JP7426620B2 - ウエハ基板の洗浄方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 61
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 67
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 59
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 39
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 claims description 35
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 22
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 10
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 31
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 14
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 12
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 5
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 4
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000011978 dissolution method Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004968 peroxymonosulfuric acids Chemical class 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 2
- 230000005514 two-phase flow Effects 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical group [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCKXCAADGDQQCS-UHFFFAOYSA-N Performic acid Chemical compound OOC=O SCKXCAADGDQQCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005588 protonation Effects 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
(1)硫酸の添加量:発生させる微小気泡の総個数をx個/mLとした場合に硫酸の濃度(vol%)が1500/x~15000/xの範囲になる量
(2)カルボン酸の添加量:発生させる微小気泡の総個数をx個/mLとした場合にカルボン酸が有するカルボキシル基の濃度(mol/L)が250/x~2500/xの範囲になる量
また、請求項2記載の洗浄方法は、請求項1記載の洗浄方法において、カルボン酸が、酢酸、シュウ酸、クエン酸から選択される少なくとも1種である。
また、請求項3記載の洗浄方法は、請求項1または2記載の洗浄方法において、発生させる微小気泡の総個数が1500~10000個/mLである。
また、請求項4記載の洗浄方法は、請求項1乃至3のいずれかに記載の洗浄方法において、洗浄方式が枚葉スピン式である。
(1)硫酸の添加量:発生させる微小気泡の総個数をx個/mLとした場合に硫酸の濃度(vol%)が1500/x~15000/xの範囲になる量
(2)カルボン酸の添加量:発生させる微小気泡の総個数をx個/mLとした場合にカルボン酸が有するカルボキシル基の濃度(mol/L)が250/x~2500/xの範囲になる量
(試験方法)
半導体製造設備としての条件を満たしたクリーンルーム内にて、電気伝導度が約0.06μS/cmの超純水中で、加圧溶解型のマイクロバブル発生装置を用い、オゾンを含有する粒径が50μm以下の微小気泡を発生させた。用いたマイクロバブル発生装置はオールテフロン(登録商標)製とし、半導体製造において存在が問題となる固体微粒子や金属イオンなどを発生させないようにした。マイクロバブル発生装置への超純水の供給量は約2L/分とした。超純水に供給するオゾンガスの濃度は約350g/Nm3、供給量は約1L/分とした。水温25℃において発生させたオゾンを含有する微小気泡は、レーザー光遮断方式の液中パーティクルカウンター(SPM社製のLiQuilaz-E20)による計測において約10μmに粒径のピークを有しており、そのピークの領域における微小気泡の個数は3000個/mL以上であって、50μm以下の微小気泡の総個数は約5000個/mLであった。この条件設定の下で、マイクロバブル発生装置に供給する超純水に硫酸を様々な濃度で添加し、得られたオゾンを含有する微小気泡を含む水(pH:0~1.5)を用いたウエハ基板の洗浄効果(ウエハ基板上に存在するフォトレジストの除去効果)を調べた。洗浄対象は、全面にKrF用のフォトレジストを約1.0μmの膜厚で形成した後、ホウ素をE14レベルで打ち込んだ、直径が200mmのウエハ基板とした。ウエハ基板の洗浄方式として枚葉スピン式を採用し、洗浄対象のウエハ基板を、ターンテーブル上で約200回転/分の速度で回転させながらその中心部にオゾンを含有する微小気泡を含む水を掛け流すことで洗浄した。なお、マイクロバブル発生ノズルの直前で供給する超純水を急速加熱することで、オゾンを含有する微小気泡を含む水の温度を約70℃とした。
硫酸を添加しない超純水中で発生させたオゾンを含有する微小気泡を含む水を用いてウエハ基板を洗浄した場合、ウエハ基板上に存在するフォトレジストを完全に除去するために要した時間は約6分であったが、濃度が0.3~3vol%の範囲になるように超純水に硫酸を添加した水中で発生させたオゾンを含有する微小気泡を含む水を用いてウエハ基板を洗浄した場合、ウエハ基板上に存在するフォトレジストを完全に除去するために要した時間は約1分であった。ホウ素を打ち込んだフォトレジストの表面の少なくとも一部には硬化変質層が形成されていると考えられるにもかかわらず、約1分という短時間で完全に除去することができたのは驚きであった。しかしながら、硫酸の濃度が0.3vol%よりも薄くても3vol%よりも濃くても、ウエハ基板上に存在するフォトレジストを完全に除去するために要する時間は1分よりも長くなった。
(試験方法と試験結果)
硫酸の代わりに、カルボン酸として、酢酸、シユウ酸、クエン酸のいずれかを、様々な濃度でマイクロバブル発生装置に供給する超純水に添加すること以外は試験例1と同様にして、得られるオゾンを含有する微小気泡を含む水(pH:2~4)を用いたウエハ基板の洗浄効果(ウエハ基板上に存在するフォトレジストの除去効果)を調べたところ、いずれのカルボン酸の場合も、カルボキシル基の濃度が0.05~0.5mol/L(酢酸の濃度として0.3~3wt%、シユウ酸の濃度として0.23~2.3wt%、クエン酸の濃度として0.32~3.2wt%に相当)の範囲になるように超純水にカルボン酸を添加した水中で発生させたオゾンを含有する微小気泡を含む水を用いてウエハ基板を洗浄した場合、ウエハ基板上に存在するフォトレジストを完全に除去するために要した時間は約1分であった。しかしながら、いずれのカルボン酸の場合も、カルボキシル基の濃度が0.05mol/Lよりも薄くても0.5mol/Lよりも濃くても、ウエハ基板上に存在するフォトレジストを完全に除去するために要する時間は1分よりも長くなった。
Claims (4)
- 電気伝導度が1μS/cm以下である純水に、下記の数式を満たす量の硫酸またはカルボン酸を添加した水中で発生させた、粒径が50μm以下で、レーザー光遮断方式の液中パーティクルカウンターによる計測において5~15μmに粒径のピークを有しており、そのピークの領域における個数が1000個/mL以上である、オゾンを含有する微小気泡を含む水を、ウエハ基板の表面に接触させて行うウエハ基板の洗浄方法。
(1)硫酸の添加量:発生させる微小気泡の総個数をx個/mLとした場合に硫酸の濃度(vol%)が1500/x~15000/xの範囲になる量
(2)カルボン酸の添加量:発生させる微小気泡の総個数をx個/mLとした場合にカルボン酸が有するカルボキシル基の濃度(mol/L)が250/x~2500/xの範囲になる量 - カルボン酸が、酢酸、シュウ酸、クエン酸から選択される少なくとも1種である請求項1記載の洗浄方法。
- 発生させる微小気泡の総個数が1500~10000個/mLである請求項1または2記載の洗浄方法。
- 洗浄方式が枚葉スピン式である請求項1乃至3のいずれかに記載の洗浄方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020009558A JP7426620B2 (ja) | 2020-01-23 | 2020-01-23 | ウエハ基板の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021118235A JP2021118235A (ja) | 2021-08-10 |
JP7426620B2 true JP7426620B2 (ja) | 2024-02-02 |
Family
ID=77175429
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7426620B2 (ja) |
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-
2020
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---|---|
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