JP4727702B2 - 液晶表示装置、及びその製造方法 - Google Patents
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Description
しかし、純アルミニウムの抵抗率は、3μΩcm程度であり、更なる低抵抗化には限界がある。例えば、アルミニウムを厚膜化することは、成膜工程のタクトを落としてしまうことの他に、不良の原因となるヒロック発生の頻度を飛躍的に高めてしまうといった問題を抱えている。
そこでアルミニウムを下回る低抵抗率を有する配線材料として銅が挙げられる。銅は、薄膜の抵抗率が約2μΩcmと低い。しかしながら、銅を配線として用いた場合、いくつかの問題点がある。下地との付着力が弱いことや、薄膜トランジスタを構成するシリコン中に不必要に拡散しトランジスタ特性を悪化させてしまうという点である。
SID 06 DIGEST p1181
しかし、厚膜化した場合の問題点として、銅配線のパタン加工した後の断面が基板に対してほぼ垂直な形状になり易いことが挙げられる。延いてはその上層に積層される絶縁膜のカバレッジが悪くなり、層間短絡などの不良が生じて歩留りが低下する。
非特許文献1では、下層に銅合金を配置する構造となっているが、銅合金を形成する添加金属によっては、銅合金のエッチング速度が速くなる場合がある。下層の溶解速度が、上層の溶解速度よりも速い場合は、下層が優先して溶解するのでパタン加工した断面が逆テーパ形状になってしまう。
前述のような加工形状になると、配線パタンの上に積層する絶縁膜などのカバレッジが悪くなり、層間短絡などの不良が多発することになる。したがって、パタン加工した断面を順テーパ形状にエッチングすることが課題となる。
一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶と、前記一対の基板の一方に形成された複数の走査信号線と、前記走査信号線とマトリクス状に交差する複数の映像信号線と、前記走査信号線と前記映像信号線との交点に対応して形成された薄膜トランジスタと、前記画素領域に形成され前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前記走査信号線を概ね覆うゲート絶縁膜と、前記映像信号線と前記薄膜トランジスタとを覆う保護絶縁膜とを具備する液晶表示装置おいて,
前記走査信号線または前記映像信号線の少なくとも一方を,
第一層を下層とし、該第一層の上に形成した第二層を上層とする積層膜によって構成し,
前記第一層を99.5%以上の純度を有する銅膜で、前記第二層を銅を主成分とするセリウム、ユウロピウム、ハフニウム、ルテチウム、マンガン、マグネシウム、鉛、テルビウム、ツリウム、亜鉛から選択される元素を1種類以上含有する前記第一層の溶解速度よりも速い溶解速度を有する合金膜で形成し,
pHが7.0より小さいエッチング液で前記第一層と前記第二層を一括でウェットエッチング加工することにより前記第二層の上層と前記第一層の下層との前記積層膜を順テーパ形状に形成することを特徴とする。
この銅合金を膜厚の厚い純銅の上層に薄く配置しウェットエッチング加工すれば、順テーパ形状のパタン断面が得られる。金属の酸化物の溶解度は、pHの関数であるため、銅合金の添加元素はエッチング液のpHを考慮して決定する必要がある。
なお、pHの関数として金属酸化物の溶解度は、例えばAtlas of Electrochemical Equilibria in Aqueous Solutions Nationnal,Association of Corrosion Engineers(1974)に記載されている。
一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶と、前記一対の基板の一方に形成された複数の走査信号線と、前記走査信号線とマトリクス状に交差する複数の映像信号線と、前記走査信号線と前記映像信号線との交点に対応して形成された薄膜トランジスタと、前記画素領域に形成され前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前記走査信号線を概ね覆うゲート絶縁膜と、前記映像信号線と前記薄膜トランジスタとを覆う保護絶縁膜とを具備する液晶表示装置の製造方法であって.
前記一対の基板の一方の上に、前記走査信号線を構成する第一層の99.5%以上の純度を有する銅膜と第二層の銅を主成分とする合金膜を連続成膜し、走査信号線とゲート電極とを形成する工程と,
ゲート絶縁膜となる窒化シリコンと、アモルファスシリコン膜とn+アモルファスシリコン膜とを連続成膜し半導体層とを形成する工程と、金属膜を成膜し映像信号線とドレイン電極とソース電極とを形成する工程と、保護絶縁膜となる窒化シリコンを成膜し保護絶縁膜やゲート絶縁膜にスルーホールを開口する工程と,
透明導電膜を成膜し画素電極を形成する工程と,
からなり,
前記99.5%以上の純度を有する銅膜と、銅を主成分とする合金膜との積層膜を一括で加工するエッチング液のpHを7.0より小さい範囲内にしたことを特徴とする。
一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶と、前記一対の基板の一方に形成された複数の走査信号線と、前記走査信号線とマトリクス状に交差する複数の映像信号線と、前記走査信号線と前記映像信号線との交点に対応して形成された薄膜トランジスタと、前記画素領域に形成され前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前記走査信号線を概ね覆うゲート絶縁膜と、前記映像信号線と前記薄膜トランジスタとを覆う保護絶縁膜とを具備する液晶表示装置の製造方法であって,
前記一対の基板の一方の上に、前記走査信号線を構成するインジウム酸化物を主成分とする透明導電膜と、第一層の99.5%以上の純度を有する銅膜と第二層の銅を主成分とする合金膜を連続成膜し、走査信号線とゲート電極と共通信号線と共通電極とを形成する工程と,
ゲート絶縁膜となる窒化シリコンと、アモルファスシリコン膜とn+アモルファスシリコン膜とを連続成膜し、半導体層とを形成する工程と,
金属膜を成膜し、映像信号線とドレイン電極とソース電極とを形成する工程と,
保護絶縁膜となる窒化シリコンを成膜し、保護絶縁膜やゲート絶縁膜にスルーホールを開口する工程と,
前記透明導電膜を成膜し、画素電極を形成する工程と,
からなり,
前記99.5%以上の純度を有する銅膜と、銅を主成分とする合金膜との積層膜を一括で加工するエッチング液のpHを1.8から7.0の範囲内にしたことを特徴とする。
前記のように銅配線の下地が非晶質のITO(Indium−Tin−oxide)の場合、下地との選択比を考慮する必要がある。銅配線のエッチング加工時にITOがエッチングされないように1.8以上のpH領域で酸化物の溶解度を選ぶ必要がある。
一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶と、前記一対の基板の一方に形成された複数の走査信号線と、前記走査信号線とマトリクス状に交差する複数の映像信号線と、前記走査信号線と前記映像信号線との交点に対応して形成された薄膜トランジスタと、前記画素領域に形成され前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前記走査信号線を概ね覆うゲート絶縁膜と、前記映像信号線と前記薄膜トランジスタとを覆う保護絶縁膜とを具備する液晶表示装置の製造方法であって,
前記一対の基板の一方の上に、前記走査信号線を構成する第一層の99.5%以上の純度を有する銅膜と第二層の銅を主成分とする合金膜を連続成膜し、走査信号線とゲート電極とを形成する工程と,
ゲート絶縁膜となる窒化シリコンと、アモルファスシリコン膜とn+アモルファスシリコン膜とを連続成膜し、半導体層とを形成する工程と,
金属膜を成膜し、映像信号線とドレイン電極とソース電極とを形成する工程と、保護絶縁膜となる窒化シリコンを成膜し、保護絶縁膜やゲート絶縁膜にスルーホールを開口する工程と,
透明導電膜を成膜し、画素電極を形成する工程と,
からなり,
前記99.5%以上の純度を有する銅と、銅を主成分とする合金膜との積層膜を一括で加工するエッチング液のpHを7.0から14.0の範囲内にしたことを特徴とする。
したがって、厚膜化した純銅の上層に配置することでウェットエッチング加工した際にパタン断面の形状が順テーパ状になり、ひいてはその上層に積層される絶縁膜のカバレッジが改善され層間短絡などの不良が低減される。
本発明における純銅とは、純度:99.5%以上の銅を示している。したがって、通常スパッタリング成膜に用いられるターゲットを作製するために必要な不純物が0.5%含まれていても低抵抗な銅配線を形成することが可能である。
本発明における配線構造は、低抵抗とテーパ加工形状を確保するために、第一層を下層とし、該第一層の上に形成した第二層を上層とする積層膜で、第一層に厚い純銅膜を配置し、その上層に第二層として銅を主成分とする合金膜を薄く配置する積層構造となっている。
さらに、ウェットエッチング加工において、第一層の純銅よりも溶解速度の速い銅を主成分とする合金を上層である第二層に配置することよって、第一層、第二層の両者を一括でウェットエッチングした場合、第二層のエッチング速度が速いため順テーパ形状が確保される。
この添加金属元素は、エッチング液のpHで分類することができる。pH7.0より小さいエッチング液でより効果が得られる金属元素としては、セリウム、ユウロピウム、ハフニウム、ルテチウム、マンガン、マグネシウム、鉛、テルビウム、ツリウム、亜鉛などが挙げられる。
pH7.0以上のエッチング液でより効果が得られる金属元素としては、前記金属元素以外に、アルミニウム、ホウ素、ベリリウム、ビスマス、ガリウム、ゲルマニウム、シリコン、バナジウムなどが挙げられる。
一方、第二層の金属元素を添加した銅合金において、添加する金属元素により第一層の純銅より耐食性に優れる特徴を有する。銅よりも酸化し易く、酸化物の平衡酸素ポテンシャルが低く(絶対値が大きい)、且つ酸化速度が遅い(即ち酸化膜の成長則が二次または三次)金属元素を添加することにより、表面に保護酸化膜を自己形成し第一層の純銅の酸化を防止する効果が得られる。前述の特性を有する金属元素として、アルミニウム、ベリリウム、マンガン、シリコン、バナジウム、亜鉛などが挙げられる。
前記第二層の膜厚が厚くなると、テーパが付き難くなることや、上層に配置する銅を主成分とする合金それ自身が層間絶縁膜のカバレッジを悪化させる可能性があることから10nmから第一層の膜厚の10%を超えない範囲とする。
なお、銅を主成分とする合金は、ウェットエッチング加工におけるテーパ形状確保のために配置するものであり、膜厚が薄くても、その効果は十分に得られる。
また、第一層とガラス基板、ITO等の透明導電膜、あるいはn+型アモルファスシリコンとの間に、初期層として微結晶粒と空隙から構成されるポーラスな構造を有する銅を一層配置することが望ましい。
前述した構造の膜を配置することにより、密着性がより確保される易くなる。
以下、本発明を実施するための最良の形態の第1の実施形態について、図1〜図6を用いて詳細に説明する。
この図1に図示の液晶表示装置のアクティブマトリクス基板(透明基板1側)の製造方法について、図2〜図6を用いて説明する。
図2〜図6の各図の(a),(b)は、それぞれ、(a)は、薄膜トランジスタ部分、(b)は、工程の流れを示している。
ここで、フォトリソグラフィとは、本説明においては、フォトレジストの塗布からマスクを使用した選択露光を経てそれを現像するまでのレジストパタン形成の一連の工程を示すものとし、繰返しの説明は避ける。以下区分けした工程に従って説明する。
図2に図示の第1の実施形態の第1フォトリソグラフィ工程は、まず、無アルカリガラスからなる基板1上にインジウム錫酸化物からなる透明導電膜をスパッタリングにより成膜する。
ここで、透明導電膜は、インジウム亜鉛酸化物、インジウム錫亜鉛酸化物、亜鉛アルミニウム酸化物、亜鉛ガリウム酸化物であってもよい。
膜厚は、10nm〜150nmの程度であり、30〜50nmが好適である。
続いて、純銅(99.5%以上)とマグネシウムを含有する銅合金とをスパッタリングにより連続成膜する。
第1の実施形態においては、それぞれの膜厚を、第一層を600nm、第二層を50nmとした。
なお、銅合金の添加元素は、第1の実施形態のマグネシウムのほか、ホウ素、ビスマス、セリウム、ユウロピウム、ゲルマニウム、ハフニウム、ルテチウム、マンガン、マグネシウム、鉛、シリコン、テルビウム、ツリウム、バナジウム、亜鉛から選ぶことが可能である。
ここで、走査信号線2、共通信号線3を形成する部分には、露光せずレジストを厚く形成し、共通(透明)電極4を形成する部分は、ハーフ露光としてレジストを薄く形成する。
フォトリソグラフィの後、第一層の純銅と第二層のマグネシウムを含有する銅合金とをエッチングし、続いて透明導電膜をエッチングする。
ここで、金属第一層の純銅と第二層のマグネシウムを含有する銅合金のエッチング加工には、透明導電膜を溶解しないようにpHが7.0のエッチング液を使用した。
なお、pHが1.8から7.0のエッチング液を用いてもテーパ形状の銅配線が得られる。
そして、レジスト剥離後のマグネシウムを含有する銅合金/純銅表面について観察したところ、パタン側端面が順テーパになっていることを確認した。
以上の工程により、走査信号線2(ゲート電極、走査信号線端子を含む)、共通信号線3(共通信号線端子を含む)、共通(透明)電極4が形成される。
図3に図示の第1の実施形態の第2フォトリソグラフィ工程においては、まず、窒化シリコンからなるゲート絶縁膜5と、アモルファスシリコンからなる半導体層6と、n+型アモルファスシリコンからなるコンタクト層7を、プラズマ化学蒸着法で連続的に成膜する。
ここで、ゲート絶縁膜、アモルファスシリコン、n+型アモルファスシリコンのカバレッジを確認したところ、テーパ形状の厚膜銅走査信号線を空隙など無くカバーしていることが分かった。
次に、バイナリ露光マスクによるフォトリソグラフィの後、コンタクト層7、半導体層6を選択的にエッチングし、レジストを剥離すると、いわゆる島状パタンが形成される。
図4に図示の第1の実施形態の第3フォトリソグラフィ工程においては、まず、金属膜をスパッタリングにより成膜する。次にバイナリ露光マスクによるフォトリソグラフィの後、金属膜をエッチング除去し、続いて、n+型アモルファスシリコン層をエッチング除去することで、薄膜トランジスタのチャネルを分離し、レジストを剥離する。
以上の工程により、ドレイン電極8(映像信号線、映像信号線端子を含む)、及びソース電極9、コンタクト層7の島状パタンが形成される。
図5に図示の第1の実施形態の第4フォトリソグラフィ工程においては、まず、窒化シリコンからなる保護絶縁膜10をプラズマ化学蒸着法で成膜する。
バイナリ露光マスクによるフォトリソグラフィの後、ソース電極9上及び映像信号端子(図示せず)上の保護絶縁膜10にスルーホール11を開口し、同時に走査信号線端子(図示せず)上の保護絶縁膜10とゲート絶縁膜5にスルーホール11を開口しレジストを剥離する。
図6に図示の第1の実施形態の第5フォトリソグラフィ工程においては、インジウム錫酸化物からなる透明導電膜をスパッタリングにより成膜する。
まず、バイナリ露光マスクによるフォトリソグラフィの後、画素電極12走査信号線端子(図示せず)、共通信号線端子(図示せず)、映像信号線端子(図示せず)のパタンをエッチング加工し、レジストを剥離する。以上の工程により液晶表示装置のアクティブマトリクス基板が完成する。
以下、本発明を実施するための最良の形態の第2の実施形態について、図7〜図11を用いて詳細に説明する。
図7には、第2の実施形態の第1フォトリソグラフィ工程が示されている。
図7に図示の第2の実施形態の第1フォトリソグラフィ工程においては、まず、無アルカリガラスからなる基板1上に第一層の純銅(99.5%以上)とマンガンを含有する銅合金とをスパッタリングにより連続成膜する。
なお、第一層の成膜初期に初期層として微結晶粒と空隙から構成されるポーラスな構造を有する銅を一層配置することが望ましい。
第2の実施形態においては、第一層の膜厚を700nm、第二層の膜厚を70nmとした。
なお、銅合金の添加元素は、第2の実施形態のマンガンのほか、セリウム、ユウロピウム、ハフニウム、ルテチウム、マグネシウム、鉛、テルビウム、ツリウム、亜鉛を選ぶことが可能である。
ここで、実施例1の場合とは異なりエッチング液のpHは、1.8より小さいエッチング液でもテーパ形状が得られる。
次に、レジストを剥離することにより、走査信号線2(ゲート電極、走査信号線端子を含む)が形成される。
図8に図示の第2の実施形態の第2フォトリソグラフィ工程においては、まず、窒化シリコンからなるゲート絶縁膜5と、アモルファスシリコンからなる半導体層6と、n+型アモルファスシリコンからなるコンタクト層7をプラズマ化学蒸着法で連続的に成膜する。
ここで、ゲート絶縁膜、アモルファスシリコン、n+型アモルファスシリコンのカバレッジを確認したところ、テーパ形状の厚膜銅走査信号線を空隙など無くカバーしていることがわかった。
次に、バイナリ露光マスクによるフォトリソグラフィの後、コンタクト層7、半導体層6を選択的にエッチングし、レジストを剥離すると、いわゆる島状パタンが形成される。
図9に図示の第2の実施形態の第3フォトリソグラフィ工程においては、まず、映像信号線のモリブデンを成膜する。
第2の実施形態においては、モリブデンを用いたが、純銅とモリブデンなどのバリア性を有する金属との積層膜を用いても良い。
次に、バイナリ露光マスクによるフォトリソグラフィの後、モリブデンをエッチング除去し、続いて、n+型アモルファスシリコン層をエッチング除去することで、薄膜トランジスタのチャネルを分離し、レジストを剥離する。
以上の工程により、ドレイン電極8(映像信号線、映像信号線端子を含む)、及びソース電極9、コンタクト層7の島状パタンが形成される。
図10に図示の第2の実施形態の第4フォトリソグラフィ工程においては、まず、窒化シリコンからなる保護絶縁膜10をプラズマ化学蒸着法で成膜する。
バイナリ露光マスクによるフォトリソグラフィの後、ソース電極9上及び映像信号端子(図示せず)上の保護絶縁膜10にスルーホール11を開口し、同時に走査信号線端子(図示せず)上の保護絶縁膜10とゲート絶縁膜5にスルーホール11を開口しレジストを剥離する。
図11に図示の第2の実施形態の第5フォトリソグラフィ工程においては、インジウム錫酸化物からなる透明導電膜をスパッタリングにより成膜する。
まず、バイナリ露光マスクによるフォトリソグラフィの後、画素電極12.走査信号線端子(図示せず)、共通信号線端子(図示せず)、映像信号線端子(図示せず)のパタンをエッチング加工し、レジストを剥離する。
以上の工程により液晶表示装置のアクティブマトリクス基板が完成する。
以下、本発明を実施するための最良の形態の第3の実施形態について、図12〜図16を用いて詳細に説明する。
この図16(a)に図示の液晶表示装置のアクティブマトリクス基板(透明基板1側)の製造方法について、図12〜図16を用いて説明する。
図12〜図16の各図の(a),(b)は、それぞれ、(a)は、薄膜トランジスタ部分、(b)は、工程の流れを示している。
ここで、フォトリソグラフィとは、本説明においては、フォトレジストの塗布からマスクを使用した選択露光を経てそれを現像するまでのレジストパタン形成の一連の工程を示すものとし、繰返しの説明は避ける。以下区分けした工程に従って説明する。
図12に図示の第3の実施形態の第1フォトリソグラフィ工程は、まず、無アルカリガラスからなる基板1上にインジウム錫酸化物からなる透明導電膜をスパッタリングにより成膜する。
ここで、透明導電膜は、インジウム亜鉛酸化物、インジウム錫亜鉛酸化物、亜鉛アルミニウム酸化物、亜鉛ガリウム酸化物であってもよい。
膜厚は、10nm〜150nmの程度であり、30〜50nmが好適である。続いて、純銅(99.5%以上)とアルミニウムを含有する銅合金とをスパッタリングにより連続成膜する。
第3の実施形態における透明導電膜の膜厚は、第1の実施形態の場合と同様である。
ここで、走査信号線2、共通信号線3を形成する部分には、露光せずレジストを厚く形成し、共通(透明)電極4を形成する部分は、ハーフ露光としてレジストを薄く形成する。
フォトリソグラフィの後、金属第一層の純銅と第二層のアルミニウムを含有する銅合金とをエッチングし、続いて透明導電膜をエッチングする。
ここで、金属第一層の純銅と第二層のアルミニウムを含有する銅合金のエッチング加工には、透明導電膜を溶解しないようにpHが7.0のエッチング液を使用した。
本実施の形態では、pHが7.0のエッチング液を用いてエッチングを行ったが、pHが7.0から14.0(望ましくはpHが7.0から11.0)の範囲のエッチング液を用いてよい。
アッシングの後、ハーフ露光部の金属第一層の純銅と第二層のアルミニウムを含有する銅合金とをエッチングし、レジストを剥離する。
レジスト剥離後のアルミニウムを含有する銅合金/純銅表面を観察したところ、パタン側端面が順テーパになっていることを確認した。
以上の工程により、走査信号線2(ゲート電極、走査信号線端子を含む)、共通信号線3(共通信号線端子を含む)、共通(透明)電極4が形成される。
図13に図示の第3の実施形態の第2フォトリソグラフィ工程は、まず、窒化シリコンからなるゲート絶縁膜5とアモルファスシリコンからなる半導体層6と、n+型アモルファスシリコンからなるコンタクト層7をプラズマ化学蒸着法で連続的に成膜する。
バイナリ露光マスクによるフォトリソグラフィの後、コンタクト層7、半導体層6を選択的にエッチングし、レジストを剥離すると、いわゆる島状パタンが形成される。
図14に図示の第3の実施形態の第3フォトリソグラフィ工程は、まず、純銅ターゲットを用いて第一層を成膜する。
この時、はじめの50nmの成膜時に酸素ガス+アルゴンガスの混合ガスを用いて微粒子と空隙から構成される銅を形成し、次にアルゴンガスのみで純銅を連続成膜する。
次いで、第二層目のアルミニウムを含有する銅合金を連続成膜する。
次に、バイナリ露光マスクによるフォトリソグラフィの後、アルミニウムを含有する銅合金/純銅+微粒子と空隙から構成される銅の積層膜をpH7.0のエッチング液を用いてエッチング除去し、続いて、n+型アモルファスシリコン層をエッチング除去することで、薄膜トランジスタのチャネルを分離し、レジストを剥離する。
本実施形態では、銅積層膜とn+型アモルファスシリコンとの間に初期層として微粒子と空隙から構成される銅を形成したが、モリブデンなどのバリア膜を配置しても密着性などの効果がより得られ易くなる。
図15に図示の第3の実施形態の第4フォトリソグラフィ工程は、まず、窒化シリコンからなる保護絶縁膜10をプラズマ化学蒸着法で成膜する。
バイナリ露光マスクによるフォトリソグラフィの後、ソース電極9上及び映像信号端子(図示せず)上の保護絶縁膜10にスルーホール11を開口し、同時に走査信号線端子(図示せず)上の保護絶縁膜10とゲート絶縁膜5にスルーホール11を開口しレジストを剥離する。
図16に図示の第3の実施形態の第5フォトリソグラフィ工程は、インジウム錫酸化物からなる透明導電膜をスパッタリングにより成膜する。
まず、バイナリ露光マスクによるフォトリソグラフィの後、画素電極12.走査信号線端子(図示せず)、共通信号線端子(図示せず)、映像信号線端子(図示せず)のパタンをエッチング加工し、レジストを剥離する。
以上の工程により、液晶表示装置のアクティブマトリクス基板が完成する。
以下、本発明を実施するための最良の形態の第4の実施形態について、図17〜図21を用いて詳細に説明する。
この図21に図示の液晶表示装置のアクティブマトリクス基板(透明基板1側)の製造方法について、図17〜図21を用いて説明する。
図17〜図21の各図の(a),(b)は、それぞれ、(a)は、薄膜トランジスタ部分、(b)は、工程の流れを示している。
ここで、フォトリソグラフィとは、本説明においては、フォトレジストの塗布からマスクを使用した選択露光を経てそれを現像するまでのレジストパタン形成の一連の工程を示すものとし、繰返しの説明は避ける。以下区分けした工程に従って説明する。
図17に図示の第4の実施形態の第1フォトリソグラフィ工程は、まず、無アルカリガラスからなる基板1上にインジウム錫酸化物からなる透明導電膜をスパッタリングにより成膜する。
ここで、透明導電膜は、インジウム亜鉛酸化物、インジウム錫亜鉛酸化物、亜鉛アルミニウム酸化物、亜鉛ガリウム酸化物であってもよい。
膜厚は、10nm〜150nmの程度であり、30〜50nmが好適である。続いて、信号線金属膜をスパッタリングにより連続成膜する。本実施例では、モリブデンを用いた。
ここで、走査信号線2、共通信号線3を形成する部分には、露光せずレジストを厚く形成し、共通(透明)電極4を形成する部分は、ハーフ露光としてレジストを薄く形成する。
フォトリソグラフィの後、信号線金属膜をエッチングし、続いて透明導電膜をエッチングする。
ここでハーフ露光部のレジストアッシングにより除去する。アッシングの後、ハーフ露光部の金属膜をエッチングし、レジストを剥離する。
以上の工程により、走査信号線2(ゲート電極、走査信号線端子を含む)、共通信号線3(共通信号線端子を含む)、共通(透明)電極4が形成される。
図18に図示の第4の実施形態の第2フォトリソグラフィ工程は、窒化シリコンからなるゲート絶縁膜5とアモルファスシリコンからなる半導体層6と、n+型アモルファスシリコンからなるコンタクト層7をプラズマ化学蒸着法で連続的に成膜する。
バイナリ露光マスクによるフォトリソグラフィの後、コンタクト層7、半導体層6を選択的にエッチングし、レジストを剥離すると、いわゆる島状パタンが形成される。
図19に図示の第4の実施形態の第3フォトリソグラフィ工程は、まず、純銅ターゲットを用いて第一層を成膜する。
この時、はじめの50nmの成膜時に酸素ガス+アルゴンガスの混合ガスを用いて微粒子と空隙から構成される銅を形成し、次に成膜ガスをアルゴンガスのみで純銅を連続成膜する。
次いで、第二層目のアルミニウムを含有する銅合金を連続成膜する。
次に、バイナリ露光マスクによるフォトリソグラフィの後、アルミニウムを含有する銅合金/純銅+微粒子と空隙から構成される銅をpHが8.0のエッチング液を用いてエッチング除去し、続いて、n+型アモルファスシリコン層をエッチング除去することで、薄膜トランジスタのチャネルを分離し、レジストを剥離する。
以上の工程により、ドレイン電極8(映像信号線、映像信号線端子を含む)、及びソース電極9、コンタクト層7の島状パタンが形成される。
図20に図示の第4の実施形態の第4フォトリソグラフィ工程は、まず、窒化シリコンからなる保護絶縁膜10をプラズマ化学蒸着法で成膜する。
バイナリ露光マスクによるフォトリソグラフィの後、ソース電極9上及び映像信号端子(図示せず)上の保護絶縁膜10にスルーホール11を開口し、同時に走査信号線端子(図示せず)上の保護絶縁膜10とゲート絶縁膜5にスルーホール11を開口しレジストを剥離する。
本実施形態では、アルミニウムを含有する銅合金/純銅+微粒子と空隙から構成される銅の積層膜のエッチングにpHが8.0のエッチング液を用いたが、pH7.0から14.0(望ましくはpHが7.0から11.0)範囲のエッチング液でも同様にテーパ形状を有する銅配線が形成できる。
図21に図示の第4の実施形態の第5フォトリソグラフィ工程は、インジウム錫酸化物からなる透明導電膜をスパッタリングにより成膜する。
まず、バイナリ露光マスクによるフォトリソグラフィの後、画素電極12.走査信号線端子(図示せず)、共通信号線端子(図示せず)、映像信号線端子(図示せず)のパタンをエッチング加工し、レジストを剥離する。
以上の工程により液晶表示装置のアクティブマトリクス基板が完成する。
以下、本発明を実施するための最良の形態の第5の実施形態について、図22〜図26を用いて詳細に説明する。
第4の実施形態においては、5回のフォトリソグラフィを用いたが、第5の実施形態においては、図22、図23、図25、図26に図示の4回のフォトリソグラフィを用いている。
図24は、図23の工程を代替する工程を示している。
この図26に図示の液晶表示装置のアクティブマトリクス基板(透明基板1側)の製造方法について、図22〜図25を用いて説明する。
図22〜図26の各図の(a),(b)は、 第4の実施形態と同様に、図22から図26までの各図において、それぞれ、(a)は、薄膜トランジスタ部分、(b)は、工程の流れを示している。
以下区分けした工程に従って説明する。
図22に図示の第5の実施形態の第1フォトリソグラフィ工程は、まず、無アルカリガラスからなる基板1上にインジウム錫酸化物からなる透明導電膜をスパッタリングにより成膜する。
ここで、透明導電膜は、インジウム亜鉛酸化物、インジウム錫亜鉛酸化物であってもよい。
膜厚は、10nm〜150nmの程度であり、30〜50nmが好適である。続いて、第4の実施形態と同様に、信号線金属膜(モリブデン)をスパッタリングにより連続成膜する。
ここで、走査信号線2、共通信号線3を構成する部分には、露光をせずレジストを厚く形成し、共通(透明)電極4を形成する部分は、ハーフ露光としてレジストを薄く形成する。フォトリソクラフィの後、信号線金属膜をエッチングし、続いて透明導電膜をエッチングする。
ここで、ハーフ露光部のレジストをアッシングにより除去する。アッシングの後、ハーフ露光部の信号線金属膜をエッチングし、その後レジストを剥離する。
以上の工程により、走査信号線2(ゲート電極、走査信号線端子を含む)、共通信号線3(共通信号線端子を含む)、共通(透明)電極4が形成される。
図23に図示の第5の実施形態の第2フォトリソグラフィ工程は、まず、窒化シリコンからなるゲート絶縁膜5と、アモルファスシリコンからなる半導体層6と、n+型アモルファスシリコンからなるコンタクト層7をプラズマ化学蒸着法で連続的に成膜する。
続いて、純銅ターゲットを用いて第一層を成膜する。
第一層の成膜では、初期層として成膜開始からアルゴン+3.5%酸素の混合ガスを用いて微粒子と空隙から構成される銅を30nm成膜し、次いで、成膜ガスをアルゴンガスのみで純銅を620nm連続成膜する。
さらに第二層目の銅−マグネシウム合金を50nm連続成膜する。
ここで、ドレイン電極8(映像信号線、映像信号線端子を含む)、及びソース電極9を構成する部分には露光をせずレジストを厚く形成し、半導体層6の島パタンを形成する部分はハーフ露光としてレジストを薄く形成する。
フォトリソグラフィの後、銅−マグネシウム合金/純銅+微粒子と空隙から構成される銅の積層膜をpHが6.0のエッチング液を用いてエッチングし、続いてn+型アモルファスシリコン層とアモルファスシリコン層をエッチングする。
アッシングの後、ハーフ露光部の銅合金/純銅+微粒子と空隙から構成される銅の積層膜とn+型アモルファスシリコン層をエッチングすることで薄膜トランジスタのチャネルを分離し、レジストを剥離する。
以上の工程により、ドレイン電極8(映像信号線、映像信号線端子を含む)、ソース電極9、半導体層6の島パタンが形成される。
図24に図示の第5の実施形態の第2フォトリソグラフィ工程は、まず、窒化シリコンからなるゲート絶縁膜5と、アモルファスシリコンからなる半導体層6と、n+型アモルファスシリコンからなるコンタクト層7をプラズマ化学蒸着法で連続的に成膜する。
続いて、微粒子と空隙から構成される銅、純銅、さらに銅−マグネシウム合金膜を連続成膜する。
ここで、レジストパタンは、ドレイン電極8(映像信号線、映像信号線端子を含む)、及びソース電極9を構成する部分に形成され、その内薄膜トランジスタのチャネル周辺には露光をせずにレジストを厚く形成し、その他の部分には、ハーフ露光としてレジストを薄く形成する。
フォトリソグラフィの後、銅−マグネシウム合金/純銅+微粒子と空隙から構成される銅の積層膜をpHが6.0のエッチング液を用いてエッチングすることによりドレイン電極8(映像信号線、映像信号線端子を含む)及びソース電極9を形成し、続いてn+型アモルファスシリコン層をエッチングすることにより薄膜トランジスタのチャネルを分離する。
ここで、ハーフ露光部のレジストをアッシングにより除去し(このハーフ露光部のレジスト除去工程は省略可能)、残りのレジストをリフローし薄膜トランジスタのチャネル部をレジストで埋める。
引き続き、アモルファスシリコン層をエッチングすることで半導体層6の島パタンが形成される。
図25に図示の第5の実施形態の第3フォトリソグラフィ工程は、まず、窒化シリコンからなる保護絶縁膜10をプラズマ化学蒸着法で成膜する。この成膜温度は約230℃である。
バイナリ露光マスクによるフォトリソグラフィの後、ソース電極9上および映像信号線端子(図示せず)上の保護絶縁膜10にスルーホール11を開口し、同時に走査信号線端子(図示せず)上の保護絶縁膜10とゲート絶縁膜5にスルーホール11を開口し、レジストを剥離する。
図26に図示の第5の実施形態の第4フォトリソグラフィ工程は、インジウム錫酸化物からなる透明導電膜をスパッタリングにより成膜する。
まず、バイナリ露光マスクによるフォトリソグラフィの後、画素電極12、走査信号線端子(図示せず)、共通信号線端子(図示せず)、映像信号線端子(図示せず)のパタンをエッチング加工し、レジストを剥離する。
以上の工程により4回のフォトリソグラフィを用いても、液晶表示装置のアクティブマトリクス基板が作製することができる。
2………………………走査信号線
3………………………共通信号線
4………………………共通電極
5………………………ゲート絶縁膜
6………………………半導体層
7………………………コンタクト層
8………………………ドレイン電極(映像信号線)
9………………………ソース電極
10……………………保護絶縁膜
11……………………スルーホール
12……………………画素電極
13……………………液晶
14……………………カラーフィルタ用ガラス基板
15……………………配向膜
16……………………ブラックマトリクス
17……………………カラーフィルタ
18……………………平坦化膜
19……………………偏光板
20……………………第一層(純銅)
21……………………第二層(銅を主成分とする合金)
Claims (8)
- 一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶と、前記一対の基板の一方に形成された複数の走査信号線と、前記走査信号線とマトリクス状に交差する複数の映像信号線と、前記走査信号線と前記映像信号線との交点に対応して形成された薄膜トランジスタと、前記画素領域に形成され前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前記走査信号線を概ね覆うゲート絶縁膜と、前記映像信号線と前記薄膜トランジスタとを覆う保護絶縁膜とを具備する液晶表示装置おいて,
前記走査信号線または前記映像信号線の少なくとも一方を,
第一層を下層とし、該第一層の上に形成した第二層を上層とする積層膜によって構成し,
前記第一層を99.5%以上の純度を有する銅膜で、前記第二層を銅を主成分とするセリウム、ユウロピウム、ハフニウム、ルテチウム、マンガン、マグネシウム、鉛、テルビウム、ツリウム、亜鉛から選択される元素を1種類以上含有する前記第一層の溶解速度よりも速い溶解速度を有する合金膜で形成し,
pHが7.0より小さいエッチング液で前記第一層と前記第二層を一括でウェットエッチング加工することにより前記第二層の上層と前記第一層の下層との前記積層膜を順テーパ形状に形成する
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 前記第二層の膜厚は,
10nmから第一層の膜厚の10%を超えない範囲である請求項1に記載の液晶表示装置。 - 一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶と、前記一対の基板の一方に形成された複数の走査信号線と、前記走査信号線とマトリクス状に交差する複数の映像信号線と、前記走査信号線と前記映像信号線との交点に対応して形成された薄膜トランジスタと、前記画素領域に形成され前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前記走査信号線を概ね覆うゲート絶縁膜と、前記映像信号線と前記薄膜トランジスタとを覆う保護絶縁膜とを具備する液晶表示装置おいて,
前記走査信号線をインジウム酸化物を主成分とする透明導電膜上に配置し,
前記走査信号線を、第一層を下層とし、該第一層の上に形成した第二層を上層とする積層膜によって構成し,
前記第一層を99.5%以上の純度を有する銅膜で、前記第二層を銅を主成分とするホウ素、ビスマス、セリウム、ユウロピウム、ゲルマニウム、ハフニウム、ルテチウム、マンガン、マグネシウム、鉛、シリコン、テルビウム、ツリウム、バナジウム、亜鉛から選択される元素を1種類以上含有する合金膜で形成し,
pHが1.8から7.0のエッチング液で前記第一層と前記第二層を一括でウェットエッチング加工することにより前記第二層の上層と前記第一層の下層との前記積層膜を順テーパ形状に形成する
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶と、前記一対の基板の一方に形成された複数の走査信号線と、前記走査信号線とマトリクス状に交差する複数の映像信号線と、前記走査信号線と前記映像信号線との交点に対応して形成された薄膜トランジスタと、前記画素領域に形成され前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前記走査信号線を概ね覆うゲート絶縁膜と、前記映像信号線と前記薄膜トランジスタとを覆う保護絶縁膜とを具備する液晶表示装置おいて,
前記走査信号線または前記映像信号線の少なくとも一方を,
第一層を下層とし、該第一層の上に形成した第二層を上層とする積層膜によって構成し,
前記第一層を99.5%以上の純度を有する銅膜で、前記第二層を銅を主成分とするアルミニウム、ホウ素、ベリリウム、ビスマス、セリウム、ユウロピウム、ガリウム、ゲルマニウム、ハフニウム、ルテチウム、マンガン、マグネシウム、鉛、シリコン、テルビウム、ツリウム、バナジウム、亜鉛から選択される元素を1種類以上含有する合金膜で形成し,
pHが7.0以上であるエッチング液で前記第一層と前記第二層を一括でウェットエッチング加工することにより前記第二層の上層と前記第一層の下層との前記積層膜を順テーパ形状に形成する
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 前記積層膜を順テーパ形状は,
テーパ角が20゜から70゜であることを特徴とする請求項1,3又は4に記載の液晶表示装置。 - 一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶と、前記一対の基板の一方に形成された複数の走査信号線と、前記走査信号線とマトリクス状に交差する複数の映像信号線と、前記走査信号線と前記映像信号線との交点に対応して形成された薄膜トランジスタと、前記画素領域に形成され前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前記走査信号線を概ね覆うゲート絶縁膜と、前記映像信号線と前記薄膜トランジスタとを覆う保護絶縁膜とを具備する液晶表示装置の製造方法であって.
前記一対の基板の一方の上に、前記走査信号線を構成する第一層の99.5%以上の純度を有する銅膜と第二層の銅を主成分とする合金膜を連続成膜し、走査信号線とゲート電極とを形成する工程と,
ゲート絶縁膜となる窒化シリコンと、アモルファスシリコン膜とn+アモルファスシリコン膜とを連続成膜し、半導体層とを形成する工程と、金属膜からなる映像信号線とドレイン電極とソース電極とを形成する工程と、保護絶縁膜となる窒化シリコンを成膜し、保護絶縁膜やゲート絶縁膜にスルーホールを開口する工程と,
透明導電膜を成膜し画素電極を形成する工程と,
からなり,
前記99.5%以上の純度を有する銅と、銅を主成分とする合金膜との積層膜を一括で加工するエッチング液のpHを7.0より小さい範囲内にしたことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶と、前記一対の基板の一方に形成された複数の走査信号線と、前記走査信号線とマトリクス状に交差する複数の映像信号線と、前記走査信号線と前記映像信号線との交点に対応して形成された薄膜トランジスタと、前記画素領域に形成され前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前記走査信号線を概ね覆うゲート絶縁膜と、前記映像信号線と前記薄膜トランジスタとを覆う保護絶縁膜とを具備する液晶表示装置の製造方法であって,
前記一対の基板の一方の上に、前記走査信号線を構成するインジウム酸化物を主成分とする透明導電膜と、第一層の99.5%以上の純度を有する銅膜と第二層の銅を主成分とする合金膜を連続成膜し、走査信号線とゲート電極と共通信号線と共通電極とを形成する工程と,
ゲート絶縁膜となる窒化シリコンと、アモルファスシリコン膜とn+アモルファスシリコン膜とを連続成膜し半導体層とを形成する工程と,
金属膜を成膜し映像信号線とドレイン電極とソース電極とを形成する工程と,
保護絶縁膜となる窒化シリコンを成膜し保護絶縁膜やゲート絶縁膜にスルーホールを開口する工程と,
前記透明導電膜を成膜し画素電極を形成する工程と,
からなり,
前記99.5%以上の純度を有する銅と、銅を主成分とする合金膜との積層膜を一括で加工するエッチング液のpHを1.8から7.0の範囲内にしたことを特徴とする請求項3に記載のインプレインスイッチング型液晶表示装置の製造方法。 - 一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶と、前記一対の基板の一方に形成された複数の走査信号線と、前記走査信号線とマトリクス状に交差する複数の映像信号線と、前記走査信号線と前記映像信号線との交点に対応して形成された薄膜トランジスタと、前記画素領域に形成され前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前記走査信号線を概ね覆うゲート絶縁膜と、前記映像信号線と前記薄膜トランジスタとを覆う保護絶縁膜とを具備する液晶表示装置の製造方法であって,
前記一対の基板の一方の上に、前記走査信号線を構成する第一層の99.5%以上の純度を有する銅膜と第二層の銅を主成分とする合金膜を連続成膜し、走査信号線とゲート電極とを形成する工程と,
ゲート絶縁膜となる窒化シリコンと、アモルファスシリコン膜とn+アモルファスシリコン膜とを連続成膜し半導体層とを形成する工程と,
金属膜を成膜し映像信号線とドレイン電極とソース電極とを形成する工程と、保護絶縁膜となる窒化シリコンを成膜し保護絶縁膜やゲート絶縁膜にスルーホールを開口する工程と,
透明導電膜を成膜し画素電極を形成する工程と,
からなり,
前記99.5%以上の純度を有する銅と、銅を主成分とする合金膜との積層膜を一括で加工するエッチング液のpHを7.0から14.0の範囲内にしたことを特徴とする請求項4に記載の液晶表示装置の製造方法。
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