JPWO2008081806A1 - 配線膜の形成方法、トランジスタ、及び電子装置 - Google Patents
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Abstract
Description
また半導体で用いられているCuメッキの下地Cuシード層に関しても、上記と同様に拡散の問題から、TiNやTaN等の拡散防止のバリア層が必要となっている。
本発明は配線膜の形成方法であって、前記第一、第二のスパッタリングターゲットとして、同一のターゲットを用い、前記第一の金属膜の成膜と、前記第二の金属膜の成膜は、同じ真空槽内部で行う配線膜の形成方法である。
本発明は配線膜の形成方法であって、前記第二のスパッタリングターゲットとして、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素が含有されたターゲットを用い、前記第一、第二のスパッタリングターゲットを、別々の真空槽内部に配置し、前記別々の真空槽内部で、前記第一、第二の金属膜の成膜を行う配線膜の形成方法である。
本発明は配線膜の形成方法であって、前記第二のスパッタリングターゲットとして純銅ターゲットを用い、前記第一、第二のスパッタリングターゲットを同じ真空槽内部に配置し、前記第一の金属膜の成膜と、前記第二の金属膜の成膜は、前記真空槽内部で行う配線膜の形成方法である。
本発明は配線膜の形成方法であって、前記第二のスパッタリングターゲットとして純銅ターゲットを用い、前記第一、第二のスパッタリングターゲットを別々の真空槽内部に配置し、前記別々の真空槽内部で、前記第一、第二の金属膜の成膜を行う配線膜の形成方法である。
本発明は配線膜の形成方法であって、前記第二の金属膜を形成した後、前記成膜対象物が置かれた真空雰囲気に、酸素ガスとスパッタガスを導入し、酸素を含む真空雰囲気中で、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素が含有された第三のスパッタリングターゲットをスパッタリングして、前記第二の金属膜の表面に第三の金属膜を形成した後、前記第一〜第三の金属膜をエッチングする配線膜の形成方法である。
本発明は配線膜の形成方法であって、前記第二のスパッタリングターゲットとして、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素が含有されたターゲットを用いる配線膜の形成方法である。
本発明は配線膜の形成方法であって、前記第一〜第三のスパッタリングターゲットを別々の真空槽内に配置し、前記別々の真空槽内で前記第一〜第三の金属膜を形成する配線膜の形成方法である。
本発明は配線膜の形成方法であって、前記第一、第三のスパッタリングターゲットを同じ真空槽内に配置し、前記第一、第三の金属膜を前記同じ真空槽内で形成し、前記第二のスパッタリングターゲットを前記第一、第三のスパッタリングターゲットとは異なる真空槽内に配置し、前記第二の金属膜を前記異なる真空槽内で形成する配線膜の形成方法である。
本発明は配線膜の形成方法であって、前記第二のスパッタリングターゲットとして純銅ターゲットを用いる配線膜の形成方法である。
本発明は配線膜の形成方法であって、前記第一〜第三のスパッタリングターゲットを別々の真空槽内に配置し、前記別々の真空槽内で前記第一〜第三の金属膜を形成する配線膜の形成方法である。
本発明は配線膜の形成方法であって、前記第一、第三のスパッタリングターゲットを同じ真空槽内に配置し、前記第一、第三の金属膜を前記同じ真空槽内で形成し、前記第二のスパッタリングターゲットを前記第一、第三のスパッタリングターゲットとは異なる真空槽内に配置し、前記第二の金属膜を前記異なる真空槽内で形成する配線膜の形成方法である。
本発明は配線膜の形成方法であって、前記第一のスパッタリングターゲットとして、Alが0.1原子%以上10.0原子%以下含有されたものを用い、前記真空雰囲気のスパッタガス分圧に対する酸素ガス分圧の割合が、0.1%以上20.0%以下になるように酸素ガスを導入して、前記第一のスパッタリングターゲットをスパッタリングする配線膜の形成方法である。
本発明は配線膜の形成方法であって、前記第一のスパッタリングターゲットとして、Mgが0.1原子%以上10.0原子%以下含有されたものを用い、前記真空雰囲気の前記スパッタガス分圧に対する酸素ガス分圧の割合が、0.1%以上20.0%以下になるように酸素ガスを導入して、前記第一のスパッタリングターゲットをスパッタリングする配線膜の形成方法である。
本発明はトランジスタであって、ゲート電極と、半導体からなるドレイン半導体層と、半導体からなるソース半導体層とを有し、前記ゲート電極に印加する電圧で、前記ドレイン半導体層と前記ソース半導体層との間が遮断又は導通されるように構成され、前記ドレイン半導体層表面と前記ソース半導体層の表面のいずれか一方又は両方には、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素と、酸素とが含有された第一の金属膜が形成され、前記各第一の金属膜の表面には、銅を主成分とし、前記第一の金属膜よりも低抵抗な第二の金属膜がそれぞれ形成されたトランジスタである。
本発明はトランジスタであって、前記第一の金属膜には、酸素が0.1原子%以上含有されたトランジスタである。
本発明はトランジスタであって、前記第二の金属膜の表面には、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素と、酸素とが含有された第三の金属膜が形成されたトランジスタである。
本発明は、ゲート電極と、半導体からなるドレイン半導体層と、半導体からなるソース半導体層とを有し、前記ゲート電極に印加する電圧で、前記ドレイン半導体層と前記ソース半導体層との間が遮断又は導通されるように構成され、前記ゲート電極はガラス基板に接触するトランジスタであって、前記ゲート電極は、前記ガラス基板の表面に形成された第一の金属膜と、前記第一の金属膜の表面に形成された第二の金属膜とを有し、前記第一の金属膜は、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素と、酸素とが含有され、前記第二の金属膜は、銅を主成分とし、前記第一の金属膜よりも低抵抗にされたトランジスタである。
本発明はトランジスタであって、前記第一の金属膜には、酸素が0.1原子%以上含有されたトランジスタである。
本発明はトランジスタであって、前記第二の金属膜の表面には、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素と、酸素とが含有された第三の金属膜が形成されたトランジスタである。
本発明は、トランジスタを有する電子装置であって、前記トランジスタは、ゲート電極と、半導体からなるドレイン半導体層と、半導体からなるソース半導体層とを有し、前記ゲート電極に印加する電圧で、前記ドレイン半導体層と前記ソース半導体層との間が遮断又は導通されるように構成され、前記ドレイン半導体層表面と前記ソース半導体層の表面のいずれか一方又は両方には、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素と、酸素とが含有された第一の金属膜が形成され、前記各第一の金属膜の表面には、銅を主成分とし、前記第一の金属膜よりも低抵抗な第二の金属膜がそれぞれ形成された電子装置である。
本発明は電子装置であって、前記第一の金属膜には、酸素が0.1原子%以上含有された電子装置である。
本発明は、トランジスタを有する電子装置であって、前記トランジスタは、ゲート電極と、半導体からなるドレイン半導体層と、半導体からなるソース半導体層とを有し、前記ゲート電極に印加する電圧で、前記ドレイン半導体層と前記ソース半導体層との間が遮断又は導通されるように構成され、前記ゲート電極はガラス基板に接触し、前記ゲート電極は、前記ガラス基板の表面に形成された第一の金属膜と、前記第一の金属膜の表面に形成された第二の金属膜とを有し、前記第一の金属膜は、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素と、酸素とが含有され、前記第二の金属膜は、銅を主成分とし、前記第一の金属膜よりも低抵抗にされた電子装置である。
本発明は電子装置であって、前記第一の金属膜には、酸素が0.1原子%以上含有された電子装置である。
本発明は、ガラス基板と、前記ガラス基板上に配置された透明な画素電極と、前記画素電極上に配置された液晶と、前記液晶上に配置された透明な共通電極と、前記ガラス基板に密着された蓄積電極を有し、前記画素電極と前記蓄積電極との間に形成される液晶容量に、前記蓄積電極を片側の電極とする蓄積容量が接続され、前記液晶容量の充放電で前記液晶の配向が制御される電子装置であって、前記蓄積電極は、前記ガラス基板の表面に形成された第一の金属膜と、前記第一の金属膜の表面に形成された第二の金属膜とを有し、前記第一の金属膜は、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素と、酸素とが含有され、前記第二の金属膜は、銅を主成分とし、前記第一の金属膜よりも低抵抗にされた電子装置である。
本発明は電子装置であって、前記第一の金属膜には、酸素が0.1原子%以上含有された電子装置である。
本発明には用いるターゲットには、Cuと、上述した添加元素以外の元素(例えばMn)が不純物として混入する場合もあるが、不純物元素の含有量は0.1原子%未満、通常は10-4原子%未満である。そのようなターゲットを用いて成膜される本発明の配線膜は、Cuと添加元素と酸素以外の不純物元素の含有量が0.1原子%未満、通常は10-4原子%未満となる。
また、本発明で純銅とは、Cu以外の不純物元素の含有量が0.1原子%未満、通常は10-4原子%未満のものを指す。
真空槽2内には、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される添加元素が1種類以上含有されたスパッタリングターゲット11が配置されている。
第二の金属膜24を所定膜厚に形成した後、真空槽2の外部に搬出し、第一、第二の金属膜23、24を同じ形状にエッチングし、本発明の第一例の配線膜を形成する。
本発明では、第一の金属膜23と第二の金属膜24は両方とも銅を主成分としており、配線膜25を形成する際、第一、第二の金属膜23、24の積層膜の表面にパターニングされたレジスト層を配置し、同じ組成のエッチング液(又はエッチングガス)を使用して積層膜をエッチングすれば、第一、第二の金属膜23、24が同じ形状にパターニングされる。
この液晶表示装置3は能動型であり、TFT基板30は、ガラス基板31を有しており、ガラス基板31上にはTFT(薄膜トランジスタ)40と、表示画素35と、蓄積コンデンサ39が配置されている。
ゲート電極41、ドレイン電極42、ソース電極43、蓄積電極38が、上記配線膜25によって構成されている。
また、TFT40は、ゲート絶縁膜44と、チャネル半導体層46と、ドレイン半導体層47と、ソース半導体層48とを有している。
ドレイン半導体層47とソース半導体層48の間の位置の、チャネル半導体層46の反対側の面には、ゲート絶縁膜44とゲート電極41とが配置されている。ゲート電極41とチャネル半導体層46の間にはゲート絶縁膜44が位置している。
ゲート電極41と、ドレイン電極42と、ソース電極43は、TFT40の外部に導出され、外部電源からの電圧を印加可能になっている。
p型とn型の導電型のうち、ドレイン半導体層47とソース半導体層48は同じ導電型であり、チャネル半導体層46は、ドレイン半導体層47及びソース半導体層48と同じ導電型か、反対の導電型である。
先ず、チャネル半導体層46がソース及びドレイン半導体層47、48と同じ導電型の場合について説明する。
チャネル半導体層46は、不純物濃度がドレイン及びソース半導体層47、48に比べて高く、低抵抗になっている。
ドレイン電極42とソース電極43の間に動作電圧を印加した状態で、チャネル半導体層46、ドレイン及びソース半導体層48と同極性の電荷が、チャネル半導体層46表面に印加される電圧をゲート電極41に印加すると、チャネル半導体層46のゲート電極41上の部分に低抵抗の蓄積層が形成され、該蓄積層によってドレイン半導体層47とソース半導体層48が接続され、TFTが導通する。ゲート電圧が印加されない間は蓄積層は形成されず、TFT40は遮断している。
次に、チャネル半導体層46がソース及びドレイン電極47、48と異なる導電型の場合について説明すると、ドレイン電極42とソース電極43の間に動作電圧を印加した状態で、チャネル半導体層46表面に、当該チャネル半導体層46とは反対の極性の電荷が誘起される電圧をゲート電極41に印加すると、チャネル半導体層46のゲート電極41上の部分に、ソース及びドレイン電極47、48と同じ導電型の反転層が形成され、該反転層によってドレイン半導体層47とソース半導体層48が接続され、TFTが導通する。ゲート電圧が印加されない間は反転層は形成されず、TFT40は遮断している。
画素電極36は、蓄積コンデンサ39が位置する部分まで延設されており、ガラス基板31上に配置された蓄積電極38と、絶縁膜(ゲート絶縁膜44)を介して対向して配置され、対向した部分によって、蓄積容量が形成されている。
カラーフィルタ基板50は、TFT40と対向する位置にブラックマトリクス52が配置され、表示画素35と対向する位置に、カラーフィルタ53が配置されている。
TFT基板30とカラーフィルタ基板50は、それぞれ偏光板49、59を有している。TFT40の導通と遮断によって、画素電極36と共通電極55の間に電圧が印加されると、表示画素35上の液晶4の配向が変化し、液晶4を通る光の偏向方向が変更され、表示画素35に照射される光の、液晶表示装置3の外部への透過と遮断が制御される。
蓄積電極38と、ゲート電極41と、ドレイン電極42と、ソース電極43は、本発明の配線膜25で構成されており、第一の金属膜23が、ガラス基板31又は半導体層47、48と接触している。従って蓄積電極38及びゲート電極41とガラス基板31の間の密着性が高く、ドレイン電極42及びソース電極43と半導体層47、48の間の密着性も高い。
また、第一の金属膜23上に配置された第二の金属膜24には酸素は含有されておらず、低抵抗であるから、各電極膜の拡がり方向(膜厚方向と直角の方向)の抵抗は低抵抗である。
図4の符号6は、本発明の電子装置の他の例である半導体装置の一部であり、図4では半導体装置6のトランジスタ60が示されている。
このトランジスタ60は、ガラス基板上に配置されず、半導体基板(シリコン基板)61を有する他は、上記図3に示したTFT40と同じ部材を有しており、同じ部材には同じ符号を付して説明を省略する。
従って、ドレイン電極42とソース電極43のシリコン基板61に対する密着性は高く、第一の金属膜23によってシリコン基板61への銅拡散も防止される。
図9の符号80は第二例のスパッタリング装置を示しており、第二例のスパッタリング装置80は、第一の真空槽2aと、第一の真空槽2aに接続された第二の真空槽2bと、第一の真空槽2a内に配置された第一のスパッタリングターゲット11aと、第二の真空槽2b内に配置された第二のスパッタリングターゲット11bとを有している。
真空排気系9により、第一、第二の真空槽2a、2b内部に真空雰囲気を形成し、該真空雰囲気を維持したまま、成膜対象物21を第一の真空槽2a内部に搬入し、基板ホルダ7aに保持させる。第一のスパッタリングターゲット11aは、第一例のスパッタリング装置1のスパッタリングターゲット11と同様に、銅を主成分とし、添加元素を含有している。
上述したように、酸素ガスを含む真空雰囲気を第一の真空槽11a内部に形成し、第一のスパッタリングターゲット11aをスパッタリングすると、第一の金属膜23が形成される。第一の金属膜23が形成された成膜対象物21を第一の真空槽2aから第二の真空槽2bへ搬入し、基板ホルダ7bに保持させる。
第二の真空槽2a内を真空排気しながら、スパッタガスを導入し、第一の金属膜23を成膜する時よりも酸素ガス分圧が低い真空雰囲気を形成して、該真空雰囲気中で第二のスパッタリングターゲット11bをスパッタリングし、第二の金属膜24を形成する。
第一例のスパッタリング装置1は同じ真空槽2内部で酸素ガス分圧を変えて第一、第二の金属膜23、24を形成するから、一つの膜を成膜後、次の膜を成膜開始するまでの真空排気に長時間を要する。これに対し、第二例のスパッタリング装置80は第一、第二の金属膜23、24を異なる真空槽で形成するから、各真空槽の真空排気に要する時間が短くてすむ。
第二のスパッタリングターゲット11bが銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素が含有された場合には、銅を主成分とし、添加元素が添加され、酸素含有量が第一の金属膜23よりも少ない第二の金属膜24が形成される。
第二のスパッタリングターゲット11bが純銅ターゲットの場合、銅を主成分とし、添加元素が添加されていない第二の金属膜24が形成され、更に、第二のスパッタリングターゲット11bをスパッタリングする時の酸素分圧をゼロにすれば、純銅からなる第二の金属膜24が形成される。
第一、第二の金属膜23、24を同じ形状にパターニングすれば、図2(c)の符号25に示した配線膜と同様の構造の、第二例の配線膜が得られる。純銅は添加元素を含有する銅よりも低抵抗であるから、第二のスパッタリングターゲット11bとして純銅ターゲットを用いると、配線膜はより低抵抗になる。
特に、液晶表示装置3のソース電極43のように、表面にITOやZnOなどの金属酸化膜(画素電極36)が密着する場合、表面に酸素を含有する第三の金属膜29があれば、画素電極36からソース電極43への酸素移動が起こらず、第二の金属膜24が酸化しないので、ソース電極43の電気抵抗が上昇しない。
第一〜第三の金属膜23、24、29は同じ真空槽内部で同じスパッタリングターゲット11をスパッタリングして形成してもよいし、同じ真空槽内部で異なるスパッタリングターゲットをスパッタリングして形成してもよい。
また、第一〜第三の金属膜23、24、29のうち、少なくとも第二の金属膜24を第一、第三の金属膜23、29と異なる真空槽内部で形成してもよい。
具体的には、上述した第二例のスパッタリング装置80を用い、第一の真空槽11a内部で第一の金属膜23を、第二の真空槽11b内部で第二の金属膜24を形成した後、第二の真空槽11bから第一の真空槽11aに成膜対象物21を戻す。第一の真空槽11a内部に酸素ガスとスパッタガスを導入し、第二の金属膜24を形成する時よりも酸素ガス分圧が高い真空雰囲気を形成し、該真空雰囲気中で第一のスパッタリングターゲット11aをスパッタリングして第三の金属膜29を形成する。
更に、各金属膜を別々の真空槽内部で形成してもよい。
図10の符号90は第三例のスパッタリング装置を示しており、このスパッタリング装置90は、第一、第二の真空槽11a、11bに加え、第二の真空槽11bに接続された第三の真空槽11cを有している。
第二例のスパッタリング装置80を用いた場合と同様に、第一の真空槽11a内部で第一の金属膜23を、第二の真空槽11b内部で第二の金属膜24を形成した後、予め真空雰囲気が形成された第三の真空槽11cに成膜対象物21を搬入し、基板ホルダ7cに保持させる。
第三の真空槽2c内部には、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素が含有された第三のスパッタリングターゲット11cが配置されている。
第三の真空槽2c内部を真空排気しながら、ガス導入系8からスパッタガスと酸素ガスを導入し、第二の金属膜24を形成する時よりも酸素ガス分圧が高い真空雰囲気を形成し、第三のスパッタリングターゲット11cをスパッタリングすれば、第三の金属膜29が形成される。
同じ真空槽2内で第一〜第三の金属膜23、24、29を形成するには、真空槽内に交互に酸素ガス分圧の異なる真空雰囲気を形成する必要があり、一つの膜の成膜を終了してから、次の膜を成膜するまでの真空排気に長時間を要する。これに対し、第二、第三例のスパッタリング装置80、90は、少なくとも第二の金属膜24を別の真空槽で形成するため、真空排気に長時間を要しない。
また、配線膜25、26全体の抵抗を下げるためには、第二の金属膜24を第一、第三の金属膜23、29よりも厚くする。そのため、第二の金属膜24は、第一、第三の金属膜23、29よりも成膜時間が長い。第二、第三例のスパッタリング装置80、90のように、成膜に長時間を要するものを専用の真空槽で成膜するようにすれば、生産性があがる。
更に、第三例のスパッタリング装置90のように、真空槽2a〜2cの数を、配線膜25、26を構成する銅膜の数と同じにし、各銅膜を専用の真空槽2a〜2c内で成膜するようにすれば生産性はより向上する。
第二例のスパッタリング装置80は、図9に示したように、第一、第二の真空槽2a、2bを直接接続してもよいし、第一、第二の真空槽2a、2bを同じ搬送室に接続し、該搬送室を介して第一、第二の真空槽2a、2b間で成膜対象物21を搬出入してもよい。
また、第三例のスパッタリング装置90は、図10に示したように、第一〜第三の真空槽2a〜2cを直列的に接続し、成膜対象物21を第二の真空槽2bを介して第一の真空槽2aから第三の真空槽2cへ搬送してもよい。更に、第一〜第三の真空槽2a〜2cを同じ搬送室に接続し、該搬送室を介して成膜対象物21を第一〜第三の真空槽2a〜2c間で搬出入してもよい。
いずれの場合も、成膜対象物21が大気に触れずに真空槽間を移動するから、膜質の良い配線膜25、26が得られる。
ガラス基板表面に形成された金属膜のうち、下記表1に記載した組合せで成膜した金属膜について、先端が鋭利なカッタナイフで1mm角のマスを10行×10列、計100個の刻みを入れ、粘着テープ(型番610のスコッチテープ)を貼り付けた後、粘着テープを剥がした時に残存する膜の個数を数えた。その結果を下記表1に記載する。
上記表1から、Al含有量が同じであっても、酸素ガスの割合が大きくなる程密着性が高く、また、酸素ガスの割合が同じであっても、Al含有量が多い程密着性が高いことがわかる。
ガラス基板の表面に形成された金属膜のうち、下記表2に記載する成膜条件の組合せで成膜された金属膜の比抵抗を測定した。その測定結果を下記表2に記載する。
また、上記表2から明らかなように、酸素ガス分圧の割合が同じでも、Al含有量が増える程比抵抗が上昇している。
シリコン基板の表面に形成された金属膜のうち、下記表3に示す成膜条件の組合せで成膜された金属膜について、シリコン基板の金属拡散の有無を調べた。その結果を下記表3に記載する。
また、シリコン基板表面に成膜された金属膜についても、Al含有量が多い程密着性が高くなる傾向があることから、Alが含有されたスパッタリングターゲットを用い、かつ、酸素を導入してスパッタリングを行えば、シリコン基板に対して密着性が高く、かつ、シリコン基板に対するバリア性にも優れた金属膜が得られることが分かる。
また、バリア性についても、Al以外の添加元素が含有されたスパッタリングターゲット11を用いる場合には、スパッタリング時に酸素ガスが導入されていればシリコン基板の銅拡散が起こらない。
下記表4に示す添加元素が含有されたスパッタリングターゲット11と、アニール温度(350℃と、450℃)と、酸素ガス分圧のスパッタガス分圧に対する割合(5.0%、7.5%、10.0%)の成膜条件を組み合わせてガラス基板の表面に単層の金属膜を成膜し、各金属膜について上記「密着性試験」と「比抵抗測定」を行った。測定結果を成膜条件と共に下記表4に記載する。
添加元素としてAlと、Siと、Scと、Yと、Ceがそれぞれ0.2原子%含有されたスパッタリングターゲット11について、添加元素の含有量と、酸素ガス分圧のスパッタガス分圧に対する割合を下記表5〜9に記載する成膜条件の組合せで、単層の金属膜を成膜した。
次に、添加元素がMgの場合の実施例について説明する。
ガラス基板表面に形成された各金属膜に、先端が鋭利なカッタナイフで1mm角のマスを10行×10列、計100個の刻みを入れ、粘着テープ(型番610のスコッチテープ)を貼り付けた後、粘着テープを剥がした時に残存する膜の個数を数えた。その結果を下記表10に記載する。
上記表1から、Mg含有量が同じであっても、酸素ガスの割合が大きくなる程密着性が高く、また、酸素ガスの割合が同じであっても、Mg含有量が多い程密着性が高いことがわかる。
ガラス基板の表面に形成された金属膜のうち、スパッタリングターゲットのMg含有量(0.1原子%、2.0原子%、10.0原子%)と、スパッタリング時の酸素ガス分圧のスパッタガス分圧に対する割合(ゼロ、1.0%、3.0%、10.0%、20.0%)、アニール温度が350℃の組合せについて金属膜の比抵抗を測定した。その測定結果を下記表11に記載する。
尚、図8には、Mg含有量がゼロ(純銅)のスパッタリングターゲットを用いた場合の、酸素ガス分圧の割合と比抵抗との関係を、曲線L2として記載した。
尚、表11を見ると、スパッタリングターゲットのMg含有量が10原子%、酸素ガス分圧の割合が20.0%の時の比抵抗(43.8μΩcm)が最大値であり、この値が上記配線膜の第一の金属膜23として使用可能な値の上限である。
シリコン基板の表面に形成された金属膜のうち、スパッタリングターゲットのMg含有量が、ゼロ、0.1原子%、2.0原子%、10.0原子%、スパッタリング時の酸素ガス分圧のスパッタガス分圧に対する割合がゼロ、0.1%、3.0%、10.0%、20.0%、アニール温度が450℃の組合せで成膜された金属膜について、シリコン基板の金属拡散の有無を調べた。その結果を下記表12に記載する。
Mg含有量が2.0原子%のスパッタリングターゲットを用い、酸素ガス分圧のスパッタガス分圧に対する割合を、0.1%、5.0%、10.0%、15.0%に変えて4種類の金属膜を成膜した。
酸素ガス分圧のスパッタガス分圧に対する割合が0.1%以上であると、金属膜に含まれる酸素原子の量は0.1原子%以上である。
表1に示したように、酸素ガス分圧が0.1%以上あれば、密着性、バリア性に優れた結果が得られることから、酸素の含有量が0.1原子%以上の金属膜は密着性、バリア性に優れていることが分かる。
Claims (26)
- 成膜対象物のシリコン又は二酸化ケイ素が露出する表面に、配線膜を形成する配線膜の形成方法であって、
前記成膜対象物が置かれた真空雰囲気に酸素ガスとスパッタガスとを導入し、酸素を含む真空雰囲気中で、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素が含有された第一のスパッタリングターゲットをスパッタリングし、前記成膜対象物の表面に第一の金属膜を成膜した後、
前記成膜対象物が置かれた真空雰囲気への酸素ガスの導入を停止した状態で、銅を主成分とする第二のスパッタリングターゲットをスパッタリングし、前記第一の金属膜の表面上に第二の金属膜を形成し、
前記第一、第二の金属膜をエッチングして前記配線膜を形成する配線膜の形成方法。 - 前記第一、第二のスパッタリングターゲットとして、同一のターゲットを用い、
前記第一の金属膜の成膜と、前記第二の金属膜の成膜は、同じ真空槽内部で行う請求項1記載の配線膜の形成方法。 - 前記第二のスパッタリングターゲットとして、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素が含有されたターゲットを用い、
前記第一、第二のスパッタリングターゲットを、別々の真空槽内部に配置し、前記別々の真空槽内部で、前記第一、第二の金属膜の成膜を行う請求項1記載の配線膜の形成方法。 - 前記第二のスパッタリングターゲットとして純銅ターゲットを用い、
前記第一、第二のスパッタリングターゲットを同じ真空槽内部に配置し、
前記第一の金属膜の成膜と、前記第二の金属膜の成膜は、前記真空槽内部で行う請求項1記載の配線膜の形成方法。 - 前記第二のスパッタリングターゲットとして純銅ターゲットを用い、
前記第一、第二のスパッタリングターゲットを別々の真空槽内部に配置し、
前記別々の真空槽内部で、前記第一、第二の金属膜の成膜を行う請求項1記載の配線膜の形成方法。 - 前記第二の金属膜を形成した後、前記成膜対象物が置かれた真空雰囲気に、酸素ガスとスパッタガスを導入し、
酸素を含む真空雰囲気中で、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素が含有された第三のスパッタリングターゲットをスパッタリングして、前記第二の金属膜の表面に第三の金属膜を形成した後、
前記第一〜第三の金属膜をエッチングする請求項1記載の配線膜の形成方法。 - 前記第二のスパッタリングターゲットとして、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素が含有されたターゲットを用いる請求項6記載の配線膜の形成方法。
- 前記第一〜第三のスパッタリングターゲットを別々の真空槽内に配置し、
前記別々の真空槽内で前記第一〜第三の金属膜を形成する請求項7記載の配線膜の形成方法。 - 前記第一、第三のスパッタリングターゲットを同じ真空槽内に配置し、前記第一、第三の金属膜を前記同じ真空槽内で形成し、
前記第二のスパッタリングターゲットを前記第一、第三のスパッタリングターゲットとは異なる真空槽内に配置し、前記第二の金属膜を前記異なる真空槽内で形成する請求項7記載の配線膜の形成方法。 - 前記第二のスパッタリングターゲットとして純銅ターゲットを用いる請求項6記載の配線膜の形成方法。
- 前記第一〜第三のスパッタリングターゲットを別々の真空槽内に配置し、
前記別々の真空槽内で前記第一〜第三の金属膜を形成する請求項10記載の配線膜の形成方法。 - 前記第一、第三のスパッタリングターゲットを同じ真空槽内に配置し、前記第一、第三の金属膜を前記同じ真空槽内で形成し、
前記第二のスパッタリングターゲットを前記第一、第三のスパッタリングターゲットとは異なる真空槽内に配置し、前記第二の金属膜を前記異なる真空槽内で形成する請求項10記載の配線膜の形成方法。 - 前記第一のスパッタリングターゲットとして、Alが0.1原子%以上10.0原子%以下含有されたものを用い、
前記真空雰囲気のスパッタガス分圧に対する酸素ガス分圧の割合が、0.1%以上20.0%以下になるように酸素ガスを導入して、前記第一のスパッタリングターゲットをスパッタリングする請求項1記載の配線膜の形成方法。 - 前記第一のスパッタリングターゲットとして、Mgが0.1原子%以上10.0原子%以下含有されたものを用い、
前記真空雰囲気の前記スパッタガス分圧に対する酸素ガス分圧の割合が、0.1%以上20.0%以下になるように酸素ガスを導入して、前記第一のスパッタリングターゲットをスパッタリングする請求項1記載の配線膜の形成方法。 - ゲート電極と、
半導体からなるドレイン半導体層と、
半導体からなるソース半導体層とを有し、
前記ゲート電極に印加する電圧で、前記ドレイン半導体層と前記ソース半導体層との間が遮断又は導通されるように構成され、
前記ドレイン半導体層表面と前記ソース半導体層の表面のいずれか一方又は両方には、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素と、酸素とが含有された第一の金属膜が形成され、
前記各第一の金属膜の表面には、銅を主成分とし、前記第一の金属膜よりも低抵抗な第二の金属膜がそれぞれ形成されたトランジスタ。 - 前記第一の金属膜には、酸素が0.1原子%以上含有された請求項15記載のトランジスタ。
- 前記第二の金属膜の表面には、
銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素と、酸素とが含有された第三の金属膜が形成された請求項15記載のトランジスタ。 - ゲート電極と、
半導体からなるドレイン半導体層と、
半導体からなるソース半導体層とを有し、
前記ゲート電極に印加する電圧で、前記ドレイン半導体層と前記ソース半導体層との間が遮断又は導通されるように構成され、
前記ゲート電極はガラス基板に接触するトランジスタであって、
前記ゲート電極は、前記ガラス基板の表面に形成された第一の金属膜と、前記第一の金属膜の表面に形成された第二の金属膜とを有し、
前記第一の金属膜は、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素と、酸素とが含有され、
前記第二の金属膜は、銅を主成分とし、前記第一の金属膜よりも低抵抗にされたトランジスタ。 - 前記第一の金属膜には、酸素が0.1原子%以上含有された請求項18記載のトランジスタ。
- 前記第二の金属膜の表面には、
銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素と、酸素とが含有された第三の金属膜が形成された請求項18記載のトランジスタ。 - トランジスタを有する電子装置であって、
前記トランジスタは、ゲート電極と、
半導体からなるドレイン半導体層と、
半導体からなるソース半導体層とを有し、
前記ゲート電極に印加する電圧で、前記ドレイン半導体層と前記ソース半導体層との間が遮断又は導通されるように構成され、
前記ドレイン半導体層表面と前記ソース半導体層の表面のいずれか一方又は両方には、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素と、酸素とが含有された第一の金属膜が形成され、
前記各第一の金属膜の表面には、銅を主成分とし、前記第一の金属膜よりも低抵抗な第二の金属膜がそれぞれ形成された電子装置。 - 前記第一の金属膜には、酸素が0.1原子%以上含有された請求項21記載の電子装置。
- トランジスタを有する電子装置であって、
前記トランジスタは、ゲート電極と、
半導体からなるドレイン半導体層と、
半導体からなるソース半導体層とを有し、
前記ゲート電極に印加する電圧で、前記ドレイン半導体層と前記ソース半導体層との間が遮断又は導通されるように構成され、
前記ゲート電極はガラス基板に接触し、
前記ゲート電極は、前記ガラス基板の表面に形成された第一の金属膜と、前記第一の金属膜の表面に形成された第二の金属膜とを有し、
前記第一の金属膜は、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素と、酸素とが含有され、
前記第二の金属膜は、銅を主成分とし、前記第一の金属膜よりも低抵抗にされた電子装置。 - 前記第一の金属膜には、酸素が0.1原子%以上含有された請求項23記載の電子装置。
- ガラス基板と、前記ガラス基板上に配置された透明な画素電極と、前記画素電極上に配置された液晶と、前記液晶上に配置された透明な共通電極と、前記ガラス基板に密着された蓄積電極を有し、
前記画素電極と前記蓄積電極との間に形成される液晶容量に、前記蓄積電極を片側の電極とする蓄積容量が接続され、
前記液晶容量の充放電で前記液晶の配向が制御される電子装置であって、
前記蓄積電極は、前記ガラス基板の表面に形成された第一の金属膜と、前記第一の金属膜の表面に形成された第二の金属膜とを有し、
前記第一の金属膜は、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素と、酸素とが含有され、
前記第二の金属膜は、銅を主成分とし、前記第一の金属膜よりも低抵抗にされた電子装置。 - 前記第一の金属膜には、酸素が0.1原子%以上含有された請求項25記載の電子装置。
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