TWI821238B - 聚矽氧組成物 - Google Patents
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Abstract
本發明係提供一種具有高熱傳導率,且接著性為良好的聚矽氧組成物。
本發明之聚矽氧組成物,其含有:
(A)1分子中具有至少2個脂肪族不飽和烴基的有機聚矽氧烷,且在25℃下具有60~100,000mm2
/s的動態黏度:50~99.9質量份、
(B)1分子中具有至少1個脂肪族不飽和烴基的聚矽氧樹脂:0.1~50質量份(但,(A)與(B)成分的合計量為100質量份)、
(C)有機氫聚矽氧烷、
(D)10小時半衰期溫度為40℃以上的有機過氧化物:相對於(A)與(B)成分的合計100質量份為0.01~10.0質量份、及
(E)具有10W/(m.℃)以上的熱傳導率的熱傳導性填充劑:相對於(A)與(B)成分的合計100質量份為100~3,000質量份。
Description
本發明為關於聚矽氧組成物。詳細而言為關於一種高熱傳導性的聚矽氧組成物,並關於一種即使是大量地含有熱傳導性填充劑,接著性仍為良好的聚矽氧組成物。
半導體元件於使用中的發熱及因該發熱而導致的性能降低已廣為人知,作為用來解決此問題的手段而採用了各種的散熱技術。通常而言,藉由在發熱部位的附近配置冷卻構件(散熱片等),使兩者密接後,由冷卻構件來有效地排熱,從而進行散熱。此時,若在發熱構件與冷卻構件之間存在間隙時,因介隔熱傳導性差的空氣,而導致熱傳導率會降低,發熱構件的溫度將變得無法充分地降低。為了防止如此般的現象,使用了熱傳導率佳且對於構件的表面具有追循性的散熱材料,例如液狀散熱材料或散熱薄片(專利文獻1~13)。
散熱材料之中,為了使半導體晶片與散熱片堅固地接著,而有對於散熱材料賦予接著性能者。若半導體晶片與散熱片介隔散熱材料而未能充分地密著時,會因為介隔空氣而導致散熱性能的降低。因此,將半導體晶片與散熱片之間以散熱材料來堅固地接著為重要的。然而,為了提升散熱材料的熱傳導率,需要大量地填充熱傳導性填充材。若將熱傳導性填充劑大量填充至組成物中時,所得到的硬化物將會有接著性降低之類的問題。若接著性降低時,硬化物將變得無法追循使用時的半導體晶片的變形或錯位而產生剝離,會有引起性能降低之可能性。專利文獻11中記載著一種熱傳導性聚矽氧組成物,其含有下述必須成分:含有烯基的有機聚矽氧烷、聚矽氧樹脂、含有烯基的水解性有機聚矽氧烷、熱傳導性填充劑、有機氫聚矽氧烷、鉑系觸媒及控制劑。專利文獻12係能夠提供一種相較於以往,具有更高熱傳導率且接著性為更良好的聚矽氧組成物。專利文獻13係記載著一種熱傳導性聚矽氧組成物,其包含10小時半衰期溫度為80℃以上未滿130℃的過氧化物來作為硬化劑,且記載著該組成物能提供在具有金等的貴金屬層的基材表面上為可容易硬化的散熱材料。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第2938428號公報
[專利文獻2]日本專利第2938429號公報
[專利文獻3]日本專利第3580366號公報
[專利文獻4]日本專利第3952184號公報
[專利文獻5]日本專利第4572243號公報
[專利文獻6] 日本專利第4656340號公報
[專利文獻7] 日本專利第4913874號公報
[專利文獻8] 日本專利第4917380號公報
[專利文獻9] 日本專利第4933094號公報
[專利文獻10] 日本特開2008-260798號公報
[專利文獻11] 日本特開2009-209165號公報
[專利文獻12] 日本特開2012-102283號公報
[專利文獻13] 日本特開2012-96361號公報
近年來,在高品質機種的半導體裝置中運作時的發熱量愈益增大。另一方面,因小型化而進行著零件的削減,故要求著高熱傳導率、且具有高接著性能的散熱材料之開發。
本發明係有鑑於上述情事所完成之發明,目的在於提供一種相較於以往的聚矽氧組成物,具有更高熱傳導率、且接著性為更良好的聚矽氧組成物。
本發明人為了達成上述目的經深入研究之結果發現,藉由設定為一種聚矽氧組成物,其係以特定量來分別含有下述成分:含有脂肪族不飽和烴基的有機聚矽氧烷、具有脂肪族不飽和烴基的聚矽氧樹脂、具有特定的構
造的有機氫聚矽氧烷、特定的有機過氧化物、熱傳導性填充劑,因而可提供一種即使是大量地含有熱傳導性填充劑,仍具有良好的接著性的聚矽氧組成物,因而完成本發明。
即,本發明係提供下述聚矽氧組成物。
1.一種聚矽氧組成物,其含有:(A)1分子中具有至少2個脂肪族不飽和烴基的有機聚矽氧烷,且在25℃下具有60~100,000mm2/s的動態黏度:50~99.9質量份、(B)1分子中具有至少1個脂肪族不飽和烴基的聚矽氧樹脂:0.1~50質量份(但,(A)成分與(B)成分的合計量為100質量份)、(C)下述構造式(1)所表示的有機氫聚矽氧烷、
(式中,R1相互獨立為碳數1~6的烷基或氫原子;m、n為滿足5.0≦m+n≦100、且n/(m+n)≦0.6的數;但,分子中具有SiH基,R1的全部不會成為氫原子)
(D)10小時半衰期溫度為40℃以上的有機過氧化物:相對於(A)成分與(B)成分的合計100質量份為0.01~10質量份、及(E)具有10W/(m.℃)以上的熱傳導率的熱傳導性填充
劑:相對於(A)成分與(B)成分的合計100質量份為100~3,000質量份。
(式中,R2相互獨立為碳數1~6的烷基;R3為碳數2~6的烯基;p、q為滿足5.0≦p+q≦100的數)。
(式中,R4相互獨立為碳數1~6的烷基;r為5~100的整數)。
4.如上述1~3中任一項所記載之聚矽氧組成物,其中,進而含有(H)具有選自環氧基、(甲基)丙烯醯氧基、烷氧基矽烷基及羰基的至少1個官能基的有機氫聚矽氧烷。
5.如上述1~4中任一項所記載之聚矽氧組成物,其中,進而含有(I)鉑族金屬觸媒:有效量,及含有(J)反應控制劑:相對於上述(A)成分與上述(B)成分的合計100質量份為0.05~5.0質量份。
本發明之聚矽氧組成物,即使是大量地含有熱傳導性填充劑,仍可具有良好的接著性。
以下,對於本發明來進行詳細地說明。
(A)成分為1分子中具有至少2個脂肪族不飽和烴基的有機聚矽氧烷,且在25℃下具有60~100,000mm2/s的動態黏度,(A)成分可單獨使用1種或可適當組合2種以上來使用。作為脂肪族不飽和烴基係具有脂肪族不飽和鍵,可舉出較佳為碳數2~8(又較佳為碳數2~6)的一價烴基,以該等的碳數的烯基為較佳。作為烯基,可舉例如乙烯基、烯丙基、丙烯基、異丙烯基、丁烯基、己烯基、環己烯基、及辛烯基等。其中,以乙烯基為較佳。脂肪族不飽和烴基係可與分子鏈末端的矽原子、分子鏈中間的矽原子之任一者進行鍵結、亦可與兩者鍵結。
作為與有機聚矽氧烷的矽原子鍵結的脂肪族不飽和烴基以外的有機基,可舉出碳數1~18(較佳為碳數1~10,又較佳為1~8)的非取代或取代的一價烴基。作為一價烴基,可舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、新戊基、己基、環己基、辛基、壬基、癸基等的烷基;苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等的芳基;苄基、苯基乙基、苯基丙基等的芳烷基等。進而可舉出,該等的基的氫原子的一部分或全部以氟、溴、氯等的鹵素原子、氰基等進行取代者,例如,氯甲基、氯丙基、溴乙基、三氟丙基、氰基乙基等。其中,以甲基為較佳。
(A)成分的有機聚矽氧烷,在25℃下的動態黏度為60~100,000mm2
/s,以100~30,000mm2
/s為較佳。若動態黏度未滿60mm2
/s時,聚矽氧組成物的物理特性會降低,若超過100,000mm2
/s時,聚矽氧組成物會變得缺乏伸展性。本發明中,動態黏度係藉由烏伯樓德型奧士瓦黏度計所測定的在25℃下的值(以下為相同)。
(A)成分的有機聚矽氧烷,只要是具有上述性質即可,其分子構造並無特別限定,可舉出直鏈狀、分支鏈狀、一部分具有分支或環狀構造的直鏈狀等。其中,較佳為具有下述般的直鏈狀構造:主鏈由二有機矽氧烷單位的重複單元所組成,且分子鏈兩末端為以三有機矽氧基(較佳為兩末端以二甲基乙烯基矽烷氧基)封端的直鏈狀構造。具有該直鏈狀構造的有機聚矽氧烷係亦可具有部分的分支狀構造或環狀構造。
(A)成分的含有量為50~99.9質量份,以70~95質量份為較佳。但,(A)成分與(B)成分的合計量為100質量份。
[(B)成分]
(B)成分為1分子中具有至少1個脂肪族不飽和烴基的聚矽氧樹脂,(B)成分可單獨使用1種或可適當組合2種以上來使用。聚矽氧組成物藉由含有如此般的聚矽氧樹脂,從而使得硬化物的接著強度顯著地提升。
(B)成分的聚矽氧樹脂為1分子中具有至少1個脂肪族不飽和烴基,脂肪族不飽和烴基的量係以1× 10-5
~1×10-2
mol/g為較佳,以1×10-4
~2×10-3
mol/g為又較佳。
作為(B)成分的聚矽氧樹脂,以包含SiO4/2
單位(Q單位)、R5 2
R6
SiO1/2
單位及R5 3
SiO1/2
單位(M單位)(式中,R5
相互獨立為不具有脂肪族不飽和鍵的一價的烴基;R6
為脂肪族不飽和烴基)的聚矽氧樹脂為較佳。
上述式中,R5
相互獨立為不具有脂肪族不飽和鍵的一價的烴基,可舉出較佳為碳數1~18(又較佳為碳數1~10,更佳為1~8)的非取代或取代的一價烴基。作為如此般的一價烴基,可舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、新戊基、己基、環己基、辛基、壬基、癸基等的烷基;苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等的芳基;苄基、苯基乙基、苯基丙基等的芳烷基等。進而可舉出,該等的基的氫原子的一部分或全部以氟、溴、氯等的鹵素原子、氰基等進行取代者,例如,氯甲基、氯丙基、溴乙基、三氟丙基、氰基乙基等。其中,以甲基為較佳。
R6為脂肪族不飽和烴基,較佳為具有脂肪族不飽和鍵之碳數2~8(更佳為碳數2~6)的一價烴基,又較佳為烯基。作為烯基,可舉例如乙烯基、烯丙基、丙烯基、異丙烯基、丁烯基、己烯基、環己烯基、及辛烯基等的烯基。其中,以乙烯基為較佳。
SiO4/2單位(Q單位)與R5 2R6SiO1/2單位及R5 3SiO1/2單位(M單位)的莫耳比係滿足(M單位)/(Q單位)為0.1~3.0的數,進而以(M單位)/(Q單位)為滿足0.3~2.5的數為較佳,以(M單位)/(Q單位)為滿足0.5~2.0的數為又較佳。M單位與Q單位的莫耳比若為上述範圍內時,可提供具有更良好的接著性及強度的聚矽氧組成物。尚,在不損及本發明之組成物的性質的程度內,本發明之聚矽氧樹脂亦可在分子中包含R2SiO2/2單位(D單位)及RSiO3/2單位(T單位)(式中,R為R5或R6)。
本發明中之(B)成分的聚矽氧樹脂,在室溫下為固體或黏稠的液體。聚矽氧樹脂的平均分子量並無特別限定,就提升聚矽氧組成物的物理特性之觀點而言,將該聚矽氧樹脂溶解在二甲苯中並製成50質量%溶液時的動態黏度(25℃)以0.5~10mm2/s者為較佳,以1.0~5.0mm2/s者為又較佳。
(B)成分的含有量為0.1~50質量份,以5~30質量份為較佳。但,(A)成分與(B)成分的合計量為100質量份。(B)成分的量若未滿0.1質量份時,展現接著性將變得不足,若超過50質量份時,則黏度會上昇而使得操作性變困難。
(C)成分為下述構造式(1)所表示的有機氫聚矽氧烷,(C)成分可單獨使用1種或可適當組合2種以上來使用。
(式中,R1相互獨立為碳數1~6的烷基或氫原子;m、n為滿足5.0≦m+n≦100、且n/(m+n)≦0.6的數;但,分子中具有SiH基,R1的全部不會成為氫原子)。
(C)成分的有機氫聚矽氧烷為分子中具有SiH者。分子中的SiH基與組成物中的脂肪族不飽和烴基,在後述的鉑族金屬觸媒的存在下會進行加成反應,而形成交聯構造。尚,1分子中的SiH基的數,可依據關於下述m、n之比率、該含有量來予以適當地選定,但以2個以上為較佳,以3個以上為又較佳。
R1相互獨立為碳數1~6的烷基或氫原子,式(1)中,R1相互獨立為碳數1~6的烷基或氫原子,作為烷基可舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、sec-丁基、tert-丁基、戊基、己基等。但,R1
的全部不會成為氫原子。
m、n為5.0≦m+n≦100,以10≦m+n≦80為較佳。m、n為n/(m+n)≦0.6,以0<n/(m+n)≦0.6為較佳,以0<n/(m+n)≦0.4為又較佳。m+n若未滿5.0時,聚矽氧組成物的物理特性會降低,m+n若超過100時,聚矽氧組成物會變得缺乏伸展性。又,n/(m+n)若超過0.6時,硬化物的強度會降低。n與m只要是在上述範圍內即可,並無特別限定,但以1<n<28為較佳,以1<n<20為又較佳,以6<m<50為較佳,以10<m<50為又較佳。
(C)成分的含有量,就作為聚矽氧組成物整體而言,以(SiH基的個數的合計)/(鍵結於Si基的脂肪族不飽和烴基的個數的合計)成為0.5~3.0的範圍的量為較佳,又較佳為1.5~2.5的量。具體而言,以((C)成分中的SiH基的個數的合計)/((A)成分及(B)成分中的鍵結於Si基的脂肪族不飽和烴基的個數的合計)成為0.5~3.0的範圍的量為較佳,又較佳為1.5~2.5的量。尚,若作為任意成分包含(F)成分、(H)成分時,如後述之內容。
[(D)成分]
(D)成分為10小時半衰期溫度為40℃以上的有機過氧化物,(D)成分可單獨使用1種或可適當組合2種以上來使用。本發明中所使用的有機過氧化物,只要是藉由自由基反應來使(A)、(B)及(C)成分進行交聯者即可,並無特別限定,可舉例如酮過氧化物、氫過氧化物、二醯基過氧化物、二烷基過氧化物、過氧化縮酮、烷基過氧化酯、過碳酸酯等。又,該有機過氧化物,若考慮使聚矽氧組成物加熱硬化的溫度與保存性時,則使用10小時半衰期溫度為40℃以上者,較佳為50℃以上、又較佳為60℃以上、更佳為65℃以上者。10小時半衰期溫度若過低時,將難以充分確保組成物的保存性。尚,其上限並無特別限制,一般為200℃以下。
就聚矽氧組成物的保存穩定性與硬化性之平衡而言,相對於(A)成分與(B)成分的合計100質量份,(D)成分的含有量為0.01~10質量份,以0.1~5質量份為較佳,以0.3~5質量份為又較佳。(D)成分的含有量若未滿0.01質量份時,接著強度會變低;即使是大量添加超過10質量份,接著強度仍不會提升,而導致成為非經濟性之緣故。尚,關於(D)成分的添加方法,可採用直接添加之方法、進行溶液・糊料化後再添加之方法等的手段。
[(E)成分]
(E)成分為具有10W/(m.℃)[W/(m.K)]以上的熱傳導率的熱傳導性填充劑,只要是具有10W/(m.℃)以上的填充劑即可,並無特別限定,(E)成分可單獨使用1種或可適當組合2種以上來使用。作為(E)成分的熱傳導性填充材,可使用熱傳導率為10W/(m.℃)以上,較佳為15W/(m.℃)以上者。填充材所具有的熱傳導率若未滿10W/(m.℃)時,熱傳導性聚矽氧組成物的熱傳導率其本身會變小之緣故。上限並無特別限定,亦可設為2,000W/(m.℃)。作為上述熱傳導性填充材,可舉出鋁粉末、銅粉末、銀粉末、鐵粉末、鎳粉末、金粉末、錫粉末、金屬矽粉末、氮化鋁粉末、氮化硼粉末、氧化鋁(二氧化鋁)粉末、金剛石粉末、碳粉末、銦粉末、鎵粉末、氧化鋅粉末等。其中,以氧化鋅粉末、鋁粉末為較佳,以該等的組合為更佳。
(E)成分的平均粒徑,以0.1~100μm的範圍為較佳,以0.1~90μm為又較佳。該平均粒徑若未滿0.1μm時,所得到的聚矽氧組成物無法呈均勻,而有成為缺乏伸展性之情形;若超過100μm時,聚矽氧組成物的熱阻會變大,而有性能會降低之情形。尚,本發明中,平均粒徑係藉由雷射繞射‧散射式、粒子徑分布測定法之體積基準的體積平均徑(中值粒徑D50)。作為裝置係可使用日機裝(股)製Microtrac MT330OEX。尚,(E)成分的形狀,可以是非定形或是球形的任何的形狀。
相對於(A)成分與(B)成分的合計100質量份,(E)成分的含有量為100~3,000質量份,以200~1,800質量份為較佳,以400~1,800質量份為又較佳。(E)成分的含有量若未滿上述下限時,所得到的組成物會變得缺乏熱傳導率;若超過上述上限時,則會成為缺乏伸展性的聚矽氧組成物。
就與熱傳導性的填充劑的濕潤性及對聚矽氧組成物賦予接著性之觀點而言,本發明之聚矽氧組成物中係以調配下述構造式(2)所表示的水解性有機聚矽氧烷為較佳。(F)成分可單獨使用1種或可適當組合2種以上來使用。
(式中,R2相互獨立為碳數1~6的烷基;R3為碳數2~6的烯基;p、q為滿足5.0≦p+q≦100的數)。
R2相互獨立為碳數1~6的烷基,可舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、sec-丁基、tert-丁基、戊基、己基等。R3為碳數2~6的烯基,可舉例如乙烯基、烯丙基、丙烯基、異丙烯基、丁烯基、己烯基、環己烯基等。
p、q為滿足5.0≦p+q≦100的數,以5.0≦p+q≦60為較佳。p+q若未滿5.0時,來自聚矽氧組成物的油滲出(oil bleeding)恐將有變得嚴重之虞,另一方面,p+q若大於100時,與填充劑的濕潤性恐將有變得不足之虞。p、q係以1≦p≦5為較佳,以4≦q≦60為較佳。
若調配(F)成分時,相對於上述(A)成分與上述(B)成分的合計100質量份,其含有量係以1~50質量份為較佳,以1~20質量份為又較佳。(F)成分的含有量若未滿上述下限時,將有無法發揮充分的濕潤性或接著性之虞。另一方面,(F)成分的量若超過上述上限時,來自聚矽氧組成物的滲出將會有變得嚴重之虞。
[(G)成分]
本發明之聚矽氧組成物,可進而含有(G)下述一般式(3)所表示的水解性有機聚矽氧烷。
(式中,R4
相互獨立為碳數1~6的烷基;r為5~100的整數)。
(G)成分可單獨使用1種或可適當組合2種以上來使用。
R4
相互獨立為碳數1~6的烷基,可舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、sec-丁基、tert-丁基、戊基、己基等。r為5~100的整數,較佳為10~60的整數。r的值若未滿5時,來自聚矽氧組成物的油滲出將會有變得嚴重之虞。另一方面,r的值若超過上述上限值時,與填充劑的濕潤性將會有變得不足之虞。
若調配(G)成分時,相對於上述(A)成分與上述(B)成分的合計100質量份,其含有量係以1~50質量份為較佳,以1~30質量份為又較佳。(G)成分的含有量若未滿上述下限值時,將會有無法發揮充分的濕潤性之虞。另一方面,若(G)成分的含有量超過上述上限時,來自聚矽氧組成物的滲出將會有變得嚴重之虞。
[(H)成分]
本發明之聚矽氧組成物中,進而亦可含有(H)具有選自環氧基、(甲基)丙烯醯氧基、烷氧基矽烷基及羰基的至少1個官能基的有機氫聚矽氧烷。(H)成分可單獨使用1種或可適當組合2種以上來使用。藉由調配(H)成分,從而可更加提升聚矽氧組成物的接著性能。作為(H)成分,例如,可示例下述一般式(4)所表示的有機氫聚矽氧烷。
(式中,R5
相互獨立為介隔碳原子或氧原子來與矽原子鍵結的選自環氧基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、醚基及三烷氧基矽烷基的基、或氫原子,但,R5
所表示的基之中2個或3個為氫原子;R6
相互獨立為碳數1~6的烷基;o為2~8的整數)。
R6
相互獨立為碳數1~6的烷基,可舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、sec-丁基、tert-丁基、戊基、己基等。
若調配(F)成分及(H)成分時,(C)及(H)成分的有機氫聚矽氧烷的合計量,就作為聚矽氧組成物整體而言,以(SiH基的個數的合計)/(鍵結於Si基的脂肪族不飽和烴基的個數的合計)成為0.5~3.0的範圍的量為較佳,又較佳為1.5~2.5的量。具體而言,以((C)成分及(H)成分中的SiH基的個數的合計)/((A)成分、(B)成分及(F)成分中的鍵結於Si基的脂肪族不飽和烴基的個數的合計)成為0.5~3.0的範圍的量為較佳,又較佳為1.5~2.5的量。(C)成分及(H)成分的量若未滿0.5時,將無法發揮充分的接著性能,與基材的密著性將會有變差之虞。又,若超過3.0時,則未反應的SiH基將會引起剩餘的交聯反應,而硬化物的硬度會有上昇之虞。又,((C)成分中的SiH基的個數)/((C)成分及(H)成分中的SiH基的個數的合計),以成為0.3~0.7的量為較佳。((C)成分中的SiH基的個數)/((C)成分及(H)成分中的SiH基的個數的合計)若未滿0.3時,聚矽氧組成物的物理特性將會有降低之虞,若超過0.7時,將無法發揮充分的接著性能,而與基材的密著性會有變差之虞。
[(I)成分]
(I)成分為鉑族金屬觸媒,為了促進上述的加成反應而發揮功能。鉑族金屬觸媒係可使用加成反應中所使用的以往周知的種類。(I)成分可單獨使用1種或可適當組合2種以上來使用。作為(I)成分,可舉例如鉑系、鈀系、銠系等的觸媒,其中,就比較容易取得而言,以鉑或鉑化合物為較佳,可舉例如鉑的單質、鉑黒、氯化鉑酸、鉑-烯烴錯合體、鉑-醇錯合體、鉑配位化合物等。
若調配(I)成分時,其含有量係作為觸媒的有效量,即,只要是對於用來促進加成反應並使本發明之組成物硬化而言為所需要的有效量即可。相對於(A)成分及(B)成分的合計質量,以換算成鉑族金屬原子的質量為基準,較佳為0.1~500ppm,又較佳為1~200ppm。觸媒的量若未滿上述下限值時,會有無法得到作為觸媒之效果。又,即使是超過上述上限值,觸媒效果仍不會增加,而導致成為非經濟性,故為不佳。
[(J)成分]
進而,就抑制在室溫下的氫化矽烷化反應(hydrosilylation reaction)的進行,而使存放期間、使用時限(pot life)延長之觀點而言,本發明之聚矽氧組成物亦可調配(J)反應控制劑。(J)成分可單獨使用1種或可適當組合2種以上來使用。作為反應控制劑,可使用加成硬化型聚矽氧組成物中所使用的以往周知的控制劑。可舉例如乙炔醇類(例如,乙炔基甲基癸基甲醇、1-乙炔基-1-環己醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇)等的乙炔化合物、三丁胺、四甲基乙二胺、苯并三唑等的各種氮化合物、三苯基膦等的有機磷化合物、肟化合物、有機氯化合物等。
若調配(J)成分時,相對於(A)成分與(B)成分的合計100質量份,其含有量係以0.05~5.0質量份為較佳,以0.1~2.0質量份為又較佳。反應控制劑的量若未滿0.05質量份時,會有無法獲得所期待的充分的存放期間、使用時限之虞,又,若超過5.0質量份時,聚矽氧組成物的硬化性會有降低之虞。尚,為了使對於聚矽氧組成物的分散性成為良好,反應控制劑亦可利用有機(聚)矽氧烷或甲苯等進行稀釋後來使用。
[其他的成分]
就調整聚矽氧組成物的彈性率或黏度之觀點而言,本發明之聚矽氧組成物中亦可進而含有甲基聚矽氧烷等的不具有反應性的有機(聚)矽氧烷。進而,為了防止聚矽氧組成物的劣化,因應所需亦可含有2,6-二-t-丁基-4-甲基苯酚等的以往周知的抗氧化劑。進而,因應所需可分別適量地調配染料、顏料、耐燃劑、防沉澱劑、搖變性提升劑等。
[聚矽氧組成物之製造方法]
本發明之聚矽氧組成物的製造方法並無特別限定,只要是根據以往的聚矽氧組成物的製造方法即可,具有製造含有上述(A)~(E)成分、及依所需而添含的(F)~(J)成分、其他的成分而成的聚矽氧組成物之步驟。例如,可藉由將上述(A)~(E)成分、及依所需而添含的(F)~(J)成分、其他的成分,利用三輥混合機、雙輥混合機、行星式攪拌機(皆為井上製作所(股)製混合機的註冊商標)、高速攪拌機(瑞穗工業(股)製混合機的註冊商標)、三軸行星軌跡運轉分散、混合、混練機(特殊機化工業(股)製混合機的註冊商標)等的混合機來進行混合之方法從而製造。
[聚矽氧組成物之物性]
本發明之聚矽氧組成物,在25℃下所測定的絕對黏度係以3.0~500Pa.s為較佳,以10~400Pa.s為又較佳。絕對黏度若未滿3.0Pa.s時,因難以保持形狀等而有作業性變差之虞。又,絕對黏度若超過500Pa.s時,因吐出變得困難等而亦有作業性變差之虞。本發明之絕對黏度的範圍係可藉由調整各成分的調配來得到。本發明中,絕對黏度係藉由螺旋黏度計(例如,Malcolm(股)製的螺旋黏度計(型號PC-IT))所測定的在25℃的值(利用旋轉器A 10rpm、切變速度6[1/s])。
聚矽氧組成物的熱傳導率較佳為0.5W/ (m.℃)以上。上限並無特別限定,亦可設為30W/(m.℃)以下。
本發明之聚矽氧組成物係可適合使用作為介隔在LSI等的電子零件其他的發熱構件與冷卻構件之間,來將來自發熱構件的熱傳送熱到冷卻構件並進行散熱,且可採用與以往的熱傳導性聚矽氧組成物為相同的方法來使用。例如,本發明之聚矽氧組成物係可藉由來自電子零件等的發熱構件的發熱來進行硬化。又,於塗佈本發明之聚矽氧組成物後,亦可積極地使其加熱硬化。據此,可提供發熱構件與冷卻構件之間為介隔本發明之聚矽氧組成物的硬化物而成的半導體裝置。將本發明之聚矽氧組成物進行加熱硬化時之硬化條件並無特別限制,一般係以80~200℃(較佳為100~180℃)進行30分~4小時(較佳為30分~2小時)。本發明之聚矽氧組成物,由於具有高熱傳導率、且接著性為良好,故可特別適合使用作為針對高品質機種的半導體裝置等的散熱材料。
聚矽氧組成物硬化物的接著強度係以150N以上為較佳,以200N以上為又較佳。若未滿150N時,將無法追循於電子零件的翹曲等的變化而有剝離之虞。上限並無特別限定,但可設為500N。尚,接著強度之測定方法為於實施例所記載之方法。
[實施例]
以下為表示實施例及比較例來具體地說明本發明,但本發明並不受限於下述的實施例中。雖以表示實施例及比較例來更詳細地說明本發明,但本發明並不受限於下述的實施例中。
說明各成分。於下述中,動態黏度係藉由烏伯樓德(Ubbelodhe)型奧士瓦黏度計(柴田科學公司製)來測定在25℃之值。
[(A)成分]
A-1:兩末端以二甲基乙烯基矽烷氧基封端,且在25℃下的動態黏度為600mm2
/s的二甲基聚矽氧烷
A-2:兩末端以二甲基乙烯基矽烷氧基封端,且在25℃下的動態黏度為10,000mm2
/s的二甲基聚矽氧烷
[(B)成分]
B-1:下述平均組成式所表示的聚矽氧樹脂:製成二甲苯溶劑中50質量%溶液時的動態黏度為3.0mm2
/s
(SiO4/2
)1.0
((CH2
=CH)(CH3
)2
SiO1/2
)0.12
((CH3
)3
SiO1/2
)0.75
、(M單位)/(Q單位)=0.87
B-2:下述平均組成式所表示的聚矽氧樹脂:製成二甲苯溶劑中50質量%溶液時的動態黏度為1.5mm2
/s
(SiO4/2
)1.0
((CH2
=CH)(CH3
)2
SiO1/2
)0.25
((CH3
)3
SiO1/2
)1.5
、(M單位)/(Q單位)=1.75
[(C)成分]
下述構造式所表示的成分。
C-1:
式(1)中之m+n=18、n/(m+n)=0.33。
C-2:
式(1)中之m+n=38、n/(m+n)=0.05。
C-3:
式(1)中之m+n=44、n/(m+n)=0.36。
[(D)成分]
D-1:下述式所表示的二烷基過氧化物,
Kayaku Akzo(股)製、Kayahexa AD、10小時半衰期溫度:118 ℃。
D-2:下述式所表示的二醯基過氧化物,
Kayaku Akzo(股)製、PercadoxPM-50S-PS、10小時半衰期溫度:71℃。
[(E)成分]
E-1:將平均粒徑20.0μm的鋁粉末與平均粒徑2.0μm的鋁粉末,以60:40質量比來進行預先混合而成的鋁粉末(熱傳導率:237W/(m.℃))。
E-2:平均粒徑1.0μm的氧化鋅粉末(熱傳導率:25W/(m.℃))。
[(F)成分]
F-1:下述構造式所表示的成分,。
[(G)成分]
G-1:下述式所表示的成分,。
[(H)成分]
H-1:下述式所表示的成分,。
H-2:下述式所表示的成分,
(式中,Me表示甲基)。
[(I)成分]
I-1:將鉑-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合體,與上述A-1相同地溶解在二甲基聚矽氧烷中之溶液(鉑原子含有量:1質量%)。
[(J)成分]
J-1:下述式所表示的成分,。
[實施例1~21、比較例1~4]
<聚矽氧組成物之調製>
將上述(A)~(J)成分根據下述表1~3所表示的調配量,依下述所表示的方法來調配並調製聚矽氧組成物。尚,於表1中,(I)成分的質量係將鉑-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合體溶解在二甲基聚矽氧烷中之溶液(鉑原子含有量:1質量%)的質量。又,SiH/SiVi為:(C)成分、(H)成分中的SiH基的個數的合計對(A)成分、(B)成分、及(F)成分中的烯基的個數的合計之比。又,(C)SiH/((C)SiH+(H)SiH)為:(C)成分中的SiH基的個數對(C)成分及(H)成分中的SiH基的個數的合計之比。
在5公升的行星式攪拌機(井上製作所(股)製)中,加入(A)、(B)、(E)、(F)及(G)成分,以170℃混合1小時。冷卻至常溫,接下來加入(C)、(D)、(H)、(I)及(J)成分,以成為均勻來進行混合,從而調製聚矽氧組成物。
對於以上述方法所得到的各組成物,根據下述的方法來測定黏度、熱傳導率、斷裂伸長率及接著強度。將結果表示於表1~3中。
[黏度]
使用Malcolm(股)製螺旋黏度計(型號PC-1T),在25℃下來測定聚矽氧組成物的絕對黏度。
[熱傳導率]
利用廚房保鮮膜包裹各組成物,並利用京都電子工業(股)製TPA-501來測定熱傳導率。
[斷裂伸長率]
將各組成物以150℃加熱60分鐘並硬化來製作2mm厚的薄片後,根據JIS K6251來製作2號啞鈴的形狀,並測定斷裂伸長率。
[接著強度]
將各組成物夾入於被黏貼在鋁模鑄件上的矽晶圓與鎳鍍敷銅之間,藉由20psi的鉗夾一邊加壓,一邊以150℃加熱60分鐘。之後,利用島津製萬能試驗機,藉由壓入並使其剝離從而來測定接著強度。
依據表1~3之結果可得知,相較於比較例1~4,滿足本發明之要件的實施例1~21的聚矽氧組成物的接著強度為大。可確認得知,在用來使用於將半導體晶片與熱擴散片(heat spreader)堅固地接著之情形時,本發明之聚矽氧組成物即使是大量地含有熱傳導性填充劑,仍具有良好的接著性。另一方面,不含有(D)成分的「比較例1」,則組成物的接著強度為變低。另一方面,(B)成分相對於(A)成分與(B)成分的合計100質量份為多達60質量份的「比較例2」、及(E)成分相對於(A)成分與(B)成分的合計100質量份為多達3,012質量份的「比較例3」,組成物無法呈均勻(無法成為油脂(grease)狀)。又,不含有(B)成分的「比較例4」,組成物的接著強度為降低。
Claims (2)
- 一種聚矽氧組成物,其含有:(A)1分子中具有至少2個脂肪族不飽和烴基的有機聚矽氧烷,且在25℃下具有60~100,000mm2/s的動態黏度:50~99.9質量份、(B)1分子中具有至少1個脂肪族不飽和烴基的聚矽氧樹脂:0.1~50質量份(但,(A)成分與(B)成分的合計量為100質量份)、(C)下述構造式(1)所表示的有機氫聚矽氧烷、
- 如請求項1之聚矽氧組成物,其中,進而含有(I)鉑族金屬觸媒:有效量,及含有(J)反應控制劑:相對於上述(A)成分與上述(B)成分的合計100質量份為0.05~5.0質量份。
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