JPH0697727B2 - 弾性表面波フィルタ - Google Patents

弾性表面波フィルタ

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JPH0697727B2
JPH0697727B2 JP60060645A JP6064585A JPH0697727B2 JP H0697727 B2 JPH0697727 B2 JP H0697727B2 JP 60060645 A JP60060645 A JP 60060645A JP 6064585 A JP6064585 A JP 6064585A JP H0697727 B2 JPH0697727 B2 JP H0697727B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は弾性表面波フイルタ、更に詳しく言えば圧電性
基板上にインタディジタルな電極指を配して構成された
トランスデューサより成る弾性表面波共振器を複数個組
合せてなるバンドパス、あるいはバンドリジェクション
フィルタの構成に関するものである。
〔発明の背景〕
弾性表面波フイルタは上述の如く圧電性基板上に簡単な
形状の薄い導電性導体を配したトランスデューサを形成
するものであるため、極めて小型でかつ安定な特性のフ
イルタを実現できる利点を持っている。
この種の弾性表面波フイルタに要求される主に特性は低
損失でかつ、急峻な周波数特性すなわちパス(通過領
域)とリジェクション(阻止領域)の境で減衰特性が急
激に変化できる特性を持つことである。又、最近、特に
注目されていることは耐電力特性すなわち、大電力の信
号対して所定のフイルタとして動作することが重要とな
っている。
従来種々の弾性表面波フイルタが知られているが、耐電
力性についてはあまり配慮がなされていない。耐電力性
を向上するために、電極材料を改良するものがあるが、
それでも、現在開発されているものは0.5ワット以下の
ものしか使用されていない。
〔発明の目的〕
したがって、本発明の主な目的は耐電力性のすぐれた弾
性表面波フイルタを実現すること、すなわち、数ワット
以上の電力の信号にも使用できる弾性表面波フイルタを
実現することである。
〔発明の概要〕
本発明は、上記目的を達成するため、圧電性基板上に形
成された複数個の、電極指の対数が多い1開口弾性表面
波共振器を弾性表面波的には相互作用がないように配置
し、電気的には直列に接続し、その入出力端子に外部負
荷との整合回路を設けると共に、上記弾性表面波共振器
を構成する電極導体と共通アース間の圧電性基板による
容量を利用してフイルタを構成したものである。ここ
で、上記複数個の1開口弾性表面波共振器の中の少なく
とも一部の1開口弾性表面波共振器は他の1開口弾性表
面波共振器と共振周波数が異なっている。
上記構成によれば以下の詳細な説明で明らかとなるよう
に、入力電力の一部(高周波成分)は音響エネルギーに
変換されることなく、直接出力側に伝達されるため、電
極材料、あるいは基板にかかる機械的応力が削減され、
大電力の信号に耐える(例えば2〜4watt)弾性表面波
フイルタを実現できる。すなわち、大電力の信号に耐え
る(例えば2〜4watt)弾性表面波フィルタを実現でき
ることの第1理由は、通常の圧電結晶は良質な誘電体で
あるので、大電力信号により1開口弾性表面波共振器の
電極導体とアースの間に数wattの入射電力により非常に
高い電圧が誘起されても、1開口弾性表面波共振器の電
極導体とアースの間の圧電基板容量が破壊することはな
い点にある。このことを、圧電基板容量の代りに1開口
弾性表面波共振器を用いた特公昭58−1850号公報に記載
された弾性表面波フィルタとの比較で説明する。特公昭
58−1850号公報に記載の1開口弾性表面波フイルタは、
直列接続した2ヶの1開口弾性表面波共振器の接続点と
アースとの間に、圧電基板容量ではなく1開口弾性表面
波共振器を導入しT型回路を形成することで必要な周波
数特性を実現している。しかし、本発明者が実験により
検討したところ、この1開口弾性表面波共振器に、フィ
ルタの通過帯域の周波数成分を持つエネルギの一部が流
れ込み、アースを通って入力側に戻ってくるため、大電
力が入射するとこの1開口弾性表面波共振器が破壊され
る現象が生じることが分った。この破壊は1開口弾性表
面波共振器の電極指間の電極材料のマイグレーションに
よるものである。また、第2の理由は、本発明は1開口
弾性表面波共振器に多数対の電極指を用いるため電極導
体の面積が大きい。その結果、フィルタの入射電力が広
い範囲に渡って分散されて電力損失が本質的に少なく、
すなわち1開口弾性表面波共振器部での熱放散性が良
く、電極材料あるいは基板に発生する機械的応力が低減
されて電極指間の電極材料のマイグレーションの発生に
よる1開口弾性表面波共振器の破壊に強い点にある。
また、本発明の圧電基板容量は非常に重要な意味をも
つ。すなわち、圧電基板容量はフィルタの周波数特性を
合成する構成要素の一つとして意図的に用いているので
あり、所謂寄生容量とはその重要性が全く異なる。さら
に、本発明では、多数対電極指より成る1開口弾性表面
波共振器を用いているので電極指部分の面積が広く、比
較的容易にアースに対する必要な容量を確保出来る。
〔発明の実施例〕
以下、実施例によって本発明を詳細に説明する。
第1図は本発明による弾性表面波フイルタの一実施例の
構成を示す図である。
同図において、1は信号入力端子,2はフイルタの出力端
子である。圧電性基板8上には平行に共通電極9−1…
9−6が配置され、各共通電極9には互に交互に間挿さ
れた電極指が接続されている。共通電極9−1は入力端
子を構成し信号入力端子1との間にインダクタンス3及
び4からなる入力負荷との整合回路が形成され、又共通
電極9−6は出力端子を形成し、フイルタ出力端子2と
の間に、出力負荷との整合回路を構成するインダクタン
ス5及び6が設けられている。
上記構成において、相隣る2つの共通電極間は第2図に
示すような、多数対トランスデューサによる1開口弾性
表面波共振器を構成する。ここで、1開口弾性表面波共
振器(one port SAW resonator)とは、アイ イー
イー イー ウルトラソニックス シンポジウム プ
ロシーディング 1978年,第573−578頁(IEEE Ultras
onics Symp.1978,pp.573−578)に記載されているよう
に、弾性表面波の励振又は受信に係わるトランスデュー
サが1ケである弾性表面波共振器のことである。一般
に、弾性表面波共振器はトランスデューサの両側に弾性
表面波の反射器を導入する場合が多いが、第2図に示す
ようにトランスデューサの電極指の対数が非常に多い場
合は、両側に反射器がなくても、トランスデユーサ自身
の電極指による内部反射で振動エネルギーが閉じ込めら
れるので共振器となる。第1図のフィルタは1開口弾性
表面波共振器が共通電極9−2,…,9−5で電気的に直列
接続されている。また、第1開口弾性表面波共振器を構
成するトランスデューサ内で励振された弾性表面波はト
ランスデューサの端部に達するまでに他の電極指との間
で多重反射を繰り返しながらトランスデューサの端部に
達したトランスデューサの外部へ漏れる。しかし、この
漏れ弾性表面波ののエネルギは、トランスデューサ内部
で多重反射を繰り返している弾性表面波の全エネルギに
比べると非常に小さい。しかも、漏れの方向は1開口弾
性表面波共振器の電気的直列接続の方向と直交してい
る。したがって、各1開口弾性表面波共振器の間で弾性
表面波が相互作用することなはい。以下、簡単のため、
フイルタの基本構成要素である1開口弾性表面波共振器
を第2図の構成で説明する。
第3図(a)は上記第2図の共振器の電気的等価回路を
示す。一般に弾性表面波共振器は電極間の静電容量C0
並列に、共振によるインダクタンスL1と容量C1の直列回
路を接続した形で表わされる。このような共振器のイン
ピーダンス特性は第3図(b)に示すように共振周波数
frでインピーダンスがほぼ0、反共振周波数faでほぼ無
限大になる。
従って、第1図に示す弾性表面波フィルタは第4図の等
価回路で表わすことができる。
入出力端子1,2に接続された並列インダクタンス3,6およ
び直列インダクタンス4,5は第1図と同様外部の整合回
路を示す。また、弾性表面波共振器には第3図(a)の
等価回路を用いた。
図中点線で示した容量は、各容量の電極指および共振器
間を結び付ける電極、または、入出力端子電極の共通ア
ースに対する容量を示す。ここで、共通アースとは、第
1図の圧電基板8を接着剤あるいは半田付け等でパッケ
ージあるいは回路基盤に固定する場合の、パッケージあ
るいは回路基板のアース面のことである。これ等の容量
は第4図では点線で示したが、共振器間を結び付ける電
極、または、ボンディングパッド等の入出力端子電極の
面積を増減することによって任意に設定することができ
る。また、圧電基板8の板厚を変化させることによって
も任意に設定可能である。さらに、これ等の容量は必要
に応じて外部に設けたチップキャパシタ等によって形成
しても良い。
第1図の構成では、第4図の等価回路から分かるよう
に、各共振器の共振周波数より低い周波数では、各共振
器のインピーダンスはほぼ電極間の容量(36,37…39)
のみとなるため第5図(a)のように表わされる。ま
た、各共振器の共振周波数の近傍では、各共振器は共振
によるインダクタンスと容量の直列接続(51,52…54)
に近い形で第5図(b)のように表わされる。各共振器
の反共振周波数の近傍では、各共振器は電極間の容量と
共振によるインダクタンスの並列接続(65,66…68)に
近い形で第5図(c)のように表わされる。反共振周波
数より十分高い周波数では、共振器は再び電極間の容量
のみとなり第5図(a)のように表わされる。なお、4
0,41…45,55,56…60,69,70…74はトランスデューサの電
極導体と共通のアースとの間の等価容量を示す。
次に、第1図の構成がバンドパスフィルタあるいはバン
ドリジェクションフィルタとなることを説明する。フィ
ルタとしての通過帯域は共振周波数あるいは共振周波数
より低い周波数に設定した場合に関して説明する。
一般に、このような構成では、フィルタの通過帯域は共
振周波数の近傍に設定するのが、好ましい。この帯域で
は、第5図(a),(b)は簡略化され、近似的に第5
図(d)のように表わされる。すなわち、弾性表面波共
振器は、単なる共通アースに対する容量のみで表わすこ
とが出来るため、外部回路によって常に入出力負荷と整
合が可能である。
通過帯域より低い周波数では、フィルタの等価回路は第
5図(a)のように圧電基板容量と1開口弾性表面波共
振器の電極間の静電容量C0で表される。ここで、弾性表
面波共振器の等価回路が電極間の静電気容量C0で表され
るのは、第3図(a)から明らかである。したがって、
通過帯域により低い周波数帯域では圧電基板容量および
弾性表面波共振器の電極間静電容量C0の両容量ともイン
ピーダンスが大きいため、フィルタは減衰域となる。通
常帯域より高い周波数では、まず反共振周波数の近傍で
は第5図(c)のように表わされ、弾性表面波共振器は
反共振によってインピーダンスがほぼ無限大となるた
め、フィルタは減衰域となる。さらには反共振周波数よ
り高い周波数帯域では圧電基板容量の影響が相対的に大
きくなるため、フィルタの等価回路は第5図(d)のよ
うに圧電基板容量のみで表され、この場合もフィルタは
減衰域となる。
以上の構成は、各共振器の共振周波数の近傍を通過帯
域、反共振周波数の近傍を減衰域とするため、通過帯域
の高域側に非常に急峻な立上り特性が要求されるバンド
パスフィルタ、あるいはバンドリジェクションフィルタ
に好適な構成である。
第6図に、本構成によるフィルタの周波数特性例を示
す。弾性表面波共振器は、対数が400の多数対トランス
デューサを用いた。圧電基板は36゜回転YカットX伝搬
LiTaO3を用い、基板表面に20ケの弾性表面波共振器と共
振器間を直列接続する電極パターンおよびボディングパ
ッドを形成した。基板厚は、共通アースに対する電極指
および、接続電極部、ボディングパッド容量が所望の値
となるように0.35mmとした。
周波数特性は、825〜845MHzを通過域、870〜890MHzを減
衰域とする自動車電話の送信フィルタを想定した。高域
側に急峻な立上り特性を得ると同時に、減衰域の幅を広
く取るため、以下の設計思想に基づいて設計した。第1
図の9−1,9−2,…,9−6に相当する共通電極を圧電基
板上に21ケ形成して20ヶの1開口弾性表面波共振器と成
した。さらに、第3図(b)に示される1開口弾性表面
波共振器のインピーダンス特性を、フィルタの入力側か
ら順に、隣合う2ケの1開口弾性表面波共振器ずつ同じ
くして、10グループの共振器と成した。各グループの共
振器間は互に、共振周波数frおよび反共振周波数faを若
干ずらし、これらがフィルタの入力側から出力側へ向か
って徐々に高くなるように構成した。また、各1開口弾
性表面波共振器の電極導体と共通アースの間にはかなり
大きな値の圧電基板容量が必要であり、この容量は圧電
基板の厚さを0.35mmと比較的薄くすることにより確保し
た。これ等の設計により、高域側の急峻な立ち上り特性
と広帯域な減衰域を実現している。外部整合回路は、第
1図に示すのと同様、入出力各々直列と並列のインダク
タンスを用いた。
第6図に示すように過過帯域(825〜845MHz)の損失0.5
dB以下で、減衰域(870〜890MHz)の損失30dB以上の特
性が得られた。また、立上り特性は非常に急峻で従来の
弾性表面波フィルタでは実現が困難な特性を実現してい
る。また、本フィルタは、最近フィルタの良さを表わす
パラメータの一つとなってきたハンドリングパワー(通
過電力)が非常に大きい特徴がある。実験結果では30dB
m以上の通過電力にも十分耐えた。
通過電力が非常に大きい理由としては、圧電基板として
用いた36゜回転Yカット×伝搬LiTaO3はそのtanδが極
めて小さい良質な誘電体結晶であり、弾性表面波共振器
の電極導体とアースの間で形成される圧電基板容量に、
数wattの入射電力により非常に高い印加電圧が生じるに
もかかわらず、圧電基板容量が破壊しないことがあげら
れる。
一般に、弾性表面波フィルタは、大電力を入射すると、
弾性振動の非線形効果のため、入射周波数fTに対して2f
T,3fT等の高調波を発生する。本フィルタは、非線形効
果も非常に小さく、30dBm(1Watt)以上の通過電力に対
して、2fT,3fT等の高調波は通常のスペクトルアナライ
ザでは観測出来なかった。
以上、第1図の構成では、通過帯域の高域側に急峻な減
衰域が存在する場合について説明した。通過帯域の低域
側に減衰域が存在する場合には、弾性表面波共振器の反
共振周波数を通過帯域の低域側に設定し、外部回路によ
って、通過帯域で整合を取れば良い。計算機シミュレー
ションの結果、通過帯域の損失は、高域側に減衰域が存
在する場合に比べ若干増加するが、同様なフィルタが可
能である。
第7図に、本発明による弾性表面波フィルタの他の実施
例を示す。第7図は、入出力間のアイソレーションを良
くするため、フィルタを複数個7−1,7−2に分割し、
間にアース電極13を挿入し、ワイヤボンディング,クロ
スオーバパターン等で接続したものである。また、第7
図は、フィルタを複数個のチップに分割し、同一パッケ
ージ内または別パッケージに実装後互いに接続しても同
様の効果が得られる。
以上説明してきたように、本発明の特徴は、複数個の電
極指の対数が多い1開口弾性表面波共振器を弾性表面波
的には相互作用がないように配置し、電気的には直列に
接続し、入出力端子に外部負荷との整合回路を設けたも
のである。また、1開口弾性表面波共振器の電極導体と
共通アースの間に圧電性基板による容量を導入すること
により、耐電力特性をワットオーダに向上させかつ急峻
な周波数特性の合成を容易にし、さらに、共振器の共振
周波数を部分的あるいは全て異ならしめることによっ
て、より複雑な周波数特性を合成するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第7図はいずれも、本発明による弾性表面波
フィルタの一実施例の構成を示す図、第2図は第1図及
び第7図のフィルタを構成する1開口弾性表面波共振器
の構成図、第3図は上記第2図の1開口弾性表面波共振
器の等価回路及び特性を示す図、第4図は第1図のフィ
ルタの等価回路、第5図は周波数に対応して第4図を書
き変えた回路図、第6図は本発明における一実施例の周
波数特性図である。 1及び2……信号入力端子および出力端子、3,4,5,6…
…インダクタンス、8……圧電性基板、9……共通電
極、7……1開口弾性表面波共振器用トランスデュー
サ、10……1開口弾性表面波共振器用トランスデューサ
の電極指間誘電容量、11……1開口弾性表面波共振器の
等価共振インダクタンス、12……1開口弾性表面波共振
器の等価共振キャパシタンス、13……アース電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 住岡 淳司 東京都小平市御幸町32番地 日立電子株式 会社小金井工場内 (72)発明者 石田 喜勝 茨城県勝田市大字稲田1410番地 株式会社 日立製作所東海工場内 (56)参考文献 特開 昭46−5167(JP,A) 特開 昭58−1317(JP,A) 特公 昭58−1850(JP,B2)

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】圧電性基板上に形成され、弾性表面波的に
    は相互作用がなく、かつ電気的に直列接続された複数個
    の、電極指の対数が多い1開口弾性表面波共振器と、信
    号入力端子と、信号出力端子と、外部負荷との第1およ
    び第2の整合回路と、共通アースと、容量を有し、上記
    複数個の1開口弾性表面波共振器の中の一部の1開口弾
    性表面波共振器と他の1開口弾性表面波共振器とは共振
    周波数が異なっており、上記第1の整合回路は上記複数
    個の1開口弾性表面波共振器の一方の端の1開口弾性表
    面波共振器と上記信号入力端子の間に電気的に接続され
    ており、上記第2の整合回路は上記複数個の1開口弾性
    表面波共振器の他方の端の1開口弾性表面波共振器と上
    記信号出力端子の間に電気的に接続されており、上記容
    量は上記1開口弾性表面波共振器の電極導体と上記共通
    アースの間の上記圧電性基板による容量であり、かつ0.
    5Wより大きく4W以下の耐電力用であることを特徴とする
    弾性表面波フイルタ。
  2. 【請求項2】上記弾性表面波フイルタは2W以上4W以下の
    耐電力用である特許請求の範囲第1項記載の弾性表面波
    フイルタ。
  3. 【請求項3】上記複数個の1開口弾性表面波共振器は同
    一基板上に形成されている特許請求の範囲第1項又は第
    2項に記載の弾性表面波フイルタ。
  4. 【請求項4】上記弾性表面波フイルタは送信用フイルタ
    である特許請求の範囲第1項乃至第3項のいずれか一項
    に記載の弾性表面波フイルタ。
JP60060645A 1985-03-27 1985-03-27 弾性表面波フィルタ Expired - Lifetime JPH0697727B2 (ja)

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DE8686104081T DE3684026D1 (de) 1985-03-27 1986-03-25 Akustischer oberflaechenwellenresonator.
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EP (1) EP0196063B1 (ja)
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63132515A (ja) * 1986-11-25 1988-06-04 Hitachi Ltd 弾性表面波複合フイルタ
JPS6423612A (en) * 1987-07-20 1989-01-26 Hitachi Ltd Elastic surface wave device
JPH01260911A (ja) * 1988-04-11 1989-10-18 Hitachi Ltd 弾性表面波共振器複合形フィルタ
JPH0468907A (ja) * 1990-07-09 1992-03-04 Kinseki Ltd 周波数変換回路
US5223762A (en) * 1990-12-27 1993-06-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave filter
JP2800905B2 (ja) * 1991-10-28 1998-09-21 富士通株式会社 弾性表面波フィルタ
USRE40036E1 (en) 1991-10-28 2008-01-29 Fujitsu Limited Surface acoustic wave filter
US5309126A (en) * 1991-11-18 1994-05-03 Motorola, Inc. Spatially varying multiple electrode acoustic wave filter and method therefor
CA2069369C (en) * 1992-05-25 1995-12-05 Robert C. Peach Filterbank using surface acoustic wave technology
JPH066111A (ja) * 1992-06-18 1994-01-14 Mitsubishi Electric Corp 複合デュプレックスフィルタ
JP3139225B2 (ja) * 1993-07-08 2001-02-26 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ
JP3189508B2 (ja) * 1993-07-08 2001-07-16 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ
EP0652637B1 (en) * 1993-11-05 1998-08-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave filter
US5471178A (en) * 1994-02-03 1995-11-28 Motorola, Inc. Ladder filter and method for producing conjugately matched impedance
US5600287A (en) * 1994-02-03 1997-02-04 Motorola, Inc. Acoustic wave filter with reduced bulk-wave scattering loss, ladder filter incorporating same and method
US5499002A (en) * 1994-04-28 1996-03-12 Kinsman; Robert G. Resonator filter utilizing cascaded impedance inverters
WO1996015587A1 (fr) * 1994-11-10 1996-05-23 Fujitsu Limited Filtre a ondes acoustiques
GB2296614B (en) * 1994-12-23 1999-09-15 Advanced Saw Prod Sa Saw filter
US5635883A (en) * 1995-08-28 1997-06-03 Motorola, Inc. Acoustic wave filter with filter-shaping element and method
EP1003287A4 (en) * 1998-06-12 2005-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd SURFACE WAVE FILTER, AND SHARED DEVICE FOR ANTENNA
FI113111B (fi) * 2000-11-24 2004-02-27 Nokia Corp Pietsosähköisiä resonaattoreita käsittävä suodinrakenne ja järjestely
US8005448B1 (en) * 2007-05-10 2011-08-23 Rf Micro Devices, Inc. Radio frequency duplex filter for removing transmit signals from a receive path

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4126837A (en) * 1974-07-01 1978-11-21 Nippon Telegraph And Telephone Public Corporation Impedance element and band-rejection filter using the same
US4166258A (en) * 1974-08-29 1979-08-28 International Business Machines Corporation Thin-film integrated circuit with tank circuit characteristics and applications to thin-film filters and oscillators
JPS53145595A (en) * 1977-05-25 1978-12-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Elastic surface wave oscillator
DE2950896A1 (de) * 1979-12-18 1981-06-25 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Schmalbandiges oberflaechenwellenfilter
JPS5733817A (en) * 1980-08-07 1982-02-24 Clarion Co Ltd Saw element mount structure
JPS581850A (ja) * 1981-06-25 1983-01-07 Ricoh Co Ltd フロツピ−デイスクドライブ装置
JPS581317A (ja) * 1981-06-25 1983-01-06 Maruyasu Kogyo Kk 弾性表面波フイルタ装置
US4405874A (en) * 1982-03-01 1983-09-20 Northern Telecom Limited Surface acoustic wave (saw) devices having series-connected inter-digital transducers
US4625184A (en) * 1982-07-02 1986-11-25 Clarion Co., Ltd. Surface acoustic wave device with impedance matching network formed thereon
JPS6094520A (ja) * 1983-10-28 1985-05-27 Fujitsu Ltd 弾性表面波共振器

Also Published As

Publication number Publication date
US4734664A (en) 1988-03-29
EP0196063A3 (en) 1987-12-23
EP0196063A2 (en) 1986-10-01
EP0196063B1 (en) 1992-03-04
DE3684026D1 (de) 1992-04-09
JPS61220511A (ja) 1986-09-30

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