JPH0141225Y2 - - Google Patents

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JPH0141225Y2
JPH0141225Y2 JP1981012626U JP1262681U JPH0141225Y2 JP H0141225 Y2 JPH0141225 Y2 JP H0141225Y2 JP 1981012626 U JP1981012626 U JP 1981012626U JP 1262681 U JP1262681 U JP 1262681U JP H0141225 Y2 JPH0141225 Y2 JP H0141225Y2
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、表面弾性波装置の構造に係るもの
で、特に、そのシールドのための構造に関するも
のである。
表面弾性波装置は、圧電性を有する基板の一表
面に設けたインターデジタル電極による入出力電
極によつて電気信号と表面弾性波の相互変換を行
なうものである。入力電極において入力電気信号
を表面弾性波に変換し、基板表面を伝播した表面
弾性波を出力電極において出力電気信号として取
り出すものである。その際の周波数振幅特性、遅
延時間特性を利用してフイルタ、遅延線などとし
て用いられる。
この表面弾性波装置において、入力電極に印加
された入力電気信号がすべて表面弾性波に変換さ
れる訳ではなく、一部は基板内部を伝播するバル
ク波に、また一部は空間を伝播する電磁波とな
る。これらが出力電極に到達して電気信号に変換
されてしまうと、出力電気信号に不要の信号が加
わることになつて、表面弾性波装置の特性を劣化
させる大きな要因となる。
本考案は、上記のように表面弾性表装置の特性
の劣化の原因となる電磁波をシールドするための
構造に関するもので、これによつて、電磁波が出
力電極に到達して出力信号に結合することを防止
するものである。
従来、電磁波をシールド電極するための種々の
構造が考えられている。入出力電極間にシールド
電極を付加するもの、表面弾性波の伝播路上を覆
うシールド電極を形成するものなどで、これらを
接地してシールドするものである。しかし、これ
らの構造によつてシールド効果を十分に挙げるこ
とは難しく、また、シールドの効果を挙げるため
にシールド電極を大きくしたり数を増すなどする
と、表面弾性波装置が大形化してしまうとともに
コストが上昇することになる。
本考案は、上記のような問題を解決して、簡単
な構造で最も効果的なシールド電極を得ることを
目的とする。
本考案による表面弾性波装置は、シールド電極
の配置及び寸法、入出力電極との間隔及び接地す
る端子との接続を適当に選択することによつて上
記の目的を達成するものである。
以下、図面に従つて、本考案の実施例につき説
明する。
第1図は、電極を形成した圧電性の基板の一例
の平面図を示す。圧電性を有する基板としては、
単結晶圧電体、圧電セラミツクだけでなく、圧電
薄膜を形成した絶縁性基板でも良い。基板10の
表面にインターデジタル電極の入力電極11と出
力電極12を形成するとともに、シールド電極1
3を基板10の端子及び入力電極11と出力電極
12の間に具えている。そしてこれらの電極は、
接続のためのパツド14,15,16に接続され
ている。シールド電極13に接続されたパツド1
6は入力電極11側に形成される。これらの電極
及びパツドのパターンは、蒸着、エツチングの工
程で同時に形成される。
第2図は、第1図に示した基板を支持するとと
もに、表面弾性波の伝播路の空隙を形成するため
の基体の平面図を示している。絶縁性の基体20
の表面にシールド電極23と接続パターン27が
形成されるとともに、金属膜28と接続のための
パツド24,25,26が形成される。金属膜2
8は、第1図の基板のシールド電極のパターンに
対応した形とするが、入出力電極間には形成しな
い。パツド24,25,26は、第1図のパツド
14,15,16に対応した位置に形成され、接
続パターン27と導通するように形成されてい
る。金属膜28とパツド24,25,26は同じ
工程で同じ厚さで形成しておく。その厚さは、表
面弾性波の一波長程度あれば良い。なお、シール
ド電極23は入力電極と対向する部分にのみ形成
してあるが、出力電極に対向する側にも設けて良
いし、また、金属膜28とパツド26を直接に接
続しても良い。
第3図は、第1図の基板と第2図の基体とを貼
り合わせた状態を示すものである。説明の便宜
上、基板側を破線で示してある。基板10の電極
を設けた面と、基体20の金属膜を設けた面とを
対向させて、シールド電極13と金属膜28を、
また、パツド14,15,16とパツド24,2
5,26をそれぞれ導電性接着材によつて接続す
るとともに、基板10と基体20を接着する。入
力電極11はシールド電極23に対向することに
なる。また、入力電極11、出力電極12はそれ
ぞれ、パツド14,24とパツド15,25によ
つて接続パターン27と導通される。シールド電
極13はパツド16とパツド26を通して接続パ
ターン27に接続されるが、これは接地端子と接
続される。
上記のように、本考案による表面弾性波装置に
おいては、入出力電極間及び周囲のシールド電極
と少くとも入力電極に対向する位置に設けられた
基体のシールド電極シールドが行なわれる。しか
し、これらのシールド電極と入出力電極の位置関
係がシールド効果を向上させる上で大きな要素と
なる。すなわち、入力電極とシールド電極におい
て電磁波の結合が生じ易く、出力電極とシールド
電極の間では生じにくくすることが必要である。
また、シールド電極を接地するにあたつては、入
力側から接地端子に接続するようにしなければな
らない。
第4図は、基板における電極の寸法と距離の関
係を示す説明図である。出力電極12を三方から
囲むシールド電極13の出力電極に対向する部分
の長さをそれぞれ、l1,l2,l3とする。また、そ
れぞれと出力電極との距離をS1,S2,S3とする。
同様に、入力電極11と対向するシールド電極1
3の各部分の長さをl1′,l2′,l3′とし、距離をS1

S2′,S3′とする。このとき、 l1′/S1′+l2′/S2′+l3′/S3′>l1/S1+l2
S2+l3/S3 となるようにする。すなわち、入力電極11とシ
ールド電極13との間の容量の総和が出力電極1
2とシールド電極13との間の総和よりも大きく
なるようにする。実際には、シールド電極の長さ
は、インターデジタル電極の設計の際に制約され
るので、距離を調整することが必要となる。な
お、入力電極側のシールド電極は出力電極側より
も幅を広くして低インピーダンスとして、これを
接地端子に接続すると良い。
第5図は、本考案の他の実施例の平面図を示し
ているが、シールド電極がS字形に形成されたも
ので、それに従つて入出力電極のパツドの位置が
逆方向に設けられたものである。このように形成
すると、入出力電極間の結合はより生じにくくな
る。
第6図は、本考案による表面弾性波装置のパツ
ケージ構造を示す斜視図である。絶縁性の基体2
0と圧電性を有する基板10とを接着したのち
に、リード端子34,35,36を配線パターン
に接続して半田40によつて固定する。リード端
子を取り付ける側の基板10と基体20との空隙
を絶縁性樹脂41によつて封止する。更に、基板
10と基体20の外側にはバルク波を除去するた
めに、ゴム性の導電性物質または軟質導電性物質
42を被着させる。この導電性物質42は接地す
るリード端子36と導通させるようにすると良
い。図には示していないが、この上に更に適当な
樹脂をモールドすれば、表面弾性波装置が完成す
る。
本考案によれば、入力電極に発生する電磁波の
大部分が入力電極側のシールド電極に結合され、
しかもそこから接地されるので、出力電極に結合
される比率は非常に小さくなる。したがつて、表
面弾性波装置の特性が大幅に改善される。
また、シールド電極として特別の装置を必要と
せず、電極の形成と同時に形成できる。この点
で、製造上の工数、部品点数の削減が容易で、低
コストの表面弾性波装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案による表面弾性波装置に用いる
基板の一例の平面図、第2図は同じく基体の一例
の平面図、第3図は本考案の実施例の平面図、第
4図は基板のパターンの寸法を説明するための平
面図、第5図は基板の他の例の平面図、第6図は
本考案の実施例の斜視図を示す。 10……基板、11……入力電極、12……出
力電極、13,23……シールド電極、14,1
5,16,24,25,26……パツド、28…
…金属膜。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) リード引き出し用電極が形成される部分以外
    の基板端部及び入出力電極間の表面にシールド
    電極を具える表面弾性波装置において、該シー
    ルド電極は入出力電極とは絶縁され、入力電極
    とシールド電極間の容量が出力電極とシールド
    電極の容量よりも大きくなるようにシールド電
    極が形成され、かつ、入力電極側のシールド電
    極と接地されたリード端子が接続されて成るこ
    とを特徴とする表面弾性波装置。 (2) 入力電極側のシールド電極の幅が出力電極側
    のシールド電極の幅よりも大きい実用新案登録
    請求の範囲第1項記載の表面弾性波装置。
JP1981012626U 1981-01-30 1981-01-30 Expired JPH0141225Y2 (ja)

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JP1981012626U JPH0141225Y2 (ja) 1981-01-30 1981-01-30

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JP1981012626U JPH0141225Y2 (ja) 1981-01-30 1981-01-30

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JPS57125021U JPS57125021U (ja) 1982-08-04
JPH0141225Y2 true JPH0141225Y2 (ja) 1989-12-06

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Citations (3)

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JPS52103938A (en) * 1976-02-26 1977-08-31 Sony Corp Surface wave device
JPS5248374B2 (ja) * 1974-05-15 1977-12-09
JPS53110349A (en) * 1977-03-08 1978-09-27 Toshiba Corp Elastic surface wave filter device

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