JPWO2007086443A1 - 放熱材及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents

放熱材及びそれを用いた半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2007086443A1
JPWO2007086443A1 JP2007555986A JP2007555986A JPWO2007086443A1 JP WO2007086443 A1 JPWO2007086443 A1 JP WO2007086443A1 JP 2007555986 A JP2007555986 A JP 2007555986A JP 2007555986 A JP2007555986 A JP 2007555986A JP WO2007086443 A1 JPWO2007086443 A1 JP WO2007086443A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat
group
weight
parts
addition reaction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007555986A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4993611B2 (ja
Inventor
進悟 田部井
進悟 田部井
千里 星野
千里 星野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Momentive Performance Materials Japan LLC
Original Assignee
Momentive Performance Materials Japan LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Momentive Performance Materials Japan LLC filed Critical Momentive Performance Materials Japan LLC
Priority to JP2007555986A priority Critical patent/JP4993611B2/ja
Publication of JPWO2007086443A1 publication Critical patent/JPWO2007086443A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4993611B2 publication Critical patent/JP4993611B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3737Organic materials with or without a thermoconductive filler
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04Polysiloxanes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H01L23/4334Auxiliary members in encapsulations
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/12Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/20Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73253Bump and layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01012Magnesium [Mg]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16152Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)

Abstract

この放熱材は、発熱性電子部品と放熱体との間に介在される放熱材であって、(A)針入度(ASTM D1403)が100以上である付加反応硬化型シリコーンゲル100重量部及び(B)熱伝導性充填剤500〜2000重量部を含有する。また、半導体装置は、発熱性電子部品と放熱体とを有し、前記発熱性電子部品と前記放熱体との間に放熱材を介在させてなる。

Description

本発明は、熱伝導性に優れ、オイルブリードの発生し難い放熱材及びそれを発熱性電子部品と放熱体との間に介在させてなる半導体装置に関する。
従来、発熱性電子部品の多くには、使用時の温度上昇による損傷や性能低下等を防止するため、ヒートシンク等の放熱体が広く用いられている。発熱性電子部品から発生する熱を放熱体に効率よく伝導させるため、発熱性電子部品と放熱体との間には熱伝導性材料が使用される。
熱伝導性材料としては、放熱シートや放熱グリースが知られている。一般に、放熱グリースはその性状が液体に近く、放熱シートと比べて、発熱性電子部品や放熱体表面の凹凸に影響されることなく両者に密着して界面熱抵抗を小さくすることができる。しかし、放熱グリースは、長時間使用するとグリース中からオイル成分がブリードアウトし易い。
そこで、例えば特許文献1には、特定のポリオルガノシロキサンを使用したベースオイルに熱伝導性充填剤を配合した放熱用のシリコーングリースが提案されている。また、特許文献2には、ケイ素原子に結合したビニル基を有するポリオルガノシロキサン、ケイ素原子に結合した水素原子を有するポリオルガノハイドロジェンシロキサン、熱伝導性充填剤を含有し、白金系触媒の存在下で架橋反応によりゲル化させた放熱材が提案されている。
しかしながら、このような従来の放熱材では、熱伝導性充填剤を高充填すると熱伝導性能が改善されることが一般に知られているが、製造過程において作業性の低下を招く傾向にあり、その配合量の上限は制限されていた。このため、近年の発熱性電子部品の高集積化、高速化にともなう発熱量のさらなる増大により、従来の放熱材では十分な熱伝導性効果を得られない。また、オイルブリードの低減が十分ではなく、かしめ等の外部圧力によりゲル状硬化物からフリーなオイル成分がブリードし電子部品が汚染されやすい。この汚染によって、電子部品の本来の性能が発揮されない、あるいは作動し難い傾向があった。
特開2003−301189公報 特開2002−294269公報
本発明の目的は、このような課題に対処するためになされたもので、熱伝導性に優れ、オイルブリードの発生し難い放熱材及びそれを用いた半導体装置を提供することにある。
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討した結果、マトリックス中に熱伝導性充填材を分散させて得られる放熱材において、マトリックスとして、架橋密度を調整し硬化後の柔軟性をコントロールした付加反応硬化型シリコーンゲルを使用することによって、優れた熱伝導性を発揮するとともに、オイルブリードの発生し難い放熱材及びそれを用いた半導体装置が得られることを見出し、本発明をなすに至った。
すなわち、本発明の一態様に係る放熱材は、発熱性電子部品と放熱体との間に介在される放熱材であって、
(A)針入度(ASTM D1403、1/4コーン)が100以上である付加反応硬化型シリコーンゲル 100重量部
及び
(B)熱伝導性充填剤 500〜2000重量部
を含有することを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る半導体装置は、発熱性電子部品と放熱体とを有し、前記発熱性電子部品と前記放熱体との間に前記一態様に係る放熱材を介在させてなることを特徴とする。
なお、本発明において、シリコーンゲルとは、部分的に三次元網目構造を有する低架橋密度の硬化物を意味する。JIS A硬度のゴム硬度値が0、すなわち、有効なゴム硬度を有さないほど低硬度である点においてゴム状弾性体とは明確に区別されるものであり、ASTM D 1403(1/4コーン)による針入度が100以上のものである。
上記構成により、熱伝導性に優れ、オイルブリードの発生し難い放熱材及びそれを用いた半導体装置を提供することが可能となる。
本発明の実施形態に係る半導体装置の一例を示す断面図。
次に、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
本発明の実施形態の放熱材は、(A)針入度(ASTM D1403、1/4コーン)が100以上である付加反応硬化型シリコーンゲルと、(B)熱伝導性充填剤を含有する。
(A)成分の付加反応硬化型シリコーンゲルは、放熱材のマトリックスとして使用され、オイルブリードの発生し難い放熱材を与える本発明の特徴を付与する成分である。(A)成分は、(A1)1分子中にケイ素原子に結合したアルケニル基を平均0.1〜2個有するポリオルガノシロキサン、(A2)1分子中にケイ素原子に結合した水素原子を2個以上有するポリオルガノハイドロジェンシロキサン及び(A3)白金系触媒を含有する付加反応硬化型シリコーンゲル組成物を硬化してなる。
(A1)成分としては、平均組成式:
SiO[4−(a+b)]/2
で表されるものが用いられる。
式中、Rは、アルケニル基である。アルケニル基としては、炭素原子数が2〜8の範囲にあるものが好ましく、例えばビニル基、アリル基、プロペニル基、1−ブテニル基、1−ヘキセニル基等が挙げられ、好ましくはビニル基である。アルケニル基は、1分子中に平均0.1〜2個、好ましくは平均0.5〜1.8個含有されている。アルケニル基が平均0.1個未満であると、架橋反応に関与しないポリオルガノシロキサン分子が多くなりすぎるためゲル調製が困難になる。一方、平均2個を越えると、生成する(A)付加反応硬化型シリコーンゲル(ゲル状硬化物)が硬くなりすぎて所望の針入度(ASTM D 1403、1/4コーンによる針入度が100以上)が得られ難い。また、アルケニル基は、分子鎖末端のケイ素原子に結合していても、分子鎖途中のケイ素原子に結合していても、両者に結合していてもよいが、付加反応硬化型シリコーンゲル組成物の硬化速度、生成した(A)付加反応硬化型シリコーンゲル(ゲル状硬化物)の物性、特に柔軟性の点から、少なくとも分子鎖末端のケイ素原子、特に分子鎖両末端のケイ素原子に結合していることが好ましい。
は、脂肪族不飽和結合を有さない置換又は非置換の1価炭化水素基である。Rは、炭素原子数が1〜12、好ましくは1〜10であり、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基等のアルキル基;シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基等のシクロアルキル基;フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基;ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基;及びこれらの水素原子の一部又は全部が塩素、フッ素、臭素などのハロゲン原子、シアン基等で置換された基、例えばクロロメチル基、トリフルオロプロピル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、ジブロモフェニル基、テトラクロロフェニル基、フルオロフェニル基、ジフルオロフェニル基等のハロゲン化炭化水素基やα−シアノエチル基、β−シアノプロピル基、γ−シアノプロピル基等のシアノアルキル基等が挙げられる。なかでもアルキル基、アリール基が好ましく、メチル基、フェニル基がより好ましい。
a,bは0<a<3、0<b<3、1<a+b<3を満足する正数である。好ましくは0.0005≦a≦1、1.5≦b<2.4、1.5<a+b<2.5であり、より好ましくは0.001≦a≦0.5、1.8≦b≦2.1、1.8<a+b≦2.2である。
(A1)成分の分子構造は、直鎖状、分岐状、環状あるいは三次元網状(レジン状)のいずれでもよく、これらの混合物であってもよい。
(A1)成分の23℃における粘度は、0.1〜10Pa・sであることが好ましい。粘度が0.1Pa・s未満であると、(A)付加反応硬化型シリコーンゲル(ゲル状硬化物)の良好な物性が得られず脆くなり易い。一方、10Pa・sを超えると、作業性が悪化し易くなる。
(A2)成分のポリオルガノハイドロジェンシロキサンは架橋剤あり、1分子中にケイ素原子に結合した水素原子(SiH基)を2個以上有している。この水素原子は、分子鎖末端のケイ素原子に結合していても、分子鎖途中のケイ素原子に結合していても、両者に結合していてもよい。その分子構造は、直鎖状、分岐鎖状、環状あるいは三次元網目状のいずれでもよく、1種単独又は2種以上を併用してもよい。
(A2)成分としては、平均組成式:
SiO[4−(c+d)]/2
で示されるものが用いられる。
式中、Rは、脂肪族不飽和炭化水素基を除く、置換または非置換の1価炭化水素基である。Rとしては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基等のアルキル基;フェニル基、トリル基等のアリール基;ベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基;およびこれらの基の水素原子の一部または全部がフッ素、塩素、臭素等のハロゲン原子やシアノ基で置換されているもの、例えばクロロメチル基、ブロモエチル基、トリフルオロプロピル基、シアノエチル基等が挙げられる。これらのなかでも、合成のし易さ、コストの点から、炭素原子数が1〜4のアルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
c、dは、0.5≦c≦2、0<d≦2、0.5<c+d≦3を満足する数であり、好ましくは0.6≦c≦1.9、0.01≦d≦1.0、0.6≦c+d≦2.8である。
(A2)成分の23℃における粘度は、0.01〜0.5Pa・sであることが好ましい。
(A2)成分の配合量は、(A1)成分のケイ素原子に結合したアルケニル基1個に対して、ケイ素原子に結合した水素原子の合計個数が0.3〜1.5個、好ましくは0.4〜1.2個となる量である。0.3個未満であると、架橋度合が不十分となり(A)付加反応硬化型シリコーンゲル(ゲル状硬化物)が得られ難い。一方、1.5個を越えると、所望の針入度(ASTM D 1403、1/4コーンによる針入度が100以上)の(A)付加反応硬化型シリコーンゲル(ゲル状硬化物)が得られ難く、さらには物性が経時で変化し易くなる。
(A3)成分の白金系触媒は、本組成物の硬化を促進させる成分である。
(A3)成分としては、ヒドロシリル化反応に用いられる周知の触媒を用いることができる。例えば白金黒、塩化第2白金、塩化白金酸、塩化白金酸と一価アルコールとの反応物、塩化白金酸とオレフィン類やビニルシロキサンとの錯体、白金ビスアセトアセテート等が挙げられる。
(A3)成分の配合量は、硬化に必要な量であればよく、所望の硬化速度などに応じて適宜調整することができる。通常、付加反応硬化型シリコーンゲル組成物の合計量に対し、白金元素に換算して1〜100ppmの範囲とすることが好ましい。
上記(A1)〜(A3)成分を基本成分とし、その他任意成分として硬化反応性と保存安定性を適度に保つため反応抑制剤を添加してもよい。反応抑制剤としては、例えば3,5−ジメチル−1―ヘキシン−3−オール、2−メチル−3−ヘキシン−2−オール、1−エチニル−1−シクロヘキサノール等のアセチレンアルコールや、3−メチル−3−ペンテン−1―イン、3,5−ジメチル−3−ヘキセン−1―イン等、あるいはメチルビニルシロキサン環状化合物、有機チッソ化合物、有機リン化合物等が挙げられる。反応抑制剤の配合量は、生成する(A)付加反応硬化型シリコーンゲル(ゲル状硬化物)の特性を損なわない範囲であればよいが、好ましくは(A1)100重量部に対して0.01〜1重量部である。
(A)成分の付加反応硬化型シリコーンゲルの製造方法としては、例えば上記(A1)〜(A3)成分及びその他任意成分として反応抑制剤をプラネタリーミキサー、ニーダー、品川ミキサー等の混合機で混合して付加反応硬化型シリコーンゲル組成物を得た後、これを60〜150℃で30〜180分加熱硬化する方法等が挙げられる。
このようにして得られた(A)成分の針入度(ASTM D1403、1/4コーン)は、(A)成分に(B)熱伝導性充填材を配合し放熱材として使用した際にオイルブリードの発生を抑制し、発熱性電子部品や放熱体に対する良好な形状追随性を得る上で、100以上、好ましくは120以上、より好ましくは120〜220である。このような(A)成分は、実質的に回転粘度計による粘度測定が不可能な程度の柔軟性を有する。
(B)成分としては、熱伝導率が良好なものであればよく、例えば酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化ケイ素、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸化マグネシウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、グラファイト等の無機粉末、アルミニウム、銅、銀、ニッケル、鉄、ステンレス等の金属粉末が挙げられる。1種単独または2種以上を混合して用いてもよい。
その平均粒径は、0.1〜100μm、好ましくは0.1〜80μmである。平均粒径が0.1μm未満であると、放熱材において所望の稠度(23℃で200〜450)が得られ難い。一方、平均粒径が100μmを超えると、放熱材の安定性が悪化し易くなる。平均粒径は、例えばレーザー光回折法を用いて求めることができる。その形状は、球状、不定形状のいずれでもよい。
(B)成分の配合量は、(A)成分100重量部に対して、500〜2000重量部、好ましくは600〜1500重量部である。配合量が500重量部未満であると、硬化後、1.0W/(m・K)以上の所望の熱伝導率が得られない。一方、2000重量部を越えると、作業性の低下を招く。
上記(A)〜(B)成分を基本成分とし、これらに必要に応じて、その他任意成分として難燃性付与剤、耐熱性向上剤、可塑剤、着色剤、接着性付与材等を本発明の目的を損なわない範囲で添加してもよい。
本発明の実施形態の放熱材の製造方法としては、例えば(A)〜(B)成分及びその他任意成分をプラネタリーミキサー、ニーダー、品川ミキサー等の混合機で混合する方法等が挙げられる。予め付加反応させた(A)付加反応硬化型シリコーンゲルに(B)熱伝導性充填剤を添加、混合することによって(B)成分の沈降による放熱特性のバラツキを防ぐことができる。得られる放熱材の性状は、グリース状で伸展性を有する。これを塗布して使用することにより、発熱性電子部品や放熱体表面の凹凸に影響されることなく両者に密着して界面熱抵抗を小さくすることができる。
本発明の実施形態の放熱材の稠度は、200〜450であることが好ましい。なお、稠度はJIS K 2220に準拠した値である。23℃における稠度が450を超えると、塗布時に液ダレを起こし易くなる。一方、200未満であると、例えばシリンジやディスペンサ等を用いて発熱性電子部品上に塗布する際に、吐出し難くなり所望の厚さにすることが困難になる。
また、本発明の実施形態の放熱材は、熱線法で測定した23℃における熱伝導率が1.0W/(m・K)以上、好ましくは1.5W/(m・K)以上である。熱伝導率が1.0W/(m・K)未満であると、熱伝導性能が不十分になる場合があり用途が限定され易くなる。
したがって、本発明の実施形態の放熱材は、熱伝導性とともに優れた低ブリード性を発揮するため、発熱性電子部品と放熱体との間に介在される熱伝導性材料として好適である。
次に、本発明の実施形態の半導体装置について図面を参照して説明する。図1は、本発明の実施形態に係る半導体装置の一例を示す断面図である。
図1に示すように、半導体装置1は、配線基板2に実装されたCPU3等の発熱性電子部品とヒートシンク4等の放熱体とを有する。CPU3にはヒートスプレッダー5が設けられており、このパッケージ内部、すなわちヒートスプレッダー5とCPU3との間には例えば放熱ゲル6等の周知の熱伝導性材料が使用されている。また、パッケージ外部、すなわちヒートスプレッダー5とヒートシンク4との間には、上述した本発明の実施形態のグリース状の放熱材7が介在されている。放熱材7をパッケージ外部に用いることによって、優れた熱伝導性とともに良好な作業性を得ることができる。
半導体装置1の製造方法としては、以下に示す方法が挙げられる。まず、配線基板2に実装されたCPU3にシリンジ等で放熱ゲル6を塗布しパッケージを組立てて加熱しておく。この後、シリンジ等でグリース状の放熱材7をヒートスプレッダー5に塗布した後、ヒートシンク4と配線基板2とをクランプ8又はねじ等を併用して押圧する。なお、ここでは、放熱材7をパッケージ外部(ヒートスプレッダー5とヒートシンク4との間)に用いたが、これに限定されるものではなく、パッケージ内部(ヒートスプレッダー5とCPU3との間)に用いてもよい。パッケージ内部に使用した場合には、低ブリード性であるためCPU3等への汚染を防止し信頼性の向上を図ることができる。
CPU3とヒートシンク4との間に介在する放熱材7の厚さは、5〜300μmであることが好ましい。放熱材7の厚さが5μmより薄いと、押圧の僅かなズレにより例えばヒートスプレッダー5とヒートシンク4との間に隙間が生じる恐れがある。一方、300μmより厚いと、熱抵抗が大きくなり、放熱効果が悪化し易くなる。
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。実施例及び比較例中、粘度は23℃において測定した値である。また、平均粒径はレーザー光回折法により測定した値である。実施例及び比較例で得られた放熱材は、以下のようにして評価し、結果を表1に示した。表1に示した特性は、23℃において測定した値である。
[稠度]
JIS K 2220に準拠し、測定した。
[熱伝導率]
熱線法に従い、熱伝導率計(京都電子工業社製、QTM−500)を用いて測定した。
[オイルブリード距離]
得られた放熱材を市販のろ紙上に0.1g秤量し、105℃のオーブンに放置した。1日後、10日後、20日後、30日後における放熱材の周辺で確認されたオイルブリードの長さをそれぞれ測定した。
(調整例1)
(A1)粘度が0.7Pa・sであり分子鎖末端のみに位置するビニル基を平均1個有するポリジメチルシロキサン100重量部、(A2)粘度が0.015Pa・sであるトリメチルシリル基封鎖ジメチルシロキサン/メチルハイドロジェンシロキサン共重合体0.4重量部(SiH基含有量8.8mmol/g、(A2)のSiH/(A1)のSiVi=0.7)、(A3)塩化白金酸のビニルシロキサン錯体化合物(白金量1.8%)0.02重量部(白金量として4ppm)、3,5−ジメチル‐1−ヘキシン‐3‐オール0.02重量部、トリアリルイソシアヌレート0.2重量部を万能混錬器に添加し、均一に混合した。さらに150℃で1時間混合して、(A−1)付加反応硬化型シリコーンゲルを得た。得られた(A−1)付加反応硬化型シリコーンゲルは、ASTM D1403に準拠し1/4コーンを用いて測定した針入度が200であった。なお、回転粘度計(芝浦システム社製)では、粘度測定が不可能であった。
(調整例2)
(A1)粘度が0.7Pa・sであり分子鎖末端のみに位置するビニル基を平均1個有するポリジメチルシロキサン100重量部、(A2)粘度が0.015Pa・sであるトリメチルシリル基封鎖ジメチルシロキサン/メチルハイドロジェンシロキサン共重合体0.6重量部(SiH基含有量8.8mmol/g、(A2)のSiH/(A1)のSiV=1.1)、(A3)塩化白金酸のビニルシロキサン錯体化合物(白金量1.8%)0.02重量部(白金量として4ppm)、3,5−ジメチル‐1−ヘキシン‐3‐オール0.02重量部、トリアリルイソシアヌレート0.2重量部を万能混錬器に添加し、均一に混合した。さらに150℃で1時間混合して、(A−2)付加反応硬化型シリコーンゲルを得た。得られた(A−2)付加反応硬化型シリコーンゲルは、ASTM D1403に準拠し1/4コーンを用いて測定した針入度が120であった。なお、回転粘度計(芝浦システム社製)では、粘度測定が不可能であった。
(調整例3)
(A1)粘度が0.7Pa・sであり分子鎖末端のみに位置するビニル基を平均1個有するポリジメチルシロキサン100重量部、(A2)粘度が0.015Pa・sであるトリメチルシリル基封鎖ジメチルシロキサン/メチルハイドロジェンシロキサン共重合体0.7重量部(SiH基含有量8.8mmol/g、(A2)のSiH/(A1)のSiV=1.2)、(A3)塩化白金酸のビニルシロキサン錯体化合物(白金量1.8%)0.02重量部(白金量として4ppm)、3,5−ジメチル‐1−ヘキシン‐3‐オール0.02重量部、トリアリルイソシアヌレート0.2重量部を万能混錬器に添加し、均一に混合した。さらに150℃で1時間混合して、(A−3)付加反応硬化型シリコーンゲルを得た。得られた(A−3)付加反応硬化型シリコーンゲルは、ASTM D1403に準拠し1/4コーンを用いて測定した針入度が100であった。なお、回転粘度計(芝浦システム社製)では、粘度測定が不可能であった。
(調整例4)
(A1)粘度が0.7Pa・sであり分子鎖末端のみに位置するビニル基を平均1個有するポリジメチルシロキサン100重量部、(A2)粘度が0.015Pa・sであるトリメチルシリル基封鎖ジメチルシロキサン/メチルハイドロジェンシロキサン共重合体0.9重量部(SiH基含有量8.8mmol/g、(A2)のSiH/(A1)のSiV=1.5)、(A3)塩化白金酸のビニルシロキサン錯体化合物(白金量1.8%)0.02重量部(白金量として4ppm)、3,5−ジメチル‐1−ヘキシン‐3‐オール0.02重量部、トリアリルイソシアヌレート0.2重量部を万能混錬器に添加し、均一に混合した。さらに150℃で1時間混合して、(A−4)付加反応硬化型シリコーンゲルを得た。得られた(A−4)付加反応硬化型シリコーンゲルは、ASTM D1403に準拠し1/4コーンを用いて測定した針入度が70であった。なお、回転粘度計(芝浦システム社製)では、粘度測定が不可能であった。
(実施例1)
調整例1で得られた(A−1)付加反応硬化型シリコーンゲル100重量部を1Lの万能混錬器に移し、さらに(B−1)平均粒径14μmの酸化アルミニウム粉末262重量部、(B−2)平均粒径3μmの酸化アルミニウム粉末262重量部、(B−3)平均粒径0.5μmの酸化亜鉛粉末131重量部を加え、均一に混合して、放熱材を得た。
この放熱材の特性を測定し、結果を表1に示した。
(実施例2)
調整例2で得られた(A−2)付加反応硬化型シリコーンゲル100重量部を1Lの万能混錬器に移し、さらに(B−1)平均粒径14μmの酸化アルミニウム粉末262重量部、(B−2)平均粒径3μmの酸化アルミニウム粉末262重量部、(B−3)平均粒子径0.5μmの酸化亜鉛粉末131重量部を加え、均一に混合して、放熱材を得た。
この放熱材の特性を測定し、結果を表1に示した。
(実施例3)
調整例3で得られた(A−3)付加反応硬化型シリコーンゲル100重量部を1Lの万能混錬器に移し、さらに(B−1)平均粒径14μmの酸化アルミニウム粉末262重量部、(B−2)平均粒径3μmの酸化アルミニウム粉末262重量部、(B−3)平均粒径0.5μmの酸化亜鉛粉末131重量部を加え、均一に混合して、放熱材を得た。
この放熱材の特性を測定し、結果を表1に示した。
(比較例1)
調整例4で得られた(A−4)付加反応硬化型シリコーンゲル100重量部を1Lの万能混錬器に移し、さらに(B−1)平均粒径14μmの酸化アルミニウム粉末200重量部、(B−2)平均粒径3μmの酸化アルミニウム粉末200重量部、(B−3)平均粒径0.5μmの酸化亜鉛粉末130重量部を加え、均一に混合して、放熱材を得た。
この放熱材の特性を測定し、結果を表1に示した。
(比較例2)
(A−5)粘度が0.7Pa・s(針入度:測定不可能)のC10変性シリコーンオイル100重量部、(B−1)平均粒径14μmの酸化アルミニウム粉末320重量部、(B−2)平均粒径3μmの酸化アルミニウム粉末320重量部、(B−3)平均粒径0.5μmの酸化亜鉛粉末160重量部を1Lの万能混錬器に加え、均一に混合して、放熱材を得た。
この放熱材の特性を測定し、結果を表1に示した。
(比較例3)
(A−5)粘度が0.7Pa・s(針入度:測定不可能)のC10変性シリコーンオイル100重量部、(B−1)平均粒径14μmの酸化アルミニウム粉末700重量部、(B−3)平均粒径0.5μmの酸化亜鉛粉末400重量部を1Lの万能混錬器に加え、均一に混合して、放熱材を得た。
この放熱材の特性を測定し、結果を表1に示した。
Figure 2007086443
表1から明らかなように、(A)成分として針入度が100以上の付加反応硬化型シリコーンゲルを使用した各実施例は、オイルブリードが極めて少ない放熱材を得ることができる。また、熱伝導性充填剤を高充填することが可能であるため、優れた熱伝導率を発揮することができる。
本発明の放熱材は、熱伝導性に優れ、オイルブリードが発生し難いため、発熱性電子部品と放熱体との間に介在される熱伝導性材料として好適である。

Claims (6)

  1. 発熱性電子部品と放熱体との間に介在される放熱材であって、
    (A)針入度(ASTM D1403、1/4コーン)が100以上である付加反応硬化型シリコーンゲル 100重量部
    及び
    (B)熱伝導性充填剤 500〜2000重量部
    を含有することを特徴とする放熱材。
  2. 前記(A)成分は、
    (A1)1分子中にケイ素原子に結合したアルケニル基を平均0.1〜2個有するポリオルガノシロキサン 100重量部、
    (A2)1分子中にケイ素原子に結合した水素原子を2個以上有するポリオルガノハイドロジェンシロキサン (A1)成分のケイ素原子結合アルケニル基1個に対して、ケイ素原子に結合した水素原子が0.3〜1.5個となる量、
    及び
    (A3)白金系触媒 触媒量
    を含有する付加反応硬化型シリコーンゲル組成物を硬化してなることを特徴とする請求項1に記載の放熱材。
  3. 熱線法で測定した23℃における熱伝導率が、1.0W/(m・K)以上であることを特徴とする請求項1に記載の放熱材。
  4. 23℃における稠度が、200〜450であることを特徴とする請求項1に記載の放熱材。
  5. 放熱材が、グリース状であることを特徴とする請求項1に記載の放熱材。
  6. 発熱性電子部品と放熱体とを有し、前記発熱性電子部品と前記放熱体との間に請求項1に記載の放熱材を介在させてなることを特徴とする半導体装置。
JP2007555986A 2006-01-26 2007-01-25 放熱材及びそれを用いた半導体装置 Active JP4993611B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007555986A JP4993611B2 (ja) 2006-01-26 2007-01-25 放熱材及びそれを用いた半導体装置

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006018017 2006-01-26
JP2006018017 2006-01-26
PCT/JP2007/051132 WO2007086443A1 (ja) 2006-01-26 2007-01-25 放熱材及びそれを用いた半導体装置
JP2007555986A JP4993611B2 (ja) 2006-01-26 2007-01-25 放熱材及びそれを用いた半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2007086443A1 true JPWO2007086443A1 (ja) 2009-06-18
JP4993611B2 JP4993611B2 (ja) 2012-08-08

Family

ID=38309231

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007555986A Active JP4993611B2 (ja) 2006-01-26 2007-01-25 放熱材及びそれを用いた半導体装置

Country Status (7)

Country Link
US (2) US8187490B2 (ja)
EP (1) EP1983568B1 (ja)
JP (1) JP4993611B2 (ja)
KR (1) KR101357514B1 (ja)
CN (1) CN101375395B (ja)
TW (1) TWI462968B (ja)
WO (1) WO2007086443A1 (ja)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010153803A (ja) * 2008-11-28 2010-07-08 Toshiba Lighting & Technology Corp 電子部品実装モジュール及び電気機器
CN102341459B (zh) * 2009-03-12 2014-01-01 道康宁公司 热界面材料和它们的制备与使用方法
JP2011054806A (ja) * 2009-09-02 2011-03-17 Renesas Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法
CN101864279A (zh) * 2010-05-17 2010-10-20 盐城市赛瑞特半导体照明有限公司 用于led与散热装置间的饱和式超细填充剂
US8917510B2 (en) 2011-01-14 2014-12-23 International Business Machines Corporation Reversibly adhesive thermal interface material
US8511369B2 (en) 2011-04-18 2013-08-20 International Business Machines Corporation Thermally reversible crosslinked polymer modified particles and methods for making the same
CN102980584B (zh) 2011-09-02 2017-12-19 深圳市大疆创新科技有限公司 一种无人飞行器惯性测量模块
KR20130026062A (ko) * 2011-09-05 2013-03-13 삼성전자주식회사 인쇄회로기판 조립체 및 그 제조방법
EP2821456A4 (en) * 2012-03-02 2015-12-16 Fuji Polymer Ind MASTIC TYPE THERMAL TRANSFER MATERIAL AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
US9085719B2 (en) 2013-03-18 2015-07-21 International Business Machines Corporation Thermally reversible thermal interface materials with improved moisture resistance
US20140284040A1 (en) * 2013-03-22 2014-09-25 International Business Machines Corporation Heat spreading layer with high thermal conductivity
US10510707B2 (en) 2013-11-11 2019-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Thermally conductive molding compound structure for heat dissipation in semiconductor packages
US9960099B2 (en) * 2013-11-11 2018-05-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Thermally conductive molding compound structure for heat dissipation in semiconductor packages
US11229147B2 (en) 2015-02-06 2022-01-18 Laird Technologies, Inc. Thermally-conductive electromagnetic interference (EMI) absorbers with silicon carbide
WO2016161562A1 (en) * 2015-04-07 2016-10-13 SZ DJI Technology Co., Ltd. System and method for providing a simple and reliable inertia measurement unit (imu)
KR102544343B1 (ko) * 2015-05-22 2023-06-19 모멘티브 파포만스 마테리아루즈 쟈판 고도가이샤 열전도성 조성물
EP3150672B1 (en) * 2015-10-02 2018-05-09 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Thermal conductive silicone composition and semiconductor device
US10894883B2 (en) * 2016-06-15 2021-01-19 Momentive Performance Materials Japan Llc Curable polyorganosiloxane composition and use thereof
JP6625749B2 (ja) * 2017-05-31 2019-12-25 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 熱伝導性ポリオルガノシロキサン組成物
JP6866877B2 (ja) * 2018-05-31 2021-04-28 信越化学工業株式会社 低熱抵抗シリコーン組成物
JP6932872B1 (ja) 2020-01-06 2021-09-08 富士高分子工業株式会社 熱伝導性シリコーンゲル組成物
DE102020112809A1 (de) * 2020-05-12 2021-11-18 Lisa Dräxlmaier GmbH Kühlanordnung
CN116568729A (zh) * 2020-12-14 2023-08-08 美国陶氏有机硅公司 用于制备聚(二有机/有机氢)硅氧烷共聚物的方法
EP4301805A1 (en) 2021-03-04 2024-01-10 Momentive Performance Materials Inc. Thermal gel composition

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3844992A (en) * 1973-11-16 1974-10-29 Dow Corning Wood graining tool fast cure organopolysiloxane resins
US4842911A (en) * 1983-09-02 1989-06-27 The Bergquist Company Interfacing for heat sinks
JPS63251466A (ja) * 1987-04-06 1988-10-18 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱伝導性液状シリコ−ンゴム組成物
US4852646A (en) * 1987-06-16 1989-08-01 Raychem Corporation Thermally conductive gel materials
US4801642A (en) * 1987-12-28 1989-01-31 Dow Corning Corporation Thermally stable organosiloxane compositions and method for preparing same
JPH0297559A (ja) * 1988-10-03 1990-04-10 Toshiba Silicone Co Ltd 熱伝導性シリコーン組成物
JPH0619027B2 (ja) * 1989-02-13 1994-03-16 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーンオイルコンパウンド
CA2043464C (en) 1990-08-02 2001-01-30 James J. Silva Reagent containment and delivery tray
US5186849A (en) * 1990-11-30 1993-02-16 Toshiba Silicone Ltd. Silicone grease composition
JP2691823B2 (ja) * 1991-01-24 1997-12-17 信越化学工業株式会社 硬化性シリコーン組成物およびその硬化物
TW218887B (ja) * 1991-01-24 1994-01-11 Shinetsu Chem Ind Co
JP3541390B2 (ja) * 1991-02-22 2004-07-07 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 グリース状シリコーン組成物およびその製造方法
JP2623380B2 (ja) * 1991-06-03 1997-06-25 信越化学工業株式会社 熱伝導性に優れたシリコーン組成物
JPH07268219A (ja) * 1994-03-31 1995-10-17 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd 光学充填用シリコーンゲル組成物
JPH08225743A (ja) * 1995-02-20 1996-09-03 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd シリコーンゲル組成物
IT1288292B1 (it) * 1996-07-30 1998-09-11 Zhermack Spa Composto siliconico reticolabile stabile allo stoccaggio.
US5929138A (en) * 1996-11-05 1999-07-27 Raychem Corporation Highly thermally conductive yet highly comformable alumina filled composition and method of making the same
JP3697645B2 (ja) 1996-12-25 2005-09-21 株式会社ジェルテック 熱伝導ゲル
JPH10287811A (ja) * 1997-02-12 1998-10-27 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd 硬化性シリコーン組成物
JP3576741B2 (ja) * 1997-03-06 2004-10-13 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 シリコーン硬化物の難燃性を向上させる方法
JP3676544B2 (ja) * 1997-08-05 2005-07-27 ジーイー東芝シリコーン株式会社 難燃性放熱性シート用シリコーンゲル組成物および難燃性放熱性シリコーンシート
US6114429A (en) * 1997-08-06 2000-09-05 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Thermally conductive silicone composition
JPH11140322A (ja) 1997-11-13 1999-05-25 Toshiba Silicone Co Ltd 難燃性シリコーンゲル組成物
JP3558527B2 (ja) * 1998-07-06 2004-08-25 信越化学工業株式会社 シリコーンゲルシート、組成物およびその製法
JP3948642B2 (ja) * 1998-08-21 2007-07-25 信越化学工業株式会社 熱伝導性グリース組成物及びそれを使用した半導体装置
JP2000109373A (ja) * 1998-10-02 2000-04-18 Shin Etsu Chem Co Ltd 放熱用シリコーングリース組成物及びそれを使用した半導体装置
JP2000169873A (ja) * 1998-12-02 2000-06-20 Shin Etsu Chem Co Ltd シリコーングリース組成物
JP3543663B2 (ja) * 1999-03-11 2004-07-14 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーンゴム組成物及びその製造方法
US6531771B1 (en) * 1999-04-20 2003-03-11 Tyco Electronics Corporation Dissipation of heat from a circuit board having bare silicon chips mounted thereon
JP4727017B2 (ja) * 1999-11-15 2011-07-20 東レ・ダウコーニング株式会社 熱伝導性シリコーンゴム組成物
KR100786747B1 (ko) * 2001-03-09 2007-12-18 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 그리스상 실리콘 조성물
JP4796704B2 (ja) 2001-03-30 2011-10-19 株式会社タイカ 押出可能な架橋済グリース状放熱材を充填・封入した容器の製法
US20040094293A1 (en) * 2001-04-23 2004-05-20 Kunihiko Mita Heat radiating member
JP3807995B2 (ja) * 2002-03-05 2006-08-09 ポリマテック株式会社 熱伝導性シート
JP4130091B2 (ja) 2002-04-10 2008-08-06 信越化学工業株式会社 放熱用シリコーングリース組成物
JP2004176016A (ja) * 2002-11-29 2004-06-24 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱伝導性シリコーン組成物及びその成形体
JP4646496B2 (ja) * 2003-02-13 2011-03-09 東レ・ダウコーニング株式会社 熱伝導性シリコーン組成物
JP3838994B2 (ja) 2003-06-04 2006-10-25 電気化学工業株式会社 放熱部材
JP3925805B2 (ja) * 2003-08-25 2007-06-06 信越化学工業株式会社 放熱部材
JP2005206761A (ja) 2004-01-26 2005-08-04 Ge Toshiba Silicones Co Ltd 耐熱性シリコーン組成物
JP2006328164A (ja) * 2005-05-25 2006-12-07 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱伝導性シリコーン組成物

Also Published As

Publication number Publication date
US8221645B2 (en) 2012-07-17
JP4993611B2 (ja) 2012-08-08
TW200738826A (en) 2007-10-16
WO2007086443A1 (ja) 2007-08-02
EP1983568B1 (en) 2014-07-16
TWI462968B (zh) 2014-12-01
US8187490B2 (en) 2012-05-29
KR20080093997A (ko) 2008-10-22
EP1983568A4 (en) 2012-03-21
US20100220446A1 (en) 2010-09-02
CN101375395A (zh) 2009-02-25
EP1983568A1 (en) 2008-10-22
US20120007017A1 (en) 2012-01-12
KR101357514B1 (ko) 2014-02-03
CN101375395B (zh) 2012-10-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4993611B2 (ja) 放熱材及びそれを用いた半導体装置
JP4987496B2 (ja) 放熱材の製造方法
JP5233325B2 (ja) 熱伝導性硬化物及びその製造方法
JP2008038137A (ja) 熱伝導性シリコーングリース組成物およびその硬化物
JP2009138036A (ja) 熱伝導性シリコーングリース組成物
JP5472055B2 (ja) 熱伝導性シリコーングリース組成物
JP5155033B2 (ja) 熱伝導性シリコーン組成物
TWI821238B (zh) 聚矽氧組成物
JP2009203373A (ja) 熱伝導性シリコーン組成物
TW201905054A (zh) 熱傳導性聚有機矽氧烷組成物
JP2016125001A (ja) 熱伝導性シリコーン組成物及び硬化物並びに複合シート
JP2009149736A (ja) 熱伝導性シリコーンゲル組成物
TW201943768A (zh) 熱傳導性矽酮組成物及其硬化物
KR20210098991A (ko) 열전도성 실리콘 조성물의 경화물
JP4993555B2 (ja) 付加反応硬化型シリコーン組成物
WO2018025502A1 (ja) 熱伝導性シリコーン組成物
JP2018053260A (ja) 熱伝導性シリコーン組成物及び硬化物並びに複合シート
JP5047505B2 (ja) 放熱性に優れる電子装置およびその製造方法
JP7467017B2 (ja) 熱伝導性シリコーン組成物及びその硬化物
TWI796457B (zh) 矽酮組成物
JP2021185215A (ja) 熱伝導性付加硬化型シリコーン組成物
JP7485634B2 (ja) 熱伝導性シリコーン組成物及びその硬化物
TW202208552A (zh) 導熱性加成硬化型矽酮組合物及其硬化物
WO2024048335A1 (ja) 熱伝導性シリコーン組成物
WO2023132192A1 (ja) 高熱伝導性シリコーン組成物

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20091218

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101208

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120501

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120502

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150518

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4993611

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250