JPH09162676A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JPH09162676A JPH09162676A JP31773295A JP31773295A JPH09162676A JP H09162676 A JPH09162676 A JP H09162676A JP 31773295 A JP31773295 A JP 31773295A JP 31773295 A JP31773295 A JP 31773295A JP H09162676 A JPH09162676 A JP H09162676A
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6489—Compensation of undesirable effects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 寄生容量等による通過持性の劣化を防止する
ことができる弾性表面波装置を提供する。 【解決手段】 圧電基板１０の周縁に、入力ＩＤＴ１
２、出力ＩＤＴ１４、反射器１６、１８を取り囲むよう
に共通接続パッド１９が設けられている。共通接続パッ
ド１９は入力ＩＤＴ１２の接地端１２ｂと出力ＩＤＴ１
４の接地端１４ａに連続している。パッケージ２０の入
力端子２２はワイヤ３２により入力ＩＤＴ１２の入力信
号端１２ａに、出力端子２６はワイヤ３６により出力Ｉ
ＤＴ１４の出力信号端１４ｂに、接地端子２４はワイヤ
３４により共通接続パッド１９に、接地端子２８はワイ
ヤ３８により共通接続パッド１９に接続されている。ワ
イヤ３４、３８のインダクタンス値を調整し、トラップ
の位置を変化して通過帯域近傍の帯域外減衰量を大きく
する。
ことができる弾性表面波装置を提供する。 【解決手段】 圧電基板１０の周縁に、入力ＩＤＴ１
２、出力ＩＤＴ１４、反射器１６、１８を取り囲むよう
に共通接続パッド１９が設けられている。共通接続パッ
ド１９は入力ＩＤＴ１２の接地端１２ｂと出力ＩＤＴ１
４の接地端１４ａに連続している。パッケージ２０の入
力端子２２はワイヤ３２により入力ＩＤＴ１２の入力信
号端１２ａに、出力端子２６はワイヤ３６により出力Ｉ
ＤＴ１４の出力信号端１４ｂに、接地端子２４はワイヤ
３４により共通接続パッド１９に、接地端子２８はワイ
ヤ３８により共通接続パッド１９に接続されている。ワ
イヤ３４、３８のインダクタンス値を調整し、トラップ
の位置を変化して通過帯域近傍の帯域外減衰量を大きく
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電基板の表面に
入力ＩＤＴと出力ＩＤＴとが形成された弾性表面波装
置、特に、ＶＨＦ帯からＵＨＦ帯の周波数にかけて用い
られる弾性表面波フィルタに関する。
入力ＩＤＴと出力ＩＤＴとが形成された弾性表面波装
置、特に、ＶＨＦ帯からＵＨＦ帯の周波数にかけて用い
られる弾性表面波フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、特に通信機などのＩＦフィルタで
は、通過帯域外で高い減衰特性を示す弾性表面波フィル
タが強く望まれるようになっている。従来の弾性表面波
フィルタを図１４に、その等価回路を図１５に示す。水
晶等の圧電基板１１０上に入力ＩＤＴ１１２と出力ＩＤ
Ｔ１１４が形成され、入力ＩＤＴ１１２と出力ＩＤＴ１
１４の両外側に反射器１１６、１１８が形成されてい
る。この圧電基板１１０はパッケージ１２０内に収納さ
れている。
は、通過帯域外で高い減衰特性を示す弾性表面波フィル
タが強く望まれるようになっている。従来の弾性表面波
フィルタを図１４に、その等価回路を図１５に示す。水
晶等の圧電基板１１０上に入力ＩＤＴ１１２と出力ＩＤ
Ｔ１１４が形成され、入力ＩＤＴ１１２と出力ＩＤＴ１
１４の両外側に反射器１１６、１１８が形成されてい
る。この圧電基板１１０はパッケージ１２０内に収納さ
れている。
【０００３】入力ＩＤＴ１１２の入力信号端１１２ａは
ワイヤ１３２によリパッケージ１２０の入力端子１２２
に接続され、入力ＩＤＴ１１２の接地端１１２ｂはワイ
ヤ１３８によりバッケージ１２０の接地端子１２８に接
続されている。出力ＩＤＴ１１４の出力信号端１１４ｂ
はワイヤ１３６によりパッケージ１２０の出力端子１２
６に接続され、出力ＩＤＴ１１４の接地端１１４ａはワ
イヤ１３４によりバッケージ１３０の接地端子１２４に
接続されている。
ワイヤ１３２によリパッケージ１２０の入力端子１２２
に接続され、入力ＩＤＴ１１２の接地端１１２ｂはワイ
ヤ１３８によりバッケージ１２０の接地端子１２８に接
続されている。出力ＩＤＴ１１４の出力信号端１１４ｂ
はワイヤ１３６によりパッケージ１２０の出力端子１２
６に接続され、出力ＩＤＴ１１４の接地端１１４ａはワ
イヤ１３４によりバッケージ１３０の接地端子１２４に
接続されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の弾性表面波フィルタでは、パッケージ１２０の
入出力端子間や入力ＩＤＴ１１２、出力ＩＤＴ１１４の
端子間等に発生する寄生容量等の影響により、通過帯域
外の減衰特性が劣化して十分な帯域外減衰量が得られな
いという問題があった。
た従来の弾性表面波フィルタでは、パッケージ１２０の
入出力端子間や入力ＩＤＴ１１２、出力ＩＤＴ１１４の
端子間等に発生する寄生容量等の影響により、通過帯域
外の減衰特性が劣化して十分な帯域外減衰量が得られな
いという問題があった。
【０００５】本発明の目的は、寄生容量等による通過持
性の劣化を防止することができる弾性表面波装置を提供
することにある。
性の劣化を防止することができる弾性表面波装置を提供
することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的は、圧電基板の
表面に入力ＩＤＴと出力ＩＤＴとが形成された弾性表面
波装置において、前記入力ＩＤＴの接地端と前記出力Ｉ
ＤＴの接地端とが共通接続部に接続され、前記共通接続
部がインダクタンス素子を介して接地され、前記インダ
クタンス素子によるトラップが通過特性の所定領域内に
位置するように前記インダクタンス素子のインダクタン
ス値が調整されていることを特徴とする弾性表面波装置
によって達成される。
表面に入力ＩＤＴと出力ＩＤＴとが形成された弾性表面
波装置において、前記入力ＩＤＴの接地端と前記出力Ｉ
ＤＴの接地端とが共通接続部に接続され、前記共通接続
部がインダクタンス素子を介して接地され、前記インダ
クタンス素子によるトラップが通過特性の所定領域内に
位置するように前記インダクタンス素子のインダクタン
ス値が調整されていることを特徴とする弾性表面波装置
によって達成される。
【０００７】上述した弾性表面波装置において、前記イ
ンダクタンス素子は、前記共通接続部と接地端子とを接
続する接続線であり、前記接続線の本数及び／又は断面
積により、前記インダクタンス素子のインダクタンス値
を調整することが望ましい。
ンダクタンス素子は、前記共通接続部と接地端子とを接
続する接続線であり、前記接続線の本数及び／又は断面
積により、前記インダクタンス素子のインダクタンス値
を調整することが望ましい。
【０００８】
［第１実施形態］本発明の第１実施形態による弾性表面
波フィルタを図１乃至図３を用いて説明する。図１は本
実施形態による弾性表面波フィルタの平面図であり、図
２はその等価回路であり、図３はその通過特性である。
波フィルタを図１乃至図３を用いて説明する。図１は本
実施形態による弾性表面波フィルタの平面図であり、図
２はその等価回路であり、図３はその通過特性である。
【０００９】水晶等の圧電基板１０上に入力ＩＤＴ１２
と出力ＩＤＴ１４が形成され、入力ＩＤＴ１２と出力Ｉ
ＤＴ１４の両外側に反射器１６、１８が形成されてい
る。入力ＩＤＴ１２には入力信号端１２ａと接地端１２
ｂが設けられ、出力ＩＤＴ１４には接地端１４ａと出力
信号端１４ｂが設けられている。また、圧電基板１０の
周縁には、入力ＩＤＴ１２、出力ＩＤＴ１４、反射器１
６、１８を取り囲むように共通接続パッド１９が設けら
れている。この共通接続パッド１９は入力ＩＤＴ１２の
接地端１２ｂと出力ＩＤＴ１４の接地端１４ａに連続し
ている。
と出力ＩＤＴ１４が形成され、入力ＩＤＴ１２と出力Ｉ
ＤＴ１４の両外側に反射器１６、１８が形成されてい
る。入力ＩＤＴ１２には入力信号端１２ａと接地端１２
ｂが設けられ、出力ＩＤＴ１４には接地端１４ａと出力
信号端１４ｂが設けられている。また、圧電基板１０の
周縁には、入力ＩＤＴ１２、出力ＩＤＴ１４、反射器１
６、１８を取り囲むように共通接続パッド１９が設けら
れている。この共通接続パッド１９は入力ＩＤＴ１２の
接地端１２ｂと出力ＩＤＴ１４の接地端１４ａに連続し
ている。
【００１０】この圧電基板１０はパッケージ２０内に収
納されている。このパッケージ２０には、入力端子２
２、接地端子２４、出力端子２６、接地端子２８が設け
られている。パッケージ２０の入力端子２２はアルミニ
ウムのワイヤ３２により入力ＩＤＴ１２の入力信号端１
２ａに接続され、パッケージ２０の出力端子２６はワイ
ヤ３６により出力ＩＤＴ１４の出力信号端１４ｂに接続
されている。パッケージ２０の接地端子２４は２本のワ
イヤ３４により共通接続パッド１９に接続され、パッケ
ージ２０の接地端子２８も２本のワイヤ３８により共通
接続パッド１９に接続されている。
納されている。このパッケージ２０には、入力端子２
２、接地端子２４、出力端子２６、接地端子２８が設け
られている。パッケージ２０の入力端子２２はアルミニ
ウムのワイヤ３２により入力ＩＤＴ１２の入力信号端１
２ａに接続され、パッケージ２０の出力端子２６はワイ
ヤ３６により出力ＩＤＴ１４の出力信号端１４ｂに接続
されている。パッケージ２０の接地端子２４は２本のワ
イヤ３４により共通接続パッド１９に接続され、パッケ
ージ２０の接地端子２８も２本のワイヤ３８により共通
接続パッド１９に接続されている。
【００１１】したがって、本実施形態による弾性表面波
フィルタは、図２に示すように、接地端１２ｂと接地端
１４ｂが共通接続され、その共通接続パッド１９とパッ
ケージ２０の接地端子２４、２８との間に、ワイヤ３
４、３８によるインダクタンス素子４０が挿入された回
路構成となる。インダクタンス素子４０のインダクタン
ス値は、ワイヤ３４、３８の本数、太さ等により自在に
変更することができる。
フィルタは、図２に示すように、接地端１２ｂと接地端
１４ｂが共通接続され、その共通接続パッド１９とパッ
ケージ２０の接地端子２４、２８との間に、ワイヤ３
４、３８によるインダクタンス素子４０が挿入された回
路構成となる。インダクタンス素子４０のインダクタン
ス値は、ワイヤ３４、３８の本数、太さ等により自在に
変更することができる。
【００１２】このようなインダクタンス素子を設ける
と、図３に示すように、弾性表面波フィルタの通過特性
にインダクタンス素子４０によるトラップが発生する。
このトラップの大きさや位置は、インダクタンス素子４
０のインダクタンス値に応じて変化する。そこで、本実
施形態によれば、図３に示すように、通過帯域近傍の帯
域外領域にトラップが位置するようにインダクタンス素
子４０のインダクタンス値を調整して、帯域外減衰量を
大きくすることができる。 ［第２実施形態］本発明の第２実施形態による弾性表面
波フィルタを図４及び図５を用いて説明する。図４は本
実施形態による弾性表面波フィルタの平面図であり、図
５はその通過特性である。図５（ａ）は広帯域通過特性
を示し、図５（ｂ）は通過帯域近傍の通過特性を示す。
図１に示す弾性表面波フィルタと同一又は同種の構成要
素には同一の符号を付して説明を省略又は簡略にする。
と、図３に示すように、弾性表面波フィルタの通過特性
にインダクタンス素子４０によるトラップが発生する。
このトラップの大きさや位置は、インダクタンス素子４
０のインダクタンス値に応じて変化する。そこで、本実
施形態によれば、図３に示すように、通過帯域近傍の帯
域外領域にトラップが位置するようにインダクタンス素
子４０のインダクタンス値を調整して、帯域外減衰量を
大きくすることができる。 ［第２実施形態］本発明の第２実施形態による弾性表面
波フィルタを図４及び図５を用いて説明する。図４は本
実施形態による弾性表面波フィルタの平面図であり、図
５はその通過特性である。図５（ａ）は広帯域通過特性
を示し、図５（ｂ）は通過帯域近傍の通過特性を示す。
図１に示す弾性表面波フィルタと同一又は同種の構成要
素には同一の符号を付して説明を省略又は簡略にする。
【００１３】本実施形態は、十分な帯域外減衰量を確保
するために、図１に示す第１実施形態の弾性表面波フィ
ルタの電極構造列を２段縦続接続したものである。水晶
等の圧電基板１０上に、第１の電極構造列５０として、
入力ＩＤＴ５２、接続ＩＤＴ５４が形成され、入力ＩＤ
Ｔ５２と接続ＩＤＴ５４の両外側に反射器５６、５８が
形成されている。入力ＩＤＴ５２には入力信号端５２ａ
と接地端５２ｂが設けられ、接続ＩＤＴ５４には接地端
５４ａと接続端５４ｂが設けられている。
するために、図１に示す第１実施形態の弾性表面波フィ
ルタの電極構造列を２段縦続接続したものである。水晶
等の圧電基板１０上に、第１の電極構造列５０として、
入力ＩＤＴ５２、接続ＩＤＴ５４が形成され、入力ＩＤ
Ｔ５２と接続ＩＤＴ５４の両外側に反射器５６、５８が
形成されている。入力ＩＤＴ５２には入力信号端５２ａ
と接地端５２ｂが設けられ、接続ＩＤＴ５４には接地端
５４ａと接続端５４ｂが設けられている。
【００１４】また、圧電基板１０上には、第２の電極構
造列６０として、出力ＩＤＴ６２、接続ＩＤＴ６４が形
成され、出力ＩＤＴ６２と接続ＩＤＴ６４の両外側に反
射器６６、６８が形成されている。出力ＩＤＴ６２には
出力信号端６２ａと接地端６２ｂが設けられ、接続ＩＤ
Ｔ６４には接続端６４ａと接地端６４ｂが設けられてい
る。
造列６０として、出力ＩＤＴ６２、接続ＩＤＴ６４が形
成され、出力ＩＤＴ６２と接続ＩＤＴ６４の両外側に反
射器６６、６８が形成されている。出力ＩＤＴ６２には
出力信号端６２ａと接地端６２ｂが設けられ、接続ＩＤ
Ｔ６４には接続端６４ａと接地端６４ｂが設けられてい
る。
【００１５】第１の電極構造列５０の入力ＩＤＴ５２に
接地端５２ｂ、接続ＩＤＴ５４の接続端５４ｂは、それ
ぞれ、第２の電極構造列６０の出力ＩＤＴ６２の接地端
６２ａ、接続ＩＤＴ６４の接続端６４ａに接続されてお
り、これにより、第１の電極構造列５０と第２の電極構
造列６０とが縦続接続されている。更に、圧電基板１０
の周縁には、第１の電極構造列５０及び第２の電極構造
列６０を取り囲むように共通接続パッド７０が設けられ
ている。この共通接続パッド７０は入力ＩＤＴ５２の接
地端５２ｂと接続ＩＤＴ５４の接地端５４ａと出力ＩＤ
Ｔ６２の接地端６２ａと接続ＩＤＴ６４の接地端１４ｂ
に連続している。
接地端５２ｂ、接続ＩＤＴ５４の接続端５４ｂは、それ
ぞれ、第２の電極構造列６０の出力ＩＤＴ６２の接地端
６２ａ、接続ＩＤＴ６４の接続端６４ａに接続されてお
り、これにより、第１の電極構造列５０と第２の電極構
造列６０とが縦続接続されている。更に、圧電基板１０
の周縁には、第１の電極構造列５０及び第２の電極構造
列６０を取り囲むように共通接続パッド７０が設けられ
ている。この共通接続パッド７０は入力ＩＤＴ５２の接
地端５２ｂと接続ＩＤＴ５４の接地端５４ａと出力ＩＤ
Ｔ６２の接地端６２ａと接続ＩＤＴ６４の接地端１４ｂ
に連続している。
【００１６】この圧電基板１０はパッケージ２０内に収
納されている。このパッケージ２０には、入力端子２
２、接地端子２４、出力端子２６、接地端子２８が設け
られている。パッケージ２０の入力端子２２はアルミニ
ウムのワイヤ３２により入力ＩＤＴ５２の入力信号端５
２ａに接続され、パッケージ２０の出力端子２６はワイ
ヤ３６により出力ＩＤＴ６２の出力信号端６２ｂに接続
されている。パッケージ２０の接地端子２４は２本のワ
イヤ３４により共通接続パッド７０に接続され、パッケ
ージ２０の接地端子２８も２本のワイヤ３８により共通
接続パッド７０に接続されている。
納されている。このパッケージ２０には、入力端子２
２、接地端子２４、出力端子２６、接地端子２８が設け
られている。パッケージ２０の入力端子２２はアルミニ
ウムのワイヤ３２により入力ＩＤＴ５２の入力信号端５
２ａに接続され、パッケージ２０の出力端子２６はワイ
ヤ３６により出力ＩＤＴ６２の出力信号端６２ｂに接続
されている。パッケージ２０の接地端子２４は２本のワ
イヤ３４により共通接続パッド７０に接続され、パッケ
ージ２０の接地端子２８も２本のワイヤ３８により共通
接続パッド７０に接続されている。
【００１７】本実施形態による弾性表面波フィルタの等
価回路は、図２に示す第１実施形態の等価回路と同じで
ある。すなわち、接地端５２ｂ、接地端５４ａ、接地端
６２ａ、接地端６４ｂが全て共通接続され、その共通接
続パッド７０とパッケージの２０の接地端子２４、２８
との間に、ワイヤ３４、３８によるインダクタンス素子
４０が挿入された回路構成となる。インダクタンス素子
４０のインダクタンス値は、ワイヤ３４、３８の本数、
太さ等により自在に変更することができる。
価回路は、図２に示す第１実施形態の等価回路と同じで
ある。すなわち、接地端５２ｂ、接地端５４ａ、接地端
６２ａ、接地端６４ｂが全て共通接続され、その共通接
続パッド７０とパッケージの２０の接地端子２４、２８
との間に、ワイヤ３４、３８によるインダクタンス素子
４０が挿入された回路構成となる。インダクタンス素子
４０のインダクタンス値は、ワイヤ３４、３８の本数、
太さ等により自在に変更することができる。
【００１８】このようなインダクタンス素子を設ける
と、図５に示すように、弾性表面波フィルタの通過特性
にインダクタンス素子４０によるトラップが発生する。
このトラップの大きさや位置は、インダクタンス素子４
０のインダクタンス値に応じて変化する。そこで、本実
施形態によれば、図５に示すように、通過帯域近傍の帯
域外領域にトラップが位置するようにインダクタンス素
子４０のインダクタンス値を調整して、帯域外減衰量を
大きくすることができる。 ［第３実施形態］本発明の第３実施形態による弾性表面
波フィルタを図６を用いて説明する。
と、図５に示すように、弾性表面波フィルタの通過特性
にインダクタンス素子４０によるトラップが発生する。
このトラップの大きさや位置は、インダクタンス素子４
０のインダクタンス値に応じて変化する。そこで、本実
施形態によれば、図５に示すように、通過帯域近傍の帯
域外領域にトラップが位置するようにインダクタンス素
子４０のインダクタンス値を調整して、帯域外減衰量を
大きくすることができる。 ［第３実施形態］本発明の第３実施形態による弾性表面
波フィルタを図６を用いて説明する。
【００１９】上述した第１実施形態及び第２実施形態で
は、パッケージ内の圧電基板の周縁に共通接続パッドを
設けたが、本実施形態は、弾性表面波フィルタが搭載さ
れる回路基板に共通接続パッドを設けたことに特徴があ
る。このようにすることにより、入力ＩＤＴと出力ＩＤ
Ｔ間の電気信号の直達分による帯域外特性の劣化を抑制
することができる。
は、パッケージ内の圧電基板の周縁に共通接続パッドを
設けたが、本実施形態は、弾性表面波フィルタが搭載さ
れる回路基板に共通接続パッドを設けたことに特徴があ
る。このようにすることにより、入力ＩＤＴと出力ＩＤ
Ｔ間の電気信号の直達分による帯域外特性の劣化を抑制
することができる。
【００２０】図６は、弾性表面波フィルタが搭載される
回路基板の非搭載面のパターンである。弾性表面波フィ
ルタが搭載される中央の搭載領域の周囲を取り囲むよう
に、共通接続パターン８０、８１が設けられている。図
６では、共通接続パターン８０、８１は入力信号パター
ン８２、出力信号パターン８４により途切れて図示され
ているが、この途切れた部分はパッケージ内部に形成さ
れた接続パターン（図示せず）により電気的に接続され
ている。共通接続パターン８０、８１の周囲には接地パ
ターン８６、８８が形成されている。
回路基板の非搭載面のパターンである。弾性表面波フィ
ルタが搭載される中央の搭載領域の周囲を取り囲むよう
に、共通接続パターン８０、８１が設けられている。図
６では、共通接続パターン８０、８１は入力信号パター
ン８２、出力信号パターン８４により途切れて図示され
ているが、この途切れた部分はパッケージ内部に形成さ
れた接続パターン（図示せず）により電気的に接続され
ている。共通接続パターン８０、８１の周囲には接地パ
ターン８６、８８が形成されている。
【００２１】図６に示すパターンの搭載領域には、例え
ば、図１４に示す弾性表面波フィルタが搭載される。弾
性表面波フィルタのパッケージ１２０の入力端子１２２
は入力信号パターン８２に接続され、接地端子１２４は
共通接続パターン８０に接続され、出力端子１２４は出
力信号パターン８４に接続され、接地端子１２８は共通
接続パターン８０に接続されている。
ば、図１４に示す弾性表面波フィルタが搭載される。弾
性表面波フィルタのパッケージ１２０の入力端子１２２
は入力信号パターン８２に接続され、接地端子１２４は
共通接続パターン８０に接続され、出力端子１２４は出
力信号パターン８４に接続され、接地端子１２８は共通
接続パターン８０に接続されている。
【００２２】共通接続パターン８０は２本のアルミニウ
ムのワイヤ９０により接地パターン８６に接続され、共
通接続パターン８１も２本のアルミニウムのワイヤ９２
により接地パターン８８に接続されている。したがっ
て、本実施形態による弾性表面波フィルタも、接地端子
１２４、１２８が共通接続され、その共通接続パターン
８０、８１と接地パターン８６、８８との間に、ワイヤ
９０、９２によるインダクタンス素子が挿入された、図
２と同様の回路構成となる。
ムのワイヤ９０により接地パターン８６に接続され、共
通接続パターン８１も２本のアルミニウムのワイヤ９２
により接地パターン８８に接続されている。したがっ
て、本実施形態による弾性表面波フィルタも、接地端子
１２４、１２８が共通接続され、その共通接続パターン
８０、８１と接地パターン８６、８８との間に、ワイヤ
９０、９２によるインダクタンス素子が挿入された、図
２と同様の回路構成となる。
【００２３】このように本実施形態によれば、パッケー
ジ内に共通接続パッドを設ける必要がないので、入力Ｉ
ＤＴと出力ＩＤＴ間の電気信号の直達分による帯域外特
性の劣化を抑制することができる。 ［変形実施形態］本発明は上記実施形態に限らず種々の
変形が可能である。
ジ内に共通接続パッドを設ける必要がないので、入力Ｉ
ＤＴと出力ＩＤＴ間の電気信号の直達分による帯域外特
性の劣化を抑制することができる。 ［変形実施形態］本発明は上記実施形態に限らず種々の
変形が可能である。
【００２４】例えば、上記実施形態では、圧電基板とし
て水晶基板を用いたが、ＬａＴａＯ 3、ＬｉＮｂＯ3、Ｌ
ｉＢ4Ｏ7等の他の圧電基板を用いてもよい。また、上記
実施形態では、インダクタンス素子としてアルミニウム
のワイヤを用いたが、金、銅等の他の導電材料のワイヤ
でもよい。また、ワイヤの形態に限らず、線路、コイル
等の他の形態でもよい。
て水晶基板を用いたが、ＬａＴａＯ 3、ＬｉＮｂＯ3、Ｌ
ｉＢ4Ｏ7等の他の圧電基板を用いてもよい。また、上記
実施形態では、インダクタンス素子としてアルミニウム
のワイヤを用いたが、金、銅等の他の導電材料のワイヤ
でもよい。また、ワイヤの形態に限らず、線路、コイル
等の他の形態でもよい。
【００２５】また、上記実施形態では、インダクタンス
素子のインダクタンス値を調整するのに、ワイヤの本数
や太さ（断面積）を変化したが、他の要素、長さや形状
等のパラメータを変化してインダクタンス値を調整して
もよい。また、上記第３実施形態では、弾性表面波フィ
ルタが搭載される回路基板上に共通接続パターンを形成
したが、パッケージ上に共通接続パターンを形成しても
よい。
素子のインダクタンス値を調整するのに、ワイヤの本数
や太さ（断面積）を変化したが、他の要素、長さや形状
等のパラメータを変化してインダクタンス値を調整して
もよい。また、上記第３実施形態では、弾性表面波フィ
ルタが搭載される回路基板上に共通接続パターンを形成
したが、パッケージ上に共通接続パターンを形成しても
よい。
【００２６】
［実施例１］図１に示す構成の弾性表面波フィルタであ
る。入力ＩＤＴ１２の対数は９０．５対、出力ＩＤＴ１
４の対数は７０．５対、反射器１６、１８の電極数は８
０本である。入力ＩＤＴ１２、出力ＩＤＴ１４の開口長
は１０λ、電極周期は２３．３９６７μｍである。反射
器１６、１８の電極周期は２３．８４７６μｍである。
左側の反射器１６と入力ＩＤＴ１２の電極間距離は０．
６２１１０λであり、入力ＩＤＴ１２と出力ＩＤＴ１４
の電極間距離は０．５１６２１λであり、出力ＩＤＴ１
４と右側の反射器１８の電極間距離は０．９１５４４λ
である。
る。入力ＩＤＴ１２の対数は９０．５対、出力ＩＤＴ１
４の対数は７０．５対、反射器１６、１８の電極数は８
０本である。入力ＩＤＴ１２、出力ＩＤＴ１４の開口長
は１０λ、電極周期は２３．３９６７μｍである。反射
器１６、１８の電極周期は２３．８４７６μｍである。
左側の反射器１６と入力ＩＤＴ１２の電極間距離は０．
６２１１０λであり、入力ＩＤＴ１２と出力ＩＤＴ１４
の電極間距離は０．５１６２１λであり、出力ＩＤＴ１
４と右側の反射器１８の電極間距離は０．９１５４４λ
である。
【００２７】入力ＩＤＴ１２、出力ＩＤＴ１４、反射器
１６、１８のメタライズレシオは０．７である。入力Ｉ
ＤＴ１２、出力ＩＤＴ１４、反射器１６、１８、共通接
続パッド１９の膜厚は１２０００ｎｍである。ワイヤ３
４、３８によるインダクタンス素子４０のインダクタン
ス値を０．２ｎＨから０．８ｎＨまで変化させて、図７
に示す測定回路を用いて通過特性を測定した。終端イン
ピーダンスは５０Ωである。
１６、１８のメタライズレシオは０．７である。入力Ｉ
ＤＴ１２、出力ＩＤＴ１４、反射器１６、１８、共通接
続パッド１９の膜厚は１２０００ｎｍである。ワイヤ３
４、３８によるインダクタンス素子４０のインダクタン
ス値を０．２ｎＨから０．８ｎＨまで変化させて、図７
に示す測定回路を用いて通過特性を測定した。終端イン
ピーダンスは５０Ωである。
【００２８】測定結果を図８に示す。中心周波数は約１
３０ＭＨｚであった。図８（ａ）は、ワイヤ３４、３８
の本数が１２本、太さが２５μｍφ、長さが約２．５ｍ
ｍで、インダクタンス素子４０が０．２ｎＨのときの通
過特性である。図８（ｂ）は、ワイヤ３４、３８の本数
が６本、太さが２５μｍφ、長さが約２．５ｍｍで、イ
ンダクタンス素子４０が０．４ｎＨのときの通過特性で
ある。図８（ｃ）は、ワイヤ３４、３８の本数が４本、
太さが２５μｍφ、長さが約２．５ｍｍで、インダクタ
ンス素子４０が０．６ｎＨのときの通過特性である。図
８（ｄ）は、ワイヤ３４、３８の本数が３本、太さが２
５μｍφ、長さが約２．５ｍｍで、インダクタンス素子
４０が０．８ｎＨのときの通過特性である。
３０ＭＨｚであった。図８（ａ）は、ワイヤ３４、３８
の本数が１２本、太さが２５μｍφ、長さが約２．５ｍ
ｍで、インダクタンス素子４０が０．２ｎＨのときの通
過特性である。図８（ｂ）は、ワイヤ３４、３８の本数
が６本、太さが２５μｍφ、長さが約２．５ｍｍで、イ
ンダクタンス素子４０が０．４ｎＨのときの通過特性で
ある。図８（ｃ）は、ワイヤ３４、３８の本数が４本、
太さが２５μｍφ、長さが約２．５ｍｍで、インダクタ
ンス素子４０が０．６ｎＨのときの通過特性である。図
８（ｄ）は、ワイヤ３４、３８の本数が３本、太さが２
５μｍφ、長さが約２．５ｍｍで、インダクタンス素子
４０が０．８ｎＨのときの通過特性である。
【００２９】インダクタンス素子４０のインダクタンス
値が増加するにつれて、通過帯域のトラップの位置が高
周波数側から低周波数側に変化した。すなわち、インダ
クタンス素子４０が０．２ｎＨでは通過帯域のトラップ
が２１０ＭＨｚ近傍にあり、インダクタンス素子４０が
０．４ｎＨでは通過帯域のトラップが１５０ＭＨｚ近傍
にあり、インダクタンス素子４０が０．６ｎＨでは通過
帯域のトラップが１１５ＭＨｚ近傍にあり、インダクタ
ンス素子４０が０．８ｎＨでは通過帯域のトラップが１
０５ＭＨｚ近傍にあった。
値が増加するにつれて、通過帯域のトラップの位置が高
周波数側から低周波数側に変化した。すなわち、インダ
クタンス素子４０が０．２ｎＨでは通過帯域のトラップ
が２１０ＭＨｚ近傍にあり、インダクタンス素子４０が
０．４ｎＨでは通過帯域のトラップが１５０ＭＨｚ近傍
にあり、インダクタンス素子４０が０．６ｎＨでは通過
帯域のトラップが１１５ＭＨｚ近傍にあり、インダクタ
ンス素子４０が０．８ｎＨでは通過帯域のトラップが１
０５ＭＨｚ近傍にあった。
【００３０】中心周波数は約１３０ＭＨｚであるので、
インダクタンス素子４０が０．４ｎＨでは通過帯域のト
ラップが１５０ＭＨｚ近傍にある場合に最も帯域外特性
を改善できることがわかった。インダクタンス素子４０
が０．４ｎＨの場合、中心周波数１３０ＭＨｚ±１ＭＨ
ｚの帯域において、後述する比較例１よりも約１５ｄＢ
も帯域外特性が改善された。 ［比較例１］図１４に示す構成の弾性表面波フィルタで
ある。共通接続パッド１９が形成されている点と、ワイ
ヤ３４、３８を用いて共通接続パッド１９と接地端子２
４、２８を接続している点以外は、実施例１と全く同じ
電極構造とした。図７に示す測定回路を用いて通過特性
を測定した。終端インピーダンスは５０Ωである。
インダクタンス素子４０が０．４ｎＨでは通過帯域のト
ラップが１５０ＭＨｚ近傍にある場合に最も帯域外特性
を改善できることがわかった。インダクタンス素子４０
が０．４ｎＨの場合、中心周波数１３０ＭＨｚ±１ＭＨ
ｚの帯域において、後述する比較例１よりも約１５ｄＢ
も帯域外特性が改善された。 ［比較例１］図１４に示す構成の弾性表面波フィルタで
ある。共通接続パッド１９が形成されている点と、ワイ
ヤ３４、３８を用いて共通接続パッド１９と接地端子２
４、２８を接続している点以外は、実施例１と全く同じ
電極構造とした。図７に示す測定回路を用いて通過特性
を測定した。終端インピーダンスは５０Ωである。
【００３１】測定結果を図９に示す。トラップが存在せ
ず、実施例１に比べて帯域外減衰特性がよくなかった。 ［実施例２］図４に示す構成の弾性表面波フィルタであ
る。第１の電極構造列５０、第２の電極構造列６０の電
極構造は、実施例１と全く同じである。
ず、実施例１に比べて帯域外減衰特性がよくなかった。 ［実施例２］図４に示す構成の弾性表面波フィルタであ
る。第１の電極構造列５０、第２の電極構造列６０の電
極構造は、実施例１と全く同じである。
【００３２】入力ＩＤＴ５２、出力ＩＤＴ６２の対数は
９０．５対、接続ＩＤＴ５４、接続ＩＤＴ６４の対数は
７０．５対、反射器５６、５８、６６、６８の電極数は
８０本である。入力ＩＤＴ５２、接続ＩＤＴ５４、出力
ＩＤＴ６２、接続ＩＤＴ６４の開口長は１０λ、電極周
期は２３．３９６７μｍである。反射器５６、５８、６
６、６８の電極周期は２３．８４７６μｍである。左側
の反射器５６、６６と入力ＩＤＴ５２、出力ＩＤＴ６２
の電極間距離は０．６２１１０λであり、入力ＩＤＴ５
２、出力ＩＤＴ６２と接続ＩＤＴ５４、接続ＩＤＴ６４
の電極間距離はそれぞれ０．５１６２１λであり、接続
ＩＤＴ５４、接続ＩＤＴ６４と右側の反射器５８、６８
の電極間距離はそれぞれ０．９１５４４λである。
９０．５対、接続ＩＤＴ５４、接続ＩＤＴ６４の対数は
７０．５対、反射器５６、５８、６６、６８の電極数は
８０本である。入力ＩＤＴ５２、接続ＩＤＴ５４、出力
ＩＤＴ６２、接続ＩＤＴ６４の開口長は１０λ、電極周
期は２３．３９６７μｍである。反射器５６、５８、６
６、６８の電極周期は２３．８４７６μｍである。左側
の反射器５６、６６と入力ＩＤＴ５２、出力ＩＤＴ６２
の電極間距離は０．６２１１０λであり、入力ＩＤＴ５
２、出力ＩＤＴ６２と接続ＩＤＴ５４、接続ＩＤＴ６４
の電極間距離はそれぞれ０．５１６２１λであり、接続
ＩＤＴ５４、接続ＩＤＴ６４と右側の反射器５８、６８
の電極間距離はそれぞれ０．９１５４４λである。
【００３３】入力ＩＤＴ５２、出力ＩＤＴ６２、接続Ｉ
ＤＴ５４、６４、反射器５６、５８、６６、６８のメタ
ライズレシオは０．７である。入力ＩＤＴ５２、出力Ｉ
ＤＴ６２、接続ＩＤＴ５４、６４、反射器５６、５８、
６６、６８、共通接続パッド７０の膜厚は１２０００ｎ
ｍである。ワイヤ３４、３８によるインダクタンス素子
４０のインダクタンス値を０．２ｎＨから０．６ｎＨま
で変化させて、図１０に示す測定回路を用いて通過特性
を測定した。測定回路中のインダクタンスＬは１４５．
０ｎＨであり、キャパシタンスＣは７．４ｐＦである。
終端インピーダンスは５０Ωである。
ＤＴ５４、６４、反射器５６、５８、６６、６８のメタ
ライズレシオは０．７である。入力ＩＤＴ５２、出力Ｉ
ＤＴ６２、接続ＩＤＴ５４、６４、反射器５６、５８、
６６、６８、共通接続パッド７０の膜厚は１２０００ｎ
ｍである。ワイヤ３４、３８によるインダクタンス素子
４０のインダクタンス値を０．２ｎＨから０．６ｎＨま
で変化させて、図１０に示す測定回路を用いて通過特性
を測定した。測定回路中のインダクタンスＬは１４５．
０ｎＨであり、キャパシタンスＣは７．４ｐＦである。
終端インピーダンスは５０Ωである。
【００３４】測定結果を図１１、１２に示す。中心周波
数は約１３０ＭＨｚであった。図１１（ａ１）、（ａ
２）は、ワイヤ３４、３８の本数が１２本、太さが２５
μｍφ、長さが約２．５ｍｍで、インダクタンス素子４
０が０．２ｎＨのときの通過特性である。図１１（ｂ
１）、（ｂ２）は、ワイヤ３４、３８の本数が６本、太
さが２５μｍφ、長さが約２．５ｍｍで、インダクタン
ス素子４０が０．４ｎＨのときの通過特性である。図１
２（ｃ１）、（ｃ２）は、ワイヤ３４、３８の本数が４
本、太さが２５μｍφ、長さが約２．５ｍｍで、インダ
クタンス素子４０が０．６ｎＨのときの通過特性であ
る。
数は約１３０ＭＨｚであった。図１１（ａ１）、（ａ
２）は、ワイヤ３４、３８の本数が１２本、太さが２５
μｍφ、長さが約２．５ｍｍで、インダクタンス素子４
０が０．２ｎＨのときの通過特性である。図１１（ｂ
１）、（ｂ２）は、ワイヤ３４、３８の本数が６本、太
さが２５μｍφ、長さが約２．５ｍｍで、インダクタン
ス素子４０が０．４ｎＨのときの通過特性である。図１
２（ｃ１）、（ｃ２）は、ワイヤ３４、３８の本数が４
本、太さが２５μｍφ、長さが約２．５ｍｍで、インダ
クタンス素子４０が０．６ｎＨのときの通過特性であ
る。
【００３５】インダクタンス素子４０のインダクタンス
値が増加するにつれて、通過帯域のトラップの位置が高
周波数側から低周波数側に変化した。すなわち、インダ
クタンス素子４０が０．２ｎＨでは通過帯域のトラップ
が約１８０ＭＨｚ近傍にあり、インダクタンス素子４０
が０．４ｎＨでは通過帯域のトラップが約１３５ＭＨｚ
近傍にあり、インダクタンス素子４０が０．６ｎＨでは
通過帯域のトラップが約１０５ＭＨｚ近傍にあった。
値が増加するにつれて、通過帯域のトラップの位置が高
周波数側から低周波数側に変化した。すなわち、インダ
クタンス素子４０が０．２ｎＨでは通過帯域のトラップ
が約１８０ＭＨｚ近傍にあり、インダクタンス素子４０
が０．４ｎＨでは通過帯域のトラップが約１３５ＭＨｚ
近傍にあり、インダクタンス素子４０が０．６ｎＨでは
通過帯域のトラップが約１０５ＭＨｚ近傍にあった。
【００３６】中心周波数は約１３０ＭＨｚであるので、
インダクタンス素子４０が０．４ｎＨでは通過帯域のト
ラップが約１３５ＭＨｚ近傍にある場合に最も帯域外特
性を改善できることがわかった。インダクタンス素子４
０が０．４ｎＨの場合、中心周波数１３０ＭＨｚ±１Ｍ
Ｈｚの帯域において、後述する比較例２よりも約１５〜
２０ｄＢも帯域外特性が改善された。 ［比較例２］図４に示す構成の弾性表面波フィルタであ
って、共通接続パッド７０が形成されている点と、ワイ
ヤ３４、３８を用いて共通接続パッド７０と接地端子２
４、２８を接続している点以外は、実施例２と全く同じ
電極構造とした。図１１に示す測定回路を用いて通過特
性を測定した。終端インピーダンスは５０Ωである。
インダクタンス素子４０が０．４ｎＨでは通過帯域のト
ラップが約１３５ＭＨｚ近傍にある場合に最も帯域外特
性を改善できることがわかった。インダクタンス素子４
０が０．４ｎＨの場合、中心周波数１３０ＭＨｚ±１Ｍ
Ｈｚの帯域において、後述する比較例２よりも約１５〜
２０ｄＢも帯域外特性が改善された。 ［比較例２］図４に示す構成の弾性表面波フィルタであ
って、共通接続パッド７０が形成されている点と、ワイ
ヤ３４、３８を用いて共通接続パッド７０と接地端子２
４、２８を接続している点以外は、実施例２と全く同じ
電極構造とした。図１１に示す測定回路を用いて通過特
性を測定した。終端インピーダンスは５０Ωである。
【００３７】測定結果を図１３に示す。トラップが存在
せず、実施例２に比べて帯域外減衰特性がよくなかっ
た。
せず、実施例２に比べて帯域外減衰特性がよくなかっ
た。
【００３８】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、入力ＩＤ
Ｔの接地端と出力ＩＤＴの接地端とが共通接続部に接続
され、共通接続部がインダクタンス素子を介して接地さ
れているので、インダクタンス素子のインダクタンス値
を調整することにより、インダクタンス素子によるトラ
ップを通過特性の所定領域内に位置するようにして、寄
生容量等による通過特性の劣化を防止することができ
る。
Ｔの接地端と出力ＩＤＴの接地端とが共通接続部に接続
され、共通接続部がインダクタンス素子を介して接地さ
れているので、インダクタンス素子のインダクタンス値
を調整することにより、インダクタンス素子によるトラ
ップを通過特性の所定領域内に位置するようにして、寄
生容量等による通過特性の劣化を防止することができ
る。
【図１】本発明の第１実施形態による弾性表面波フィル
タの平面図である。
タの平面図である。
【図２】本発明の第１実施形態による弾性表面波フィル
タの等価回路図である。
タの等価回路図である。
【図３】本発明の第１実施形態による弾性表面波フィル
タの通過特性を示すグラフである。
タの通過特性を示すグラフである。
【図４】本発明の第２実施形態による弾性表面波フィル
タの平面図である。
タの平面図である。
【図５】本発明の第２実施形態による弾性表面波フィル
タの通過特性を示すグラフである。
タの通過特性を示すグラフである。
【図６】本発明の第３実施形態による弾性表面波フィル
タの平面図である。
タの平面図である。
【図７】実施例１の測定回路を示す回路図である。
【図８】実施例１の測定結果を示すグラフである。
【図９】比較例１の測定結果を示すグラフである。
【図１０】実施例２の測定回路を示す回路図である。
【図１１】実施例２の測定結果を示すグラフである。
【図１２】実施例２の測定結果を示すグラフである。
【図１３】比較例２の測定結果を示すグラフである。
【図１４】従来の弾性表面波フィルタの平面図である。
【図１５】従来の弾性表面波フィルタの等価回路図であ
る。
る。
１０…圧電基板 １２…入力ＩＤＴ １２ａ…入力信号端 １２ｂ…接地端 １４…出力ＩＤＴ １４ａ…接地端 １４ｂ…出力信号端 １６、１８…反射器 １９…共通接続パッド ２０…パッケージ ２２…入力端子 ２４…接地端子 ２６…出力端子 ２８…接地端子 ３２、３４、３６、３８…ワイヤ ４０…インダクタンス素子 ５０…第１の電極構造列 ５２…入力ＩＤＴ ５２ａ…入力信号端 ５２ｂ…接地端 ５４…接続ＩＤＴ ５４ａ…接地端 ５４ｂ…接続端 ５６、５８…反射器 ６０…第１の電極構造列 ６２…出力ＩＤＴ ６２ａ…接地端 ６２ｂ…出力信号端 ６４…接続ＩＤＴ ６４ａ…接続端 ６４ｂ…接地端 ６６、６８…反射器 ７０…共通接続パッド ８０、８１…共通接続パターン ８２…入力信号パターン ８４…出力信号パターン ８６、８８…接地パターン ９０、９２…ワイヤ １１０…圧電基板 １１２…入力ＩＤＴ １１２ａ…入力信号端 １１２ｂ…接地端 １１４…出力ＩＤＴ １１４ａ…接地端 １１４ｂ…出力信号端 １１６、１１８…反射器 １２０…パッケージ １２２…入力端子 １２４、１２８…接地端子 １２６…出力端子 １３２、１３４、１３６、１３８…ワイヤ
Claims (2)
- 【請求項１】 圧電基板の表面に入力ＩＤＴと出力ＩＤ
Ｔとが形成された弾性表面波装置において、 前記入力ＩＤＴの接地端と前記出力ＩＤＴの接地端とが
共通接続部に接続され、 前記共通接続部がインダクタンス素子を介して接地さ
れ、 前記インダクタンス素子によるトラップが通過特性の所
定領域内に位置するように前記インダクタンス素子のイ
ンダクタンス値が調整されていることを特徴とする弾性
表面波装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の弾性表面波装置におい
て、 前記インダクタンス素子は、前記共通接続部と接地端子
とを接続する接続線であり、 前記接続線の本数及び／又は断面積により、前記インダ
クタンス素子のインダクタンス値を調整することを特徴
とする弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31773295A JPH09162676A (ja) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31773295A JPH09162676A (ja) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09162676A true JPH09162676A (ja) | 1997-06-20 |
Family
ID=18091429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31773295A Pending JPH09162676A (ja) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09162676A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6404303B1 (en) * | 1999-01-12 | 2002-06-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Surface acoustic wave element with an input/output ground pattern forming capacitance with both the input and output signal patterns |
| EP1394856A2 (en) * | 2002-08-29 | 2004-03-03 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface-mounted electronic component module and method for manufacturing the same |
| US7078989B2 (en) | 2002-10-18 | 2006-07-18 | Fujitsu Media Devices Limited | Multi-mode surface acoustic wave filter device and duplexer |
| US7154359B2 (en) | 2003-05-20 | 2006-12-26 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave filter and duplexer including the same |
| JP5100890B2 (ja) * | 2009-06-26 | 2012-12-19 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波フィルタおよびそれを用いた分波器 |
| US8416038B2 (en) * | 2003-04-16 | 2013-04-09 | Intellectual Ventures Fund 77 Llc | Surface acoustic wave device and method of adjusting LC component of surface acoustic wave device |
| US8896397B2 (en) | 2003-04-16 | 2014-11-25 | Intellectual Ventures Fund 77 Llc | Surface acoustic wave device and method of adjusting LC component of surface acoustic wave device |
-
1995
- 1995-12-06 JP JP31773295A patent/JPH09162676A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6404303B1 (en) * | 1999-01-12 | 2002-06-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Surface acoustic wave element with an input/output ground pattern forming capacitance with both the input and output signal patterns |
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| USRE47410E1 (en) | 2003-04-16 | 2019-05-28 | Intellectual Ventures Holding 81 Llc | Surface acoustic wave device and method of adjusting LC component of surface acoustic wave device |
| US7154359B2 (en) | 2003-05-20 | 2006-12-26 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave filter and duplexer including the same |
| JP5100890B2 (ja) * | 2009-06-26 | 2012-12-19 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波フィルタおよびそれを用いた分波器 |
| US9041487B2 (en) | 2009-06-26 | 2015-05-26 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave filter and duplexer using same |
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