JP3235145B2 - チタン酸バリウム薄膜の形成方法 - Google Patents

チタン酸バリウム薄膜の形成方法

Info

Publication number
JP3235145B2
JP3235145B2 JP31549791A JP31549791A JP3235145B2 JP 3235145 B2 JP3235145 B2 JP 3235145B2 JP 31549791 A JP31549791 A JP 31549791A JP 31549791 A JP31549791 A JP 31549791A JP 3235145 B2 JP3235145 B2 JP 3235145B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
barium titanate
aqueous solution
titanium
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP31549791A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH05124817A (ja
Inventor
良夫 安部
幸生 浜地
行雄 坂部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP31549791A priority Critical patent/JP3235145B2/ja
Priority to FR9212890A priority patent/FR2683389B1/fr
Priority to DE19924236551 priority patent/DE4236551B4/de
Priority to US07/969,027 priority patent/US5328718A/en
Publication of JPH05124817A publication Critical patent/JPH05124817A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3235145B2 publication Critical patent/JP3235145B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02197—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides the material having a perovskite structure, e.g. BaTiO3
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/31691—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass with perovskite structure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
    • H10N30/074—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
    • H10N30/077—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing by liquid phase deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
    • H10N30/853—Ceramic compositions
    • H10N30/8536—Alkaline earth metal based oxides, e.g. barium titanates

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、強誘電体薄膜の形成
方法、詳しくは、種々の基材上に強誘電体であるチタン
酸バリウムの薄膜を、複雑な工程によることなく、簡便
に形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）は、
強誘電体材料、圧電体材料、焦電体材料として優れた性
質を有し、超音波センサ、コンデンサ、アクチュエー
タ、焦電型赤外線センサ、不揮発性メモリーなどの種々
のデバイスに幅広く利用されており、さらに多くの分野
への応用が試みられている。そして、チタン酸バリウム
をこれらのデバイスに応用する場合、その特性を有効に
利用するために、チタン酸バリウムを薄膜として用いる
ことが一般的である。
【０００３】そして、基材上にチタン酸バリウム（Ｂａ
ＴｉＯ3）薄膜を形成する方法としては、従来より、(１) 基材でもあるチタン金属表面を化成処理する方法
（例えば、特開昭６１−３０６７８号）、(２) スパッタ蒸発したターゲット物質を基板（基材）上
に沈着させて薄膜を形成するスパッタリング法（例え
ば、特開平２−９４２０９号）によるもの、(３) プラズマを利用して薄膜を形成するプラズマ蒸着法
によるもの（例えば、特開平２−２５８７００号）、(４) 湿式の薄膜形成方法である水熱電気化学法によるも
の（例えば、ＪＪＡＰＶｏｌ．２８ No.１１（１９８
９））、 など種々の形成方法が知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来のＢ
ａＴｉＯ3薄膜の形成方法には、それぞれ次のような問
題点がある。すなわち、(１) のチタン金属表面を化成処理する方法は、基材がチ
タン金属に限定され、チタン以外の材料を基材として用
いる場合には適用することができない、(２) のスパッタリング法は、複雑で高価な装置を必要と
し、設備費用が大きくなる、(３) のプラズマ蒸着法は、複雑で大掛かりな装置を必要
とし、さらに、高温に耐える基材にしか適用できない、(４) の水熱電気化学法は、基材自体を電極として用いる
ため、良導性の金属基材にしか適用することができず、
また、オートクレーブを用いて高温高圧下で成膜するた
め、耐熱性の小さい有機基材には適用できない、など種
々の問題点を包含している。
【０００５】この発明は上記問題点を解決するものであ
り、複雑で大掛かりな設備や、厳しい成膜条件を必要と
することなく、無機材料、金属材料、有機材料及びこれ
らの複合材料などの種々の材料からなる基材の表面にチ
タン酸バリウム薄膜を簡便に形成することが可能なチタ
ン酸バリウム薄膜の形成方法を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】チタン酸バリウムの湿式
製造方法としては、チタンのアルコキシドを加水分解さ
せてバリウムと低温で反応させることにより、チタン酸
バリウムの粉体を得る方法が知られている。発明者等
は、この方法を様々な角度から検討するとともに、鋭意
実験研究を行い、チタンのアルコキシドの加水分解速度
を抑制することにより、生成するチタン酸バリウムが粉
体とならずに、薄膜となることを知り、この発明を完成
した。
【０００７】すなわち、この発明のチタン酸バリウム薄
膜の形成方法は、バリウム（Ｂａ）イオン及びチタン
（Ｔｉ）のアルコキシドを含有する水溶液に基材を浸漬
することにより、該水溶液中において、該基材の表面に
チタン酸バリウム薄膜を形成することを特徴としてい
る。
【０００８】上記水溶液としては、バリウム（Ｂａ）及
びチタン（Ｔｉ）のアルコキシドをそれぞれ、Ｂａ2+，
Ｔｉ（IV）に換算して、 Ｂａ2+ ：０．０１〜１５０mM/l Ｔｉ（IV）：０．０１〜５００mM/l の範囲で含有させることが好ましい。
【０００９】また、上記水溶液の温度は、５０〜１１０
℃の範囲にあることが好ましい。
【００１０】また、上記水溶液のｐＨは、１３以上であ
ることが好ましい。
【００１１】さらに、上記チタン（Ｔｉ）のアルコキシ
ドとしては、アルカノールアミン変性したアルコキシド
を用いることが好ましい。
【００１２】この発明のチタン酸バリウム薄膜の形成方
法における薄膜形成のメカニズムは、概略以下のように
説明される。すなわち、チタンのアルコキシドの加水分
解速度、水溶液のイオン濃度、水溶液の温度、ｐＨなど
の諸条件が適当な領域にあるとき、チタン酸バリウム
は、水溶液中で沈殿（すなわち粉体）を生じるような均
一核形成を行わず、水溶液中に浸漬した基材の表面及び
容器の壁面などの固体表面で不均一核形成を行い、その
核が成長することによって、チタン酸バリウムの薄膜を
形成する。
【００１３】したがって、この発明のチタン酸バリウム
薄膜の形成方法によれば、組成を調整した水溶液に基材
を浸漬するだけで、該水溶液中において、該基材の表面
にチタン酸バリウム薄膜を形成することが可能になるた
め、複雑な工程を必要とすることなく、基材の表面に均
一なチタン酸バリウム薄膜を形成することができる。
【００１４】
【実施例】以下に、この発明の実施例を比較例とともに
示して、発明の特徴をさらに詳しく説明する。
【００１５】表１は、この発明の実施例及び比較例にお
ける水溶液（浸漬液）の組成や水溶液の温度（液温）な
どの薄膜形成条件を示す表である。なお、表１において
＊印を付した試験番号１，２は、この発明の範囲外の比
較例の薄膜形成条件を示すものである。
【００１６】
【表１】
【００１７】この実施例及び比較例では、各成分が表１
に示す濃度になるように、試薬特級の硝酸バリウム、エ
タノールアミン変性チタンブトキシド（ＴＢＥＡ）及び
水酸化カリウムを、イオン交換水に溶解して浸漬液を調
製する。なお、エタノールアミン変性チタンブトキシド
は、チタンブトキシドの４つのブトキシ基の一部または
全部をエタノールアミンで置換したものを用いている。
【００１８】なお、チタンのアルコキシドとしては、チ
タンブトキシドに限られるものではなく、チタンエトキ
シドやチタンプロポキシドなど他のチタンアルコキシド
を用いることが可能である。
【００１９】また、アルカノールアミン変性したチタン
ブトキシドとしては、エタノールアミン変性したものに
限らず、例えば、プロパノールアミンなどの他のアルカ
ノールアミンで変性したチタンブトキシドを用いること
も可能である。
【００２０】上記水溶液のｐＨは、水酸化カリウムの添
加量を増減することによって調整する。また、加水分解
速度を一定に保つために、上記水溶液にトリエタノール
アミンを５vol％添加する。
【００２１】このようにして調製された水溶液（浸漬
液）１００mlをフッ素樹脂（テフロン）容器に入れ、こ
れに１０×１５×２mmの大きさのアルミナ焼結体、スラ
イドガラス及び白金からなる各基板を浸漬し、表１に示
す液温で２０時間保持して反応を行わせた。
【００２２】その結果、試験番号１，２（浸漬液の組成
がこの発明の範囲外である比較例）以外の試料について
は、基板表面に均一なチタン酸バリウム薄膜が形成され
ていることが認められた。
【００２３】一方、Ｂａ2+イオンまたは、エタノールア
ミン変性チタンブトキシドの濃度が０．０１mM/l未満
（試験番号１（Ｂａ2+＝０．００５mM/l）及び試験番号
２（ＴＢＥＡ＝０．００５mM/l））になると均一な薄膜
が形成されなかった。また、表１には示していないが、
Ｂａ2+イオンの濃度が１５０mM/lを越えた場合（例え
ば、Ｂａ2+＝３００mM/l）及びエタノールアミン変性チ
タンブトキシドの濃度が５００mM/lを越えた場合（例え
ば、ＴＢＥＡ＝７００mM/l）には、水溶液中で均一核形
成が行われて直接沈殿が生成してしまい、チタン酸バリ
ウムの薄膜は形成されなかった。
【００２４】したがって、水溶液（浸漬液）の成分濃度
としては、Ｂａ2+イオンが０．０１〜１５０mM/l 、エ
タノールアミン変性チタンブトキシドが０．０１〜５０
０mM/lの範囲にあることが好ましい。
【００２５】また、水溶液の温度が５０℃未満になると
結晶質のチタン酸バリウム薄膜が得られず、また、水溶
液の温度が１１０℃を越えると気泡が基板表面に付着
し、薄膜の連続性、均一性が急激に悪化する。したがっ
て、水溶液の温度は、５０〜１１０℃の範囲に調整する
ことが好ましい。
【００２６】さらに、水溶液のｐＨが１３未満になると
チタン酸バリウム以外の相が析出するため、水溶液のｐ
Ｈは１３以上であることが好ましい。
【００２７】なお、上記実施例においては、チタン酸バ
リウム薄膜を形成する基材として、アルミナ焼結体、ス
ライドガラス及び白金からなる各基板を用いた場合につ
いて説明したが、この発明は、これら以外の材料からな
る基板や、さらには、基板以外のフォイルなどを基材と
して、これにチタン酸バリウム薄膜を形成する場合に広
く適用することができる。
【００２８】また、基材を水溶液に浸漬することにより
チタン酸バリウム薄膜を形成するので、基材が複雑な形
状を有している場合にも、その表面にチタン酸バリウム
薄膜を確実に形成することができる。
【００２９】
【発明の効果】上述のように、この発明のチタン酸バリ
ウム薄膜の形成方法は、バリウムイオン及びチタンのア
ルコキシドを含有する水溶液に基材を浸漬することによ
り、該水溶液中において、該基材の表面にチタン酸バリ
ウム薄膜を形成するようにしているので、水溶液に基材
を浸漬するだけで、容易かつ経済的に、基材表面の広い
面積に緻密で均一な強誘電性のチタン酸バリウム薄膜を
形成することができる。
【００３０】また、基材を構成する材料の種類や、基材
の形状を問わず、基材表面にチタン酸バリウム薄膜を直
接形成することが可能になるため、基材を構成する材料
や形状の選択の自由度が向上し、さらにその応用分野を
拡大することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−362014（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−286922（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−30678（ＪＰ，Ａ) 日本セラミックス協会学術論文誌 98 ［８］ｐ743−48（1990) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C01G 23/00 ＣＡ（ＳＴＮ)

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 バリウム（Ｂａ）イオン及びチタン（Ｔ
    ｉ）のアルコキシドを含有する水溶液に基材を浸漬する
    ことにより、該水溶液中において、該基材の表面にチタ
    ン酸バリウム薄膜を形成することを特徴とするチタン酸
    バリウム薄膜の形成方法。
  2. 【請求項２】 前記水溶液が、バリウム（Ｂａ）及びチ
    タン（Ｔｉ）のアルコキシドをそれぞれ、Ｂａ2+，Ｔｉ
    （IV）に換算して、 Ｂａ2+ ：０．０１〜１５０mM/l Ｔｉ（IV）：０．０１〜５００mM/l の範囲で含有することを特徴とする請求項１記載のチタ
    ン酸バリウム薄膜の形成方法。
  3. 【請求項３】 前記水溶液の温度が、５０〜１１０℃の
    範囲にあることを特徴とする請求項１または２記載のチ
    タン酸バリウム薄膜の形成方法。
  4. 【請求項４】 前記水溶液のｐＨが、１３以上であるこ
    とを特徴とする請求項１，２または３記載のチタン酸バ
    リウム薄膜の形成方法。
  5. 【請求項５】 前記チタン（Ｔｉ）のアルコキシドが、
    アルカノールアミン変性したアルコキシドであることを
    特徴とする請求項１記載のチタン酸バリウム薄膜の形成
    方法。
JP31549791A 1991-11-01 1991-11-01 チタン酸バリウム薄膜の形成方法 Expired - Fee Related JP3235145B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31549791A JP3235145B2 (ja) 1991-11-01 1991-11-01 チタン酸バリウム薄膜の形成方法
FR9212890A FR2683389B1 (fr) 1991-11-01 1992-10-28 Production des films minces de titanate de baryum.
DE19924236551 DE4236551B4 (de) 1991-11-01 1992-10-29 Herstellung von Bariumtitanat-Dünnfilmen
US07/969,027 US5328718A (en) 1991-11-01 1992-10-30 Production of barium titanate thin films

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31549791A JP3235145B2 (ja) 1991-11-01 1991-11-01 チタン酸バリウム薄膜の形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05124817A JPH05124817A (ja) 1993-05-21
JP3235145B2 true JP3235145B2 (ja) 2001-12-04

Family

ID=18066082

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31549791A Expired - Fee Related JP3235145B2 (ja) 1991-11-01 1991-11-01 チタン酸バリウム薄膜の形成方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5328718A (ja)
JP (1) JP3235145B2 (ja)
DE (1) DE4236551B4 (ja)
FR (1) FR2683389B1 (ja)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3225583B2 (ja) * 1992-04-10 2001-11-05 株式会社村田製作所 チタン酸バリウム薄膜形成方法
US5624604A (en) * 1994-05-09 1997-04-29 Yasrebi; Mehrdad Method for stabilizing ceramic suspensions
US5962654A (en) * 1998-01-30 1999-10-05 International Business Machines Operation Alkoxyalkoxides and use to form films
US6002031A (en) * 1998-09-04 1999-12-14 International Business Machines Corporation Metal alkoxyalkoxidecarboxylates and use to form films
US6503573B1 (en) 1998-09-29 2003-01-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Bomb annealing of thin films
TW490439B (en) * 1999-12-10 2002-06-11 Nat Science Council Method for preparing a barium fluorotitante (BaTiF6) powder and depositing a barium titanate (BaTiO3) thin film on a silicon wafer
US6589457B1 (en) 2000-07-31 2003-07-08 The Regents Of The University Of California Polymer-assisted aqueous deposition of metal oxide films
TW200302296A (en) * 2001-11-12 2003-08-01 Toho Titanium Co Ltd Composite titanium oxide film and method for formation thereof and titanium electrolytic capacitor
US20040135095A1 (en) * 2003-01-13 2004-07-15 Holmquist Glenn Allen Gamma detecting discharge device and method of forming the same
WO2007013596A1 (ja) 2005-07-29 2007-02-01 Showa Denko K. K. 複合酸化物膜およびその製造方法、複合酸化物膜を含む誘電材料、圧電材料、コンデンサ、圧電素子並びに電子機器
CN101351857B (zh) 2005-12-28 2011-10-19 昭和电工株式会社 电容器及其制造方法
JP5179197B2 (ja) * 2005-12-28 2013-04-10 昭和電工株式会社 複合酸化物膜及びその製造方法、複合体及びその製造方法、誘電材料、圧電材料、コンデンサ、圧電素子並びに電子機器
JP5094415B2 (ja) * 2005-12-28 2012-12-12 昭和電工株式会社 複合酸化物膜及びその製造方法、複合体及びその製造方法、誘電材料、圧電材料、コンデンサ並びに電子機器
US8882983B2 (en) 2008-06-10 2014-11-11 The Research Foundation For The State University Of New York Embedded thin films
WO2012008041A1 (ja) * 2010-07-12 2012-01-19 株式会社ユーテック 強誘電体膜、ゾルゲル溶液、成膜方法及び強誘電体膜の製造方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3002861A (en) * 1957-06-07 1961-10-03 Lydia A Suchoff Method of producing a coating of barium titanate
US3292994A (en) * 1963-05-07 1966-12-20 Horizons Inc Controlled particle size batio3
US4606906A (en) * 1984-11-15 1986-08-19 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce Process of synthesizing mixed BaO-TiO2 based powders for ceramic applications
US4636378A (en) * 1985-06-11 1987-01-13 Hughes Aircraft Company Method of preparation of perovskite-type compounds
DE3776164D1 (de) * 1986-03-14 1992-03-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd Verfahren zur herstellung von komplexen perovskittypverbindungen.
US4710227A (en) * 1986-04-28 1987-12-01 The Dow Chemical Company Dispersion process for ceramic green body
US4764493A (en) * 1986-06-16 1988-08-16 Corning Glass Works Method for the production of mono-size powders of barium titanate
FR2617151B1 (fr) * 1987-06-29 1990-10-12 Solvay Procede pour la fabrication d'une poudre d'oxydes metalliques mixtes, et poudres d'oxydes metalliques mixtes
DE3869236D1 (de) * 1987-07-02 1992-04-23 Mitsui Petrochemical Ind Verfahren zur herstellung von bariumtitanaten.
US5087437A (en) * 1988-01-15 1992-02-11 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for preparing crystalline mixed metal oxides
JPH01286922A (ja) * 1988-05-12 1989-11-17 Toray Ind Inc チタン酸バリウム薄膜の形成方法
FR2636060A1 (fr) * 1988-09-02 1990-03-09 Thomson Csf Procede de fabrication de materiau ceramique par voie chimique hybride et materiau obtenu
DE375594T1 (de) * 1988-12-23 1990-11-08 United Technologies Corp., Hartford, Conn., Us Herstellung duenner ferroelektrischer filme.
US5032559A (en) * 1989-05-05 1991-07-16 Gte Products Corporation Method of preparing barium, titanium, zirconium oxide ferroelectric ceramic compositions
EP0438593B1 (en) * 1989-08-07 1995-08-16 MITSUI TOATSU CHEMICALS, Inc. Positive coefficient thin-film thermistor
JPH0383817A (ja) * 1989-08-28 1991-04-09 Takuo Sugawara チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ↓３）ゾルの調整方法
DE4017518A1 (de) * 1990-05-31 1991-12-05 Philips Patentverwaltung Verfahren zur herstellung von monolayer-kondensatoren
JPH115564A (ja) * 1997-06-17 1999-01-12 Mitsubishi Motors Corp 車両のサイドメンバ構造

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
日本セラミックス協会学術論文誌 ９８［８］ｐ７４３−４８（１９９０）

Also Published As

Publication number Publication date
DE4236551B4 (de) 2004-06-09
US5328718A (en) 1994-07-12
DE4236551A1 (ja) 1993-05-06
JPH05124817A (ja) 1993-05-21
FR2683389A1 (fr) 1993-05-07
FR2683389B1 (fr) 1995-11-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3235145B2 (ja) チタン酸バリウム薄膜の形成方法
Tani et al. Lead Oxide Coatings on Sol–Gel‐Derived Lead Lanthanum Zirconium Titanate Thin Layers for Enhanced Crystallization into the Perovskite Structure
WO1990013149A1 (en) SOL GEL PROCESS FOR PREPARING Pb(Zr,Ti)O3 THIN FILMS
AU5548290A (en) Preparation of thin film ceramics by sol gel processing
US5830242A (en) Process for producing metal oxide precipitates
JPH1131857A (ja) 圧電体構造物およびその製造方法
Wu et al. Hydrothermal formation and growth of single-and double-layer BaTiO3 and SrTiO3 films on the flexible polymer film substrates from Sol− Gel amorphous titanium oxide films
JP5008839B2 (ja) 強誘電体及びその製造方法、並びに、それを用いた強誘電体デバイス
JP3235148B2 (ja) チタン酸ストロンチウム薄膜の形成方法
JP3224905B2 (ja) 複合酸化物薄膜及びその製造方法
JP3198552B2 (ja) 複合酸化物薄膜の形成方法
JP3937538B2 (ja) Ｐｚｔ微粒子およびｐｚｔ薄膜の製造方法
EP0607967B1 (en) Production of thin films of a lead titanate system
JP3099567B2 (ja) チタン酸ジルコン酸鉛薄膜の製造方法
JP3191345B2 (ja) 複合酸化物薄膜の形成方法
JPH06211523A (ja) チタン金属とチタン酸ジルコン酸鉛膜を含む複合体の製造方法及び複合体
EP0375594A1 (en) Preparation of thin films of ferroelectric materials
Zainal et al. Effect of molar concentration on electrically resistive lead titanate thin films by simple sol-gel method
JP3531688B2 (ja) 誘電体結晶膜
JPH0585728A (ja) チタン酸バリウム薄膜の形成方法
Radonjić et al. Structural evolution of nanostructured barium titanate thin film sol–gel derived
JP2001146421A (ja) 結晶化セラミック膜の製造方法及びそのセラミック膜
JPH08169800A (ja) ＢａＴｉＯ３配向膜の製造方法
JP3111565B2 (ja) ジルコン酸鉛膜の形成方法
JP3099568B2 (ja) チタン酸鉛薄膜の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20010828

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080928

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080928

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090928

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090928

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100928

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees