JPS582484B2 - 表面波装置 - Google Patents

表面波装置

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JPS582484B2
JPS582484B2 JP51020348A JP2034876A JPS582484B2 JP S582484 B2 JPS582484 B2 JP S582484B2 JP 51020348 A JP51020348 A JP 51020348A JP 2034876 A JP2034876 A JP 2034876A JP S582484 B2 JPS582484 B2 JP S582484B2
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JP
Japan
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surface wave
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ground
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山ノ井博
北村友三郎
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Sony Corp
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Sony Corp
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02874—Means for compensation or elimination of undesirable effects of direct coupling between input and output transducers

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は表面波を利用した表面波フィルタのような表面
波装置に係わる。
通常の表面波装置、例えば表面波フィルタは、第１図及
び第２図に示す如く、ヘッダ−１上に、表面波素子２が
取りつけられて成る。
表面波素子２は、表面波伝播媒質即ち圧電体基体２ｓ上
に、対の櫛形電極３ａ及び３ｂより成る入力電極３と、
通過ろ波帯域を切換えるための２つの櫛形電極４ａ１．
４ａ２と之と対向する共通の櫛歯電極４ｂより成る出力
電極４とが配置され、両電極３及び４間にアース電極５
が配置されて成る。
ヘッダ−１は、例えばエポキシ樹脂より成る絶縁板６上
にほぼ全面的に導電層より成るアースパターン７が被着
され、このパターン７上に表面波素子２がとりつけられ
る。
そして、ヘッダ−１には、このアースパターン７に夫々
電気的に接触して、夫々入力電極３及び出力電極４の各
アース電極３ｂ及び４ｂとアース電極５に対向して夫々
端子ピン８及び９と１０とが貫通植立されている。
又、ヘッダ−１上の一部には、表面波素子２の各入出力
電極３及び４の各電極３ａ，４ａ１及び４ａ２と対向す
る位置にアースパターン７が夫々欠除した部分が形成さ
れ、該欠除部に夫々島状の導電性パターン１１．１２及
び１３が被着され、之等パターン１１，１２．１３に夫
々接して入力端子ピン１４、出力端子ピン１５．１６が
貫通植立されて成る。
そして、入力電極３の各櫛形電極３ａ及び３ｂが端子ピ
ン１４及び８に夫々リード線１７及び１８によって接続
され、アース電極５が端子ピン１０にリード線１９によ
って接続され出力電極４の各櫛歯電極４ａ１，４ａ２及
び４ｂが端子ピン１５，１６及び９に夫々リード線２０
，２１及び２２によって接続される。
このような構成による表面波フィルタは、そのヘッダ−
１及び空間を通じての誘導的結合、容量的結合等によっ
て、入出力間にいわゆる「つきぬけ」が生ずる。
第３図はこのような構成による１０．７ＭＨｚのセラミ
ック表面波フィルタの周波数特性を示し、これよりその
つきぬけレベルが大きいことがわかり、このつきぬけレ
ベルの高いことによってスプリアスレベル即ちフィルタ
本来の通過帯域特性ａとその両側のスプリアスｂとの差
が低下する。
そして、このようなつきぬけをできるだけ回避すべく第
４図及び第５図に示すようにその入出力間の誘導的結合
、容量的結合の一要素として考えられるヘッダ−１のア
ースパターン７を排除し、各端子ピン８，９，１０，１
４．１５及び１６の周囲にのみ導電性パターン２２，２
３，２４，１２，１３及び１１を配置することが考えら
れた。
この場合、その周波数特性は第６図に示すようにそのつ
きぬけが数ｄＢ改善されるが、特性が不安定となる。
これはアースパターンが排除されたことによってフィル
タ素子の裏面のシールドが行われなくなったためと考え
られる。
本発明は上述した諸欠点のない表面波装置、例えば表面
波フィルタを提供せんとするものである。
本発明による表面波フィルタの一例を第７図及び第８図
を参照して説明するに、同図に於いて、第１図及び第２
図と対応ずる部分には同一符号を付して重複説明を省略
する。
本発明に於いては、表面波素子２がとりつけられるヘッ
ダー１上に、全面的に導電層より成るアースパターンγ
を形成するが、特に、このアースパターン７の例えば中
央に、素子２の入力側と出力側との間を横切るように帯
状パターンの欠除部７ａを形成し、このパターン７を入
力側アースピン８と、出力側アースピン９との間で分断
し、このパターン７を２つの部分７Ａ及び７Ｂに分割す
る。
アースパターン７の一方の部分７Ａには、入力電極３の
アース電極３ｂとアース電極５とに夫々リード線１８及
び１９によって接続される端子ピン８及び１０が連接さ
れる。
又、この部分７Ａには、入力電極３ａがリード線１７を
介して接続される端子ピン１４の周囲に欠除部２７ａが
形成されこの欠除部２７ａ内に、ピン１４と接する導電
パターン１１が設けられる。
又、アースパターン７の他方の部分７Ｂには、出力電極
４のアース電極４ｂがリード線２２を介して接続される
アースピン９が連接される。
又、この部分７Ｂには、出力電極４ａｌ及び４ ａ２が
夫夫リード線２０及び２１を介して接続される端子ピン
１５及び１６の周囲に欠除部２７ｂが形成され、この欠
除部２７ｂ内に、各ビン１５及び１６に夫々接する導電
パターン１２及び１３が設けられる。
こゝにヘツダ−１は、例えばエボキシ樹脂等の絶縁基板
より成り、之の上面に全面的に例えば銅箔を接着し、之
を所定のパターンにフォトエッチングによって形成し、
各パターン７，１１，１２及び１３を同時に形成する。
このような構成による例えば１０．７ＭＨｚのセラミッ
ク表面波フィルタの周波数特性は、第９図に示すように
なり、そのつきぬけは減少している。
したがって、スプリアスレベルが改善される。
更に、特性も安定となった。
第１０図及び第１１図は不発明装置の他の例を示し、こ
の例に於いては、アースパターン７に欠除部７ａを設け
るとともに、これを十文字状に横切ってフィルタ素子２
の表面波伝播方向に沿うフィルタ素子２のほぼ中央に対
向して同様に帯状欠除部７ｂを設け、４つの部分７Ａ１
，７Ａ２，７Ｂ１，７Ｂ２に分割した場合である。
人力端側の部分７Ａ，及び７Ａ２間には、欠除部７ｂの
、之等部分７Ａ１及び７Ａ２に対応する側の外側端（図
に於いては左端）に、ヘツダー上でのフィルタ素子に適
したアース取流の流れを得る目的をもって相互に連結ず
る連結部３７Ａが設けられ、出力端側の部分７Ｂ１及び
７Ｂ２間には、欠除部７ｂの他方の外側端に、部分７Ｂ
２をアースピン９を通じてアースするための連結部３７
Ｂが設けられる。
このような構成による１０．７ＭＨｚのフィルタの周波
数特性は第１２図に示す如く測定され、この場合、第１
図及び第２図に説明した従来のフィルタに比し、１０．
７ＭＨｚ近傍で２０ｄＢ，５０．０ＭＨｚ近傍で２０ｄ
Ｂ，１００．０ＭＨｚ近傍で３０ｄＢ以上のつきぬけレ
ベルの改善がはかられた。
尚、第３図、第６図、弟９図及び第１２図に示す各特性
は入出力間を短絡した場合のレベルを０ｄＢとしたもの
である。
上述したように、本発明の構成によれば、そのつきぬけ
レベル、特に高域側のつきぬけが改善されると共に、ス
プリアスレベルの向上、遅延特性の向上、フィルタ本体
の通過帯域の再現性の向上をはかることができ、設計が
容易且つ正確となり、又、回路への組込み時の不安定要
素を回避できるなど多くの利益を有する。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の表面波フィルタの上面図、第２図はその
Ａ−Ａ線上の断面図、第３図はその周波数特性、第４図
は本発明の説明に供する表面波フィルタの上面図、第５
図はそのＢ−Ｂ線上の断面図、第６図はその周波数特性
、第７図は本発明による表面波フィルタの一例の上面図
、第８図はそのＣ−Ｃ線上の断面図、第９図はその周波
数特性、第１０図は本発明による表面波フィルタの他の
例の上面図、第１１図はそのＤ−Ｄ線上の断面図、第１
２図はその周波数特性である。 １はヘツダー、２は表面波素子、２ｓはその伝播媒質基
体、３，４及び５はその電極、７はヘッダー１のアース
パターン、７Ａ，７Ｂ，７Ａ１，７Ａ２，７Ｂ１，７Ｂ
２はその各部、７ａ及び７ｂはその欠除部、８，９，１
４，１５，１６は端子ピンである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 表面波素子が取りつけられるヘツダー上のほぼ全面
    に、導電性アースパターンが配され、該アースパターン
    が上記ヘツグーに設けられた入力側アースピンと出力側
    アースピンとの間で分断されて成る表面波装置。
JP51020348A 1976-02-26 1976-02-26 表面波装置 Expired JPS582484B2 (ja)

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GB6730/77A GB1562841A (en) 1976-02-26 1977-02-17 Surface acoustic wave apparatus
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