JPWO2009099138A1 - 半導体ウエハの洗浄方法および洗浄装置 - Google Patents
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Abstract
Description
この様な中にあって、RCA洗浄法が開発され、ウエハ洗浄に大きく貢献してきた。RCA洗浄法は、過酸化水素(H2O2)をベースとした洗浄法であり、硫酸過酸化水素水(SPM)による有機物除去、アンモニア過酸化水素水(APM)による粒子除去、塩酸過酸化水素水(HPM)による金属不純物除去、希フッ酸(DHF)による自然酸化膜および熱酸化膜除去、および超純水による最終洗浄で構成される。
硫酸過酸化水素水を用いた処理は、硫酸と過酸化水素水を組み合わせて行うものであり、主に有機物を除去するために利用されるが、金属不純物除去効果もあり、130〜150℃程度の温度で実施される。アンモニア過酸化水素水を用いた処理は、アンモニアと過酸化水素水を組み合わせて行うものであり、粒子や有機物を除去するために30〜70℃程度の温度で実施される。塩酸過酸化水素水を用いた処理は、塩酸と過酸化水素水を組み合わせて行うものであり、30℃程度の温度で、金属不純物を除去するために実施される。希フッ酸を用いた処理は、酸化膜や金属不純物を除去するために利用され、通常は室温の25℃程度で実施される。また、これらと合わせて、1MHz程度の超音波(メガソニック)などを併用することで、化学作用と物理作用の相乗効果を利用する場合もある。
今日、半導体製造を取り巻く状況としては、大きな流れとして超微細構造への推移と環境への配慮がある。このことから、より高度な清浄技術の要求と共に、現在の薬液中心の洗浄方法からの脱却が要望されている。その様な流れの中で、オゾンを水中でバブリングさせて製造される、機能水としてのオゾン水の利用が注目されている。オゾン水には有機物に対する除去効果があり、また、枚葉式を採用することで、除去対象物の除去過程でウエハが自己汚染を受けることを回避でき、洗浄効果を向上させることが期待できる。しかしながら、基本的にオゾン水によるウエハの洗浄効果は優れているとは言えないため、例えば、オゾン水の温度を上げるなどの方法を採用しなければならない(特許文献1)。けれども、このような方法には、加熱することに伴うエネルギーや時間のロスの問題がある。また、ウエハとオゾン水との間に温度差があった場合、ウエハの熱変形により基板が破壊してしまうといった問題がある。
また、請求項2記載の洗浄方法は、請求項1記載の洗浄方法において、オゾンを含有する微小気泡を含む水中に半導体ウエハを浸漬させるか、または、オゾンを含有する微小気泡を含む水を半導体ウエハにかけることで行うことを特徴とする。
また、本発明の半導体ウエハの洗浄装置は、請求項3記載の通り、電気伝導度が1μS/cm以下である純水中または前記純水に酸を添加することでpHを最大で1まで低下させた水溶液中において生成させた、粒径が50μm以下で、レーザー光遮断方式の液中パーティクルカウンターによる計測において10〜15μmに粒径のピークを有しており、そのピークの領域における個数が1000個/mL以上である、オゾンを含有する微小気泡を含む水を製造するための手段と、製造されたオゾンを含有する微小気泡を含む水を半導体ウエハの表面に接触させるための手段を少なくとも有することを特徴とする。
例えば、特開2003−265938号公報に記載の加圧溶解方式による方法に従って、4気圧の高圧下で、常温にて電気伝導度が1μS/cm以下である純水を調製し、かつ、吸入気体としてオゾンを溶解させた後、これを大気圧に開放することにより生じた溶解オゾンの過飽和条件から粒径分布が1μm〜50μmのオゾンを含む微小気泡を純水中に発生させた。この微小気泡は、レーザー光遮断方式の液中パーティクルカウンターによる計測において10〜15μmに粒径のピークを有しており、そのピークの領域における微小気泡の個数は1000個/mL以上であった。また、微小気泡のゼータ電位は約−20mVであった(電気泳動法による測定)。放出した微小気泡を含む純水は約5000mLの純水を含むビーカー中で混合され、そのビーカー中の純水は再び微小気泡の発生装置に吸引させた。この条件において、微小気泡を含む純水の排出口から5cm離れた位置にレジストを塗布したウエハ(シリコンウエハ)を設置した。ウエハは直径が約12.5cmであり、表面にノボラック樹脂を1300nmの厚さで塗布したものとした。この条件で、20分間連続して微小気泡を含む純水をウエハの表面に衝突させた。処理開始時の水温は約20℃であり、終了時の温度は約28℃であった。また、処理終了時のpHはオゾンなどの影響で弱い酸性を示しており5.47であった。水中で発生した水酸基ラジカルを、スピントラップ剤であるDMPO(5,5−ジメチル−1−ピロリン−N−オキサイド)を用いて電子スピン共鳴法で測定した結果を図3に示す。また、未処理のウエハと処理後のウエハの写真を図4に示す。また、処理前と処理後のウエハの表面をエネルギー分散型蛍光X線分析装置で解析したところ、処理前はSiが98.817%でSが1.183%であったものが、処理後ではSiが100%でSが0%となった。また、FT−IRの赤外吸収スペクトル分析からは処理前に認められたベンゼン環やC=O、C−O、C−Hなどの吸収が処理後では認められなくなった。さらに、処理後の処理槽の水をサンプリングし、高速液体クロマトグラフィーを用いて、レジストとしてウエハに塗布したノボラック樹脂およびその分解産物として知られているフェノール、クレゾール、ジメチルフェノールが含まれているか分析した結果、これらの有機物の存在は認められなかった。このことは、ノボラック樹脂が炭酸ガスと水にまで極めて効果的に分解されたことによるものと考察された。なお、このような結果は、処理前において純水に塩酸を加えてpHを1.65に低下させた場合においても、また、水温を50℃以上に高めた場合においても、さらに両者を同時に行った場合においても同様に認められた。
自体公知の微小気泡発生装置(必要であれば特開2003−265938号公報を参照のこと)を使用して、粒径分布が50μm以下で、レーザー光遮断方式の液中パーティクルカウンターによる計測において10〜15μmに粒径のピークを有しており、そのピークの領域における微小気泡の個数が1000個/mL以上のオゾンを含む微小気泡を、電気伝導度が1μS/cm以下である純水中に連続的に発生させながら、表面にノボラック樹脂を1300nmの厚さで塗布した直径8インチのウエハに対して、この水を流水状態で掛け流した。水の排出口からウエハまでの距離は約5cmとした。ウエハからこぼれ落ちた水は約3000Lの水を含むビーカーに溜めた後、再度、微小気泡発生装置に吸引させることで循環して利用した。なお、循環水としては室温条件の純水(電気伝導度は1μS/cm以下)を利用した。この条件で実験を20分間継続した。処理前と処理後のウエハの表面をエネルギー分散型蛍光X線分析装置で解析したところ、処理前はSiが98.767%でSが1.233%であったものが、処理後ではSiが100%でSが0%となった。なお、このような結果は、処理前において純水に塩酸を加えてpHを1.62に低下させた場合においても、また、水温を50℃以上に高めた場合においても、さらに両者を同時に行った場合においても同様に認められた。
従来法であるオゾン水を利用してレジストを塗布した半導体ウエハの洗浄試験を実施した。5000mLのビーカー中に満たした電気伝導度が1μS/cm以下である純水中に、散気管を利用して室温条件下でオゾンを放出した。使用したオゾン発生装置はオゾン量が5g/Lであり、気体量は2L/分とした。実施例1と実施例2ではこの気体量の約半分を利用したが、この試験では装置から発生した気体量の全てを散気管から放出した。試験はビーカー内のオゾンが飽和状態になったのを確認した後に半導体ウエハをビーカー内に設置して、オゾンを連続的に供給しながら20分間試験を継続した。処理前と処理後のウエハの表面をエネルギー分散型蛍光X線分析装置で解析したところ、処理前はSiが98.878%でSが1.222%であったものが、処理後ではSiが98.947%でSが1.053%となり、レジストを完全に除去することができなかった。実施例1と比較例1の結果から、本発明の洗浄方法は、従来法であるオゾン水を用いた方法に比べて7倍以上の洗浄能力を持つことがわかった。
Claims (3)
- 電気伝導度が1μS/cm以下である純水中または前記純水に酸を添加することでpHを最大で1まで低下させた水溶液中において生成させた、粒径が50μm以下で、レーザー光遮断方式の液中パーティクルカウンターによる計測において10〜15μmに粒径のピークを有しており、そのピークの領域における個数が1000個/mL以上である、オゾンを含有する微小気泡を含む水を、半導体ウエハの表面に接触させて行うことを特徴とする半導体ウエハの洗浄方法。
- オゾンを含有する微小気泡を含む水中に半導体ウエハを浸漬させるか、または、オゾンを含有する微小気泡を含む水を半導体ウエハにかけることで行うことを特徴とする請求項1記載の洗浄方法。
- 電気伝導度が1μS/cm以下である純水中または前記純水に酸を添加することでpHを最大で1まで低下させた水溶液中において生成させた、粒径が50μm以下で、レーザー光遮断方式の液中パーティクルカウンターによる計測において10〜15μmに粒径のピークを有しており、そのピークの領域における個数が1000個/mL以上である、オゾンを含有する微小気泡を含む水を製造するための手段と、製造されたオゾンを含有する微小気泡を含む水を半導体ウエハの表面に接触させるための手段を少なくとも有することを特徴とする半導体ウエハの洗浄装置。
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JP2011050931A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-17 | Reo Laboratory Co Ltd | 水中における水酸基ラジカルの生成方法 |
US20110130009A1 (en) * | 2009-11-30 | 2011-06-02 | Lam Research Ag | Method and apparatus for surface treatment using a mixture of acid and oxidizing gas |
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WO2012090815A1 (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-05 | シャープ株式会社 | レジスト除去装置及びレジスト除去方法 |
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US20170125240A1 (en) * | 2014-03-31 | 2017-05-04 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Method for manufacturing semiconductor and method for cleaning wafer substrate |
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