CN102414609A - 液晶面板的制造方法、液晶面板用玻璃基板以及具备该液晶面板用玻璃基板的液晶面板 - Google Patents

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Abstract

基于本发明的液晶面板的制造方法具备：在玻璃基板(11)的主表面(11a)上设置标记焊盘(50)的工序，标记焊盘(50)包含标记区域，标记区域包括层叠体，层叠体仅包括作为下部层(51)的金属膜和作为上部层的ITO膜(56)；以与标记焊盘(50)的标记区域的主表面保持距离而相对的方式在玻璃基板(11)上贴合玻璃基板(21)的工序；以及通过玻璃基板(21)对标记焊盘(50)的标记区域照射激光(100)，由此在标记焊盘(50)的标记区域设置贯通孔(58)而进行标记的工序。由此，即使是对设于液晶面板用玻璃基板的标记焊盘通过与该液晶面板用玻璃基板成对的其它液晶面板用玻璃基板照射激光的情况，也能高质量地施加标记。

Description

液晶面板的制造方法、液晶面板用玻璃基板以及具备该液晶面板用玻璃基板的液晶面板
技术领域
本发明涉及包含利用激光标记在设于液晶面板用玻璃基板的标记焊盘上标记各种信息的工序的液晶面板的制造方法，另外，涉及具备标记焊盘的液晶面板用玻璃基板以及具备该液晶面板用玻璃基板的液晶面板，上述标记焊盘包含适于激光标记的标记区域。
背景技术
一般，液晶面板适合使用于作为显示装置的液晶电视、个人计算机的显示器等，在近年来其普及惊人。从生产时的管理上的必要性、出厂后的维护上的必要性出发，在液晶面板上标记序列信息、用途信息等各种信息。通常，对于该标记，优选利用激光标记，在其生产过程中，对作为液晶面板的构成部件的液晶面板用玻璃基板照射激光，由此标记上述的各种信息。
作为利用激光标记对液晶面板用玻璃基板标记各种信息的方法，已知有：例如对在玻璃基板的表面所形成的ITO(Indium ThinOxide：铟锡氧化物)膜照射激光而标记的方法(参照特开平6-51328号公报(专利文献1))；对在玻璃基板的表面所形成的取向膜照射激光而标记的方法(参照特开平10-278422号公报(专利文献2))；以及对在玻璃基板的表面所形成的金属膜照射激光而标记的方法等。
其中，在对在玻璃基板的表面所形成的金属膜照射激光而标记的方法中，具体地，在玻璃基板的不成为液晶显示部的周边部分形成金属膜，由此设置标记焊盘，对该标记焊盘照射激光，在标记焊盘中形成贯通孔，由此在玻璃基板上施加标记。此外，这样标记的各种信息作为由该信息经数据矩阵化所得的二维数据码标记于玻璃基板，使用反射型或者透射型中的任一种照相机进行该信息的读出。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开平6-51328号公报
专利文献2：特开平10-278422号公报
发明内容
发明要解决的问题
作为对在液晶面板用玻璃基板上所形成的金属膜照射激光而标记的情况下的工艺流程，假设下面2个种类。第1工艺流程被称为单板处理，是如下工艺流程：在作为被施加标记的玻璃基板的TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)基板和贴附有彩色滤光片的CF(Color Filter)基板贴合之前，对设于TFT基板的标记焊盘直接照射激光，由此标记各种信息，然后贴合TFT基板和CF基板。第2工艺流程被称为多板处理，是如下工艺流程：在TFT基板和CF基板贴合后，通过CF基板对设于TFT基板的标记焊盘照射激光，由此标记各种信息。
在采用上述的单板处理的情况下，对标记焊盘直接照射激光，因此能使所形成的标记的质量(即贯通孔的形状、大小、贯通孔周缘的泛黑情况等)适于使用透射型或者反射型照相机读出。
但是，其反面是，在单板处理中，在TFT基板和CF基板的贴合前需要激光标记处理，因此TFT基板的生产所需的节拍变长，每单位时间的TFT基板的生产片数和每单位时间的CF基板的生产片数产生出现较大的不平衡。为了对其进行改善，需要新追加生产设备以便增加每单位时间的TFT基板的生产数、或者有意使CF基板的生产速度延迟而与TFT基板的生产速度一致，产生生产成本增大、需要调整无效生产的问题。
另一方面，在采用上述的多板处理的情况下，通过CF基板对设于TFT基板的标记焊盘照射激光，因此所形成的标记的质量比上述的单板处理差，有可能在使用透射型或者反射型照相机读取时产生读取错误。
但是，在采用多板处理的情况下，在TFT基板和CF基板贴合后进行激光标记处理，因此难以产生上述的TFT基板和CF基板的生产片数的不平衡，可得到能有效制造液晶面板的效果。
因此，如果能采用上述多板处理并且提高所形成的标记的质量，则能同时实现液晶面板的有效生产和低成本化。
因此，本发明的目的在于提供如下液晶面板的制造方法：即使是对设于液晶面板用玻璃基板的标记焊盘通过与该液晶面板用玻璃基板成对的其它液晶面板用玻璃基板照射激光的情况，也能高质量地施加标记。
另外，本发明的目的在于提供具备适于激光标记处理的标记焊盘的液晶面板用玻璃基板和液晶面板。
用于解决问题的方案
基于本发明的液晶面板的制造方法具备如下工序(A)至(D)。
(A)准备第1液晶面板用玻璃基板的工序，上述第1液晶面板用玻璃基板包含成为液晶显示部的部分和不成为液晶显示部的周边部分。
(B)在上述第1液晶面板用玻璃基板的上述周边部分的主表面上设置标记焊盘的工序，上述标记焊盘包含标记区域，上述标记区域包括层叠体，上述层叠体仅包括金属膜和ITO膜。
(C)以与上述标记焊盘的标记区域的主表面保持距离而相对的方式在上述第1液晶面板用玻璃基板上贴合与该第1液晶面板用玻璃基板成对的第2液晶面板用玻璃基板的工序。
(D)通过上述第2液晶面板用玻璃基板对上述标记焊盘的标记区域照射激光，由此在上述标记焊盘的标记区域设置贯通孔而进行标记的工序，上述贯通孔贯通上述ITO膜和上述金属膜。
在上述基于本发明的液晶面板的制造方法中，上述的设置标记焊盘的工序(B)可以包含如下工序(a)和(b)。
(a)在上述第1液晶面板用玻璃基板的上述周边部分的主表面上形成上述金属膜的工序。
(b)以覆盖上述金属膜的主表面和周缘的方式与上述金属膜接触而形成上述ITO膜的工序。
在上述基于本发明的液晶面板的制造方法中，上述的设置标记焊盘的工序(B)可以包含如下工序(a)、(c)至(e)。
(a)在上述第1液晶面板用玻璃基板的上述周边部分的主表面上形成上述金属膜的工序。
(c)以覆盖上述金属膜的主表面和周缘的方式与上述金属膜接触而形成绝缘膜的工序。
(d)以成为上述金属膜的主表面露出且上述金属膜的周缘由上述绝缘膜覆盖的状态的方式除去上述绝缘膜的一部分的工序。
(e)以对通过除去上述绝缘膜的一部分而露出的上述金属膜的主表面进行覆盖的方式与上述金属膜接触而形成上述ITO膜的工序。
在上述基于本发明的液晶面板的制造方法中，优选在上述设置标记焊盘的工序(B)中的形成绝缘膜的工序(c)中，在上述第1液晶面板用玻璃基板的上述成为液晶显示部的部分同时形成成为TFT的栅极绝缘膜的绝缘膜。
在上述基于本发明的液晶面板的制造方法中，优选在上述设置标记焊盘的工序(B)中的形成金属膜的工序(a)中，在上述第1液晶面板用玻璃基板的上述成为液晶显示部的部分同时形成成为TFT的栅极电极的金属膜。
在上述基于本发明的液晶面板的制造方法中，优选在上述设置标记焊盘的工序(B)中的形成ITO膜的工序(b)或者(e)中，在上述第1液晶面板用玻璃基板的上述成为液晶显示部的部分同时形成成为像素电极的ITO膜。
在上述基于本发明的液晶面板的制造方法中，上述设置标记焊盘的工序(B)中的形成金属膜的工序(a)可以包含依次层叠形成多个不同材质的膜的工序。
上述基于本发明的液晶面板的制造方法还可以具备如下工序(E)。
(E)对上述标记焊盘的成为标记区域的金属膜的表面进行阳极氧化处理的工序。
基于本发明的液晶面板用玻璃基板包含成为液晶显示部的部分和不成为液晶显示部的周边部分，在上述周边部分的主表面上设有标记焊盘，上述标记焊盘用于通过照射激光而施加标记，上述标记焊盘包含标记区域，上述标记区域包括层叠体，上述层叠体仅包括金属膜和ITO膜。
在上述基于本发明的液晶面板用玻璃基板中，构成上述标记焊盘的标记区域的金属膜的主表面和周缘可以由构成上述标记焊盘的标记区域的ITO膜覆盖。
在上述基于本发明的液晶面板用玻璃基板中，构成上述标记焊盘的标记区域的金属膜的周缘可以由绝缘膜覆盖。
在上述基于本发明的液晶面板用玻璃基板中，可以在上述成为液晶显示部的部分的主表面上设有TFT，在该情况下，优选对构成上述标记焊盘的标记区域的金属膜的周缘进行覆盖的绝缘膜和构成上述TFT的栅极绝缘膜的绝缘膜是在一个工序中同时形成的。
在上述基于本发明的液晶面板用玻璃基板中，可以在上述成为液晶显示部的部分的主表面上设有TFT，在该情况下，优选构成上述标记焊盘的标记区域的金属膜和构成上述TFT的栅极电极的金属膜是在一个工序中同时形成的。
在上述基于本发明的液晶面板用玻璃基板中，可以在上述成为液晶显示部的部分的主表面上设有TFT，在该情况下，优选构成上述标记焊盘的标记区域的ITO膜和构成上述像素电极的ITO膜是在一个工序中同时形成的。
在上述基于本发明的液晶面板用玻璃基板中，构成上述标记焊盘的标记区域的金属膜可以包括多个不同材质的膜的层叠膜。
在上述基于本发明的液晶面板用玻璃基板中，可以是对构成上述标记焊盘的标记区域的金属膜的表面进行了阳极氧化处理。
基于本发明的液晶面板具备上述任一项的液晶面板用玻璃基板。
发明效果
根据本发明，能提供如下液晶面板的制造方法：即使是对设于液晶面板用玻璃基板的标记焊盘通过与该液晶面板用玻璃基板成对的其它液晶面板用玻璃基板照射激光的情况，也能高质量地施加标记。
另外，根据本发明，能形成具备适于激光标记处理的标记焊盘的液晶面板用玻璃基板和液晶面板。
附图说明
图1是本发明的实施方式1的液晶面板的示意平面图。
图2是图1所示的信息记录部的示意放大图。
图3是本发明的实施方式1的液晶面板的示意截面图。
图4是用于说明本发明的实施方式1的液晶面板的制造方法的流程图。
图5A是按本发明的实施方式1的液晶面板的制造方法制造液晶面板的情况下的生产过程的示意截面图。
图5B是按本发明的实施方式1的液晶面板的制造方法制造液晶面板的情况下的生产过程的示意截面图。
图6A是按本发明的实施方式1的液晶面板的制造方法制造液晶面板的情况下的生产过程的示意截面图。
图6B是按本发明的实施方式1的液晶面板的制造方法制造液晶面板的情况下的生产过程的示意截面图。
图7是按本发明的实施方式1的液晶面板的制造方法制造液晶面板的情况下的生产过程的示意截面图。
图8是本发明的实施方式2的液晶面板的示意截面图。
图9A是按本发明的实施方式2的液晶面板的制造方法制造液晶面板的情况下的生产过程的示意截面图。
图9B是按本发明的实施方式2的液晶面板的制造方法制造液晶面板的情况下的生产过程的示意截面图。
图10A是按本发明的实施方式2的液晶面板的制造方法制造液晶面板的情况下的生产过程的示意截面图。
图10B是按本发明的实施方式2的液晶面板的制造方法制造液晶面板的情况下的生产过程的示意截面图。
图11A是按本发明的实施方式2的液晶面板的制造方法制造液晶面板的情况下的生产过程的示意截面图。
图11B是按本发明的实施方式2的液晶面板的制造方法制造液晶面板的情况下的生产过程的示意截面图。
图12是按本发明的实施方式2的液晶面板的制造方法制造液晶面板的情况下的生产过程的示意截面图。
图13是第1变形例的标记焊盘的示意截面图。
图14是第2变形例的标记焊盘的示意截面图。
图15A是示出应用本发明以多板处理进行激光标记处理的标记焊盘的一例的放大照片。
图15B是示出不应用本发明以多板处理进行激光标记处理的标记焊盘的一例的放大照片。
具体实施方式
下面参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。此外，在下面所示的实施方式及其变形例中，对相同部分在附图中标注相同的附图标记，不重复其说明。
(实施方式1)
图1是本发明的实施方式1的液晶面板的示意平面图，图2是图1所示的液晶面板的信息记录部的示意放大图。另外，图3是图1所示的液晶面板的示意截面图。首先，参照该图1至图3对本实施方式的液晶面板和液晶面板用玻璃基板的结构进行说明。
如图1和图3所示，本实施方式的液晶面板1A主要具备TFT基板10A、CF基板20、密封部件30以及液晶32。本实施方式的液晶面板1A是将配置成矩阵状的多个显示像素由设于该显示像素的TFT单独控制的所谓的有源矩阵型的液晶面板。
TFT基板10A也被称为有源矩阵基板，主要具有作为基材的玻璃基板11、形成于其主表面11a上的多个TFT40以及与TFT40电连接的多个像素电极46。TFT基板10A包含成为用于显示图像的液晶显示部的部分A和不成为该液晶显示部的周边部分B，上述多个TFT40和像素电极46在其中的成为液晶显示部的部分A配置成矩阵状。此外，该TFT基板10A(根据情况，是作为TFT基板10A的基材的玻璃基板11)相当于第1液晶面板用玻璃基板。
CF基板20也被称为相对基板，主要具有作为基材的玻璃基板21、贴附于其主表面上的彩色滤光片(未图示)以及形成于该彩色滤光片上的相对电极(未图示)。CF基板20仅具有成为液晶显示部的部分。彩色滤光片贴附于玻璃基板21的成为液晶显示部的部分，上述多个相对电极在该彩色滤光片的主表面上配置成矩阵状。此外，该CF基板20(根据情况，是作为CF基板20的基材的玻璃基板21)相当于第2液晶面板用玻璃基板。
TFT基板10A和CF基板20由密封部件30以保持规定的距离(例如5μm程度)相对的方式贴合。密封部件30以包围液晶显示部的方式设置，在由该密封部件30包围的空间且由TFT基板10A和CF基板20夹着的空间封入液晶32。液晶32具有光的透射率根据施加电压而变化的性质，位于设于上述TFT基板10A上的像素电极46与设于上述CF基板20上的相对电极之间。此外，在TFT基板10A和CF基板20的与液晶32面对的部分设有未图示的取向膜。
在TFT基板10A的不成为液晶显示部的周边部分B的规定位置设有信息记录部2，上述信息记录部2记录有各种信息。如图2所示，信息记录部2包含标记焊盘50和字符数据部60，各种信息经二维数据编码后记录于上述标记焊盘50，各种信息作为字符数据记录于上述字符数据部60。其中，记录有经二维数据编码后的各种信息的标记焊盘50是通过实施后述的激光标记处理而在标记焊盘50中设置贯通孔58、由此记录信息的。
如图3所示，在TFT基板10A的成为液晶显示部的部分A，在玻璃基板11的主表面11a上设有TFT40。TFT40具有：与栅极配线电连接的栅极电极41、以覆盖栅极电极41的方式形成的栅极绝缘膜42、隔着栅极绝缘膜42形成于栅极电极41的上方的第1半导体层43、形成于第1半导体层43上的规定位置的第2半导体层44以及形成于第2半导体层44上的源极电极45a和漏极电极45b。
栅极电极41包括例如铝(Al)、铜(Cu)、钽(Ta)、钛(Ti)等的单层金属膜。另外，栅极绝缘膜42包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)等的单层或者多层绝缘膜。
第1半导体层43包括例如非晶硅等本征半导体膜。另外，第2半导体层44包括例如n+型的非晶硅等添加杂质半导体膜。此外，第2半导体层44作为第1半导体层43-源极电极45a之间和第1半导体层43-漏极电极45b之间的接触层执行功能。
源极电极45a和漏极电极45b包括例如铝、铜、钽、钛等的单层或者多层金属膜。另外，像素电极46包括例如ITO膜(即，氧化铟(In2O3)和氧化锡(SnO2)的混合膜)。
另一方面，在TFT基板10A的不成为液晶显示部的周边部分B，在玻璃基板11的主表面11a上设有标记焊盘50。标记焊盘50具有进行标记的标记区域C和包围该标记区域C的周围区域D。标记焊盘50的标记区域C包括层叠体，上述层叠体仅包括作为下部层51的金属膜和作为上部层56的ITO膜，作为下部层51的金属膜的周缘在周围区域D由作为上部层56的ITO膜覆盖。
作为下部层51的金属膜包括例如铝、铜、钽、钛等的单层金属膜。作为下部层51的金属膜的主表面(即与上部层56接触的面)可以被进行阳极氧化处理。此外，优选标记焊盘50的标记区域C的下部层51与上述的TFT40的栅极电极41同时形成，在该情况下，构成TFT40的栅极电极41的金属膜和构成标记焊盘50的下部层51的金属膜用相同材质形成为相同膜厚。
优选标记焊盘50的标记区域C的上部层56与连接于上述TFT40的像素电极同时形成，在该情况下，构成与TFT40连接的像素电极46的ITO膜和构成标记焊盘50的上部层56的ITO膜用相同材质形成为相同膜厚。
在此，在标记焊盘50的标记区域C设有多个贯通孔58，该贯通孔58贯通作为上部层56的ITO膜和作为下部层51的金属膜。该贯通孔58是将序列信息、用途信息等各种信息进行二维数据编码的孔，使用透射型或者反射型的照相机进行该信息的读出。
具体地，在使用透射型的照相机的情况下，对在设于标记焊盘50的标记区域C的贯通孔58中通过并透射过TFT基板10A的光进行检测，由此进行各种信息的读出。另一方面，在使用反射型的照相机的情况下，利用对比度之差使设于标记焊盘50的标记区域C的贯通孔58及其周边产生的泛黑与周围的基底区别开进行检测，由此进行各种信息的读出。
图4是用于说明本实施方式的液晶面板的制造方法的流程图，图5A至图7是按本实施方式的液晶面板的制造方法制造液晶面板的情况下的生产过程的示意截面图。接着，参照该图4至图7对本实施方式的液晶面板的制造方法进行说明。
如图4所示，在本实施方式的液晶面板的制造方法中，TFT基板10A的制作(步骤S101)和与TFT基板10A成对的CF基板20的制作(步骤S102)同时并行地进行。当制作CF基板20时，准备玻璃基板21，在其上贴附彩色滤光片并且形成相对电极，而且进行取向膜的形成，由此制作CF基板20。当制作TFT基板10A时，具体进行下面的处理。此外，下面所示的TFT基板10A的制作方法是：最大限度地利用共同的工序同时形成TFT40以及像素电极46和标记焊盘50。
首先，如图5A所示，准备包含成为液晶显示部的部分A和不成为液晶显示部的周边部分B的玻璃基板11，在其上形成金属膜，将其图案化，由此在成为液晶显示部的部分A形成TFT40的栅极电极41，在周边部分B形成标记焊盘50的下部层51。更详细地，使用例如溅射法在玻璃基板11的主表面11a上形成铝膜，使用光刻法将其图案化而形成栅极电极41和下部层51。此外，作为光刻法中的蚀刻处理能利用干式蚀刻，上述干式蚀刻使用例如BCl3+Cl2、CF4(+O2)等。在此，根据需要对所形成的铝膜的主面实施阳极氧化处理。
接着，如图5B所示，在玻璃基板11的成为液晶显示部的部分A的主表面11a上形成绝缘膜，将其图案化，由此在成为液晶显示部的部分A形成TFT40的栅极绝缘膜42。更详细地，使用例如PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Dposition：等离子体增强化学气相沉积)法在玻璃基板11的成为液晶显示部的部分A的主表面11a上形成氮化硅膜，使用光刻法将其图案化而形成栅极绝缘膜42。
接着，如图5B所示，在玻璃基板11的成为液晶显示部的部分A的主表面11a上形成非晶硅层，将其图案化等，由此在成为液晶显示部的部分A形成第1半导体层43和第2半导体层44。在此，所形成的第2半导体层44是覆盖第1半导体层43的主表面的整个面的形状，是在非晶硅层的上层部适当利用离子注入法进行离子注入而形成的。此外，作为图案化时的蚀刻处理，能利用例如使用CF4+O2、CCl4+O2、SF6等的干式蚀刻。
接着，如图5B所示，在玻璃基板11的成为液晶显示部的部分A的主表面11a上形成金属膜，将其图案化，由此在成为液晶显示部的部分A形成TFT40的源极电极45a和漏极电极45b。更详细地，例如使用溅射法在玻璃基板11的成为液晶显示部的部分A的主表面11a上形成铝膜，使用光刻法将其图案化而形成源极电极45a和漏极电极45b。此外，作为光刻法中的蚀刻处理能利用干式蚀刻，上述干式蚀刻使用例如BCl3+Cl2、CF4(+O2)等。
接着，如图5B所示，将源极电极45a和漏极电极45b作为掩模蚀刻第2半导体层44而将其图案化，由此在第1半导体层43形成沟道部。此外，作为图案化时的蚀刻处理能利用干式蚀刻，上述干式蚀刻使用例如CF4+O2、CCl4+O2、SF6等。
接着，如图6A所示，在玻璃基板11的主表面11a上形成ITO膜，将其图案化，由此在成为液晶显示部的部分A形成与TFT40电连接的像素电极46，在周边部分B形成标记焊盘50的上部层56。更详细地，使用例如溅射法在玻璃基板11上形成ITO膜，使用光刻法将其图案化而形成像素电极46和上部层56。此外，作为光刻法中的蚀刻处理能利用湿式蚀刻，上述湿式蚀刻使用例如HCl+HNO3等。
然后，在玻璃基板11的成为液晶显示部的部分A的主表面11a上形成取向膜。通过上述工作，完成TFT基板10A的制作。
接着，如图4所示，使在步骤S101中制作的TFT基板10A和在步骤S102中制作的CF基板20贴合(步骤S103)。具体地，如图6B所示，以包围TFT基板10A的成为液晶显示部的部分A的方式配置密封部件30，以与该密封部件30接触的方式定位CF基板20，将CF基板20与TFT基板10A相对配置，使密封部件30固化，由此使TFT基板10A和CF基板20贴合。在此，作为使用的密封部件30，能利用热固化型的密封件、光固化型的密封件或者它们的组合等。
在本实施方式的液晶面板的制造方法中，作为TFT基板10A的基材的玻璃基板11和作为CF基板20的基材的玻璃基板21均由母玻璃基板制作。因此，在TFT基板10A上贴合CF基板20后，CF基板20的不成为液晶显示部的部分处于与TFT基板10A的不成为液晶显示部的周边部分B相对的位置。即，CF基板20以与在TFT基板10A的不成为液晶显示部的周边部分B所形成的标记焊盘50的标记区域C的主表面保持距离地相对的方式配置。
接着，如图4所示，通过照射激光而进行激光标记处理(步骤S104)。具体地，如图7所示，从CF基板20侧通过CF基板20对标记焊盘50的标记区域C照射激光100。作为所照射的激光100，适合利用例如一般的YAG(钇铝石榴石)激光、作为掺钕YAG激光的YVO4激光的基波(波长为1064nm)等。由此，构成被照射激光100的部分的标记焊盘50的标记区域C的上部层56和下部层51被局部加热而升华，形成贯通上部层56和下部层51的贯通孔58。
然后，如图4所示，进行封入液晶32的工序等各种工序(步骤S105)。接着，将TFT基板10A和CF基板20沿着图7中所示的分断线E1分断(步骤S106)，并且将CF基板20沿着图7中所示的分断线E2分断而除去不要部分(步骤S107)。通过上述工作，完成图1和图3所示的液晶面板1A的制造。
通过按照上面说明的本实施方式的液晶面板的制造方法制造液晶面板1A，即使是通过CF基板20对设于TFT基板10A上的标记焊盘50照射激光100的情况(即，进行多板处理的情况)，也能高质量地施加标记。在此，所谓高质量是指适于使用反射型或者透射型的照相机进行信息读出的情况的质量，具体地，是指适于检测利用激光100的照射所形成的贯通孔58的形状、大小、贯通孔58周缘的泛黑情况等。即，在所形成的标记为低质量的情况下，在使用反射型或者透射型的照相机进行信息读出的情况下产生二维数据码的读出错误，发生读出与原来的信息不同的信息的不良情况，在所形成的标记如本实施方式那样为高质量的情况下，可不产生读出错误地正确读出信息。
因此，通过按照本实施方式的液晶面板的制造方法制造液晶面板1A，能进行上述多板处理，因此可得到由于采用多板处理而得到的液晶面板的有效生产和低成本化这2个效果。
而且，通过按照本实施方式的液晶面板的制造方法制造液晶面板1A，能实现高质量的标记并且能采用多板处理，因此在激光标记处理时被封入液晶32的空间处于已经被密封部件30从包含周边部分B的外部隔离的状态，能防止伴随激光标记处理而升华的构成标记焊盘50的标记区域C的各种膜成为异物而侵入该空间，也能提高合格率。
另外，通过设成本实施方式的TFT基板10A以及具备TFT基板10A的液晶面板1A的构成，能形成具备适于激光标记的标记焊盘50的液晶面板用玻璃基板以及具备该液晶面板用玻璃基板的液晶面板。因此，通过使用该TFT基板10A制造液晶面板1A，能形成可正确读出序列信息、用途信息等各种信息的液晶面板。
此外，按照本实施方式的液晶面板的制造方法可进行高质量标记的机理尚不清楚，不过，可以认为其理由之一如下。即，在按照现有的方法进行多板处理的情况下，TFT基板和CF基板处于以5μm程度的微小空隙靠近配置的状态，因此处于标记焊盘的周边成为大致密闭空间而构成标记焊盘的膜难以升华的状况，并且由于被照射激光而产生的热充满该空间而引起贯通孔周边的变色，由此认为难以进行高质量的标记。但是，可以认为，通过按照本实施方式的液晶面板的制造方法进行激光标记处理，由于标记焊盘包括层叠体，上述层叠体仅包括金属膜和ITO膜，因此在标记焊盘的附近部分所施加的热影响被最佳化，促进构成标记焊盘的金属膜和ITO膜的升华，并且也抑制在大致密闭空间充满热，其结果是，可实现高质量的标记。
另外，本发明人在采用多板处理的基础上对标记焊盘的膜构成进行种种变更的情况下，通过检验标记的质量产生何种变化，由此发现本发明的膜构成(即金属膜/ITO膜的2层膜构成)是最佳的。在试作其它的膜构成(例如金属膜/绝缘膜的2层膜构成、金属膜/绝缘膜/金属膜的3层膜构成、金属膜/绝缘膜/ITO膜的3层膜构成等)进行检验的情况下，哪种情况都得不到良好的结果。
(实施方式2)
图8是本发明的实施方式2的液晶面板的示意截面图。首先，参照该图2对本实施方式的液晶面板和液晶面板用玻璃基板的结构进行说明。
如图8所示，本实施方式的液晶面板1B仅在标记焊盘50的构成上与上述的实施方式1的液晶面板1A不同。具体地，设于TFT基板10B的不成为液晶显示部的周边部分B的主表面11a上的标记焊盘50具有进行标记的标记区域C和包围该标记区域C的周围区域D，标记区域C包括层叠体，上述层叠体仅包括作为下部层51的金属膜和作为上部层56的ITO膜，作为下部层51的金属膜的周缘在周围区域D由保护绝缘膜52覆盖，而且，包括第1半导体层的第1覆盖膜53、包括第2半导体层的第2覆盖膜54以及包括金属膜的第3覆盖膜55位于该保护绝缘膜52上。
作为下部层51的金属膜包括例如铝、铜、钽、钛等的单层金属膜。也可以对作为下部层51的金属膜的主表面(即与上部层56接触的面)进行阳极氧化处理。此外，标记焊盘50的标记区域C的下部层51是与上述的TFT40的栅极电极41同时形成的，其材质和膜厚与构成TFT40的栅极电极41的金属膜相同。
标记焊盘50的标记区域C的上部层56与连接到上述TFT40的像素电极同时形成，其材质和膜厚与构成连接到TFT40的像素电极46的ITO膜相同。
位于标记焊盘50的周围区域D的保护绝缘膜52与上述的TFT40的栅极绝缘膜42同时形成，其材质和膜厚与TFT40的栅极绝缘膜42相同。
位于标记焊盘50的周围区域D的第1覆盖膜53和第2覆盖膜54分别与上述的TFT40的第1半导体层43和第2半导体层44同时形成，其材质和膜厚分别与TFT40的第1半导体层43和第2半导体层44相同。
位于标记焊盘50的周围区域D的第3覆盖膜55与上述的TFT40的源极电极45a和漏极电极45b同时形成，其材质和膜厚与TFT40的源极电极45a和漏极电极45b相同。
在此，在标记焊盘50的标记区域C设有多个贯通孔58，该贯通孔58贯通作为上部层56的ITO膜和作为下部层51的金属膜。该贯通孔58是对序列信息、用途信息等各种信息进行二维数据编码所得的孔，使用透射型或者反射型的照相机进行该信息的读出。
图9A至图12是按照本实施方式的液晶面板的制造方法制造液晶面板的情况下的生产过程的示意截面图。本实施方式的液晶面板的制造方法与上述的实施方式1的液晶面板的制造方法仅在TFT基板的制作过程上不同。因此，在上述的实施方式1中基于参照的图4制造液晶面板，所以在下面参照上述图4和图9A至图12对本实施方式的液晶面板的制造方法进行说明。
如图4所示，在本实施方式的液晶面板的制造方法中，首先，TFT基板10B的制作(步骤S101)和与TFT基板10B成对的CF基板20的制作(步骤S102)同时并行地进行。当制作CF基板20时，准备玻璃基板21，在玻璃基板21上贴附彩色滤光片并且形成相对电极，而且进行取向膜的形成，由此制作CF基板20。当制作TFT基板10B时具体进行如下处理。
首先，如图9A所示，准备包含成为液晶显示部的部分A和不成为液晶显示部的周边部分B的玻璃基板11，在其上形成金属膜，将其图案化，由此在成为液晶显示部的部分A形成TFT40的栅极电极41，在周边部分B形成标记焊盘50的下部层51。更详细地，使用例如溅射法在玻璃基板11的主表面11a上形成铝膜，使用光刻法将其图案化而形成栅极电极41和下部层51。此外，作为光刻法中的蚀刻处理能利用干式蚀刻，上述干式蚀刻使用例如BCl3+Cl2、CF4(+O2)等。在此，可以根据需要对所形成的铝膜的主面实施阳极氧化处理。
接着，如图9B所示，在玻璃基板11的主表面11a形成绝缘膜，将其图案化，由此在成为液晶显示部的部分A形成TFT40的栅极绝缘膜42，在周边部分B形成标记焊盘50的保护绝缘膜52。更详细地，使用例如PECVD法在玻璃基板11的主表面11a上形成氮化硅膜，使用光刻法将其图案化而形成栅极绝缘膜42和保护绝缘膜52。
接着，如图10A所示，在玻璃基板11的主表面11a上形成非晶硅层，将其图案化等，由此在成为液晶显示部的部分A形成第1半导体层43和第2半导体层44，在周边部分B形成作为第1覆盖膜53的第1半导体层和作为第2覆盖膜5的第2半导体层。在此，第2半导体层44和第2覆盖膜54是分别覆盖第1半导体层43的主表面的整个面和第1覆盖膜53的主表面的整个面的形状，是通过在非晶硅层的上层部适当利用离子注入法进行离子注入而形成的。此外，作为图案化时的蚀刻处理能利用干式蚀刻，上述干式蚀刻使用例如CF4+O2、CCl4+O2、SF6等。
接着，如图10A所示，在玻璃基板11的主表面11a上形成金属膜，将其图案化，由此在成为液晶显示部的部分A形成TFT40的源极电极45a和漏极电极45b，在周边部分B形成第3覆盖膜55。更详细地，使用例如溅射法在玻璃基板11的主表面11a上形成铝膜，使用光刻法将其图案化而形成源极电极45a、漏极电极45b以及第3覆盖膜55。此外，作为光刻法中的蚀刻处理能利用干式蚀刻，上述干式蚀刻使用例如BCl3+Cl2、CF4(+O2)等。
接着，如图10A所示，将源极电极45a和漏极电极45b作为掩模蚀刻第2半导体层44而将其图案化，由此在第1半导体层43中形成沟道部。此外，作为图案化时的蚀刻处理能利用干式蚀刻，上述干式蚀刻使用例如CF4+O2、CCl4+O2、SF6等。
接着，如图10B所示，形成于周边部分B的保护绝缘膜52和第1至第3覆盖膜53～55中的相当于标记区域C的部分被蚀刻除去，由此形成以作为下部层51的金属膜的主表面为底面的凹部57。由此，相当于标记区域C的部分的下部层51的主表面处于露出的状态。
接着，如图11A所示，在玻璃基板11的主表面11a上形成ITO膜，将其图案化，由此在成为液晶显示部的部分A形成与TFT40电连接的像素电极46，在周边部分B形成标记焊盘50的上部层56。更详细地，使用例如溅射法在玻璃基板11上形成ITO膜，使用光刻法将其图案化而形成像素电极46和上部层56。此外，作为光刻法中的蚀刻处理能利用湿式蚀刻，上述湿式蚀刻使用例如HCl+HNO3等。
然后，在玻璃基板11的成为液晶显示部的部分A的主表面11a上形成取向膜。通过上述工作，完成TFT基板10B的制作。
接着，如图4所示，使在步骤S101中制作的TFT基板10B和在步骤S102中制作的CF基板20贴合(步骤S103)。具体地，如图11B所示，以包围TFT基板10B的成为液晶显示部的部分A的方式配置密封部件30，以与该密封部件30接触的方式定位CF基板20，将CF基板20与TFT基板10B相对配置，使密封部件30固化，由此使TFT基板10B和CF基板20贴合。在此，作为使用的密封部件30，能利用热固化型的密封件、光固化型的密封件或者它们的组合等。
在本实施方式的液晶面板的制造方法中，作为TFT基板10B的基材的玻璃基板11和作为CF基板20的基材的玻璃基板21均由母玻璃基板制作。因此，在TFT基板10B上贴合CF基板20后，CF基板20的不成为液晶显示部的部分处于与TFT基板10B的不成为液晶显示部的周边部分B相对的位置。即，CF基板20以与在TFT基板10B的不成为液晶显示部的周边部分B所形成的标记焊盘50的标记区域C的主表面保持距离地相对的方式配置。
接着，如图4所示，通过照射激光而进行激光标记处理(步骤S104)。具体地，如图12所示，从CF基板20侧通过CF基板20对标记焊盘50的标记区域C照射激光100。作为所照射的激光100，适合利用例如一般的YAG激光、作为掺钕YAG激光的YVO4激光的基波(波长为1064nm)等。由此，构成被激光100照射的部分的标记焊盘50的标记区域C的上部层56和下部层51被局部加热而升华，形成贯通上部层56和下部层51的贯通孔58。
然后，如图4所示，进行封入液晶32的工序等各种工序(步骤S105)。接着，将TFT基板10B和CF基板20沿着图12中所示的分断线E1分断(步骤S106)，并且将CF基板20沿着图12中所示的分断线E2分断而除去不要部分(步骤S107)。通过上述工作，完成图8所示的液晶面板1B的制造。
通过按照上面说明的本实施方式的液晶面板的制造方法制造液晶面板1B，与上述的实施方式1的情况同样，即使是通过CF基板20对设于TFT基板10B上的标记焊盘50照射激光100的情况(即，进行多板处理的情况)，也能高质量地施加标记。因此，通过按照本实施方式的液晶面板的制造方法制造液晶面板1B，能进行上述多板处理，因此可得到通过采用多板处理而得到的液晶面板的有效生产和低成本化这2个效果。
另外，通过按照本实施方式的液晶面板的制造方法制造液晶面板1B，与上述的实施方式1的情况同样，能实现高质量的标记并且能采用多板处理，因此在进行激光标记处理时被封入液晶32的空间处于已经被密封部件3从包含周边部分B的外部隔离的状态，能防止伴随激光标记处理而升华的构成标记焊盘50的标记区域C的各种膜成为异物而侵入该空间，也能提高合格率。
而且，通过按照本实施方式的液晶面板的制造方法制造液晶面板1B，在为了制作TFT40而对TFT基板10B实施的蚀刻处理、成膜处理时，能由保护绝缘膜52始终保护已经成膜的作为标记焊盘50的下部层51的金属膜。因此，当进行该蚀刻处理、成膜处理时，能可靠地防止标记焊盘50的下部层51被腐蚀而劣化。
另外，通过设成本实施方式中的TFT基板10B以及具备TFT基板10B的液晶面板1B的构成，与上述实施方式1的情况同样，能形成具备适于激光标记的标记焊盘50的液晶面板用玻璃基板以及具备该液晶面板用玻璃基板的液晶面板。因此，通过使用该TFT基板10B制造液晶面板1B，能形成可正确读出序列信息、用途信息等各种信息的液晶面板。
(变形例)
图13和图14是第1和第2变形例的标记焊盘的示意截面图。该第1和第2变形例的标记焊盘50A、50B均由层叠膜构成金属膜，上述金属膜构成上述实施方式1和2的标记焊盘50的标记区域C的下部层51。
如图13所示，在第1变形例中，标记焊盘50A的标记区域C的下部层51包括例如第1金属膜51a和以覆盖该第1金属膜51a的主表面的方式形成的第2金属膜51b的2层层叠膜。该第1金属膜51a和第2金属膜51b是在形成标记焊盘50A的下部层51时使用溅射法等依次形成不同材质的金属膜而形成的。此外，在该情况下，也可以对第2金属膜51b的主表面进行阳极氧化处理。
作为第1金属膜51a适合利用例如钽膜，作为第2金属膜51b适合利用例如铝膜或者铜膜。此外，在该情况下也优选包括2层层叠膜的标记焊盘50A的标记区域C的下部层51与上述TFT40的栅极电极41同时形成，在该情况下，构成TFT40的栅极电极41的金属膜也形成为上述构成的2层层叠膜。
如图14所示，在第2变形例中，标记焊盘50B的标记区域C的下部层51包括例如第1金属膜51a、以覆盖该第1金属膜51a的主表面的方式形成的第2金属膜51b以及以覆盖该第2金属膜51b的主表面的方式形成的第3金属膜51c的3层层叠膜。该第1金属膜51a、第2金属膜51b以及第3金属膜51c是在形成标记焊盘50B的下部层51时使用溅射法等依次形成不同材质的金属膜而形成的。此外，在该情况下，也可以对第3金属膜51c的主表面进行阳极氧化处理。
作为第1金属膜51a适合利用例如钽膜，作为第2金属膜51b适合利用例如铝膜或者铜膜，作为第3金属膜51c适合利用例如钽膜。此外，在该情况下也优选包括3层层叠膜的标记焊盘50B的标记区域C的下部层51与上述的TFT40的栅极电极41同时形成，在该情况下，构成TFT40的栅极电极41的金属膜也形成为上述构成的3层层叠膜。
即使是上面说明的第1和第2变形例的情况，也能得到与上述实施方式1和2同样的效果。
图15A是示出应用本发明以多板处理进行了激光标记处理的标记焊盘的一例的放大照片，图15B是示出不应用本发明以多板处理进行了激光标记处理的标记焊盘的一例的放大照片。参照这些放大照片可理解如下情况：即使是采用多板处理的情况，通过应用本发明也能高质量地确保贯通孔的大小和形状、贯通孔周边的泛黑情况等的标记质量，而在不应用本发明的情况下，标记质量为低质量。
本次公开的上述各实施方式和变形例在所有方面是例示，而不是限制性的。本发明的技术范围由权利要求划定，另外，包含与权利要求的记载等同的意义和范围内的所有变更。
附图标记说明
1A、1B液晶面板
2信息记录部
10A、10B TFT基板
11玻璃基板
11a主表面
20CF基板
21玻璃基板
30密封部件
32液晶
40TFT
41栅极电极
42栅极绝缘膜
43第1半导体层
44第2半导体层
45a源极电极
45b漏极电极
46像素电极
50、50A、50B标记焊盘
51下部层
51a第1金属膜
51b第2金属膜
51c第3金属膜
52保护绝缘膜
53第1覆盖膜
54第2覆盖膜
55第3覆盖膜
56上部层
57凹部
58贯通孔
60字符数据部
100激光
A成为液晶显示部的部分
B周边部分
C标记区域
D周围区域
E1、E2分断线

Claims (17)

1.一种液晶面板的制造方法，具备如下工序：
准备第1液晶面板用玻璃基板(11)的工序，上述第1液晶面板用玻璃基板(11)包含成为液晶显示部的部分(A)和不成为液晶显示部的周边部分(B)；
在上述第1液晶面板用玻璃基板(11)的上述周边部分(B)的主表面上设置标记焊盘(50)的工序，上述标记焊盘(50)包含标记区域(C)，上述标记区域(C)包括层叠体，上述层叠体仅包括金属膜(51)和ITO膜(56)；
以与上述标记焊盘(50)的标记区域(C)的主表面保持距离而相对的方式在上述第1液晶面板用玻璃基板(11)上贴合与该第1液晶面板用玻璃基板(11)成对的第2液晶面板用玻璃基板(21)的工序；以及
通过上述第2液晶面板用玻璃基板(21)对上述标记焊盘(50)的标记区域(C)照射激光(100)，由此在上述标记焊盘(50)的标记区域(C)设置贯通孔(58)而进行标记的工序，上述贯通孔(58)贯通上述ITO膜(56)和上述金属膜(51)。
2.根据权利要求1所述的液晶面板的制造方法，
上述设置标记焊盘(50)的工序包含：在上述第1液晶面板用玻璃基板(11)的上述周边部分(B)的主表面上形成上述金属膜(51)的工序；以及以覆盖上述金属膜(51)的主表面和周缘的方式与上述金属膜(51)接触而形成上述ITO膜(56)的工序。
3.根据权利要求1所述的液晶面板的制造方法，
上述设置标记焊盘(50)的工序包含：在上述第1液晶面板用玻璃基板(11)的上述周边部分(B)的主表面上形成上述金属膜(51)的工序；以覆盖上述金属膜(51)的主表面和周缘的方式与上述金属膜(51)接触而形成绝缘膜(52)的工序；以成为上述金属膜(51)的主表面露出且上述金属膜(51)的周缘由上述绝缘膜(52)覆盖的状态的方式除去上述绝缘膜(52)的一部分的工序；以及以对通过除去上述绝缘膜(52)的一部分而露出的上述金属膜(51)的主表面进行覆盖的方式与上述金属膜(51)接触而形成上述ITO膜(56)的工序。
4.根据权利要求3所述的液晶面板的制造方法，
在上述设置标记焊盘(50)的工序中的上述形成绝缘膜(52)的工序中，在上述第1液晶面板用玻璃基板(11)的上述成为液晶显示部的部分(A)同时形成成为TFT的栅极绝缘膜的绝缘膜(42)。
5.根据权利要求2或3所述的液晶面板的制造方法，
在上述设置标记焊盘(50)的工序中的上述形成金属膜(51)的工序中，在上述第1液晶面板用玻璃基板(11)的上述成为液晶显示部的部分(A)同时形成成为TFT的栅极电极的金属膜(41)。
6.根据权利要求2或3所述的液晶面板的制造方法，
在上述设置标记焊盘(50)的工序中的上述形成ITO膜(56)的工序中，在上述第1液晶面板用玻璃基板(11)的上述成为液晶显示部的部分(A)同时形成成为像素电极的ITO膜。
7.根据权利要求2或3所述的液晶面板的制造方法，
上述设置标记焊盘(50)的工序中的上述形成金属膜(51)的工序包含依次层叠形成多个不同材质的膜的工序。
8.根据权利要求1所述的液晶面板的制造方法，
还具备对上述标记焊盘(50)的成为标记区域(C)的金属膜(51)的表面进行阳极氧化处理的工序。
9.一种液晶面板用玻璃基板，包含成为液晶显示部的部分(A)和不成为液晶显示部的周边部分(B)，
在上述周边部分(B)的主表面上设有标记焊盘(50)，上述标记焊盘(50)用于通过照射激光而施加标记，
上述标记焊盘(50)包含标记区域(C)，上述标记区域(C)包括层叠体，上述层叠体仅包括金属膜(51)和ITO膜(56)。
10.根据权利要求9所述的液晶面板用玻璃基板，
构成上述标记焊盘(50)的标记区域(C)的金属膜(51)的主表面和周缘由构成上述标记焊盘(50)的标记区域(C)的ITO膜(56)覆盖。
11.根据权利要求9所述的液晶面板用玻璃基板，
构成上述标记焊盘(50)的标记区域(C)的金属膜(51)的周缘由绝缘膜(52)覆盖。
12.根据权利要求11所述的液晶面板用玻璃基板，
在上述成为液晶显示部的部分(A)的主表面上设有TFT(40)，
对构成上述标记焊盘(50)的标记区域(C)的金属膜(51)的周缘进行覆盖的绝缘膜(52)和构成上述TFT(40)的栅极绝缘膜的绝缘膜(42)是在一个工序中同时形成的。
13.根据权利要求10或11所述的液晶面板用玻璃基板，
在上述成为液晶显示部的部分(A)的主表面上设有TFT(40)，
构成上述标记焊盘(50)的标记区域(C)的金属膜(51)和构成上述TFT(40)的栅极电极的金属膜(41)是在一个工序中同时形成的。
14.根据权利要求10或11所述的液晶面板用玻璃基板，
在上述成为液晶显示部的部分(A)的主表面上设有TFT(40)，
构成上述标记焊盘(50)的标记区域(C)的ITO膜(56)和构成上述像素电极的ITO膜(46)是在一个工序中同时形成的。
15.根据权利要求10或11所述的液晶面板用玻璃基板，
构成上述标记焊盘(50)的标记区域(C)的金属膜(51)包括多个不同材质的膜的层叠膜。
16.根据权利要求9所述的液晶面板用玻璃基板，
对构成上述标记焊盘(50)的标记区域(C)的金属膜(51)的表面进行了阳极氧化处理。
17.一种液晶面板，具备权利要求9所述的液晶面板用玻璃基板。
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