JPH05139745A - チタン酸ストロンチウム薄膜の形成方法 - Google Patents
チタン酸ストロンチウム薄膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH05139745A JPH05139745A JP3334105A JP33410591A JPH05139745A JP H05139745 A JPH05139745 A JP H05139745A JP 3334105 A JP3334105 A JP 3334105A JP 33410591 A JP33410591 A JP 33410591A JP H05139745 A JPH05139745 A JP H05139745A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- strontium titanate
- substrate
- aqueous solution
- strontium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 42
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 29
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J titanic acid Chemical compound O[Ti](O)(O)O LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims 1
- -1 amine (ethanolamine-modified titanium Chemical class 0.000 abstract description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910001427 strontium ion Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- DHEQXMRUPNDRPG-UHFFFAOYSA-N strontium nitrate Chemical compound [Sr+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O DHEQXMRUPNDRPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 abstract description 3
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 abstract 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;titanium(4+) Chemical class [Ti+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N monoethanolamine hydrochloride Natural products NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 3
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 3
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- PWYYWQHXAPXYMF-UHFFFAOYSA-N strontium(2+) Chemical compound [Sr+2] PWYYWQHXAPXYMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WUGQZFFCHPXWKQ-UHFFFAOYSA-N Propanolamine Chemical compound NCCCO WUGQZFFCHPXWKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- LCKIEQZJEYYRIY-UHFFFAOYSA-N Titanium ion Chemical compound [Ti+4] LCKIEQZJEYYRIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001422 barium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- HKJYVRJHDIPMQB-UHFFFAOYSA-N propan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound CCCO[Ti](OCCC)(OCCC)OCCC HKJYVRJHDIPMQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- JMXKSZRRTHPKDL-UHFFFAOYSA-N titanium ethoxide Chemical compound [Ti+4].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-] JMXKSZRRTHPKDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOPDZQBPOWAEHC-UHFFFAOYSA-H tristrontium;diphosphate Chemical compound [Sr+2].[Sr+2].[Sr+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O JOPDZQBPOWAEHC-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
- H01L21/02197—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides the material having a perovskite structure, e.g. BaTiO3
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G23/00—Compounds of titanium
- C01G23/003—Titanates
- C01G23/006—Alkaline earth titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
- C23C18/1216—Metal oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/314—Inorganic layers
- H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
- H01L21/31691—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass with perovskite structure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/30—Three-dimensional structures
- C01P2002/34—Three-dimensional structures perovskite-type (ABO3)
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Geology (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
必要とすることなく、無機材料、金属材料、有機材料な
どの種々の材料からなる基材の表面にチタン酸ストロン
チウム薄膜を形成する。 【構成】 ストロンチウム(Sr)イオン及びチタン
(Ti)のアルコキシドを含有する水溶液に基材を浸漬
することにより、チタン酸ストロンチウム薄膜を該基材
の表面に形成する。
Description
方法、詳しくは、種々の基材上に強誘電体であるチタン
酸ストロンチウムの薄膜を、複雑な工程によることな
く、簡便に形成する方法に関する。
O3)は、強誘電体材料として、コンデンサなどのデバ
イスに利用されている。このチタン酸ストロンチウムを
デバイスに応用する場合、その特性を有効に利用するた
めに、チタン酸ストロンチウムを薄膜として用いること
が好ましい場合が多い。
ム(SrTiO3)薄膜を形成する方法としては、従来
より、 スパッタリング法によるもの(日経マイクロデバイス
1991,6月号,pp.78−86)、 プラズマを利用して薄膜を形成するプラズマ蒸着法に
よるもの(例えば、特開平1−175714号)、 湿式の薄膜形成方法である水熱電気化学法によるもの
(例えば、JJAPVol.30 No.1B(199
0),pp.L120−L123)、 などの種々の形成方法が知られている。
タン酸ストロンチウム(SrTiO3)薄膜の形成方法
には、それぞれ次のような問題点がある。すなわち、
のスパッタリング法及びのプラズマ蒸着法は、複雑で
高価な装置を必要とし、設備費用が大きくなること、板
状でない複雑な形状の基材表面に薄膜を形成することが
困難であること、基材が高温にさらされるためその材質
が著しく制約されること、の水熱電気化学法は、基材
自身がチタン金属であるかまたは基板表面にチタン金属
をあらかじめコーティングしておく必要があり工程が複
雑であること、高温高圧の苛酷な条件で膜形成が行われ
るため、上記,の方法と同様に基板を構成する材料
が著しく制約されること、などの種々の問題点を包含し
ている。
り、複雑で大掛かりな設備や、厳しい成膜条件を必要と
することなく、チタン酸ストロンチウム薄膜を無機材
料、金属材料、有機材料及びこれらの複合材料などの種
々の材料からなる基材の表面に簡便に形成することが可
能なチタン酸ストロンチウム薄膜の形成方法を提供する
ことを目的とする。
として、チタン酸バリウム(BaTiO3)の湿式製造
方法がある(Journal of Materials Science. 25 (199
0) 1169-1183)。この方法は、チタンのアルコキシドを
加水分解させてバリウムと低温で反応させることにより
チタン酸バリウムの粉体を得る方法である。発明者等
は、この方法を様々な角度から検討するとともに、鋭意
実験研究を行い、バリウムイオンの代りにストロンチウ
ムイオンを含む水溶液中でチタンのアルコキシドを徐々
に加水分解させ、ストロンチウムイオンとチタンイオン
をゆっくりと反応させることにより、チタン酸ストロン
チウム薄膜が基材表面に形成されることを知りこの発明
を完成した。
ウム薄膜の形成方法は、ストロンチウム(Sr)イオン
及びチタン(Ti)のアルコキシドを含有する水溶液に
基材を浸漬することにより、チタン酸ストロンチウム薄
膜を該基材の表面に形成することを特徴としている。
r)及びチタン(Ti)のアルコキシドをそれぞれ、S
r2+,Ti(IV)に換算して、 Sr2+ :0.01〜 50mM/l Ti(IV):0.01〜100mM/l の範囲で含有させることが好ましい。
℃の範囲にあることが好ましい。
ることが好ましい。
ドとしては、アルカノールアミン変性したアルコキシド
を用いることが好ましい。
形成方法は、チタンのアルコキシドの加水分解速度、水
溶液のイオン濃度、水溶液の温度、pHなどの諸条件が
適当な領域にあるとき、チタン酸ストロンチウムが、水
溶液中で沈殿(すなわち粉体)を生じるような均一核形
成を行わず、水溶液中に浸漬した基材の表面及び容器の
壁面などの固体表面で不均一核形成を行い、その核が成
長することによって、チタン酸ストロンチウムの薄膜を
形成することを利用して、基材表面に誘電体薄膜である
チタン酸ストロンチウム(SrTiO3)薄膜を形成す
るものであり、この発明のチタン酸ストロンチウム薄膜
の形成方法によれば、組成を調整した水溶液に基材を浸
漬するだけで、複雑な工程を必要とすることなく、基材
の表面に均一なチタン酸ストロンチウム薄膜を形成する
ことができる。
示して、発明の特徴をさらに詳しく説明する。
ける水溶液(浸漬液)の組成や水溶液の温度(液温)な
どの薄膜形成条件を示す表である。なお、表1において
*印を付した試験番号1,2は、この発明の範囲外の比
較例の薄膜形成条件を示すものである。
に示す濃度になるように、試薬特級の硝酸ストロンチウ
ム、エタノ−ルアミン変性チタンブトキシド(TBE
A)及び水酸化カリウムを、イオン交換水に溶解して浸
漬液を調製する。なお、エタノ−ルアミン変性チタンブ
トキシドは、チタンブトキシドの4つのブトキシ基の一
部または全部をエタノ−ルアミンで置換したものを用い
ている。
タンブトキシドに限られるものではなく、チタンエトキ
シドやチタンプロポキシドなど他のチタンアルコキシド
を用いることが可能である。
ブトキシドとしては、エタノ−ルアミン変性したものに
限らず、例えば、プロパノールアミンなどの他のアルカ
ノールアミンで変性したチタンブトキシドを用いること
も可能である。
加量を増減することによって調整する。また、加水分解
速度を一定に保つために、上記水溶液にトリエタノ−ル
アミンを5vol%添加する。
液)100mlをフッ素樹脂(テフロン)容器に入れ、こ
れに10×15×2mmの大きさのアルミナ焼結体、スラ
イドガラス及び白金からなる各基板を浸漬し、表1に示
す液温で20時間保持して反応を行わせた。
がこの発明の範囲外である比較例)以外の試料について
は、基板表面に厚さ約1μmの均一なチタン酸ストロン
チウム薄膜が形成されていることが認められた。
(試験番号1(Sr2+=0.005mM/l))の場合及び
エタノ−ルアミン変性チタンブトキシドの濃度が0.0
1mM/l未満(試験番号2(TBEA=0.005mM/
l))の場合には、均一な薄膜が形成されなかった。
オンの濃度が50mM/lを越えた場合(例えば、Sr2+=
200mM/l))及びエタノ−ルアミン変性チタンブトキ
シドの濃度が100mM/lを越えた場合(例えば、TBE
A=300mM/l))には、水溶液中で均一核形成が行わ
れて直接沈殿が生成してしまい、チタン酸ストロンチウ
ムの薄膜は形成されなかった。
としては、Sr2+イオンが0.01〜50mM/l 、エタ
ノ−ルアミン変性チタンブトキシドが0.01〜100
mM/lの範囲にあることが好ましい。
結晶質のチタン酸ストロンチウム薄膜が得られず、ま
た、水溶液の温度が110℃を越えると気泡が基板表面
に付着し、薄膜の連続性、均一性が急激に悪化する。し
たがって、水溶液の温度は、50〜110℃の範囲に調
整することが好ましい。
チタン酸ストロンチウム以外の相が析出するため、水溶
液のpHは13以上であることが好ましい。
トロンチウム薄膜を形成する基材として、アルミナ焼結
体、スライドガラス及び白金からなる各基板を用いた場
合について説明したが、この発明は、これら以外の材
料、例えば、無機材料、金属材料、有機材料及びこれら
の複合材料などの種々の材料からなる基板や、さらに
は、基板以外のフォイルなどを基材として、これにチタ
ン酸ストロンチウム薄膜を形成する場合に広く適用する
ことができる。
チタン酸ストロンチウム薄膜を形成するので、基材が複
雑な形状を有している場合にも、その表面にチタン酸ス
トロンチウム薄膜を確実に形成することができる。
ロンチウム薄膜の形成方法は、ストロンチウム(Sr)
イオン及びチタン(Ti)のアルコキシドを含有する水
溶液に基材を浸漬することにより、該基材の表面にチタ
ン酸ストロンチウム薄膜を形成するようにしているの
で、水溶液に基材を浸漬するだけで、容易かつ経済的
に、基材表面の広い面積に緻密で均一な強誘電性のチタ
ン酸ストロンチウム薄膜を形成することができる。
形状を問わず、基材表面にチタン酸ストロンチウム薄膜
を直接形成することが可能になるため、基材を構成する
材料や形状の選択の自由度が向上し、さらにその応用分
野を拡大することができる。
Claims (5)
- 【請求項1】 ストロンチウム(Sr)イオン及びチタ
ン(Ti)のアルコキシドを含有する水溶液に基材を浸
漬することにより、チタン酸ストロンチウム薄膜を該基
材の表面に形成することを特徴とするチタン酸ストロン
チウム薄膜の形成方法。 - 【請求項2】 前記水溶液が、ストロンチウム(Sr)
及びチタン(Ti)のアルコキシドをそれぞれ、S
r2+,Ti(IV)に換算して、 Sr2+ :0.01〜 50mM/l Ti(IV):0.01〜100mM/l の範囲で含有することを特徴とする請求項1記載のチタ
ン酸ストロンチウム薄膜の形成方法。 - 【請求項3】 前記水溶液の温度が、50〜110℃の
範囲にあることを特徴とする請求項1記載のチタン酸ス
トロンチウム薄膜の形成方法。 - 【請求項4】 前記水溶液のpHが、13以上であるこ
とを特徴とする請求項1記載のチタン酸ストロンチウム
薄膜の形成方法。 - 【請求項5】 前記チタン(Ti)のアルコキシドが、
アルカノールアミン変性したアルコキシドであることを
特徴とする請求項1記載のチタン酸ストロンチウム薄膜
の形成方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33410591A JP3235148B2 (ja) | 1991-11-21 | 1991-11-21 | チタン酸ストロンチウム薄膜の形成方法 |
DE4238678A DE4238678C2 (de) | 1991-11-21 | 1992-11-17 | Verfahren zur Herstellung von Strontiumtitanat-Dünnfilmen |
FR9213979A FR2684234B1 (fr) | 1991-11-21 | 1992-11-20 | Production de films minces de titanate de strontium |
US08/197,008 US5518776A (en) | 1991-11-21 | 1994-02-15 | Production of strontium titanate thin films |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33410591A JP3235148B2 (ja) | 1991-11-21 | 1991-11-21 | チタン酸ストロンチウム薄膜の形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05139745A true JPH05139745A (ja) | 1993-06-08 |
JP3235148B2 JP3235148B2 (ja) | 2001-12-04 |
Family
ID=18273585
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33410591A Expired - Fee Related JP3235148B2 (ja) | 1991-11-21 | 1991-11-21 | チタン酸ストロンチウム薄膜の形成方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5518776A (ja) |
JP (1) | JP3235148B2 (ja) |
DE (1) | DE4238678C2 (ja) |
FR (1) | FR2684234B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011096872A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Panasonic Corp | 電極箔とその製造方法およびこの電極箔を用いたコンデンサ |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3980272B2 (ja) * | 1998-12-11 | 2007-09-26 | 昭和電工株式会社 | ペロブスカイト型チタン含有複合酸化物粒子、そのゾルと製造方法、および薄膜 |
TW200302296A (en) * | 2001-11-12 | 2003-08-01 | Toho Titanium Co Ltd | Composite titanium oxide film and method for formation thereof and titanium electrolytic capacitor |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4485094A (en) * | 1983-01-28 | 1984-11-27 | Westinghouse Electric Corp. | Method of making ABO3 of the cubic perovskite structure |
US4946710A (en) * | 1987-06-02 | 1990-08-07 | National Semiconductor Corporation | Method for preparing PLZT, PZT and PLT sol-gels and fabricating ferroelectric thin films |
DE4017518A1 (de) * | 1990-05-31 | 1991-12-05 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur herstellung von monolayer-kondensatoren |
-
1991
- 1991-11-21 JP JP33410591A patent/JP3235148B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-11-17 DE DE4238678A patent/DE4238678C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-11-20 FR FR9213979A patent/FR2684234B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-02-15 US US08/197,008 patent/US5518776A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011096872A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Panasonic Corp | 電極箔とその製造方法およびこの電極箔を用いたコンデンサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2684234B1 (fr) | 1997-11-28 |
US5518776A (en) | 1996-05-21 |
JP3235148B2 (ja) | 2001-12-04 |
FR2684234A1 (fr) | 1993-05-28 |
DE4238678C2 (de) | 2001-09-20 |
DE4238678A1 (en) | 1993-05-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5585136A (en) | Method for producing thick ceramic films by a sol gel coating process | |
Slamovich et al. | Structure evolution in hydrothermally processed (< 100° C) BaTiO3 films | |
JP3235145B2 (ja) | チタン酸バリウム薄膜の形成方法 | |
WO1990013149A1 (en) | SOL GEL PROCESS FOR PREPARING Pb(Zr,Ti)O3 THIN FILMS | |
US5256451A (en) | Guanidine based vehicle/binders for use with oxides, metals and ceramics | |
JPH05139745A (ja) | チタン酸ストロンチウム薄膜の形成方法 | |
JP3225583B2 (ja) | チタン酸バリウム薄膜形成方法 | |
JP2017226580A (ja) | 結晶性金属酸化物膜の製造方法。 | |
Tongpeng et al. | Fabrication characterization of hafnium oxide thin films | |
US4885188A (en) | Process for forming thin film of metal sulfides | |
US5993901A (en) | Production of thin films of a lead titanate system | |
JP3191345B2 (ja) | 複合酸化物薄膜の形成方法 | |
JP3198552B2 (ja) | 複合酸化物薄膜の形成方法 | |
JP3099567B2 (ja) | チタン酸ジルコン酸鉛薄膜の製造方法 | |
US20040005406A1 (en) | Metal coating method and metal-coated material | |
JP3449617B2 (ja) | 金属酸化物薄膜及びその形成方法 | |
EP0375594A1 (en) | Preparation of thin films of ferroelectric materials | |
JPH09249673A (ja) | シリカ被膜形成用水溶液及びシリカ被膜の形成方法 | |
JP3099568B2 (ja) | チタン酸鉛薄膜の製造方法 | |
US20050175852A1 (en) | Thin silica film and silica-titania composite film, and method for preparing them | |
JPH0978249A (ja) | 誘電体薄膜の作製方法 | |
JP2997707B2 (ja) | 基材上へのジルコニア被膜の形成法 | |
JPH09241036A (ja) | 層状複合酸化物微粒子を用いた薄膜形成法 | |
JPH08169800A (ja) | BaTiO3配向膜の製造方法 | |
JP3281098B2 (ja) | 複合固体電解質およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010828 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080928 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080928 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090928 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090928 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100928 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |