載の弾性表面波装置。
  6. 前記第1、第2、第3のIDT電極の前記伝搬方向の両側に配置された第1、第2の反射器電極をさらに有し、
    前記第1の弾性表面波素子の前記第2のIDT電極の非分割のバスバー電極と前記第1、第2の反射器電極とは、基準電位用引き出し配線を介して前記基準電位電極に接続されており、前記第1、第3のIDT電極と前記第1の不平衡信号端子とを接続する信号引き出し配線が、絶縁体を介して前記基準電位用引き出し配線と交差している
    請求項1乃至5のいずれか記載の弾性表面波装置。
  7. 前記第1、第2、第3のIDT電極の前記伝搬方向の両側に配置された第1、第2の反射器電極をさらに有し、
    前記第1のIDT電極と前記第1の反射器電極とが第1の共通バスバー電極により繋がっており、
    前記第3のIDT電極と前記第2の反射器電極とが第2の共通バスバー電極により繋がっている
    請求項1乃至5のいずれか記載の弾性表面波装置。
  8. 第1及び第2の弾性表面波素子の間の間隔が10〜70μmである
    請求項1乃至7のいずれか記載の弾性表面波装置。
  9. 前記第1、第3のIDT電極が、前記第2のIDT電極の非分割のバスバー電極が接続された前記基準電位電極に接続されている請求項7に記載の弾性表面波装置。
  10. 弾性表面波装置を有する、受信回路及び送信回路の少なくとも一方を備え、
    前記弾性表面波装置は、
    第1領域と、前記第1領域の両隣に配される第2、第3領域とを有する圧電基板と、
    前記圧電基板上の前記第1領域と前記第2領域との間に配置されており、
    前記圧電基板上を伝搬する弾性表面波の伝搬方向に沿って第1、第2、第3のIDT電極が配列されているとともに、前記1、第2、第3のIDT電極のうち中央に配された第2のIDT電極は、前記圧電基板上の第1領域側に配され且つ2分割された第1分割バスバー電極と、前記圧電基板上の第2領域側に配され且つ基準電位電極に接続される非分割のバスバー電極とを含んで構成されている第1の弾性表面波素子と、
    前記圧電基板上の前記第1領域と前記第3領域との間に配置されており、
    前記圧電基板上を伝搬する弾性表面波の伝搬方向に沿って第4、第5、第6のIDT電極が配列されているとともに、前記第1、第2、第3のIDT電極のうち中央に配された第5のIDT電極は、前記第1分割バスバー電極と隣り合うように前記第1領域側に配された第2分割バスバー電極と前記圧電基板上の第3領域側に配された非分割のバスバー電極とを含んで構成されている第2の弾性表面波素子と、
    前記1領域に配置され、前記第1分割バスバー電極と前記第2分割バスバー電極とを接続することにより前記第1及び第2の弾性表面波素子を縦続接続する平衡信号配線と、
    前記第1弾性表面波素子の第2、第3のIDT電極に接続され、且つ前記第2領域に配置される第1の不平衡信号端子と、
    前記第2弾性表面波素子の第4、第6のIDT電極に接続され、且つ前記第3領域に配置される第2の不平衡信号端子と、
    を具備している通信装置。
  11. 前記送信回路は、送信信号をキャリア周波数に重畳させるミキサと、送信信号を増幅するパワーアンプと、増幅された送信信号をアンテナへ送信する、前記弾性表面波装置を含む分波器と、を有する
    請求項10記載の通信装置。
  12. 前記受信回路は、アンテナで受信した受信信号を受信信号処理回路側へ伝送する、前記弾性表面波装置を含む分波器と、前記受信信号を増幅するローノイズアンプと、前記受信信号をキャリア周波数から分離するミキサと、を有する
    請求項10記載の通信装置。
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