JPWO2008081806A1 - 配線膜の形成方法、トランジスタ、及び電子装置 - Google Patents
配線膜の形成方法、トランジスタ、及び電子装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2008081806A1 JPWO2008081806A1 JP2008552119A JP2008552119A JPWO2008081806A1 JP WO2008081806 A1 JPWO2008081806 A1 JP WO2008081806A1 JP 2008552119 A JP2008552119 A JP 2008552119A JP 2008552119 A JP2008552119 A JP 2008552119A JP WO2008081806 A1 JPWO2008081806 A1 JP WO2008081806A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal film
- film
- sputtering
- oxygen
- semiconductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 50
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 263
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 263
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims abstract description 108
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 104
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 82
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 78
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 76
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 76
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 65
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 65
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 65
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 65
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 44
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 121
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 90
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 90
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 83
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 82
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 42
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 41
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 36
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 31
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 27
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052789 astatine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052705 radium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- -1 and Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 337
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 92
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 15
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 11
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000001941 electron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
- H01L23/53204—Conductive materials
- H01L23/53209—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
- H01L23/53228—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being copper
- H01L23/53238—Additional layers associated with copper layers, e.g. adhesion, barrier, cladding layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L21/2855—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by physical means, e.g. sputtering, evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
- H01L23/53204—Conductive materials
- H01L23/53209—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
- H01L23/53228—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being copper
- H01L23/53233—Copper alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/14—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
- H05K3/16—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation by cathodic sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/388—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of a metallic or inorganic thin film adhesion layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
Description
また半導体で用いられているCuメッキの下地Cuシード層に関しても、上記と同様に拡散の問題から、TiNやTaN等の拡散防止のバリア層が必要となっている。
本発明は配線膜の形成方法であって、前記第一、第二のスパッタリングターゲットとして、同一のターゲットを用い、前記第一の金属膜の成膜と、前記第二の金属膜の成膜は、同じ真空槽内部で行う配線膜の形成方法である。
本発明は配線膜の形成方法であって、前記第二のスパッタリングターゲットとして、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素が含有されたターゲットを用い、前記第一、第二のスパッタリングターゲットを、別々の真空槽内部に配置し、前記別々の真空槽内部で、前記第一、第二の金属膜の成膜を行う配線膜の形成方法である。
本発明は配線膜の形成方法であって、前記第二のスパッタリングターゲットとして純銅ターゲットを用い、前記第一、第二のスパッタリングターゲットを同じ真空槽内部に配置し、前記第一の金属膜の成膜と、前記第二の金属膜の成膜は、前記真空槽内部で行う配線膜の形成方法である。
本発明は配線膜の形成方法であって、前記第二のスパッタリングターゲットとして純銅ターゲットを用い、前記第一、第二のスパッタリングターゲットを別々の真空槽内部に配置し、前記別々の真空槽内部で、前記第一、第二の金属膜の成膜を行う配線膜の形成方法である。
本発明は配線膜の形成方法であって、前記第二の金属膜を形成した後、前記成膜対象物が置かれた真空雰囲気に、酸素ガスとスパッタガスを導入し、酸素を含む真空雰囲気中で、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素が含有された第三のスパッタリングターゲットをスパッタリングして、前記第二の金属膜の表面に第三の金属膜を形成した後、前記第一〜第三の金属膜をエッチングする配線膜の形成方法である。
本発明は配線膜の形成方法であって、前記第二のスパッタリングターゲットとして、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素が含有されたターゲットを用いる配線膜の形成方法である。
本発明は配線膜の形成方法であって、前記第一〜第三のスパッタリングターゲットを別々の真空槽内に配置し、前記別々の真空槽内で前記第一〜第三の金属膜を形成する配線膜の形成方法である。
本発明は配線膜の形成方法であって、前記第一、第三のスパッタリングターゲットを同じ真空槽内に配置し、前記第一、第三の金属膜を前記同じ真空槽内で形成し、前記第二のスパッタリングターゲットを前記第一、第三のスパッタリングターゲットとは異なる真空槽内に配置し、前記第二の金属膜を前記異なる真空槽内で形成する配線膜の形成方法である。
本発明は配線膜の形成方法であって、前記第二のスパッタリングターゲットとして純銅ターゲットを用いる配線膜の形成方法である。
本発明は配線膜の形成方法であって、前記第一〜第三のスパッタリングターゲットを別々の真空槽内に配置し、前記別々の真空槽内で前記第一〜第三の金属膜を形成する配線膜の形成方法である。
本発明は配線膜の形成方法であって、前記第一、第三のスパッタリングターゲットを同じ真空槽内に配置し、前記第一、第三の金属膜を前記同じ真空槽内で形成し、前記第二のスパッタリングターゲットを前記第一、第三のスパッタリングターゲットとは異なる真空槽内に配置し、前記第二の金属膜を前記異なる真空槽内で形成する配線膜の形成方法である。
本発明は配線膜の形成方法であって、前記第一のスパッタリングターゲットとして、Alが0.1原子%以上10.0原子%以下含有されたものを用い、前記真空雰囲気のスパッタガス分圧に対する酸素ガス分圧の割合が、0.1%以上20.0%以下になるように酸素ガスを導入して、前記第一のスパッタリングターゲットをスパッタリングする配線膜の形成方法である。
本発明は配線膜の形成方法であって、前記第一のスパッタリングターゲットとして、Mgが0.1原子%以上10.0原子%以下含有されたものを用い、前記真空雰囲気の前記スパッタガス分圧に対する酸素ガス分圧の割合が、0.1%以上20.0%以下になるように酸素ガスを導入して、前記第一のスパッタリングターゲットをスパッタリングする配線膜の形成方法である。
本発明はトランジスタであって、ゲート電極と、半導体からなるドレイン半導体層と、半導体からなるソース半導体層とを有し、前記ゲート電極に印加する電圧で、前記ドレイン半導体層と前記ソース半導体層との間が遮断又は導通されるように構成され、前記ドレイン半導体層表面と前記ソース半導体層の表面のいずれか一方又は両方には、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素と、酸素とが含有された第一の金属膜が形成され、前記各第一の金属膜の表面には、銅を主成分とし、前記第一の金属膜よりも低抵抗な第二の金属膜がそれぞれ形成されたトランジスタである。
本発明はトランジスタであって、前記第一の金属膜には、酸素が0.1原子%以上含有されたトランジスタである。
本発明はトランジスタであって、前記第二の金属膜の表面には、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素と、酸素とが含有された第三の金属膜が形成されたトランジスタである。
本発明は、ゲート電極と、半導体からなるドレイン半導体層と、半導体からなるソース半導体層とを有し、前記ゲート電極に印加する電圧で、前記ドレイン半導体層と前記ソース半導体層との間が遮断又は導通されるように構成され、前記ゲート電極はガラス基板に接触するトランジスタであって、前記ゲート電極は、前記ガラス基板の表面に形成された第一の金属膜と、前記第一の金属膜の表面に形成された第二の金属膜とを有し、前記第一の金属膜は、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素と、酸素とが含有され、前記第二の金属膜は、銅を主成分とし、前記第一の金属膜よりも低抵抗にされたトランジスタである。
本発明はトランジスタであって、前記第一の金属膜には、酸素が0.1原子%以上含有されたトランジスタである。
本発明はトランジスタであって、前記第二の金属膜の表面には、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素と、酸素とが含有された第三の金属膜が形成されたトランジスタである。
本発明は、トランジスタを有する電子装置であって、前記トランジスタは、ゲート電極と、半導体からなるドレイン半導体層と、半導体からなるソース半導体層とを有し、前記ゲート電極に印加する電圧で、前記ドレイン半導体層と前記ソース半導体層との間が遮断又は導通されるように構成され、前記ドレイン半導体層表面と前記ソース半導体層の表面のいずれか一方又は両方には、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素と、酸素とが含有された第一の金属膜が形成され、前記各第一の金属膜の表面には、銅を主成分とし、前記第一の金属膜よりも低抵抗な第二の金属膜がそれぞれ形成された電子装置である。
本発明は電子装置であって、前記第一の金属膜には、酸素が0.1原子%以上含有された電子装置である。
本発明は、トランジスタを有する電子装置であって、前記トランジスタは、ゲート電極と、半導体からなるドレイン半導体層と、半導体からなるソース半導体層とを有し、前記ゲート電極に印加する電圧で、前記ドレイン半導体層と前記ソース半導体層との間が遮断又は導通されるように構成され、前記ゲート電極はガラス基板に接触し、前記ゲート電極は、前記ガラス基板の表面に形成された第一の金属膜と、前記第一の金属膜の表面に形成された第二の金属膜とを有し、前記第一の金属膜は、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素と、酸素とが含有され、前記第二の金属膜は、銅を主成分とし、前記第一の金属膜よりも低抵抗にされた電子装置である。
本発明は電子装置であって、前記第一の金属膜には、酸素が0.1原子%以上含有された電子装置である。
本発明は、ガラス基板と、前記ガラス基板上に配置された透明な画素電極と、前記画素電極上に配置された液晶と、前記液晶上に配置された透明な共通電極と、前記ガラス基板に密着された蓄積電極を有し、前記画素電極と前記蓄積電極との間に形成される液晶容量に、前記蓄積電極を片側の電極とする蓄積容量が接続され、前記液晶容量の充放電で前記液晶の配向が制御される電子装置であって、前記蓄積電極は、前記ガラス基板の表面に形成された第一の金属膜と、前記第一の金属膜の表面に形成された第二の金属膜とを有し、前記第一の金属膜は、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素と、酸素とが含有され、前記第二の金属膜は、銅を主成分とし、前記第一の金属膜よりも低抵抗にされた電子装置である。
本発明は電子装置であって、前記第一の金属膜には、酸素が0.1原子%以上含有された電子装置である。
本発明には用いるターゲットには、Cuと、上述した添加元素以外の元素(例えばMn)が不純物として混入する場合もあるが、不純物元素の含有量は0.1原子%未満、通常は10-4原子%未満である。そのようなターゲットを用いて成膜される本発明の配線膜は、Cuと添加元素と酸素以外の不純物元素の含有量が0.1原子%未満、通常は10-4原子%未満となる。
また、本発明で純銅とは、Cu以外の不純物元素の含有量が0.1原子%未満、通常は10-4原子%未満のものを指す。
真空槽2内には、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される添加元素が1種類以上含有されたスパッタリングターゲット11が配置されている。
第二の金属膜24を所定膜厚に形成した後、真空槽2の外部に搬出し、第一、第二の金属膜23、24を同じ形状にエッチングし、本発明の第一例の配線膜を形成する。
本発明では、第一の金属膜23と第二の金属膜24は両方とも銅を主成分としており、配線膜25を形成する際、第一、第二の金属膜23、24の積層膜の表面にパターニングされたレジスト層を配置し、同じ組成のエッチング液(又はエッチングガス)を使用して積層膜をエッチングすれば、第一、第二の金属膜23、24が同じ形状にパターニングされる。
この液晶表示装置3は能動型であり、TFT基板30は、ガラス基板31を有しており、ガラス基板31上にはTFT(薄膜トランジスタ)40と、表示画素35と、蓄積コンデンサ39が配置されている。
ゲート電極41、ドレイン電極42、ソース電極43、蓄積電極38が、上記配線膜25によって構成されている。
また、TFT40は、ゲート絶縁膜44と、チャネル半導体層46と、ドレイン半導体層47と、ソース半導体層48とを有している。
ドレイン半導体層47とソース半導体層48の間の位置の、チャネル半導体層46の反対側の面には、ゲート絶縁膜44とゲート電極41とが配置されている。ゲート電極41とチャネル半導体層46の間にはゲート絶縁膜44が位置している。
ゲート電極41と、ドレイン電極42と、ソース電極43は、TFT40の外部に導出され、外部電源からの電圧を印加可能になっている。
p型とn型の導電型のうち、ドレイン半導体層47とソース半導体層48は同じ導電型であり、チャネル半導体層46は、ドレイン半導体層47及びソース半導体層48と同じ導電型か、反対の導電型である。
先ず、チャネル半導体層46がソース及びドレイン半導体層47、48と同じ導電型の場合について説明する。
チャネル半導体層46は、不純物濃度がドレイン及びソース半導体層47、48に比べて高く、低抵抗になっている。
ドレイン電極42とソース電極43の間に動作電圧を印加した状態で、チャネル半導体層46、ドレイン及びソース半導体層48と同極性の電荷が、チャネル半導体層46表面に印加される電圧をゲート電極41に印加すると、チャネル半導体層46のゲート電極41上の部分に低抵抗の蓄積層が形成され、該蓄積層によってドレイン半導体層47とソース半導体層48が接続され、TFTが導通する。ゲート電圧が印加されない間は蓄積層は形成されず、TFT40は遮断している。
次に、チャネル半導体層46がソース及びドレイン電極47、48と異なる導電型の場合について説明すると、ドレイン電極42とソース電極43の間に動作電圧を印加した状態で、チャネル半導体層46表面に、当該チャネル半導体層46とは反対の極性の電荷が誘起される電圧をゲート電極41に印加すると、チャネル半導体層46のゲート電極41上の部分に、ソース及びドレイン電極47、48と同じ導電型の反転層が形成され、該反転層によってドレイン半導体層47とソース半導体層48が接続され、TFTが導通する。ゲート電圧が印加されない間は反転層は形成されず、TFT40は遮断している。
画素電極36は、蓄積コンデンサ39が位置する部分まで延設されており、ガラス基板31上に配置された蓄積電極38と、絶縁膜(ゲート絶縁膜44)を介して対向して配置され、対向した部分によって、蓄積容量が形成されている。
カラーフィルタ基板50は、TFT40と対向する位置にブラックマトリクス52が配置され、表示画素35と対向する位置に、カラーフィルタ53が配置されている。
TFT基板30とカラーフィルタ基板50は、それぞれ偏光板49、59を有している。TFT40の導通と遮断によって、画素電極36と共通電極55の間に電圧が印加されると、表示画素35上の液晶4の配向が変化し、液晶4を通る光の偏向方向が変更され、表示画素35に照射される光の、液晶表示装置3の外部への透過と遮断が制御される。
蓄積電極38と、ゲート電極41と、ドレイン電極42と、ソース電極43は、本発明の配線膜25で構成されており、第一の金属膜23が、ガラス基板31又は半導体層47、48と接触している。従って蓄積電極38及びゲート電極41とガラス基板31の間の密着性が高く、ドレイン電極42及びソース電極43と半導体層47、48の間の密着性も高い。
また、第一の金属膜23上に配置された第二の金属膜24には酸素は含有されておらず、低抵抗であるから、各電極膜の拡がり方向(膜厚方向と直角の方向)の抵抗は低抵抗である。
図4の符号6は、本発明の電子装置の他の例である半導体装置の一部であり、図4では半導体装置6のトランジスタ60が示されている。
このトランジスタ60は、ガラス基板上に配置されず、半導体基板(シリコン基板)61を有する他は、上記図3に示したTFT40と同じ部材を有しており、同じ部材には同じ符号を付して説明を省略する。
従って、ドレイン電極42とソース電極43のシリコン基板61に対する密着性は高く、第一の金属膜23によってシリコン基板61への銅拡散も防止される。
図9の符号80は第二例のスパッタリング装置を示しており、第二例のスパッタリング装置80は、第一の真空槽2aと、第一の真空槽2aに接続された第二の真空槽2bと、第一の真空槽2a内に配置された第一のスパッタリングターゲット11aと、第二の真空槽2b内に配置された第二のスパッタリングターゲット11bとを有している。
真空排気系9により、第一、第二の真空槽2a、2b内部に真空雰囲気を形成し、該真空雰囲気を維持したまま、成膜対象物21を第一の真空槽2a内部に搬入し、基板ホルダ7aに保持させる。第一のスパッタリングターゲット11aは、第一例のスパッタリング装置1のスパッタリングターゲット11と同様に、銅を主成分とし、添加元素を含有している。
上述したように、酸素ガスを含む真空雰囲気を第一の真空槽11a内部に形成し、第一のスパッタリングターゲット11aをスパッタリングすると、第一の金属膜23が形成される。第一の金属膜23が形成された成膜対象物21を第一の真空槽2aから第二の真空槽2bへ搬入し、基板ホルダ7bに保持させる。
第二の真空槽2a内を真空排気しながら、スパッタガスを導入し、第一の金属膜23を成膜する時よりも酸素ガス分圧が低い真空雰囲気を形成して、該真空雰囲気中で第二のスパッタリングターゲット11bをスパッタリングし、第二の金属膜24を形成する。
第一例のスパッタリング装置1は同じ真空槽2内部で酸素ガス分圧を変えて第一、第二の金属膜23、24を形成するから、一つの膜を成膜後、次の膜を成膜開始するまでの真空排気に長時間を要する。これに対し、第二例のスパッタリング装置80は第一、第二の金属膜23、24を異なる真空槽で形成するから、各真空槽の真空排気に要する時間が短くてすむ。
第二のスパッタリングターゲット11bが銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素が含有された場合には、銅を主成分とし、添加元素が添加され、酸素含有量が第一の金属膜23よりも少ない第二の金属膜24が形成される。
第二のスパッタリングターゲット11bが純銅ターゲットの場合、銅を主成分とし、添加元素が添加されていない第二の金属膜24が形成され、更に、第二のスパッタリングターゲット11bをスパッタリングする時の酸素分圧をゼロにすれば、純銅からなる第二の金属膜24が形成される。
第一、第二の金属膜23、24を同じ形状にパターニングすれば、図2(c)の符号25に示した配線膜と同様の構造の、第二例の配線膜が得られる。純銅は添加元素を含有する銅よりも低抵抗であるから、第二のスパッタリングターゲット11bとして純銅ターゲットを用いると、配線膜はより低抵抗になる。
特に、液晶表示装置3のソース電極43のように、表面にITOやZnOなどの金属酸化膜(画素電極36)が密着する場合、表面に酸素を含有する第三の金属膜29があれば、画素電極36からソース電極43への酸素移動が起こらず、第二の金属膜24が酸化しないので、ソース電極43の電気抵抗が上昇しない。
第一〜第三の金属膜23、24、29は同じ真空槽内部で同じスパッタリングターゲット11をスパッタリングして形成してもよいし、同じ真空槽内部で異なるスパッタリングターゲットをスパッタリングして形成してもよい。
また、第一〜第三の金属膜23、24、29のうち、少なくとも第二の金属膜24を第一、第三の金属膜23、29と異なる真空槽内部で形成してもよい。
具体的には、上述した第二例のスパッタリング装置80を用い、第一の真空槽11a内部で第一の金属膜23を、第二の真空槽11b内部で第二の金属膜24を形成した後、第二の真空槽11bから第一の真空槽11aに成膜対象物21を戻す。第一の真空槽11a内部に酸素ガスとスパッタガスを導入し、第二の金属膜24を形成する時よりも酸素ガス分圧が高い真空雰囲気を形成し、該真空雰囲気中で第一のスパッタリングターゲット11aをスパッタリングして第三の金属膜29を形成する。
更に、各金属膜を別々の真空槽内部で形成してもよい。
図10の符号90は第三例のスパッタリング装置を示しており、このスパッタリング装置90は、第一、第二の真空槽11a、11bに加え、第二の真空槽11bに接続された第三の真空槽11cを有している。
第二例のスパッタリング装置80を用いた場合と同様に、第一の真空槽11a内部で第一の金属膜23を、第二の真空槽11b内部で第二の金属膜24を形成した後、予め真空雰囲気が形成された第三の真空槽11cに成膜対象物21を搬入し、基板ホルダ7cに保持させる。
第三の真空槽2c内部には、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素が含有された第三のスパッタリングターゲット11cが配置されている。
第三の真空槽2c内部を真空排気しながら、ガス導入系8からスパッタガスと酸素ガスを導入し、第二の金属膜24を形成する時よりも酸素ガス分圧が高い真空雰囲気を形成し、第三のスパッタリングターゲット11cをスパッタリングすれば、第三の金属膜29が形成される。
同じ真空槽2内で第一〜第三の金属膜23、24、29を形成するには、真空槽内に交互に酸素ガス分圧の異なる真空雰囲気を形成する必要があり、一つの膜の成膜を終了してから、次の膜を成膜するまでの真空排気に長時間を要する。これに対し、第二、第三例のスパッタリング装置80、90は、少なくとも第二の金属膜24を別の真空槽で形成するため、真空排気に長時間を要しない。
また、配線膜25、26全体の抵抗を下げるためには、第二の金属膜24を第一、第三の金属膜23、29よりも厚くする。そのため、第二の金属膜24は、第一、第三の金属膜23、29よりも成膜時間が長い。第二、第三例のスパッタリング装置80、90のように、成膜に長時間を要するものを専用の真空槽で成膜するようにすれば、生産性があがる。
更に、第三例のスパッタリング装置90のように、真空槽2a〜2cの数を、配線膜25、26を構成する銅膜の数と同じにし、各銅膜を専用の真空槽2a〜2c内で成膜するようにすれば生産性はより向上する。
第二例のスパッタリング装置80は、図9に示したように、第一、第二の真空槽2a、2bを直接接続してもよいし、第一、第二の真空槽2a、2bを同じ搬送室に接続し、該搬送室を介して第一、第二の真空槽2a、2b間で成膜対象物21を搬出入してもよい。
また、第三例のスパッタリング装置90は、図10に示したように、第一〜第三の真空槽2a〜2cを直列的に接続し、成膜対象物21を第二の真空槽2bを介して第一の真空槽2aから第三の真空槽2cへ搬送してもよい。更に、第一〜第三の真空槽2a〜2cを同じ搬送室に接続し、該搬送室を介して成膜対象物21を第一〜第三の真空槽2a〜2c間で搬出入してもよい。
いずれの場合も、成膜対象物21が大気に触れずに真空槽間を移動するから、膜質の良い配線膜25、26が得られる。
ガラス基板表面に形成された金属膜のうち、下記表1に記載した組合せで成膜した金属膜について、先端が鋭利なカッタナイフで1mm角のマスを10行×10列、計100個の刻みを入れ、粘着テープ(型番610のスコッチテープ)を貼り付けた後、粘着テープを剥がした時に残存する膜の個数を数えた。その結果を下記表1に記載する。
上記表1から、Al含有量が同じであっても、酸素ガスの割合が大きくなる程密着性が高く、また、酸素ガスの割合が同じであっても、Al含有量が多い程密着性が高いことがわかる。
ガラス基板の表面に形成された金属膜のうち、下記表2に記載する成膜条件の組合せで成膜された金属膜の比抵抗を測定した。その測定結果を下記表2に記載する。
また、上記表2から明らかなように、酸素ガス分圧の割合が同じでも、Al含有量が増える程比抵抗が上昇している。
シリコン基板の表面に形成された金属膜のうち、下記表3に示す成膜条件の組合せで成膜された金属膜について、シリコン基板の金属拡散の有無を調べた。その結果を下記表3に記載する。
また、シリコン基板表面に成膜された金属膜についても、Al含有量が多い程密着性が高くなる傾向があることから、Alが含有されたスパッタリングターゲットを用い、かつ、酸素を導入してスパッタリングを行えば、シリコン基板に対して密着性が高く、かつ、シリコン基板に対するバリア性にも優れた金属膜が得られることが分かる。
また、バリア性についても、Al以外の添加元素が含有されたスパッタリングターゲット11を用いる場合には、スパッタリング時に酸素ガスが導入されていればシリコン基板の銅拡散が起こらない。
下記表4に示す添加元素が含有されたスパッタリングターゲット11と、アニール温度(350℃と、450℃)と、酸素ガス分圧のスパッタガス分圧に対する割合(5.0%、7.5%、10.0%)の成膜条件を組み合わせてガラス基板の表面に単層の金属膜を成膜し、各金属膜について上記「密着性試験」と「比抵抗測定」を行った。測定結果を成膜条件と共に下記表4に記載する。
添加元素としてAlと、Siと、Scと、Yと、Ceがそれぞれ0.2原子%含有されたスパッタリングターゲット11について、添加元素の含有量と、酸素ガス分圧のスパッタガス分圧に対する割合を下記表5〜9に記載する成膜条件の組合せで、単層の金属膜を成膜した。
次に、添加元素がMgの場合の実施例について説明する。
ガラス基板表面に形成された各金属膜に、先端が鋭利なカッタナイフで1mm角のマスを10行×10列、計100個の刻みを入れ、粘着テープ(型番610のスコッチテープ)を貼り付けた後、粘着テープを剥がした時に残存する膜の個数を数えた。その結果を下記表10に記載する。
上記表1から、Mg含有量が同じであっても、酸素ガスの割合が大きくなる程密着性が高く、また、酸素ガスの割合が同じであっても、Mg含有量が多い程密着性が高いことがわかる。
ガラス基板の表面に形成された金属膜のうち、スパッタリングターゲットのMg含有量(0.1原子%、2.0原子%、10.0原子%)と、スパッタリング時の酸素ガス分圧のスパッタガス分圧に対する割合(ゼロ、1.0%、3.0%、10.0%、20.0%)、アニール温度が350℃の組合せについて金属膜の比抵抗を測定した。その測定結果を下記表11に記載する。
尚、図8には、Mg含有量がゼロ(純銅)のスパッタリングターゲットを用いた場合の、酸素ガス分圧の割合と比抵抗との関係を、曲線L2として記載した。
尚、表11を見ると、スパッタリングターゲットのMg含有量が10原子%、酸素ガス分圧の割合が20.0%の時の比抵抗(43.8μΩcm)が最大値であり、この値が上記配線膜の第一の金属膜23として使用可能な値の上限である。
シリコン基板の表面に形成された金属膜のうち、スパッタリングターゲットのMg含有量が、ゼロ、0.1原子%、2.0原子%、10.0原子%、スパッタリング時の酸素ガス分圧のスパッタガス分圧に対する割合がゼロ、0.1%、3.0%、10.0%、20.0%、アニール温度が450℃の組合せで成膜された金属膜について、シリコン基板の金属拡散の有無を調べた。その結果を下記表12に記載する。
Mg含有量が2.0原子%のスパッタリングターゲットを用い、酸素ガス分圧のスパッタガス分圧に対する割合を、0.1%、5.0%、10.0%、15.0%に変えて4種類の金属膜を成膜した。
酸素ガス分圧のスパッタガス分圧に対する割合が0.1%以上であると、金属膜に含まれる酸素原子の量は0.1原子%以上である。
表1に示したように、酸素ガス分圧が0.1%以上あれば、密着性、バリア性に優れた結果が得られることから、酸素の含有量が0.1原子%以上の金属膜は密着性、バリア性に優れていることが分かる。
Claims (26)
- 成膜対象物のシリコン又は二酸化ケイ素が露出する表面に、配線膜を形成する配線膜の形成方法であって、
前記成膜対象物が置かれた真空雰囲気に酸素ガスとスパッタガスとを導入し、酸素を含む真空雰囲気中で、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素が含有された第一のスパッタリングターゲットをスパッタリングし、前記成膜対象物の表面に第一の金属膜を成膜した後、
前記成膜対象物が置かれた真空雰囲気への酸素ガスの導入を停止した状態で、銅を主成分とする第二のスパッタリングターゲットをスパッタリングし、前記第一の金属膜の表面上に第二の金属膜を形成し、
前記第一、第二の金属膜をエッチングして前記配線膜を形成する配線膜の形成方法。 - 前記第一、第二のスパッタリングターゲットとして、同一のターゲットを用い、
前記第一の金属膜の成膜と、前記第二の金属膜の成膜は、同じ真空槽内部で行う請求項1記載の配線膜の形成方法。 - 前記第二のスパッタリングターゲットとして、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素が含有されたターゲットを用い、
前記第一、第二のスパッタリングターゲットを、別々の真空槽内部に配置し、前記別々の真空槽内部で、前記第一、第二の金属膜の成膜を行う請求項1記載の配線膜の形成方法。 - 前記第二のスパッタリングターゲットとして純銅ターゲットを用い、
前記第一、第二のスパッタリングターゲットを同じ真空槽内部に配置し、
前記第一の金属膜の成膜と、前記第二の金属膜の成膜は、前記真空槽内部で行う請求項1記載の配線膜の形成方法。 - 前記第二のスパッタリングターゲットとして純銅ターゲットを用い、
前記第一、第二のスパッタリングターゲットを別々の真空槽内部に配置し、
前記別々の真空槽内部で、前記第一、第二の金属膜の成膜を行う請求項1記載の配線膜の形成方法。 - 前記第二の金属膜を形成した後、前記成膜対象物が置かれた真空雰囲気に、酸素ガスとスパッタガスを導入し、
酸素を含む真空雰囲気中で、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素が含有された第三のスパッタリングターゲットをスパッタリングして、前記第二の金属膜の表面に第三の金属膜を形成した後、
前記第一〜第三の金属膜をエッチングする請求項1記載の配線膜の形成方法。 - 前記第二のスパッタリングターゲットとして、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素が含有されたターゲットを用いる請求項6記載の配線膜の形成方法。
- 前記第一〜第三のスパッタリングターゲットを別々の真空槽内に配置し、
前記別々の真空槽内で前記第一〜第三の金属膜を形成する請求項7記載の配線膜の形成方法。 - 前記第一、第三のスパッタリングターゲットを同じ真空槽内に配置し、前記第一、第三の金属膜を前記同じ真空槽内で形成し、
前記第二のスパッタリングターゲットを前記第一、第三のスパッタリングターゲットとは異なる真空槽内に配置し、前記第二の金属膜を前記異なる真空槽内で形成する請求項7記載の配線膜の形成方法。 - 前記第二のスパッタリングターゲットとして純銅ターゲットを用いる請求項6記載の配線膜の形成方法。
- 前記第一〜第三のスパッタリングターゲットを別々の真空槽内に配置し、
前記別々の真空槽内で前記第一〜第三の金属膜を形成する請求項10記載の配線膜の形成方法。 - 前記第一、第三のスパッタリングターゲットを同じ真空槽内に配置し、前記第一、第三の金属膜を前記同じ真空槽内で形成し、
前記第二のスパッタリングターゲットを前記第一、第三のスパッタリングターゲットとは異なる真空槽内に配置し、前記第二の金属膜を前記異なる真空槽内で形成する請求項10記載の配線膜の形成方法。 - 前記第一のスパッタリングターゲットとして、Alが0.1原子%以上10.0原子%以下含有されたものを用い、
前記真空雰囲気のスパッタガス分圧に対する酸素ガス分圧の割合が、0.1%以上20.0%以下になるように酸素ガスを導入して、前記第一のスパッタリングターゲットをスパッタリングする請求項1記載の配線膜の形成方法。 - 前記第一のスパッタリングターゲットとして、Mgが0.1原子%以上10.0原子%以下含有されたものを用い、
前記真空雰囲気の前記スパッタガス分圧に対する酸素ガス分圧の割合が、0.1%以上20.0%以下になるように酸素ガスを導入して、前記第一のスパッタリングターゲットをスパッタリングする請求項1記載の配線膜の形成方法。 - ゲート電極と、
半導体からなるドレイン半導体層と、
半導体からなるソース半導体層とを有し、
前記ゲート電極に印加する電圧で、前記ドレイン半導体層と前記ソース半導体層との間が遮断又は導通されるように構成され、
前記ドレイン半導体層表面と前記ソース半導体層の表面のいずれか一方又は両方には、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素と、酸素とが含有された第一の金属膜が形成され、
前記各第一の金属膜の表面には、銅を主成分とし、前記第一の金属膜よりも低抵抗な第二の金属膜がそれぞれ形成されたトランジスタ。 - 前記第一の金属膜には、酸素が0.1原子%以上含有された請求項15記載のトランジスタ。
- 前記第二の金属膜の表面には、
銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素と、酸素とが含有された第三の金属膜が形成された請求項15記載のトランジスタ。 - ゲート電極と、
半導体からなるドレイン半導体層と、
半導体からなるソース半導体層とを有し、
前記ゲート電極に印加する電圧で、前記ドレイン半導体層と前記ソース半導体層との間が遮断又は導通されるように構成され、
前記ゲート電極はガラス基板に接触するトランジスタであって、
前記ゲート電極は、前記ガラス基板の表面に形成された第一の金属膜と、前記第一の金属膜の表面に形成された第二の金属膜とを有し、
前記第一の金属膜は、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素と、酸素とが含有され、
前記第二の金属膜は、銅を主成分とし、前記第一の金属膜よりも低抵抗にされたトランジスタ。 - 前記第一の金属膜には、酸素が0.1原子%以上含有された請求項18記載のトランジスタ。
- 前記第二の金属膜の表面には、
銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素と、酸素とが含有された第三の金属膜が形成された請求項18記載のトランジスタ。 - トランジスタを有する電子装置であって、
前記トランジスタは、ゲート電極と、
半導体からなるドレイン半導体層と、
半導体からなるソース半導体層とを有し、
前記ゲート電極に印加する電圧で、前記ドレイン半導体層と前記ソース半導体層との間が遮断又は導通されるように構成され、
前記ドレイン半導体層表面と前記ソース半導体層の表面のいずれか一方又は両方には、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素と、酸素とが含有された第一の金属膜が形成され、
前記各第一の金属膜の表面には、銅を主成分とし、前記第一の金属膜よりも低抵抗な第二の金属膜がそれぞれ形成された電子装置。 - 前記第一の金属膜には、酸素が0.1原子%以上含有された請求項21記載の電子装置。
- トランジスタを有する電子装置であって、
前記トランジスタは、ゲート電極と、
半導体からなるドレイン半導体層と、
半導体からなるソース半導体層とを有し、
前記ゲート電極に印加する電圧で、前記ドレイン半導体層と前記ソース半導体層との間が遮断又は導通されるように構成され、
前記ゲート電極はガラス基板に接触し、
前記ゲート電極は、前記ガラス基板の表面に形成された第一の金属膜と、前記第一の金属膜の表面に形成された第二の金属膜とを有し、
前記第一の金属膜は、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素と、酸素とが含有され、
前記第二の金属膜は、銅を主成分とし、前記第一の金属膜よりも低抵抗にされた電子装置。 - 前記第一の金属膜には、酸素が0.1原子%以上含有された請求項23記載の電子装置。
- ガラス基板と、前記ガラス基板上に配置された透明な画素電極と、前記画素電極上に配置された液晶と、前記液晶上に配置された透明な共通電極と、前記ガラス基板に密着された蓄積電極を有し、
前記画素電極と前記蓄積電極との間に形成される液晶容量に、前記蓄積電極を片側の電極とする蓄積容量が接続され、
前記液晶容量の充放電で前記液晶の配向が制御される電子装置であって、
前記蓄積電極は、前記ガラス基板の表面に形成された第一の金属膜と、前記第一の金属膜の表面に形成された第二の金属膜とを有し、
前記第一の金属膜は、銅を主成分とし、Mgと、Alと、Siと、Beと、Caと、Srと、Baと、Raと、Scと、Yと、Laと、Ceと、Prと、Ndと、Pmと、Smと、Euと、Gdと、Tbと、Dyとからなる添加元素群より選択される少なくとも1種類の添加元素と、酸素とが含有され、
前記第二の金属膜は、銅を主成分とし、前記第一の金属膜よりも低抵抗にされた電子装置。 - 前記第一の金属膜には、酸素が0.1原子%以上含有された請求項25記載の電子装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008552119A JP5017282B2 (ja) | 2006-12-28 | 2007-12-26 | 配線膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006354859 | 2006-12-28 | ||
JP2006354860 | 2006-12-28 | ||
JP2006354859 | 2006-12-28 | ||
JP2006354860 | 2006-12-28 | ||
JP2008552119A JP5017282B2 (ja) | 2006-12-28 | 2007-12-26 | 配線膜の形成方法 |
PCT/JP2007/074931 WO2008081806A1 (ja) | 2006-12-28 | 2007-12-26 | 配線膜の形成方法、トランジスタ、及び電子装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2008081806A1 true JPWO2008081806A1 (ja) | 2010-04-30 |
JP5017282B2 JP5017282B2 (ja) | 2012-09-05 |
Family
ID=39588489
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008552119A Active JP5017282B2 (ja) | 2006-12-28 | 2007-12-26 | 配線膜の形成方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8218122B2 (ja) |
EP (1) | EP2096666A4 (ja) |
JP (1) | JP5017282B2 (ja) |
KR (2) | KR101135418B1 (ja) |
CN (1) | CN101529566B (ja) |
TW (1) | TWI430396B (ja) |
WO (1) | WO2008081806A1 (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5234483B2 (ja) * | 2007-06-12 | 2013-07-10 | 三菱マテリアル株式会社 | 密着性に優れた配線下地膜およびこの配線下地膜を形成するためのスパッタリングターゲット |
JP5315641B2 (ja) * | 2007-08-07 | 2013-10-16 | 三菱マテリアル株式会社 | 薄膜トランジスター |
JP5315701B2 (ja) * | 2008-01-18 | 2013-10-16 | 三菱マテリアル株式会社 | 薄膜トランジスター |
JP5377914B2 (ja) * | 2008-02-19 | 2013-12-25 | 三菱マテリアル株式会社 | 薄膜トランジスター |
JP2010040536A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Mitsubishi Materials Corp | 薄膜トランジスター |
JP2010040535A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Mitsubishi Materials Corp | 薄膜トランジスター |
JP4727702B2 (ja) * | 2008-09-11 | 2011-07-20 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置、及びその製造方法 |
JP5269533B2 (ja) * | 2008-09-26 | 2013-08-21 | 三菱マテリアル株式会社 | 薄膜トランジスター |
JP5360959B2 (ja) | 2008-10-24 | 2013-12-04 | 三菱マテリアル株式会社 | バリア膜とドレイン電極膜およびソース電極膜が高い密着強度を有する薄膜トランジスター |
JP5285710B2 (ja) | 2008-10-24 | 2013-09-11 | 三菱マテリアル株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
TWI589006B (zh) * | 2008-11-07 | 2017-06-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置和其製造方法 |
JP2010165955A (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-29 | Kobe Steel Ltd | Cu合金膜および表示デバイス |
WO2010082638A1 (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-22 | 株式会社神戸製鋼所 | Cu合金膜および表示デバイス |
JP4567091B1 (ja) * | 2009-01-16 | 2010-10-20 | 株式会社神戸製鋼所 | 表示装置用Cu合金膜および表示装置 |
JP5354781B2 (ja) * | 2009-03-11 | 2013-11-27 | 三菱マテリアル株式会社 | バリア層を構成層とする薄膜トランジスターおよび前記バリア層のスパッタ成膜に用いられるCu合金スパッタリングターゲット |
JPWO2010143609A1 (ja) * | 2009-06-12 | 2012-11-22 | 株式会社アルバック | 電子装置の形成方法、電子装置、半導体装置及びトランジスタ |
JP5548396B2 (ja) | 2009-06-12 | 2014-07-16 | 三菱マテリアル株式会社 | 薄膜トランジスタ用配線層構造及びその製造方法 |
DE102009038589B4 (de) * | 2009-08-26 | 2014-11-20 | Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg | TFT-Struktur mit Cu-Elektroden |
JP4970622B2 (ja) * | 2009-08-26 | 2012-07-11 | 株式会社アルバック | 半導体装置、半導体装置を有する液晶表示装置、半導体装置の製造方法 |
JP5463801B2 (ja) * | 2009-08-28 | 2014-04-09 | 三菱マテリアル株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
CN102484138B (zh) * | 2009-08-28 | 2014-03-12 | 株式会社爱发科 | 布线层、半导体装置、液晶显示装置 |
KR101771268B1 (ko) * | 2009-10-09 | 2017-08-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
CN102576675B (zh) * | 2009-10-27 | 2014-12-24 | 株式会社爱发科 | 布线层、半导体装置、具有半导体装置的液晶显示装置 |
CA2911642A1 (en) | 2010-03-14 | 2011-09-14 | Titan Logix Corp. | System and method for measuring and metering deicing fluid from a tank using a refractometer module |
EP2426720A1 (en) * | 2010-09-03 | 2012-03-07 | Applied Materials, Inc. | Staggered thin film transistor and method of forming the same |
JP6108210B2 (ja) * | 2012-01-31 | 2017-04-05 | 日立金属株式会社 | 電子部品用積層配線膜 |
CN104064454A (zh) * | 2014-06-11 | 2014-09-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜及阵列基板的制备方法、阵列基板 |
CN106910780B (zh) * | 2017-05-08 | 2020-12-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及制造方法、阵列基板、显示面板、显示装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06333925A (ja) * | 1993-05-20 | 1994-12-02 | Nippon Steel Corp | 半導体集積回路及びその製造方法 |
JPH1154458A (ja) * | 1997-05-08 | 1999-02-26 | Applied Materials Inc | メタライゼーション構造体 |
JP2002091338A (ja) * | 2000-09-12 | 2002-03-27 | Toshiba Corp | アレイ基板およびその製造方法ならびに液晶表示素子 |
JP2006148040A (ja) * | 2004-11-17 | 2006-06-08 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4354911A (en) * | 1981-08-07 | 1982-10-19 | Western Electric Company Inc. | Method of selectively depositing a metal on a surface by means of sputtering |
KR100186540B1 (ko) | 1996-04-25 | 1999-03-20 | 구자홍 | 피디피의 전극 및 그 형성방법 |
US5944037A (en) * | 1996-10-16 | 1999-08-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Water spray apparatus for tableware washing machine |
CN1148600C (zh) | 1996-11-26 | 2004-05-05 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管基片及其制造方法 |
US6037257A (en) * | 1997-05-08 | 2000-03-14 | Applied Materials, Inc. | Sputter deposition and annealing of copper alloy metallization |
US6956236B1 (en) * | 1998-12-14 | 2005-10-18 | Lg. Phillips Lcd Co., Ltd. | Wiring, TFT substrate using the same and LCD |
JP2005158887A (ja) | 2003-11-21 | 2005-06-16 | Dept Corp | 回路基板及びその製造方法 |
-
2007
- 2007-12-26 KR KR1020097008421A patent/KR101135418B1/ko active IP Right Grant
- 2007-12-26 JP JP2008552119A patent/JP5017282B2/ja active Active
- 2007-12-26 EP EP07860160.6A patent/EP2096666A4/en not_active Withdrawn
- 2007-12-26 KR KR1020117011099A patent/KR101073421B1/ko active IP Right Grant
- 2007-12-26 CN CN2007800404022A patent/CN101529566B/zh active Active
- 2007-12-26 WO PCT/JP2007/074931 patent/WO2008081806A1/ja active Application Filing
- 2007-12-28 TW TW096150895A patent/TWI430396B/zh active
-
2009
- 2009-06-01 US US12/475,907 patent/US8218122B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06333925A (ja) * | 1993-05-20 | 1994-12-02 | Nippon Steel Corp | 半導体集積回路及びその製造方法 |
JPH1154458A (ja) * | 1997-05-08 | 1999-02-26 | Applied Materials Inc | メタライゼーション構造体 |
JP2002091338A (ja) * | 2000-09-12 | 2002-03-27 | Toshiba Corp | アレイ基板およびその製造方法ならびに液晶表示素子 |
JP2006148040A (ja) * | 2004-11-17 | 2006-06-08 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110074591A (ko) | 2011-06-30 |
JP5017282B2 (ja) | 2012-09-05 |
KR20090075833A (ko) | 2009-07-09 |
WO2008081806A1 (ja) | 2008-07-10 |
TW200839946A (en) | 2008-10-01 |
KR101073421B1 (ko) | 2011-10-17 |
US8218122B2 (en) | 2012-07-10 |
CN101529566B (zh) | 2011-11-16 |
KR101135418B1 (ko) | 2012-04-17 |
US20090303406A1 (en) | 2009-12-10 |
EP2096666A1 (en) | 2009-09-02 |
TWI430396B (zh) | 2014-03-11 |
CN101529566A (zh) | 2009-09-09 |
EP2096666A4 (en) | 2015-11-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5017282B2 (ja) | 配線膜の形成方法 | |
KR101132582B1 (ko) | 배선막의 형성 방법 | |
US8119462B2 (en) | Method for forming conductive film, thin-film transistor, panel with thin-film transistor, and method for manufacturing thin-film transistor | |
JP4970622B2 (ja) | 半導体装置、半導体装置を有する液晶表示装置、半導体装置の製造方法 | |
US20120119207A1 (en) | Interconnection structure and method for manufacturing the same, and display device including interconnection structure | |
JPWO2008044757A1 (ja) | 導電膜形成方法、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ付パネル、及び薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP2011091364A (ja) | 配線構造およびその製造方法、並びに配線構造を備えた表示装置 | |
US20190148412A1 (en) | Multilayer wiring film and thin film transistor element | |
WO2010013636A1 (ja) | 配線膜、薄膜トランジスタ、ターゲット、配線膜の形成方法 | |
JP2010212465A (ja) | バリア層を構成層とする薄膜トランジスターおよび前記バリア層のスパッタ成膜に用いられるCu合金スパッタリングターゲット | |
JP5615442B2 (ja) | 薄膜電極および薄膜スタックを堆積させる方法 | |
JP2009280834A (ja) | ターゲット、配線膜形成方法、薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP2008124450A (ja) | ターゲット、成膜方法、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ付パネル、薄膜トランジスタの製造方法、及び薄膜トランジスタ付パネルの製造方法 | |
JP2012222166A (ja) | 配線膜、薄膜トランジスタ、ターゲット、配線膜の形成方法 | |
JP2008112989A (ja) | ターゲット、成膜方法、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ付パネル、及び薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP2009088049A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP5368717B2 (ja) | 表示装置およびこれに用いるCu合金膜 | |
US20210230718A1 (en) | Cu ALLOY TARGET | |
JP2008306043A (ja) | 配線膜の形成方法、トランジスタ、及び電子装置 | |
CN112055888A (zh) | Cu合金靶材、配线膜、半导体装置、液晶显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120321 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120424 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20120424 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120529 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120611 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150615 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5017282 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |