JPH01206347A - アライメントマーク構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はマスクアライナ−で、レーザー等を基板表面に
照射し、その反射波形によるアライメントを行なう装置
に使われるアライメントマークに関する。

〔従来の技術］ 従来の技術としては、第２図に示す様に透明基板上に例
えばＩＴＯ等の透明膜をパターン形成する場合のアライ
メントマークの構造は、透明基板１上に予めタンタル等
により形成されたアライメントマーク２上に直接ＩＴＯ
膜３が形成されたものであった。

［発明が解決しようとする課題］ しかし、かかる従来のアライメントマーク構造は、レー
ザーの反射波形が、例えば透明基板下にある吸着チャッ
クの溝や透明基板表面の凸凹による、不要な反射の影響
を受は易く、これらがノイズ成分として、アライメント
不可能、又はアライメント時間を延ばし、スループット
を低下させるなどの問題があった。

以下にＭＩＭ素子及び画素電極から成るアクティブマト
リクス基板の製造工程を例にとって詳述すると、ＭＩＭ
素子は下金属にタンタルを用い、これをガラス基板上に
最初にパターン形成する。

次に該タンタルからなるパターンの表面を酸化して酸化
タンタルを形成し、この上に上金属としてクロムをパタ
ーン形成しサンドウィッチ構造のＭＩＭ素子を構成する
。この後画素電極としてＩＴＯをパターン形成する訳で
あるが、このＩＴＯパターンが形成されたフォトマスク
と上記基板とのアライメントを行なう際、従来は第２図
に示す如く、ガラスからなる透明基板１上に２のタンタ
ル金属のアライメントマークを形成し、さらにその上に
ＩＴＯ膜３が形成された構造であった。

ところが、第３図に示す様に、この構造の場合、レーザ
ー反射波形６かられかるように、必要なアライメントマ
ークのエツジ波形８からの反射信号の他に、吸着チャッ
ク溝５や、タンタルのエツチング不良による膜残り９等
が存在すると、７の様に不用な反射波形がノイズとして
得られる。このノイズレベルが大きいと、本来のマーク
からの信号と分離できなくなり、アライメント不可能若
しくは、アライメントに時間を要し、スルーブツトの低
下などの問題を起こしていた。

そこで、本発明はアライメントマーク部分の透明膜の下
を不透明膜で覆うことにより、アライメントマーク自身
以外の不用な反射を取り除き、アライメントを確実に行
ない、スループットを向上させることを目的とする。

〔課題を解決するための手段］ 上記問題を解決する為、本発明のアライメントマーク構
造は、透明基板上に透明膜のパターンを形成する場合の
アライメントマークに於いて、前記透明膜の下を不透明
膜で覆うことを特徴とする。

また、かかる不透明膜が、該アライメントによって得ら
れる構造物の少なくとも１つによるものであることを特
徴とする。

〔作用〕

上記のような構造をもつアライメントマークでレーザー
反射波形によるアライメントを行なった場合、レーザー
は不透明膜表面形状による反射にのみ限定され、透明基
板下の影響は受けない。−方、透明基板上に予め形成さ
れたアライメントマーク以外に例えば膜残りなどによる
不要な反射原因があっても、該アライメントマークの膜
厚より薄い場合は、不透明膜により一様な反射レベルに
なっている為、アライメントマークのエツジを反射波形
上、正確に分離できる。

〔実施例〕

本発明の一実施例を第１図を用いて詳述する。

本実施例では、ＭＩＭ素子及び画素電極からなるアクテ
ィブマトリクス型液晶表示体に適用したものである。ま
ず、ガラス等からなる透明基板１上にダンタルでなるア
ライメントマーク２をパターン形成した。（この工程は
ＭＩＭ素子の上金属の形成と同時にできる。）次に、こ
のアライメントマーク２上にクロムの金属膜４をパター
ン形成した（この工程もＭＩＭ素子の上金属の形成と同
時にできる。）、このときの膜厚はＭ［Ｍ素子の上金属
の形成と同時に行なったので約１５００人であった。ま
た、アライメントマーク２の周囲にも形成した。そして
、前記金属膜４上にＩＴＯ膜３を形成し全体を被覆した
。

以上のように構成されたアライメントマークを使用して
、レーザーを照射して、その反射波形によるアライメン
トを行なったところ、透明基板下の影響や、透明基板表
面にあるタンタルの膜残りなどによる不要な反射を起こ
すことなくアライメントマークのエツジ成分（第３図の
８）のみを正確に取りだすことができた。

又、本実施例では、既存のＭＩＭ素子の製造工程におい
て容易に実施できるという効果も有している。

なお、本実施例では、金属膜４の膜厚を約１５００人と
したが、クロム金属の場合約１００Å以上の膜厚を有し
ていれば同様の効果を有している。

さらに、金属膜４としては、クロムばかりでなく、アル
ミニウム等の不透明な金属膜であればよ（、本実施例に
限定されるものではない。

又、本実施例では、金属膜４上に画素電極の形成と同時
に■ＴＯ膜３を形成したが、このＩＴＯ膜は形成されて
いなくてもよく、上述した効果を同様に有するものであ
る。

〔発明の効果〕

以上説明した様に、本発明によれば、余分な工程を加え
ることなく、ＭＩＭ構成金属の一部を用いて、アライメ
ントを確実に行なうことができるマーク構造を得られる
。

これにより、オートアライメントによる省人化、スルー
プット向上による生産数量の増加等、生産効率の向上に
効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例によるアライメントマーク
の断面図。 第２図は、従来のアライメントマークの断面図。 第３図は、従来のアライメントマーク及びレーザーの反
射波形を示す図。 １・・・・・・透明基板 ２・・・・・・アライメントマーク ３・・・・・・ＴＴＯ膜 ４・・・・・・金属膜 ５・・・・・・吸着チャック溝 ６・・・・・・レーザー反射波形 ７・・・・・・不要な反射波形 ８・・・・・・アライメントマークのエツジ波形９・・
・・・・膜残り 以上 出願人　セイコーエプソン株式会社

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）透明基板上に透明膜のパターンを形成する場合の
   アライメントマーク構造に於いて、前記透明膜の下を不
   透明膜で覆うことを特徴とするアライメントマーク構造
   。
2. （２）第１項記載の不透明膜が、該アライメントによっ
   て得られる構造物の少なくとも１つによるものであるこ
   とを特徴とするアライメントマーク構造。