JP2009172626A - 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置 - Google Patents

Abstract

【課題】複数の基板を貼り合わせた積層基板をスクライブ法により分断する場合において不良を生じさせることのない電気光学装置の製造方法及び電気光学装置を提供する。
【解決手段】本発明は、第１の基板の分断領域に対応した領域内において、前記第１の基板の一方の面から所定の厚さの非改質領域を残した領域にレーザ光を照射することにより改質領域を形成し、前記第１の基板の一方の面とは反対側の他方の面上に前記第２の基板を前記接着層を介して貼着し、第２の前記分断領域に対応した領域内において、前記第２の基板の前記接着層側の面から所定の厚さの非改質領域を残した領域にレーザ光を照射することにより改質領域を形成し、記第１の基板及び前記第２の基板に前記改質領域を基点としたクラックを生じせしめ、前記第１の基板及び前記第２の基板を前記分断領域において分断することを特徴とする。
【選択図】図１６

Description

本発明は、複数の基板を貼り合わせた積層基板を具備する電気光学装置の製造方法及び電気光学装置に関する。

電気光学装置の一例としての透過型の液晶表示装置は、ガラス、石英等からなる一対の透光性を有する基板間に液晶を挟持してなる。例えば、液晶表示装置が一対のガラス基板を具備して構成される場合、この液晶表示装置に用いられるガラス基板は、液晶表示装置の最終的な大きさに比較してより大きい１枚の大判ガラス基板から切り出されることにより形成されることがある。

大判ガラス基板を分断して所定の大きさに切り出す方法としては、例えば特開２００６−９８６３６号公報に開示されているようなスクライブ法が知られている。スクライブ法は、ガラスよりも硬質な材料、例えばダイヤモンドからなるスクライブ刃の刃先によりガラス表面に線状の傷（スクライブライン）をつけ、この傷とは反対側のガラス表面を冶具により押圧することでガラスに曲げ応力を与えることにより、傷を基点とした厚さ方向のクラックを生じさせてガラスを分断するものである。

スクライブ法は、大判ガラス基板が大型化し分断する距離が長くても、他の方法に比して短時間で実行することが可能であることから、電気光学装置の製造工程において多く採用されている。

また、このスクライブ法において、割れの基点となるスクライブラインを、レーザ光の照射により形成するレーザスクライブが知られている。レーザスクライブは、所定の強度のレーザ光をガラス基板に照射することによってレーザ集光部に形成される改質層（改質領域）を連ね、該改質層を割れの基点とするものである。

ところで、電気光学装置には、その表面に傷がつくことや塵埃が付着することを防止することを目的として、その表面上に接着剤を介して保護ガラス基板が貼着されることがある。このような保護ガラス基板が貼り合わされた電気光学装置は、例えば特開２００６−１１３５３号公報に開示されている。
特開２００６−９８６３６号公報 特開２００６−１１３５３号公報

スクライブ刃によりスクライブラインを形成するスクライブ法においては、割れの基点となるスクライブラインが大判ガラス基板の一方の面の表層部のみに形成されるため、分断時のクラックの進行方向にバラツキが生じやすい。

クラックの進行方向が大判ガラス基板の表面に略直交する方向に沿わない場合、クラックの進行方向に存在する配線や素子等を破壊してしまい不良を生じさせてしまうことがある。

一方、レーザスクライブ法は、大判ガラス基板の厚さ方向全域にわたってスクライブラインを形成することが可能であるため、スクライブ刃による方法のように、クラックの進行方向が大判ガラス基板の表面に略直交する方向から逸れてしまうことがない。

しかしながら、特開２００６−１１３５３号公報に開示されているような複数の大判ガラス基板が接着剤により貼り合わされている基板を一度にレーザスクライブ法により分断する場合、レーザ光の照射に伴い発生する熱により、基板同士を貼り合わせている接着剤が変質したり、接着剤の内部に気泡が発生してしまい、外観を損ねる、表示部に気泡がかかる等の不良を生じさせてしまうことがある。

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、複数の基板を貼り合わせた積層基板をスクライブ法により分断する場合において不良を生じさせることのない電気光学装置の製造方法及び電気光学装置を提供することを目的とする。

本発明に係る電気光学装置の製造方法は、複数の基板を接着層を介して貼着してなる積層基板を所定の分断領域において分断する電気光学装置の製造方法であって、第１の基板の前記分断領域に対応した領域内において、前記第１の基板の一方の面から所定の厚さの非改質領域を残した領域にレーザ光を照射することにより改質領域を形成する第１のレーザスクライブ工程と、前記第１の基板の一方の面とは反対側の他方の面上に前記第２の基板を前記接着層を介して貼着する貼り合わせ工程と、第２の前記分断領域に対応した領域内において、前記第２の基板の前記接着層側の面から所定の厚さの非改質領域を残した領域にレーザ光を照射することにより改質領域を形成する第２のレーザスクライブ工程と、記第１の基板及び前記第２の基板に前記改質領域を基点としたクラックを生じせしめ、前記第１の基板及び前記第２の基板を前記分断領域において分断するブレイク工程と、を具備することを特徴とする。

本発明のこのような構成によれば、複数の基板を貼り合わせた積層基板をスクライブ法により分断する場合において、クラックの進行方向が分断領域から逸れてしまうことを防止し、かつレーザ光の照射によって接着層の変質や気泡の発生を防止することができ、不良の発生を防止することができるのである。

また、本発明は前記第１の基板の一方の面上には、配線及び素子を具備してなる積層構造が形成されており、かつ前記第１のレーザスクライブ工程における前記レーザ光の照射は、前記第１の基板の他方の面側から行われることが好ましい。

本発明のこのような構成によれば、レーザ光が積層構造に照射されることがないため、レーザ光が積層構造により遮光されて照射の効率が落ちることを防止するとともに、さらにレーザ光の照射に伴う熱によって積層構造に不良が発生することを防止することができる。

また本発明は、前記第２のレーザスクライブ工程における前記レーザ光の照射は、前記第２の基板の前記接着層側の面とは反対側から行われることが好ましい。

本発明のこのような構成によれば、接着層を透過してレーザ光が照射されることがなく、接着層におよぶ熱量をさらに減少させることができる。

また本発明は、前記第１のレーザスクライブ工程の後に、前記第１の基板の他方の面を洗浄する洗浄工程を具備することが好ましい。

本発明のこのような構成によれば、洗浄によって第１の基板に加えられる力によって改質領域を基点としたクラックが生じ、第１の基板が分断されてしまうことがなく、第１のレーザスクライブ工程により発生したパーティクルを確実に除去することが可能となる。

また、本発明に係る電気光学装置は、上記電気光学装置の製造方法により製造されることを特徴とする。

以下、本発明の実施形態について図１から図１６を参照して説明する。なお、以下の説明に用いた各図においては、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせてある。

まず、本実施形態に係る電気光学装置の構成について、図１、図２及び図３を参照して説明する。本実施形態では、電気光学装置の一例として駆動回路内蔵型のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）アクティブマトリクス駆動方式の透過型液晶パネルを例にとる。

図１はＴＦＴアレイ基板を、その上に構成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図である。図２は、図１のＨ−Ｈ'断面図である。図３は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。

図１及び図２に示すように、本実施形態に係る電気光学装置１００は、対向して配設された一対の基板であるＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に、液晶５０が挟持されてなる。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０は、ガラス、石英、透光性セラミック等からなる透光性を有する略矩形状の平板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられた枠状のシール材５２により相互に接着されて張り合わせられている。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔を所定値とするためのグラスファイバあるいはガラスビーズ等のギャップ材が分散して配設されている。液晶５０は、シール材５２とＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とに囲まれた領域に充填されている。

本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０は、平面的に見て対向基板２０よりも大きい形状を有して形成されている。ここで、平面的に見る視点とは、電気光学装置１００を、ＴＦＴアレイ基板１０の法線と平行であり、かつ対向基板２０の側から見た視点であり、図１と同様の視点のことを指す。図１及び図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを、シール材５２を介して位置決めして貼り合せた状態において、ＴＦＴアレイ基板１０は、平面的に見て一辺に沿う領域が対向基板２０よりも外側に張り出した張出し部１１０を有している。

ＴＦＴアレイ基板１０のシール材５２が配置されたシール領域の外側に位置し、かつ張出し部１１０が形成された一辺に沿う領域内には、データ線駆動回路１０１及び外部導通端子１０２（導通端子部）が設けられている。

外部導通端子１０２は、ＴＦＴアレイ基板１０の張出し部１１０の液晶５０側の表面上に露出して形成されている。外部導通端子１０２は、パターニングされた導電性を有する膜により形成されており、電気光学装置１００と外部装置とを電気的に接続する目的を有している。外部導通端子１０２の最表面部は、例えばＡｌ（アルミニウム）もしくはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）からなる導電性の膜により構成されている。

なお、外部導通端子１０２は、本実施例に限らず、他に例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｕ（銅）、Ａｕ（金）等を含む金属単体、合金及び金属シリサイドや、ポリシリコン等からなる導電層、またこれらを積層したものによって構成されてもよい。

例えば、図示しないが、外部導通端子１０２上に、フレキシブルプリント基板を異方性導電接着剤等を介して接続することによって、該フレキシブルプリント基板を介して、電気光学装置１００と電気光学装置１００を制御する制御回路等の外部装置との電気的接続が行われる。

枠状のシール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの辺縁としての額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。すなわち、本実施形態の電気光学装置１０では、画像表示領域１０ａの中心から見て、この額縁遮光膜５３より以遠が非表示領域として規定されている。なお、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられるものであってもよい。

走査線駆動回路１０４は、張出し部１１０が形成された一辺に隣接する２辺に沿い、かつ額縁遮光膜５３に覆われた領域内に設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０の張出し部１１０が形成された一辺に対向する辺に沿い、かつ額縁遮光膜５３に覆われた領域には、複数の配線１０５が設けられている。該配線１０５によって、二つの走査線駆動回路１０４は、互いに電気的に接続されている。

また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも一箇所は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との電気的接続を行う上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらの上下導通材１０６に対応する領域において上下導通端子が設けられている。上下導通材１０６と上下導通端子を介して、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な接続が行われる。

ＴＦＴアレイ基板１０の液晶５０側の表面上であり、かつ画像表示領域１０ａ内の領域には、図示しないが走査線及びデータ線等の配線、及び走査線及びデータ線の交差に対応して設けられた画素スイッチング用の素子であるＴＦＴが積層構造を有して形成されている。図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶５０側の表面上には、ＴＦＴに対応して複数の画素電極９ａが形成されており、さらに画素電極９ａ上には配向膜１６が形成されている。

配向膜１６は、有機材料又は無機材料からなり液晶５０の配向状態を規制する膜である。配向膜１６が有機材料により構成される場合、配向膜１６は、例えばポリイミドからなる樹脂膜にラビング処理を施すことにより形成される。また配向膜１６が無機材料により構成される場合、配向膜１６は、例えばＳｉＯ_２、ＳｉＯ、ＭｇＦ_２等の無機材料によって構成され、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶５０側の表面に対し所定の角度をもってＳｉＯ_２、ＳｉＯ、ＭｇＦ_２等の無機材料を蒸着する、いわゆる斜方蒸着法によって形成される。

他方、対向基板２０の液晶５０側の表面上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜２２が形成されている。配向膜２２は、配向膜１６と同様に、有機材料又は無機材料からなり液晶５０の配向状態を規制する膜である。配向膜２２が有機材料により構成される場合、配向膜２２は、例えばポリイミドからなる樹脂膜にラビング処理を施すことにより形成される。また配向膜２２が無機材料により構成される場合、配向膜２２は、例えばＳｉＯ_２、ＳｉＯ、ＭｇＦ_２等の無機材料によって構成され、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶５０側の表面に対し所定の角度をもってＳｉＯ_２、ＳｉＯ、ＭｇＦ_２等の無機材料を蒸着する、いわゆる斜方蒸着法によって形成される。

液晶５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜１６及び２２の間で、所定の配向状態をとる。

次に、図３を参照して、上述した電気光学装置１００の電気的な構成について説明する。図３に示すように、本実施形態における電気光学装置１００の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されている。

ＴＦＴ３０のゲート３ａには、走査線１１ａが電気的に接続されている。走査線１１ａには、走査線駆動回路１０４により、走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが、所定のタイミングで順次供給される。走査線１１ａを介してゲート３ａに走査信号が供給されることにより、当該走査線１１ａに電気的に接続された複数のＴＦＴ３０はＯＮ状態となる。

ＴＦＴ３０のソースには、画像信号が供給されるデータ線６ａが電気的に接続されており、ＴＦＴ３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。データ線６ａには、データ線駆動回路１０１により、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが、所定のタイミングで順次供給される。ここで、データ線６ａに供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、走査信号が供給されることによってＯＮ状態となったＴＦＴ３０に電気的に接続された画素電極９ａに書き込むべき所定レベルの電位を有する信号である。

画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが書き込まれた画素電極９ａと、対向基板に形成された対向電極２１との間の電位差、すなわち液晶５０に印加される電圧に応じて、液晶５０の分子集合の配向や秩序が変化する。これにより、液晶５０を透過する光が変調され、当該画素における階調表示が可能となる。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加される。

また各画素における画像信号の保持時間を長くするために、画素電極９ａには、蓄積容量７０の一方の電極が電気的に接続される。該蓄積容量７０の他方の電極は、走査線１１ａに並んで設けられ所定の電位とされた容量配線４００に電気的に接続されている。

また、本実施形態の電気光学装置１００は、図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０のそれぞれの液晶５０とは反対側となる面上に、ＴＦＴアレイ基板側カバーガラス３１及び対向基板側カバーガラス３２が接着層３３及び３４を介して貼着されている。

ＴＦＴアレイ基板側カバーガラス３１及び対向基板側カバーガラス３２は、ガラス、石英、透光性セラミック等からなる透光性を有する略矩形状の平板であり、それぞれＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０と略同一の平面形状を有する。接着層３３及び３４は、透光製を有するシリコーン樹脂、エポキシ樹脂等からなる接着剤により構成されている。

このＴＦＴアレイ基板側カバーガラス３１及び対向基板側カバーガラス３２は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０に傷がつくことや塵埃が付着することを防止する。また、ＴＦＴアレイ基板側カバーガラス３１及び対向基板側カバーガラス３２が配設されていることにより、例えば電気光学装置１００がプロジェクタ等の投射型表示装置の光変調装置として用いられた場合には、電気光学装置１００に付着する塵埃のデフォーカス量を大きくすることができ、塵埃の像への影響を低減することができる。

なお、上述したＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置１００の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。

以下に、上述した構成を有する本実施形態の電気光学装置１００の製造方法を図４から図１６を参照して説明する。

図４は、大判基板から電気光学装置を切り出す前の状態を説明する図である。図５は、大判基板を分断する分断領域を説明するための平面図である。図６は、電気光学装置の製造工程を説明するフローチャートである。図７から図１４は、図５におけるVII−VII断面について各工程を順を追って説明する図である。図１５は、マザー基板に施されたレーザスクライブの状態を説明する図である。図１６は、カバーガラス基板に施されたレーザスクライブの状態を説明する図である。

なお、各図中おいて、本実施形態の電気光学装置１００の製造方法における重力の方向は特に示していない。すなわち、各図における各構成要素の配置はそれぞれの相対的な位置関係を示すものであり、重力中における上下関係を示すものではない。

本実施形態に係る電気光学装置１００は、複数の電気光学装置１００となる構成要素が一体に形成された後にそれぞれ個片に分断されることで形成される。すなわち、電気光学装置１００は、いわゆる大判基板から多面取りを行う方法により形成される。

概略的には、図４に示すように、第１の基板であるマザー基板３５の第１の面３５ａ上に、複数のＴＦＴアレイ基板１０を構成する積層構造１０ｂを行列状に連なった状態で形成し、さらにこの複数の積層構造１０ｂのそれぞれの上に上述した電気光学装置１００を構成する液晶５０、対向基板２０及び対向基板側カバーガラス３２等を配設する。また、マザー基板３５の第１の面３５ａとは反対側の第２の面３５ｂ上に第２の基板であるカバーガラス基板４０を貼り合わせる。

本実施形態では、マザー基板３５は、オリエンテーションフラット（Orientation Flat:以下オリフラと略称する）３５ｃを有するウェハ状の略円板形状を有する。以下の説明においては、マザー基板３５の第１の面３５ａ上においてオリフラ３５ｃと平行な軸をＸ軸とし、第１の面３５ａ上において該Ｘ軸と直交する軸をＹ軸とする。また、Ｘ軸及びＹ軸に直交する軸をＺ軸とする。

複数の積層構造１０ｂは、マザー基板３５の第１の面３５ａ上においてＸ軸及びＹ軸に沿う行列状に配列される。

そして、図５に示すように、マザー基板３５及びカバーガラス基板４０を貼り合わせてなる積層基板を、Ｘ軸に沿うように延在する複数の分断領域１２０と、Ｙ軸に沿うように延在する複数の分断領域１３０とにおいて分断することにより、上述した電気光学装置１００がマザー基板３５及びカバーガラス基板４０からなる大判基板から切り出される。

なお、本実施形態では、マザー基板３５は略円板形状のものとしているが、マザー基板３５の形状はこの形状に限られるものではない。例えば、矩形状の平板によりマザー基板３５が構成されるものであってもよい。また、マザー基板３５及びカバーガラス基板４０を分断する分断領域１２０及び１３０は、電気光学装置１００の平面形状に応じてその形態が適宜に変更されるものであり、例えば曲線状であってもよい。

以下に、本実施形態に係る電気光学装置１００の製造方法の詳細を図６のフローチャートに沿って説明する。

まず、ステップＳ０１において、図７に示すように、マザー基板３５の第１の面３５ａ上に、複数の積層構造１０ｂを、行及び列方向にそれぞれ所定の間隔で行列状に配列して形成する積層構造形成工程を実施する。

ここで積層構造１０ｂは、上述のように、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶５０側表面上に形成される構成であって、配向膜１６、画素電極９ａ、走査線１１ａ、データ線６ａ、容量配線４００、蓄積容量７０、ＴＦＴ３０、外部導通端子１０２等を有して構成されるものである。

積層構造１０ｂを形成する詳細の工程については、公知の液晶表示装置の製造工程と同様であるため、説明を省略する。

次に、ステップＳ０２において、図８に示すように、複数の対向基板２０を、シール材５２を介して積層構造１０ｂ上に貼り合せ、マザー基板３５と複数の対向基板２０との間に液晶５０を充填する対向基板貼り合わせ工程を実施する。

ここで、対向基板２０には、あらかじめ別工程において、液晶５０側表面上に、対向電極２１及び配向膜２２を形成しておく。マザー基板３５と対向基板２０との間に液晶５０を充填する方法は、液晶注入方式又は液晶滴下方式を適用可能であり、特に限定されるものではない。

次に、ステップＳ０３において、図９に示すように、複数の対向基板２０の液晶５０とは反対側の面上に、対向基板側カバーガラス３２を、接着層３４により貼り合わせる対向基板側カバーガラス貼り合わせ工程を実施する。接着層３４は、液状の接着剤であって対向基板２０と対向基板側カバーガラス３２との間に充填される形態であってもよいし、フィルム状であって対向基板２０と対向基板側カバーガラス３２との間に介装される形態のものであってもよい。

次に、ステップＳ０４において、図１０に示すように、マザー基板３５の分断領域１２０及び１３０において、マザー基板３５の表面又は内部にレーザ照射装置１４０を用いてレーザ光Ｌを集光し該集光位置を走査することによって、マザー基板３５の第２の面３５ｂ側に改質層１４１（改質領域）を形成するマザー基板レーザスクライブ工程（第１のレーザスクライブ工程）を実施する。

レーザ光Ｌの照射は、全ての分断領域１２０及び１３０について、厚さ方向、すなわちＺ軸に略平行にマザー基板３５の第２の面３５ｂ上から所定の深さｔ１にまで改質層１４１が形成されるように焦点位置を調整しながら行われる。ここで、深さｔ１は、マザー基板３５の厚さｔｍよりも所定の値ｔ２だけ小さい値とされる。

すなわち、ステップＳ０４においては、図１５に示すように、いわゆるレーザスクライブ法により、マザー基板３５の分断領域１２０及び１３０に、第２の面３５ｂ上からの深さｔ１にまで達する改質層１４１が形成される。言い換えれば、マザー基板３５の分断領域１２０及び１３０においては、第１の面３５ａ側にレーザの照射による改質がなされていない厚さｔ２の非改質層（非改質領域）が残されている。

本実施形態では、このようにレーザ光Ｌの照射を積層構造１０ｂが形成された第１の面３５ａとは反対側の第２の面側から行うことにより、レーザ光Ｌが積層構造１０ｂに照射されることがない。このため、レーザ光Ｌが積層構造１０ｂにより遮光されて照射の効率が落ちることを防止するとともに、さらにレーザ光Ｌの照射に伴う熱が積層構造１０ｂにおよんで積層構造１０ｂに不良が発生することを防止することができる。

次に、ステップＳ０５において、図１１に示すように、マザー基板３５の第２の面３５ｂ上を、洗浄液を供給しつつ洗浄ブラシ１５０によりスクラブすることによって、ウェットスクラブ洗浄する洗浄工程を実施する。この洗浄工程により、ステップＳ０４においてチッピングにより発生したパーティクルが第２の面３５ｂ上から除去される。

この洗浄工程において、洗浄ブラシ１５０がマザー基板３５を押圧する力が発生するが、この押圧力は、マザー基板３５を第２の面３５ｂ側から押圧する方向に加えられる。言い換えれば、洗浄工程においては、マザー基板３５に対して、スクライブラインとなる改質層１４１が形成された面側に押圧力が加えられるものであるが、この場合において、押圧される面とは反対側となる第１の面３５ａ上にはクラックの基点となる改質層が形成されていないため、クラックが発生してマザー基板３５が分断してしまうことはない。

次に、ステップＳ０６において、図１２に示すように、マザー基板３５の第２の面３５ｂ上に、カバーガラス基板４０の第１の面４０ａ側を接着層３３により貼り合わせるカバーガラス基板貼り合わせ工程を実施する。接着層３３は、液状の接着剤であってマザー基板３５とカバーガラス基板４０との間に充填される形態であってもよいし、フィルム状であってマザー基板３５とカバーガラス基板４０との間に介装される形態のものであってもよい。

次に、ステップＳ０７において、図１３に示すように、カバーガラス基板の分断領域１２０及び１３０において、カバーガラス基板４０の表面又は内部にレーザ照射装置１４０を用いてレーザ光Ｌを集光し該集光位置を走査することによって、カバーガラス基板４０のマザー基板３５に対向する第１の面４０ａ面とは反対側の第２の面４０ｂ側に、改質層１４２（改質領域）を形成するカバーガラス基板レーザスクライブ工程（第２のレーザスクライブ工程）を実施する。

ここで、マザー基板３５とカバーガラス基板４０とが貼り合わされた状態の大判基板を、Ｚ軸に沿う方向から見た場合、マザー基板３５及びカバーガラス基板４０にそれぞれレーザスクライブ法により形成された改質層１４１及び１４２は、重なり合っている。

レーザ光Ｌの照射は、全ての分断領域１２０及び１３０について、厚さ方向、すなわちＺ軸に略平行にカバーガラス基板４０の第２の面４０ｂ上から所定の深さｔ３にまで改質層１４２が形成されるように焦点位置を調整しながら行われる。ここで、深さｔ３は、カバーガラス基板４０の厚さｔｃよりも所定の値ｔ４だけ小さい値とされる。

すなわち、ステップＳ０７においては、図１６に示すように、いわゆるレーザスクライブ法により、カバーガラス基板４０の分断領域１２０及び１３０に、第２の面４０ｂ上からの深さｔ３にまで達する改質層１４２が形成される。

言い換えれば、カバーガラス基板４０の分断領域１２０及び１３０においては、第１の面４０ａ側にレーザの照射による改質がなされていない厚さｔ４の非改質層（非改質領域）が残されているのである。つまり、ステップＳ０７での、カバーガラス基板４０の厚さ方向についてのレーザ光Ｌの照射範囲の末端は、接着層３３から距離ｔ４だけ離間している。

次に、ステップＳ０８において、カバーガラス基板４０のある分断領域１２０又は１３０において、カバーガラス４０の第２の面４０ｂ側を外側として曲げる方向（図１４中矢印Ｂ方向）に力を加える、すなわち、当該分断領域のカバーガラス４０の第２の面４０ｂ側を、当該分断領域を境として互いに離間する方向（図１４中矢印Ｆ方向）に力を加えることにより、マザー基板３５及びカバーガラス基板４０を分断するブレイク工程を実施する。

ここで、カバーガラス基板４０は、分断領域１２０又は１３０において、加えられる力により第２の面４０ｂ側に形成された改質層１４２を基点としてクラックが厚さ方向に進行し第１の面４０ａに到達することで分断される。また同様に、マザー基板３５は、分断領域１２０又は１３０において、加えられる力により第２の面３５ｂ側に形成された改質層１４１を基点としてクラックが厚さ方向に進行し第１の面３５ａ到達することで分断される。

このブレイク工程を、全ての分断領域１２０及び１３０において実施することにより、マザー基板３５及びカバーガラス基板４０からなる大判基板から、複数の電気光学装置１００が個片として切り出される。

以上に説明した電気光学装置１００の製造方法においては、マザー基板３５とカバーガラス基板４０とが貼り合わされてなる大判基板を分断する場合において、マザー基板３５及びカバーガラス基板４０に形成されたスクライブラインである改質層１４１及び１４２は、所定の深さで形成される。

このため、本実施形態においては、従来のスクライブ刃によりスクライブラインを形成するガラス基板の分断方法に比べて、ブレイク時のクラックの基点をよりガラス基板の厚さ方向に深い位置とすることができる。

よって、本実施形態によれば、ブレイク工程時におけるマザー基板３５及びカバーガラス基板４０のクラックの進行方向が厚さ方向から逸れてしまったとしても、従来に比してクラックが分断領域１２０又は１３０から逸れる量を大幅に減少させることが可能となる。

また、本実施形態によれば、マザー基板３５に対して行われるレーザスクライブは接着層３３を配設する前に行われ、かつカバーガラス基板４０に行われるレーザスクライブはレーザ光Ｌの集光位置が接着層３３にまで到達しないように接着層３３側に所定の厚さの非改質層を残して行われる。

すなわち、本実施形態においては、レーザスクライブを行う場合に、マザー基板３５とカバーガラス基板４０とを貼り合わせるための接着層３３の近傍には、レーザ光Ｌが集光されることがない。

よって、本実施形態によれば、レーザスクライブのレーザ光Ｌの照射に伴って接着層３３に与えられる熱量を従来に比して減少させることが可能であり、熱による接着層３３の変質や、気泡の発生を防止することが可能となる。

以上のように、本実施形態の電子光学装置１００の製造方法によれば、複数の基板を貼り合わせた積層基板をスクライブ法により分断する場合において、クラックの進行方向が分断領域１２０又は１３０から逸れて配線や素子が破壊されてしまうことを防止し、かつ接着層３３の変質や気泡の発生を防止することにより、不良の発生を防止することができるのである。

また、本実施形態によれば、クラックが分断領域１２０又は１３０から逸れる量を減少させることが可能であることから、マザー基板３５の第１の面３５ａ上に形成する複数の積層構造１０ｂの間隔を従来よりも小さくすることが可能となり、従来と同一の大きさのマザー基板３５からより多くの電気光学装置１００を切り出すことができる。

なお、上述した実施形態の電気光学装置の製造方法においては、マザー基板３５及びカバーガラス基板４０からなる大判基板から複数の電気光学装置１００が切り出されるものとして説明しているが、本発明はこのようないわゆる多面取りにおける基板の分断に限らず、電気光学装置の外形が所定の形状となるように基板周囲を分断する場合にも適用可能である。

また、上述の実施形態では、ＴＦＴを用いたアクティブマトリクス駆動方式の透過型液晶パネルを電気光学装置１００として説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、スイッチング素子としてＴＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）を用いたアクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置や、パッシブマトリクス駆動方式（単純マトリクス駆動方式とも称される）を採用した電気光学装置にも本発明を適用可能である。また、本発明は透過型の電気光学装置に限られるものではなく、反射型、半透過半反射型又は自発光型等の電気光学装置にも本発明を適用可能である。

例えば、本発明は、ＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）装置、ＳＥＤ(Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ)装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、または液晶シャッター等を用いた装置などの各種の電気光学装置の製造方法に適用できる。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置の製造方法及び電気光学装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

ＴＦＴアレイ基板を、その上に構成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図である。 図１のＨ−Ｈ'断面図である。 画像表示領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。 大判基板から電気光学装置を切り出す前の状態を説明する図である。 大判基板を分断する分断領域を説明するための平面図である。 電気光学装置の製造工程を説明するフローチャートである。 図５におけるVII−VII断面について各工程を順を追って説明する図である。 図５におけるVII−VII断面について各工程を順を追って説明する図である。 図５におけるVII−VII断面について各工程を順を追って説明する図である。 図５におけるVII−VII断面について各工程を順を追って説明する図である。 図５におけるVII−VII断面について各工程を順を追って説明する図である。 図５におけるVII−VII断面について各工程を順を追って説明する図である。 図５におけるVII−VII断面について各工程を順を追って説明する図である。 図５におけるVII−VII断面について各工程を順を追って説明する図である。 マザー基板に施されたレーザスクライブの状態を説明する図である。 カバーガラス基板に施されたレーザスクライブの状態を説明する図である。

符号の説明

３３ 接着層、 ３５ マザー基板、 ４０ カバーガラス基板、 １２０ 分断領域、 １４１ 改質層、 １４２ 改質層

Claims (5)

1. 複数の基板を接着層を介して貼着してなる積層基板を所定の分断領域において分断する電気光学装置の製造方法であって、
   第１の基板の前記分断領域に対応した領域内において、前記第１の基板の一方の面から所定の厚さの非改質領域を残した領域にレーザ光を照射することにより改質領域を形成する第１のレーザスクライブ工程と、
   前記第１の基板の一方の面とは反対側の他方の面上に前記第２の基板を前記接着層を介して貼着する貼り合わせ工程と、
   第２の前記分断領域に対応した領域内において、前記第２の基板の前記接着層側の面から所定の厚さの非改質領域を残した領域にレーザ光を照射することにより改質領域を形成する第２のレーザスクライブ工程と、
   記第１の基板及び前記第２の基板に前記改質領域を基点としたクラックを生じせしめ、前記第１の基板及び前記第２の基板を前記分断領域において分断するブレイク工程と、
   を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
2. 前記第１の基板の一方の面上には、配線及び素子を具備してなる積層構造が形成されており、かつ前記第１のレーザスクライブ工程における前記レーザ光の照射は、前記第１の基板の他方の面側から行われることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
3. 前記第２のレーザスクライブ工程における前記レーザ光の照射は、前記第２の基板の前記接着層側の面とは反対側から行われることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置の製造方法。
4. 前記第１のレーザスクライブ工程の後に、前記第１の基板の他方の面を洗浄する洗浄工程を具備することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
5. 上記請求項１から４のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法を用いて製造されることを特徴とする電気光学装置。

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