JPWO2007077883A1 - コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
静電容量は比誘電率に比例し誘電体層の厚さに反比例するので、高い比誘電率を持つ誘電体層を薄く均一に製膜することが求められている。
〔1〕 弁作用金属元素を含んでなる基体表面を電解酸化して得られる酸化物被膜に、金属イオン及び有機塩基が溶解した溶液を反応させて得られる複合酸化物膜を備えるコンデンサ。
〔2〕 弁作用金属元素を含んでなる基体表面を電解酸化して得られる酸化物被膜に、金属イオン及び有機塩基が溶解した溶液を反応させ、次いで焼成して得られる複合酸化物膜を備えるコンデンサ。
〔3〕 弁作用金属元素を含んでなる基体、
該基体表面を電解酸化して得られる酸化物被膜に、金属イオン及び有機塩基が溶解した溶液を反応させて得られる複合酸化物膜、
該複合酸化物膜の上に積層される固体電解質層、及び
該固体電解質層の上に積層される導体層を備える固体電解コンデンサ。
〔4〕 酸化物被膜と、金属イオン及び有機塩基が溶解した溶液との反応が、非電場下の化学反応を利用したものである前記〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載のコンデンサ。
〔5〕 金属イオン及び有機塩基が溶解した溶液のpHが11以上である前記〔1〕〜〔4〕のいずれかに記載のコンデンサ。
〔6〕 複合酸化物膜の比誘電率が80〜15000である前記〔1〕〜〔5〕のいずれかに記載のコンデンサ。
〔7〕 複合酸化物膜の厚みが1nm〜4000nmである前記〔1〕〜〔6〕のいずれかに記載のコンデンサ。
〔8〕 弁作用金属元素がチタン元素である前記〔1〕〜〔7〕のいずれかに記載のコンデンサ。
〔9〕 金属イオンがバリウムイオンである前記〔1〕〜〔8〕のいずれかに記載のコンデンサ。
〔10〕 前記〔1〕〜〔9〕のいずれかに記載のコンデンサを使用した電子部品。
〔11〕 前記〔1〕〜〔9〕のいずれかに記載のコンデンサを使用したプリント基板。
〔12〕 前記〔1〕〜〔9〕のいずれかに記載のコンデンサを使用した民生用電子機器。
〔13〕 弁作用金属元素の電解酸化によって酸化物被膜を形成する工程と、形成した酸化物被膜を有機溶媒中に溶解した金属イオンと反応させる工程を少なくとも含むことを特徴とするコンデンサの製造方法。
〔14〕 弁作用金属元素の電解酸化によって酸化物被膜を形成する工程と、形成した酸化物被膜を金属イオン及び有機塩基が溶解した溶液と反応させる工程と、焼成する工程を少なくとも含むコンデンサの製造方法。
〔15〕 弁作用金属元素の電解酸化によって酸化物被膜を形成する工程と、形成した酸化物被膜を金属イオン及び有機塩基が溶解した溶液と反応させる工程と、該複合酸化物膜の上に固体電解質層を積層する工程と、該固体電解質層の上に導体層を積層する工程を少なくとも含む固体電解コンデンサの製造方法。
該溶液に溶解させる金属イオンとしては、弁金属と反応し、複合酸化物膜として高い比誘電率が得られるものであれば、特に限定はされない。弁作用金属との組合せで強誘電体膜が得られるイオンが好ましい。好ましい例としては、カルシウム、ストロンチウム、バリウム等のアルカリ土類金属や鉛が挙げられ、これらのうちバリウムが好ましい。
上記反応後、必要に応じて電気透析、イオン交換、水洗、浸透膜などの方法を用い、反応部位から不純物イオンを除去し、次いで乾燥する。乾燥は通常、通常室温〜150℃で1〜24時間行われる。乾燥の雰囲気は特に制限は無く、大気中または減圧中で行うことができる。
酸化物被膜は実質的にその全てを複合酸化物膜に転化し得るが、部分的な転化にとどめてもよい。
厚み20μmの純度99.9%のチタン箔(株式会社サンクメタル製)を3.3mm幅に切断したものを13mmずつの長さに切り取り、この箔片の一方の短辺部を金属製ガイドに溶接して固定した。前記チタン箔の固定していない側の端から7mmの箇所にポリイミド樹脂溶液(宇部興産株式会社製)で0.8mm幅の線を描き、約180℃で30分乾燥させマスキングした。
チタン箔の固定していない側の端からマスキングした部分までの部分を、5質量%リン酸水溶液に浸漬し、電流密度30mA/cm2、化成電圧15V、温度40℃で120分間電解酸化処理し、次いでリン酸水溶液から引き出して、水洗、乾燥して、チタン箔の表面に酸化チタン層を形成させた。
次に20%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に水酸化バリウムを20mMとなるように溶解して溶液を得た。この溶液のpHは14であった。この溶液に前記酸化チタン層を形成した箔を125℃で4時間浸漬して反応させ、酸化チタンをチタン酸バリウム(複合酸化物)に変換した。このチタン酸バリウム膜は、厚さ38nm、比誘電率330であった。
前記処理を施した箔を水洗乾燥し、前記箔の先端から5mmの部分を中心として幅0.8mmでポリイミド樹脂を複合酸化物膜層の上に線状に塗布し、180℃で1時間乾燥させマスキングした。
先端から4.6mmまでの部分(陰極部:幅3.5mm×長さ4.6mm)の片面にドーパントとしてポリスチレンスルホン酸を含む3,4−エチレンジオキシチオフェン重合体の水分散液を5μL滴下して、陰極部全体に引き伸ばし1時間自然乾燥し、次いで125℃で30分間乾燥して、固体電解質層を形成した。その固体電解質層の上にカーボンペースト及び銀ペーストを順に塗布してコンデンサ素子を完成した。
このコンデンサ素子をリードフレーム上に置き、コンデンサ素子の固体電解質層の部分を陰極リード端子にAgペーストで接合し、チタン箔が露出した部分を陽極リード端子に溶接し、次いでコンデンサ素子及びリードフレーム全体をエポキシ樹脂で封止して、チップ型コンデンサを30個作製した。
これら30個のコンデンサについて、初期特性として120Hzにおける容量と損失係数(tanδ)、100kHzにおける等価直列抵抗(以下ESRとする。)、それに漏れ電流を測定した。なお、漏れ電流は電圧2Vを印加して1分後に測定した。測定結果は以下の通りであった。
容量(平均値) :2.5μF
tanδ(平均値) :5.0%
ESR(平均値) :20mΩ
漏れ電流(平均値) :50μA
厚み20μmの純度99.9%のチタン箔(株式会社サンクメタル製)を3.3mm幅に切断したものを13mmずつの長さに切り取り、この箔片の一方の短辺部を金属製ガイドに溶接して固定した。前記チタン箔の固定していない側の端から7mmの箇所にポリイミド樹脂溶液(宇部興産株式会社製)で0.8mm幅の線を描き、約180℃で30分乾燥させマスキングした。
チタン箔の固定していない側の端からマスキングした部分までの部分を、5質量%リン酸水溶液に浸漬し、電流密度30mA/cm2、化成電圧15V、温度40℃で120分間段階酸化成処理し、次いでリン酸水溶液から引き出して、水洗、乾燥して、チタン箔の表面に酸化チタン層を形成させた。
次に20%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に水酸化バリウムを20mMとなるように溶解して溶液を得た。この溶液のpHは14であった。この溶液に前記酸化チタン層を形成した箔を125℃で4時間浸漬して反応させ、酸化チタンをチタン酸バリウムに変換した。このチタン酸バリウム膜は、厚さ38nm、比誘電率12000であった。次いで前記箔を水洗乾燥し、真空下、800℃で焼成し、さらに大気中、300℃で2時間アニールした。
前記処理を施した箔の先端から5mmの部分を中心として幅0.8mmでポリイミド樹脂を複合酸化物膜層の上に線状に塗布し、180℃で1時間乾燥させマスキングした。
先端から4.6mmまでの部分(陰極部:幅3.5mm×長さ4.6mm)の片面にドーパントとしてポリスチレンスルホン酸を含む3,4−エチレンジオキシチオフェン重合体の水分散液を5μL滴下して、陰極部全体に引き伸ばし1時間自然乾燥し、次いで125℃で30分間乾燥して、固体電解質層を形成した。その固体電解質層の上にカーボンペースト及び銀ペーストを順に塗布してコンデンサ素子を完成した。
このコンデンサ素子をリードフレーム上に置き、コンデンサ素子の固体電解質層の部分を陰極リード端子にAgペーストで接合し、チタン箔が露出した部分を陽極リード端子に溶接し、次いでコンデンサ素子及びリードフレーム全体をエポキシ樹脂で封止して、チップ型コンデンサを30個作製した。
これら30個のコンデンサについて、初期特性として120Hzにおける容量と損失係数(tanδ)、100kHzにおける等価直列抵抗(以下ESRとする。)、それに漏れ電流を測定した。なお、漏れ電流は電圧2Vを印加して1分後に測定した。測定結果は以下の通りであった。
容量(平均値) :87μF
tanδ(平均値) :5.8%
ESR(平均値) :13mΩ
漏れ電流(平均値) :200μA
厚み20μmの純度99.9%のチタン箔(株式会社サンクメタル製)を3.3mm幅に切断したものを13mmずつの長さに切り取り、陰極部となる3.3mm×4.6mmの部分にスパッタリング法でチタン酸バリウム膜を1μmの厚さで成膜した。このチタン酸バリウム膜の比誘電率220であった。成膜面にドーパントとしてポリスチレンスルホン酸を含む3,4−エチレンジオキシチオフェン重合体の水分散液を5μL滴下して、陰極部全体に引き伸ばし1時間自然乾燥し、次いで125℃で30分間乾燥して、固体電解質層を形成した。その固体電解質層の上にカーボンペースト及び銀ペーストを順に塗布してコンデンサ素子を完成した。
このコンデンサ素子をリードフレーム上に置き、コンデンサ素子の固体電解質層の部分を陰極リード端子にAgペーストで接合し、チタン箔が露出した部分を陽極リード端子に溶接し、次いでコンデンサ素子及びリードフレーム全体をエポキシ樹脂で封止して、チップ型コンデンサを30個作製した。
これら30個のコンデンサについて、初期特性として120Hzにおける容量と損失係数(tanδ)、100kHzにおける等価直列抵抗(以下ESRとする。)、それに漏れ電流を測定した。なお、漏れ電流は電圧2Vを印加して1分後に測定した。測定結果は以下の通りであった。
容量(平均値) :0.03μF
tanδ(平均値) :15%
ESR(平均値) :60mΩ
漏れ電流(平均値) :400μA
Claims (15)
- 弁作用金属元素を含んでなる基体表面を電解酸化して得られる酸化物被膜に、金属イオン及び有機塩基が溶解した溶液を反応させて得られる複合酸化物膜を備えるコンデンサ。
- 弁作用金属元素を含んでなる基体表面を電解酸化して得られる酸化物被膜に、金属イオン及び有機塩基が溶解した溶液を反応させ、次いで焼成して得られる複合酸化物膜を備えるコンデンサ。
- 弁作用金属元素を含んでなる基体、
該基体表面を電解酸化して得られる酸化物被膜に、金属イオン及び有機塩基が溶解した溶液を反応させて得られる複合酸化物膜、
該複合酸化物膜の上に積層される固体電解質層、及び
該固体電解質層の上に積層される導体層を備える固体電解コンデンサ。 - 酸化物被膜と、金属イオン及び有機塩基が溶解した溶液との反応が、非電場下の化学反応を利用したものである請求項1〜3のいずれかに記載のコンデンサ。
- 金属イオン及び有機塩基が溶解した溶液のpHが11以上である請求項1〜3のいずれかに記載のコンデンサ。
- 複合酸化物膜の比誘電率が80〜15000である請求項1〜3のいずれかに記載のコンデンサ。
- 複合酸化物膜の厚みが1nm〜4000nmである請求項1〜3のいずれかに記載のコンデンサ。
- 弁作用金属元素がチタン元素である請求項1〜3のいずれかに記載のコンデンサ。
- 金属イオンがバリウムイオンである請求項1〜3のいずれかに記載のコンデンサ。
- 請求項1〜9のいずれかに記載のコンデンサを使用した電子部品。
- 請求項1〜9のいずれかに記載のコンデンサを使用したプリント基板。
- 請求項1〜9のいずれかに記載のコンデンサを使用した電子機器。
- 弁作用金属元素の電解酸化によって酸化物被膜を形成する工程と、形成した酸化物被膜を金属イオン及び有機塩基が溶解した溶液と反応させる工程を少なくとも含むコンデンサの製造方法。
- 弁作用金属元素の電解酸化によって酸化物被膜を形成する工程と、形成した酸化物被膜を金属イオン及び有機塩基が溶解した溶液と反応させる工程と、焼成する工程を少なくとも含むコンデンサの製造方法。
- 弁作用金属元素の電解酸化によって酸化物被膜を形成する工程と、形成した酸化物被膜を金属イオン及び有機塩基が溶解した溶液と反応させる工程と、該複合酸化物膜の上に固体電解質層を積層する工程と、該固体電解質層の上に導体層を積層する工程を少なくとも含む固体電解コンデンサの製造方法。
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