JP5208758B2 - レリーフ特性を有する基板の形状に適合する酸化物セラミックに基づく塗膜製造プロセス - Google Patents
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Description
・ 得られる塗膜の密度が低い
・ 化学反応による非常に反応性の高いガス(ハイドロゲン、ハロゲン)によって塗膜が汚染されることが多い
・ 塗膜の基板に対する接着力が低い
・ レリーフ特性の端では、塗膜の鋭度が弱い
a)セラミック化合物に組み入れる金属及び/または半金属の分子前駆体または複数の分子前駆体を、溶媒を含む媒体に接触させることにより、第1溶液を作成し、該溶媒は少なくとも2つの−OH官能基と任意で脂肪族モノアルコールを含む、
b)a)で得られた溶液を、必要十分な時間そのまま放置して、ほぼ一定の粘度を有する溶液を得る、
c)b)で得られた溶液を、ステップa)の溶媒と同一の溶媒またはステップa)で用いた溶媒と混和性を有するが、それとは異なる溶媒を用いて所定量まで希釈する。
・ 様々な大きさの複雑な表面に塗膜を製造することができ、大掛かりな設備を必要としない。
・ 組成が均質な蒸着を得ることができる。
・ 種の混合が分子レベルで行われるため、本プロセスを通して3以上の要素を備える複雑な酸化物を容易に製造し、化学量論を制御することができる。
・ ディップコート法
・ スピンコート法
・ 層流コート法(メニスカス・コート法として知られる)
・ スプレーコート法
・ 各蒸着層を乾燥させて、層をゲル化し、任意で溶媒の一部を除去するステップ
・ 各蒸着層を熱分解して層から有機化合物を除去する任意のステップ
・ 各蒸着層を緩和し、層の収縮期間に発生した応力を除去する任意のステップ
・ 蒸着層または全ての蒸着層を圧縮する任意のステップ
第1に、鉛前駆体を含む溶液を作成した。そのため、751g(1.98 mol)の酢酸鉛三水和物および330.2gのエチレングリコールを、頂部に蒸留装置を備える円底フラスコに量って入れた。混合物を70°Cで30分間均質化して、酢酸鉛を完全に溶解した。第2に均質な溶液の温度を上げて、鉛前駆体を蒸留によって脱水させる。蒸留する間、溶液は黄色に変色した。回収した蒸留液は鉛濃度約2.05 mol/kgであった。
基板は、熱酸化によって得られたシリカ層で被覆された、直径6インチのシリコンウェハを使用した。厚さ約100nmのプラチナ層を吹き付けることによって、金属化した。ウェハ表面は溝型のレリーフ特性を有し、深さ1μm、幅1ミクロン程度である。
・ 高熱板上でウェハを2分から10分、温度50°Cで加熱する、『プレ熱分解』ステップとして知られる第1ステップ。従来の周囲温度での乾燥処理と比較して乾燥時間を短縮する。
・ 温度360°Cで5分から10分の熱分解ステップ。有機化合物の残留物をを除去して、残留物を捕捉せずに結晶化相を開始させる。
・ 温度390°Cで10分から20分間の緩和ステップ。PZT膜の収縮時に発生される応力を解放することができる。
・ 温度600°Cで5分から10分間の圧縮ステップ。ペロブスカイト相においてPZT膜を結晶化させる。
第1に、鉛前駆体を含む溶液を作成した。そのため、751g(1.98 mol)の酢酸鉛三水和物および330.2gのエチレングリコールを、頂部に蒸留装置を備える円底フラスコに量って入れた。混合物を70°Cで30分間均質化して、酢酸鉛を完全に溶解した。第2に均質な溶液の温度を上げて、鉛前駆体を蒸留によって脱水させる。蒸留する間、溶液は黄色に変色した。回収した蒸留液は鉛濃度約2.05 mol/kgであった。
基板は、熱酸化によって得られたシリカ層で被覆された、直径6インチのシリコンウェハを使用した。厚さ約100 nmのプラチナ層を吹き付けることによって、金属化した。ウェハ表面は、深さ1μm、幅1ミクロン程度の溝型のレリーフ特性を有する。
・ 高熱板上でウェハを2分から10分、温度50°Cで加熱する、『プレ熱分解』ステップとして知られる第1ステップ。従来の周囲温度での乾燥処理と比較して乾燥時間を短縮する。
・ 温度360°Cで5分から10分の熱分解ステップ。有機化合物の残留物を除去して、残留物を捕捉せずに結晶化相を開始させる。
・ 温度390°Cで10分から20分間の緩和ステップ。PZT膜の収縮時に発生される応力を解放することができる。
・ 温度600°Cで5分から10分間の圧縮ステップ。ペロブスカイト相においてPZT膜を結晶化させる。
Claims (19)
- レリーフ特性を有する基板の形状に適合する、酸化物セラミックから成る塗膜の製造プロセスであって、該プロセスは、前記基板を、ディップコート法により前記セラミックの前駆体であるゾルゲル溶液の層で塗膜するステップと、
前記溶液の層を前記セラミックに変化させるよう、前記層を熱処理するステップとを備え、
前記それぞれのステップは、任意で1回以上繰り返され、前記セラミックの前駆体である該ゾルゲル溶液は以下のステップを連続的に有するプロセスによって形成されることを特徴とするプロセス。
a) セラミック化合物に組み入れる金属及び/または半金属の分子前躯体または複数の分子前駆体を、溶媒を含む媒体に接触させることにより、第1溶液を作成し、該溶媒は少なくとも2つの−OH官能基と任意で脂肪族モノアルコールを含む。
b) a)で得られた溶液を、必要十分な時間である1週間から4カ月の間そのまま放置して、一定の粘度を有する溶液を得る。
c) b)で得られた溶液を、ステップa)で用いられた少なくとも2つの−OH官能基を含む溶媒より低い粘度を有する溶媒で所定量まで希釈する。 - 前記酸化物セラミックは、チタン酸ジルコン酸鉛(公知略語PZT)、チタン酸バリウム、チタン酸バリウムストロンチウム(公知略語 BST)、鉛亜鉛チタン酸ニオビウム(公知略語 PZNT)、ニオブ酸鉛亜鉛(公知略語 PZN)、マグネシウムニオブ酸鉛(公知略語 PMN)、チタン酸鉛(公知略語 PT)、ニオブ酸カリウムカルシウム、チタン酸ビスマスカリウム(公知略語 BKT)、チタン酸ビスマスストロンチウム(公知略語 SBT)、タンタル酸カリウム(公知略語 KLT)およびPMN とPTとの固溶体から選択されること、を特徴とする請求項1に記載のプロセス。
- 前記酸化物セラミックは、SiO2、HfO2、ZrO2、Al2O3、Ta2O5から選択されること、を特徴とする請求項1に記載のプロセス。
- 前記金属または半金属の分子前駆体は、無機金属または半金属塩であること、
を特徴とする請求項1乃至3の内の何れか1つに記載のプロセス。 - 前記金属または半金属の分子前駆体は、有機金属または半金属化合物であること、を特徴とする請求項1乃至3の内の何れか1つに記載のプロセス。
- 前記有機金属または半金属化合物は、化学式(RO)nMに対応するアルコキシドであって、Mは前記金属または半金属を意味し、nはMに関連するリガンドの数を表すとともにMの価数に対応し、Rは1から10個までの炭素原子を含有可能な直鎖または分岐アルキル基または4から14個の炭素原子から成る芳香族基を表すこと、を特徴とする請求項5に記載のプロセス。
- 前記有機金属または半金属化合物は、化学式XyR1 zMの有機金属化合物であって、Mは金属または半金属を表し、Xは、ハロゲン、アクリレート、アセトキシ、アシルまたはOR’基から選択される加水分解性基を表し、R’は1から10個までの炭素原子を含有可能な直鎖または分岐アルキル基または4から14個の炭素原子から成る芳香族基を表し、Rは、1から10個までの炭素原子を含有可能な、任意でペルフルオロ化された直鎖または分岐アルキル基または4から14個の炭素原子から成る芳香族基から選択される非加水分解性基を表し、yおよびzはyとzの和が価数Mと等しくなるように選択した整数であ
る、ことを特徴とする請求項5に記載のプロセス。 - ステップa)の第1溶液は、さらに1以上の重合可能化合物を含むこと、を特徴とする請求項1乃至7の内の何れか1つに記載のプロセス。
- ステップa)および任意でc)に用いられる少なくとも2つの−OH官能基から成る溶媒は、2から5個の炭素原子を有するアルキレングリコールであること、を特徴とする請求項1乃至8の内の何れか1つに記載のプロセス。
- ステップa)の前記任意の脂肪族モノアルコールは1から6個の炭素原子から成ること、を特徴とする請求項1乃至9の内の何れか1つに記載のプロセス。
- ステップc)で用いられる希釈剤が、1から6個の炭素原子から成る脂肪族モノアルコールであること、を特徴とする請求項1に記載のプロセス。
- 前記酸化物セラミックは、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)であること、を特徴とする先行する請求項1乃至11の内の何れか1つに記載のプロセス。
- 前記熱処理は、前記塗膜層をゲル化するために塗膜層を乾燥するステップと、
前記塗膜層から有機化合物を除去するために塗膜層を熱分解するステップと、
前記塗膜層の収縮期間に発生した応力を除去するために、前記塗膜層を緩和するステップと、
前記塗膜層を圧縮して結晶化するステップとを備えること、を特徴とする請求項1乃至11の内の何れか1つに記載のプロセス。 - 前記乾燥ステップは、周囲温度で1分から10分間実施されること、を特徴とする請求項13に記載のプロセス。
- 前記熱分解ステップは、約300から約400°Cの温度で約5分から10分間実施されること、を特徴とする請求項13に記載のプロセス。
- 前記緩和ステップは、熱分解温度より10から30°C高い温度で10分から30分間実施されること、を特徴とする請求項13に記載のプロセス。
- 前記結晶化するステップは、500から800°Cの温度で1分から10分間実施されること、を特徴とする請求項13に記載のプロセス。
- 前記塗膜は30から200nmの厚さであること、を特徴とする請求項1乃至17の内の何れか1つに記載のプロセス。
- 前記基板は、ミクロン規模のサイズ特性を有すること、を特徴とする請求項1乃至18の内の何れか1つに記載のプロセス。
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