JPWO2008155928A1 - 光硬化性組成物および表面に微細パターンを有する成形体の製造方法 - Google Patents

光硬化性組成物および表面に微細パターンを有する成形体の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2008155928A1
JPWO2008155928A1 JP2009520366A JP2009520366A JPWO2008155928A1 JP WO2008155928 A1 JPWO2008155928 A1 JP WO2008155928A1 JP 2009520366 A JP2009520366 A JP 2009520366A JP 2009520366 A JP2009520366 A JP 2009520366A JP WO2008155928 A1 JPWO2008155928 A1 JP WO2008155928A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
compound
photocurable composition
mass
mold
meth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009520366A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5387406B2 (ja
Inventor
泰秀 川口
泰秀 川口
角崎 健太郎
健太郎 角崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
Priority to JP2009520366A priority Critical patent/JP5387406B2/ja
Publication of JPWO2008155928A1 publication Critical patent/JPWO2008155928A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5387406B2 publication Critical patent/JP5387406B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10Esters
    • C08F220/20Esters of polyhydric alcohols or phenols, e.g. 2-hydroxyethyl (meth)acrylate or glycerol mono-(meth)acrylate
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • B29C59/022Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing characterised by the disposition or the configuration, e.g. dimensions, of the embossments or the shaping tools therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10Esters
    • C08F220/12Esters of monohydric alcohols or phenols
    • C08F220/16Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms
    • C08F220/18Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms with acrylic or methacrylic acids
    • C08F220/1811C10or C11-(Meth)acrylate, e.g. isodecyl (meth)acrylate, isobornyl (meth)acrylate or 2-naphthyl (meth)acrylate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10Esters
    • C08F220/22Esters containing halogen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F222/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof
    • C08F222/10Esters
    • C08F222/1006Esters of polyhydric alcohols or polyhydric phenols
    • C08F222/102Esters of polyhydric alcohols or polyhydric phenols of dialcohols, e.g. ethylene glycol di(meth)acrylate or 1,4-butanediol dimethacrylate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F222/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof
    • C08F222/10Esters
    • C08F222/1006Esters of polyhydric alcohols or polyhydric phenols
    • C08F222/102Esters of polyhydric alcohols or polyhydric phenols of dialcohols, e.g. ethylene glycol di(meth)acrylate or 1,4-butanediol dimethacrylate
    • C08F222/1025Esters of polyhydric alcohols or polyhydric phenols of dialcohols, e.g. ethylene glycol di(meth)acrylate or 1,4-butanediol dimethacrylate of aromatic dialcohols
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0046Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/033Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10Esters
    • C08F220/22Esters containing halogen
    • C08F220/24Esters containing halogen containing perhaloalkyl radicals
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/18Diffraction gratings
    • G02B5/1847Manufacturing methods
    • G02B5/1852Manufacturing methods using mechanical means, e.g. ruling with diamond tool, moulding
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/18Diffraction gratings
    • G02B5/1847Manufacturing methods
    • G02B5/1857Manufacturing methods using exposure or etching means, e.g. holography, photolithography, exposure to electron or ion beams
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0048Photosensitive materials characterised by the solvents or agents facilitating spreading, e.g. tensio-active agents

Abstract

離型性および機械的強度に優れる硬化物を得ることができる光硬化性組成物、およびモールドの反転パターンが精密に転写された微細パターンを表面に有する、耐久性に優れた成形体を製造できる方法を提供する。環を2つ以上有する芳香族化合物または環を2つ以上有する脂環式化合物であり、かつ(メタ)アクリロイルオキシ基を2つ有する化合物(A)の15〜60質量%と、フッ素原子を有し、かつ炭素−炭素不飽和二重結合を1つ以上有する化合物(B)(ただし化合物(A)を除く。)の5〜40質量%と、(メタ)アクリロイルオキシ基を1つ有する化合物(C)(ただし化合物(B)を除く。)の10〜55質量%と、光重合開始剤(D)の1〜12質量%とを含む(ただし(A)+(B)+(C)+(D)=100質量%である。)光硬化性組成物20を用いる。

Description

本発明は、光硬化性組成物および表面に微細パターンを有する成形体の製造方法に関する。
光学部材、記録メディア、半導体装置等の製造において微細パターンを短時間で形成する方法として、該微細パターンの反転パターンを表面に有するモールドを、基板の表面に配置された光硬化性組成物に押しつけ、該光硬化性組成物に光を照射し、該光硬化性組成物を硬化させて、基板の表面に微細パターンを形成する方法(ナノインプリント法)が知られている(特許文献1、2参照)。
しかし、該方法においては、光硬化性組成物の硬化物がモールドに密着するため、硬化物とモールドとを分離しにくい。そのため、モールドの表面に離型剤を塗布する必要がある。しかし、離型剤自体の膜厚、離型剤の塗布ムラ等により、モールドの反転パターンを精密に転写することは困難となる。
離型性のよい硬化物を形成できる光硬化性組成物としては、下記のものが提案されている。
(1)含フッ素モノマーと、フッ素を含まないモノマーと、含フッ素界面活性剤または含フッ素ポリマーと、重合開始剤とを含む光硬化性組成物(特許文献3)。
しかし、(1)の光硬化性組成物の硬化物は、含フッ素モノマーと、含フッ素界面活性剤または含フッ素ポリマーとを含むため、機械的強度が低い。ナノメートルオーダーの微細パターンを有する成形体を得る場合には、パターン形状を維持できる耐久性が必要とされる。そのため、機械的強度が高い硬化物を得ることができる光硬化性組成物が求められている。また、半導体装置の製造においても、レジストの高いドライエッチング耐性が求められているとともに、特にナノレベルの微細パターンではパターン形状を保持するために機械的強度が高い硬化物を得ることができる光硬化性組成物が求められている。
米国特許第6696220号明細書 特開2004−071934号公報 国際公開第2006/114958号パンフレット
本発明は、離型性および機械的強度に優れる硬化物を得ることができる光硬化性組成物、およびモールドの反転パターンが精密に転写された微細パターンを表面に有する、耐久性に優れた成形体を製造できる方法を提供することを目的とする。
本発明の光硬化性組成物は、環を2つ以上有する芳香族化合物または環を2つ以上有する脂環式化合物であり、かつ(メタ)アクリロイルオキシ基を2つ有する化合物(A)と、フッ素原子を有し、かつ炭素−炭素不飽和二重結合を1つ以上有する化合物(B)(ただし、化合物(A)を除く。)と、(メタ)アクリロイルオキシ基を1つ有する化合物(C)(ただし、化合物(B)を除く。)と、光重合開始剤(D)とを含み、化合物(A)、化合物(B)、化合物(C)および光重合開始剤(D)の合計(100質量%)のうち、化合物(A)が15〜60質量%であり、化合物(B)が5〜40質量%であり、化合物(C)が10〜55質量%であり、光重合開始剤(D)が1〜12質量%であることを特徴とする。
本発明の光硬化性組成物は、実質的に溶剤を含まないことが好ましい。
本発明の光硬化性組成物は、化合物(A)、化合物(B)、化合物(C)および光重合開始剤(D)の合計100質量部に対して5〜30質量部の、(メタ)アクリロイルオキシ基を2つ有する化合物(E)(ただし、化合物(A)および化合物(B)を除く。)をさらに含むことが好ましい。
本発明の光硬化性組成物は、化合物(A)、化合物(B)、化合物(C)および光重合開始剤(D)の合計100質量部に対して5〜90質量部の、(メタ)アクリロイルオキシ基を3つ以上有する化合物(F)(ただし、化合物(B)を除く。)をさらに含むことが好ましい。
本発明の光硬化性組成物は、化合物(A)、化合物(B)、化合物(C)および光重合開始剤(D)の合計100質量部に対して0.1〜3質量部の含フッ素界面活性剤(G)をさらに含み、かつ含フッ素界面活性剤(G)の総量に対する化合物(B)の量が、0.5〜100倍質量であることが好ましい。
本発明の光硬化性組成物は、化合物(A)、化合物(B)、化合物(C)および光重合開始剤(D)の合計100質量部に対して5〜25質量部の含フッ素ポリマー(H)をさらに含み、かつ含フッ素ポリマー(H)の総量に対する化合物(B)の量が、0.5〜100倍質量であることが好ましい。
本発明の、表面に微細パターンを有する成形体の製造方法は、本発明の光硬化性組成物を、前記微細パターンの反転パターンを表面に有するモールドの該反転パターンを有する表面に接触させる工程と、前記モールドの表面に前記光硬化性組成物を接触させた状態で、前記光硬化性組成物に光を照射し、前記光硬化性組成物を硬化させて硬化物とする工程と、前記硬化物から前記モールド、または前記基板および前記モールドを分離して、表面に微細パターンを有する成形体を得る工程とを有することを特徴とする。
本発明の、表面に微細パターンを有する成形体の製造方法は、本発明の光硬化性組成物を、基板の表面に配置する工程と、前記微細パターンの反転パターンを表面に有するモールドを、該モールドの反転パターンが前記光硬化性組成物に接するように、前記光硬化性組成物に押しつける工程と、前記モールドを前記光硬化性組成物に押しつけた状態で、前記光硬化性組成物に光を照射し、前記光硬化性組成物を硬化させて硬化物とする工程と、前記硬化物から前記モールド、または前記基板および前記モールドを分離して、表面に微細パターンを有する成形体を得る工程とを有することを特徴とする。
本発明の、表面に微細パターンを有する成形体の製造方法は、本発明の光硬化性組成物を、前記微細パターンの反転パターンを表面に有するモールドの該反転パターンを有する表面に配置する工程と、基板を、前記光硬化性組成物に押しつける工程と、前記基板を前記光硬化性組成物に押しつけた状態で、前記光硬化性組成物に光を照射し、前記光硬化性組成物を硬化させて硬化物とする工程と、前記硬化物から前記モールド、または前記基板および前記モールドを分離して、表面に微細パターンを有する成形体を得る工程とを有することを特徴とする。
本発明の、表面に微細パターンを有する成形体の製造方法は、基板と、前記微細パターンの反転パターンを表面に有するモールドとを、該モールドの反転パターンが前記基板の側になるように接近または接触させる工程と、本発明の光硬化性組成物を、前記基板と前記モールドとの間に充填する工程と、前記基板と前記モールドとが接近または接触した状態で、前記光硬化性組成物に光を照射し、前記光硬化性組成物を硬化させて硬化物とする工程と、前記硬化物から前記モールド、または前記基板および前記モールドを分離して、表面に微細パターンを有する成形体を得る工程とを有することを特徴とする。
本発明の光硬化性組成物によれば、離型性および機械的強度に優れる硬化物を得ることができる。
本発明の、表面に微細パターンを有する成形体の製造方法によれば、モールドの反転パターンが精密に転写された微細パターンを表面に有する、耐久性に優れた成形体を製造できる。
表面に微細パターンを有する成形体の製造方法の一例を示す断面図である。 表面に微細パターンを有する成形体の製造方法の他の例を示す断面図である。 表面に微細パターンを有する成形体の一例を示す断面図である。 表面に微細パターンを有する成形体の他の例を示す断面図である。
符号の説明
10 モールド
12 反転パターン
20 光硬化性組成物
30 基板
40 成形体
42 硬化物
44 微細パターン
本明細書においては、式(A1)で表される化合物を化合物(A1)と記す。他の式で表される化合物も同様に記す。また、本明細書においては、(メタ)アクリロイルオキシ基は、アクリロイルオキシ基またはメタクリロイルオキシ基を意味する。また、本明細書においては、(メタ)アクリレートは、アクリレートまたはメタクリレートを意味する。
<光硬化性組成物>
本発明の光硬化性組成物は、化合物(A)〜(C)、および光重合開始剤(D)を含み、必要に応じて化合物(E)、化合物(F)、含フッ素界面活性剤(G)、含フッ素ポリマー(H)、他の添加剤をさらに含む組成物である。
化合物(A):環を2つ以上有する芳香族化合物または環を2つ以上有する脂環式化合物であり、かつ(メタ)アクリロイルオキシ基を2つ有する化合物。
化合物(B):フッ素原子を有し、かつ炭素−炭素不飽和二重結合を1つ以上有する化合物(ただし、化合物(A)を除く。)。
化合物(C):(メタ)アクリロイルオキシ基を1つ有する化合物(ただし、化合物(B)を除く。)。
化合物(E):(メタ)アクリロイルオキシ基を2つ有する化合物(ただし、化合物(A)および化合物(B)を除く。)。
化合物(F):(メタ)アクリロイルオキシ基を3つ以上有する化合物(ただし、化合物(B)を除く。)。
本発明の光硬化性組成物の25℃における粘度は、0.1〜300mPa・sが好ましく、1〜200mPa・sが特に好ましい。光硬化性組成物の粘度が該範囲であれば、特別な操作(たとえば、光硬化性組成物を高温に加熱して低粘度にする操作等)を行うことなく、光硬化性組成物と、モールドの反転パターンを有する表面との接触を容易に行える。
本発明の光硬化性組成物は、実質的に溶剤を含まないことが好ましい。光硬化性組成物が実質的に溶剤を含まなければ、光の照射を除く特別な操作(たとえば、光硬化性組成物を高温に加熱して溶媒を除去する操作等。)を行うことなく、光硬化性組成物の硬化を容易に行える。
溶剤とは、化合物(A)〜(C)、光重合開始剤(D)、化合物(E)、化合物(F)、含フッ素界面活性剤(G)、含フッ素ポリマー(H)、および他の添加剤を除く化合物であり、かつ化合物(A)〜(C)、光重合開始剤(D)、化合物(E)、化合物(F)、含フッ素界面活性剤(G)、含フッ素ポリマー(H)、および他の添加剤のいずれかを溶解させる能力を有する化合物である。
実質的に溶剤を含まないとは、溶剤を全く含まないか、または、光硬化性組成物(100質量%)中、好ましくは1質量%以下、特には0.7質量%以下の溶剤しか含まない場合を意味する。特に、本発明では、光硬化性組成物を調製する際に用いた溶剤を残存溶剤として含んでいてもよいが、この場合も、残存溶剤は、極力除去されていることが好ましく、光硬化性組成物(100質量%)中、1質量%以下であるのが好ましい。
(化合物(A))
環を2つ以上有する芳香族化合物とは、ベンゼン環を2つ以上有する化合物であり、2つ以上のベンゼン環は、縮合環(ナフタレン環、アントラセン環等。)を形成していてもよい。芳香族化合物としては、ビスフェノール骨格を有する化合物、ナフタレン骨格を有する化合物、フルオレン骨格を有する化合物等が挙げられる。
環を2つ以上有する脂環式化合物とは、芳香族性を有さない炭化水素環を2つ以上有する化合物であり、1つの環内にブリッジを形成した多環系化合物であってもよい。多環系化合物としては、アダマンタン骨格を含むトリシクロデカン骨格を有する化合物、デカリン骨格を有する化合物、ノルボルネン骨格を有する化合物、イソボルニル骨格を有する化合物等が挙げられる。
化合物(A)としては、下記の化合物が挙げられる。
ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、変性ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート(エトキシ化ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、プロポキシ化ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、プロポキシ化エトキシ化ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、ビスフェノールAグリセロレートジ(メタ)アクリレート、ビスフェノールAプロポキシレートグリセロレートジ(メタ)アクリレート等。)、エトキシ化ビスフェノールFジ(メタ)アクリレート、トリシクロデカンジメタノールジ(メタ)アクリレート、フルオレンジ(メタ)アクリレート等。
化合物(A)としては、相溶性の点から、トリシクロデカンジメタノールジ(メタ)アクリレート、変性ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート(エトキシ化ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、プロポキシ化ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、プロポキシ化エトキシ化ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、ビスフェノールAグリセロレートジ(メタ)アクリレート、ビスフェノールAプロポキシレートグリセロレートジ(メタ)アクリレート等。)、エトキシ化ビスフェノールFジ(メタ)アクリレートが特に好ましい。
化合物(A)は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
化合物(A)の含有量は、化合物(A)、化合物(B)、化合物(C)および光重合開始剤(D)の合計(100質量%)のうち、15〜60質量%であり、20〜45質量%が好ましい。化合物(A)の含有量が15質量%以上であれば、機械的強度に優れる硬化物を得ることができる。化合物(A)の含有量が60質量%以下であれば、硬化物がもろくなることはない。
(化合物(B))
化合物(B)としては、フルオロ(メタ)アクリレート類、フルオロジエン類、フルオロビニルエーテル類、フルオロ環状モノマー類等が挙げられ、相溶性の点から、フルオロ(メタ)アクリレート類またはフルオロジエン類が好ましい。
フルオロ(メタ)アクリレート類としては、下記の化合物が挙げられる。
3−(パーフルオロ−3−メチルブチル)−2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、
2,2,2−トリフルオロ−1−(トリフルオロメチル)エチル(メタ)アクリレート、
CH=CHCOO(CH(CF10F、
CH=CHCOO(CH(CFF、
CH=CHCOO(CH(CFF、
CH=C(CH)COO(CH(CF10F、
CH=C(CH)COO(CH(CFF、
CH=C(CH)COO(CH(CFF、
CH=CHCOOCH(CFF、
CH=C(CH)COOCH(CFF、
CH=CHCOOCH(CFF、
CH=C(CH)COOCH(CFF、
CH=CHCOOCHCFCFH、
CH=CHCOOCH(CFCFH、
CH=CHCOOCH(CFCFH、
CH=C(CH)COOCH(CFCF)H、
CH=C(CH)COOCH(CFCFH、
CH=C(CH)COOCH(CFCFH、
CH=CHCOOCHCFOCFCFOCF
CH=CHCOOCHCFO(CFCFO)CF
CH=C(CH)COOCHCFOCFCFOCF
CH=C(CH)COOCHCFO(CFCFO)CF
CH=CHCOOCHCF(CF)OCFCF(CF)O(CFF、
CH=CHCOOCHCF(CF)O(CFCF(CF)O)(CFF、
CH=C(CH)COOCHCF(CF)OCFCF(CF)O(CFF、
CH=C(CH)COOCHCF(CF)O(CFCF(CF)O)(CFF、
CH=CFCOOCHCH(OH)CH(CFCF(CF
CH=CFCOOCHCH(CHOH)CH(CFCF(CF
CH=CFCOOCHCH(OH)CH(CF10F、
CH=CFCOOCHCH(CHOH)CH(CF10F、
CH=CHCOOCHCF(OCFCFOCFCHOCOCH=CH(ただし、nは4〜20の整数を示す。)等。
フルオロ(メタ)アクリレート類としては、相溶性および環境特性の点から、化合物(B1)が好ましい。
Figure 2008155928
ただし、Rは、水素原子またはメチル基を示し、RおよびRは、それぞれ水素原子または炭素数1〜4のアルキル基を示し、RおよびRは、それぞれフッ素原子、炭素数1〜4のパーフルオロアルキル基または炭素数1〜4のパーフルオロアルコキシ基を示し、Rは、水素原子またはフッ素原子示し、mは、1〜4の整数を示し、nは、1〜16の整数を示す。nは、相溶性の点から、1〜10の整数が好ましく、環境特性の点から、3〜6の整数がより好ましい。
フルオロジエンとしては、下記の化合物が挙げられる。
CF=CFOCFCF=CF
CF=CFOCFCFCF=CF
CF=CFCFCF=CF
CF=CFCFCH=CH
CF=CFCFC(CF)(OH)CHCH=CH
CF=CFCFC(CF)(OH)CH=CH
CF=CFCHCH(CHC(CFOH)CHCH=CH等。
フルオロビニルエーテル類としては、下記の化合物が挙げられる。
CF=CFO(CFF、
CF=CFO(CFCOOCH等。
フルオロ環状モノマー類としては、下記の化合物が挙げられる。
Figure 2008155928
化合物(B)は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
化合物(B)の含有量は、化合物(A)、化合物(B)、化合物(C)および光重合開始剤(D)の合計(100質量%)のうち、5〜40質量%であり、15〜35質量%が好ましい。化合物(B)の含有量が5質量%以上であれば、離型性に優れる硬化物を得ることができ、さらに光硬化性組成物の泡立ちが抑えられる。光硬化性組成物の泡立ちを抑制できることから、調製時にろ過がしやすくなり、さらにナノインプリントする時に泡の混入によるパターン形状の欠陥をなくすことができる。化合物(B)の含有量が40質量%以下であれば、均一に混合することができることから機械的強度の優れた硬化物を得ることができる。
(化合物(C))
化合物(C)は、他の成分を溶解させる成分であり、かつ化合物(A)と化合物(B)との相溶性を向上させる成分である。化合物(A)と化合物(B)との相溶性がよければ、光硬化性組成物の調製時の泡立ちが抑えられ、フィルターを通しやすくなる等、光硬化性組成物の調製が容易となり、また、均一な光硬化性組成物が得られる。さらに、均質な硬化物が得られることによって、離型性、機械的強度が充分に発揮できる。
化合物(C)の25℃における粘度は、0.1〜200mPa・sが好ましい。化合物(C)の粘度が該範囲であれば、光硬化性組成物の粘度を低く調整しやすい。
化合物(C)としては、下記の化合物が挙げられる。
フェノキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−3−フェノキシピロピル(メタ)アクリレート、フェノキシエチレングリコール(メタ)アクリレート、フェノキシジエチレングリコール(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、メトキシトリエチレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、2−(メタ)アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタル酸、ベヘニル(メタ)アクリレート、2−(メタ)アクリロイロキシエチルコハク酸、ステアリル(メタ)アクリレート、イソステアリル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、3−(トリメトキシシリル)プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、エトキシエチル(メタ)アクリレート、メトキシエチル(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート、テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート、アリル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、N,N−ジエチルアミノエチル(メタ)アクリレート、N,N−ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート、ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート、2−メチル−2−アダマンチル(メタ)アクリレート、2−エチル−2−アダマンチル(メタ)アクリレート、3−ヒドロキシ−1−アダマンチル(メタ)アクリレート、1−アダマンチル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、β−カルボキシエチル(メタ)アクリレート、オクチル(メタ)アクリレート、デシル(メタ)アクリレート、2−(tert−ブチルアミノ)エチル(メタ)アクリレート、1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、tert−ブチル(メタ)アクリレート、4−tert−ブチルシクロヘキシル(メタ)アクリレート等。
化合物(C)は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
化合物(C)の含有量は、化合物(A)、化合物(B)、化合物(C)および光重合開始剤(D)の合計(100質量%)のうち、10〜55質量%であり、15〜45質量%が好ましい。化合物(C)の含有量が10質量%以上であれば、光硬化性組成物の粘度を低く調整でき、かつ化合物(A)と化合物(B)との相溶性が良好となる。化合物(C)の含有量が55質量%以下であれば、感度が良好となり、架橋密度も上がることから、機械強度の優れた硬化物を得ることができる。
(光重合開始剤(D))
光重合開始剤(D)としては、アセトフェノン系光重合開始剤、ベンゾイン系光重合開始剤、ベンゾフェノン系光重合開始剤、チオキサントン系光重合開始剤、α−アミノケトン系光重合開始剤、α−ヒドロキシケトン系光重合開始剤、α−アシルオキシムエステル、ベンジル−(o−エトキシカルボニル)−α−モノオキシム、アシルホスフィンオキサイド、グリオキシエステル、3−ケトクマリン、2−エチルアンスラキノン、カンファーキノン、テトラメチルチウラムスルフィド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンゾイルペルオキシド、ジアルキルペルオキシド、tert−ブチルパーオキシピバレート等が挙げられ、感度および相溶性の点から、アセトフェノン系光重合開始剤、ベンゾイン系光重合開始剤、α−アミノケトン系光重合開始剤またはベンゾフェノン系光重合開始剤が好ましい。
アセトフェノン系光重合開始剤としては、下記の化合物が挙げられる。
アセトフェノン、p−(tert−ブチル)1’,1’,1’−トリクロロアセトフェノン、クロロアセトフェノン、2’,2’−ジエトキシアセトフェノン、ヒドロキシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2’−フェニルアセトフェノン、2−アミノアセトフェノン、ジアルキルアミノアセトフェノン等。
ベンゾイン系光重合開始剤としては、下記の化合物が挙げられる。
ベンジル、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−2−メチルプロパン−1−オン、1−(4−イソプロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、ベンジルジメチルケタール等。
α−アミノケトン系光重合開始剤としては、下記の化合物が挙げられる。
2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタノン−1、2−メチル−1[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モリフォリノプロパン−1−オン等。
ベンゾフェノン系光重合開始剤としては、下記の化合物が挙げられる。
ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、ベンゾイル安息香酸メチル、メチル−o−ベンゾイルベンゾエート、4−フェニルベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、ヒドロキシプロピルベンゾフェノン、アクリルベンゾフェノン、4,4’−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン等。
光重合開始剤(D)は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
光重合開始剤(D)の含有量は、化合物(A)、化合物(B)、化合物(C)および光重合開始剤(D)の合計(100質量%)のうち、1〜12質量%であり、4〜10質量%が好ましい。光重合開始剤(D)の含有量が1質量%以上であれば、加熱等の操作を行うことなく、容易に硬化物を得ることができる。光重合開始剤(D)の含有量が12質量%以下であれば、均一に混合することができることから、硬化物に残存する光重合開始剤(D)が少なくなり、硬化物の物性の低下が抑えられる。
(化合物(E))
化合物(E)は、他の成分を溶解させる成分であり、かつ硬化物の機械的強度を向上させる成分である。化合物(E)が、グリコール系化合物の場合、さらに、硬化物の柔軟性が向上する。
化合物(E)としては、下記の化合物が挙げられる。
エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,3−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、グリセロール1,3−ジグリセロレートジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールエトキシレートジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールプロポキシレートジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、3−ヒドロキシ−2,2−ジメチルプロピオネートジ(メタ)アクリレート、1,9−ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、1,10−デカンジオールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールプロポキシレートジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、グリセロールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールグリセロレートジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリオキシエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコールグリセロレートジ(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−3−アクリロイロキシプロピル(メタ)アクリレート、2−メチル−1,3−プロパンジオールジアクリレート、トリメチロールプロパンベンゾエートジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレートモノステアリル酸、トリメチロールプロパンエトキシレートメチルエーテルジ(メタ)アクリレート、ジウレタンジ(メタ)アクリレート、1,3−ビス(3−メタクリロイロキシプロピル)−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン等。
化合物(E)は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
化合物(E)の含有量は、化合物(A)、化合物(B)、化合物(C)および光重合開始剤(D)の合計100質量部に対して5〜30質量部が好ましく、10〜25質量部がより好ましい。化合物(E)の含有量が5質量部以上であれば、光硬化性組成物の感度が向上する。化合物(E)の含有量が30質量部以下であれば、各成分の相溶性が良好となる。
(化合物(F))
化合物(F)は、硬化物の機械的強度(硬度)を向上させる成分である。
化合物(F)としては、下記の化合物が挙げられる。
トリ(メタ)アクリレート:トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンエトキシトリ(メタ)アクリレート、ポリエーテルトリ(メタ)アクリレート、グリセリンプロポキシトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、エトキシ化イソシアヌル酸トリアクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリアクリレート、プロポキシ化トリメチロールプロパントリアクリレート等。
テトラ(メタ)アクリレート:ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールエトキシテトラ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、プロポキシ化ペンタエリスリトールテトラアクリレート等。
ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、芳香族ウレタントリ(メタ)アクリレート、芳香族ウレタンテトラ(メタ)アクリレート、芳香族ウレタンヘキサ(メタ)アクリレート等。
化合物(F)は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
化合物(F)の含有量は、化合物(A)、化合物(B)、化合物(C)および光重合開始剤(D)の合計100質量部に対して5〜90質量部が好ましく、10〜80質量部がより好ましい。化合物(F)の含有量が5質量部以上であれば、硬化物の機械的強度が向上する。化合物(F)の含有量が90質量部以下であれば、光硬化性組成物の粘度を低く抑えることができる。
化合物(E)および化合物(F)の合計は、化合物(A)、化合物(B)、化合物(C)および光重合開始剤(D)の合計100質量部に対して5〜110質量部が好ましく、10〜65質量部がより好ましい。
(含フッ素界面活性剤(G))
含フッ素界面活性剤(G)は、硬化物の離型性を向上させる成分である。
含フッ素界面活性剤(G)としては、フッ素含有量が10〜70質量%の含フッ素界面活性剤が好ましく、フッ素含有量が10〜40質量%の含フッ素界面活性剤がより好ましい。含フッ素界面活性剤は、水溶性であってもよく、脂溶性であってもよい。
含フッ素界面活性剤(G)としては、アニオン性含フッ素界面活性剤、カチオン性含フッ素界面活性剤、両性含フッ素界面活性剤、またはノニオン性含フッ素界面活性剤が好ましく、光硬化性組成物における相溶性、および硬化物における分散性の点から、ノニオン性含フッ素界面活性剤がより好ましい。
アニオン性含フッ素界面活性剤としては、ポリフルオロアルキルカルボン酸塩、ポリフルオロアルキル燐酸エステル、またはポリフルオロアルキルスルホン酸塩が好ましい。
アニオン性含フッ素界面活性剤の具体例としては、サーフロンS−111(商品名、セイミケミカル社製)、フロラードFC−143(商品名、スリーエム社製)、メガファークF−120(商品名、大日本インキ化学工業社製)等が挙げられる。
カチオン性含フッ素界面活性剤としては、ポリフルオロアルキルカルボン酸のトリメチルアンモニウム塩、またはポリフルオロアルキルスルホン酸アミドのトリメチルアンモニウム塩が好ましい。
カチオン性含フッ素界面活性剤の具体例としては、サーフロンS−121(商品名、セイミケミカル社製)、フロラードFC−134(商品名、スリーエム社製)、メガファークF−150(商品名、大日本インキ化学工業社製)等が挙げられる。
両性含フッ素界面活性剤としては、ポリフルオロアルキルベタインが好ましい。
両性含フッ素界面活性剤の具体例としては、サーフロンS−132(商品名、セイミケミカル社製)、フロラードFX−172(商品名、スリーエム社製)、メガファークF−120(商品名、大日本インキ化学工業社製)等が挙げられる。
ノニオン性含フッ素界面活性剤としては、ポリフルオロアルキルアミンオキサイド、またはポリフルオロアルキル・アルキレンオキサイド付加物が好ましい。
ノニオン性含フッ素界面活性剤の具体例としては、サーフロンS−145(商品名、セイミケミカル社製)、サーフロンS−393(商品名、セイミケミカル社製)、サーフロンKH−20(商品名、セイミケミカル社製)、サーフロンKH−40(商品名、セイミケミカル社製)、フロラードFC−170(商品名、スリーエム社製)、フロラードFC−430(商品名、スリーエム社製)、メガファークF−141(商品名、大日本インキ化学工業社製)等が挙げられる。
含フッ素界面活性剤(G)は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
含フッ素界面活性剤(G)の含有量は、化合物(A)、化合物(B)、化合物(C)および光重合開始剤(D)の合計100質量部に対して0.1〜3質量部が好ましく、0.5〜1質量部がより好ましい。含フッ素界面活性剤(G)の含有量が0.1質量部以上であれば、離型性が向上する。含フッ素界面活性剤(G)の含有量が3質量部以下であれば、光硬化性組成物の硬化の阻害が抑えられ、また、硬化物の相分離が抑えられる。
含フッ素界面活性剤(G)の総量に対する化合物(B)の量は、0.5〜100倍質量が好ましく、特に10〜75倍質量が好ましい。化合物(B)の量が該範囲であれば、化合物(B)および含フッ素界面活性剤(G)の離型性を相乗効果的に引き出すことが可能である。化合物(B)の量が0.5倍質量未満では、均一に相溶しなくなり、泡立ってしまう。化合物(B)の量が100倍質量を超えると、含フッ素界面活性剤(G)の離型性の効果が発現しなくなる。
(含フッ素ポリマー(H))
含フッ素ポリマー(H)は、光硬化性組成物の粘度を調整する成分である。
含フッ素ポリマー(H)の質量平均分子量は、500〜2000000が好ましく、1000〜1000000がより好ましく、3000〜500000が特に好ましい。含フッ素ポリマー(H)の質量平均分子量が該範囲であれば、他の成分との相溶性が良好となる。
含フッ素ポリマー(H)のフッ素含有量は、30〜70質量%が好ましく、45〜70質量%がより好ましい。含フッ素ポリマー(H)のフッ素含有量が該範囲であれば、光硬化性組成物に均一に溶解し、光硬化性組成物の粘度を調整しやすい。
含フッ素ポリマー(H)としては、ヘテロ原子を有する含フッ素ポリマーが好ましく、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、またはリン原子を有する含フッ素ポリマーがより好ましく、水酸基、エーテル性酸素原子、エステル基、アルコキシカルボニル基、スルホニル基、燐酸エステル基、アミノ基、ニトロ基、またはケトン基を有する含フッ素ポリマーがさらに好ましく、相溶性の点から、水酸基、エーテル性酸素原子、エステル基、アルコキシカルボニル基を有する含フッ素ポリマーが特に好ましい。ヘテロ原子を有する含フッ素ポリマーは、他の成分と相溶性が高く、均一な光硬化性組成物を調製しやすい。
含フッ素ポリマー(H)としては、下記の含フッ素ポリマー(H1)〜(H4)が挙げられ、相溶性の点から含フッ素ポリマー(H4)が好ましい。
含フッ素ポリマー(H1):化合物(h1)を重合させた含フッ素ポリマー。
CF=CR11−Q−CR12=CH ・・・(h1)。
ただし、R11およびR12は、それぞれ水素原子、フッ素原子、炭素数1〜3のアルキル基、または炭素数1〜3のフルオロアルキル基を示し、Qは、酸素原子、−NR13−、または官能基を有していてもよい2価有機基を示し、R13は、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、アルキルカルボニル基、またはトシル基を示す。
含フッ素ポリマー(H2):フルオロオレフィン単位と炭化水素系モノマー単位とを有する含フッ素ポリマー。
フルオロオレフィン単位としては、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン、トリフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン、ペンタフルオロプロピレン、ヘキサフルオロプロピレン等が挙げられる。炭化水素系モノマー単位としては、ビニルエーテル、ビニルエステル、アリルエーテル、炭化水素系オレフィン、アクリレート、メタクリレート等が挙げられる。
含フッ素ポリマー(H3):フルオロエチレン単位とフルオロ(メタ)アクリレート単位とを有する含フッ素ポリマー。
フルオロエチレン単位としては、テトラフルオロエチレン、CF=CFCl等が挙げられる。フルオロ(メタ)アクリレート単位としては、メタクリル酸2−ペルフルオロヘキシル)エチル、アクリル酸2−(ペルフルオロヘキシル)エチル、メタクリル酸2−(ペルフルオロオクチル)エチル、アクリル酸2−(ペルフルオロオクチル)エチル等が挙げられる。
含フッ素ポリマー(H4):フルオロエチレン単位と化合物(h4)単位とを有する含フッ素ポリマー。
CHR17=CH−O−R18 ・・・(h4)。
ただし、R17は、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、フェニル基、ベンジル基を示し、R18は、炭素数1〜18のアルキル基、芳香環を含む炭素数10以下のアルキル基もしくはフェニル基、水酸基を含む炭素数10以下のアルキル基もしくはフェニル基、フッ素原子を含む炭素数10以下のアルキル基もしくはフェニル基、または、カルボン酸あるいはエステル基を含む炭素数10以下のアルキル基もしくはフェニル基を示す。
含フッ素ポリマー(H)は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
含フッ素ポリマー(H)の含有量は、化合物(A)、化合物(B)、化合物(C)および光重合開始剤(D)の合計100質量部に対して5〜25質量部が好ましく、7〜20質量部がより好ましい。含フッ素ポリマー(H)の含有量が5質量部以上であれば、光硬化性組成物の粘度の調整効果が得られる。含フッ素ポリマー(H)の含有量が25質量部以下であれば、光硬化性組成物の硬化の阻害が抑えられ、また、硬化物の相分離が抑えられる。
含フッ素ポリマー(H)の総量に対する化合物(B)の量は、0.5〜100倍質量が好ましく、2〜50倍質量が特に好ましい。化合物(B)の量が該範囲であれば、相分離を引き起こすことなく均一な光硬化性組成物を得ることができる。化合物(B)の量が0.5倍質量未満では、離型性の効果が発現しなくなる。化合物(B)の量が100倍質量を超えると、相分離を引き起こしてしまう。
含フッ素界面活性剤(G)および含フッ素ポリマー(H)の合計は、化合物(A)、化合物(B)、化合物(C)および光重合開始剤(D)の合計100質量部に対して0.1〜35質量部が好ましく、0.5〜25質量部がより好ましい。
化合物(E)、化合物(F)、含フッ素界面活性剤(G)および含フッ素ポリマー(H)の合計は、化合物(A)、化合物(B)、化合物(C)および光重合開始剤(D)の合計100質量部に対して0.1〜125質量部が好ましく、0.5〜85質量部がより好ましい。
(他の添加剤)
光硬化性組成物は、化合物(A)〜(C)、光重合開始剤(D)、化合物(E)、化合物(F)、含フッ素界面活性剤(G)、含フッ素ポリマー(H)を除く、他の添加剤を含んでいてもよい。
他の添加剤としては、光増感剤、他の樹脂、金属酸化物微粒子、炭素化合物、金属微粒子、他の有機化合物等が挙げられる。
光増感剤としては、n−ブチルアミン、ジ−n−ブチルアミン、トリ−n−ブチルホスフィン、アリルチオ尿素、s−ベンジスイソチウロニウム−p−トルエンスルフィネート、トリエチルアミン、ジエチルアミノエチルメタクリレート、トリエチレンテトラミン、4,4’−ビス(ジアルキルアミノ)ベンゾフェノン等のアミン化合物が挙げられる。
他の樹脂としては、ポリエステル、ポリエステルオリゴマー、ポリカーボネート、ポリ(メタ)アクリレート等が挙げられる。
金属酸化物微粒子としては、チタニア、シリカ等が挙げられる。
炭素化合物としては、カーボンナノチューブ、フラーレン等が挙げられる。
金属微粒子としては、銅、白金等が挙げられる。
他の有機化合物としては、ポルフィリン、金属内包ポリフィリン等が挙げられる。
他の添加剤の総量は、光硬化性組成物(100質量%)中、20質量%以下が好ましい。他の添加剤の総量が20質量%以下であれば、光硬化性組成物を均一に混合でき、均質な光硬化性組成物が得られる。
以上説明した本発明の光硬化性組成物にあっては、化合物(A)を含んでいるため、機械的強度に優れる硬化物を得ることができる。また、化合物(B)を含んでいるため、離型性に優れる硬化物を得ることができる。さらに、化合物(C)を含んでいるため、化合物(A)と化合物(B)との相溶性にすぐれ、その結果、硬化物の離型性および機械的強度がさらに向上する。
<表面に微細パターンを有する成形体の製造方法>
本発明の、表面に微細パターンを有する成形体の製造方法は、下記の(1)〜(3)の工程を有する。
(1)本発明の光硬化性組成物を、微細パターンの反転パターンを表面に有するモールドの該反転パターンを有する表面に接触させる工程。
(2)モールドの表面に光硬化性組成物を接触させた状態で、光硬化性組成物に光を照射し、光硬化性組成物を硬化させて硬化物とする工程。
(3)硬化物からモールドを分離して、表面に微細パターンを有する成形体を得る工程。
本発明の、表面に微細パターンを有する成形体の製造方法としては、より具体的には、下記の(a)〜(c)の方法が挙げられる。
(a)の方法:
下記の工程(a−1)〜(a−4)を有する方法。
(a−1)図1に示すように、光硬化性組成物20を基板30の表面に配置する工程。
(a−2)図1に示すように、モールド10を、該モールド10の反転パターン12が光硬化性組成物20に接するように、光硬化性組成物20に押しつける工程。
(a−3)モールド10を光硬化性組成物20に押しつけた状態で、光硬化性組成物20に光を照射し、光硬化性組成物20を硬化させて硬化物とする工程。
(a−4)硬化物からモールド10、または基板30およびモールド10を分離して、表面に微細パターンを有する成形体を得る工程。
(b)の方法:
下記の工程(b−1)〜(b−4)を有する方法。
(b−1)図2に示すように、光硬化性組成物20をモールド10の反転パターン12の表面に配置する工程。
(b−2)図2に示すように、基板30をモールド10の表面の光硬化性組成物20に押しつける工程。
(b−3)基板30を光硬化性組成物20に押しつけた状態で、光硬化性組成物20に光を照射し、光硬化性組成物20を硬化させて硬化物とする工程。
(b−4)硬化物からモールド10、または基板30およびモールド10を分離して、表面に微細パターンを有する成形体を得る工程。
(c)の方法:
下記の工程(c−1)〜(c−4)を有する方法。
(c−1)図1に示すように、基板30とモールド10とを、モールド10の反転パターン12が基板30側になるように接近または接触させる工程。
(c−2)図1に示すように、光硬化性組成物20を基板30とモールド10との間に充填する工程。
(c−3)基板30とモールド10とが接近または接触した状態で、光硬化性組成物20に光を照射し、光硬化性組成物20を硬化させて硬化物とする工程。
(c−4)硬化物からモールド10、または基板30およびモールド10を分離して、表面に微細パターンを有する成形体を得る工程。
基板としては、無機材料製基板または有機材料製基板が挙げられる。
無機材料としては、シリコンウェハ、ガラス、石英ガラス、金属(アルミニウム、ニッケル、銅等。)、金属酸化物(アルミナ等。)、窒化珪素、窒化アルミニウム、ニオブ酸リチウム等が挙げられる。
有機材料としては、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート、ポリエステル(ポリエチレンテレフタレート等。)、ポリイミド、ポリプロピレン、ポリエチレン、ナイロン樹脂、ポリフェニレンサルファイド、環状ポリオレフィン等が挙げられる。
基板としては、光硬化性組成物との密着性に優れる点から、表面処理された基板を用いてもよい。表面処理としては、プライマー塗布処理、オゾン処理、プラズマエッチング処理等が挙げられる。プライマーとしては、シランカップリング剤、シラザン等が挙げられる。
モールドとしては、非透光材料製モールドまたは透光材料製モールドが挙げられる。
非透光材料としては、シリコンウェハ、ニッケル、銅、ステンレス、チタン、SiC、マイカ等が挙げられる。
透光材料としては、石英、ガラス、ポリジメチルシロキサン、環状ポリオレフィン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、透明フッ素樹脂等が挙げられる。
基板およびモールドのうち少なくとも一方は、光重合開始剤(D)が作用する波長の光を40%以上透過する材料とする。
モールドは、表面に反転パターンを有する。反転パターンは、成形体の表面の微細パターンに対応した反転パターンである。
反転パターンとしては、微細な凸部および/または凹部を有する。
凸部としては、モールドの表面に延在する長尺の凸条、表面に点在する突起等が挙げられる。
凹部としては、モールドの表面に延在する長尺の溝、表面に点在する孔等が挙げられる。
凸条または溝の形状としては、直線、曲線、折れ曲がり形状等が挙げられる。凸条または溝は、複数が平行に存在して縞状をなしていてもよい。
凸条または溝の、長手方向に直交する方向の断面形状としては、長方形、台形、三角形、半円形等が挙げられる。
突起または孔の形状としては、三角柱、四角柱、六角柱、円柱、三角錐、四角錐、六角錐、円錐、半球、多面体等が挙げられる。
凸条または溝の幅は、平均で1nm〜100μmが好ましく、10nm〜10μmがより好ましい。凸条の幅とは、長手方向に直交する方向の断面における底辺の長さを意味する。溝の幅とは、長手方向に直交する方向の断面における上辺の長さを意味する。
突起または孔の幅は、平均で1nm〜100μmが好ましく、10nm〜10μmがより好ましい。突起の幅とは、底面が細長い場合、長手方向に直交する方向の断面における底辺の長さを意味し、そうでない場合、突起の底面における最大長さを意味する。孔の幅とは、開口部が細長い場合、長手方向に直交する方向の断面における上辺の長さを意味し、そうでない場合、孔の開口部における最大長さを意味する。
凸部の高さは、平均で1nm〜100μmが好ましく、10nm〜10μmがより好ましい。
凹部の深さは、平均で1nm〜100μmが好ましく、10nm〜10μmがより好ましい。
反転パターンが密集している領域において、隣接する凸部(または凹部)間の間隔は、平均で1nm〜500μmが好ましく、1nm〜50μmがより好ましい。隣接する凸部間の間隔とは、凸部の断面の底辺の終端から、隣接する凸部の断面の底辺の始端までの距離を意味する。隣接する凹部間の間隔とは、凹部の断面の上辺の終端から、隣接する凹部の断面の上辺の始端までの距離を意味する。
凸部の最小寸法は、1nm〜50μmが好ましく、1nm〜500nmがより好ましく、1nm〜50nmが特に好ましい。最小寸法とは、凸部の幅、長さおよび高さのうち最小の寸法を意味する。
凹部の最小寸法は、1nm〜50μmが好ましく、1nm〜500nmがより好ましく、1nm〜50nmが特に好ましい。最小寸法とは、凹部の幅、長さおよび深さのうち最小の寸法を意味する。
工程(a−1):
光硬化性組成物の配置方法としては、インクジェット法、ポッティング法、スピンコート法、ロールコート法、キャスト法、ディップコート法、ダイコート法、ラングミュラープロジェット法、真空蒸着法等が挙げられる。
光硬化性組成物は、基板の全面に配置してもよく、基板の表面の一部に配置してもよい。
工程(a−2):
モールドを光硬化性組成物に押しつける際のプレス圧力(ゲージ圧)は、0超〜10MPa以下が好ましく、0.1〜5MPaがより好ましい。モールドを光硬化性組成物に押しつける際の温度は、0〜100℃が好ましく、10〜60℃がより好ましい。
工程(b−1):
光硬化性組成物の配置方法としては、インクジェット法、ポッティング法、スピンコート法、ロールコート法、キャスト法、ディップコート法、ダイコート法、ラングミュラープロジェット法、真空蒸着法等が挙げられる。
光硬化性組成物は、モールドの反転パターンの全面に配置してもよく、反転パターンの一部に配置してもよく、反転パターンの全面に配置することが好ましい。
工程(b−2):
基板を光硬化性組成物に押しつける際のプレス圧力(ゲージ圧)は、0超〜10MPa以下が好ましく、0.1〜5MPaがより好ましい。基板を光硬化性組成物に押しつける際の温度は、0〜100℃が好ましく、10〜60℃がより好ましい。
工程(c−2):
光硬化性組成物を基板とモールドとの間に充填する方法としては、毛細管現象により空隙に光硬化性組成物を吸引する方法が挙げられる。
光硬化性組成物を充填する際の温度は、0〜100℃が好ましく、10〜60℃がより好ましい。
工程(a−3)、(b−3)、(c−3):
光を照射する方法としては、透光材料製モールドを用い該モールド側から光照射する方法、透光材料製基板を用い該基板側から光照射する方法が挙げられる。光の波長は、200〜500nmが好ましい。光を照射する際には、光硬化性組成物を加熱して硬化を促進してもよい。
光を照射する際の温度は、0〜100℃が好ましく、10〜60℃がより好ましい。
工程(a−4)、(b−4)、(c−4):
硬化物からモールド、または基板およびモールドを分離する際の温度は、0〜100℃が好ましく、10〜60℃がより好ましい。
硬化物から基板およびモールドを分離した場合、図3に示すような、モールドの反転パターンが転写された表面を有する硬化物42のみからなる、表面に微細パターン44を有する成形体40が得られる。
硬化物からモールドのみを分離した場合、図4に示すような、モールドの反転パターンが転写された表面を有する硬化物42と基板30とからなる、表面に微細パターン44を有する成形体40(積層体)が得られる。
表面に微細パターンを有する成形体としては、下記の物品が挙げられる。
光学素子:マイクロレンズアレイ、光導波路素子、光スイッチング素子(グリッド偏光素子、波長板等。)、フレネルゾーンプレート素子、バイナリー素子、ブレーズ素子、フォトニック結晶等。
反射防止部材:AR(Anti Reflection)コート部材等。
チップ類:バイオチップ、μ−TAS(Micro−Total Analysis Systems)用のチップ、マイクロリアクターチップ等。
その他:記録メディア、ディスプレイ材料、触媒の担持体、フィルター、センサー部材、半導体装置の製造に用いられるレジスト、ナノインプリント用のドーターモールド等。
レジストとして用いる場合、該微細パターンを有する成形体をマスクとして基板をエッチングすることで、基板に微細パターンを形成できる。
以上説明した本発明の、表面に微細パターンを有する成形体の製造方法にあっては、離型性および機械的強度に優れる硬化物を得ることができる本発明の光硬化性組成物を用いているため、モールドの反転パターンが精密に転写された微細パターンを表面に有する、耐久性に優れた成形体を製造できる。
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されない。
例1〜10、19〜27は実施例であり、例11〜18は比較例である。
(質量平均分子量)
含フッ素ポリマー(H)の質量平均分子量は、GPC分析装置(東ソー社製、HLC−8220)を用いて測定した。
(粘度)
光硬化性組成物の25℃における粘度は、粘度計(東機産業社製、TV−20)を用いて測定した。該粘度計は、標準液(JS50(25℃で33.17mPa・S))で校正済みのものである。粘度は300mPa・S以下の値の時に良好であると判断した。
(感度)
光硬化性組成物の感度は、下記のようにして求めた。
光硬化性組成物をスピンコート法にて膜厚約1.5μmになるように塗膜し、そこに高圧水銀灯(1.5〜2.0kHzにおいて255、315、および365nmに主波長を有する光源。)からの光を照射し、完全に硬化するまでの積算光量を求め、感度とした。
光硬化性組成物が完全に硬化したかどうかは、IRスペクトルを測定し、アクリル部分のオレフィンの吸収の有無により判断した。感度は500mJ/cm以下の値の時に良好であると判断した。
(体積収縮率)
体積収縮率は、下記のようにして求めた。
25℃にて、試験管(ガラス製)に光硬化性組成物をL1の高さまで封入し、光硬化性組成物に高圧水銀灯(1.5〜2.0kHzにおいて255、315、および365nmに主波長を有する光源。)からの光を15秒間照射し、得られた硬化物の高さL2を測定した。下記式から体積収縮率を求めた。体積収縮率は15%以下の時に良好であると判断した。
体積収縮率(%)=(L1−L2)/L1×100。
(接触角)
硬化物の水に対する接触角は、下記のようにして測定した。
光硬化性組成物に高圧水銀灯(1.5〜2.0kHzにおいて255、315、および365nmに主波長を有する光源。)からの光を15秒間照射し、硬化物を得た。
該硬化物について、接触角計(協和界面科学社製、CA−X150型)を用い、4μLの水を硬化物の表面に着滴させて測定した。
接触角は、硬化物の離型性の目安となる。接触角は、75度以上の時に良好であると判断した。
(鉛筆硬度)
硬化物の鉛筆硬度は、下記のようにして測定した。
光硬化性組成物に高圧水銀灯(1.5〜2.0kHzにおいて255、315、および365nmに主波長を有する光源。)からの光を15秒間照射し、硬化物を得た。
該硬化物の鉛筆硬度を、JIS K5400(旧JIS)に準拠し、1kg荷重の条件で求めた。
鉛筆硬度は、硬化物の機械的強度の目安となる。鉛筆硬度は、F以上の時に良好であると判断した。
(ドライエッチング耐性)
ドライエッチング耐性は、下記のようにして求めた。
光硬化性組成物を基板(シリコンウェハ)に塗布した後、光硬化性組成物に高圧水銀灯(1.5〜2.0kHzにおいて255、315、および365nmに主波長を有する光源。)からの光を15秒間照射し、硬化物とした。該硬化物が形成された基板と、ポリメチルメタクリレート(以下、PMMAと記す。)を塗布した基板とを用意し、同時にRIE−10NR(SAMCO社製)を用い、CF/O(40/10sccm)、圧力5Pa、出力70W、120秒の条件で、同時にエッチング処理を行い、エッチング処理前後の膜厚の差から、エッチング速度を割り出し、PMMAのエッチング速度を1としたときの硬化物のエッチング速度の相対値を求め、ドライエッチング耐性とした。ドライエッチング耐性は0.6以下の時に良好であると判断した。
(化合物(A1))
Figure 2008155928
(化合物(A2))
Figure 2008155928
ただし、qおよびrは、それぞれ1〜3の整数を示す。
(化合物(A3))
Figure 2008155928
(化合物(B11))
CH=CHCOOCHCH(CFF ・・・(B11)。
(化合物(B2))
CF=CFCFC(CF)(OH)CHCH=CH ・・・(B2)。
(化合物(C1))
Figure 2008155928
(化合物(C2))
Figure 2008155928
(光重合開始剤(D1))
光重合開始剤(D1):チバ・ガイギー・スペシャリティー社製、商品名:イルガキュア651。
(化合物(E1))
Figure 2008155928
(化合物(F1))
Figure 2008155928
(含フッ素界面活性剤(G1))
含フッ素界面活性剤(G1):ノニオン系含フッ素界面活性剤、セイミケミカル社製、商品名:サーフロンS−393。
(含フッ素ポリマー(H11))
化合物(B2)の9.00g、1,4−ジオキサンの38.37gを、耐圧反応器(内容積50mL、ガラス製)に仕込み、つぎにジイソプロピルペルオキシジカーボネートの0.71gを仕込んだ。反応器内を凍結脱気してから、内温を40℃に保持して、18時間重合を行った。つぎにヘキサン中に反応器の内容液を滴下した。凝集した固形分を回収し、110℃にて40時間、真空乾燥して白色粉末状の、下記繰り返し単位を有する非結晶性含フッ素ポリマー(フッ素含有量56.3質量%)(以下、含フッ素ポリマー(H11)と記す。)の6.33gを得た。含フッ素ポリマー(H11)は、ガラス転移点温度が118℃であり、数平均分子量が2600であり、質量平均分子量が4800であった。
Figure 2008155928
(含フッ素ポリマー(H41))
含フッ素ポリマー(H41):旭硝子社製、商品名:ルミフロンLF710、質量平均分子量40000。
〔例1〕
バイヤル容器(内容積6mL)に、化合物(A1)の1.52g、化合物(B11)の0.88g、化合物(C1)の1.44gを加え、つぎに光重合開始剤(D1)の0.16gを混合し、0.2μmのポリエチレンテレフタレート(以下、PTFEと記す。)製のフィルターにてろ過して、光硬化性組成物を得た。該組成物の組成を表1に、評価結果を表2に示す。
〔例2〕
バイヤル容器(内容積6mL)に、化合物(A2)の1.52g、化合物(B11)の0.88g、化合物(C1)の1.44gを加え、つぎに光重合開始剤(D1)の0.16gを混合し、0.2μmのPTFE製のフィルターにてろ過して、光硬化性組成物を得た。該組成物の組成を表1に、評価結果を表2に示す。
〔例3〕
バイヤル容器(内容積6mL)に、化合物(A3)の1.52g、化合物(B11)の0.88g、化合物(C1)の1.44gを加え、つぎに光重合開始剤(D1)の0.16gを混合し、0.2μmのPTFE製のフィルターにてろ過して、光硬化性組成物を得た。該組成物の組成を表1に、評価結果を表2に示す。
〔例4〕
バイヤル容器(内容積6mL)に、化合物(A2)の1.52g、化合物(B2)の0.88g、化合物(C1)の1.44gを加え、つぎに光重合開始剤(D1)の0.16gを混合し、0.2μmのPTFE製のフィルターにてろ過して、光硬化性組成物を得た。該組成物の組成を表1に、評価結果を表2に示す。
〔例5〕
バイヤル容器(内容積6mL)に、化合物(A2)の1.52g、化合物(B11)の0.88g、化合物(C2)の1.44gを加え、つぎに光重合開始剤(D1)の0.16gを混合し、0.2μmのPTFE製のフィルターにてろ過して、光硬化性組成物を得た。該組成物の組成を表1に、評価結果を表2に示す。
〔例6〕
バイヤル容器(内容積6mL)に、化合物(A2)の1.32g、化合物(B11)の0.80g、化合物(C1)の1.32g、化合物(E1)の0.40gを加え、つぎに光重合開始剤(D1)の0.16gを混合し、0.2μmのPTFE製のフィルターにてろ過して、光硬化性組成物を得た。該組成物の組成を表1に、評価結果を表2に示す。
〔例7〕
バイヤル容器(内容積6mL)に、化合物(A2)の1.20g、化合物(B11)の0.80g、化合物(C1)の1.20g、化合物(E1)の0.32g、化合物(F1)の0.32gを加え、つぎに光重合開始剤(D1)の0.16gを混合し、0.2μmのPTFE製のフィルターにてろ過して、光硬化性組成物を得た。該組成物の組成を表1に、評価結果を表2に示す。
〔例8〕
バイヤル容器(内容積6mL)に、化合物(A2)の1.20g、化合物(B11)の0.80g、化合物(C1)の1.20g、化合物(E1)の0.28g、化合物(F1)の0.28g、含フッ素界面活性剤(G1)の0.08gを加え、つぎに光重合開始剤(D1)の0.16gを混合し、0.2μmのPTFE製のフィルターにてろ過して、光硬化性組成物を得た。該組成物の組成を表1に、評価結果を表2に示す。
〔例9〕
バイヤル容器(内容積6mL)に、化合物(A2)の1.20g、化合物(B11)の0.80g、化合物(C1)の1.20g、化合物(E1)の0.28g、含フッ素界面活性剤(G1)の0.08g、含フッ素ポリマー(H11)の0.28gを加え、つぎに光重合開始剤(D1)の0.16gを混合し、0.2μmのPTFE製のフィルターにてろ過して、光硬化性組成物を得た。該組成物の組成を表1に、評価結果を表2に示す。
〔例10〕
バイヤル容器(内容積6mL)に、化合物(A2)の1.20g、化合物(B11)の0.80g、化合物(C1)の1.20g、化合物(E1)の0.28g、含フッ素界面活性剤(G1)の0.08g、含フッ素ポリマー(H41)の0.28gを加え、つぎに光重合開始剤(D1)の0.16gを混合し、0.2μmのPTFE製のフィルターにてろ過して、光硬化性組成物を得た。該組成物の組成を表1に、評価結果を表2に示す。
〔例11〕
バイヤル容器(内容積6mL)に、化合物(A1)の0.28g、化合物(B11)の1.56g、化合物(C1)の2.00gを加え、つぎに光重合開始剤(D1)の0.16gを混合し、0.2μmのPTFE製のフィルターにてろ過して、光硬化性組成物を得た。該組成物の組成を表1に、評価結果を表2に示す。
〔例12〕
バイヤル容器(内容積6mL)に、化合物(A1)の3.00g、化合物(B11)の0.40g、化合物(C1)の0.44gを加え、つぎに光重合開始剤(D1)の0.16gを混合し、0.2μmのPTFE製のフィルターにてろ過して、光硬化性組成物を得た。しかし、硬化物は硬くてもろく自立膜として取り扱うことが困難であった。該組成物の組成を表1に、評価結果を表2に示す。
〔例13〕
バイヤル容器(内容積6mL)に、化合物(A1)の1.84g、化合物(B11)の0.12g、化合物(C1)の1.88gを加え、つぎに光重合開始剤(D1)の0.16gを混合し、0.2μmのPTFE製のフィルターにてろ過して、光硬化性組成物を得た。該組成物の組成を表1に、評価結果を表2に示す。
〔例14〕
バイヤル容器(内容積6mL)に、化合物(A1)の0.80g、化合物(B11)の2.20g、化合物(C1)の0.84gを加え、つぎに光重合開始剤(D1)の0.16gを混合したが、均一に混合せず、相分離を引き起こしてしまった。該組成物の組成を表1に示す。
〔例15〕
バイヤル容器(内容積6mL)に、化合物(A1)の1.96g、化合物(B11)の1.60g、化合物(C1)の0.28gを加え、つぎに光重合開始剤(D1)の0.16gを混合したが、均一に混合せず、相分離を引き起こしてしまった。該組成物の組成を表1に示す。
〔例16〕
バイヤル容器(内容積6mL)に、化合物(A1)の0.60g、化合物(B11)の0.24g、化合物(C1)の3.00gを加え、つぎに光重合開始剤(D1)の0.16gを混合し、0.2μmのPTFE製のフィルターにてろ過して、光硬化性組成物を得た。しかし、硬化物はもろくて自立膜として取り扱うことが困難であった。該組成物の組成を表1に、評価結果を表2に示す。
〔例17〕
バイヤル容器(内容積6mL)に、化合物(A1)の1.60g、化合物(B11)の0.96g、化合物(C1)の1.42gを加え、つぎに光重合開始剤(D1)の0.02gを混合し、0.2μmのPTFE製のフィルターにてろ過して、光硬化性組成物を得た。しかし、光照射しても未硬化部分が多く硬化物を得ることができなかった。該組成物の組成を表1に、評価結果を表2に示す。
〔例18〕
バイヤル容器(内容積6mL)に、化合物(A1)の1.20g、化合物(B11)の0.72g、化合物(C1)の1.28gを加え、つぎに光重合開始剤(D1)の0.80gを混合したが、完全に光重合開始剤(D1)が溶解しなかったため均一な組成物を得ることはできなかった。該組成物の組成を表1に示す。
〔例19〕
バイヤル容器(内容積6mL)に、化合物(A1)の1.44g、化合物(B11)の0.88g、化合物(C1)の1.44g、化合物(E1)の0.08gを加え、つぎに光重合開始剤(D1)の0.16gを混合し、0.2μmのPTFE製のフィルターにてろ過して、光硬化性組成物を得た。該組成物の組成を表1に、評価結果を表2に示す。
〔例20〕
バイヤル容器(内容積6mL)に、化合物(A1)の1.08g、化合物(B11)の0.56g、化合物(C1)の1.20g、化合物(E1)の1.00gを加え、つぎに光重合開始剤(D1)の0.16gを混合し、0.2μmのPTFE製のフィルターにてろ過して、光硬化性組成物を得た。該組成物の組成を表1に、評価結果を表2に示す。
〔例21〕
バイヤル容器(内容積6mL)に、化合物(A2)の1.32g、化合物(B11)の0.88g、化合物(C1)の1.40g、化合物(E1)の0.20g、化合物(F1)の0.04gを加え、つぎに光重合開始剤(D1)の0.16gを混合し、0.2μmのPTFE製のフィルターにてろ過して、光硬化性組成物を得た。該組成物の組成を表1に、評価結果を表2に示す。
〔例22〕
バイヤル容器(内容積6mL)に、化合物(A2)の0.64g、化合物(B11)の0.40g、化合物(C1)の0.72g、化合物(E1)の0.26g、化合物(F1)の1.82gを加え、つぎに光重合開始剤(D1)の0.16gを混合し、0.2μmのPTFE製のフィルターにてろ過して、光硬化性組成物を得た。該組成物の組成を表1に、評価結果を表2に示す。
〔例23〕
バイヤル容器(内容積6mL)に、化合物(A2)の1.20g、化合物(B11)の0.20g、化合物(C1)の1.24g、化合物(E1)の0.80g、化合物(F1)の0.40g、含フッ素界面活性剤(G1)の0.002gを加え、つぎに光重合開始剤(D1)の0.16gを混合し、0.2μmのPTFE製のフィルターにてろ過して、光硬化性組成物を得た。該組成物の組成を表1に、評価結果を表2に示す。
〔例24〕
バイヤル容器(内容積6mL)に、化合物(A2)の1.08g、化合物(B11)の0.88g、化合物(C1)の1.08g、化合物(E1)の0.68g、含フッ素界面活性剤(G1)の0.12gを加え、つぎに光重合開始剤(D1)の0.16gを混合し、0.2μmのPTFE製のフィルターにてろ過して、光硬化性組成物を得た。該組成物の組成を表1に、評価結果を表2に示す。
〔例25〕
バイヤル容器(内容積6mL)に、化合物(A2)の1.28g、化合物(B11)の0.80g、化合物(C1)の1.28g、化合物(E1)の0.280g、含フッ素界面活性剤(G1)の0.08g、含フッ素ポリマー(H11)の0.12gを加え、つぎに光重合開始剤(D1)の0.16gを混合し、0.2μmのPTFE製のフィルターにてろ過して、光硬化性組成物を得た。該組成物の組成を表1に、評価結果を表2に示す。
〔例26〕
バイヤル容器(内容積6mL)に、化合物(A2)の0.96g、化合物(B11)の0.68g、化合物(C1)の1.00g、化合物(E1)の0.20g、含フッ素界面活性剤(G1)の0.08g、含フッ素ポリマー(H11)の0.84gを加え、つぎに光重合開始剤(D1)の0.24gを混合し、0.2μmのPTFE製のフィルターにてろ過して、光硬化性組成物を得た。該組成物の組成を表1に、評価結果を表2に示す。
Figure 2008155928
Figure 2008155928
〔例27〕
25℃にて、例2の光硬化性組成物の1滴をシリコンウェハ上に垂らし、該組成物が均一に塗布されたシリコンウェハを得た。幅800nm、深さ180nm、長さ10μmの凹部を表面に有する石英製モールドを、シリコンウェハ上の光硬化性組成物に押しつけて、そのまま0.5MPa(ゲージ圧)でプレスした。
つぎに25℃にて、モールド側から光硬化性組成物に高圧水銀灯(1.5〜2.0kHzにおいて255、315、および365nmに主波長を有する光源。)からの光を15秒間照射して、光硬化性組成物の硬化物を得た。25℃にて、モールドをシリコンウェハから分離して、モールドの凹部が反転した凸部を表面に有する硬化物がシリコンウェハの表面に形成された成形体を得た。該凸部の底面から頂上面まで高さは、178〜180nmであった。
本発明の製造方法で得られる、表面に微細パターンを有する成形体は、光学素子、反射防止部材、バイオチップ、マイクロリアクターチップ、記録メディア、触媒担持体、生産用のレプリカモールド、レジスト等として有用である。

なお、2007年6月20日に出願された日本特許出願2007−162466号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。

Claims (10)

  1. 環を2つ以上有する芳香族化合物または環を2つ以上有する脂環式化合物であり、かつ(メタ)アクリロイルオキシ基を2つ有する化合物(A)と、
    フッ素原子を有し、かつ炭素−炭素不飽和二重結合を1つ以上有する化合物(B)(ただし、化合物(A)を除く。)と、
    (メタ)アクリロイルオキシ基を1つ有する化合物(C)(ただし、化合物(B)を除く。)と、
    光重合開始剤(D)とを含み、
    化合物(A)、化合物(B)、化合物(C)および光重合開始剤(D)の合計(100質量%)のうち、化合物(A)が15〜60質量%であり、化合物(B)が5〜40質量%であり、化合物(C)が10〜55質量%であり、光重合開始剤(D)が1〜12質量%である、光硬化性組成物。
  2. 実質的に溶剤を含まない、請求項1に記載の光硬化性組成物。
  3. 化合物(A)、化合物(B)、化合物(C)および光重合開始剤(D)の合計100質量部に対して5〜30質量部の、(メタ)アクリロイルオキシ基を2つ有する化合物(E)(ただし、化合物(A)および化合物(B)を除く。)をさらに含む、請求項1または2に記載の光硬化性組成物。
  4. 化合物(A)、化合物(B)、化合物(C)および光重合開始剤(D)の合計100質量部に対して5〜90質量部の、(メタ)アクリロイルオキシ基を3つ以上有する化合物(F)(ただし、化合物(B)を除く。)をさらに含む、請求項1〜3のいずれかに記載の光硬化性組成物。
  5. 化合物(A)、化合物(B)、化合物(C)および光重合開始剤(D)の合計100質量部に対して0.1〜3質量部の含フッ素界面活性剤(G)をさらに含み、
    かつ含フッ素界面活性剤(G)の総量に対する化合物(B)の量が、0.5〜100倍質量である、請求項1〜4のいずれかに記載の光硬化性組成物。
  6. 化合物(A)、化合物(B)、化合物(C)および光重合開始剤(D)の合計100質量部に対して5〜25質量部の含フッ素ポリマー(H)をさらに含み、
    かつ含フッ素ポリマー(H)の総量に対する化合物(B)の量が、0.5〜100倍質量である、請求項1〜5のいずれかに記載の光硬化性組成物。
  7. 表面に微細パターンを有する成形体の製造方法であり、
    請求項1〜6のいずれかに記載の光硬化性組成物を、前記微細パターンの反転パターンを表面に有するモールドの該反転パターンを有する表面に接触させる工程と、
    前記モールドの表面に前記光硬化性組成物を接触させた状態で、前記光硬化性組成物に光を照射し、前記光硬化性組成物を硬化させて硬化物とする工程と、
    前記硬化物から前記モールドを分離して、表面に微細パターンを有する成形体を得る工程と、
    を有する、表面に微細パターンを有する成形体の製造方法。
  8. 表面に微細パターンを有する成形体の製造方法であり、
    請求項1〜6のいずれかに記載の光硬化性組成物を、基板の表面に配置する工程と、
    前記微細パターンの反転パターンを表面に有するモールドを、該モールドの反転パターンが前記光硬化性組成物に接するように、前記光硬化性組成物に押しつける工程と、
    前記モールドを前記光硬化性組成物に押しつけた状態で、前記光硬化性組成物に光を照射し、前記光硬化性組成物を硬化させて硬化物とする工程と、
    前記硬化物から前記モールド、または前記基板および前記モールドを分離して、表面に微細パターンを有する成形体を得る工程と、
    を有する、表面に微細パターンを有する成形体の製造方法。
  9. 表面に微細パターンを有する成形体の製造方法であり、
    請求項1〜6のいずれかに記載の光硬化性組成物を、前記微細パターンの反転パターンを表面に有するモールドの該反転パターンを有する表面に配置する工程と、
    基板を、前記光硬化性組成物に押しつける工程と、
    前記基板を前記光硬化性組成物に押しつけた状態で、前記光硬化性組成物に光を照射し、前記光硬化性組成物を硬化させて硬化物とする工程と、
    前記硬化物から前記モールド、または前記基板および前記モールドを分離して、表面に微細パターンを有する成形体を得る工程と、
    を有する、表面に微細パターンを有する成形体の製造方法。
  10. 表面に微細パターンを有する成形体の製造方法であり、
    基板と、前記微細パターンの反転パターンを表面に有するモールドとを、該モールドの反転パターンが前記基板の側になるように接近または接触させる工程と、
    請求項1〜6のいずれかに記載の光硬化性組成物を、前記基板と前記モールドとの間に充填する工程と、
    前記基板と前記モールドとが接近または接触した状態で、前記光硬化性組成物に光を照射し、前記光硬化性組成物を硬化させて硬化物とする工程と、
    前記硬化物から前記モールド、または前記基板および前記モールドを分離して、表面に微細パターンを有する成形体を得る工程と、
    を有する、表面に微細パターンを有する成形体の製造方法。
JP2009520366A 2007-06-20 2008-02-13 表面に微細パターンを有する成形体の製造方法 Active JP5387406B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009520366A JP5387406B2 (ja) 2007-06-20 2008-02-13 表面に微細パターンを有する成形体の製造方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007162466 2007-06-20
JP2007162466 2007-06-20
JP2009520366A JP5387406B2 (ja) 2007-06-20 2008-02-13 表面に微細パターンを有する成形体の製造方法
PCT/JP2008/052373 WO2008155928A1 (ja) 2007-06-20 2008-02-13 光硬化性組成物および表面に微細パターンを有する成形体の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2008155928A1 true JPWO2008155928A1 (ja) 2010-08-26
JP5387406B2 JP5387406B2 (ja) 2014-01-15

Family

ID=40156091

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009520366A Active JP5387406B2 (ja) 2007-06-20 2008-02-13 表面に微細パターンを有する成形体の製造方法

Country Status (8)

Country Link
US (2) US8163813B2 (ja)
EP (1) EP2159236B1 (ja)
JP (1) JP5387406B2 (ja)
KR (1) KR101431861B1 (ja)
CN (1) CN101679568B (ja)
AT (1) ATE556098T1 (ja)
TW (1) TWI455951B (ja)
WO (1) WO2008155928A1 (ja)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101416083A (zh) * 2006-04-07 2009-04-22 旭硝子株式会社 线栅型偏振器及其制造方法
JP5413195B2 (ja) * 2007-09-28 2014-02-12 旭硝子株式会社 微細パターン形成体、微細パターン形成体の製造方法、光学素子および光硬化性組成物
JP2009215179A (ja) * 2008-03-07 2009-09-24 Fujifilm Corp (メタ)アクリレート化合物、これを用いた硬化性組成物、光ナノインプリント用組成物、並びにこれらの硬化性組成物の硬化物およびその製造方法
CN101981479A (zh) * 2008-04-03 2011-02-23 旭硝子株式会社 线栅型偏振器及其制造方法
EP2264492B1 (en) * 2008-04-08 2014-07-02 Asahi Glass Company, Limited Manufacturing method for a wire grid polarizer
KR101702278B1 (ko) * 2008-05-29 2017-02-03 아사히 가라스 가부시키가이샤 광경화성 조성물 및 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법
JP5459210B2 (ja) * 2008-07-10 2014-04-02 旭硝子株式会社 ワイヤグリッド型偏光子およびその製造方法
JP5594147B2 (ja) * 2008-12-05 2014-09-24 旭硝子株式会社 光硬化性組成物および表面に微細パターンを有する成形体の製造方法
US9978479B2 (en) 2009-02-26 2018-05-22 Corning Incorporated Electrically isolating polymer composition
US20100215968A1 (en) * 2009-02-26 2010-08-26 Fields Lenwood L Electrically isolating polymer composition
JP5518538B2 (ja) 2009-03-26 2014-06-11 富士フイルム株式会社 レジスト組成物、レジスト層、インプリント方法、パターン形成体、磁気記録媒体の製造方法、及び磁気記録媒体
JP5245164B2 (ja) * 2009-05-14 2013-07-24 公立大学法人首都大学東京 マイクロリアクターおよびマイクロリアクターの製造方法
JP5566639B2 (ja) * 2009-07-16 2014-08-06 富士フイルム株式会社 インプリント用硬化性組成物、硬化物およびパターン形成方法
US9056938B2 (en) 2009-08-26 2015-06-16 Mitsui Chemicals, Inc. Fluorine-containing cyclic olefin polymer composition, imprint product obtained using the composition, and method for producing the same
JP5671302B2 (ja) * 2009-11-10 2015-02-18 富士フイルム株式会社 インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン
JP5693925B2 (ja) * 2010-02-04 2015-04-01 丸善石油化学株式会社 樹脂型、成形体、及び成形体の製造方法
JP5681980B2 (ja) * 2010-03-01 2015-03-11 公立大学法人大阪府立大学 溶剤溶解型光硬化性組成物を用いた微細構造体の製造方法
WO2011125800A1 (ja) * 2010-03-31 2011-10-13 Jsr株式会社 ナノインプリント用硬化性組成物、半導体素子及びナノインプリント方法
TWI480324B (zh) * 2010-08-04 2015-04-11 Asahi Glass Co Ltd A photohardenable composition, and a molded article having a fine pattern on its surface
KR101692101B1 (ko) * 2010-08-04 2017-01-02 아사히 가라스 가부시키가이샤 광 경화성 조성물 및 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법
JP5905207B2 (ja) 2011-04-21 2016-04-20 丸善石油化学株式会社 金属不純物量の少ない半導体リソグラフィー用共重合体の製造方法及び該共重合体を製造するための重合開始剤の精製方法
US9504987B2 (en) * 2011-07-18 2016-11-29 New Jersey Institute Of Technology System and method for superabsorbent material
JP5696017B2 (ja) * 2011-09-27 2015-04-08 富士フイルム株式会社 インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン
JP5959865B2 (ja) 2012-02-09 2016-08-02 キヤノン株式会社 光硬化物及びその製造方法
JP5794387B2 (ja) * 2012-04-10 2015-10-14 ダイキン工業株式会社 インプリント用樹脂モールド材料組成物
WO2013157496A1 (ja) * 2012-04-16 2013-10-24 日産化学工業株式会社 含フッ素高分岐ポリマー及びそれを含むポリカーボネート樹脂組成物
JP2017014303A (ja) * 2013-11-21 2017-01-19 旭硝子株式会社 硬化性組成物、硬化物、カメラモジュール、撮像装置の製造方法
TW201627431A (zh) * 2014-12-25 2016-08-01 Fujifilm Corp 壓印用光硬化性組成物、圖案形成方法及元件製造方法
KR102005789B1 (ko) 2015-03-20 2019-10-01 후지필름 가부시키가이샤 임프린트용 경화성 조성물, 경화물, 패턴 형성 방법, 리소그래피 방법, 패턴 및 리소그래피용 마스크
JP6753038B2 (ja) * 2015-04-07 2020-09-09 三菱ケミカル株式会社 光硬化性組成物
JP6881567B2 (ja) * 2017-03-23 2021-06-02 Agc株式会社 インプリント用硬化性組成物、レプリカモールドおよびその製造方法
US11262650B1 (en) * 2018-12-11 2022-03-01 Facebook Technologies, Llc Reducing adhesive failure during nanoimprint lithography demolding
US11294278B1 (en) 2018-12-11 2022-04-05 Facebook Technologies, Llc Reducing adhesive failure during nanoimprint lithography demolding
WO2023018224A2 (ja) * 2021-08-12 2023-02-16 ニッカ コリア カンパニー リミテッド フッ素系ポリマー、表面処理剤、繊維製品の製造方法、及び、繊維製品

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0210637B1 (en) * 1985-07-31 1991-09-11 E.I. Du Pont De Nemours And Company Optical coating composition
BR8900132A (pt) * 1988-01-15 1989-09-12 Du Pont Processo para a formacao de um halograma de reflexao;processo para a formacao e a intensificacao de um halograma de reflexao em um meio de registro fotopolimerizavel substancialmente solido;e projecao de um feixe do objeto com a mesma radiacao actinica coerente aproximadamente na direcao oposta a do feixe de referencia
US5004790A (en) * 1989-02-15 1991-04-02 Allied-Signal Inc. Fluorinated surfactant monomers for polymer surface modification
US5609990A (en) * 1995-02-08 1997-03-11 Imation Corp. Optical recording disk having a sealcoat layer
JP3605868B2 (ja) * 1995-03-01 2004-12-22 日本油脂株式会社 撥水・撥油性材料
DE19706515A1 (de) * 1997-02-19 1998-08-20 Inst Neue Mat Gemein Gmbh Hydroxylgruppen-arme organisch/anorganische Komposite, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung
ATE260306T1 (de) * 1998-12-11 2004-03-15 Biocompatibles Uk Ltd Vernetzte polymere und refraktionsvorrichtung aus diesen geformt
EP1352295B1 (en) 2000-10-12 2015-12-23 Board of Regents, The University of Texas System Template for room temperature, low pressure micro- and nano-imprint lithography
JP4003565B2 (ja) * 2002-07-19 2007-11-07 三菱化学株式会社 重合性組成物及びその硬化物
JP2004071934A (ja) 2002-08-08 2004-03-04 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 微細パターンの製造方法および転写材料
KR100568581B1 (ko) * 2003-04-14 2006-04-07 주식회사 미뉴타텍 미세패턴 형성 몰드용 조성물 및 이로부터 제작된 몰드
US7050227B2 (en) * 2003-12-11 2006-05-23 3M Innovative Properties Company Composition for microstructured screens
JP2005338780A (ja) * 2004-04-28 2005-12-08 Omron Corp マイクロレンズ
WO2006030625A1 (ja) * 2004-09-16 2006-03-23 Asahi Glass Company, Limited 硬化性組成物、微細構造体の製造方法およびパターンの形成方法
JP5169213B2 (ja) * 2005-02-04 2013-03-27 ダイキン工業株式会社 硬化性組成物およびそれを硬化してなる光学部材
CN101160331B (zh) * 2005-04-21 2010-12-15 旭硝子株式会社 光固化性组合物、精细图案形成体及其制造方法
JP2006306951A (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Mitsubishi Rayon Co Ltd アクリル系樹脂板の製造方法、並びにタッチパネル用重合性組成物、該重合性組成物を用いた透明基板、透明電極板およびタッチパネル
WO2007020901A1 (ja) * 2005-08-17 2007-02-22 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 含フッ素アダマンタン誘導体、重合性基含有含フッ素アダマンタン誘導体及びそれを含有する樹脂組成物
JP4770354B2 (ja) * 2005-09-20 2011-09-14 日立化成工業株式会社 光硬化性樹脂組成物及びこれを用いたパターン形成方法
JP2007137998A (ja) * 2005-11-17 2007-06-07 Daikin Ind Ltd 硬化性組成物およびそれを硬化してなる光学材料
JP2007162466A (ja) 2005-12-09 2007-06-28 Denso Corp ソレノイド制御装置
JP2007178724A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Mitsubishi Rayon Co Ltd 表面に微細凹凸構造を有する成形体の製造方法および反射防止物品
CN101495443A (zh) * 2006-08-04 2009-07-29 出光兴产株式会社 含金刚烷结构的聚合性化合物、其制备方法和树脂组合物

Also Published As

Publication number Publication date
CN101679568A (zh) 2010-03-24
JP5387406B2 (ja) 2014-01-15
EP2159236A1 (en) 2010-03-03
EP2159236B1 (en) 2012-05-02
WO2008155928A1 (ja) 2008-12-24
EP2159236A4 (en) 2010-12-22
US20100038831A1 (en) 2010-02-18
KR20100032358A (ko) 2010-03-25
KR101431861B1 (ko) 2014-08-25
CN101679568B (zh) 2012-07-04
TW200916488A (en) 2009-04-16
ATE556098T1 (de) 2012-05-15
US8163813B2 (en) 2012-04-24
US20120175821A1 (en) 2012-07-12
TWI455951B (zh) 2014-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5387406B2 (ja) 表面に微細パターンを有する成形体の製造方法
JP5617632B2 (ja) 光硬化性組成物および表面に微細パターンを有する成形体の製造方法
JP5594147B2 (ja) 光硬化性組成物および表面に微細パターンを有する成形体の製造方法
JP5315263B2 (ja) 光硬化性組成物および表面に微細パターンを有する成形体の製造方法
US8207242B2 (en) Process for producing photocurable material, photocurable material and article
JP2007001250A (ja) 微細パターン形成体の製造方法
JP5647829B2 (ja) 光硬化性組成物および表面に微細パターンを有する成形体の製造方法
WO2012017530A1 (ja) 光硬化性組成物および表面に微細パターンを有する成形体の製造方法
JP2014040046A (ja) 微細パターンを表面に有する成形体および該成形体の製造方法
JP2011016351A (ja) 子モールドの製造方法および物品の製造方法
JP2012000842A (ja) 微細パターンを表面に有する成型体の製造方法
JP2011012163A (ja) 光硬化性材料の製造方法、光硬化性材料および物品

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100909

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130416

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20130527

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130527

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130625

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130808

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20130809

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130910

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130923

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5387406

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250