JP3198552B2 - 複合酸化物薄膜の形成方法 - Google Patents
複合酸化物薄膜の形成方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、基材上にチタンと鉛
の複合酸化物（チタン酸鉛）薄膜を簡便に形成する方法
に関する。
の複合酸化物（チタン酸鉛）薄膜を簡便に形成する方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ3）は、強誘電
体材料、圧電体材料、焦電体材料として優れた性質を有
し、超音波センサ、コンデンサ、アクチュエ−タ、焦電
型赤外線センサ、不揮発性メモリーなどの種々のデバイ
スに幅広く利用されており、さらに多くの分野への応用
が試みられている。そして、チタン酸鉛をこれらのデバ
イスに応用する場合、その特性を有効に利用するため
に、チタン酸鉛を薄膜として用いることが一般的であ
る。
体材料、圧電体材料、焦電体材料として優れた性質を有
し、超音波センサ、コンデンサ、アクチュエ−タ、焦電
型赤外線センサ、不揮発性メモリーなどの種々のデバイ
スに幅広く利用されており、さらに多くの分野への応用
が試みられている。そして、チタン酸鉛をこれらのデバ
イスに応用する場合、その特性を有効に利用するため
に、チタン酸鉛を薄膜として用いることが一般的であ
る。
【０００３】従来の、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ3）薄膜
の形成方法としては、スパッタ蒸発したターゲット物質
を基板上に沈着させて薄膜を形成するスパッタ法（例え
ば、特公昭６２−４１３１１号公報）、薄膜材料である
有機金属気体の熱分解，酸化，還元，重合などにより、
薄膜組成を基板上に沈着させて薄膜を形成する化学蒸着
法（ＣＶＤ法）（例えば、特開昭６３−１７８４０８号
公報）、真空中で薄膜材料を加熱蒸発させ、蒸発粒子を
基板上に沈着させる真空蒸着法（例えば、特開平１−７
４７７８号公報）、クラスタをプラズマ中でイオン化し
てから加熱蒸着させるクラスタイオンビーム法（例え
ば、特開平１−２２２０４６号公報）、薄膜材料を基板
に塗布し、これを焼成して薄膜を形成する塗布焼付け法
（例えば、特開昭６０−２３６４０４号公報）、及び融
液からの薄膜形成法（例えば、特開昭６０−８４７１２
号公報）などの方法がある。
の形成方法としては、スパッタ蒸発したターゲット物質
を基板上に沈着させて薄膜を形成するスパッタ法（例え
ば、特公昭６２−４１３１１号公報）、薄膜材料である
有機金属気体の熱分解，酸化，還元，重合などにより、
薄膜組成を基板上に沈着させて薄膜を形成する化学蒸着
法（ＣＶＤ法）（例えば、特開昭６３−１７８４０８号
公報）、真空中で薄膜材料を加熱蒸発させ、蒸発粒子を
基板上に沈着させる真空蒸着法（例えば、特開平１−７
４７７８号公報）、クラスタをプラズマ中でイオン化し
てから加熱蒸着させるクラスタイオンビーム法（例え
ば、特開平１−２２２０４６号公報）、薄膜材料を基板
に塗布し、これを焼成して薄膜を形成する塗布焼付け法
（例えば、特開昭６０−２３６４０４号公報）、及び融
液からの薄膜形成法（例えば、特開昭６０−８４７１２
号公報）などの方法がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の薄
膜の形成方法において、スパッタ法やＣＶＤ法などの気
相法は、複雑で高価な装置を必要とし、また、高温下で
成膜するため、基材として用いることが可能な材料が制
約されるという問題点がある。さらに、原料ガスの流れ
の中に基材をさらして成膜するため、複雑な形状の基材
には成膜することができず、また、基材の形状によって
は基材の裏面にまで成膜することができないというよう
な問題点がある。
膜の形成方法において、スパッタ法やＣＶＤ法などの気
相法は、複雑で高価な装置を必要とし、また、高温下で
成膜するため、基材として用いることが可能な材料が制
約されるという問題点がある。さらに、原料ガスの流れ
の中に基材をさらして成膜するため、複雑な形状の基材
には成膜することができず、また、基材の形状によって
は基材の裏面にまで成膜することができないというよう
な問題点がある。
【０００５】また、塗布焼付け法は、塗布と焼付けを繰
り返して成膜することから、その工程が煩雑であるこ
と、複雑な形状の基材には成膜できないことなどの重大
な問題点を包含している。
り返して成膜することから、その工程が煩雑であるこ
と、複雑な形状の基材には成膜できないことなどの重大
な問題点を包含している。
【０００６】さらに、融液を急冷して薄膜を形成する方
法は、基材の材質が著しく制約され、その用途が限定さ
れるという問題点がある。
法は、基材の材質が著しく制約され、その用途が限定さ
れるという問題点がある。
【０００７】この発明は、上記の問題点を解決するもの
であり、煩雑な工程によらず、また、基材を構成する材
料の種類や形状に制約されることなく、基材の表面に、
均一で緻密なチタンと鉛の複合酸化物薄膜を形成するこ
とが可能なチタンと鉛の複合酸化物薄膜の形成方法を提
供することを目的とする。
であり、煩雑な工程によらず、また、基材を構成する材
料の種類や形状に制約されることなく、基材の表面に、
均一で緻密なチタンと鉛の複合酸化物薄膜を形成するこ
とが可能なチタンと鉛の複合酸化物薄膜の形成方法を提
供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、発明者等は、種々の実験、検討を行い、六フッ化チ
タン酸イオンとホウ酸イオンが共存するとチタン酸化物
であるチタニアが生成するが、同時に鉛イオンを共存さ
せると、鉛とチタンの複合酸化物が生成することを知
り、この発明を完成するに至った。すなわち、この発明
の複合酸化物薄膜の形成方法は、鉛イオン、六フッ化チ
タン酸イオン及びホウ酸イオンを含有する水溶液に基材
を浸漬することにより、該基材の表面にチタンと鉛の複
合酸化物薄膜を形成することを特徴とする。
め、発明者等は、種々の実験、検討を行い、六フッ化チ
タン酸イオンとホウ酸イオンが共存するとチタン酸化物
であるチタニアが生成するが、同時に鉛イオンを共存さ
せると、鉛とチタンの複合酸化物が生成することを知
り、この発明を完成するに至った。すなわち、この発明
の複合酸化物薄膜の形成方法は、鉛イオン、六フッ化チ
タン酸イオン及びホウ酸イオンを含有する水溶液に基材
を浸漬することにより、該基材の表面にチタンと鉛の複
合酸化物薄膜を形成することを特徴とする。
【０００９】上記水溶液としては、鉛イオン、六フッ化
チタン酸イオン，ホウ酸イオンを、それぞれＰｂ2+，Ｔ
ｉＦ6 2-，ＢＯ3 2-に換算して、 Ｐｂ2+ ：０．０１〜１０００mM/l ＴｉＦ6 2-：０．０１〜 ５００mM/l ＢＯ3 2- ：０．０３〜３０００mM/l の範囲で含有させることが好ましい。
チタン酸イオン，ホウ酸イオンを、それぞれＰｂ2+，Ｔ
ｉＦ6 2-，ＢＯ3 2-に換算して、 Ｐｂ2+ ：０．０１〜１０００mM/l ＴｉＦ6 2-：０．０１〜 ５００mM/l ＢＯ3 2- ：０．０３〜３０００mM/l の範囲で含有させることが好ましい。
【００１０】また、上記水溶液の温度は、５℃〜９５℃
の範囲にすることが好ましい。
の範囲にすることが好ましい。
【００１１】さらに、複合酸化物薄膜の形成後に、３０
０℃〜９００℃で熱処理を行うことにより、ペロブスカ
イト型のＰｂＴｉＯ3薄膜を得ることができる。
０℃〜９００℃で熱処理を行うことにより、ペロブスカ
イト型のＰｂＴｉＯ3薄膜を得ることができる。
【００１２】この発明の複合酸化物薄膜の形成方法にお
いては、水溶液中に六フッ化チタン酸イオン、ホウ酸イ
オン、及び鉛イオンが共存し、鉛とチタンの複合酸化物
が生成する。この複合酸化物は、イオン濃度が大きいと
きは、水溶液中で核形成し、沈殿を生じるが、水溶液の
温度やイオン濃度などが所定の条件下にある場合には、
水溶液中に浸漬された基材の表面や容器の内壁に不均一
核形成を行う。したがって、所定のイオン濃度の水溶液
を調製し、その温度を調節すること、すなわち、イオン
濃度と水溶液の温度を適度に制御することにより、基材
の表面にチタンと鉛の複合酸化物薄膜を容易に形成する
ことができる。
いては、水溶液中に六フッ化チタン酸イオン、ホウ酸イ
オン、及び鉛イオンが共存し、鉛とチタンの複合酸化物
が生成する。この複合酸化物は、イオン濃度が大きいと
きは、水溶液中で核形成し、沈殿を生じるが、水溶液の
温度やイオン濃度などが所定の条件下にある場合には、
水溶液中に浸漬された基材の表面や容器の内壁に不均一
核形成を行う。したがって、所定のイオン濃度の水溶液
を調製し、その温度を調節すること、すなわち、イオン
濃度と水溶液の温度を適度に制御することにより、基材
の表面にチタンと鉛の複合酸化物薄膜を容易に形成する
ことができる。
【００１３】
【実施例】以下に、この発明の実施例を比較例とともに
示して、この発明の特徴をさらに詳しく説明する。
示して、この発明の特徴をさらに詳しく説明する。
【００１４】表１は、この発明の実施例及び比較例の水
溶液の組成（イオン濃度）や水溶液の温度（液温）など
の薄膜形成条件を示す表である。なお、表１において＊
印を付した試験番号１及び２は、この発明の範囲外の比
較例の薄膜形成条件を示すものである。
溶液の組成（イオン濃度）や水溶液の温度（液温）など
の薄膜形成条件を示す表である。なお、表１において＊
印を付した試験番号１及び２は、この発明の範囲外の比
較例の薄膜形成条件を示すものである。
【００１５】
【表１】
【００１６】実施例においては、各成分が表１に示すイ
オン濃度になるように、試薬特級の塩化鉛、酢酸鉛、硝
酸鉛、六フッ化チタン酸、及びホウ酸をイオン交換水に
溶解し、浸漬液を調製する。そして、この浸漬液１００
mlをポリスチレン容器に入れ、これに１０×１５×２mm
の大きさのアルミナ焼結体、スライドガラス、及び白金
からなる基板を浸漬してポリスチレン容器を密閉し、表
１に示す液温で１２時間から７２時間保持して反応を行
わせた。
オン濃度になるように、試薬特級の塩化鉛、酢酸鉛、硝
酸鉛、六フッ化チタン酸、及びホウ酸をイオン交換水に
溶解し、浸漬液を調製する。そして、この浸漬液１００
mlをポリスチレン容器に入れ、これに１０×１５×２mm
の大きさのアルミナ焼結体、スライドガラス、及び白金
からなる基板を浸漬してポリスチレン容器を密閉し、表
１に示す液温で１２時間から７２時間保持して反応を行
わせた。
【００１７】その結果、試験番号１，２（イオン濃度が
この発明の範囲外である比較例）以外の試料（基板）に
ついては、基板表面に厚さが約０．５μmで均一なパイ
ロクロア型ＰｂＴｉＯ3薄膜が形成されていることが認
められた。そして、これらの基板を３００℃〜９００℃
で１時間熱処理することにより、ペロブスカイト型Ｐｂ
ＴｉＯ3薄膜を得ることができた。
この発明の範囲外である比較例）以外の試料（基板）に
ついては、基板表面に厚さが約０．５μmで均一なパイ
ロクロア型ＰｂＴｉＯ3薄膜が形成されていることが認
められた。そして、これらの基板を３００℃〜９００℃
で１時間熱処理することにより、ペロブスカイト型Ｐｂ
ＴｉＯ3薄膜を得ることができた。
【００１８】一方、表１に示すように、Ｐｂ2+イオンの
濃度が０．０１mM/l 未満の場合（試験番号１（Ｐｂ2+
＝０．００５mM/l）），及びＴｉＦ6 2-イオンの濃度が
０．０１mM/l 未満の場合（試験番号２（ＴｉＦ6 2-＝
０．００５mM/l））には、基材上に均一な薄膜は形成さ
れない。また、表１には特に示していないが、Ｐｂ2+イ
オンが１０００mM/l を越えた場合、及びＴｉＦ6 2-イオ
ンが５００mM/l を越えた場合には、複合酸化物の沈殿
が生じて基板表面に薄膜は形成されない。さらに、ＢＯ
3 2-イオンが０．０３mM/l 未満の場合、ＰｂＴｉＯ3組
成の薄膜は形成されず、また、３０００mM/l を越える
とＴｉＯ2膜が同時に形成され、ＰｂＴｉＯ3単相の薄膜
を得ることができない。
濃度が０．０１mM/l 未満の場合（試験番号１（Ｐｂ2+
＝０．００５mM/l）），及びＴｉＦ6 2-イオンの濃度が
０．０１mM/l 未満の場合（試験番号２（ＴｉＦ6 2-＝
０．００５mM/l））には、基材上に均一な薄膜は形成さ
れない。また、表１には特に示していないが、Ｐｂ2+イ
オンが１０００mM/l を越えた場合、及びＴｉＦ6 2-イオ
ンが５００mM/l を越えた場合には、複合酸化物の沈殿
が生じて基板表面に薄膜は形成されない。さらに、ＢＯ
3 2-イオンが０．０３mM/l 未満の場合、ＰｂＴｉＯ3組
成の薄膜は形成されず、また、３０００mM/l を越える
とＴｉＯ2膜が同時に形成され、ＰｂＴｉＯ3単相の薄膜
を得ることができない。
【００１９】したがって、水溶液のイオン濃度として
は、Ｐｂ2+イオンが０．０１〜１０００mM/l ，ＴｉＦ6
2-イオンが０．０１〜５００mM/l ，ＢＯ3 2-イオンが
０．０３〜３０００mM/l の範囲にあることが望まし
い。
は、Ｐｂ2+イオンが０．０１〜１０００mM/l ，ＴｉＦ6
2-イオンが０．０１〜５００mM/l ，ＢＯ3 2-イオンが
０．０３〜３０００mM/l の範囲にあることが望まし
い。
【００２０】また、水溶液の温度が５℃未満になると反
応性が急激に低下して、良好な薄膜を形成しなくなり、
また、水溶液の温度が９５℃を越えると気泡が基板表面
に付着し、薄膜の連続性が急激に悪化する。したがっ
て、水溶液の温度は、５℃〜９５℃の範囲に調整するこ
とが好ましい。
応性が急激に低下して、良好な薄膜を形成しなくなり、
また、水溶液の温度が９５℃を越えると気泡が基板表面
に付着し、薄膜の連続性が急激に悪化する。したがっ
て、水溶液の温度は、５℃〜９５℃の範囲に調整するこ
とが好ましい。
【００２１】さらに、複合酸化物薄膜の形成後に熱処理
する場合において、熱処理温度が３００℃未満の場合に
は相変態せず、また、９００℃を越えると粒成長により
薄膜の平滑性が損われる。したがって、熱処理温度は、
３００℃〜９００℃の範囲が好ましい。なお、熱処理温
度を、例えば、４００℃程度に押さえると、耐熱温度が
低い材料を用いて基材を構成することが可能になり、材
料選択の自由度を向上させることができる。
する場合において、熱処理温度が３００℃未満の場合に
は相変態せず、また、９００℃を越えると粒成長により
薄膜の平滑性が損われる。したがって、熱処理温度は、
３００℃〜９００℃の範囲が好ましい。なお、熱処理温
度を、例えば、４００℃程度に押さえると、耐熱温度が
低い材料を用いて基材を構成することが可能になり、材
料選択の自由度を向上させることができる。
【００２２】なお、上記実施例においては、複合酸化物
薄膜を形成する基材として、アルミナ焼結体、スライド
ガラス及び白金からなる基板を用いた場合について説明
したが、この発明は、これら以外の材料からなる基板
や、さらには、基板以外のフォイルなどを基材として、
これにチタンと鉛の複合酸化物薄膜を形成する場合に広
く適用することができる。
薄膜を形成する基材として、アルミナ焼結体、スライド
ガラス及び白金からなる基板を用いた場合について説明
したが、この発明は、これら以外の材料からなる基板
や、さらには、基板以外のフォイルなどを基材として、
これにチタンと鉛の複合酸化物薄膜を形成する場合に広
く適用することができる。
【００２３】また、基材を水溶液に浸漬することにより
複合酸化物薄膜を形成するので、基材が複雑な形状を有
している場合にも、その表面にチタンと鉛の複合酸化物
薄膜を確実に形成することができる。
複合酸化物薄膜を形成するので、基材が複雑な形状を有
している場合にも、その表面にチタンと鉛の複合酸化物
薄膜を確実に形成することができる。
【００２４】
【発明の効果】上述のように、この発明の複合酸化物薄
膜の形成方法は、鉛イオン、六フッ化チタン酸イオン及
びホウ酸イオンを含有する水溶液に基材を浸漬すること
により、該基材の表面にチタンと鉛の複合酸化物薄膜を
形成するようにしているので、水溶液に基材を浸漬する
だけで、容易かつ経済的に、基材表面の広い面積に緻密
で均一な複合酸化物薄膜を形成することができる。
膜の形成方法は、鉛イオン、六フッ化チタン酸イオン及
びホウ酸イオンを含有する水溶液に基材を浸漬すること
により、該基材の表面にチタンと鉛の複合酸化物薄膜を
形成するようにしているので、水溶液に基材を浸漬する
だけで、容易かつ経済的に、基材表面の広い面積に緻密
で均一な複合酸化物薄膜を形成することができる。
【００２５】また、基材を構成する材料の種類や、基材
の形状を問わず、基材表面に複合酸化物薄膜を確実に形
成することができる。
の形状を問わず、基材表面に複合酸化物薄膜を確実に形
成することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−93443（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−139617（ＪＰ，Ａ) 特公 昭62−41311（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C01G 23/00 ＣＡ（ＳＴＮ)
Claims (4)
- 【請求項１】 鉛イオン、六フッ化チタン酸イオン及び
ホウ酸イオンを含有する水溶液に基材を浸漬することに
より、該基材の表面にチタンと鉛の複合酸化物薄膜を形
成することを特徴とする複合酸化物薄膜の形成方法。 - 【請求項２】 前記水溶液が、鉛イオン、六フッ化チタ
ン酸イオン，ホウ酸イオンを、それぞれＰｂ2+，ＴｉＦ
6 2-，ＢＯ3 2-に換算して、 Ｐｂ2+ ：０．０１〜１０００mM/l ＴｉＦ6 2-：０．０１〜 ５００mM/l ＢＯ3 2- ：０．０３〜３０００mM/l の範囲で含有することを特徴とする請求項１記載の複合
酸化物薄膜の形成方法。 - 【請求項３】 前記水溶液の温度が５℃〜９５℃の範囲
にあることを特徴とする請求項１または２記載の複合酸
化物薄膜の形成方法。 - 【請求項４】 複合酸化物薄膜の形成後に、３００℃〜
９００℃の温度条件下で熱処理を行うことを特徴とする
請求項１，２または３記載の複合酸化物薄膜の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25567191A JP3198552B2 (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 複合酸化物薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25567191A JP3198552B2 (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 複合酸化物薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0558635A JPH0558635A (ja) | 1993-03-09 |
| JP3198552B2 true JP3198552B2 (ja) | 2001-08-13 |
Family
ID=17282002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25567191A Expired - Lifetime JP3198552B2 (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 複合酸化物薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3198552B2 (ja) |
-
1991
- 1991-09-06 JP JP25567191A patent/JP3198552B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0558635A (ja) | 1993-03-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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