JPWO2010125846A1 - 液晶パネルの製造方法、液晶パネル用ガラス基板およびこれを備えた液晶パネル - Google Patents

液晶パネルの製造方法、液晶パネル用ガラス基板およびこれを備えた液晶パネル Download PDF

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Abstract

本発明に基づく液晶パネルの製造方法は、ガラス基板（１１）の主表面（１１ａ）上に下部層（５１）としての金属膜および上部層としてのＩＴＯ膜（５６）のみから構成された積層体からなるマーキング領域を含むマーキングパッド（５０）を設ける工程と、マーキングパッド（５０）のマーキング領域の主表面と距離をもって対向するようにガラス基板（１１）にガラス基板（２１）を貼り合わせる工程と、マーキングパッド（５０）のマーキング領域にガラス基板（２１）を通してレーザ光（１００）を照射することにより、マーキングパッド（５０）のマーキング領域に貫通孔（５８）を設けてマーキングを行なう工程とを備える。これにより、液晶パネル用ガラス基板に設けられたマーキングパッドに、当該液晶パネル用ガラス基板と対と成る他の液晶パネル用ガラス基板を通してレーザ光を照射した場合であっても、高品位にマーキングを施すことができる。

Description

本発明は、液晶パネル用ガラス基板に設けられたマーキングパッドに各種情報をレーザマーキングによってマーキングする工程を含む液晶パネルの製造方法に関し、またレーザマーキングに適したマーキング領域を含むマーキングパッドを備えた液晶パネル用ガラス基板およびこれを備えた液晶パネルに関する。
一般に、液晶パネルは、表示装置としての液晶テレビジョンやパーソナルコンピュータのディスプレイ等に好適に用いられ、近年においてはその普及に目覚しいものがある。液晶パネルには、生産時における管理上の必要性や出荷後のメンテナンス上の必要性から、シリアル情報や用途情報等の各種情報がマーキングされている。通常、このマーキングには、レーザマーキングが好適に利用され、その生産過程において液晶パネルの構成部品である液晶パネル用ガラス基板にレーザ光を照射することで上述した各種情報がマーキングされる。
レーザマーキングを利用して液晶パネル用ガラス基板に各種情報をマーキングする方法としては、たとえばガラス基板の表面に成膜されたＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｈｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜にレーザ光を照射してマーキングする方法（特開平６−５１３２８号公報（特許文献１）参照）や、ガラス基板の表面に成膜された配向膜にレーザ光を照射してマーキングする方法（特開平１０−２７８４２２号公報（特許文献２）参照）、ガラス基板の表面に成膜された金属膜にレーザ光を照射してマーキングする方法等が知られている。
このうち、ガラス基板の表面に成膜された金属膜にレーザ光を照射してマーキングする方法においては、具体的には、ガラス基板の液晶表示部にならない周辺部分に金属膜が成膜されることでマーキングパッドが設けられ、このマーキングパッドにレーザ光が照射されてマーキングパッドに貫通孔が形成されることでガラス基板にマーキングが施される。なお、このようにしてマーキングされる各種情報は、当該情報をデータマトリクス化した２次元データコードとしてガラス基板にマーキングされ、反射型または透過型のいずれかのカメラを用いてその情報の読み出しが行なわれる。
特開平６−５１３２８号公報 特開平１０−２７８４２２号公報
液晶パネル用ガラス基板に成膜された金属膜にレーザ光を照射してマーキングする場合のプロセスフローとしては、以下の２種類が想定される。第１のプロセスフローは、単板処理と呼ばれるものであり、マーキングが施されるガラス基板であるＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板とカラーフィルタが貼り付けられたＣＦ（Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ）基板とが貼り合わされるに先立ち、ＴＦＴ基板に設けられたマーキングパッドに直接レーザ光を照射することで各種情報をマーキングし、その後にＴＦＴ基板とＣＦ基板とが張り合わされるプロセスフローである。第２のプロセスフローは、複板処理と呼ばれるものであり、ＴＦＴ基板とＣＦ基板とが張り合わされた後に、ＴＦＴ基板に設けられたマーキングパッドにＣＦ基板を通してレーザ光が照射されることで各種情報をマーキングするプロセスフローである。
上述した単板処理を採用した場合には、マーキングパッドに直接レーザ光が照射されるため、形成されるマーキングの品位（すなわち貫通孔の形状や大きさ、貫通孔周縁の黒ずみ具合等）を透過型または反射型のカメラを用いた読み出しに適したものとすることができる。
しかしながら、その反面、単板処理においては、ＴＦＴ基板とＣＦ基板の貼り合わせ前にレーザマーキング処理が必要になるため、ＴＦＴ基板の生産に要するタクトが長くなり、単位時間当たりのＴＦＴ基板の生産枚数と単位時間当たりのＣＦ基板の生産枚数とに大きなアンバランスが生じてしまう。これを改善するためには、単位時間当たりのＴＦＴ基板の生産数を増加させるために新たに生産設備を追加するか、あるいはＣＦ基板の生産速度を意図的に遅延させてＴＦＴ基板の生産速度に合わせる必要があり、生産コストの増大や非効率的な生産調整が必要になる問題が生じる。
一方、上述した複板処理を採用した場合には、ＴＦＴ基板に設けられたマーキングパッドにＣＦ基板を通してレーザ光が照射されるため、形成されるマーキングの品位が上述した単板処理よりも劣り、透過型または反射型のカメラを用いた読み取りの際に読み取りエラーが生じてしまうおそれがある。
しかしながら、複板処理を採用した場合には、ＴＦＴ基板とＣＦ基板の貼り合わせ後にレーザマーキング処理が行なわれるため、上述したＴＦＴ基板とＣＦ基板の生産枚数のアンバランスが生じ難く、効率的な液晶パネルの製造が可能になる効果が得られる。
したがって、上述した複板処理を採用しつつ、形成されるマーキングの品位を向上させることができれば、液晶パネルの効率的な生産と低コスト化とが同時に実現できることになる。
そこで、本発明は、液晶パネル用ガラス基板に設けられたマーキングパッドに、当該液晶パネル用ガラス基板と対と成る他の液晶パネル用ガラス基板を通してレーザ光を照射した場合であっても、高品位にマーキングを施すことができる液晶パネルの製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、レーザマーキング処理に適したマーキングパッドを備えた液晶パネル用ガラス基板および液晶パネルを提供することを目的とする。
本発明に基づく液晶パネルの製造方法は、以下の工程（Ａ）ないし（Ｄ）を備えている。
（Ａ）液晶表示部になる部分および液晶表示部にならない周辺部分を含む第１液晶パネル用ガラス基板を準備する工程。
（Ｂ）上記第１液晶パネル用ガラス基板の上記周辺部分の主表面上に金属膜およびＩＴＯ膜のみから構成された積層体からなるマーキング領域を含むマーキングパッドを設ける工程。
（Ｃ）上記マーキングパッドのマーキング領域の主表面と距離をもって対向するように上記第１液晶パネル用ガラス基板に当該第１液晶パネル用ガラス基板と対と成る第２液晶パネル用ガラス基板を貼り合わせる工程。
（Ｄ）上記マーキングパッドのマーキング領域に上記第２液晶パネル用ガラス基板を通してレーザ光を照射することにより、上記マーキングパッドのマーキング領域に上記ＩＴＯ膜および上記金属膜を貫通する貫通孔を設けてマーキングを行なう工程。
上記本発明に基づく液晶パネルの製造方法にあっては、上述したマーキングパッドを設ける工程（Ｂ）が、以下の工程（ａ）および（ｂ）を含んでいてもよい。
（ａ）上記第１液晶パネル用ガラス基板の上記周辺部分の主表面上に上記金属膜を形成する工程。
（ｂ）上記金属膜の主表面および周縁を覆うように上記金属膜に接触して上記ＩＴＯ膜を形成する工程。
上記本発明に基づく液晶パネルの製造方法にあっては、上述したマーキングパッドを設ける工程（Ｂ）が、以下の工程（ａ）、（ｃ）ないし（ｅ）を含んでいてもよい。
（ａ）上記第１液晶パネル用ガラス基板の上記周辺部分の主表面上に上記金属膜を形成する工程。
（ｃ）上記金属膜の主表面および周縁を覆うように上記金属膜に接触して絶縁膜を形成する工程。
（ｄ）上記金属膜の主表面が露出しかつ上記金属膜の周縁が上記絶縁膜によって覆われた状態となるように上記絶縁膜の一部を除去する工程。
（ｅ）上記絶縁膜の一部を除去することで露出した上記金属膜の主表面を覆うように上記金属膜に接触して上記ＩＴＯ膜を形成する工程。
上記本発明に基づく液晶パネルの製造方法にあっては、上述したマーキングパッドを設ける工程（Ｂ）における絶縁膜を形成する工程（ｃ）において、上記第１液晶パネル用ガラス基板の上記液晶表示部になる部分にＴＦＴのゲート絶縁膜になる絶縁膜を同時に形成することが好ましい。
上記本発明に基づく液晶パネルの製造方法にあっては、上述したマーキングパッドを設ける工程（Ｂ）における金属膜を形成する工程（ａ）において、上記第１液晶パネル用ガラス基板の上記液晶表示部になる部分にＴＦＴのゲート電極になる金属膜を同時に形成することが好ましい。
上記本発明に基づく液晶パネルの製造方法にあっては、上述したマーキングパッドを設ける工程（Ｂ）におけるＩＴＯ膜を形成する工程（ｂ）または（ｅ）において、上記第１液晶パネル用ガラス基板の上記液晶表示部になる部分に画素電極になるＩＴＯ膜を同時に形成することが好ましい。
上記本発明に基づく液晶パネルの製造方法にあっては、上述したマーキングパッドを設ける工程（Ｂ）における金属膜を形成する工程（ａ）が、複数の異なる材質の膜を順次積層形成する工程を含んでいてもよい。
上記本発明に基づく液晶パネルの製造方法は、さらに以下の工程（Ｅ）を備えていてもよい。
（Ｅ）上記マーキングパッドのマーキング領域になる金属膜の表面を陽極酸化処理する工程。
本発明に基づく液晶パネル用ガラス基板は、液晶表示部になる部分と液晶表示部にならない周辺部分とを含むものであって、上記周辺部分の主表面上には、レーザ光を照射することでマーキングを施すためのマーキングパッドが設けられており、上記マーキングパッドは、金属膜およびＩＴＯ膜のみから構成された積層体からなるマーキング領域を含んでいる。
上記本発明に基づく液晶パネル用ガラス基板にあっては、上記マーキングパッドのマーキング領域を構成する金属膜の主表面および周縁が、上記マーキングパッドのマーキング領域を構成するＩＴＯ膜によって覆われていてもよい。
上記本発明に基づく液晶パネル用ガラス基板にあっては、上記マーキングパッドのマーキング領域を構成する金属膜の周縁が、絶縁膜によって覆われていてもよい。
上記本発明に基づく液晶パネル用ガラス基板にあっては、上記液晶表示部になる部分の主表面上にＴＦＴが設けられていてもよく、その場合に、上記マーキングパッドのマーキング領域を構成する金属膜の周縁を覆う絶縁膜と上記ＴＦＴのゲート絶縁膜を構成する絶縁膜とが、一の工程で同時に形成されたものであることが好ましい。
上記本発明に基づく液晶パネル用ガラス基板にあっては、上記液晶表示部になる部分の主表面上にＴＦＴが設けられていてもよく、その場合に、上記マーキングパッドのマーキング領域を構成する金属膜と上記ＴＦＴのゲート電極を構成する金属膜とが、一の工程で同時に形成されたものであることが好ましい。
上記本発明に基づく液晶パネル用ガラス基板にあっては、上記液晶表示部になる部分の主表面上にＴＦＴが設けられていてもよく、その場合に、上記マーキングパッドのマーキング領域を構成するＩＴＯ膜と上記画素電極を構成するＩＴＯ膜とが、一の工程で同時に形成されたものであることが好ましい。
上記本発明に基づく液晶パネル用ガラス基板にあっては、上記マーキングパッドのマーキング領域を構成する金属膜が、複数の異なる材質の膜の積層膜からなっていてもよい。
上記本発明に基づく液晶パネル用ガラス基板にあっては、上記マーキングパッドのマーキング領域を構成する金属膜の表面が、陽極酸化処理されていてもよい。
本発明に基づく液晶パネルは、上述したいずれかの液晶パネル用ガラス基板を備えている。
本発明によれば、液晶パネル用ガラス基板に設けられたマーキングパッドに、当該液晶パネル用ガラス基板と対と成る他の液晶パネル用ガラス基板を通してレーザ光を照射した場合であっても高品位にマーキングを施すことが可能とされた液晶パネルの製造方法とすることができる。
また、本発明によれば、レーザマーキング処理に適したマーキングパッドを備えた液晶パネル用ガラス基板および液晶パネルとすることができる。
本発明の実施の形態１における液晶パネルの模式平面図である。 図１に示す情報記録部の模式拡大図である。 本発明の実施の形態１における液晶パネルの模式断面図である。 本発明の実施の形態１における液晶パネルの製造方法を説明するためのフロー図である。 本発明の実施の形態１における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネルを製造した場合の生産過程における模式断面図である。 本発明の実施の形態１における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネルを製造した場合の生産過程における模式断面図である。 本発明の実施の形態１における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネルを製造した場合の生産過程における模式断面図である。 本発明の実施の形態１における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネルを製造した場合の生産過程における模式断面図である。 本発明の実施の形態１における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネルを製造した場合の生産過程における模式断面図である。 本発明の実施の形態２における液晶パネルの模式断面図である。 本発明の実施の形態２における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネルを製造した場合の生産過程における模式断面図である。 本発明の実施の形態２における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネルを製造した場合の生産過程における模式断面図である。 本発明の実施の形態２における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネルを製造した場合の生産過程における模式断面図である。 本発明の実施の形態２における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネルを製造した場合の生産過程における模式断面図である。 本発明の実施の形態２における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネルを製造した場合の生産過程における模式断面図である。 本発明の実施の形態２における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネルを製造した場合の生産過程における模式断面図である。 本発明の実施の形態２における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネルを製造した場合の生産過程における模式断面図である。 第１変形例に係るマーキングパッドの模式断面図である。 第２変形例に係るマーキングパッドの模式断面図である。 本発明を適用して複板処理でレーザマーキング処理が行なわれたマーキングパッドの一例を示す拡大写真である。 本発明を適用せずに複板処理でレーザマーキング処理が行なわれたマーキングパッドの一例を示す拡大写真である。
以下、本発明の実施の形態について、図を参照して詳細に説明する。なお、以下に示す実施の形態およびその変形例においては、同一の部分について図中同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における液晶パネルの模式平面図であり、図２は、図１に示す液晶パネルの情報記録部の模式拡大図である。また、図３は、図１に示す液晶パネルの模式断面図である。まず、これら図１ないし図３を参照して、本実施の形態における液晶パネルおよび液晶パネル用ガラス基板の構造について説明する。
図１および図３に示すように、本実施の形態における液晶パネル１Ａは、ＴＦＴ基板１０Ａと、ＣＦ基板２０と、シール部材３０と、液晶３２とを主として備えている。本実施の形態における液晶パネル１Ａは、マトリクス状に配置された複数の表示画素を当該表示画素に設けられたＴＦＴによって個別に制御する、いわゆるアクティブマトリクス型の液晶パネルである。
ＴＦＴ基板１０Ａは、アクティブマトリクス基板とも呼ばれ、基材としてのガラス基板１１と、その主表面１１ａ上に形成された複数のＴＦＴ４０と、ＴＦＴ４０に電気的に接続された複数の画素電極４６とを主として有している。ＴＦＴ基板１０Ａは、画像を表示するための液晶表示部になる部分Ａと、当該液晶表示部にならない周辺部分Ｂとを含んでおり、上述した複数のＴＦＴ４０および画素電極４６は、このうちの液晶表示部になる部分Ａにマトリクス状に配置されている。なお、このＴＦＴ基板１０Ａ（場合よっては、ＴＦＴ基板１０Ａの基材としてのガラス基板１１）が、第１液晶パネル用ガラス基板に相当する。
ＣＦ基板２０は、対向基板とも呼ばれ、基材としてのガラス基板２１と、その主表面上に貼り付けられたカラーフィルタ（不図示）と、当該カラーフィルタ上に形成された対向電極（不図示）とを主として有している。ＣＦ基板２０は、液晶表示部になる部分のみを有している。カラーフィルタは、ガラス基板２１の液晶表示部になる部分に貼り付けられており、上述した複数の対向電極は、当該カラーフィルタの主表面上にマトリクス状に配置されている。なお、このＣＦ基板２０（場合よっては、ＣＦ基板２０の基材としてのガラス基板２１）が、第２液晶パネル用ガラス基板に相当する。
ＴＦＴ基板１０ＡとＣＦ基板２０とは、シール部材３０によって所定の距離（たとえば５μｍ程度）をもって対向するように貼り合わされている。シール部材３０は、液晶表示部を囲うように設けられており、このシール部材３０によって囲まれた空間でかつＴＦＴ基板１０ＡとＣＦ基板２０とによって挟まれた空間に液晶３２が封入されている。液晶３２は、印加電圧に応じて光の透過率が変化する性質を有するものであり、上述したＴＦＴ基板１０Ａに設けられた画素電極４６と、上述したＣＦ基板２０に設けられた対向電極との間に位置している。なお、ＴＦＴ基板１０ＡおよびＣＦ基板２０の液晶３２に面する部分には、図示しない配向膜が設けられている。
ＴＦＴ基板１０Ａの液晶表示部にならない周辺部分Ｂの所定位置には、各種情報が記録された情報記録部２が設けられている。図２に示すように、情報記録部２は、各種情報が２次元データコード化されて記録されたマーキングパッド５０と、各種情報が文字データとして記録された文字データ部６０とを含んでいる。このうち、各種情報が２次元データコード化されて記録されたマーキングパッド５０は、後述するレーザマーキング処理を施すことによってマーキングパッド５０に貫通孔５８が設けられることで情報が記録されたものである。
図３に示すように、ＴＦＴ基板１０Ａの液晶表示部になる部分Ａにおいては、ガラス基板１１の主表面１１ａ上にＴＦＴ４０が設けられている。ＴＦＴ４０は、ゲート配線に電気的に接続されたゲート電極４１と、ゲート電極４１を覆うように形成されたゲート絶縁膜４２と、ゲート絶縁膜４２を介してゲート電極４１の上方に形成された第１半導体層４３と、第１半導体層４３上の所定位置に形成された第２半導体層４４と、第２半導体層４４上に形成されたソース電極４５ａおよびドレイン電極４５ｂとを有している。
ゲート電極４１は、たとえばアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）等の単層の金属膜にて構成されている。また、ゲート絶縁膜４２は、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）等の単層または複層の絶縁膜にて構成されている。
第１半導体層４３は、たとえばアモルファスシリコン等の真性半導体膜にて構成されている。また、第２半導体層４４は、たとえばｎ+型のアモルファスシリコン等の不純物添加半導体膜にて構成されている。なお、第２半導体層４４は、第１半導体層４３−ソース電極４５ａ間および第１半導体層４３−ドレイン電極４５ｂ間のコンタクト層として機能するものである。
ソース電極４５ａおよびドレイン電極４５ｂは、たとえばアルミニウム、銅、タンタル、チタン等の単層または複層の金属膜にて構成されている。また、画素電極４６は、たとえばＩＴＯ膜（すなわち、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）および酸化スズ（ＳｎＯ2）の混合膜）にて構成されている。
一方、ＴＦＴ基板１０Ａの液晶表示部にならない周辺部分Ｂにおいては、ガラス基板１１の主表面１１ａ上にマーキングパッド５０が設けられている。マーキングパッド５０は、マーキングが行なわれるマーキング領域Ｃと、当該マーキング領域Ｃを取り囲む周囲領域Ｄとを有している。マーキングパッド５０のマーキング領域Ｃは、下部層５１としての金属膜および上部層５６としてのＩＴＯ膜のみからなる積層体にて構成されており、下部層５１としての金属膜の周縁は、周囲領域Ｄにおいて上部層５６としてのＩＴＯ膜によって覆われている。
下部層５１としての金属膜は、たとえばアルミニウム、銅、タンタル、チタン等の単層の金属膜にて構成されている。下部層５１としての金属膜は、その主表面（すなわち上部層５６と接触する面）が陽極酸化処理されていてもよい。なお、マーキングパッド５０のマーキング領域Ｃの下部層５１は、上述したＴＦＴ４０のゲート電極４１と同時に形成されたものであることが好ましく、その場合には、ＴＦＴ４０のゲート電極４１を構成する金属膜と、マーキングパッド５０の下部層５１を構成する金属膜とが、同じ材質で同じ膜厚に形成されることになる。
マーキングパッド５０のマーキング領域Ｃの上部層５６は、上述したＴＦＴ４０に接続される画素電極と同時に形成されたものであることが好ましく、その場合には、ＴＦＴ４０に接続される画素電極４６を構成するＩＴＯ膜と、マーキングパッド５０の上部層５６を構成するＩＴＯ膜とが、同じ材質で同じ膜厚に形成されることになる。
ここで、マーキングパッド５０のマーキング領域Ｃには、上部層５６としてのＩＴＯ膜および下部層５１としての金属膜を貫通する貫通孔５８が複数設けられている。この貫通孔５８は、シリアル情報や用途情報等の各種情報を２次元データコード化したものであり、透過型または反射型のカメラを用いて当該情報の読み出しが行なわれる。
具体的には、透過型のカメラを用いる場合には、マーキングパッド５０のマーキング領域Ｃに設けられた貫通孔５８を通過してＴＦＴ基板１０Ａを透過する光を検出することにより、各種情報の読み出しが行なわれる。一方、反射型のカメラを用いる場合には、マーキングパッド５０のマーキング領域Ｃに設けられた貫通孔５８およびその周辺にできる黒ずみをコントラストの差を利用して周囲の下地と区別して検出することにより、各種情報の読み出しが行なわれる。
図４は、本実施の形態における液晶パネルの製造方法を説明するためのフロー図であり、図５Ａないし図７は、本実施の形態における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネルを製造した場合の生産過程における模式断面図である。次に、これら図４ないし図７を参照して、本実施の形態における液晶パネルの製造方法について説明する。
図４に示すように、本実施の形態における液晶パネルの製造方法にあっては、まず、ＴＦＴ基板１０Ａの製作（ステップＳ１０１）と、ＴＦＴ基板１０Ａと対と成るＣＦ基板２０の製作（ステップＳ１０２）とが同時並行的に行なわれる。ＣＦ基板２０の製作にあたっては、ガラス基板２１が準備され、これにカラーフィルムが貼り付けられるとともに対向電極が形成され、さらに配向膜の成膜が行なわれることでＣＦ基板２０が製作される。ＴＦＴ基板１０Ａの製作にあたっては、具体的に以下の処理が行なわれる。なお、以下に示すＴＦＴ基板１０Ａの製作手法は、ＴＦＴ４０および画素電極４６とマーキングパッド５０とを同時に共通の工程を最大限利用して形成したものである。
まず、図５Ａに示すように、液晶表示部になる部分Ａおよび液晶表示部にならない周辺部分Ｂを含むガラス基板１１が準備され、これに金属膜が成膜されてパターニングされることにより、液晶表示部になる部分ＡにおいてＴＦＴ４０のゲート電極４１が形成され、周辺部分Ｂにおいてマーキングパッド５０の下部層５１が形成される。より詳細には、たとえばスパッタリング法を用いてアルミニウム膜がガラス基板１１の主表面１１ａ上に成膜され、これがフォトリソグラフィ法を用いてパターニングされてゲート電極４１と下部層５１とが形成される。なお、フォトリソグラフィ法におけるエッチング処理としては、たとえばＢＣｌ3＋Ｃｌ2、ＣＦ4（＋Ｏ2）等を用いたドライエッチングが利用可能である。ここで、成膜されたアルミニウム膜の主面には、必要に応じて陽極酸化処理が施されてもよい。
次に、図５Ｂに示すように、ガラス基板１１の液晶表示部になる部分Ａの主表面１１ａ上に絶縁膜が成膜されてパターニングされることにより、液晶表示部になる部分ＡにおいてＴＦＴ４０のゲート絶縁膜４２が形成される。より詳細には、たとえばＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて窒化シリコン膜がガラス基板１１の液晶表示部になる部分Ａの主表面１１ａ上に成膜され、これがフォトリソグラフィ法を用いてパターニングされてゲート絶縁膜４２が形成される。
次に、図５Ｂに示すように、ガラス基板１１の液晶表示部になる部分Ａの主表面１１ａ上にアモルファスシリコン層が形成されてパターニングされること等により、液晶表示部になる部分Ａにおいて第１半導体層４３および第２半導体層４４が形成される。ここで、形成される第２半導体層４４は、第１半導体層４３の主表面の全面を覆う形状のものであり、アモルファスシリコン層の上層部に適宜イオン注入法を利用してイオン注入が行なわれることで形成されたものである。なお、パターニング時のエッチング処理としては、たとえばＣＦ4＋Ｏ2、ＣＣｌ4＋Ｏ2、ＳＦ6等を用いたドライエッチングが利用可能である。
次に、図５Ｂに示すように、ガラス基板１１の液晶表示部になる部分Ａの主表面１１ａ上に金属膜が成膜されてパターニングされることにより、液晶表示部になる部分ＡにおいてＴＦＴ４０のソース電極４５ａおよびドレイン電極４５ｂが形成される。より詳細には、たとえばスパッタリング法を用いてアルミニウム膜がガラス基板１１の液晶表示部になる部分Ａの主表面１１ａ上に成膜され、これがフォトリソグラフィ法を用いてパターニングされてソース電極４５ａとドレイン電極４５ｂとが形成される。なお、フォトリソグラフィ法におけるエッチング処理としては、たとえばＢＣｌ3＋Ｃｌ2、ＣＦ4（＋Ｏ2）等を用いたドライエッチングが利用可能である。
次に、図５Ｂに示すように、ソース電極４５ａおよびドレイン電極４５ｂがマスクとされて、第２半導体層４４がエッチングされてパターニングされることにより、第１半導体層４３にチャネル部が形成される。なお、パターニング時のエッチング処理としては、たとえばＣＦ4＋Ｏ2、ＣＣｌ4＋Ｏ2、ＳＦ6等を用いたドライエッチングが利用可能である。
次に、図６Ａに示すように、ガラス基板１１の主表面１１ａ上にＩＴＯ膜が成膜されてパターニングされることにより、液晶表示部になる部分ＡにおいてＴＦＴ４０に電気的に接続する画素電極４６が形成され、周辺部分Ｂにおいてマーキングパッド５０の上部層５６が形成される。より詳細には、たとえばスパッタリング法を用いてＩＴＯ膜がガラス基板１１上に成膜され、これがフォトリソグラフィ法を用いてパターニングされて画素電極４６と上部層５６とが形成される。なお、フォトリソグラフィ法におけるエッチング処理としては、たとえばＨＣｌ＋ＨＮＯ3等を用いたウェットエッチングが利用可能である。
その後、ガラス基板１１の液晶表示部になる部分Ａの主表面１１ａ上に配向膜が形成される。以上により、ＴＦＴ基板１０Ａの製作が完了する。
つづいて、図４に示すように、ステップＳ１０１において製作したＴＦＴ基板１０ＡとステップＳ１０２において製作したＣＦ基板２０とが貼り合わされる（ステップＳ１０３）。具体的には、図６Ｂに示すように、ＴＦＴ基板１０Ａの液晶表示部になる部分Ａを取り囲むようにシール部材３０が配置され、このシール部材３０に接触するようにＣＦ基板２０が位置決めされてＴＦＴ基板１０Ａに対向配置され、シール部材３０が硬化されることでＴＦＴ基板１０ＡとＣＦ基板２０とが貼り合わされる。ここで、使用するシール部材３０としては、熱硬化型のシール材や光硬化型のシール材またはそれらの組み合わせ等が利用可能である。
本実施の形態における液晶パネルの製造方法においては、ＴＦＴ基板１０Ａの基材であるガラス基板１１およびＣＦ基板２０の基材であるガラス基板２１がいずれもマザーガラス基板にて製作されている。したがって、ＴＦＴ基板１０ＡにＣＦ基板２０が貼り合わされた後においては、ＴＦＴ基板１０Ａの液晶表示部にならない周辺部分Ｂに対向してＣＦ基板２０の液晶表示部にならない部分が位置することになる。すなわち、ＣＦ基板２０が、ＴＦＴ基板１０Ａの液晶表示部にならない周辺部分Ｂに形成されたマーキングパッド５０のマーキング領域Ｃの主表面と距離をもって対向するように配置されている。
つづいて、図４に示すように、レーザ光を照射することでレーザマーキング処理が行なわれる（ステップＳ１０４）。具体的には、図７に示すように、マーキングパッド５０のマーキング領域ＣにＣＦ基板２０側からＣＦ基板２０を通してレーザ光１００が照射される。照射されるレーザ光１００としては、たとえば一般的なＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）レーザ光やネオジム添加ＹＡＧレーザ光であるＹＶＯ4レーザの基本波（波長１０６４ｎｍ）等が好適に利用される。これにより、レーザ光１００が照射された部分のマーキングパッド５０のマーキング領域Ｃを構成する上部層５６と下部層５１とが局所加熱されて昇華し、上部層５６および下部層５１を貫通する貫通孔５８が形成される。
その後、図４に示すように、液晶３２を封入する工程等の各種工程が行なわれる（ステップＳ１０５）。つづいて、ＴＦＴ基板１０ＡおよびＣＦ基板２０が図７中に示す分断線Ｅ１に沿って分断される（ステップＳ１０６）とともに、ＣＦ基板２０が図７中に示す分断線Ｅ２に沿って分断されて不要部分が除去される（ステップＳ１０７）。以上により、図１および図３に示した液晶パネル１Ａの製造が完了する。
以上において説明した本実施の形態における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネル１Ａを製造することにより、ＴＦＴ基板１０Ａに設けられたマーキングパッド５０にＣＦ基板２０を通してレーザ光１００を照射した場合（すなわち、複板処理を行なった場合）であっても、高品位にマーキングを施すことが可能になる。ここで、高品位とは、反射型または透過型のカメラを用いて情報の読み出しを行なう場合に適した品位を意味し、具体的には、レーザ光１００の照射によって形成される貫通孔５８の形状や大きさ、貫通孔５８周縁の黒ずみ具合等が検出に適したものになることを意味する。すなわち、形成されるマーキングが低品位である場合には、反射型または透過型のカメラを用いて情報の読み出しを行なった場合に２次元データコードの読み出しエラーが生じて本来の情報とは異なる情報が読み出されてしまう不具合が生ずるが、形成されるマーキングが本実施の形態の如く高品位である場合には、読み出しエラーが生じずに正しく情報が読み出されることになる。
したがって、本実施の形態における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネル１Ａを製造することにより、上述した複板処理が可能になるため、複板処理を採用することで得られる液晶パネルの効率的な生産および低コスト化という２つの効果が得られることになる。
加えて、本実施の形態における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネル１Ａを製造することにより、高品位のマーキングを実現しつつ複板処理を採用することが可能になるため、レーザマーキング処理時に液晶３２が封入されることとなる空間が既にシール部材３０によって周辺部分Ｂを含む外部から隔離された状態にあることになり、レーザマーキング処理に伴って昇華するマーキングパッド５０のマーキング領域Ｃを構成する各種の膜が異物となって当該空間に侵入することが防止でき、歩留まりを向上させることもできる。
また、本実施の形態におけるＴＦＴ基板１０Ａおよびこれを備えた液晶パネル１Ａの構成とすることにより、レーザマーキングに適したマーキングパッド５０を備えた液晶パネル用ガラス基板およびこれを備えた液晶パネルとすることができる。したがって、当該ＴＦＴ基板１０Ａを用いて液晶パネル１Ａを製造することにより、シリアル情報や用途情報等の各種情報を正確に読み出すことのできる液晶パネルとすることができる。
なお、本実施の形態における液晶パネルの製造方法に従うことで高品位のマーキングが行なえるメカニズムは定かではないが、その一つの理由としては以下の点が考えられる。すなわち、従来の方法に従って複板処理を行なうこととした場合には、ＴＦＴ基板とＣＦ基板とが５μｍ程度の微小なギャップで近接配置された状態にあるため、マーキングパッドの周辺が略密閉空間となってマーキングパッドを構成する膜が昇華し難い状況になるとともに、レーザ光が照射されることによって生じた熱が当該空間にこもって貫通孔の周辺の変色が誘発され、これにより高品位のマーキングを行なうことが困難になっているものと考えられる。しかしながら、本実施の形態における液晶パネルの製造方法に従ってレーザマーキング処理を行なうことにより、マーキングパッドが金属膜およびＩＴＯ膜のみからなる積層体によって構成されているため、マーキングパッドの近傍部分に加えられる熱的影響が最適化されてマーキングパッドを構成する金属膜およびＩＴＯ膜の昇華が促進されるとともに、略密閉空間に熱がこもることも抑制され、その結果、高品位のマーキングが実現されるものと考えられる。
また、本発明者らは、複板処理を採用した上でマーキングパッドの膜構成を種々変更した場合に、マーキングの品位にどのような変化が生じるかを検証することで、本願発明の膜構成（すなわち金属膜／ＩＴＯ膜の２層膜構成）が最適であることを見出した。他の膜構成（たとえば金属膜／絶縁膜の２層膜構成、金属膜／絶縁膜／金属膜の３層膜構成、金属膜／絶縁膜／ＩＴＯ膜の３層膜構成等）を試作して検証を行なった場合には、いずれの場合も良好な結果は得られなかった。
（実施の形態２）
図８は、本発明の実施の形態２における液晶パネルの模式断面図である。まず、この図２を参照して、本実施の形態における液晶パネルおよび液晶パネル用ガラス基板の構造について説明する。
図８に示すように、本実施の形態における液晶パネル１Ｂは、マーキングパッド５０の構成においてのみ上述した実施の形態１における液晶パネル１Ａと相違している。具体的には、ＴＦＴ基板１０Ｂの液晶表示部にならない周辺部分Ｂの主表面１１ａに設けられたマーキングパッド５０は、マーキングが行なわれるマーキング領域Ｃと、当該マーキング領域Ｃを取り囲む周囲領域Ｄとを有しており、マーキング領域Ｃは、下部層５１としての金属膜および上部層５６としてのＩＴＯ膜のみからなる積層体にて構成されており、下部層５１としての金属膜の周縁は、周囲領域Ｄにおいて保護絶縁膜５２によって覆われており、さらに当該保護絶縁膜５２上には、第１半導体層からなる第１被覆膜５３、第２半導体層からなる第２被覆膜５４および金属膜からなる第３被覆膜５５が位置している。
下部層５１としての金属膜は、たとえばアルミニウム、銅、タンタル、チタン等の単層の金属膜にて構成されている。下部層５１としての金属膜は、その主表面（すなわち上部層５６と接触する面）が陽極酸化処理されていてもよい。なお、マーキングパッド５０のマーキング領域Ｃの下部層５１は、上述したＴＦＴ４０のゲート電極４１と同時に形成されたものであり、その材質および膜厚は、ＴＦＴ４０のゲート電極４１を構成する金属膜と同一である。
マーキングパッド５０のマーキング領域Ｃの上部層５６は、上述したＴＦＴ４０に接続される画素電極と同時に形成されたものであり、その材質および膜厚は、ＴＦＴ４０に接続される画素電極４６を構成するＩＴＯ膜と同一である。
マーキングパッド５０の周囲領域Ｄに位置する保護絶縁膜５２は、上述したＴＦＴ４０のゲート絶縁膜４２と同時に形成されたものであり、その材質および膜厚は、ＴＦＴ４０のゲート絶縁膜４２と同一である。
マーキングパッド５０の周囲領域Ｄに位置する第１被覆膜５３および第２被覆膜５４は、それぞれ上述したＴＦＴ４０の第１半導体層４３および第２半導体層４４と同時に形成されたものであり、その材質および膜厚は、それぞれＴＦＴ４０の第１半導体層４３および第２半導体層４４と同一である。
マーキングパッド５０の周囲領域Ｄに位置する第３被覆膜５５は、上述したＴＦＴ４０のソース電極４５ａおよびドレイン電極４５ｂと同時に形成されたものであり、その材質および膜厚は、ＴＦＴ４０のソース電極４５ａおよびドレイン電極４５ｂと同一である。
ここで、マーキングパッド５０のマーキング領域Ｃには、上部層５６としてのＩＴＯ膜および下部層５１としての金属膜を貫通する貫通孔５８が複数設けられている。この貫通孔５８は、シリアル情報や用途情報等の各種情報を２次元データコード化したものであり、透過型または反射型のカメラを用いて当該情報の読み出しが行なわれる。
図９Ａないし図１２は、本実施の形態における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネルを製造した場合の生産過程における模式断面図である。本実施の形態における液晶パネルの製造方法は、上述した実施の形態１における液晶パネルの製造方法とＴＦＴ基板の製作過程においてのみ相違するものである。したがって、上述した実施の形態１において参照した図４に準じて液晶パネルが製造されることになるため、以下においては、上述した図４と図９Ａないし図１２とを参照して、本実施の形態における液晶パネルの製造方法について説明する。
図４に示すように、本実施の形態における液晶パネルの製造方法にあっては、まず、ＴＦＴ基板１０Ｂの製作（ステップＳ１０１）と、ＴＦＴ基板１０Ｂと対と成るＣＦ基板２０の製作（ステップＳ１０２）とが同時並行的に行なわれる。ＣＦ基板２０の製作にあたっては、ガラス基板２１が準備され、これにカラーフィルムが貼り付けられるとともに対向電極が形成され、さらに配向膜の成膜が行なわれることでＣＦ基板２０が製作される。ＴＦＴ基板１０Ｂの製作にあたっては、具体的に以下の処理が行なわれる。
まず、図９Ａに示すように、液晶表示部になる部分Ａおよび液晶表示部にならない周辺部分Ｂを含むガラス基板１１が準備され、これに金属膜が成膜されてパターニングされることにより、液晶表示部になる部分ＡにおいてＴＦＴ４０のゲート電極４１が形成され、周辺部分Ｂにおいてマーキングパッド５０の下部層５１が形成される。より詳細には、たとえばスパッタリング法を用いてアルミニウム膜がガラス基板１１の主表面１１ａ上に成膜され、これがフォトリソグラフィ法を用いてパターニングされてゲート電極４１と下部層５１とが形成される。なお、フォトリソグラフィ法におけるエッチング処理としては、たとえばＢＣｌ3＋Ｃｌ2、ＣＦ4（＋Ｏ2）等を用いたドライエッチングが利用可能である。ここで、成膜されたアルミニウム膜の主面には、必要に応じて陽極酸化処理が施されてもよい。
次に、図９Ｂに示すように、ガラス基板１１の主表面１１ａ上に絶縁膜が成膜されてパターニングされることにより、液晶表示部になる部分ＡにおいてＴＦＴ４０のゲート絶縁膜４２が形成され、周辺部分Ｂにおいてマーキングパッド５０の保護絶縁膜５２が形成される。より詳細には、たとえばＰＥＣＶＤ法を用いて窒化シリコン膜がガラス基板１１の主表面１１ａ上に成膜され、これがフォトリソグラフィ法を用いてパターニングされてゲート絶縁膜４２および保護絶縁膜５２が形成される。
次に、図１０Ａに示すように、ガラス基板１１の主表面１１ａ上にアモルファスシリコン層が形成されてパターニングされること等により、液晶表示部になる部分Ａにおいて第１半導体層４３および第２半導体層４４が形成され、周辺部分Ｂにおいて第１被覆膜５３としての第１半導体層および第２被覆膜５４としての第２半導体層が形成される。ここで、第２半導体層４４と第２被覆膜５４は、第１半導体層４３の主表面の全面と第１被覆膜５３の主表面の全面をそれぞれ覆う形状のものであり、アモルファスシリコン層の上層部に適宜イオン注入法を利用してイオン注入が行なわれることで形成されたものである。なお、パターニング時のエッチング処理としては、たとえばＣＦ4＋Ｏ2、ＣＣｌ4＋Ｏ2、ＳＦ6等を用いたドライエッチングが利用可能である。
次に、図１０Ａに示すように、ガラス基板１１の主表面１１ａ上に金属膜が成膜されてパターニングされることにより、液晶表示部になる部分ＡにおいてＴＦＴ４０のソース電極４５ａおよびドレイン電極４５ｂが形成され、周辺部分Ｂにおいて第３被覆膜５５が形成される。より詳細には、たとえばスパッタリング法を用いてアルミニウム膜がガラス基板１１の主表面１１ａ上に成膜され、これがフォトリソグラフィ法を用いてパターニングされてソース電極４５ａ、ドレイン電極４５ｂおよび第３被覆膜５５が形成される。なお、フォトリソグラフィ法におけるエッチング処理としては、たとえばＢＣｌ3＋Ｃｌ2、ＣＦ4（＋Ｏ2）等を用いたドライエッチングが利用可能である。
次に、図１０Ａに示すように、ソース電極４５ａおよびドレイン電極４５ｂがマスクとされて、第２半導体層４４がエッチングされてパターニングされることにより、第１半導体層４３にチャネル部が形成される。なお、パターニング時のエッチング処理としては、たとえばＣＦ4＋Ｏ2、ＣＣｌ4＋Ｏ2、ＳＦ6等を用いたドライエッチングが利用可能である。
次に、図１０Ｂに示すように、周辺部分Ｂに形成された保護絶縁膜５２および第１ないし第３被覆膜５３〜５５のうちのマーキング領域Ｃに相当する部分がエッチングされて除去されることにより、下部層５１としての金属膜の主表面を底面とする凹部５７が形成される。これにより、マーキング領域Ｃに相当する部分の下部層５１の主表面は、露出した状態となる。
次に、図１１Ａに示すように、ガラス基板１１の主表面１１ａ上にＩＴＯ膜が成膜されてパターニングされることにより、液晶表示部になる部分ＡにおいてＴＦＴ４０に電気的に接続する画素電極４６が形成され、周辺部分Ｂにおいてマーキングパッド５０の上部層５６が形成される。より詳細には、たとえばスパッタリング法を用いてＩＴＯ膜がガラス基板１１上に成膜され、これがフォトリソグラフィ法を用いてパターニングされて画素電極４６と上部層５６とが形成される。なお、フォトリソグラフィ法におけるエッチング処理としては、たとえばＨＣｌ＋ＨＮＯ3等を用いたウェットエッチングが利用可能である。
その後、ガラス基板１１の液晶表示部になる部分Ａの主表面１１ａ上に配向膜が形成される。以上により、ＴＦＴ基板１０Ｂの製作が完了する。
つづいて、図４に示すように、ステップＳ１０１において製作したＴＦＴ基板１０ＢとステップＳ１０２において製作したＣＦ基板２０とが貼り合わされる（ステップＳ１０３）。具体的には、図１１Ｂに示すように、ＴＦＴ基板１０Ｂの液晶表示部になる部分Ａを取り囲むようにシール部材３０が配置され、このシール部材３０に接触するようにＣＦ基板２０が位置決めされてＴＦＴ基板１０Ｂに対向配置され、シール部材３０が硬化されることでＴＦＴ基板１０ＢとＣＦ基板２０とが貼り合わされる。ここで、使用するシール部材３０としては、熱硬化型のシール材や光硬化型のシール材またはそれらの組み合わせ等が利用可能である。
本実施の形態における液晶パネルの製造方法においては、ＴＦＴ基板１０Ｂの基材であるガラス基板１１およびＣＦ基板２０の基材であるガラス基板２１がいずれもマザーガラス基板にて製作されている。したがって、ＴＦＴ基板１０ＢにＣＦ基板２０が貼り合わされた後においては、ＴＦＴ基板１０Ｂの液晶表示部にならない周辺部分Ｂに対向してＣＦ基板２０の液晶表示部にならない部分が位置することになる。すなわち、ＣＦ基板２０が、ＴＦＴ基板１０Ｂの液晶表示部にならない周辺部分Ｂに形成されたマーキングパッド５０のマーキング領域Ｃの主表面と距離をもって対向するように配置されている。
つづいて、図４に示すように、レーザ光を照射することでレーザマーキング処理が行なわれる（ステップＳ１０４）。具体的には、図１２に示すように、マーキングパッド５０のマーキング領域ＣにＣＦ基板２０側からＣＦ基板２０を通してレーザ光１００が照射される。照射されるレーザ光１００としては、たとえば一般的なＹＡＧレーザ光やネオジム添加ＹＡＧレーザ光であるＹＶＯ4レーザの基本波（波長１０６４ｎｍ）等が好適に利用される。これにより、レーザ光１００が照射された部分のマーキングパッド５０のマーキング領域Ｃを構成する上部層５６と下部層５１とが局所加熱されて昇華し、上部層５６および下部層５１を貫通する貫通孔５８が形成される。
その後、図４に示すように、液晶３２を封入する工程等の各種工程が行なわれる（ステップＳ１０５）。つづいて、ＴＦＴ基板１０ＢおよびＣＦ基板２０が図１２中に示す分断線Ｅ１に沿って分断される（ステップＳ１０６）とともに、ＣＦ基板２０が図１２中に示す分断線Ｅ２に沿って分断されて不要部分が除去される（ステップＳ１０７）。以上により、図８に示した液晶パネル１Ｂの製造が完了する。
以上において説明した本実施の形態における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネル１Ｂを製造することにより、上述した実施の形態１の場合と同様に、ＴＦＴ基板１０Ｂに設けられたマーキングパッド５０にＣＦ基板２０を通してレーザ光１００を照射した場合（すなわち、複板処理を行なった場合）であっても、高品位にマーキングを施すことが可能になる。したがって、本実施の形態における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネル１Ｂを製造することにより、上述した複板処理が可能になるため、複板処理を採用することで得られる液晶パネルの効率的な生産および低コスト化という２つの効果が得られることになる。
また、本実施の形態における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネル１Ｂを製造することにより、上述した実施の形態１の場合と同様に、高品位のマーキングを実現しつつ複板処理を採用することが可能になるため、レーザマーキング処理時に液晶３２が封入されることとなる空間が既にシール部材３０によって周辺部分Ｂを含む外部から隔離された状態にあることになり、レーザマーキング処理に伴って昇華するマーキングパッド５０のマーキング領域Ｃを構成する各種の膜が異物となって当該空間に侵入することが防止でき、歩留まりを向上させることもできる。
加えて、本実施の形態における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネル１Ｂを製造することにより、ＴＦＴ４０を製作するためにＴＦＴ基板１０Ｂに施されるエッチング処理や成膜処理の際に、既に成膜されたマーキングパッド５０の下部層５１としての金属膜を保護絶縁膜５２によって常時保護することが可能なる。したがって、当該エッチング処理や成膜処理の際にマーキングパッド５０の下部層５１が腐食されて劣化することが確実に防止できる。
また、本実施の形態におけるＴＦＴ基板１０Ｂおよびこれを備えた液晶パネル１Ｂの構成とすることにより、上述した実施の形態１の場合と同様に、レーザマーキングに適したマーキングパッド５０を備えた液晶パネル用ガラス基板およびこれを備えた液晶パネルとすることができる。したがって、当該ＴＦＴ基板１０Ｂを用いて液晶パネル１Ｂを製造することにより、シリアル情報や用途情報等の各種情報を正確に読み出すことのできる液晶パネルとすることができる。
（変形例）
図１３および図１４は、第１および第２変形例に係るマーキングパッドの模式断面図である。これら第１および第２変形例に係るマーキングパッド５０Ａ，５０Ｂは、いずれも上述した実施の形態１および２のマーキングパッド５０のマーキング領域Ｃの下部層５１を構成する金属膜を積層膜にて構成したものである。
図１３に示すように、第１変形例においては、マーキングパッド５０Ａのマーキング領域Ｃの下部層５１が、たとえば第１金属膜５１ａと、当該第１金属膜５１ａの主表面を覆うように形成された第２金属膜５１ｂとの２層積層膜で構成されている。当該第１金属膜５１ａおよび第２金属膜５１ｂは、マーキングパッド５０Ａの下部層５１を形成する際に、スパッタリング法等を用いて順次異なる材質の金属膜を成膜することで形成される。なお、この場合には、第２金属膜５１ｂの主表面が陽極酸化処理されていてもよい。
第１金属膜５１ａとしては、たとえばタンタル膜が好適に利用され、第２金属膜５１ｂとしては、たとえばアルミニウム膜または銅膜が好適に利用される。なお、この場合であっても、２層積層膜からなるマーキングパッド５０Ａのマーキング領域Ｃの下部層５１は、上述したＴＦＴ４０のゲート電極４１と同時に形成されたものであることが好ましく、その場合には、ＴＦＴ４０のゲート電極４１を構成する金属膜も、上述した構成の２層積層膜として形成されることになる。
図１４に示すように、第２変形例においては、マーキングパッド５０Ｂのマーキング領域Ｃの下部層５１が、たとえば第１金属膜５１ａと、当該第１金属膜５１ａの主表面を覆うように形成された第２金属膜５１ｂと、当該第２金属膜５１ｂの主表面を覆うように形成された第３金属膜５１ｃとの３層積層膜で構成されている。当該第１金属膜５１ａ、第２金属膜５１ｂおよび第３金属膜５１ｃは、マーキングパッド５０Ｂの下部層５１を形成する際に、スパッタリング法等を用いて順次異なる材質の金属膜を成膜することで形成される。なお、この場合には、第３金属膜５１ｃの主表面が陽極酸化処理されていてもよい。
第１金属膜５１ａとしては、たとえばタンタル膜が好適に利用され、第２金属膜５１ｂとしては、たとえばアルミニウム膜または銅膜が好適に利用され、第３金属膜５１ｃとしては、たとえばタンタル膜が好適に利用される。なお、この場合であっても、３層積層膜からなるマーキングパッド５０Ｂのマーキング領域Ｃの下部層５１は、上述したＴＦＴ４０のゲート電極４１と同時に形成されたものであることが好ましく、その場合には、ＴＦＴ４０のゲート電極４１を構成する金属膜も、上述した構成の３層積層膜として形成されることになる。
以上において説明した第１および第２変形例とした場合であっても、上述の実施の形態１および２と同様の効果を得ることができる。
図１５Ａは、本発明を適用して複板処理でレーザマーキング処理が行なわれたマーキングパッドの一例を示す拡大写真であり、図１５Ｂは、本発明を適用せずに複板処理でレーザマーキング処理が行なわれたマーキングパッドの一例を示す拡大写真である。これら拡大写真を参照して、複板処理を採用した場合であっても、本発明を適用することで貫通孔の大きさおよび形状、貫通孔周辺の黒ずみ具合等のマーキング品位が高品位に保たれるのに対し、本発明を適用しなかった場合には、マーキング品位が低品位になってしまうことが理解される。
今回開示した上記各実施の形態および変形例はすべての点で例示であって、制限的なものではない。本発明の技術的範囲は請求の範囲によって画定され、また請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
１Ａ，１Ｂ 液晶パネル、２ 情報記録部、１０Ａ，１０Ｂ ＴＦＴ基板、１１ ガラス基板、１１ａ 主表面、２０ ＣＦ基板、２１ ガラス基板、３０ シール部材、３２ 液晶、４０ ＴＦＴ、４１ ゲート電極、４２ ゲート絶縁膜、４３ 第１半導体層、４４ 第２半導体層、４５ａ ソース電極、４５ｂ ドレイン電極、４６ 画素電極、５０，５０Ａ，５０Ｂ マーキングパッド、５１ 下部層、５１ａ 第１金属膜、５１ｂ 第２金属膜、５１ｃ 第３金属膜、５２ 保護絶縁膜、５３ 第１被覆膜、５４ 第２被覆膜、５５ 第３被覆膜、５６ 上部層、５７ 凹部、５８ 貫通孔、６０ 文字データ部、１００ レーザ光、Ａ 液晶表示部になる部分、Ｂ 周辺部分、Ｃ マーキング領域、Ｄ 周囲領域、Ｅ１，Ｅ２ 分断線。

Claims (17)

  1. 液晶表示部になる部分（Ａ）および液晶表示部にならない周辺部分（Ｂ）を含む第１液晶パネル用ガラス基板（１１）を準備する工程と、
    前記第１液晶パネル用ガラス基板（１１）の前記周辺部分（Ｂ）の主表面上に金属膜（５１）およびＩＴＯ膜（５６）のみから構成された積層体からなるマーキング領域（Ｃ）を含むマーキングパッド（５０）を設ける工程と、
    前記マーキングパッド（５０）のマーキング領域（Ｃ）の主表面と距離をもって対向するように前記第１液晶パネル用ガラス基板（１１）に当該第１液晶パネル用ガラス基板（１１）と対と成る第２液晶パネル用ガラス基板（２１）を貼り合わせる工程と、
    前記マーキングパッド（５０）のマーキング領域（Ｃ）に前記第２液晶パネル用ガラス基板（２１）を通してレーザ光（１００）を照射することにより、前記マーキングパッド（５０）のマーキング領域（Ｃ）に前記ＩＴＯ膜（５６）および前記金属膜（５１）を貫通する貫通孔（５８）を設けてマーキングを行なう工程とを備えた、液晶パネルの製造方法。
  2. 前記マーキングパッド（５０）を設ける工程は、前記第１液晶パネル用ガラス基板（１１）の前記周辺部分（Ｂ）の主表面上に前記金属膜（５１）を形成する工程と、前記金属膜（５１）の主表面および周縁を覆うように前記金属膜（５１）に接触して前記ＩＴＯ膜（５６）を形成する工程とを含む、請求の範囲第１項に記載の液晶パネルの製造方法。
  3. 前記マーキングパッド（５０）を設ける工程は、前記第１液晶パネル用ガラス基板（１１）の前記周辺部分（Ｂ）の主表面上に前記金属膜（５１）を形成する工程と、前記金属膜（５１）の主表面および周縁を覆うように前記金属膜（５１）に接触して絶縁膜（５２）を形成する工程と、前記金属膜（５１）の主表面が露出しかつ前記金属膜（５１）の周縁が前記絶縁膜（５２）によって覆われた状態となるように前記絶縁膜（５２）の一部を除去する工程と、前記絶縁膜（５２）の一部を除去することで露出した前記金属膜（５１）の主表面を覆うように前記金属膜（５１）に接触して前記ＩＴＯ膜（５６）を形成する工程とを含む、請求の範囲第１項に記載の液晶パネルの製造方法。
  4. 前記マーキングパッド（５０）を設ける工程における前記絶縁膜（５２）を形成する工程において、前記第１液晶パネル用ガラス基板（１１）の前記液晶表示部になる部分（Ａ）にＴＦＴのゲート絶縁膜になる絶縁膜（４２）を同時に形成する、請求の範囲第３項に記載の液晶パネルの製造方法。
  5. 前記マーキングパッド（５０）を設ける工程における前記金属膜（５１）を形成する工程において、前記第１液晶パネル用ガラス基板（１１）の前記液晶表示部になる部分（Ａ）にＴＦＴのゲート電極になる金属膜（４１）を同時に形成する、請求の範囲第２項または第３項に記載の液晶パネルの製造方法。
  6. 前記マーキングパッド（５０）を設ける工程における前記ＩＴＯ膜（５６）を形成する工程において、前記第１液晶パネル用ガラス基板（１１）の前記液晶表示部になる部分（Ａ）に画素電極になるＩＴＯ膜を同時に形成する、請求の範囲第２項または第３項に記載の液晶パネルの製造方法。
  7. 前記マーキングパッド（５０）を設ける工程における前記金属膜（５１）を形成する工程は、複数の異なる材質の膜を順次積層形成する工程を含む、請求の範囲第２項または第３項に記載の液晶パネルの製造方法。
  8. 前記マーキングパッド（５０）のマーキング領域（Ｃ）になる金属膜（５１）の表面を陽極酸化処理する工程をさらに備えた、請求の範囲第１項に記載の液晶パネルの製造方法。
  9. 液晶表示部になる部分（Ａ）と液晶表示部にならない周辺部分（Ｂ）とを含む液晶パネル用ガラス基板であって、
    前記周辺部分（Ｂ）の主表面上には、レーザ光を照射することでマーキングを施すためのマーキングパッド（５０）が設けられ、
    前記マーキングパッド（５０）は、金属膜（５１）およびＩＴＯ膜（５６）のみから構成された積層体からなるマーキング領域（Ｃ）を含む、液晶パネル用ガラス基板。
  10. 前記マーキングパッド（５０）のマーキング領域（Ｃ）を構成する金属膜（５１）の主表面および周縁が、前記マーキングパッド（５０）のマーキング領域（Ｃ）を構成するＩＴＯ膜（５６）によって覆われている、請求の範囲第９項に記載の液晶パネル用ガラス基板。
  11. 前記マーキングパッド（５０）のマーキング領域（Ｃ）を構成する金属膜（５１）の周縁が、絶縁膜（５２）によって覆われている、請求の範囲第９項に記載の液晶パネル用ガラス基板。
  12. 前記液晶表示部になる部分（Ａ）の主表面上にＴＦＴ（４０）が設けられており、
    前記マーキングパッド（５０）のマーキング領域（Ｃ）を構成する金属膜（５１）の周縁を覆う絶縁膜（５２）と、前記ＴＦＴ（４０）のゲート絶縁膜を構成する絶縁膜（４２）とが、一の工程で同時に形成されたものである、請求の範囲第１１項に記載の液晶パネル用ガラス基板。
  13. 前記液晶表示部になる部分（Ａ）の主表面上にＴＦＴ（４０）が設けられており、
    前記マーキングパッド（５０）のマーキング領域（Ｃ）を構成する金属膜（５１）と、前記ＴＦＴ（４０）のゲート電極を構成する金属膜（４１）とが、一の工程で同時に形成されたものである、請求の範囲第１０項または第１１項に記載の液晶パネル用ガラス基板。
  14. 前記液晶表示部になる部分（Ａ）の主表面上にＴＦＴ（４０）が設けられており、
    前記マーキングパッド（５０）のマーキング領域（Ｃ）を構成するＩＴＯ膜（５６）と、前記画素電極を構成するＩＴＯ膜（４６）とが、一の工程で同時に形成されたものである、請求の範囲第１０項または第１１項に記載の液晶パネル用ガラス基板。
  15. 前記マーキングパッド（５０）のマーキング領域（Ｃ）を構成する金属膜（５１）が、複数の異なる材質の膜の積層膜からなる、請求の範囲第１０項または第１１項に記載の液晶パネル用ガラス基板。
  16. 前記マーキングパッド（５０）のマーキング領域（Ｃ）を構成する金属膜（５１）の表面が、陽極酸化処理されている、請求の範囲第９項に記載の液晶パネル用ガラス基板。
  17. 請求の範囲第９項に記載の液晶パネル用ガラス基板を備えた、液晶パネル。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150105568A (ko) * 2014-03-07 2015-09-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN107167951B (zh) * 2017-07-24 2020-06-19 武汉天马微电子有限公司 显示面板
JP2019159240A (ja) * 2018-03-16 2019-09-19 シャープ株式会社 表示パネル
CN116093079B (zh) * 2023-03-01 2024-04-19 海信家电集团股份有限公司 半导体器件及电子装置
WO2024179184A1 (zh) * 2023-03-01 2024-09-06 海信家电集团股份有限公司 半导体器件及其制备方法、电子设备
CN116053256B (zh) * 2023-03-01 2024-05-17 海信家电集团股份有限公司 半导体器件及制备方法、电子装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01206347A (ja) * 1988-02-15 1989-08-18 Seiko Epson Corp アライメントマーク構造
JP2734183B2 (ja) 1990-07-19 1998-03-30 日本電気株式会社 液晶表示素子
JP2820182B2 (ja) 1992-07-30 1998-11-05 澁谷工業株式会社 液晶ガラスのレーザマーキング方法
JPH10278422A (ja) 1997-04-03 1998-10-20 Yazaki Corp 液晶パネルのマーキング方法
JPH11109412A (ja) * 1997-10-01 1999-04-23 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置の製造方法
JP2000066179A (ja) * 1998-08-24 2000-03-03 Nec Corp 液晶表示素子とその製造方法
JP2000243554A (ja) * 1999-02-19 2000-09-08 Tohoku Pioneer Corp 発光ディスプレイパネルおよびその製造方法
KR100394069B1 (ko) 1999-09-01 2003-08-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시패널의 고유번호 표시부의 구조 및 그 제조방법
KR100606955B1 (ko) * 1999-09-21 2006-07-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 레이저 절단장치 및 그것에 의한 유리기판 절단방법
JP2003248207A (ja) * 2002-02-22 2003-09-05 Fujitsu Display Technologies Corp 液晶表示パネルの製造方法および製造装置
JP2004012763A (ja) * 2002-06-06 2004-01-15 Alps Electric Co Ltd 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法
KR101223098B1 (ko) * 2004-09-09 2013-01-17 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조방법
KR20080042423A (ko) 2006-11-10 2008-05-15 삼성전자주식회사 셀 아이디 생성 방법 및 상기 셀 아이디를 포함하는 표시장치
GB0706287D0 (en) * 2007-03-30 2007-05-09 Powerlase Ltd A laser method and apparatus

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