JPS60116119A - Ｔｉ金属層とＢａＴｉＯ↓３被膜よりなる複合体及びその製造方法 - Google Patents
Ｔｉ金属層とＢａＴｉＯ↓３被膜よりなる複合体及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS60116119A JPS60116119A JP22484483A JP22484483A JPS60116119A JP S60116119 A JPS60116119 A JP S60116119A JP 22484483 A JP22484483 A JP 22484483A JP 22484483 A JP22484483 A JP 22484483A JP S60116119 A JPS60116119 A JP S60116119A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- chemical conversion
- metal layer
- bati03
- mol
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
電子機器の小形、軽量化を実現さ−Ｖるための各種電子
部品の急速な発達に伴い、特に混成集積回路においては
、その小形、軽量化、＋！’４性能化、＋！ｌｉ周波化
等が強く要望されζいる。混成集積回路は、１）、Ｃ，
Ｌ、Ｉ’ｒ等で構成されζいるが、現在小形、軽量化の
障害とな、っζいるのはＣ，！：ｌ、であり、晶１、ｔ
１波化がｉｉＪ能であれば１−１は小さくなり、Ｃが問
題として残るごとになる。従来、混成集積回路におし）
Ｃ使用され′Ｃいる固体電解二ノンデンサ、薄膜コンデ
ンサ等は、八１、Ｔａ等の金属上にｉａ密で耐食性のあ
る酸化被膜を陽極酸化法により形成し、ごの＾１２０３
、Ｔａ２Ｏ５よりなる酸化被膜の誘電特性を利用しζ
いる。
部品の急速な発達に伴い、特に混成集積回路においては
、その小形、軽量化、＋！’４性能化、＋！ｌｉ周波化
等が強く要望されζいる。混成集積回路は、１）、Ｃ，
Ｌ、Ｉ’ｒ等で構成されζいるが、現在小形、軽量化の
障害とな、っζいるのはＣ，！：ｌ、であり、晶１、ｔ
１波化がｉｉＪ能であれば１−１は小さくなり、Ｃが問
題として残るごとになる。従来、混成集積回路におし）
Ｃ使用され′Ｃいる固体電解二ノンデンサ、薄膜コンデ
ンサ等は、八１、Ｔａ等の金属上にｉａ密で耐食性のあ
る酸化被膜を陽極酸化法により形成し、ごの＾１２０３
、Ｔａ２Ｏ５よりなる酸化被膜の誘電特性を利用しζ
いる。
ここで酸化被膜の誘電率をε、表面積を５（ｃｆｆｌ）
、厚さをｄ（ｃｍ）とすると、静電容ｆｆ１ｃ （／）
］１）は次式で与えられる。
、厚さをｄ（ｃｍ）とすると、静電容ｆｆ１ｃ （／）
］１）は次式で与えられる。
Ｃ＝ ８．８５５Ｘ １０−８ε・Ｓ／ｄ従って、小形
化のためには電極面積Ｓ、１！ｆさｄには限度があり、
同体積で大きな容量を得ようとする場合、誘電率εを大
きくすることが必要になる。高い誘電率が得られる酸化
被膜として実現に供されている主なものが、上述のＡｌ
２Ｏ３、Ｔａ２０５である。更に高い誘電率を有する複
合酸化物として、例えばＢａＴｉＯ３があり、この薄膜
をスパッタリングにより形成する方法が試みられたこと
がある。
化のためには電極面積Ｓ、１！ｆさｄには限度があり、
同体積で大きな容量を得ようとする場合、誘電率εを大
きくすることが必要になる。高い誘電率が得られる酸化
被膜として実現に供されている主なものが、上述のＡｌ
２Ｏ３、Ｔａ２０５である。更に高い誘電率を有する複
合酸化物として、例えばＢａＴｉＯ３があり、この薄膜
をスパッタリングにより形成する方法が試みられたこと
がある。
しかし、この方法による場合、所望の川底を有°づる薄
膜を形成することが難しいため、未だ実用化には至って
いない。
膜を形成することが難しいため、未だ実用化には至って
いない。
本発明は、特にコンデンサに使用し゛ζ好適な１！ａＴ
＋０３を使用した複合体及びそのＭｌ造方法を提供゛４
る４）のである。
＋０３を使用した複合体及びそのＭｌ造方法を提供゛４
る４）のである。
本発明は、１’ｉ金屈層とこのＴｉ金金層十に形成され
ｉ＋：Ｂ ａ Ｔ ＋ ０３被１模とをイ１してなる複
合体である。この１１合体は、Ｔｉ金属をＢ ａ ７＋
が０．１ ｍｏｌ／ ｅ以上含まれた強アルカリ性水溶
液中ご化成処理するごとにより得られる。
ｉ＋：Ｂ ａ Ｔ ＋ ０３被１模とをイ１してなる複
合体である。この１１合体は、Ｔｉ金属をＢ ａ ７＋
が０．１ ｍｏｌ／ ｅ以上含まれた強アルカリ性水溶
液中ご化成処理するごとにより得られる。
ごのＴｉＪ＃ｉ屈ｊ−としては、例えば次のよ・うにし
て婿だものを使用Ｊるごとがごきる。例えは、第１図へ
に２１＜１ように各種セラミック、ＩＡ扱又はカラス基
板等の基板＋４１に蒸着法、電子ヒーム范箔法、スパッ
タ法等によりＡ ｕｌ？’ｉ ＋２１を形成した後、第
Ｊ図Ｂに小すようにフ、１１−レジスト（例えはＯＮ
Ｉｔ −１＋ ３ ：東京応用化′テア１製）をマスク
にし’（Ａ ｕＩｒｆｉ（２１を部分的にエソチンク液
（ヨウ化゛アンモニウム：２■、ヨウ素： ０．３ｔ＋
、−ｊ’ルこ１−ル： ｌ（１ｍ ｊ！、水： １５１
１１７りで除去する。また、この第１図Ｂにン１〈ず基
板は、。
て婿だものを使用Ｊるごとがごきる。例えは、第１図へ
に２１＜１ように各種セラミック、ＩＡ扱又はカラス基
板等の基板＋４１に蒸着法、電子ヒーム范箔法、スパッ
タ法等によりＡ ｕｌ？’ｉ ＋２１を形成した後、第
Ｊ図Ｂに小すようにフ、１１−レジスト（例えはＯＮ
Ｉｔ −１＋ ３ ：東京応用化′テア１製）をマスク
にし’（Ａ ｕＩｒｆｉ（２１を部分的にエソチンク液
（ヨウ化゛アンモニウム：２■、ヨウ素： ０．３ｔ＋
、−ｊ’ルこ１−ル： ｌ（１ｍ ｊ！、水： １５１
１１７りで除去する。また、この第１図Ｂにン１〈ず基
板は、。
基４ｔｊ（１）十に篩ベーストのパターンをスクリーン
印刷した後、熱処理Ｊるごとにより、又は篩ペース］・
をマスク蒸着、マスクスパッタリング等で形成４゛るご
とにより得られる。この後、第１図（目こボすように、
この基板（１）上に蒸着法、電子ビーム法、スペック法
等によりＴｉ金属層（３）を形成し７、次にｇ６１図り
に示すよ・）にフＡ〜トレジストをマスクにし゛Ｃエソ
チンクにより１層（２）上以夕１のＴｉ＊属層（３）を
除去して、本発明において使用゛４るＴｉ金属Ｉｎ （
３１を得る。また、このように形成された１′ｉ金屈１
−（３）は、マスク蒸着法、マスクスパッタ法等により
１ｉｊ接得ることもできる。これを使用しごコンデンサ
を構成する場合には、先ず第１図１）の基板（１１にス
・１して化成処理を施し’（、Ｔｉ金属Ｉｎ ＋３１の
全部をＢａＴｉＯ３１Ｆｆ（４）に化成させたもの（第
１図Ｅ）、又はＴｉ金属層（３）の一部Ｃある舵面部分
だりＢａＴｉ０ａｌ搏（４）に化成さ−せたもの（ｆｆ
ｉ１図Ｆ）を得る。この後、第１図Ｇに＞Ｉｔ−１よう
にこのＢａＴｉＯ３１１Ｔ４１上に幻（仇となる八Ｕの
？ｉｉ極（５）を形成する。また、第１図１１に示すよ
うに、必要に応じ°ＣＭｎＯ２１背（６）を設けるよう
にしてもよい。
印刷した後、熱処理Ｊるごとにより、又は篩ペース］・
をマスク蒸着、マスクスパッタリング等で形成４゛るご
とにより得られる。この後、第１図（目こボすように、
この基板（１）上に蒸着法、電子ビーム法、スペック法
等によりＴｉ金属層（３）を形成し７、次にｇ６１図り
に示すよ・）にフＡ〜トレジストをマスクにし゛Ｃエソ
チンクにより１層（２）上以夕１のＴｉ＊属層（３）を
除去して、本発明において使用゛４るＴｉ金属Ｉｎ （
３１を得る。また、このように形成された１′ｉ金屈１
−（３）は、マスク蒸着法、マスクスパッタ法等により
１ｉｊ接得ることもできる。これを使用しごコンデンサ
を構成する場合には、先ず第１図１）の基板（１１にス
・１して化成処理を施し’（、Ｔｉ金属Ｉｎ ＋３１の
全部をＢａＴｉＯ３１Ｆｆ（４）に化成させたもの（第
１図Ｅ）、又はＴｉ金属層（３）の一部Ｃある舵面部分
だりＢａＴｉ０ａｌ搏（４）に化成さ−せたもの（ｆｆ
ｉ１図Ｆ）を得る。この後、第１図Ｇに＞Ｉｔ−１よう
にこのＢａＴｉＯ３１１Ｔ４１上に幻（仇となる八Ｕの
？ｉｉ極（５）を形成する。また、第１図１１に示すよ
うに、必要に応じ°ＣＭｎＯ２１背（６）を設けるよう
にしてもよい。
また、Ｔｉ金属の粉末（７）を第９図に示すようにＴｉ
棒（８）の回りに部分的に焼結さゼたものを使用するこ
とができる。これを使用してコンデンサを構成Ｊろ川音
には、先ず焼結させたわ）未（７）及び１’ｉ棒（８）
上に化成処理をし’Ｃ１１ａＴｉＯｔ被股を形成する。
棒（８）の回りに部分的に焼結さゼたものを使用するこ
とができる。これを使用してコンデンサを構成Ｊろ川音
には、先ず焼結させたわ）未（７）及び１’ｉ棒（８）
上に化成処理をし’Ｃ１１ａＴｉＯｔ被股を形成する。
次に、Ｉν・要に応じ゛（Ｍｎ０２層（９）を形成し、
この１−にカーボンＩｔ＝ｉ ａｌｌを形成した後、対
極となる電極（１１）を設（）る。（１２）は、ゲース
Ｃある。
この１−にカーボンＩｔ＝ｉ ａｌｌを形成した後、対
極となる電極（１１）を設（）る。（１２）は、ゲース
Ｃある。
水ｙ８ ｒ（ｆｉのｌｌａ” 流１θとｐＨは、後述す
る実Ｍｉ １９りで示づよ・）に、両省に、Ｌり化成条
（／ｌが定まるが、ｌｌａ”は少なくとも、 ０．１
ｍｏｌ／ ７！以］−１ｐｌ＋は少なくとも１２．２以
」がイν・要ごある。Ｉｌａｌミノ、例えば１ｌａＣＩ
２、Ｄａ（Ｎ０ｑ） ２、１ｌａ（ｆ：ｌｈｃ ００）
２、１ｌａ（Ｏｌｌ）２＋ ８１１２０等の１！Ｊ ／
８４’１１！ａ塩によりｉｆられる。また、化成渚１度
は２０℃以−１−１化成時間は２０砂以上あればよい。
る実Ｍｉ １９りで示づよ・）に、両省に、Ｌり化成条
（／ｌが定まるが、ｌｌａ”は少なくとも、 ０．１
ｍｏｌ／ ７！以］−１ｐｌ＋は少なくとも１２．２以
」がイν・要ごある。Ｉｌａｌミノ、例えば１ｌａＣＩ
２、Ｄａ（Ｎ０ｑ） ２、１ｌａ（ｆ：ｌｈｃ ００）
２、１ｌａ（Ｏｌｌ）２＋ ８１１２０等の１！Ｊ ／
８４’１１！ａ塩によりｉｆられる。また、化成渚１度
は２０℃以−１−１化成時間は２０砂以上あればよい。
本発明は、上述した通り、強誘電体である複合酸化物の
Ｂａｎｊｏｓ被１１％がＴｉ金属１−に形成された複合
体及びごの複合体が水溶液化成により初め′（形成ｉｉ
Ｊ能となった！ＵＪ １１’ＴｊＪ法である。この製法
により４ハ出したｎａＴｉ０３は、組成上、安定したべ
ＩＩフスカイト型ごあり、／＋ｔｌ密なｔｉ″／イご構
成され°（いる。本発明の複合体を［１４用−→るごと
により、二ｌンデンリ“のより小形化、軽量化、人容戸
化等がｉｉＪ能になる。
Ｂａｎｊｏｓ被１１％がＴｉ金属１−に形成された複合
体及びごの複合体が水溶液化成により初め′（形成ｉｉ
Ｊ能となった！ＵＪ １１’ＴｊＪ法である。この製法
により４ハ出したｎａＴｉ０３は、組成上、安定したべ
ＩＩフスカイト型ごあり、／＋ｔｌ密なｔｉ″／イご構
成され°（いる。本発明の複合体を［１４用−→るごと
により、二ｌンデンリ“のより小形化、軽量化、人容戸
化等がｉｉＪ能になる。
以（〜、本発明を実施例に基づいＣ説明する。
実施例１
先ず、トリクレンで脱１１ＮシたＴｉ金金扱（５０猟粗
×２０朋ｘ Ｑ、３ｎ＋ｍ ）を必要に応じて４Ｎ−１
１ＮＯ３熔液に数１１間？’ｉ ？ｆ４した後水洗し、
次に肝： １５ ｖｏ１％、ｌｌＮＯ３：２０ν０１％
、１１２０ ： ６５シＯ１％の混合７容液中、室温ご
３０〜６０秒間表面ＩＨをエソナングし、その後水洗す
るごとにより前処理したものを用意する。次に、０．１
ｍｏ＋の口ａ（Ｎ０３） ２と１ ｍｏｌのＫＯＪＩを
１０００ｃｃの水に溶１’ｆｌ シ、攪拌しながら１０
０°Ｃに胃温した／８液に−に記Ｉ）：１処理を施した
ＴＩ金１／ル娠を３０分間浸漬することにより化成処理
を施す。
×２０朋ｘ Ｑ、３ｎ＋ｍ ）を必要に応じて４Ｎ−１
１ＮＯ３熔液に数１１間？’ｉ ？ｆ４した後水洗し、
次に肝： １５ ｖｏ１％、ｌｌＮＯ３：２０ν０１％
、１１２０ ： ６５シＯ１％の混合７容液中、室温ご
３０〜６０秒間表面ＩＨをエソナングし、その後水洗す
るごとにより前処理したものを用意する。次に、０．１
ｍｏ＋の口ａ（Ｎ０３） ２と１ ｍｏｌのＫＯＪＩを
１０００ｃｃの水に溶１’ｆｌ シ、攪拌しながら１０
０°Ｃに胃温した／８液に−に記Ｉ）：１処理を施した
ＴＩ金１／ル娠を３０分間浸漬することにより化成処理
を施す。
１−記操作により形成されたＴｉ金１ボ抛表向部の被膜
をＸ線回折（銅ターケッ１−、ニッケルフィルタ）によ
り分析した結果を第２図及び表１にボす。ご。
をＸ線回折（銅ターケッ１−、ニッケルフィルタ）によ
り分析した結果を第２図及び表１にボす。ご。
（７）Ｘ線１Ｂ伍チヤートから、各々の回１ハビークが
６３岐していないので、この被膜は立方晶系ぺＵソスカ
イｌ−型の［１ａＴｉＱ３であることがｒｌＴ認できた
。表１には、参；う′のために、ＡＳＴＭカーＦ’ ５
０６２６による止方晶糸のＢａＴｉ０ｚの値を載せ（い
るが、ａ ｎ ’−３，９！１４人、Ｃ０−４，０３１
Ｊ人こある。ＢａＴｉＯ３の室温におｃＪる安定相は、
ｉＥ力品系であり、 １２１３’Ｃ以１−におい（嶽力
品糸に転移′４−る。本発明の水溶ｉ１に化成により得
られたｌ１ａＴｉＯ３は、立方晶系であり、ｒｉ＞径が
小さいごとに原因があると４５えられるが、（，１っき
りした原因は不明Ｃある。
６３岐していないので、この被膜は立方晶系ぺＵソスカ
イｌ−型の［１ａＴｉＱ３であることがｒｌＴ認できた
。表１には、参；う′のために、ＡＳＴＭカーＦ’ ５
０６２６による止方晶糸のＢａＴｉ０ｚの値を載せ（い
るが、ａ ｎ ’−３，９！１４人、Ｃ０−４，０３１
Ｊ人こある。ＢａＴｉＯ３の室温におｃＪる安定相は、
ｉＥ力品系であり、 １２１３’Ｃ以１−におい（嶽力
品糸に転移′４−る。本発明の水溶ｉ１に化成により得
られたｌ１ａＴｉＯ３は、立方晶系であり、ｒｉ＞径が
小さいごとに原因があると４５えられるが、（，１っき
りした原因は不明Ｃある。
表 １
なお、＋２００１についζは、ストリソ１−を短くして
時間をかけて感度を上げたが分岐しなかった。
時間をかけて感度を上げたが分岐しなかった。
次に、被験に対し゛ζ反躬１０」迷電イ線回ＪＪｉを１
１９だ結果を表２に示す６（１）、（２）は、夫々本実
施例と同じ条件により化成した被１１ｉ１’ある。Ｘ線
回１ハ゛によれば、（）、数／Ｉ ｍ厚４’ｄ度の化成
被験の物質を検出４°るごとかできるが、それより薄い
範囲である化成被膜表面付近の数百人厚程度の物質を、
反射１０１速電子線回折を行・うことにより史に１Ｉｌ
ｒｌｌＩＩを１１−ようとしたものである。なお、加速
電圧は１００にν、λ１．． ＝−＝ １７．９龍人゛
ごある・表２の反射高速電子線回折パターンからも化成
被験の物質は、立方晶系のＢａｌ’＋０３であることが
（ｒｍ表 ２ なお、（）を付りζあるものｃｉ、、 ’ｊｉｉ度が弱
く精度が出なかったものである。
１９だ結果を表２に示す６（１）、（２）は、夫々本実
施例と同じ条件により化成した被１１ｉ１’ある。Ｘ線
回１ハ゛によれば、（）、数／Ｉ ｍ厚４’ｄ度の化成
被験の物質を検出４°るごとかできるが、それより薄い
範囲である化成被膜表面付近の数百人厚程度の物質を、
反射１０１速電子線回折を行・うことにより史に１Ｉｌ
ｒｌｌＩＩを１１−ようとしたものである。なお、加速
電圧は１００にν、λ１．． ＝−＝ １７．９龍人゛
ごある・表２の反射高速電子線回折パターンからも化成
被験の物質は、立方晶系のＢａｌ’＋０３であることが
（ｒｍ表 ２ なお、（）を付りζあるものｃｉ、、 ’ｊｉｉ度が弱
く精度が出なかったものである。
次に、被験に対しζオージェう月ｊ１を１１って、この
被膜の組成を解析した結果を第４図に示す。第４図で、
各曲線Ａ、Ｂ、Ｃは、夫々０、Ｑａ、 Ｔｉにフいて表
面から深さ方向の組成変化を７１＜−４０本実施例によ
りＴｉ金属板に化成された被験は、組成的にもＢａＴｉ
Ｏ３であることが確認できた。
被膜の組成を解析した結果を第４図に示す。第４図で、
各曲線Ａ、Ｂ、Ｃは、夫々０、Ｑａ、 Ｔｉにフいて表
面から深さ方向の組成変化を７１＜−４０本実施例によ
りＴｉ金属板に化成された被験は、組成的にもＢａＴｉ
Ｏ３であることが確認できた。
実施例２
先ず、実施例１と同様に前処理をしたＴｉ金属板を用意
する。次に、 Ｂａ（Ｏｌｌ）２・Ｂ１１２０の濃度を
変えた溶液中にこのＴｉ金属板を１００℃、３０分の条
件で浸漬する（とにより化成処理を施した。これにより
形成された被験の晴を測定した結果を第５図の曲線へに
４くず。なお、形成された被験の里は、第２図にボず１
ｌａＴｉ０３のＸ線回折チャー１・の（ｕｏ＋回４Ｊｉ
ピーク面積からめたものである。また、口ａ（ＮＯ，）
２の濃度は０．１ｍｏｌ／ｊ！とじ、Ｋ ０１１の濃
度を変えた溶液中に前処理をしたｌ’ｉ金金金をｔｏｏ
℃、３０分の条（ＩＩで浸漬することにより化成処理を
施しム。これにより形成された被ＩＩ史の甲を測ｙ１ニ
した結果を第５図の曲線Ｂにボ“４゜第５し１より ｌ
１ａ（Ｏｆｆ）２１１゛（独の場合は、＋１．３ｍｏｌ
／ ｅ以りが好ましく、ｒｌａ（０１す。
する。次に、 Ｂａ（Ｏｌｌ）２・Ｂ１１２０の濃度を
変えた溶液中にこのＴｉ金属板を１００℃、３０分の条
件で浸漬する（とにより化成処理を施した。これにより
形成された被験の晴を測定した結果を第５図の曲線へに
４くず。なお、形成された被験の里は、第２図にボず１
ｌａＴｉ０３のＸ線回折チャー１・の（ｕｏ＋回４Ｊｉ
ピーク面積からめたものである。また、口ａ（ＮＯ，）
２の濃度は０．１ｍｏｌ／ｊ！とじ、Ｋ ０１１の濃
度を変えた溶液中に前処理をしたｌ’ｉ金金金をｔｏｏ
℃、３０分の条（ＩＩで浸漬することにより化成処理を
施しム。これにより形成された被ＩＩ史の甲を測ｙ１ニ
した結果を第５図の曲線Ｂにボ“４゜第５し１より ｌ
１ａ（Ｏｆｆ）２１１゛（独の場合は、＋１．３ｍｏｌ
／ ｅ以りが好ましく、ｒｌａ（０１す。
の濃度が増ずにｉｉ（、、って化成被成の形成…が増加
する。また、０．１ｍｏｌ／ ７！のｌｌａ’＋が存在
する場合には、Ｒｏｌ＋が＋１ 、８ｍｏ ｌ ／ ７
！以上ごあれば化成被膜が肖られる。このＪハ合、＋＋
０１１濃度が１．０より増すと、被映形成塑は逆に減
少する。Ｂａ２４が０．１ｍｏｌ／７！より１・（は、
Ｋ （Ｉｌｌのび１度を変え゛（も化成被膜はｉｉｌら
柱なかった。即も、（１，１ｍｏ１／］のｌ１ａ２＋と
０．８ｍｏｌ／７！の＋＋ ０１１は、化成条イ／１の
１・限である。
する。また、０．１ｍｏｌ／ ７！のｌｌａ’＋が存在
する場合には、Ｒｏｌ＋が＋１ 、８ｍｏ ｌ ／ ７
！以上ごあれば化成被膜が肖られる。このＪハ合、＋＋
０１１濃度が１．０より増すと、被映形成塑は逆に減
少する。Ｂａ２４が０．１ｍｏｌ／７！より１・（は、
Ｋ （Ｉｌｌのび１度を変え゛（も化成被膜はｉｉｌら
柱なかった。即も、（１，１ｍｏ１／］のｌ１ａ２＋と
０．８ｍｏｌ／７！の＋＋ ０１１は、化成条イ／１の
１・限である。
次に、１ｌａＴｉ０３被膜の形成が１１能となるｌｌａ
”の淵用とｐｌｌとの関係を測定した結果を第７図の曲
線へに小才。ご、の曲線へでａ （１２，２，２，００
） −、Ｉ） （１２，５゜１、！ｉ２） 、、 ｃ
（１：１．０．０．１１１） 、ｄ（Ｇ（、り、（［３
，り、 ０．１０）の各点を結んだ線より右上の領域に
おいてｌｌ＋１Ｔｉ（Ｌｌ 彼１＞）か形成さ１１．た
。
”の淵用とｐｌｌとの関係を測定した結果を第７図の曲
線へに小才。ご、の曲線へでａ （１２，２，２，００
） −、Ｉ） （１２，５゜１、！ｉ２） 、、 ｃ
（１：１．０．０．１１１） 、ｄ（Ｇ（、り、（［３
，り、 ０．１０）の各点を結んだ線より右上の領域に
おいてｌｌ＋１Ｔｉ（Ｌｌ 彼１＞）か形成さ１１．た
。
訳に、ＢａＴ＋Ｏａ被肋形成の化成液濃度依存性を測定
した結果を第６図に示ｊ０この図で、曲線Ａ４；１．’
０． Ｉｍｏｌ／ ｎの口ａ（Ｎ０３） ２と１０ｍ
ｏｌ／ ｅのに０１１を含む溶液、曲線ＢはＯ，１ｍｏ
ｌ／６のＢａ（Ｎ０３） ２と５ｍｏｌ／６のＫ Ｏｌ
ｌを含む溶液、曲線Ｃは１ｍｏｌ／ｊ！のＢａ（（１１
１）２・８＋１２０を含む溶液、曲線りは０．１ｍｏｌ
／４の１ｌａ（Ｎ０ｉ） ２と１．１ｍｏｌ／ｊ！のＫ
Ｏｌｌを含む溶液で夫々測定したものである。このグ
ラフかられかる通り、化成処理温度が７０℃までは温度
の」−昇に伴っζ化成被１１］Ｊｆｔが増加するが、７
０℃以上−においては逆に減少Ｊる。
した結果を第６図に示ｊ０この図で、曲線Ａ４；１．’
０． Ｉｍｏｌ／ ｎの口ａ（Ｎ０３） ２と１０ｍ
ｏｌ／ ｅのに０１１を含む溶液、曲線ＢはＯ，１ｍｏ
ｌ／６のＢａ（Ｎ０３） ２と５ｍｏｌ／６のＫ Ｏｌ
ｌを含む溶液、曲線Ｃは１ｍｏｌ／ｊ！のＢａ（（１１
１）２・８＋１２０を含む溶液、曲線りは０．１ｍｏｌ
／４の１ｌａ（Ｎ０ｉ） ２と１．１ｍｏｌ／ｊ！のＫ
Ｏｌｌを含む溶液で夫々測定したものである。このグ
ラフかられかる通り、化成処理温度が７０℃までは温度
の」−昇に伴っζ化成被１１］Ｊｆｔが増加するが、７
０℃以上−においては逆に減少Ｊる。
次に、ＢａＴｊ０３被膜の化成処理時間依存性を測定し
た結果を第８図の曲線Ａに不ず。Ｌｌ、５ｍｏｌ／ ｌ
のＢａ（Ｏｌｌ）２・８１１２０ｉ液中、 １００℃の
条件で化成させたものである。このグラフから明らかな
ように、１１ａＴ＋０３のＭ！、Ｈ’Ａ形成量は、化成
処理時間が増えるに従っ′ζ増加するが、次第に飽和す
る。
た結果を第８図の曲線Ａに不ず。Ｌｌ、５ｍｏｌ／ ｌ
のＢａ（Ｏｌｌ）２・８１１２０ｉ液中、 １００℃の
条件で化成させたものである。このグラフから明らかな
ように、１１ａＴ＋０３のＭ！、Ｈ’Ａ形成量は、化成
処理時間が増えるに従っ′ζ増加するが、次第に飽和す
る。
次に、本実施例におりる１ｍｏｌ／ｊ２のＢａ（Ｏｌｌ
）２・１）１１２０溶液中で化成さ−ヒることにより得
られたｌ１ａＴｉ０３破ｌＩ９の走査型電子顕微鏡写真
を第３図にボ゛４゜ごの写真は、］：地に傷のある部／
７３についζ６０′（ｆｉｌｌさせ”（撮ったものであ
り、傷の奥まで水溶液化成されていることがわかる。ま
た、このＢａＴｉＯ３被欣は、＋００＋１−〜１５００
人の球状粒子で形成されている。
）２・１）１１２０溶液中で化成さ−ヒることにより得
られたｌ１ａＴｉ０３破ｌＩ９の走査型電子顕微鏡写真
を第３図にボ゛４゜ごの写真は、］：地に傷のある部／
７３についζ６０′（ｆｉｌｌさせ”（撮ったものであ
り、傷の奥まで水溶液化成されていることがわかる。ま
た、このＢａＴｉＯ３被欣は、＋００＋１−〜１５００
人の球状粒子で形成されている。
第１図Ａ −ＩＩは本発明に基づく二ｌンデン伊の製法
を承′」土４ν図、？ｆＳ ２図は本発明により化成し
た１１ａ’■０３被１模のＸ線回折パターンをボず図、
第３図は本彼股の走査ｊｆ、す電子顕微鏡４具、第４１
ツ１は本被映の深さ力量の組成変化を示す図、第５図は
被股形成即の化成液濃度依存性を不ず特性図、第６図は
被肋形成早の化成液濃度依存性をボ４−特１１Ｉ図、第
７図は被膜が形成可能となるＢａ２＋の濃度と１＋１１
との関係をボす特４１１図、第８図は被膜形成１７」の
化成処理時間依存性を小ず特性図、第９１ツ目」、）発
明に基づくごｌンデンザの１ｇ１面図である。 同 松 Ｉｌｌ！ 秀 盛：″ □、パ・第４図 第５１・１ 化へ°浪濠隋（轡）／ｚ） 第６図 化１；”ｘ Ｌｒｔ Ｓ’Ｅｘ 贋Ｃ’Ｃ）Ｘｌ’５
’／ Ｉ火１ 第８図 第９図 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表小 昭和５８年特許願第 ２２４８４４号 ２、発明の名称 Ｉｌｌ ｉ金属層とＢａ’ｌ’ｉＵ３
被ｒｓよりなイ複合体及びその製造方法 ３．１山正をする各 ｊＪ脣牛との関１系 特ｒｔ’＋出１（ｉｊｉ人住新住
所京部品用回能品用６１泪７計３５号名称４２１８１
ソニー株式会社 代表取締役 大 ｒ′ｉ 典 Ｊ’ＪＵ。 ５、油止命令の目付 昭和５９年２ＪＩ２８［Ｊ６、抽
正により増加する発明の数 ン［本彼族の粒子悄３Ａンｚ３ｅ丁走萱型電子細欧睨写
具」と抽正す瓦 四 ←
を承′」土４ν図、？ｆＳ ２図は本発明により化成し
た１１ａ’■０３被１模のＸ線回折パターンをボず図、
第３図は本彼股の走査ｊｆ、す電子顕微鏡４具、第４１
ツ１は本被映の深さ力量の組成変化を示す図、第５図は
被股形成即の化成液濃度依存性を不ず特性図、第６図は
被肋形成早の化成液濃度依存性をボ４−特１１Ｉ図、第
７図は被膜が形成可能となるＢａ２＋の濃度と１＋１１
との関係をボす特４１１図、第８図は被膜形成１７」の
化成処理時間依存性を小ず特性図、第９１ツ目」、）発
明に基づくごｌンデンザの１ｇ１面図である。 同 松 Ｉｌｌ！ 秀 盛：″ □、パ・第４図 第５１・１ 化へ°浪濠隋（轡）／ｚ） 第６図 化１；”ｘ Ｌｒｔ Ｓ’Ｅｘ 贋Ｃ’Ｃ）Ｘｌ’５
’／ Ｉ火１ 第８図 第９図 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表小 昭和５８年特許願第 ２２４８４４号 ２、発明の名称 Ｉｌｌ ｉ金属層とＢａ’ｌ’ｉＵ３
被ｒｓよりなイ複合体及びその製造方法 ３．１山正をする各 ｊＪ脣牛との関１系 特ｒｔ’＋出１（ｉｊｉ人住新住
所京部品用回能品用６１泪７計３５号名称４２１８１
ソニー株式会社 代表取締役 大 ｒ′ｉ 典 Ｊ’ＪＵ。 ５、油止命令の目付 昭和５９年２ＪＩ２８［Ｊ６、抽
正により増加する発明の数 ン［本彼族の粒子悄３Ａンｚ３ｅ丁走萱型電子細欧睨写
具」と抽正す瓦 四 ←
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｔｉ金金属Ｎと該Ｔｉ金１．ｉｆｌ ＩＮ Ｊ−に
形成された１１ａＴｉＯ１被膜とをｒｆシてなる複合体
。 ２、ＴＩ金金属！１ａ２＋を０．１ ｍｏｌ／ １以上
含む強゛１ルカリ性水溶液中で化成処理することにより
ＢａＴｉＯｓ被映を形成させることを特徴とする１′ｉ
＠屈層とＢａＴｉＯ３被膜よりなる複合体の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22484483A JPS60116119A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | Ｔｉ金属層とＢａＴｉＯ↓３被膜よりなる複合体及びその製造方法 |
| EP84308202A EP0146284B1 (en) | 1983-11-29 | 1984-11-27 | Methods of manufacturing dielectric metal titanates |
| DE8484308202T DE3472420D1 (en) | 1983-11-29 | 1984-11-27 | Methods of manufacturing dielectric metal titanates |
| US06/675,448 US4587041A (en) | 1983-11-29 | 1984-11-28 | Method for manufacturing dielectric metal titanate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22484483A JPS60116119A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | Ｔｉ金属層とＢａＴｉＯ↓３被膜よりなる複合体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60116119A true JPS60116119A (ja) | 1985-06-22 |
Family
ID=16820053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22484483A Pending JPS60116119A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | Ｔｉ金属層とＢａＴｉＯ↓３被膜よりなる複合体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60116119A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007074875A1 (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-05 | Showa Denko K. K. | 複合酸化物膜及びその製造方法、複合体及びその製造方法、誘電材料、圧電材料、コンデンサ並びに電子機器 |
| WO2007074874A1 (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-05 | Showa Denko K. K. | 複合酸化物膜及びその製造方法、複合体及びその製造方法、誘電材料、圧電材料、コンデンサ、圧電素子並びに電子機器 |
| WO2007077883A1 (ja) | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Showa Denko K. K. | コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2007284312A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Showa Denko Kk | 複合酸化物膜の製造方法、その製造方法で得られる複合体、該複合体を含む誘電材料、圧電材料、コンデンサ、圧電素子並びに電子機器 |
| WO2008090985A1 (ja) * | 2007-01-26 | 2008-07-31 | Showa Denko K.K. | コンデンサ材料およびその製造方法、ならびにその材料を含むコンデンサ、配線板および電子機器 |
| US8524324B2 (en) | 2005-07-29 | 2013-09-03 | Showa Denko K.K. | Complex oxide film and method for producing same, dielectric material including complex oxide film, piezoelectric material, capacitor, piezoelectric element, and electronic device |
-
1983
- 1983-11-29 JP JP22484483A patent/JPS60116119A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8524324B2 (en) | 2005-07-29 | 2013-09-03 | Showa Denko K.K. | Complex oxide film and method for producing same, dielectric material including complex oxide film, piezoelectric material, capacitor, piezoelectric element, and electronic device |
| JP5094415B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2012-12-12 | 昭和電工株式会社 | 複合酸化物膜及びその製造方法、複合体及びその製造方法、誘電材料、圧電材料、コンデンサ並びに電子機器 |
| WO2007074874A1 (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-05 | Showa Denko K. K. | 複合酸化物膜及びその製造方法、複合体及びその製造方法、誘電材料、圧電材料、コンデンサ、圧電素子並びに電子機器 |
| WO2007077883A1 (ja) | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Showa Denko K. K. | コンデンサ及びその製造方法 |
| WO2007074875A1 (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-05 | Showa Denko K. K. | 複合酸化物膜及びその製造方法、複合体及びその製造方法、誘電材料、圧電材料、コンデンサ並びに電子機器 |
| US7697267B2 (en) | 2005-12-28 | 2010-04-13 | Showa Denko K.K. | Capacitor and method for manufacturing same |
| US8486493B2 (en) | 2005-12-28 | 2013-07-16 | Showa Denko K.K. | Complex oxide film and method for producing same, composite body and method for producing same, dielectric material, piezoelectric material, capacitor and electronic device |
| US8486492B2 (en) | 2005-12-28 | 2013-07-16 | Showa Denko K.K. | Complex oxide film and method for producing same, composite body and method for producing same, dielectric material, piezoelectric material, capacitor, piezoelectric element and electronic device |
| JP2007284312A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Showa Denko Kk | 複合酸化物膜の製造方法、その製造方法で得られる複合体、該複合体を含む誘電材料、圧電材料、コンデンサ、圧電素子並びに電子機器 |
| US8254082B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-08-28 | Showa Denko K.K. | Capacitor material, production method of the same, and capacitor, wiring board and electronic device containing that material |
| JPWO2008090985A1 (ja) * | 2007-01-26 | 2010-05-20 | 昭和電工株式会社 | コンデンサ材料およびその製造方法、ならびにその材料を含むコンデンサ、配線板および電子機器 |
| WO2008090985A1 (ja) * | 2007-01-26 | 2008-07-31 | Showa Denko K.K. | コンデンサ材料およびその製造方法、ならびにその材料を含むコンデンサ、配線板および電子機器 |
| JP5302692B2 (ja) * | 2007-01-26 | 2013-10-02 | 昭和電工株式会社 | コンデンサ材料およびその製造方法、ならびにその材料を含むコンデンサ、配線板および電子機器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Pyun et al. | In situ spectroelectrochemical studies on anodic oxidation of copper in alkaline solution | |
| US4587041A (en) | Method for manufacturing dielectric metal titanate | |
| Hummel et al. | The passivation of nickel in aqueous solutions—I. The identification of insoluble corrosion products on nickel electrodes using optical and ESCA techniques | |
| Visscher et al. | Anodic oxide films of nickel in alkaline electrolyte | |
| Esplandiu et al. | Characterization of hafnium anodic oxide films: an AC impedance investigation | |
| da Fonseca et al. | Characterisation of titanium passivation films by in situ ac impedance measurements and XPS analysis | |
| JPS60116119A (ja) | Ｔｉ金属層とＢａＴｉＯ↓３被膜よりなる複合体及びその製造方法 | |
| DE19953946A1 (de) | Kondensatorpulver | |
| DE2743842A1 (de) | Trockenelektrolytkondensator und verfahren zu dessen herstellung | |
| Kim et al. | Band structures of passive films on titanium in simulated bioliquids determined by photoelectrochemical response: principle governing the biocompatibility | |
| Jones et al. | An electrochemical and structural investigation of the processes occurring at silver anodes in sulphuric acid | |
| JPS5989796A (ja) | 電解コンデンサ用アルミ箔の製造方法 | |
| Mayer et al. | Nucleation of silver (I) oxide investigated by spectroscopic ellipsometry | |
| McNeill | The preparation of cadmium niobate by an anodic spark reaction | |
| JPS6130678A (ja) | Ｔｉ金属層とＢａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３被膜よりなる複合体及びその製造方法 | |
| Chang et al. | Microstructure and electrochemical characteristics of aluminum anodized film formed in ammonium adipate solution | |
| Acevedo-Peña et al. | Effect of pH on the barrier layer of TiO2 nanoporous films potentiostatically grown in aqueous media containing fluoride ions | |
| CN109206133A (zh) | 一种超低损耗钽系巨介电常数介质材料及其制备方法 | |
| Neufeld et al. | The Development of Pore and Cellular Structures in Anodic Al2O3 Films | |
| JPS60121276A (ja) | Ｔｉ金属層とＳｒＴｉＯ↓３被膜よりなる複合体及びその製造方法 | |
| JP4129103B2 (ja) | 色素増感型太陽電池用色素結合電極およびこれを用いた色素増感型太陽電池 | |
| Peverelli et al. | Investigations of fundamental properties of the silver/silver iodide film electrode | |
| JP2003146659A (ja) | 複合チタン酸化被膜の形成方法およびチタン電解コンデンサ | |
| DE1639060B1 (de) | Duennschichtkondensator | |
| RU1838455C (ru) | Способ нанесени пленок титаната бари |