JP5144309B2

JP5144309B2 - 弾性表面波装置及び通信装置

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Publication number: JP5144309B2
Application number: JP2008045934A
Authority: JP
Inventors: 裕二森
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2008-02-27
Filing date: 2008-02-27
Publication date: 2013-02-13
Anticipated expiration: 2028-02-27
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Description

本発明は、例えば携帯電話等の移動体通信機器に用いられる弾性表面波フィルタや弾性表面波共振器等の弾性表面波装置及びこれを備えた通信装置に関し、特に、通過帯域外減衰量を十分に取ることができる弾性表面波フィルタとしての弾性表面波装置及び通信装置に関するものである。

従来、携帯電話や自動車電話等の移動体通信機器のＲＦ（無線周波数）段に用いられる周波数選択フィルタ（以下、フィルタともいう）として、弾性表面波フィルタが広く用いられている。一般に、周波数選択フィルタに求められる特性としては、広通過帯域、低損失、高減衰量等の諸特性が挙げられる。

また、ＧＰＳ(Global Positioning System)による測位機能を利用するため、ＧＰＳ受信機として、中心周波数１５７５．４２ＭＨｚを持った狭帯域ＲＦフィルタが要求されている。特に、ＧＰＳ受信機においては、６ＧＨｚ付近の高周波帯域の帯域外減衰量を確保することが要求されている。即ち、６ＧＨｚ付近の高周波帯域（ＵＷＢ，ＢａｎｄIII等の周波数帯）においては、ＩＤＴ電極間での電気的な干渉が発生し易いために、減衰量を小さくすることが難しい。従って、６ＧＨｚ付近の高周波帯域における減衰量を大きくすることに対する要望が大きい。

これらの要求特性に対して、電気信号を弾性表面波に変換させるＩＤＴ（Inter Digital Transducer）電極及び反射器電極を有する弾性表面波素子をラダー型に構成したラダー型回路を有する弾性表面波フィルタが提案されている。

例えば、特許文献１には、圧電基板上に複数の弾性表面波素子によりラダー型回路を構成した弾性表面波フィルタが開示されている。並列弾性表面波素子（並列弾性表面波共振子）に直列にインダクタを付加した構成により、通過帯域外に減衰極を形成し、帯域外減衰量を向上させる技術が開示されている（特許文献１を参照）。

また、引用文献２には、並列腕共振子（並列弾性表面波共振子）に、直列にインピーダンス素子を接続し、通過帯域外に減衰極を形成することにより、帯域外減衰量を増大させることが開示されている。

図２に、引用文献２に記載された従来のラダー型回路を有する弾性表面波フィルタ１００の等価回路図を示す。入力端子５８と出力端子５９との間に、直列共振子（直列弾性表面波共振子）５１（Ｓ１），５２（Ｓ２），５３（Ｓ３）が直列に接続され、並列共振子（並列弾性表面波共振子）５４（Ｐ１），５５（Ｐ２）が並列に接続されている。並列共振子５４，５５の接地側が接続されて共通化され、直列にインピーダンス素子５６（Ｚ）が接続され、接地端子５７に接続されている。

また、特許文献３には、並列腕共振子に、それぞれ直列にインダクタを付加することにより、帯域外減衰量を向上させることが開示されている。

図３に、引用文献３に記載された従来の他のラダー型回路を有する弾性表面波フィルタ１０１の等価回路図を示す。入力端子７０と出力端子７１との間に、直列共振子６１（Ｓ１），６２（Ｓ２），６３（Ｓ３）が直列に接続され、並列共振子６４（Ｐ１），６５（Ｐ２）が並列に接続されている。並列共振子６４，６５にそれぞれ直列にインダクタ６６（Ｌ１），６７（Ｌ２）が付加され、インダクタ６６，６７は互いにパッケージ内で接地端子６８，６９に接続されている。
特開平５−１８３３８０号公報特開平１０−１６３８０８号公報特開２００４−７２５０号公報

しかしながら、図２に示す従来の技術においては、減衰極を設定する位置を調整することが難しく、通過帯域近傍の帯域外減衰量と、通過帯域外のより高周波側における帯域外減衰量とを両立させて向上させることが困難であるといる問題点があった。

また、図３に示す従来の技術においては、通過帯域近傍の帯域外減衰量と、通過帯域外のより高周波側における帯域外減衰量とを両立させて向上させることができず、また、通過帯域外の高周波側における帯域外減衰量を増加させると、通過帯域近傍の帯域外減衰量が劣化するという問題点があった。

従って、本発明は、上記従来の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、通過帯域近傍の帯域外減衰量と、通過帯域外のより高周波側（６ＧＨｚ付近）における帯域外減衰量とを両立させて向上させることができる弾性表面波装置、及び通信装置を得ることである。

本発明の弾性表面波装置は、圧電基板と、前記圧電基板の主面に形成された、前記主面を伝搬する弾性表面波の伝搬方向に沿って前記伝搬方向に直交する方向に長い電極指を複数備えたＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極の前記伝搬方向における両側に配された反射器電極とを有する弾性表面波共振子を、複数の直列弾性表面波共振子及び複数の並列弾性表面波共振子を有するラダー型回路を成すように接続した弾性表面波素子と、前記主面に前記弾性表面波素子を取り囲むように形成された環状電極と、上面に前記圧電基板を実装するとともに、前記環状電極に接続される第１の基準電位貫通導体及び第２の基準電位貫通導体と前記環状電極の内側に位置する部位に形成された第３の基準電位貫通導体とを有する実装基体と、を具備している弾性表面波装置であって、前記第１の基準電位貫通導体は前記並列弾性表面波共振子の側の前記環状電極の直下に形成されるとともに、前記第２の基準電位貫通導体は前記直列弾性表面波共振子の側の前記環状電極の直下に形成されており、複数の前記並列弾性表面波共振子のうち一端に位置する前記並列弾性表面波共振子の基準電位電極が、前記環状電極における前記第２の基準電位貫通導体の部位に接続されており、複数の前記並列弾性表面波共振子のうち他端に位置する前記並列弾性表面波共振子の基準電位電極が、前記第３の基準電位貫通導体及び前記環状電極における前記第２の基準電位貫通導体の部位に接続されているものである。

また、本発明の弾性表面波装置は好ましくは、複数の前記並列弾性表面波共振子のうち中央に位置する前記並列弾性表面波共振子の基準電位電極が、前記環状電極における前記第１の基準電位貫通導体の部位に接続されている。

また、本発明の弾性表面波装置は好ましくは、複数の前記並列弾性表面波共振子は、基準電位導体としての前記環状電極に共通して電気的に接続されている。

本発明の通信装置は、上記の弾性表面波装置を有する、受信回路及び送信回路の少なくとも一方を備えたことを特徴とするものである。

本発明の弾性表面波装置によれば、圧電基板と、圧電基板の主面に形成された、前記主面を伝搬する弾性表面波の伝搬方向に沿って伝搬方向に直交する方向に長い電極指を複数備えたＩＤＴ電極と、ＩＤＴ電極の伝搬方向における両側に配された反射器電極とを有する弾性表面波共振子を、複数の直列弾性表面波共振子及び複数の並列弾性表面波共振子を有するラダー型回路を成すように接続した弾性表面波素子と、前記主面に弾性表面波素子を取り囲むように形成された環状電極と、上面に圧電基板を実装するとともに、環状電極に接続される第１の基準電位貫通導体及び第２の基準電位貫通導体と環状電極の内側に位置する部位に形成された第３の基準電位貫通導体とを有する実装基体と、を具備している弾性表面波装置であって、第１の基準電位貫通導体は並列弾性表面波共振子の側の環状電極の直下に形成されるとともに、第２の基準電位貫通導体は直列弾性表面波共振子の側の環状電極の直下に形成されており、複数の並列弾性表面波共振子のうち一端に位置する並列弾性表面波共振子の基準電位電極が、環状電極における第２の基準電位貫通導体の部位に接続されており、複数の並列弾性表面波共振子のうち他端に位置する並列弾性表面波共振子の基準電位電極が、第３の基準電位貫通導体及び環状電極における第２の基準電位貫通導体の部位に接続されていることにより、以下の作用効果を奏する。

複数の並列弾性表面波共振子のうち一端及び他端に位置する並列弾性表面波共振子から漏れた漏れ電流（リーク電流）が、複数の並列弾性表面波共振子のうち中央側の並列弾性表面波共振子に流れることを大幅に抑制して、それらの並列弾性表面波共振子が電気的に干渉することを有効に低減することができる。

また、複数の並列弾性表面波共振子のうち他端に位置する並列弾性表面波共振子の漏れ電流は、第３の基準電位貫通導体、第３の基準電位貫通導体と第２の基準電位貫通導体とを繋ぐ配線パターン、及び第２の基準電位貫通導体によって、より効果的に基準電位導体へ導びかれて、並列弾性表面波共振子同士の電気的干渉をより有効に低減することができる。

以上の電気的な干渉の低減により、通過帯域近傍の帯域外減衰量に影響を与えることなく、通過帯域外のより高周波側の帯域外減衰量を大きくすることができる。その結果、６ＧＨｚ付近の高周波数において弾性表面波フィルタの通過帯域外減衰量を向上させることができる。

また、本発明の弾性表面波装置は好ましくは、複数の並列弾性表面波共振子のうち中央に位置する並列弾性表面波共振子の基準電位電極が、環状電極における第１の基準電位貫通導体の部位に接続されていることから、並列弾性表面波共振子同士の電気的な干渉をさらに低減することができる。

また、本発明の弾性表面波装置は好ましくは、複数の並列弾性表面波共振子は、基準電位導体としての環状電極に共通して電気的に接続されていることから、並列弾性表面波共振子同士の電気的な干渉をさらに低減することができる。

本発明の通信装置は、上記本発明の弾性表面波装置を有する、受信回路及び送信回路の少なくとも一方を備えたことにより、弾性表面波フィルタとしての弾性表面波装置のカットオフ特性が向上するので、感度が格段に良好な通信装置を実現することができる。

以下、本実施の形態の弾性表面波装置について図面を参照にしつつ詳細に説明する。また、本実施の形態の弾性表面波装置について、共振器型の弾性表面波フィルタを例にとり説明する。なお、以下に説明する図面において同一構成の部分には同一符号を付すものとする。また、各電極の大きさや電極間の距離等、電極指の本数や間隔等については、説明のために模式的に図示している。

図１に本実施の形態の弾性表面波装置の電極構造についての平面図を示す。図１に示すように、弾性表面波装置３０は、圧電基板１と、圧電基板１の主面に形成された、前記主面を伝搬する弾性表面波の伝搬方向に沿って伝搬方向に直交する方向に長い電極指を複数備えたＩＤＴ電極と、ＩＤＴ電極の伝搬方向における両側に配された反射器電極とを有する弾性表面波共振子を、複数の直列弾性表面波共振子１１，１２，１３，１４及び複数の並列弾性表面波共振子１５，１５，１７を有するラダー型回路を成すように接続した弾性表面波素子２２と、前記主面に弾性表面波素子２２を取り囲むように形成された環状電極１８と、上面に圧電基板１を実装するとともに、環状電極１８に接続される第１の基準電位貫通導体１９及び第２の基準電位貫通導体２０と環状電極１８の内側に位置する部位に形成された第３の基準電位貫通導体２１とを有する実装基体（図示せず）と、を具備している弾性表面波装置３０であって、第１の基準電位貫通導体１９は並列弾性表面波共振子１５〜１７の側の環状電極１８の直下に形成されるとともに、第２の基準電位貫通導体２０は直列弾性表面波共振子１１〜１４の側の環状電極１８の直下に形成されており、複数の並列弾性表面波共振子１５〜１７のうち一端に位置する並列弾性表面波共振子１５の基準電位電極が、環状電極１８における第２の基準電位貫通導体２０の部位に接続されており、複数の並列弾性表面波共振子１５〜１７のうち他端に位置する並列弾性表面波共振子１７の基準電位電極が、第３の基準電位貫通導体２１及び環状電極１８における第２の基準電位貫通導体２０の部位に接続されている。

上記の構成により、複数の並列弾性表面波共振子１５〜１７のうち一端及び他端に位置する並列弾性表面波共振子１５，１７から漏れた漏れ電流（リーク電流）が、複数の並列弾性表面波共振子のうち中央側の並列弾性表面波共振子１６に流れることを大幅に抑制して、それらの並列弾性表面波共振子１５〜１７が電気的に干渉することを有効に低減することができる。

また、複数の並列弾性表面波共振子１５〜１７のうち他端に位置する並列弾性表面波共振子１７の漏れ電流は、第３の基準電位貫通導体２１、第３の基準電位貫通導体２１と第２の基準電位貫通導体２０とを繋ぐ配線パターン、及び第２の基準電位貫通導体２０によって、より効果的に基準電位導体へ導びかれて、並列弾性表面波共振子１５〜１７同士の電気的干渉をより有効に低減することができる。

また、本実施の形態において、複数の並列弾性表面波共振子１５〜１７のうち中央に位置する並列弾性表面波共振子１６の基準電位電極が、環状電極１８における第１の基準電位貫通導体１９の部位に接続されていることが好ましい。この場合、並列弾性表面波共振子１５〜１７同士の電気的な干渉をさらに低減することができる。

また、本実施の形態において、複数の並列弾性表面波共振子１５〜１７は、基準電位導体としての環状電極１８に共通して電気的に接続されていることが好ましい。この場合、並列弾性表面波共振子１５〜１７同士の電気的な干渉をさらに低減することができる。

弾性表面波素子２２は、複数の直列弾性表面波共振子１１，１２，１３，１４及び複数の並列弾性表面波共振子１５，１６，１７を有するラダー型回路の構成とされており、図１の場合３．５段のラダー型回路である。弾性表面波素子２２は、３．５段のラダー型回路に限らず、２．５型、４．５型等のラダー型回路であってもよい。

圧電基板１を上面に実装するためのセラミック多層基板、樹脂多層基板等から成る実装基体に、第１〜第３の基準電位貫通導体１９，２０，２１が形成されている。

第１の基準電位貫通導体１９、第２の基準電位貫通導体２０、第３の基準電位貫通導体２１は、圧電基板１の上下主面間を貫通する貫通孔にＡｇから成る導体を充填して形成される。第１の基準電位貫通導体１９、第２の基準電位貫通導体２０の幅（直径）は５０〜１００μｍ程度である。５０〜１００μｍ程度とすることによって、環状導体１８との電気的、機械的な接続を良好なものとすることができる。

第１の基準電位貫通導体１９は並列弾性表面波共振子１５〜１７の側の環状電極１８の直下に形成されているが、並列弾性表面波共振子１５〜１７の側とは、環状電極１８における並列弾性表面波共振子１５〜１７にほぼ対向する領域を意味する。

また、第２の基準電位貫通導体２０は直列弾性表面波共振子１１〜１４の側の環状電極１８の直下に形成されているが、直列弾性表面波共振子１１〜１４の側とは、環状電極１８における直列弾性表面波共振子１１〜１４にほぼ対向する領域を意味する。

例えば、第１の基準電位貫通導体１９と第２の基準電位貫通導体２０は、環状電極１８における互いに対向する位置にある。

複数の並列弾性表面波共振子１５〜１７のうち一端に位置する並列弾性表面波共振子１５の基準電位電極が、環状電極１８における第２の基準電位貫通導体２０の近傍に接続されているが、一端に位置する並列弾性表面波共振子１５は入力端側の並列弾性表面波共振子である。

また、複数の並列弾性表面波共振子１５〜１７のうち他端に位置する並列弾性表面波共振子１７の基準電位電極が、第３の基準電位貫通導体２１及び環状電極１８における第２の基準電位貫通導体２０の部位に接続されているが、他端に位置する並列弾性表面波共振子１７は出力端側の弾性表面波共振子である。

並列弾性表面波共振子１７の基準電位電極が、第３の基準電位貫通導体２１及び環状電極１８における第２の基準電位貫通導体２０の部位の双方に接続されている。つまり、並列弾性表面波共振子１７により近い位置に第３の基準電位貫通導体２１があり、並列弾性表面波共振子１７の基準電位電極から出た１本の配線パターンが第３の基準電位貫通導体２１を経由して環状電極１８の部位に接続される。この場合、並列弾性表面波共振子１７の漏れ電流は、第３の基準電位貫通導体２１、第３の基準電位貫通導体２１と第２の基準電位貫通導体２０とを繋ぐ配線パターン、及び第２の基準電位貫通導体２０によって、より効果的に基準電位導体へ導びかれて、並列弾性表面波共振子１５〜１７同士の電気的干渉をより有効に低減することができる。

並列弾性表面波共振子１５の基準電位電極から出た１本の配線パターンが、環状電極１８における第２の基準電位貫通導体２０の部位に接続されているが、第２の基準電位貫通導体２０の部位とは、第２の基準電位貫通導体２０から３００μｍ程度以下の距離離れた部位である。

並列弾性表面波共振子１７の基準電位電極から出た１本の導体パターンが第３の基準電位貫通導体２１を経由して環状電極１８の部位に接続されるが、第２の基準電位貫通導体２０の部位とは、上記と同じ位置である。

並列弾性表面波共振子１５の基準電位電極から出た１本の導体パターンが、環状電極１８における第２の基準電位貫通導体２０の部位に接続されているが、その導体パターンは、図１に示すように、並列弾性表面波共振子１５の基準電位電極と環状電極１８の接続部との間の部位が、環状電極１８に接していてもよい。

また、並列弾性表面波共振子１５の基準電位電極から出た１本の導体パターンは、並列弾性表面波共振子１５の基準電位電極と環状電極１８の接続部との間の部位が、環状電極１８に接していなくてもよい。この場合、高周波（６ＧＨｚ付近）においては入力電極より並列弾性表面波共振子１５へ大電流が流れるため、基準電位電極を通って基準電位貫通導体２０へ直接流れるため、通過帯域外のより高周波側（６ＧＨｚ付近）の帯域外減衰量をより大きくすることができる。

また、本実施の形態の弾性表面波装置においては、弾性表面波素子を取り囲むように形成されるとともに第１の基準電位貫通導体及び第２の基準電位貫通導体に接続された環状電極を、外部の実装基板との接続導体に用いることができる。この場合、弾性表面波装置を大幅に薄型化及び小型化することができる。

次に、本実施の形態の弾性表面波装置の製造方法について説明する。先ず、ＩＤＴ電極および反射器電極からなる弾性表面波素子２２と環状電極１８を、電極厚みを０．１μｍ〜０．３μｍ程度として形成する。これにより、弾性表面波を好適に励振することができる。

また、ＩＤＴ電極及び反射器電極は、ＡｌもしくはＡｌ合金（Ａｌ−Ｃｕ系、Ａｌ−Ｔｉ系）からなり、蒸着法、スパッタリング法、またはＣＶＤ法等の薄膜形成法により形成する。電極厚みは０．１〜０．３μｍ程度とすることが弾性表面波フィルタとしての所期の特性を得る上で好適である。

次に、弾性表面波素子２２を覆って保護するための絶縁膜（保護膜）を成膜する。絶縁膜の材料としては、Ｓｉ，ＳｉＯ₂，ＳｉＮ_x，Ａｌ₂Ｏ₃等を用いることができる。その成膜方法としては、スパッタリング法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、電子ビーム蒸着法等を用いることができる。

なお、ＩＤＴ電極、反射器電極において、電極指の本数は数本〜数１００本にも及ぶので、簡単のため、図においてはそれらの形状を簡略化して図示している。

また、弾性表面波装置３０の圧電基板１としては、３６°±３°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム単結晶、４２°±３°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム単結晶、６４°±３°ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム単結晶、４１°±３°ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム単結晶、４５°±３°ＸカットＺ伝搬四ホウ酸リチウム単結晶は電気機械結合係数が大きく、かつ、周波数温度係数が小さいため、圧電基板１として好ましい。また、これらの焦電性圧電単結晶のうち、酸素欠陥やＦｅ等の固溶により焦電性を著しく減少させた圧電基板１であれば、弾性表面波装置３０の信頼性上良好である。圧電基板１の厚みは０．１〜０．５ｍｍ程度がよく、０．１ｍｍ未満では圧電基板１が脆くなり、０．５ｍｍ超では材料コストと部品寸法が大きくなり使用に適さない。

本実施の形態の通信装置は、上記いずれかの本実施の形態の弾性表面波装置を有する、受信回路及び送信回路の少なくとも一方を備えたことにより、弾性表面波フィルタのカットオフ特性を向上させることができるので、感度が格段に良好な通信装置を実現することができる。

即ち、少なくとも受信回路または送信回路の一方を備え、弾性表面波装置をこれらの回路に含まれるバンドパスフィルタとして用いる。例えば、送信回路から出力された送信信号をミキサでキャリア周波数にのせて、不要信号をバンドパスフィルタで減衰させ、その後、パワーアンプで送信信号を増幅して、デュプレクサを通ってアンテナより送信することができる送信回路を備えた通信装置、または、受信信号をアンテナで受信し、デュプレクサを通った受信信号をローノイズアンプで増幅し、その後、バンドパスフィルタで不要信号を減衰して、ミキサでキャリア周波数から信号を分離し、この信号を取り出す受信回路へ伝送するような受信回路を備えた通信装置に適用可能である。

図７は、本実施の形態の通信装置を示すブロック回路図である。図７において、アンテナ１４０に送信回路Ｔｘと受信回路Ｒｘが分波器１５０を介して接続されている。送信される高周波信号は、フィルタ２１０によりその不要信号が除去され、パワーアンプ２２０で増幅された後、アイソレータ２３０と分波器１５０を通り、アンテナ１４０から放射される。また、アンテナ１４０で受信された高周波信号は、分波器１５０を通りローノイズアンプ１６０で増幅されフィルタ１７０でその不要信号を除去された後、アンプ１８０で再増幅されミキサ１９０で低周波信号に変換される。

従って、本実施の形態の弾性表面波装置を採用すれば、感度が格段に良好な優れた通信装置を提供できる。

（実施例１）
弾性表面波装置の実施例について以下に説明する。図１に示す弾性表面波装置を具体的に作製した実施例について説明する。

３８．７°ＹカットのＸ方向伝搬とするＬｉＴａＯ₃単結晶からなる圧電基板（多数個取り用の母基板）１上に、Ａｌ（９９質量％）−Ｃｕ（１質量％）合金から成る、弾性表面波素子２２におけるＩＤＴ電極及び反射器電極としての微細電極パターン、及び環状電極１８（幅５０μｍ）を形成した。

また、各電極のパターンの作製には、スパッタリング装置、縮小投影露光機（ステッパー）、及びＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置によりフォトリソグラフィを施すことにより行った。

まず、圧電基板１をアセトン，ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等によって超音波洗浄し、有機成分を落とした。次に、クリーンオーブンによって充分に圧電基板１の乾燥を行った後、各電極となる金属層の成膜を行った。金属層の成膜にはスパッタリング装置を使用し、金属層の材料としてＡｌ（９９質量％）−Ｃｕ（１質量％）合金を用いた。このときの金属層の厚みは約０．１５μｍとした。

次に、金属層上にフォトレジストを約０．５μｍの厚みにスピンコートし、縮小投影露光装置（ステッパー）により、所望形状にパターニングを行い、現像装置によって不要部分のフォトレジストをアルカリ現像液で溶解させ、所望パターンを表出させた。その後、ＲＩＥ装置により金属層のエッチングを行い、パターニングを終了し、弾性表面波装置を構成する各電極のパターンを得た。

並列弾性表面波共振子１５の基準電位電極から出た１本の配線パターンが、環状電極１８における第２の基準電位貫通導体２０の部位に接続されるようにした。また、並列弾性表面波共振子１５の基準電位電極と環状電極１８の接続部との間の配線パターンの部位が、環状電極１８に接しているようにした。

なお、並列弾性表面波共振子１５の基準電位電極から出た１本の配線パターンが環状電極１８における第２の基準電位貫通導体２０の部位に接続される接続導体部は、弾性表面波装置を構成する各電極のパターンと同時に形成してもよい。また、並列弾性表面波共振子１５の基準電位電極と環状電極１８の接続部との間の配線パターンの部位が環状電極１８に接している接続導体部は、弾性表面波装置を構成する各電極のパターンと同時に形成してもよい。

また、セラミック多層基板から成る実装基体（図示せず）の環状電極１８の直下で対向する部位に第１の基準電位貫通導体１９、第２の基準電位貫通導体２０を形成し、環状電極１８の内側に位置する部位で並列弾性表面波共振子１７の近傍（３０μｍ程度離れた部位）に第３の基準電位貫通導体２１を形成した。第１〜第３の基準電位貫通導体１９〜２１は銀から成るものとした。

この後、電極の所定領域上に保護膜を形成した。即ち、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置により、各電極のパターン及び圧電基板１上にＳｉＯ₂膜を約０．０２μｍの厚みで形成した。

その後、フォトリソグラフィによりパターニングを行い、ＲＩＥ装置等でフリップチップ用窓開け部のエッチングを行った。その後、そのフリップチップ用窓開け部に、スパッタリング装置を使用して、Ｃｒ層、Ｎｉ層、Ａｕ層を積層した構成のパッド電極と第３の基準電位貫通導体２１を成膜した。このときのパッド電極の厚みは約１．０μｍとした。また、第３の基準電位貫通導体２１は並列弾性表面波共振子１７の近傍にあり、並列弾性表面波共振子１７から３０μｍ離れた位置に形成した。その後、印刷法及びリフロー炉を用いて、弾性表面波装置３０を外部回路基板等にフリップチップするための半田を、環状電極１８上に形成した。

次に、圧電基板１に分割線に沿ってダイシング加工を施し、各弾性表面波装置（チップ）３０ごとに分割した。

その後、各チップをフリップチップ実装装置によってパッド電極の形成面を下面にして、実装基体上に載置し接着した。実装基体の各基準電位貫通導体１９〜２１が、環状電極１８の所定の部位、第３の基準電位貫通導体２１に接続される電極パッドに、それぞれ接続されるようにした。その後、Ｎ₂ガス雰囲気中でベーキングを行い、パッケージ化された弾性表面波装置３０を完成した。

（実施例２）
図６に示すように、並列弾性表面波共振子１５の基準電位電極と環状電極１８の接続部との間の配線パターンの部位が、環状電極１８に接していない弾性表面波装置３２を、上記実施例１と同様にして作製した。

（比較例）
また、比較例のサンプルとして、図４の構成の弾性表面波装置３１を作製した。作製方法は上記実施例と同様である。

図４の弾性表面波装置３１は、複数の並列弾性表面波共振子１５〜１７の全ての基準電位電極が、環状電極１８における第１の基準電位貫通導体１９の近傍に接続されているものとした。その他の構成は、図１の構成と同様である。

次に、本実施例１，２及び比較例の弾性表面波装置３０，３１，３２について、それぞれの特性をコンピュータシミュレーションによって求めた。弾性表面波装置３０，３１，３２の動作周波数は０ＭＨｚを超え６０００ＭＨｚ以下である。動作周波数における周波数特性のグラフを図５に示す。図５は、フィルタの伝送特性を表す透過特性（減衰量）の周波数依存性を示すグラフである。

本実施例１，２の弾性表面波装置３０，３２のフィルタ特性は非常に良好であった。即ち、図５の破線で示した比較例の弾性表面波装置３１と比較して、図５の実線で示すように、６ＧＨｚ付近の高周波数において、本実施例１，２の弾性表面波装置３０，３２の帯域外減衰量は大幅に向上した。

また、本実施例１の弾性表面波装置３０と本実施例２の弾性表面波装置３２とを比較すると、並列弾性表面波共振子１５の基準電位電極と環状電極１８の接続部との間の配線パターンの部位が、環状電極１８に接していない本実施例２の弾性表面波装置３２の方が、６ＧＨｚ付近の帯域外減衰量がより大きいことが分かった。

本実施の形態の弾性表面波装置について１例を示す平面図である。従来の弾性表面波装置について１例を示す等価回路図である。従来の弾性表面波装置について他例を示す等価回路図である。比較例の弾性表面波装置を示す平面図である。実施例１，２の弾性表面波装置及び比較例の弾性表面波装置について、動作周波数における周波数特性をそれぞれ示すグラフである。本実施の形態の弾性表面波装置について他例を示す平面図である。本実施の形態の通信装置について１例を示すブロック回路図である。

符号の説明

１：圧電基板
１１〜１４：直列弾性表面波共振子
１５〜１７：並列弾性表面波共振子
１８：環状電極
１９：第１の基準電位貫通導体
２０：第２の基準電位貫通導体
２１：第３の基準電位貫通導体
２２：弾性表面波素子
３０：弾性表面波装置

Claims

圧電基板と、
前記圧電基板の主面に形成された、前記主面を伝搬する弾性表面波の伝搬方向に沿って前記伝搬方向に直交する方向に長い電極指を複数備えたＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極の前記伝搬方向における両側に配された反射器電極とを有する弾性表面波共振子を、複数の直列弾性表面波共振子及び３以上の複数の並列弾性表面波共振子を有するラダー型回路を成すように接続した弾性表面波素子と、
前記主面に前記弾性表面波素子を取り囲むように形成された、平面形状が矩形状である環状電極と、
上面に前記圧電基板を実装するとともに、前記環状電極に接続される第１の基準電位貫通導体及び第２の基準電位貫通導体を有する実装基体と、
を具備している弾性表面波装置であって、
前記第１の基準電位貫通導体は前記環状電極の四辺うち前記複数の並列弾性表面波共振子の側の一辺である第１の辺の直下に形成されるとともに、前記第２の基準電位貫通導体は前記環状電極の四辺うち前記複数の直列弾性表面波共振子の側の一辺であり、且つ前記第１の辺に対向する第２の辺の直下に形成されており、
複数の前記並列弾性表面波共振子のうち一端に位置する並列弾性表面波共振子である第１の並列弾性表面波共振子の基準電位電極が、前記環状電極の前記第２の辺に配線パターンを介して接続され、且つ前記環状電極の前記第１の辺には接続されておらず、
複数の前記並列弾性表面波共振子のうち他端に位置する並列弾性表面波共振子である第２の並列弾性表面波共振子の基準電位電極が、前記環状電極の前記第２の辺に配線パターンを介して接続され、且つ前記環状電極の前記第１の辺には接続されておらず、
複数の前記並列弾性表面波共振子のうち中央に位置する前記並列弾性表面波共振子の基準電位電極が、前記環状電極の前記第１の辺に配線パターンを介して接続され、且つ前記環状電極の前記第２の辺には接続されていない弾性表面波装置。
前記第１の並列弾性表面波共振子の基準電位電極及び前記第２の並列弾性表面波共振子の基準電位電極は前記環状電極の四辺のうち、前記第２の辺にのみ接続されている請求項１記載の弾性表面波装置。
前記実装基体は、前記環状電極の内側に位置する部位に形成された第３の基準電位貫通導体を備え、
前記第２の並列弾性表面波共振子の基準電位電極が前記第３の基準電位貫通導体に電気的に接続されている請求項１または２記載の弾性表面波装置。
請求項１記載の弾性表面波装置を有する、受信回路及び送信回路の少なくとも一方を備えた通信装置。