JPWO2007088924A1 - 高誘電性フィルム - Google Patents

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Abstract

高誘電性でかつ薄膜化が可能であり、しかも巻付き性(可撓性)にも優れた高誘電性フィルムを提供する。(A)フッ化ビニリデン系ポリマー、(B)チタン酸バリウム系酸化物粒子および/またはチタン酸ジルコン酸鉛系酸化物粒子、および(C)親和性向上剤を含んでなり、フッ化ビニリデン系ポリマー(A)100質量部に対して、チタン酸バリウム系酸化物粒子および/またはチタン酸ジルコン酸鉛系酸化物粒子(B)を10〜500質量部、ならびに親和性向上剤(C)を0.01〜30質量部含む高誘電性フィルム。

Description

本発明は、たとえばフィルムコンデンサ用の誘電性フィルムとして有用な高誘電性フィルムに関する。
近年、プラスチック絶縁体は、絶縁抵抗が高く、周波数特性に優れ、柔軟性にも優れるという特徴を有しているため、通信用、電子機器用、電力用、中・低圧進相用、インバータ用などのフィルムコンデンサや、圧電素子、焦電素子、転写体担持用誘電体などの膜材料として期待されている。
フィルムコンデンサは通常、誘電性ポリマーフィルムの表面にアルミニウムまたは亜鉛を蒸着した構造のフィルム、またはアルミニウム箔と誘電性ポリマーフィルムを多層に積層したフィルムから構成されており、近年、金属蒸着により誘電性ポリマーフィルム上に電極を形成したものも多用されている。
フィルムコンデンサ用フィルムの誘電性ポリマーとしては、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフェニレンサルファイドなどの炭化水素系ポリマーが検討されているが、これらのフィルム単独では誘電率が2.3〜3程度しかない。
フィルムコンデンサの容量は使用するフィルムの誘電率に比例し、フィルムの膜厚に反比例することが知られている。
そこで、フィルムを薄膜化することが検討されてきたが、薄膜化しすぎると製膜が困難になるほか耐電圧の低下が認められるため、薄膜化には限界がある。
フィルム自体の高誘電率化の方向として、ポリマーとして高誘電性のポリフッ化ビニリデン系重合体やシアノエチル化したプルランが検討されているが、いずれのフィルムも誘電率は20以下であり、しかも薄膜化は困難な材料である。
近年、さらにフィルムコンデンサの小型化・大容量化が進み、コンデンサフィルムの更なる高誘電率化が強く求められてきている。
コンデンサフィルムの高誘電率化の手段の1つとして、特に誘電率の高い無機粒子とポリマーを複合化し、フィルム化することが提案されている。
この高誘電性無機粒子とポリマーの混合とフィルム化の方法として、(1)溶融混練法と(2)コーティング法が知られている。
溶融混練法(1)は、ポリマーと高誘電性無機粒子をポリマーの溶融温度以上で混練したのち、溶融押出法またはインフレーション法によりフィルム化し、要すれば延伸処理を施す方法である。この方法にはポリフェニレンサルファイドやポリプロピレン、ポリエステルなどの炭化水素系ポリマーを用いるケース(特表2000−501549号公報、特開2000−294447号公報)とフッ化ビニリデン系ポリマーを用いるケース(たとえば特開昭59−43039号公報、特開昭60−185303号公報、特開昭58−69252号公報)が知られているが、ボイドが少なく薄膜化された高誘電率のフィルムの製造は難しい。
コーティング法(2)は、ポリマーを溶剤に溶解し、これに高誘電性無機粒子を添加混合してコーティング組成物とし、コーティング法によりフィルムを製造する方法である。
コーティング法(2)には芳香族ポリアミド、芳香族ポリイミド、エポキシ樹脂などの耐熱性や機械的強度に優れる炭化水素系剛性ポリマーを使用するケース(特開2001−106977号公報、特開平1−248404号公報、特開平4−160705号公報、特開平2−206623号公報、特開2002−356619号公報)とフッ化ビニリデン系ポリマーを用いるケース(特開昭54−129397号公報)が知られている。
炭化水素系剛性ポリマーを使用する場合、機械的強度が高く薄いフィルムは製造可能であるが、ポリマー自体の誘電率の影響が大きく、フィルムの誘電率の向上に限界があるほか、硬いフィルムとなり優れた巻付き性(可撓性)が要求されるフィルムコンデンサ用のフィルムとしては好適とはいえない。特に熱硬化性樹脂に高誘電性無機粒子を添加混合した系は非常に硬く、その硬いという性質を活かしてエンベッディドキャパシタ用途に用いられている。
フッ化ビニリデン系ポリマーを使用するケースでは、高誘電性無機粒子がフッ化ビニリデン系ポリマー中に均一に充填されたフィルムを得ることが難しく、薄膜化と誘電率の向上に更なる改善が求められる。
また、高誘電性無機粒子をフッ化ビニリデン系ポリマーで被覆した複合粒子をプレス成形して、高誘電性無機粒子が高充填されたシートを製造することも提案されている(特開昭61−224205号公報)。しかし、膜厚は150μmと厚く、優れた巻付き性(可撓性)が要求されるフィルムコンデンサ用のフィルムとしては好適とはいえない。
本発明は、高誘電性でかつ薄膜化が可能であり、しかも巻付き性(可撓性)にも優れた高誘電性フィルムを提供することを目的とする。
すなわち本発明は、
(A)フッ化ビニリデン(VdF)系ポリマー、
(B)チタン酸バリウム系酸化物粒子および/またはチタン酸ジルコン酸鉛系酸化物粒子、および
(C)親和性向上剤
を含んでなり、VdF系ポリマー(A)100質量部に対して、チタン酸バリウム系酸化物粒子および/またはチタン酸ジルコン酸鉛系酸化物粒子(B)を10〜500質量部、ならびに親和性向上剤(C)を0.01〜30質量部含む高誘電性フィルムに関する。
本発明はまた、
(A)フッ化ビニリデン(VdF)系ポリマー、
(B)チタン酸バリウム系酸化物粒子および/またはチタン酸ジルコン酸鉛系酸化物粒子、
(C)親和性向上剤、および
(D)溶剤
を含んでなり、VdF系ポリマー(A)100質量部に対して、チタン酸バリウム系酸化物粒子および/またはチタン酸ジルコン酸鉛系酸化物粒子(B)を10〜500質量部、ならびに親和性向上剤(C)を0.01〜30質量部含む高誘電性フィルム形成用のコーティング組成物にも関する。
さらに本発明は、本発明のコーティング組成物を基材に塗布し、乾燥することを特徴とする本発明の高誘電性フィルムの製造法にも関する。
本発明の高誘電性フィルムは、フィルムコンデンサ用フィルムとして特に好適である。
実施例2で製造したフィルムのSEM写真(倍率1000)である。 実施例2で製造したフィルムのSEM写真(倍率10000)である。 実施例3で製造したフィルムのSEM写真(倍率1000)である。 実施例3で製造したフィルムのSEM写真(倍率10000)である。 実施例18で製造したフィルムのSEM写真(倍率1000)である。 実施例18で製造したフィルムのSEM写真(倍率10000)である。 比較例3で製造したフィルムのSEM写真(倍率1000)である。 比較例3で製造したフィルムのSEM写真(倍率10000)である。
本発明の高誘電性フィルムは、
(A)VdF系ポリマー、
(B)チタン酸バリウム系酸化物粒子および/またはチタン酸ジルコン酸鉛系酸化物粒子、および
(C)親和性向上剤
を含んでなり、VdF系ポリマー(A)100質量部に対して、チタン酸バリウム系酸化物粒子および/またはチタン酸ジルコン酸鉛系酸化物粒子(B)を10〜500質量部、ならびに親和性向上剤(C)を0.01〜30質量部含む。
VdF系ポリマーとしては、VdFの単独重合体でも、VdFと共重合可能な他の単量体との共重合体であってもよい。また、VdFの単独重合体とVdF共重合体とのブレンド、またはVdF共重合体同士のブレンドであってもよい。
共重合可能な他の単量体としては、たとえばテトラフルオロエチレン(TFE)、クロロトリフルオロエチレン(CTFE)、トリフルオロエチレン、モノフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン(HFP)、パーフルオロ(アルキルビニルエーテル)(PAVE)などの含フッ素オレフィン類;含フッ素アクリレート、官能基含有含フッ素モノマーなどがあげられる。これらのうち溶剤溶解性が良好な点から、HFP、TFE、CTFEが好ましい。共重合割合は、VdFが50モル%以上、好ましくは60モル%以上であることが、誘電率が高い点、溶剤溶解性が高い点で好ましい。VdF/TFE共重合体の場合、その組成比は、VdF単位が60〜95モル%でTFE単位が5〜40モル%であることが、特にVdF単位が70〜90モル%でTFE単位が10〜30モル%であることが、耐電圧が高くなる点から好ましい。VdF系ポリマーの誘電率(20℃、1kHz)は7以上、さらには7.5以上であることが、フィルムの誘電率をさらに高める点から好ましい。
チタン酸バリウム系酸化物粒子および/またはチタン酸ジルコン酸鉛系酸化物(PZT)粒子(B)(以下、単に「特定のチタン系酸化物粒子(B)」ということもある)は、代表的な高誘電性無機粒子であり、それらの誘電率は500以上である。特にチタン酸バリウム系酸化物粒子が、1500を超える高い誘電率をもち、かつ微粒子化が容易な点から好ましい。
特定のチタン系酸化物粒子(B)の粒子径は、平均粒子径で2μm以下、特に0.01〜0.5μm、なかでも0.01〜0.2μm程度であることが、フィルムの表面平滑性や均一分散性に優れる点から好ましい。
特定のチタン系酸化物粒子(B)の配合量は、VdF系ポリマー100質量部に対して、10質量部以上、好ましくは30質量部以上、特に好ましくは50質量部以上である。少なすぎるとフィルムの誘電率の向上効果が小さくなる。上限は500質量部である。多くなりすぎるとフィルムとしての強度の点、表面荒れの点で問題が生じる。好ましい上限は400質量部、さらには300質量部である。
親和性向上剤(C)は、VdF系ポリマー(A)と特定のチタン系酸化物粒子(B)との親和性を高め、両者を均一に分散させると共に、特定のチタン系酸化物粒子(B)とVdF系ポリマー(A)をフィルム中でしっかり結合させる役割を果たす成分である。この成分(C)がないと、フィルム中にボイドが発生しやすくなり、誘電率が低下する。また、成分(C)は後述するフィルム形成用組成物において、特定のチタン系酸化物粒子をVdF系ポリマーと均一に分散させる働きもする。
親和性向上剤(C)としては、カップリング剤(C1)、界面活性剤(C2)またはエポキシ基含有化合物(C3)が有効である。
カップリング剤(C1)としては、たとえばチタン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、ジルコニウム系カップリング剤、ジルコアルミネート系カップリング剤などが例示できる。
チタン系カップリング剤としては、たとえばモノアルコキシ型、キレート型、コーディネート型などがあげられ、特に特定のチタン系酸化物粒子(B)との親和性が良好な点からモノアルコキシ型、キレート型が好ましい。
シラン系カップリング剤としては、たとえば高分子型、低分子型があり、また官能基の数の点からモノアルコキシシラン、ジアルコキシシラン、トリアルコキシシラン、ダイポーダルアルコキシシランなどがあげられ、特に特定のチタン系酸化物粒子(B)との親和性が良好な点から低分子型のアルコキシシランが好ましい。
ジルコニウム系カップリング剤としては、たとえばモノアルコキシジルコニウム、トリアルコキシジルコニウムなどがあげられる。
ジルコアルミネート系カップリング剤としては、たとえばモノアルコキシジルコアルミネート、トリアルコキシジルコアルミネートなどがあげられる。
界面活性剤(C2)としては、高分子型、低分子型があり、官能基の種類の点から非イオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤があり、これらが使用でき、熱安定性が良好な点から高分子型の界面活性剤が好ましい。
非イオン性界面活性剤としては、たとえばポリエーテル誘導体、ポリビニルピロリドン誘導体、アルコール誘導体などがあげられ、特に特定のチタン系酸化物粒子(B)との親和性が良好な点からポリエーテル誘導体が好ましい。
アニオン性界面活性剤としては、たとえばスルホン酸やカルボン酸、およびそれらの塩を含有するポリマーなどがあげられ、特にVdF系ポリマー(A)との親和性が良好な点から具体的にはアクリル酸誘導体系ポリマー、メタクリル酸誘導体系ポリマー、無水マレイン酸系共重合体が好ましい。
カチオン性界面活性剤としては、たとえばアミン系化合物やイミダゾリンなどの含窒素系複合環を有する化合物やそのハロゲン化塩があげられるが、VdF系ポリマー(A)への攻撃性が低い点から、含窒素系複合環を有する化合物が好ましい。塩型としては、塩化アルキルトリメチルアンモニウムなどのハロゲンアニオンを含むアンモニウム塩があげられる。誘電率が高い点からハロゲンアニオンを含むアンモニウム塩が好ましい。
エポキシ基含有化合物(C3)としては、エポキシ化合物またはグリシジル化合物などがあげられ、低分子量化合物でも高分子量化合物でもよい。なかでも、VdF系ポリマー(A)との親和性が特に良好な点からエポキシ基を1個有する低分子量の化合物が好ましい。なお、カップリング剤に分類されるエポキシ基含有カップリング剤(たとえばエポキシシランなど)は、本発明ではエポキシ基含有化合物(C3)には含めず、カップリング剤(C1)に含める。
エポキシ基含有化合物(C3)の好ましい例としては、特にVdF系ポリマー(A)との親和性に優れている点から、式(C3):
Figure 2007088924
(式中、Rは水素原子、または酸素原子、窒素原子もしくは炭素−炭素二重結合を含んでいてもよい炭素数1〜10の1価の炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香環;lは0または1;mは0または1;nは0〜10の整数)で示される化合物があげられる。
具体例としては、
Figure 2007088924
などのケトン基やエステル基を有するものがあげられる。
成分(C)の配合量は、VdF系ポリマー100質量部に対して、0.01質量部以上、好ましくは0.1質量部以上、特に好ましくは1質量部以上である。少なすぎると均一に分散させることが難しくなる。上限は30質量部である。多くなりすぎると得られるフィルムの誘電率が低下するという問題が出てくる。好ましい上限は25質量部、さらには20質量部である。
成分(C)としては、特定のチタン系酸化物粒子(B)との親和性が良好な点からカップリング剤(C1)およびエポキシ基含有化合物(C3)が好ましく、特にチタン系カップリング剤またはシラン系カップリング剤が、VdF系ポリマー(A)および特定のチタン系酸化物粒子(B)の両方への親和性が良好な点から特に好ましい。
また、カップリング剤(C1)およびエポキシ基含有化合物(C3)は特定のチタン系酸化物粒子(B)と化学的な結合を形成する(反応性基を有する)ので、より一層しっかりした親和性向上作用を発揮する。
本発明のフィルムには、さらに任意成分として、他のポリマー、他の高誘電性無機粒子のほか、補強用フィラーや帯電防止用のフィラーなどの各種フィラー、親和性向上剤などの添加剤を含ませてもよい。
他のポリマーとしては、たとえば可撓性を高めるためにはポリカーボネート(PC)、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、シリコーン樹脂、ポリエーテル、ポリ酢酸ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレンなどが好ましく、強度を高めるためにはポリ(メタ)アクリレート、エポキシ樹脂、ポリフェニレンオキシド(PPO)、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、ポリアミド(PA)、ポリイミド(PI)、ポリアミドイミド(PAI)、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリベンゾイミダゾール(PBI)などがあげられ、また高誘電性を補足する点から奇数ポリアミド、シアノプルラン、銅フタロシアニン系ポリマーなどがあげられる。これらの他のポリマーは、本発明の目的を損なわない範囲で配合してもよい。
本発明では他の高誘電性無機粒子の併用を禁じるものではなく、従来公知の高誘電性無機粒子を配合してもよい。そうした他の高誘電性無機粒子としては、たとえばチタン酸亜鉛、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸鉛、酸化チタン、アンチモン酸バリウム、アンチモン酸マグネシウム、アンチモン酸ストロンチウム、アンチモン酸カルシウム、アンチモン酸鉛、スズ酸バリウム、スズ酸ストロンチウム、これらの複合化合物、固溶体、混合物などが例示できる。これらの他の高誘電性無機粒子は、本発明の目的を損なわない範囲で配合してもよい。また、高誘電性有機化合物、たとえば銅フタロシアニン4量体なども、本発明の目的を損なわない範囲で配合してもよい。
また、補強用フィラーとしては、たとえば炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸化マグネシウム、チタン酸カリウム、ガラス、アルミナ、硼素化合物の粒子または繊維があげられ、親和性向上剤としては、たとえば官能基変性ポリオレフィン、スチレン改質ポリオレフィン、官能基変性ポリスチレン、ポリアクリル酸イミド、クミルフェノールなどがあげられ、本発明の目的を損なわない範囲で配合してもよい。
本発明の高誘電性フィルムは、上記の溶融混練法(1)でもコーティング法(2)のいずれでも製造できるが、簡便さや得られるフィルムの均質性に優れる点からコーティング法(2)で製造することが有利である。
コーティング法で高誘電性フィルムを製造する場合、まず、コーティング組成物を調製する。本発明のコーティング組成物は、
(A)VdF系ポリマー、
(B)チタン酸バリウム系酸化物粒子および/またはチタン酸ジルコン酸鉛系酸化物粒子、
(C)親和性向上剤、および
(D)溶剤
を含んでなり、VdF系ポリマー(A)100質量部に対して、チタン酸バリウム系酸化物粒子および/またはチタン酸ジルコン酸鉛系酸化物粒子(B)を10〜500質量部、ならびに親和性向上剤(C)を0.01〜30質量部含む組成物があげられる。
VdF系ポリマー(A)、特定のチタン系酸化物粒子(B)および親和性向上剤(C)、その他の任意成分の具体例、配合量については、上述の説明がそのまま適用される。
この組成物は、粘度が0.01〜3Pa・sとなるように溶剤(D)で調整することが、塗工性が良好な点、均一で平滑なフィルムが得られる点から好ましい。特には1.5Pa・s以下であることが表面粗さを抑制する点から好ましい。
組成物の形態としては、エマルション型のもの(溶剤が水など)でもよいが、この場合VdF系ポリマーも粒子であり、(B)成分の粒子との粒子−粒子の混合系になって、均一分散が難しいため、VdF系ポリマー(A)を有機溶剤の溶液とし、その溶液に(B)成分を分散させることが、均一分散が容易であり、均質なフィルムが得られやすいことから好ましい。
VdF系ポリマー(A)を溶解する有機系の溶剤(D)としては、たとえばN,N−ジメチルホルムアミド(DMF)、N−メチルピロリドン(NMP)、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)などのアミド系溶剤;シクロヘキサン、メチルイソブチルケトン(MIBK)、2−ヘプタノン(MAK)などのケトン系溶剤;酢酸ブチル、乳酸エチルなどのエステル系溶剤;エチルセロソルブ、メチルセロソルブなどのエーテル系溶剤、プロピレンカーボネートやジエチレンカーボネート(DEC)などのカーボネート系溶剤が好ましく、VdF系ポリマーの溶解性に特に優れる点からアミド系溶剤が好ましい。これらの溶剤は単独で用いてもよいし、混合して用いてもよい。特にアミド系溶剤を主溶剤とし、これに助溶剤としてエステル、ケトン、エーテル、カーボネート系の溶剤を混合したものが、基材への濡れ性がよいため、ピンホールが少ない均一な薄膜作製に好適である。とりわけ、VdF系ポリマー(A)の溶解性を高めるという観点から、溶剤の誘電率が22以上になるように溶剤を調整することが好ましく、また、塗工性を向上させるという観点から、溶剤の表面張力が35dyn/cm以下になるように溶剤を調整することが好ましい。
コーティング組成物には、溶剤(D)のほか、フィルム中には存在しない(フィルム形成時に消失する)成分または、存在していても本発明のフィルムが目的としている効果(高誘電率、可撓性、薄膜化)に本質的な影響を与えない成分として、消泡剤、分散剤、湿潤剤、レベリング剤、流展剤などを添加してもよい。
コーティング組成物の調製は、VdF系ポリマー(A)の有機溶剤(D)の溶液を調製し、ついでこれらに残余の成分を適宜添加し、強制攪拌分散させることにより行われる。より具体的には、つぎの方法がある。
(1)(B)成分と(C)成分を予め溶剤(D)に混合し攪拌分散させ、得られた分散混合物とVdF系ポリマー(A)溶液とを充分に攪拌し分散させる方法:
この方法において、親和性向上剤(C)が化学反応性の親和性向上剤であるカップリング剤(C1)またはエポキシ基含有化合物(C3)である場合、(C)成分と(B)成分とを反応させたのち強制攪拌分散させてもよいし、(B)成分と(C)成分とを溶剤(D)に加えて反応と強制攪拌分散を同時に行ってもよいし、両者を併用してもよい(この処理を(B)成分の表面処理ということもある)。親和性向上剤が界面活性剤(C2)である場合は、反応は生じないので、(B)成分と(C)成分とを溶剤(D)に加えて反応と強制攪拌分散を同時に行うことが簡便である。
また、(B)成分と(C)成分の分散混合物の安定性を高めるためには、(B)成分と(C)成分の強制攪拌分散時にVdF系ポリマー(A)溶液を少量共存させておくことが望ましい。
(2)(A)成分の溶剤(D)溶液に、(B)成分および(C)成分を一括でまたは順次に添加し強制攪拌分散処理する方法:
順次添加する場合、添加順序は特に限定されず、また、1つの成分を添加した都度、強制攪拌分散処理を行ってもよい。
上記(1)および(2)の方法のいずれにおいても、(B)成分は、予め表面の吸着水を熱処理などで除去しておくことが、均一分散性がさらに向上するので望ましい。この(B)成分の予備的熱処理または表面処理を施すことにより、平均粒径が大きな(B)成分であっても均一分散が容易になる。好ましくは、予備的熱処理および表面処理の両方を施すことが望ましい。
また、各成分はいずれも、所定量を一括添加してもよし、分割して添加してもよい。さらに分割して添加する場合には、たとえば(B)成分と(C)成分の混合時に(A)成分の一部を添加しておき、混合後に残りの(A)成分を添加し、さらに(C)成分を追加的に添加混合するというように、添加順序と分割添加を自由に組み合わせてもよい。
ここで重要な点は、強制撹拌分散を充分に行うことである。この分散処理が不充分な場合、(B)成分などの固形分が容易に沈降し、コーティング自体が困難になったり、コーティング膜を乾燥して形成する際に内部に相分離が生じてしまったりすることがあり、均一で機械的特性に優れ、ムラのない誘電特性をもつフィルムを形成できなくなることがある。なお、この強制撹拌分散処理は、一旦調製した組成物に対し、コーティング直前に行ってもよい。
強制撹拌分散の目安は、撹拌分散後の組成物が、室温(25℃)で7日間静置しても相分離が起こらない(溶液濁度の変化がわずか(10%以下)である)ことであり、予備実験をすることにより設定できる。
好ましい強制撹拌分散装置としては、ボールミル、サンドミル、アトライト、ビスコミル、ロールミル、バンバリーミキサ、ストーンミル、バイブレータミル、ディスパージンミル、ディスクインペラー、ジェットミル、ダイーノミルなどがあげられる。これらのうち、不純物が入りにくく、かつ連続生産が可能な点から、ジェットミル、ロールミル、ダイーノミルが好ましい。
限定的ではない強制撹拌分散条件としては、たとえばつぎの範囲が例示できる。
装置:サンドミル
撹拌条件:
撹拌速度:100〜10,000rpm
撹拌時間:5〜120分間
その他:ガラスビーズを入れる。
得られた均一なコーティング組成物からフィルムを成膜する。フィルムの成膜は、基材にコーティングし乾燥させ、要すれば基材から剥離することにより行うことが、操作が容易で設備が簡便で膜厚の制御が容易である点から好ましい。そのほか、ラングミュアブロジェット法、含浸法といった方法で成膜してもよい。
コーティング方法としては、ナイフコーティング法、キャストコーティング法、ロールコーティング法、グラビアコーティング法、ブレードコーティング法、ロッドコーティング法、エアドクタコーティング法、カーテンコーティング法、ファクンランコーティング法、キスコーティング法、スクリーンコーティング法、スピンコーティング法、スプレーコーティング法、押出コーティング法、電着コーティング法などが使用できるが、これらのうち操作性が容易な点、膜厚のバラツキが少ない点、生産性に優れる点からロールコーティング法、グラビアコーティング法、キャストコーティング法が好ましい。
乾燥はヤンキーシリンダ、カウンタフロー、熱風噴射、エアフローシリンダ、エアスルー、赤外線、マイクロ波、誘導加熱などを利用した方法で行うことができる。たとえば熱風噴射法では、130〜200℃で1分間以内という条件が好適に採用できる。
本発明の高誘電性フィルムは、いわゆる被膜として基材上に残してもよいが、フィルムコンデンサ用のフィルムとする場合などは、基材から剥離して単独フィルムとするため、基材としてはVdF系ポリマーが剥離しやすい材料、たとえばステンレススチール、銅などの金属板;ガラス板;ITOやZnOを蒸着したポリマーフィルム;離型性に優れたポリマーフィルムなどが好ましい。ポリマーフィルムとしては、たとえばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート(PC)、ポリアミド(PA)、ポリイミド(PI)、ポリアミドイミド(PAI)、ポリベンズイミダゾール(PBI)、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、ポリフェニレンオキシド(PPO)、ポリスルフォン(PSF)などのエンジニアリングプラスチックが好適である。
被膜として基材に残す場合は、ポリマーのフィルムの上に本発明の組成物を塗布、乾燥し、積層フィルムの形とすることができる。積層フィルム用の基材としては、VdF系ポリマー(A)と接着性がよい膜厚が1.5〜3μm程度のポリマーフィルムが好ましい。ポリマーとしては、PET、PEN、PC、PA、PI、PAI、PBI、PPS、PPO、ポリスルフォン(PSF)などのエンジニアリングプラスチックが好適である。
単独フィルムは、そのままでもよいが、さらに定法により延伸してもよく、その場合、延伸倍率は2〜6倍程度が望ましい。
そのほか、単独フィルムでも積層フィルムでも、電極用のアルミニウムの蒸着を容易にするためにさらに別種のポリマーで表面処理してもよいしフィルムの表面にプラズマ処理やコロナ放電処理を施してもよい。また、フィルムの表面荒れを抑制するために別種のポリマーを表面コートしてもよいし、強度改善のために紫外線や電子線、放射線による架橋処理を施してもよい。さらに、フィルムをプレス加工、たとえばロールプレスしてもよく、その場合フィルムの表面平滑性が向上する。
かくして得られる本発明の高誘電性フィルムは、膜厚を9μm以下、好ましくは6μm以下、さらには5μm以下にすることができる。膜厚の下限はポリマーの種類や(B)成分の粒子径や配合量などによって異なるが、機械的強度の維持の点から約3μmである。
本発明の高誘電性フィルムでは、特定のチタン系酸化物粒子(B)の充填率が比較的高い(60質量%以上)にもかかわらず、膜厚を薄くすることができるので、静電容量を高くすることができる。たとえば、誘電率2000のチタン酸バリウム粒子を(B)成分としかつ充填率を100質量%とした場合、フィルムの誘電率を30以上にすることができる。この場合、円電極の面積を9.5mm2とすると、膜厚が9μmのとき静電容量は2.8nF以上となり、膜厚が6μmでは静電容量が4.2nF以上となる。
また、本発明のフィルムによれば、カップリング剤または界面活性剤の働きにより特定のチタン系酸化物粒子(B)とVdF系ポリマー(A)とがしっかりと結合しており、ボイド含有量が小さい(たとえば5容量%以下、さらには1容量%以下)緻密な構造が達成され、耐電圧を高くすることができる。
緻密であるにもかかわらず、本発明のフィルムは可撓性(巻付き性)に優れている。たとえば、膜厚を5μmのフィルムとしたとき、180度折曲試験で折り目に亀裂や折れが生じない。したがって、フィルムコンデンサ用に用いる場合、加工性(巻付き性や追随性)が格段に向上する。
また本発明のフィルムは表面平滑性に優れており、たとえば表面中心粗さを±1μm以下、さらには±0.6μm以下にすることができる。表面平滑性に優れることにより、電気特性の均質化が向上する。
本発明の高誘電性フィルムは、たとえばフィルムコンデンサ用のフィルムとして使用する場合、電極などを表面に蒸着法などにより形成することができる。電極などの材料、形成方法、条件などは従来公知のものが採用できる。
本発明の高誘電性フィルムは、フィルムコンデンサ用のフィルムとして特に有用であるが、そのほか、圧電素子用フィルム、焦電体用フィルム、転写体担持用誘電体フィルム、強誘電体素子用フィルムなどとしても有用である。
つぎに本発明を実施例などをあげて具体的に説明するが、本発明はかかる例のみに限定されるものではない。
なお、本明細書で使用している特性値は、つぎの方法で測定したものである。
(粘度)
粘度測定には、東海八神株式会社製のコーンプレート粘度計VISCONE CVシリーズを用いる。測定条件は、室温、回転数94rpmでNo.2コーン(10p)を用い測定を行う。
(分散安定性)
分散溶液を50mlガラス製サンプル瓶に入れ、室温にて静置し、1週間後の分散性を目視にて観察する。均一性を保ったものを○、沈殿が生じたものを×と評価する。
(誘電率)
金属基板上に形成したポリマー・無機微粒子混合フィルム、またはアルミニウムを一方の面に蒸着したアルミニウム蒸着ポリマー・無機微粒子混合フィルムに、基板(またはアルミニウム蒸着面)と反対側のフィルムの表面に真空中で面積95mm2にてアルミニウムを蒸着しサンプルを作製した。このサンプルをインピーダンスアナライザ(ヒューレットパッカード社製のHP4194A)にて、室温(25℃)下で周波数100Hz、1kHz、10kHzおよび100kHzでの静電容量と誘電損失を測定する。
(膜厚)
基板に応じたゼロ点調整および2点の標準膜厚で校正した膜厚測定計(オックスフォード・インストルメンツ社製のCMI223)を用いて、基板に載せたフィルムを室温下にて測定する。
(可撓性)
長さ20mm、幅5mm、厚さ5μmのフィルムを180度に折り曲げたのち、折曲げ部の亀裂、変形を肉眼で観察する。折曲げ部に亀裂、変形がないものを○とする。
(ボイド含有量)
密度PAのポリマー(1−w)重量部と、密度PBの無機粒子w重量部からなるフィルムの理論密度Pは次式で示される。
P=(1−w)PA+wPB
フィルムのボイド率α(%)は、密度勾配管法により求められるフィルムの実密度PCより、次の計算式にて求める。
α(%)={1−(P/PC)×100}
(表面中心粗さ)
表面中心粗さ測定には、(株)ミツトヨ製のSURFTEST SV−600を用い、JIS B0601−1994に準じて算術平均粗さ(Ra)を求める。
(走査型電子顕微鏡(SEM)観察)
装置:(株)日立製作所製のS−4000
実施例1
3Lセパラブルフラスコ中にN−メチルピロリドン(NMP)(東京化成(株)製)900質量部とポリフッ化ビニリデン(PVdF)ポリマー(ダイキン工業(株)製のVP832。誘電率9.8(1kHz、25℃))100質量部を入れ、窒素雰囲気下、80℃、4時間メカニカルスターラーにて攪拌し、10質量%濃度のポリマー溶液を得た。このポリマー溶液は淡黄色の均一溶液であった。
このPVdFのNMP溶液に平均粒子径0.1μmのチタン酸バリウム(堺化学工業(株)製のBT−01)を100質量部加え、さらにチタンカップリング剤として味の素(株)製のプレンアクトKR−55を10質量部加えた。
この混合物にガラスビーズ(ポッターズ・バロテイーニ(株)製のGB503M)を同質量加えて水冷三筒式サンドグラインダー(AIMEX社製のA・VIEX)に入れ、室温下、回転数1000rpmで60分間分散処理を行った。分散処理後の混合物をステンレススチール製のメッシュに通してガラスビーズを取り除いて、本発明の組成物を調製した。
この組成物について、粘度および分散安定性を調べた。結果を表1に示す。
ついで得られた組成物をステンレススチール基板上にバーコータで塗布し、180℃で1分間で熱風乾燥して、厚さ約5.1μmの誘電性フィルムを形成した。
得られたフィルムについて、各周波数での誘電率、可撓性、表面中心粗さおよびボイド含有率を調べた。結果を表1に示す。
実施例2〜10
PVdF、チタン酸バリウムおよびチタンカップリング剤の配合量を表1のとおりに変更したほかは実施例1と同様にして本発明の組成物を調製して粘度および分散安定性を調べ、さらに実施例1と同様にして誘電性フィルムを形成して、各周波数での誘電率、可撓性、表面中心粗さおよびボイド含有率を調べた。結果を表1に示す。
Figure 2007088924
実施例11〜24
チタンカップリング剤に代えて以下の各種界面活性剤をチタン酸バリウムの10質量%配合し、PVdFとチタン酸バリウムの配合量を表2のとおりにしたほかは実施例1と同様にして本発明の組成物を調製して分散安定性を調べ、さらに実施例1と同様にして誘電性フィルムを形成して、各周波数での誘電率および可撓性を調べた。結果を表2に示す。
配合した界面活性剤S1〜S13はつぎのとおりである。
S1:非イオン性界面活性剤(ポリオキシエチレンジスチレン化フェニルエーテル)(花王(株)製のエマルゲンA60)
S2:アニオン性界面活性剤(特殊ポリカルボン酸型高分子界面活性剤)(花王(株)製のホモゲノールL18)
S3:カチオン性界面活性剤(イミダゾリン系界面活性剤)(花王(株)製のホモゲノールL95)
S4:非イオン性界面活性剤(ソルビタンモノオレート)(花王(株)製のレオドールsp10)
S5:非イオン性界面活性剤(アルキルグルコキシド)(花王(株)製のマイドール10)
S6:カチオン性界面活性剤(アミン系高分子型界面活性剤)(BYK社製のDisperByk180)
S7:アニオン性界面活性剤(カルボン酸系高分子型界面活性剤)(BYK社製のDisperByk182)
S8:アニオン性界面活性剤(特殊変性ポリエステル酸のアミン塩)(楠本化成(株)製のED117)
S9:アニオン性界面活性剤(高分子量ポリカルボン酸のアミドアミン塩)(楠本化成(株)製のED211)
S10:アニオン性界面活性剤(高分子量ポリエーテルエステルアミン塩)(楠本化成(株)製のED214)
S11:カチオン性界面活性剤(塩化アルキルトリメチルアンモニウム)(ライオン(株)製のアーカードT50)
S12:カチオン性界面活性剤(塩化アルキルビス(2-ヒドロキシエチル)メチルアンモニウム塩(ライオン(株)製のエソカードC12)
S13:アニオン性界面活性剤(ポリオキシエチレンアルキルアミン)(ライオン(株)製のエノミンC12)
Figure 2007088924
比較例1〜3
チタンカップリング剤を添加せず、PVdFとチタン酸バリウムの配合量を表3のとおりにし、比較例1および2では分散処理をしなかったほかは実施例1と同様にして比較用の組成物を調製して粘度および分散安定性を調べ、さらに実施例1と同様にして誘電性フィルムを形成して、各周波数での誘電率、可撓性、表面中心粗さおよびボイド含有率を調べた。結果を表3に示す。
Figure 2007088924
比較例4
ポリマーとしてPVdFに代えて芳香族ポリアミドイミド(日立化成(株)製のHI680)を用いたほかは実施例1と同じ処方とし、実施例1と同様にして比較用の組成物を調製して分散安定性を調べ、さらに実施例1と同様にして誘電性フィルムを形成して、各周波数での誘電率、可撓性およびボイド含有率を調べた。結果を表4に示す。
なお、得られたフィルムの可撓性が低く脆いため、10μm以下のフィルムは形成できなかった。
比較例5
ポリマーとしてPVdFに代えて芳香族ポリアミドイミド(日立化成(株)製のHI680)を用い、チタン酸バリウムを150質量部用いたほかは実施例12と同じ処方とし、実施例1と同様にして比較用の組成物を調製して分散安定性を調べ、さらに実施例1と同様にして誘電性フィルムを形成して、各周波数での誘電率、可撓性およびボイド含有率を調べた。結果を表4に示す。
なお、得られたフィルムの可撓性が低く脆いため、10μm以下のフィルムは形成できなかった。
Figure 2007088924
また、実施例2、実施例3、実施例18および比較例3でそれぞれ得られたフィルムのSEM写真を図1〜図8に示す。
各例と図面の関係は、実施例2(図1:倍率1000。図2:倍率10000)、実施例3(図3:倍率1000。図4:倍率10000)、実施例18(図5:倍率1000。図6:倍率10000)および比較例3(図7:倍率1000。図8:倍率10000)である。
これらの写真から、本発明のフィルムの表面が緻密かつ均質で平滑なことが分かる。
実施例25(チタン酸バリウム粒子の熱処理と親和性向上剤での予備処理)
チタン酸バリウム粒子(堺化学工業(株)製のBT−01)について、つぎの熱処理および表面処理を施した。
(熱処理)
チタン酸バリウム粒子を250℃にて2時間熱風乾燥処理し、吸着水を除去した。
(表面処理)
この熱処理されたチタン酸バリウム粒子とこのチタン酸バリウム粒子の5質量%のチタンカップリング剤(味の素(株)製のプレンアクトKR−55)をヘキサン中で30分間サンドグラインダーにより強制攪拌したのち、上澄液をデカントし、ついで150℃にて2時間乾燥して、チタンカップリング剤で表面処理されたチタン酸バリウム粒子を得た。
3Lセパラブルフラスコ中にN,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)(キシダ化学(株)製)にポリフッ化ビニリデン(PVdF)ポリマー(ダイキン工業(株)製のVP832。誘電率9.8(1kHz、25℃))を溶解した溶液に、DMAcとメチルイソブチルケトン(MIBK。キシダ化学(株)製)の混合液(24.3/19.5質量比)を加えてPVdF濃度を2.5質量%に調整した。
このPVdFのDMAc溶液40質量部に上記の表面処理されたチタン酸バリウム粒子50質量部とチタンカップリング剤(プレンアクトKR−55)2.5質量部を加えた。
得られた混合物にガラスビーズ(ポッターズ・バロテイーニ(株)製のGB503M)を1.2倍量加えて水冷三筒式サンドグラインダー(AIMEX社製のA・VIEX)に入れ、室温下、回転数1500rpmで60分間攪拌分散処理を行った。分散処理後の混合物をステンレススチール製のメッシュ(真鍋工業(株)製。80メッシュ)に通してガラスビーズを取り除いて、チタン酸バリウム分散液を調製した。
ついで、得られたチタン酸バリウム分散液(70質量部)、濃度20質量%のPVdFのDMAc溶液(100質量部)、DMAc(19質量部)およびMIBK(66質量部)を混合し、さらにガラスビーズを1.2倍量加えて水冷三筒式サンドグラインダーに入れ、1500rpmで2時間強制攪拌して本発明のコーティング組成物を調製した。この組成物は均一な分散状態(評価:○)であった。
ついで得られた組成物をアルミニウム基板上にバーコータで塗布し、180℃で1分間で熱風乾燥して、厚さ約4.7μmの誘電性フィルム(フィルム1)を形成した。
得られたフィルムについて、各周波数での誘電率および誘電正接を調べた。結果を表5に示す。
また、チタン酸バリウム粒子(BT−01)を熱処理せずにチタンカップリング剤で表面処理したものを用いて得られたコーティング組成物およびフィルム(フィルム2)、チタン酸バリウム粒子(BT−01)を熱処理はしたがチタンカップリング剤での表面処理はしなかったものを用いて得られたコーティング組成物およびフィルム(フィルム3)、および熱処理もチタンカップリング剤での表面処理もしなかったチタン酸バリウム粒子を用いて得られたコーティング組成物およびフィルム(フィルム4)について、分散性(コーティング組成物)と各周波数での誘電率および誘電正接(フィルム)を調べた。結果を表5に示す。
Figure 2007088924
実施例26
実施例25のフィルム1の作製において、チタン酸バリウム粒子として平均粒径が30nmのチタン酸バリウム粒子(戸田工業(株)製のBTO−30RP)を用いたほかは同様にして予備的熱処理および表面処理を施し、コーティング組成物を調製した。その分散性を表6に示す。
さらにこの組成物を用いてフィルムを作製し、各周波数での誘電率および誘電正接を調べた。結果を表6に示す。
Figure 2007088924
実施例27
セパラブルフラスコ中にN,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)(キシダ化学(株)製)3200質量部とポリフッ化ビニリデン(PVdF)ポリマー(ARKEMA社製のKYNAR761。誘電率9.6(100kHz、25℃))800質量部入れ、窒素雰囲気下、80℃、3時間メカニカルスターラーにて攪拌し、20質量%濃度のPVdF溶液を得た。このポリマー溶液は透明な均一溶液であった。
このPVdFのDMAc溶液4000質量部に、ポリマー濃度が10質量%になるようにDMAcを1120質量部、メチルイソブチルケトン(MIBK)を2280質量部加えた。
得られたPVdF/DMAc/MIBK溶液2000質量部と平均粒子径0.1μmのチタン酸バリウム(堺化学工業(株)製のBT−01)を350質量部加え、さらにチタンカップリング剤として味の素(株)製のプレンアクトKR−55を17.5質量部加え、ホモジナイザで約10分間攪拌した。
この混合物をダイーノミル(MULTI−LAB型。ウィリー・エ・バッコーフェン社製)を用い、ガラスビーズ(平均粒径0.5〜0.7mm)を充填率80%で添加し、周速8m/secにてパス方式で強制攪拌分散処理し、パス数1〜5でそれぞれ本発明のコーティング組成物を得た。
ダイーノミルのパス方式とは、タンクとビーズミルの間でスラリーを循環させる方式であり、ビーズミル部を1回通過したときを1パスとする。
それぞれ得られたコーティング組成物について、分散安定性を調べた。結果を表7に示す。
ついで得られたコーティング組成物をアルミニウム基板上にバーコータで塗布し、180℃で1分間で熱風乾燥して、誘電性フィルムを形成した。
得られたフィルムについて、膜厚、各周波数での誘電率および誘電正接を調べた。結果を表7に示す。
Figure 2007088924
実施例28
チタン酸バリウム粒子(堺化学工業(株)製のBT−01)について、つぎの熱処理および表面処理を施した。
(熱処理)
チタン酸バリウム粒子を250℃にて2時間熱風乾燥処理し、吸着水を除去した。
(表面処理)
この熱処理されたチタン酸バリウム粒子500質量部とメタクリル酸グリシジル(GMA)25質量部をヘキサン500質量部中でメカニカルスターラーにより1時間攪拌し、150℃にて乾燥してヘキサンを蒸発させ、GMAで表面処理されたチタン酸バリウム粒子を得た。
3LセパラブルフラスコにN,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)(キシダ化学(株)製)800質量部とポリフッ化ビニリデン(PVdF)ポリマー(ARKEMA社製のKYNAR761)200質量部を入れ、窒素雰囲気下、80℃にて4時間メカニカルスターラーで攪拌し、濃度20質量%のPVdFのDMAc溶液を調製した。
GMAで表面処理されたチタン酸バリウム粒子を500質量部、DMAcを242.5質量部、メチルイソブチルケトン(MIBK)を195質量部および上記で調製した濃度20質量%のPVdFのDMAc溶液を62.5質量部混合し、さらにGMAを25質量部加えた後、ローターで1時間攪拌混合した。
得られた混合物にガラスビーズ(ポッターズ・バロテイーニ(株)製のGB503M)を1.2倍量加えて水冷三筒式サンドグラインダー(AIMEX社製のA・VIEX)に入れ、室温下、回転数1500rpmで60分間攪拌分散処理を行った。分散処理後の混合物をステンレススチール製のメッシュ(真鍋工業(株)製。80メッシュ)に通してガラスビーズを取り除いて、チタン酸バリウム分散液を調製した。
ついで、得られたチタン酸バリウム分散液(300.04質量部)、濃度20質量%のPVdFのDMAc溶液(400質量部)、DMAc(46.2質量部)およびMIBK(244.1質量部)を混合し、ローター(AS−ONE社製のBIG−ROTORS BR−2)にて1時間強制攪拌し、本発明のコーティング組成物を調製した。
ついで得られた組成物をステンレススチール基板上にバーコータで塗布し、180℃で2分間で熱風乾燥して、厚さ約5μmの誘電性フィルム(フィルム5)を形成した。
得られたフィルムについて、10kHzでの誘電率および誘電正接を調べた。結果を表8に示す。
また、チタン酸バリウム粒子(BT−01)として熱処理せずにGMAで表面処理したものを用い、組成物の調製工程ではGMAを添加せずに得られたコーティング組成物およびフィルム(フィルム6)、およびチタン酸バリウム粒子(BT−01)として熱処理しかつGMAで表面処理したものを用い、組成物の調製工程ではGMAを添加せずに得られたコーティング組成物およびフィルム(フィルム7)について10kHzでの誘電率および誘電正接を調べた。結果を表8に示す。
Figure 2007088924
実施例29
表9に示す溶剤(D)のPVdFの溶解性をつぎの要領で調べた。結果を表9に示す。
(溶解性)
PVdF1gをそれぞれの溶剤5gに加え、25℃にて10分間メカニカルスターラーにより攪拌した後、1時間静置し、目視により液の状態を観察する。
評価は、つぎの基準で行う。
○:無色透明でかつゲル化していない。
×:白濁またはゲル化が生じている。
つぎに、得られたPVdF溶液の塗工性をつぎの要領で調べた。結果を表9に示す。
(塗工性)
ポリエステルフィルムにPVdF溶液をバーコータにより塗布し、180℃にて1分間熱風乾燥してフィルムを作製する。得られたフィルムについて、目視により、ピンホールの有無を観察する。ピンホールが見られるものを×、見られないものを○とする。
この実施例で用いた溶剤はつぎのものである。なお、単独溶剤の誘電率および表面張力は溶剤ハンドブック(浅原ら、講談社(1976))に記載された値である。混合溶剤の場合は、各溶剤の質量比での相加平均値より算出した値である。
NMP:N−メチルピロリドン(キシダ化学(株)製)。誘電率(25℃):32、表面張力(25℃):41dyn/cm
DMF:N,N−ジメチルホルムアミド(キシダ化学(株)製)。誘電率(25℃):36.71、表面張力(25℃):35.2dyn/cm
DMAc:N,N−ジメチルアセトアミド(キシダ化学(株)製)。誘電率(25℃):37.78、表面張力(30℃):32.43dyn/cm
MIBK:メチルイソブチルケトン(キシダ化学(株)製)。誘電率(20℃):13.11、表面張力(25℃):25.4dyn/cm
MAK:2−ヘプタノン(キシダ化学(株)製)。誘電率(22℃):9.77、表面張力(25℃):34.5dyn/cm
DEC:ジエチレンカーボネート(東京化成工業(株)製)。誘電率(20℃):2.820、表面張力(30℃):25.47dyn/cm
Figure 2007088924
実施例30
5LセパラブルフラスコにN,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)(キシダ化学(株)製)800質量部とポリフッ化ビニリデン(PVdF)ポリマー(ARKEMA社製のKYNAR761)200質量部を入れ、窒素雰囲気下、80℃にて3時間メカニカルスターラーで攪拌し、濃度20質量%のPVdFのDMAc溶液を調製した。この溶液は透明な均一溶液であった。
この濃度20質量%のPVdFのDMAc溶液62.5質量部にDMAcを242.5質量部、MIBKを195質量部加えてPVdF濃度を2.5質量%に調整した。ついでチタン酸バリウム(堺化学工業(株)製のBT−01)を500質量部加え、さらにチタンカップリング剤(味の素(株)製のプレンアクトKR−55)を25質量部加えた。
得られた混合物にガラスビーズ(ポッターズ・バロテイーニ(株)製のGB503M)を1.2倍量加えて水冷三筒式サンドグラインダー(AIMEX社製のA・VIEX)に入れ、室温下、回転数1500rpmで60分間攪拌分散処理を行った。分散処理後の混合物をステンレススチール製のメッシュ(真鍋工業(株)製。80メッシュ)に通してガラスビーズを取り除いて、チタン酸バリウム分散液を調製した。
ついで、得られたチタン酸バリウム分散液(1500質量部)、濃度2.5質量%のPVdFのDMAc溶液(2000質量部)、DMAc(231質量部)およびMIBK(1220質量部)を混合し、メカニカルスターラーにより2時間強制攪拌し、ステンレススチール製のメッシュ(真鍋工業(株)製。200メッシュ)で濾過して本発明のコーティング組成物を調製した。この組成物は均一な分散状態であった。
得られたコーティング組成物をマイクログラビアコーター((株)康井精機製のOS−300)を用い、45メッシュマイクログラビアロールの回転数1.2rpm、塗工速度を周速5m/minでポリエステルフィルム(厚さ38μm)に塗工し、150℃の乾燥炉を6m、ついで180℃の乾燥炉を6m通すことにより、幅200mmで膜厚5.2μmの塗工層(誘電性フィルム層)が積層された長さ100mの積層フィルムを2本作製した。
この積層フィルムから塗工層を剥離し、周速1.5m/minで巻き取り、幅200mmで膜厚5.2μmの誘電性フィルムを製造した。
実施例31
ポリマー成分として、ポリフッ化ビニリデン(PVdF)(ARKEMA社製のKYNAR761)400質量部とポリフッ化ビニリデン/ヘキサフルオロプロピレン共重合体(ARKEMA製のKYNAR2801)400質量部を使用した以外は実施例27と同様にして分散液の調製を行い、誘電性フィルムを作製した。
得られたフィルムについて、膜厚、各周波数での誘電率および誘電正接を調べた。その結果、膜厚は5.2μmであり、誘電率は100Hz、1kHz、10kHzおよび100kHzでそれぞれ65、58、51および48であり、誘電正接(%)は100Hz、1kHz、10kHzおよび100kHzでそれぞれ12、8、4および4であった。
実施例32
実施例27で作製したフィルムを、温度60℃および120℃で、荷重1トンおよび4トンで、速度1m/minにて2本ロールカレンダーに通してプレス処理した。プレス処理したフィルムの表面平滑性を評価するために以下の測定方法で反射率を測定した。
[反射率の測定方法]
薄膜フィルムの反射率の測定は、株式会社日立ハイテクノロジーズ社製の日立分光光度計(U−4100)および5°正反射付属装置を用いて、応用計測モードで測定する。
スキャン速度が300nm/分で、測定波長が1,000〜300nmにて測定した際の可視光反射率(%R)を反射率とする。
その結果、未処理のフィルムの反射率は0.31%であったが、60℃で1トンのプレス処理の場合0.41%、60℃で4トンのプレス処理の場合0.56%、120℃で1トンのプレス処理の場合1.05%、および120℃で4トンのプレス処理の場合1.91%と表面平滑性が向上していた。
実施例33
実施例31で作製したフィルムを、温度120℃で、荷重1トンおよび4トンで、速度1m/minにて2本ロールカレンダーに通してプレス処理した。プレス処理したフィルムの表面平滑性を評価するために実施例34の測定方法で反射率を測定した。
その結果、未処理のフィルムの反射率は0.31%であったが、120℃で1トンのプレス処理の場合4.32%、および120℃で4トンのプレス処理の場合4.38%と表面平滑性が大きく向上していた。
実施例34
メチルエチルケトン(MEK)溶液50質量部に平均粒子径0.1μmのチタン酸バリウム(堺化学工業(株)製BT01)を50質量部、チタンカップリング剤としてブレンアウトKR55(味の素(株)製)を2.5質量部加えた。
この混合物とガラスビーズ(ポッターズ・バロティーニ(株)製のGB503M)を同質量加えて三筒式サンドグラインダー(AIMEX社製A・VIEX)に入れ、室温下、回転数1000rpmで60分間分散処理を行った。分散処理後の混合物をステンレススチールメッシュに通してガラスビーズを取り除いた。
この分散溶液を、VdF/TFE(84/16モル%比)共重合体の20質量%MEK溶液に、チタン酸バリウムがVdF/TFE共重合体に対して100質量%になるように加えたのちにバーコーターでアルミニウム基板上に塗布し、熱風乾燥機で120℃で2分間乾燥させて膜厚が5.5μmの本発明の高誘電体フィルムを得、諸物性を測定した。
その結果、誘電率は31、誘電正接(%)は3.2であった。
本発明の高誘電性フィルムは、誘電率が高く、かつ薄膜化が可能であり、巻付き性(可撓性)にも優れており、しかも簡便な方法で容易に製造することができる。

Claims (18)

  1. (A)フッ化ビニリデン系ポリマー、
    (B)チタン酸バリウム系酸化物粒子および/またはチタン酸ジルコン酸鉛系酸化物粒子、および
    (C)カップリング剤、界面活性剤またはエポキシ基含有化合物の少なくとも1種からなる親和性向上剤
    を含んでなり、フッ化ビニリデン系ポリマー(A)100質量部に対して、チタン酸バリウム系酸化物粒子および/またはチタン酸ジルコン酸鉛系酸化物粒子(B)を10〜500質量部、ならびに親和性向上剤(C)を0.01〜30質量部含む高誘電性フィルム。
  2. 親和性向上剤(C)がカップリング剤および/または界面活性剤である請求の範囲第1項記載の高誘電性フィルム。
  3. カップリング剤がチタン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、ジルコニウム系カップリング剤またはジルコアルミネート系カップリング剤である請求の範囲第2項記載の高誘電性フィルム。
  4. カップリング剤がチタン系カップリング剤またはシラン系カップリング剤である請求の範囲第3項記載の高誘電性フィルム。
  5. カップリング剤を含んでなる請求の範囲第1項〜第4項のいずれかに記載の高誘電性フィルム。
  6. 親和性向上剤がエポキシ基含有化合物である請求の範囲第1項記載の高誘電性フィルム。
  7. エポキシ基含有化合物が、式(C3):
    Figure 2007088924
    (式中、Rは水素原子、または酸素原子、窒素原子もしくは炭素−炭素二重結合を含んでいてもよい炭素数1〜10の1価の炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香環;lは0または1;mは0または1;nは0〜10の整数)で示される化合物である請求の範囲第6項記載の高誘電性フィルム。
  8. チタン酸バリウム系酸化物粒子を含んでなる請求の範囲第1項〜第7項のいずれかに記載の高誘電性フィルム。
  9. フィルムコンデンサ用フィルムである請求の範囲第1項〜第8項のいずれかに記載の高誘電性フィルム。
  10. (A)フッ化ビニリデン系ポリマー、
    (B)チタン酸バリウム系酸化物粒子および/またはチタン酸ジルコン酸鉛系酸化物粒子、
    (C)カップリング剤、界面活性剤またはエポキシ基含有化合物の少なくとも1種からなる親和性向上剤、および
    (D)溶剤
    を含んでなり、フッ化ビニリデン系ポリマー(A)100質量部に対して、チタン酸バリウム系酸化物粒子および/またはチタン酸ジルコン酸鉛系酸化物粒子(B)を10〜500質量部、ならびに親和性向上剤(C)を0.01〜30質量部含む高誘電性フィルム形成用コーティング組成物。
  11. 親和性向上剤(C)がカップリング剤および/または界面活性剤である請求の範囲第10項記載のコーティング組成物。
  12. カップリング剤がチタン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、ジルコニウム系カップリング剤またはジルコアルミネート系カップリング剤である請求の範囲第11項記載のコーティング組成物。
  13. カップリング剤がチタン系カップリング剤またはシラン系カップリング剤である請求の範囲第12項記載のコーティング組成物。
  14. 親和性向上剤がエポキシ基含有化合物である請求の範囲第10項記載のコーティング組成物。
  15. エポキシ基含有化合物が、式(C3):
    Figure 2007088924
    (式中、Rは水素原子、または酸素原子、窒素原子もしくは炭素−炭素二重結合を含んでいてもよい炭素数1〜10の1価の炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香環;lは0または1;mは0または1;nは0〜10の整数)で示される化合物である請求の範囲第14項記載のコーティング組成物。
  16. チタン酸バリウム系酸化物粒子を含んでなる請求の範囲第10項〜第15項のいずれかに記載のコーティング組成物。
  17. フィルムコンデンサ用の高誘電性フィルムの形成に用いる請求の範囲第10項〜第16項のいずれかに記載のコーティング組成物。
  18. 請求の範囲第10項〜第17項のいずれかに記載のコーティング組成物を基材に塗布し、乾燥することを特徴とする請求の範囲第1項〜第9項のいずれかに記載の高誘電性フィルムの製造法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015183187A (ja) * 2014-03-24 2015-10-22 達興材料股▲ふん▼有限公司 耐熱膜形成用樹脂組成物、並びに、それにより形成された耐熱膜及び該耐熱膜を有する電池

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1784876B1 (en) 2004-09-02 2018-01-24 LG Chem, Ltd. Organic/inorganic composite porous film and electrochemical device prepared thereby
US11183336B2 (en) 2005-04-07 2021-11-23 Amrad Manufacturing, Llc Capacitor with multiple elements for multiple replacement applications
US7423861B2 (en) 2005-04-07 2008-09-09 American Radionic Company, Inc. Capacitor with multiple elements for multiple replacement applications
US11183338B2 (en) 2005-04-07 2021-11-23 Amrad Manufacturing, Llc Capacitor with multiple elements for multiple replacement applications
US9412521B2 (en) 2005-04-07 2016-08-09 American Radionic Company, Inc. Capacitor with multiple elements for multiple replacement applications
US11183337B1 (en) 2005-04-07 2021-11-23 Amrad Manufacturing, Llc Capacitor with multiple elements for multiple replacement applications
US7203053B2 (en) 2005-04-07 2007-04-10 American Radionic Company, Inc. Capacitor for multiple replacement applications
EP1958277B1 (en) * 2005-12-06 2014-04-23 Lg Chem, Ltd. Electrode with enhanced safety and electrochemical device having the same
USD818959S1 (en) 2005-12-23 2018-05-29 American Radionic Company, Inc. Capacitor
JP5261896B2 (ja) * 2006-07-27 2013-08-14 ダイキン工業株式会社 コーティング組成物
WO2008083270A1 (en) 2006-12-29 2008-07-10 American Radionic Company, Inc. Electrolytic capacitor
KR100966024B1 (ko) * 2007-04-24 2010-06-24 주식회사 엘지화학 이종의 세퍼레이터를 구비한 전기화학소자
JP2009206313A (ja) * 2008-02-28 2009-09-10 Kansai Electric Power Co Inc:The 乾式金属蒸着フィルムコンデンサ
WO2009116356A1 (ja) * 2008-03-17 2009-09-24 コニカミノルタエムジー株式会社 有機圧電材料、有機圧電膜、超音波振動子、超音波探触子、及び超音波医用画像診断装置
JP5472091B2 (ja) * 2008-03-19 2014-04-16 ダイキン工業株式会社 高誘電性フィルム形成用のコーティング組成物および高誘電性フィルム
JP5246256B2 (ja) * 2008-03-19 2013-07-24 ダイキン工業株式会社 高誘電性フィルム形成用のコーティング組成物および高誘電性フィルム
EP2378529B1 (en) * 2008-12-22 2021-05-19 Daikin Industries, Ltd. Composition for forming high-dielectric film for film capacitor
CN102265361B (zh) * 2008-12-22 2013-06-05 大金工业株式会社 膜电容器用膜和膜电容器
US8456795B2 (en) 2009-11-13 2013-06-04 American Radionic Company, Inc. Hard start kit for multiple replacement applications
US20120293909A1 (en) * 2010-01-20 2012-11-22 Daikin Industries, Ltd. High dielectric film
US8929054B2 (en) * 2010-07-21 2015-01-06 Cleanvolt Energy, Inc. Use of organic and organometallic high dielectric constant material for improved energy storage devices and associated methods
JP5003838B2 (ja) 2010-09-22 2012-08-15 ダイキン工業株式会社 フィルムコンデンサ用フィルムおよびフィルムコンデンサ
CN102558718B (zh) * 2010-12-07 2014-04-23 北京有色金属研究总院 一种钛酸钡/聚偏氟乙烯复合介电薄膜及其制备方法
JP2012181513A (ja) * 2011-02-10 2012-09-20 Daikin Ind Ltd エレクトロウエッティング用疎水性誘電体フィルム
US20130207231A1 (en) * 2012-01-20 2013-08-15 The City University Of New York Dielectric film with nanoparticles
JP5795976B2 (ja) * 2012-03-13 2015-10-14 ムネカタ株式会社 被コーティング物の表面に高圧電率の圧電性樹脂膜を形成する方法
CN103102587A (zh) * 2012-11-13 2013-05-15 铜陵亿亨达电子有限责任公司 一种以均聚聚丙烯为基体的电容器薄膜及其制备方法
CN103102573A (zh) * 2012-11-13 2013-05-15 铜陵亿亨达电子有限责任公司 一种含有改性天青石粉的电容器薄膜及其制备方法
US10102978B2 (en) 2013-03-15 2018-10-16 Cleanvolt Energy, Inc. Electrodes and currents through the use of organic and organometallic high dielectric constant materials in energy storage devices and associated methods
US9318261B2 (en) 2013-05-21 2016-04-19 American Radionic Company, Inc. Power factor correction capacitors
WO2015064324A1 (ja) * 2013-10-29 2015-05-07 ダイキン工業株式会社 フィルム
FR3013510B1 (fr) * 2013-11-15 2017-05-05 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un dispositif pyroelectrique et/ou piezoelectrique
JP6441657B2 (ja) * 2014-12-11 2018-12-19 京セラ株式会社 誘電体フィルムと、これを用いたフィルムコンデンサおよび連結型コンデンサ、ならびにインバータ、電動車輌
WO2017150373A1 (ja) * 2016-02-29 2017-09-08 凸版印刷株式会社 フッ素系樹脂フィルム、積層体、及び、フッ素系樹脂フィルムの製造方法
WO2017191528A1 (en) * 2016-05-06 2017-11-09 Sabic Global Technologies, B.V. Barium titanate particles incorporated in polyetherimide based composite films with enhanced remnant polarization and methods of making same
US9859060B1 (en) 2017-02-07 2018-01-02 American Radionic Company, Inc. Capacitor with multiple elements for multiple replacement applications
US11195663B2 (en) 2017-05-12 2021-12-07 Amrad Manufacturing, Llc Capacitor with multiple elements for multiple replacement applications
CN107611250A (zh) * 2017-08-10 2018-01-19 常州大学 一种基于有机‑无机复合材料的柔性纳米发电机的制备方法
JP6903538B2 (ja) * 2017-09-28 2021-07-14 株式会社豊田中央研究所 誘電体複合材料
US11424077B1 (en) 2017-12-13 2022-08-23 Amrad Manufacturing, Llc Hard start kit for multiple replacement applications
US10497518B1 (en) 2017-12-13 2019-12-03 American Radionic Company, Inc. Hard start kit for multiple replacement applications
US10147550B1 (en) 2018-04-27 2018-12-04 American Radionic Company, Inc. Capacitor with multiple elements for multiple replacement applications
US10586655B1 (en) 2018-12-28 2020-03-10 American Radionic Company, Inc. Capacitor with multiple elements for multiple replacement applications
CN110164694B (zh) * 2019-05-22 2020-09-29 东北大学 一种具有超高介电常数有机/无机铁电复合材料、其制备方法及应用
USD906247S1 (en) 2019-07-11 2020-12-29 American Radionic Company, Inc. Capacitor
CN114174397A (zh) 2019-08-08 2022-03-11 捷恩智株式会社 钛酸钡纤维及包含其的树脂组合物和高分子复合压电体,以及钛酸钡纤维的制造方法
CN111925613B (zh) * 2020-07-24 2021-09-10 武汉理工大学 改性无机/有机压电薄膜、其制备方法及其应用
MX2022005175A (es) 2021-04-30 2022-11-01 Amrad Mfg Llc Kit de arranque externo para múltiples aplicaciones de reemplazo.
CN113388137B (zh) * 2021-05-21 2022-04-15 电子科技大学 一种高强度耐高温聚芳醚腈薄膜的制备方法
JP7456422B2 (ja) * 2021-06-04 2024-03-27 株式会社豊田中央研究所 誘電体フィルム及びその製造方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2107084C3 (de) * 1971-02-15 1979-04-12 Deutsche Gold- Und Silber-Scheideanstalt Vormals Roessler, 6000 Frankfurt Verfahren zur Herstellung von Glycidylestern
US3783480A (en) * 1972-03-09 1974-01-08 Mallory & Co Inc P R Method of making a capacitor
US4518737A (en) * 1978-12-26 1985-05-21 Rogers Corporation Dielectric material and method of making the dielectric material
JPS57190036A (en) * 1981-05-18 1982-11-22 Kureha Chem Ind Co Ltd Vinylidene fluoride resin composition
US4487878A (en) * 1983-06-30 1984-12-11 E. I. Du Pont De Nemours And Company Coating composition of a solution fluorocarbon polymer, a dispersed fluorocarbon polymer and a polyamine curing agent
JPS63127515A (ja) * 1986-11-17 1988-05-31 富士電機株式会社 複合誘電体
JPS63244605A (ja) * 1987-03-31 1988-10-12 株式会社東芝 高耐電圧コンデンサ
JPH01114014A (ja) * 1987-10-28 1989-05-02 Toshiba Corp 高耐電圧コンデンサ
JP3030068B2 (ja) * 1990-08-30 2000-04-10 株式会社村田製作所 マイクロ波帯における疑似人体用複合誘電体
US5506049C1 (en) * 1991-05-24 2001-05-29 World Properties Inc Particulate filled composite film and method of making same
DE19631015A1 (de) * 1995-08-11 1997-02-13 Illinois Tool Works UV-gehärtete wärmeaktivierte Labels für Substrate und Verfahren zu deren Herstellung
US6274224B1 (en) * 1999-02-01 2001-08-14 3M Innovative Properties Company Passive electrical article, circuit articles thereof, and circuit articles comprising a passive electrical article
JP2002293610A (ja) * 2001-03-30 2002-10-09 Jsr Corp 誘電体用複合粒子、誘電体形成用組成物および電子部品
JP4356293B2 (ja) * 2002-08-07 2009-11-04 東レ株式会社 高誘電体組成物
JP2004307607A (ja) * 2003-04-04 2004-11-04 Toray Ind Inc 高誘電体組成物
JP4474851B2 (ja) * 2003-06-27 2010-06-09 旭硝子株式会社 誘電体−樹脂コンポジットおよびその製造方法
JP4047243B2 (ja) * 2003-08-07 2008-02-13 株式会社日立製作所 有機・無機酸化物混合体薄膜、それを用いた受動素子内蔵電子基板及び有機・無機酸化物混合体薄膜の製造方法
JP2005302435A (ja) * 2004-04-08 2005-10-27 Tdk Corp 複合誘電体材料
JP2008544936A (ja) * 2005-05-12 2008-12-11 ジョージア テック リサーチ コーポレイション コーティングされた金属酸化物ナノ粒子およびその製造方法
WO2009017109A1 (ja) * 2007-07-31 2009-02-05 Daikin Industries, Ltd. 高誘電性フィルム

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015183187A (ja) * 2014-03-24 2015-10-22 達興材料股▲ふん▼有限公司 耐熱膜形成用樹脂組成物、並びに、それにより形成された耐熱膜及び該耐熱膜を有する電池

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