JP3040004B2 - 鉛系複合ペロブスカイト型酸化物薄膜の製造方法 - Google Patents
鉛系複合ペロブスカイト型酸化物薄膜の製造方法Info
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- JP3040004B2 JP3040004B2 JP3087893A JP8789391A JP3040004B2 JP 3040004 B2 JP3040004 B2 JP 3040004B2 JP 3087893 A JP3087893 A JP 3087893A JP 8789391 A JP8789391 A JP 8789391A JP 3040004 B2 JP3040004 B2 JP 3040004B2
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- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、鉛系複合ペロブスカイ
ト型酸化物薄膜の製造方法に関するものである。
ト型酸化物薄膜の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】鉛系複合ペロブスカイト型酸化物は、低
温で焼成でき、大きな誘電率を有しているためにコンデ
ンサ材料、特に、積層コンデンサ材料として注目されて
いる。最近は、電子機器の小型化、高性能化に伴い、コ
ンデンサに使用されるセラミックスの酸化物薄膜化が進
められている。そして、セラミックスの薄膜化技術とし
ては、物理蒸着法、熱分解による化学蒸着法などがあ
る。
温で焼成でき、大きな誘電率を有しているためにコンデ
ンサ材料、特に、積層コンデンサ材料として注目されて
いる。最近は、電子機器の小型化、高性能化に伴い、コ
ンデンサに使用されるセラミックスの酸化物薄膜化が進
められている。そして、セラミックスの薄膜化技術とし
ては、物理蒸着法、熱分解による化学蒸着法などがあ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、物理蒸
着法では、成膜工程に入る前段階として、各セラミック
成分のあるいは炭酸塩をあらかじめ所定の割合で混合
し、その混合粉末を仮焼して粉末を準備し、これを成形
して焼成し、ターゲットを作製しなければならない。し
たがって、工程が多いため非常に手間が掛かり、また物
理蒸着のための装置が高価であるという問題がある。
着法では、成膜工程に入る前段階として、各セラミック
成分のあるいは炭酸塩をあらかじめ所定の割合で混合
し、その混合粉末を仮焼して粉末を準備し、これを成形
して焼成し、ターゲットを作製しなければならない。し
たがって、工程が多いため非常に手間が掛かり、また物
理蒸着のための装置が高価であるという問題がある。
【０００４】また、化学蒸着法では、物理蒸着法のよう
にターゲットを作製する準備工程が不要であるが、大部
分の出発原料を気化させる必要があり、しかも、蒸着時
の加熱筒の内壁への付着が多いため、成膜の効率が悪
く、生産性が低いといった問題がある。
にターゲットを作製する準備工程が不要であるが、大部
分の出発原料を気化させる必要があり、しかも、蒸着時
の加熱筒の内壁への付着が多いため、成膜の効率が悪
く、生産性が低いといった問題がある。
【０００５】したがって、本発明はゾル−ゲル法によ
り、成膜が容易で、かつ組成の制御が容易な鉛系複合ペ
ロブスカイト型酸化物薄膜の製造方法を提供することを
目的とする。
り、成膜が容易で、かつ組成の制御が容易な鉛系複合ペ
ロブスカイト型酸化物薄膜の製造方法を提供することを
目的とする。
【０００６】本発明は、前記課題を解決するための手段
として、一般式：Ａ（Ｂ’１−ｘＢ”ｘ）Ｏ3、(但し、
ＡはＰｂであり、Ｂ’、Ｂ”は２価〜６価の金属元素を
表すと共に、Ｂ’およびＢ”をＢ’＋ｎ１−ｘ、Ｂ”＋
ｍｘと表したとき、ｎ（１−ｘ）＋ｍｘ＝４を満足す
る。）で表される鉛系複合ペロブスカイト型酸化物薄膜
の製造方法において、酸化マグネシウム単結晶基板、チ
タン酸ストロンチウム単結晶基板又は白金上にチタン酸
ジルコン酸鉛層を形成してなる基板を用意する一方、Ａ
サイトを構成する鉛の有機化合物若しくはその溶液を、
Ｂ’、Ｂ”を構成する元素の各アルコキシド溶液の混合
液に添加混合してＡサイトとＢサイトのモル比が１：１
又はＡサイト過剰の混合液を調製し、当該混合液を環流
して得られる濃縮液を前記基板の表面に塗布して塗布膜
を形成した後、前記塗布膜に含まれる有機物の加熱分解
処理を行ない、さらに焼成するようにしたものである。
として、一般式：Ａ（Ｂ’１−ｘＢ”ｘ）Ｏ3、(但し、
ＡはＰｂであり、Ｂ’、Ｂ”は２価〜６価の金属元素を
表すと共に、Ｂ’およびＢ”をＢ’＋ｎ１−ｘ、Ｂ”＋
ｍｘと表したとき、ｎ（１−ｘ）＋ｍｘ＝４を満足す
る。）で表される鉛系複合ペロブスカイト型酸化物薄膜
の製造方法において、酸化マグネシウム単結晶基板、チ
タン酸ストロンチウム単結晶基板又は白金上にチタン酸
ジルコン酸鉛層を形成してなる基板を用意する一方、Ａ
サイトを構成する鉛の有機化合物若しくはその溶液を、
Ｂ’、Ｂ”を構成する元素の各アルコキシド溶液の混合
液に添加混合してＡサイトとＢサイトのモル比が１：１
又はＡサイト過剰の混合液を調製し、当該混合液を環流
して得られる濃縮液を前記基板の表面に塗布して塗布膜
を形成した後、前記塗布膜に含まれる有機物の加熱分解
処理を行ない、さらに焼成するようにしたものである。
【０００７】前記一般式：Ａ（Ｂ’1-xＢ”x）Ｏ3（式
中、ＡはＰｂであり、Ｂ’、Ｂ”は２価〜６価の金属元
素を表すとともに、Ｂ’、Ｂ”をＢ’+n 1-x、Ｂ”+m xと
表したとき、ｎ（１−ｘ）＋ｍｘ＝４を満足する。）で
表される鉛系複合ペロブスカイト型酸化物としては、た
とえば、Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｍｇ2/3Ｎ
ｂ1/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｆｅ2/3Ｗ1/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｆｅ1/2
Ｗ1/2）Ｏ3、Ｐｂ（Ｆｅ1/2Ｎｂ1/2）Ｏ3、Ｐｂ（Ｍｎ
1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｗ2/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｍ
ｇ1/2Ｗ2/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｔａ2/3）Ｏ3、Ｐｂ
（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｔａ2/3）Ｏ3、
Ｐｂ（Ｍｎ2/3Ｗ1/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｍｎ1/2Ｗ1/2）Ｏ3、
Ｐｂ（Ｃｏ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｃｏ1/2Ｗ1/2）
Ｏ3、Ｐｂ（Ｍｎ1/3Ｔａ2/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｚｎ1/3Ｎｂ
2/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｍｎ1/3Ｓｂ2/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｉｎ1/2
Ｎｂ1/2）Ｏ3などの他、これらとＰｂＴｉＯ3の複合系
などがある。
中、ＡはＰｂであり、Ｂ’、Ｂ”は２価〜６価の金属元
素を表すとともに、Ｂ’、Ｂ”をＢ’+n 1-x、Ｂ”+m xと
表したとき、ｎ（１−ｘ）＋ｍｘ＝４を満足する。）で
表される鉛系複合ペロブスカイト型酸化物としては、た
とえば、Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｍｇ2/3Ｎ
ｂ1/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｆｅ2/3Ｗ1/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｆｅ1/2
Ｗ1/2）Ｏ3、Ｐｂ（Ｆｅ1/2Ｎｂ1/2）Ｏ3、Ｐｂ（Ｍｎ
1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｗ2/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｍ
ｇ1/2Ｗ2/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｔａ2/3）Ｏ3、Ｐｂ
（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｔａ2/3）Ｏ3、
Ｐｂ（Ｍｎ2/3Ｗ1/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｍｎ1/2Ｗ1/2）Ｏ3、
Ｐｂ（Ｃｏ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｃｏ1/2Ｗ1/2）
Ｏ3、Ｐｂ（Ｍｎ1/3Ｔａ2/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｚｎ1/3Ｎｂ
2/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｍｎ1/3Ｓｂ2/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｉｎ1/2
Ｎｂ1/2）Ｏ3などの他、これらとＰｂＴｉＯ3の複合系
などがある。
【０００８】また、鉛の有機化合物としては、酢酸鉛
（無水塩）、酢酸鉛（四水塩）、四酢酸鉛（無水塩）な
どが代表的なものとして挙げられる。この鉛の有機化合
物はそのままＢサイトを構成する元素の各溶液を所定の
割合で配合した混合溶液に添加しても良く、また、Ｂサ
イトを構成する元素のアルコキシドを溶解するのに使用
する溶媒と同じ溶媒に予め溶解させて溶液とないし、こ
れをＢサイトを構成する元素の各溶液と混合するように
しても良い。
（無水塩）、酢酸鉛（四水塩）、四酢酸鉛（無水塩）な
どが代表的なものとして挙げられる。この鉛の有機化合
物はそのままＢサイトを構成する元素の各溶液を所定の
割合で配合した混合溶液に添加しても良く、また、Ｂサ
イトを構成する元素のアルコキシドを溶解するのに使用
する溶媒と同じ溶媒に予め溶解させて溶液とないし、こ
れをＢサイトを構成する元素の各溶液と混合するように
しても良い。
【０００９】Ｂサイトの構成元素の代表的なものとして
は、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、錫（Ｓ
ｎ）、マンガン（Ｍｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニオ
ブ（Ｎｂ）、鉄（Ｆｅ）、タングステン（Ｗ）、コバル
ト（Ｃｏ）などがある。前記Ｂサイトの構成元素のアル
コキシドとしては、任意のものが使用できるが、アルコ
キシ基の炭素数が１５以下、好ましくは、８以下のもの
が望ましい。代表的なものとして、チタンのアルコキシ
ドを例にすると、チタン イソブトキシド（Ｔｉ（ＯＣ
4Ｈ9）4）、チタンイソプロポキシド（Ｔｉ（ＯＣ
3Ｈ7）4）、ジプトキシ−ジトリエタノール−アミネー
トチタン、ジブトキシ−ジ（２−（ヒドロキシエチルア
ミノ）エトキシ）チタン（Ｔｉ（Ｃ4Ｈ9Ｏ）2・［Ｎ
（Ｃ2Ｈ4ＯＨ）2・（Ｃ2Ｈ4Ｏ）2］)などが挙げられる
が、これらに限定されるものではない。
は、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、錫（Ｓ
ｎ）、マンガン（Ｍｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニオ
ブ（Ｎｂ）、鉄（Ｆｅ）、タングステン（Ｗ）、コバル
ト（Ｃｏ）などがある。前記Ｂサイトの構成元素のアル
コキシドとしては、任意のものが使用できるが、アルコ
キシ基の炭素数が１５以下、好ましくは、８以下のもの
が望ましい。代表的なものとして、チタンのアルコキシ
ドを例にすると、チタン イソブトキシド（Ｔｉ（ＯＣ
4Ｈ9）4）、チタンイソプロポキシド（Ｔｉ（ＯＣ
3Ｈ7）4）、ジプトキシ−ジトリエタノール−アミネー
トチタン、ジブトキシ−ジ（２−（ヒドロキシエチルア
ミノ）エトキシ）チタン（Ｔｉ（Ｃ4Ｈ9Ｏ）2・［Ｎ
（Ｃ2Ｈ4ＯＨ）2・（Ｃ2Ｈ4Ｏ）2］)などが挙げられる
が、これらに限定されるものではない。
【００１０】また、前記塗布膜に含まれる有機物の熱分
解処理は、その昇温過程から最高温度域の途中まで酸素
・水蒸気混合流中で行なうのが好適である。さらに、焼
成は、室温から急速に昇温して６００〜８００℃に３０
分〜１時間保持し、ついで室温まで急冷することにより
行なうのが好適である。
解処理は、その昇温過程から最高温度域の途中まで酸素
・水蒸気混合流中で行なうのが好適である。さらに、焼
成は、室温から急速に昇温して６００〜８００℃に３０
分〜１時間保持し、ついで室温まで急冷することにより
行なうのが好適である。
【００１１】
【作用】Ｍｇ、Ｎｂなどの金属元素の各アルコキシド溶
液を調製し、これらを混合してＢサイトを構成する溶液
を作り、これにＡサイトを構成する鉛の有機化合物若し
くはその溶液を添加若しくは混合し、これらの溶液を均
一に混合することにより複合アルコキシド溶液が得られ
る。ついで、このようにして得られた複合アルコキシド
溶液を濃縮することにより薄膜形成に適した粘度の溶液
が得られる。この溶液をディッピング法あるいはコーテ
ィング法などの適当な手段により基板に塗布して塗布膜
を形成する。さらに、塗布膜に含まれる有機物の加熱分
解処理を行ない、さらに焼成することにより鉛系複合ペ
ロブスカイト型酸化物薄膜が形成できる。
液を調製し、これらを混合してＢサイトを構成する溶液
を作り、これにＡサイトを構成する鉛の有機化合物若し
くはその溶液を添加若しくは混合し、これらの溶液を均
一に混合することにより複合アルコキシド溶液が得られ
る。ついで、このようにして得られた複合アルコキシド
溶液を濃縮することにより薄膜形成に適した粘度の溶液
が得られる。この溶液をディッピング法あるいはコーテ
ィング法などの適当な手段により基板に塗布して塗布膜
を形成する。さらに、塗布膜に含まれる有機物の加熱分
解処理を行ない、さらに焼成することにより鉛系複合ペ
ロブスカイト型酸化物薄膜が形成できる。
【００１２】
【実施例】この実施例では、図１に示す処理工程に従っ
て、強誘電性セラミックスである（１−ｘ）Ｐｂ（Ｍｇ
1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−ｘＰｂＴｉＯ3の酸化物薄膜を合成
し、基板表面に形成する例について説明する。
て、強誘電性セラミックスである（１−ｘ）Ｐｂ（Ｍｇ
1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−ｘＰｂＴｉＯ3の酸化物薄膜を合成
し、基板表面に形成する例について説明する。
【００１３】出発原料として、無水酢酸鉛と、マグネシ
ウム、ニオブおよびチタンの各アルコキシドを用いた。
まず、乾燥Ｎ2雰囲気中で、Ｎｂ（ＯＣ2Ｈ5）5とＴｉ
（ＯＣ2Ｈ5）4またはＴｉ（ＯＣ3Ｈ7）4をエタノールに
溶解し、この溶液にＭｇ（ＯＣＨ3）2のメタノール溶液
を混合し、８０℃で還流し、さらに、これに酢酸鉛、Ｐ
ｂ（ＯＣＯＣＨ3）2を加えて混合し、再び８０℃で還流
した。得られた均一溶液は、前記式においてｘ＝０．１
となるように調整した。
ウム、ニオブおよびチタンの各アルコキシドを用いた。
まず、乾燥Ｎ2雰囲気中で、Ｎｂ（ＯＣ2Ｈ5）5とＴｉ
（ＯＣ2Ｈ5）4またはＴｉ（ＯＣ3Ｈ7）4をエタノールに
溶解し、この溶液にＭｇ（ＯＣＨ3）2のメタノール溶液
を混合し、８０℃で還流し、さらに、これに酢酸鉛、Ｐ
ｂ（ＯＣＯＣＨ3）2を加えて混合し、再び８０℃で還流
した。得られた均一溶液は、前記式においてｘ＝０．１
となるように調整した。
【００１４】次いで、基板として、ＭｇＯ［（１００）
単結晶基板］、ＳｒＴｉＯ3［（１００）単結晶基板］
を用い、これらの基板を上記のようにして準備した均一
溶液に浸漬し、ディップコーティング法により基板表面
に溶液を付着させた。溶液に含まれている有機物の加熱
分解処理を行なうために、３００℃で１時間、酸素・水
蒸気混合流中で処理した。処理温度を３００℃としたの
は、上記混合溶液を３００℃で１時間保持することによ
り、残余の有機物の除去が完全に完了することが熱分析
の結果から判明したことによる。この加熱分解の工程に
ついて具体的に説明すると、室温から５℃／分の速度で
昇温し、１００℃から酸素・水蒸気混合流中で加熱し、
３００℃に達したとき、３０分間はこのまま保持したの
ち、酸素・水蒸気混合流を停止してから３０分間乾燥酸
素気流中に保持し、そののち１０℃／分の速度で室温ま
で冷却した。
単結晶基板］、ＳｒＴｉＯ3［（１００）単結晶基板］
を用い、これらの基板を上記のようにして準備した均一
溶液に浸漬し、ディップコーティング法により基板表面
に溶液を付着させた。溶液に含まれている有機物の加熱
分解処理を行なうために、３００℃で１時間、酸素・水
蒸気混合流中で処理した。処理温度を３００℃としたの
は、上記混合溶液を３００℃で１時間保持することによ
り、残余の有機物の除去が完全に完了することが熱分析
の結果から判明したことによる。この加熱分解の工程に
ついて具体的に説明すると、室温から５℃／分の速度で
昇温し、１００℃から酸素・水蒸気混合流中で加熱し、
３００℃に達したとき、３０分間はこのまま保持したの
ち、酸素・水蒸気混合流を停止してから３０分間乾燥酸
素気流中に保持し、そののち１０℃／分の速度で室温ま
で冷却した。
【００１５】有機物の加熱分解処理を行なったのち、薄
膜を焼結するために、急加熱・急冷による焼成を行なっ
た。具体的には、室温から急速に６００〜８００℃に３
０分〜１時間保持し、ついで室温まで急冷した。
膜を焼結するために、急加熱・急冷による焼成を行なっ
た。具体的には、室温から急速に６００〜８００℃に３
０分〜１時間保持し、ついで室温まで急冷した。
【００１６】得られた各酸化物薄膜について、Ｘ線回折
分析を行なって生成相の同定を行ない、その結果を図
２、図３に示した。図２は基板としてＭｇＯ［（１０
０）単結晶基板］を用いた場合、図３は基板としてＳｒ
ＴｉＯ3［（１００）単結晶基板］を用いた場合を示し
たものである。図２、図３から、各基板の表面に結晶面
方位に配向した酸化物薄膜が得られており、容易にペロ
ブスカイト相の生成が行なえることが理解できる。
分析を行なって生成相の同定を行ない、その結果を図
２、図３に示した。図２は基板としてＭｇＯ［（１０
０）単結晶基板］を用いた場合、図３は基板としてＳｒ
ＴｉＯ3［（１００）単結晶基板］を用いた場合を示し
たものである。図２、図３から、各基板の表面に結晶面
方位に配向した酸化物薄膜が得られており、容易にペロ
ブスカイト相の生成が行なえることが理解できる。
【００１７】なお、基板として、Ｓｉ上にＰｔをスパッ
タしたウエハー上に、上記した工程と同様に処理して酸
化物薄膜を形成したところ、パイロクロア相の生成を抑
制することが困難であった。これはＰｔ上ではペロブス
カイト相として結晶化しにくく、加熱処理中にＰｂＯが
揮発してパイロクロア相が生成し易くなるためと考えら
れる。
タしたウエハー上に、上記した工程と同様に処理して酸
化物薄膜を形成したところ、パイロクロア相の生成を抑
制することが困難であった。これはＰｔ上ではペロブス
カイト相として結晶化しにくく、加熱処理中にＰｂＯが
揮発してパイロクロア相が生成し易くなるためと考えら
れる。
【００１８】一方、Ｐｔの上にさらにペロブスカイト型
であるチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ＝Ｚｒ：Ｔｉ比が
５３：４７）の層を形成し、そののち鉛の量を２％過剰
とした条件として、あとは上記した処理と同様にして酸
化物薄膜の形成を行なった。このようにして得られた酸
化物薄膜のＸ線回折分析を行なったところ、図４のよう
な結果が得られペロブスカイト相の生成が行なえること
が確認できた。なお、いずれの試料もその厚みは約０．
３μｍであった。
であるチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ＝Ｚｒ：Ｔｉ比が
５３：４７）の層を形成し、そののち鉛の量を２％過剰
とした条件として、あとは上記した処理と同様にして酸
化物薄膜の形成を行なった。このようにして得られた酸
化物薄膜のＸ線回折分析を行なったところ、図４のよう
な結果が得られペロブスカイト相の生成が行なえること
が確認できた。なお、いずれの試料もその厚みは約０．
３μｍであった。
【００１９】
【発明の効果】本発明の方法によれば、低温で鉛系複合
ペロブスカイト型酸化物薄膜の形成が行なえるので、構
成成分のモル比のズレがなく、しかもパイロクロア相の
生成を容易に抑制でき、小型化、高性能化に適した酸化
物薄膜を得ることができる。
ペロブスカイト型酸化物薄膜の形成が行なえるので、構
成成分のモル比のズレがなく、しかもパイロクロア相の
生成を容易に抑制でき、小型化、高性能化に適した酸化
物薄膜を得ることができる。
【図１】 本発明の鉛系複合ペロブスカイト型酸化物薄
膜の製造工程を示す図である。
膜の製造工程を示す図である。
【図２】 基板をＭｇＯとしたときの鉛系複合ペロブス
カイト型酸化物薄膜のＸ線回折分析図である。
カイト型酸化物薄膜のＸ線回折分析図である。
【図３】 基板をＳｒＴｉＯ3としたときの鉛系複合ペ
ロブスカイト型酸化物薄膜のＸ線回折分析図である。
ロブスカイト型酸化物薄膜のＸ線回折分析図である。
【図４】 シリコンウエハー上にスパッタして形成した
Ｐｔ層上にチタン酸ジルコン酸鉛の層を形成したものを
基板とし、その上に形成した鉛系複合ペロブスカイト型
酸化物薄膜のＸ線回折分析図である。
Ｐｔ層上にチタン酸ジルコン酸鉛の層を形成したものを
基板とし、その上に形成した鉛系複合ペロブスカイト型
酸化物薄膜のＸ線回折分析図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−6335（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−285609（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−197303（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−253113（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−177521（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 18/12 C10G 21/00,23/00,25/00 C04B 35/49 H01G 4/12 358
Claims (4)
- 【請求項１】 一般式：Ａ（Ｂ’１−ｘＢ”ｘ）Ｏ3、
(但し、ＡはＰｂであり、Ｂ’、Ｂ”は２価〜６価の金
属元素を表すと共に、Ｂ’およびＢ”をＢ’＋ｎ１−
ｘ、Ｂ”＋ｍｘと表したとき、ｎ（１−ｘ）＋ｍｘ＝４
を満足する。）で表される鉛系複合ペロブスカイト型酸
化物薄膜の製造方法において、酸化マグネシウム単結晶
基板、チタン酸ストロンチウム単結晶基板又は白金上に
チタン酸ジルコン酸鉛層を形成してなる基板を用意する
一方、Ａサイトを構成する鉛の有機化合物若しくはその
溶液を、Ｂ’、Ｂ”を構成する元素の各アルコキシド溶
液の混合液に添加混合してＡサイトとＢサイトのモル比
が１：１又はＡサイト過剰の混合液を調製し、当該混合
液を環流して得られる濃縮液を前記基板の表面に塗布し
て塗布膜を形成した後、前記塗布膜に含まれる有機物の
加熱分解処理を行ない、さらに焼成することを特徴とす
る鉛系複合ペロブスカイト型酸化物薄膜の製造方法。 - 【請求項２】 前記塗布膜に含まれる有機物の加熱分解
処理をその昇温過程から最高温度域の途中まで酸素・水
蒸気混合流中で行なうことを特徴とする請求項１記載の
鉛系複合ペロブスカイト型酸化物薄膜の製造方法。 - 【請求項３】 前記焼成を、室温から急速に昇温して６
００〜８００℃で３０分〜１時間保持し、ついで室温ま
で急冷することにより行う請求項１又は２に記載の鉛系
複合ペロブスカイト型酸化物薄膜の製造方法。 - 【請求項４】 鉛系複合ペロブスカイト型酸化物がＰｂ
（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ3−ＰｂＴｉＯ3からなるこ
と特徴とする請求項１〜３のいずれか一に記載の鉛系複
合ペロブスカイト型酸化物薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3087893A JP3040004B2 (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | 鉛系複合ペロブスカイト型酸化物薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3087893A JP3040004B2 (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | 鉛系複合ペロブスカイト型酸化物薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0551755A JPH0551755A (ja) | 1993-03-02 |
| JP3040004B2 true JP3040004B2 (ja) | 2000-05-08 |
Family
ID=13927566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3087893A Expired - Lifetime JP3040004B2 (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | 鉛系複合ペロブスカイト型酸化物薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3040004B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3485417B2 (ja) * | 1995-09-08 | 2004-01-13 | 京セラ株式会社 | 誘電体薄膜の製法 |
| ES2418129T5 (es) | 2007-04-27 | 2017-08-30 | Kao Corporation | Preparación para blanqueo o teñido del cabello del tipo de dos componentes |
-
1991
- 1991-03-26 JP JP3087893A patent/JP3040004B2/ja not_active Expired - Lifetime
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