JPWO2006068130A1 - 蛍光材料およびその製造方法、蛍光材料を用いた放射線検出器、並びにx線ct装置 - Google Patents
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Abstract
Description
請求項1記載の発明の要旨は、Ceを発光元素とし、少なくともGd、Al、Ga及びOを含んだガーネット構造の蛍光材料であって、原子個数比で、Ga/(Gd+Ga+Al+Ce)が0.2〜0.3であり、Al/(Gd+Ga+Al+Ce)が0.35〜0.4であり、Ce/(Gd+Ga+Al+Ce)が0.0005〜0.006である単結晶の蛍光材料に存する。
請求項2記載の発明の要旨は、前記蛍光材料は0.0001〜3質量%の濃度でZrを含有することを特徴とする請求項1に記載の蛍光材料に存する。
請求項3記載の発明の要旨は、Ceを発光元素とし、少なくともGd、Lu、Al、Ga及びOを含んだガーネット構造の蛍光材料であって、その組成が下記一般式(I)で表されることを特徴とする蛍光材料に存する。
Gd3−p−qLupCeqAlrGa5−rO12 (I)
ここで、0.1≦p≦3.0、0.001≦q≦0.05、2≦r≦4である。
請求項4記載の発明の要旨は、単結晶であることを特徴とする請求項3に記載の蛍光材料に存する。
請求項5記載の発明の要旨は、多結晶であることを特徴とする請求項3に記載の蛍光材料に存する。
請求項6記載の発明の要旨は、単結晶または多結晶であることを特徴とする請求項3に記載の蛍光材料に存する。ここで、上記一般式(I)において、1.0≦p≦2.0である。
請求項7記載の発明の要旨は、Ceを発光元素とし、少なくともGd、Al、GaおよびO、Luおよび/またはYを含んだガーネット構造の蛍光材料であって、その組成がLをLuおよび/またはYとして、下記一般式(II)で表され、ガーネット構造をとる蛍光材料に存する。
(Gd1−x−zLxCez)3+a(Al1−uGau)5−aO12 (II)
ここで、0<a≦0.15、0<x<1.0、0.0003≦z≦0.0167(ただしx+z<1.0)、0.2≦u≦0.6である。
請求項8記載の発明の要旨は、単結晶であることを特徴とする請求項7に記載の蛍光材料に存する。ここで、上記一般式(II)において、0.032<a≦0.15である。
請求項9記載の発明の要旨は、単結晶であることを特徴とする請求項7に記載の蛍光材料に存する。ここで、上記一般式(II)において、LがLuである場合に、0.0925<x≦0.5、LがYである場合に、0.2≦x≦0.67、LがLuおよびYである場合には、LuとYの比率をv:(1−v)(ただし0<v<1)として、0.0925v+0.2(1−v)<x≦0.5v+0.67(1−v)である。
請求項10記載の発明の要旨は、単結晶であることを特徴とする請求項7に記載の蛍光材料に存する。ここで、上記一般式(II)において、0.032<a≦0.15、LがLuである場合に、0.0925<x≦0.5、LがYである場合に、0.2≦x≦0.67、
LがLuおよびYである場合には、LuとYの比率をv:(1−v)(ただし0<v<1)として、0.0925v+0.2(1−v)<x≦0.5v+0.67(1−v)である。
請求項11記載の発明の要旨は、多結晶であることを特徴とする請求項7に記載の蛍光材料に存する。ここで、上記一般式(II)において、0.032<a≦0.15である
請求項12記載の発明の要旨は、多結晶であることを特徴とする請求項7に記載の蛍光材料に存する。ここで、上記一般式(II)において、LがLuである場合に、0.0925<x≦0.5、LがYである場合に、0.2≦x≦0.67、LがLuおよびYである場合には、LuとYの比率をv:(1−v)(ただし0<v<1)として、0.0925v+0.2(1−v)<x≦0.5v+0.67(1−v)である。
請求項13記載の発明の要旨は、多結晶であることを特徴とする請求項7に記載の蛍光材料に存する。ここで、上記一般式(II)において、0.032<a≦0.15、LがLuである場合に、0.0925<x≦0.5、LがYである場合に、0.2≦x≦0.67、
LがLuおよびYである場合には、LuとYの比率をv:(1−v)(ただし0<v<1)として、0.0925v+0.2(1−v)<x≦0.5v+0.67(1−v)である。
請求項14記載の発明の要旨は、スカンジウム(Sc)が0.004〜10mol%添加されていることを特徴とする請求項7及至13のいずれか1項に記載の蛍光材料に存する。
請求項15記載の発明の要旨は、マグネシウム(Mg)および/またはニッケル(Ni)および/またはチタン(Ti)がそれぞれ0.003〜0.2mol%添加されていることを特徴とする請求項7及至14のいずれか1項に記載の蛍光材料に存する。
請求項16記載の発明の要旨は、波長550nmの光の透過率が60%以上であることを特徴とする請求項1及至15のいずれか1項に記載の蛍光材料に存する。
請求項17記載の発明の要旨は、液相から結晶成長させる蛍光材料の製造方法であって、前記蛍光材料はCeを発光元素とし、少なくともGd、Al、Ga及びOを含んだガーネット構造の蛍光材料であって、原子個数比で、Ga/(Gd+Ga+Al+Ce)が0.2〜0.3であり、Al/(Gd+Ga+Al+Ce)が0.35〜0.4であり、Ce/(Gd+Ga+Al+Ce)が0.0005〜0.006である単結晶であり、前記結晶成長における雰囲気が酸素ガスと不活性ガスの混合気体であることを特徴とする蛍光材料の製造方法に存する。
請求項18記載の発明の要旨は、前記雰囲気の酸素ガス濃度が0.01〜50vol%の範囲であることを特徴とする請求項17に記載の蛍光材料の製造方法に存する。
請求項19記載の発明の要旨は、請求項7及至10のいずれか1項に記載の蛍光材料の製造方法であって、焼成前の原料におけるAlとGaの組成比を(1−k×u):(k×u)とし、kを1.005〜1.3の範囲とした焼成体を製造し、該焼成体を加熱溶融してチョクラルスキー(CZ)法またはフローティングゾーン(FZ)法によって前記蛍光材料を得ることを特徴とする蛍光材料の製造方法に存する。
請求項20記載の発明の要旨は、請求項1及至16のいずれか1項に記載の蛍光材料の製造方法であって、単結晶または多結晶である前記蛍光材料に対して、酸素を含む雰囲気中で、1100℃〜1800℃の温度で熱処理を行うことを特徴とする蛍光材料の製造方法に存する。
請求項21記載の発明の要旨は、前記雰囲気における酸素濃度が0.01vol%以上であることを特徴とする請求項20に記載の蛍光材料の製造方法に存する。
請求項22記載の発明の要旨は、放射線を吸収して発光するシンチレータと該シンチレータの発光を検出する受光素子とを有する放射線検出器であって、前記シンチレータとして請求項1及至16のいずれか1項に記載の蛍光材料を用いることを特徴とする放射線検出器に存する。
請求項23記載の発明の要旨は、前記蛍光材料の厚さが0.5〜10mmの範囲であることを特徴とする請求項22に記載の放射線検出器に存する。
請求項24記載の発明の要旨は、X線を照射するX線源と、それに対向して配置されるX線検出器とを有するX線CTであって、前記X線検出器として請求項22または請求項23に記載の放射線検出器を用いることを特徴とするX線CT装置に存する。
第1の実施の形態に係る蛍光材料は、残光が小さいと共に、特に光透過率を高くすることによりその発光強度を高めたものである。この蛍光材料は、セリウム(Ce)を発光元素とし、少なくともガドリニウム(Gd)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)及び酸素(O)を含んだガーネット構造の蛍光材料であって、原子個数比で、Ga/(Gd+Ga+Al+Ce)が0.2〜0.3であり、Al/(Gd+Ga+Al+Ce)が0.35〜0.4であり、Ce/(Gd+Ga+Al+Ce)が0.0005〜0.006である単結晶である。母材を構成するGd、Ga、Alに関しては、前記範囲外の組成になると十分な発光強度を得ることができない。これは、(Gd1−zCez)3(Al1−uGau)5O12の化学式で示されるガーネットの定比組成からのずれが大きくなりすぎるために、不定比欠陥に起因した欠陥準位が発光を伴わないフォノン遷移の原因として働くためであると考えられる。一方、発光元素であるCeの濃度については、上記の範囲以外では、やはり十分な蛍光強度を得ることができない。これは、0.0005未満の場合には、Ce原子の数が少なすぎる為に、吸収したX線のエネルギーを効率よく光エネルギーに変換することができず、0.006超の場合は、Ce原子間の距離が小さくなりすぎるために、発光を伴わない、所謂消光という現象が起きていることによると考えられる。高効率で発光させるためには、より好ましくGa/(Gd+Ga+Al+Ce)が0.24〜0.27であり、Al/(Gd+Ga+Al+Ce)が0.37〜0.39であり、Ce/(Gd+Ga+Al+Ce)が0.001〜0.002である。
第2の実施の形態に係る蛍光材料は、残光が小さいと共に、特にX線吸収係数を高めることによりその発光強度を高めたものである。この蛍光材料は、セリウム(Ce)を発光元素とし、少なくともガドリニウム(Gd)、ルテチウム(Lu)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)及び酸素(O)を含んだガーネット構造の蛍光材料であって、一般式がGd3−p−qLupCeqAlrGa5−rO12で表され、0.1≦p≦3.0、0.001≦q≦0.05、2≦r≦4であることを特徴とする。母材を構成するGd、Lu、Ga、Alに関しては、(Gd、Lu、Ce)3(Al、Ga)5O12の化学式で示されるガーネット定比組成からのずれが大きくなると、発光強度が低下する。これは、結晶中に不定比欠陥が生成し、発光を伴わない電子遷移の原因として働くためである。発光元素であるCeの組成については、上記qの範囲以外では、十分な発光強度を得ることができない。これは、0.001未満の場合には、Ce原子の数が少なすぎる為に、吸収したX線のエネルギーを効率よく光エネルギーに変換することができず、0.05超の場合は、Ce原子間の距離が小さくなりすぎるために、発光を伴わない消光という現象が起きてしまうためである。AlとGaの組成に関しては、2≦r≦4の範囲で発光強度が大きく、rが3で最大となる。GdとLuの組成に関しては、X線の吸収係数および透過率から決定される。図1にX線のエネルギと吸収係数との関係を、図2にX線のエネルギと試料厚さ3mmの場合の透過率との関係を示す。これらの図からわかるように、Luを含まない組成では、X線のエネルギが80KeV以上の領域で吸収係数が小さく、Luを含む組成では、80KeV以上の領域で、その含有率の増加とともに吸収係数が大きくなり、LuのK吸収端(61.1KeV)近傍では、逆に吸収係数が低下する。しかしながら、X線CT装置において用いられるX線は、図1、図2にそのスペクトルを示すように、主に60keV以上のエネルギーをもつため、Luを含む組成の方がこれを有効に吸収できる。このため、GdとLuの組成として0.1≦p≦3.0の範囲で発光強度が大きく、特に1.0≦p≦2.0でより発光強度が大きくなる。表2は本実施の形態の蛍光材料と従来の蛍光材料における密度、吸収係数、発光強度、減衰時定数、残光強度を比較した表である。ここで、発光強度はCdWO4単結晶の場合を100としたときの値であり、残光強度は、X線照射停止後30ms経過後の発光強度とX線照射中の発光強度の比(%)で示した。A〜Eは従来の蛍光材料であり、F〜Iが本実施の形態の蛍光材料である。FとGはそれぞれが同一組成(p=1、q=0.01、r=3)の単結晶(F)と多結晶(G)であり、HとIはそれぞれが同一組成(p=2、q=0.01、r=3)の単結晶(H)と多結晶(I)である。また、Eは本実施の形態の蛍光材料におけるLuを添加しなかった場合(p=0、q=0.01、r=3)となっている。前記の通り、本実施の形態に係る蛍光材料においては、80keV以上の領域での吸収係数がLu添加によって大きくなり、発光強度も高くなっている。従来例A〜Dの中には、発光強度は本実施の形態に係る蛍光材料と同等のものがあり、残光強度はいずれも低いが、いずれも減衰時定数が大きいため、残光特性は不充分である。本実施の形態の蛍光材料は、いずれも発光強度が高く、かつ減衰時定数が0.5μs、残光強度も0.01%と小さい。
第3の実施の形態に係る蛍光材料は、高い発光強度をもつと共に、特に残光を小さくしたものである。この蛍光材料は、セリウム(Ce)を発光元素とし、少なくともガドリニウム(Gd)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)および酸素(O)と、ルテチウム(Lu)または/およびイットリウム(Y)を含んだガーネット構造の蛍光材料であって、その組成は一般式(Gd1−x−zLxCez)3+a(Al1−uGau)5−aO12(式中、LはLuまたは/およびYであり、aは0<a≦0.15、xは0<x<1.0、zは0.0003≦z≦0.0167(ただしx+z<1.0)、uは0.2≦u≦0.6の範囲である。)で表される。この蛍光材料の大きな特徴は、Luまたは/およびYを含み、ガーネット構造における組成を化学量論組成(a=0)からずらし、0<aとして、ガーネット構造におけるCサイト(8配位)元素(Gd、L、Ce)を過剰とし、Aサイト(6配位)およびDサイト(4配位)元素(Al、Ga)をその分減らしたことである。なお、上記第2の実施の形態の蛍光材料は、上記式においてa=0とした場合であるが、この場合でも減衰時定数は充分に小さく、本実施の形態においても減衰時定数は同等である。このため、以降では残光において問題にするのは特に記載しない限り残光強度のみとする。また、この蛍光材料は単結晶でも多結晶であってもよい。
第4の実施の形態に係る放射線検出器について説明する。
第5の実施の形態に係るX線CT装置について説明する。
Gd2O3を214.5g、Ce(NO3)3・6H2Oを1.7g、Ga2O3を74.2g、Al2O3を60.5g計量した。次に、これらの素原料をボールミルで16時間湿式混合した。次に、この素原料の混合粉をアルミナ容器に入れ、アルミナの蓋をした後、大気中で1400℃、2時間の仮焼を行った。昇温速度は300℃/hrとした。冷却後、原料をほぐし、ゴムチューブに詰めて、加圧力98MPaで冷間静水圧プレスを行い、棒状の成形体とした。その後、この成形体をアルミナのこう鉢に入れ、フタをして、大気中で1500℃、2時間の焼結を行った。昇温速度は300℃/hrとした。この焼結体を原料棒および種結晶として、FZ法を用いて結晶育成を行った。原料棒を上側とし、種結晶を下側として、これらが鉛直方向に一直線に並ぶように装置内に取り付けた。原料棒の最下部にランプの光を集光して溶かし、種結晶を徐々に上げて該液相部分と接触させ、その後ミラーを上に移動させて液相部分を上方に移動させることで液相の下方に結晶を成長させた。成長部分の雰囲気は酸素とアルゴンの混合ガスとし、その酸素濃度は50%とした。ミラーの移動速度を2mm/hrとし、結晶成長を開始してから間もなく、原料棒を0.5mm/hrの速度で降下させた。成長結晶の長さが約20mmになった時点で原料棒を引き上げて結晶から切り離し、約4時間で室温まで冷却した。この時の冷却速度は7.5℃/minであった。内周スライサーを用いて厚さ3mmの板に機械加工後、表面に光学研磨を施し、単結晶の蛍光材料を試料として作成した。切り出した結晶片および育成原料として使用した上述の原料棒について、ICP発光分析法による結晶組成分析を行った。また、蛍光特性として、330nmの光を照射した時の発光スペクトル測定を行った。図13に波長330nmの光に対する発光波長スペクトルを示す。なお、この図において、660nmに存在する強い信号は、励起光である330nmの光がディテクタに当たったことで発生したものであり、本材料からの蛍光を示すものではない。
結晶成長させる時点でのミラーの移動速度を4mm/hr、原料棒の降下速度を1mm/hrとした以外は実施例1と同様の方法で蛍光材料を作製した。得られた結晶を、厚さ3mmの板に機械加工後、表面に光学研磨を施し、単結晶の蛍光材料を試料として作成した。
Gd2O3を183.3g、Ce(NO3)3・6H2Oを2.95g、Ga2O3を63.6g、Al2O3を51.9g計量した以外は実施例1と同様の方法で蛍光材料を作製した。得られた結晶を、厚さ3mmの板に機械加工後、表面に光学研磨を施し、単結晶の蛍光材料を試料として作成した。
原料として使用するGd2O3を134.2g、Ce(NO3)3・6H2Oを1.1g、Ga2O3を92.8g、Al2O3を12.6gとし、結晶成長させる時点での雰囲気は純アルゴンとして、実施例1と同様の方法で蛍光材料を作製した。得られた結晶を、厚さ3mmの板に機械加工後、表面に光学研磨を施し、単結晶の蛍光材料を試料として作成した。
Gd2O3を135.48g、Ce2(C2O4)3・9H2Oを0.883g、Al2O3を38.16g、Si(OC2H5)4を0.31g、Ga2O3を50.61g及びBaF2を21.92g秤量した。次に、これらの素原料を湿式ボールミルで混合後、乾燥した。次に、この素原料の混合粉をアルミナ容器に入れ、アルミナの蓋をした後、1500℃で2時間仮焼した。冷却後、原料をほぐし、撹拌器を用い、4Nの塩酸で2時間洗浄後、純水でよく洗浄し乾燥した。そして、24時間ボールミル粉砕を行った。こうして、平均粒径0.7μmのシンチレータ粉砕粉を得た。この粉砕紛に、純水を5質量%添加し、49MPaの圧力で一軸プレス成形し、その後、加圧力294MPaで冷間静水圧プレスを行い、成形体を得た。この成形体をアルミナこう鉢に入れ、フタをして、窒素雰囲気で1625℃、3時間の一次焼結を行い、理論密度に対し、98%の焼結体が得られた。この焼結体を、1500℃、3時間、100MPa条件で熱間静水圧プレス焼結を行い、GGAG:Ceの多結晶体を得た。得られた焼結体は、理論密度に対し99.9%の密度を有していた。この焼結体を厚さ3.0mmのウェハ形状に機械加工し、多結晶の蛍光材料を試料として作成した。
Gd2O3を333g、Pr6O11を0.35g、Na2CO3を96g、Li2B4O7を10g、NaBF4を3g、K3PO4・3H2Oを32g、Sを105g秤量し、乾式で混合した。次に,500gの純水にCe(NO3)3・6H2Oを1.3g溶かし、その溶液2mlを先の素原料に添加した。この素原料をアルミナルツボに入れ、アルミナの蓋をした後、1250℃で21h焼成した。冷却後、原料をほぐした。この原料を、純水で良く洗浄し、次に攪拌器を用い、4Nの塩酸で2h、90℃の温水で1hの洗浄を行った。こうして、平均粒径44μmのGd2O2S:Pr(Ce,F)シンチレータ原料粉がえられた。この原料粉に焼結助剤としてLi2GeF6を0.1質量%添加し、軟鋼製カプセルに充填、真空封止した。これを1300℃、101MPa、2hの条件で熱間静水圧プレス(HIP)し、機械加工により30mm×20mm断面で厚さ1.2mmの板材に加工後、アルゴンガス中で1100℃、1hの熱処理を行うことで、多結晶の蛍光材料を試料として作成した。
Gd2O3を180.34g、Lu2O3を99.48g、Ce(NO3)3・6H2Oを2.17g、Al2O3を76.47g、Ga2O3を93.72g計量した。次に、これらの素原料をボールミルで12時間湿式混合した。次に、この素原料の混合粉をアルミナ容器に入れ、アルミナの蓋をした後、大気中で1400℃、2時間の仮焼を行った。冷却後、原料をほぐし、ゴムチューブに詰めて、加圧力98MPaで冷間静水圧プレスを行い、棒状の成形体とした。その後、この成形体をアルミナのこう鉢に入れ、フタをして、大気中で1500℃、2時間の焼結を行った。この焼結体を原料棒および種結晶として、FZ法を用いて結晶育成を行った。原料棒を上側とし、種結晶を下側として、これらが鉛直方向に一直線に並ぶように装置内に取り付けた。原料棒の最下部にランプの光を集光して溶かし、種結晶を徐々に上げて該液相部分と接触させ、その後ミラーを上に移動させて液相部分を上方に移動させることで液相の下方に結晶を成長させた。成長部分の雰囲気は酸素とアルゴンの混合ガスとし、その酸素濃度は3%とした。ミラーの移動速度を2mm/hrとし、結晶成長を開始してから間もなく、原料棒を0.5mm/hrの速度で降下させた。成長結晶の長さが約20mmになった時点で原料棒を引き上げて結晶から切り離し、約4時間で室温まで冷却した。この時の冷却速度は7.5℃/minであった。内周スライサーを用いて厚さ3mmの板に機械加工後、表面に光学研磨を施し、単結晶の蛍光材料を試料として作成した。
素原料の計量値をGd2O3を89.72g、Lu2O3を198.97g、Ce(NO3)3・6H2Oを2.17g、Al2O3を76.47g、Ga2O3を93.72gとした以外は実施例4と同様の方法で、単結晶の蛍光材料を試料として作成した。
素原料の計量値をGd2O3を177.63g、Lu2O3を99.48g、Ce(NO3)3・6H2Oを8.68g、Al2O3を76.47g、Ga2O3を93.72gとした以外は実施例4と同様の方法で、単結晶の蛍光材料を試料として作成した。
素原料の計量値をGd2O3を180.34g、Lu2O3を99.48g、Ce(NO3)3・6H2Oを2.17g、Al2O3を50.98g、Ga2O3を140.58gとした以外は実施例4と同様の方法で、単結晶の蛍光材料を試料として作成した。
素原料の計量値をGd2O3を180.34g、Lu2O3を99.48g、Ce(NO3)3・6H2Oを2.17g、Al2O3を101.96g、Ga2O3を46.86gとした以外は実施例4と同様の方法で、単結晶の蛍光材料を試料として作成した。
Gd2O3を180.34g、Lu2O3を99.48g、Ce(NO3)3・6H2Oを2.17g、Al2O3を76.47g、Ga2O3を93.72g計量した。次に、これらの素原料をボールミルで12時間湿式混合した後、アルミナ容器に入れ、アルミナの蓋をして、大気中で1400℃、2時間の仮焼を行った。この仮焼粉はボールミルで12時間湿式粉砕を行い、金型を用いて50MPaの圧力でプレス成形し、さらに300MPaの圧力でCIP成形を行った。得られた成形体は、アルミナ製こう鉢に入れ、窒素中、1650℃、3時間の一時焼結を行った。その後、1500℃、4時間、100MPaの条件でHIP焼結を行い、多結晶の蛍光材料を試料として作成した。
素原料の計量値をGd2O3を89.72g、Lu2O3を198.97g、Ce(NO3)3・6H2Oを2.17g、Al2O3を76.47g、Ga2O3を93.72gとした以外は実施例9と同様の方法で、多結晶の蛍光材料を試料として作成した。
素原料の計量値をGd2O3を270.96g、Ce(NO3)3・6H2Oを2.17g、Al2O3を76.47g、Ga2O3を93.72gとした以外は実施例4と同様の方法で、単結晶の蛍光材料を試料として作成した。
素原料の計量値をGd2O3を180.34g、Lu2O3を99.48g、Ce(NO3)3・6H2Oを2.17g、Ga2O3を234.30gとした以外は実施例9と同様の方法で、単結晶の蛍光材料を試料として作成した。
素原料の計量値をGd2O3を180.34g、Lu2O3を99.48g、Ce(NO3)3・6H2Oを15.20g、Al2O3を76.47g、Ga2O3を93.72gとした以外は実施例6と同様の方法で、単結晶の蛍光材料を試料として作成した。
Gd2O3を1529.22g、Lu2O3を178.78g、Ce(NO3)3・6H2Oを10.567g、Al2O3を440.35g、Ga2O3を562.56g計量した。次に、これらの素原料を湿式ボールミル混合後、B5サイズのアルミナルツボに入れ、1400℃で2h焼成し、冷却後、原料粉を十分にほぐした。得られた原料粉をゴムチューブに詰めて、加圧力98MPaで冷間静水圧プレスを行い、棒状の成形体とした。この成形体をイリジウムルツボ中で高周波溶解後、種結晶を浸漬し、引上げ速度1mm/h、回転速度10rpmとして、CZ法により2インチサイズの単結晶育成を行った。育成雰囲気は2vol%の酸素を含む窒素ガス中で、育成方向は〈111〉方向とした。得られた結晶は、内周スライサーを用いて厚さ3mmの板に機械加工後、100vol%の酸素雰囲気中で1500℃×2hの熱処理を行った。熱処理の昇温速度は300℃/hとした。熱処理後、表面に光学研磨を施し、単結晶の蛍光材料を試料として作成した。
素原料の計量値をGd2O3を1529.22g、Lu2O3を178.78g、Ce(NO3)3・6H2Oを10.567g、Al2O3を440.35g、Ga2O3を562.56g、及びMgOを0.048gとした以外は実施例11と同様の方法で、単結晶の蛍光材料を試料として作成した。
素原料の計量値をGd2O3を1318.09g、Lu2O3を362.91g、Ce(NO3)3・6H2Oを10.296g、Al2O3を447.57g、Ga2O3を571.78g、及びTiO2を0.048gとした以外は実施例11と同様の方法で、単結晶の蛍光材料を試料として作成した。
素原料の計量値をGd2O3を1354.91g、Lu2O3を376.05g、Ce(NO3)3・6H2Oを10.669g、Al2O3を437.64g、Ga2O3を559.10g及びSc2O3を4.137gとした以外は実施例11と同様の方法で、単結晶の蛍光材料を試料として作成した。
素原料の計量値をGd2O3を1498.74g、Lu2O3を176.49g、Ce(NO3)3・6H2Oを10.432g、Al2O3を443.96g、Ga2O3を567.17g、及びMgOを0.048g、Sc2O3を4.137gとした以外は実施例11と同様の方法で、単結晶の蛍光材料を試料として作成した。
素原料の計量値をGd2O3を1006.17g、Lu2O3を744.93g、Ce(NO3)3・6H2Oを2.032g、Al2O3を559.77g、Ga2O3を343.02g、及びMgOを0.048g、TiO2を0.048g、Sc2O3を4.137gとした以外は実施例11と同様の方法で、単結晶の蛍光材料を試料として作成した。
素原料の計量値をGd2O3を1516.66g、Lu2O3を178.78g、Ce(NO3)3・6H2Oを40.643g、Al2O3を335.86g、Ga2O3を754.65g、及びMgOを0.048gとした以外は実施例11と同様の方法で、単結晶の蛍光材料を試料として作成した。
素原料の計量値をGd2O3を1352.78g、Y2O3を211.36g、Ce(NO3)3・6H2Oを10.567g、Al2O3を440.35g、Ga2O3を562.56g、及びMgOを0.048gとした以外は実施例11と同様の方法で、単結晶の蛍光材料を試料として作成した。
素原料の計量値をGd2O3を1478.34g、Lu2O3を178.77g、Y2O3を31.71g、Ce(NO3)3・6H2Oを10.565g、Al2O3を440.34g、Ga2O3を562.56g、及びMgOを0.048gとした以外は実施例11と同様の方法で、単結晶の蛍光材料を試料として作成した。
素原料の秤量値は実施例11と同じとし、これらの素原料を湿式ボールミル混合後乾燥した。次に、この素原料混合粉をB5サイズのアルミナルツボに入れ、1200℃で2h焼成し、冷却後、原料を十分にほぐした。こうして、平均粒径約1μmのシンチレータ粉末を得た。この粉末に、純水を5wt%添加し、500Kg/cm2の圧力で一軸プレス成形し、その後、加圧力3ton/cm2で冷間静水圧プレスを行い、理論密度に対し64%の成形体が得られた。この成形体をアルミナこう鉢に入れ、フタをして、酸素2%を含む窒素雰囲気で1650℃、3時間の一次焼結を行い、理論密度に対し、98%の焼結体が得られた。なお、密度の高い均一な焼結体とするため、1350℃以上の昇温速度は50℃/hとした。この焼結体を、Ar雰囲気、1500℃、3時間、1×108Paの条件で熱間静水圧プレス焼結を行った。得られた焼結体は、理論密度に対し99.9%の密度を有していた。この焼結体を厚さ3mmのウェハ形状に機械加工後、100vol%の酸素雰囲気中で1500℃×2hの熱処理を行った。熱処理の昇温速度は300℃/hとした。熱処理後、表面に光学研磨を施し、多結晶の蛍光材料を試料として作成した。
素原料の計量値をGd2O3を1568.43g、Lu2O3を183.37g、Ce(NO3)3・6H2Oを10.84g、Al2O3を433.13g、及びGa2O3を553.33gとした以外は実施例11と同様の方法で、単結晶の蛍光材料を試料として作成した。
素原料の計量値をGd2O3を1568.43g、Lu2O3を183.37g、Ce(NO3)3・6H2Oを10.84g、Al2O3を433.13g、Ga2O3を553.33g、及びMgOを0.048gとした以外は実施例11と同様の方法で、単結晶の蛍光材料を試料として作成した。
素原料の計量値をGd2O3を674.19g、Lu2O3を1117.39g、Ce(NO3)3・6H2Oを10.57g、Al2O3を440.35g、Ga2O3を562.56g、及びMgOを0.048gとした以外は実施例11と同様の方法で、単結晶の蛍光材料を試料として作成した。
素原料の計量値をGd2O3を1503.09g、Lu2O3を178.78g、Ce(NO3)3・6H2Oを73.16g、Al2O3を440.35g、Ga2O3を562.56g、及びTiO2を0.048gとした以外は実施例11と同様の方法で、単結晶の蛍光材料を試料として作成した。
素原料の計量値をGd2O3を1529.22g、Lu2O3を178.78g、Ce(NO3)3・6H2Oを10.57g、Al2O3を223.91g、Ga2O3を960.46g、及びTiO2を0.048gとした以外は実施例11と同様の方法で、単結晶の蛍光材料を試料として作成した。
2・・・白色塗料
3・・・蛍光材料
4・・・フォトダイオード固定治具
5・・・フォトダイオード
Claims (24)
- Ceを発光元素とし、少なくともGd、Al、Ga及びOを含んだガーネット構造の蛍光材料であって、原子個数比で、Ga/(Gd+Ga+Al+Ce)が0.2〜0.3であり、Al/(Gd+Ga+Al+Ce)が0.35〜0.4であり、Ce/(Gd+Ga+Al+Ce)が0.0005〜0.006である単結晶の蛍光材料。
- 前記蛍光材料は0.0001〜3質量%の濃度でZrを含有することを特徴とする請求項1に記載の蛍光材料。
- Ceを発光元素とし、少なくともGd、Lu、Al、Ga及びOを含んだガーネット構造の蛍光材料であって、その組成が下記一般式(I)で表されることを特徴とする蛍光材料。
Gd3−p−qLupCeqAlrGa5−rO12 (I)
ここで、
0.1≦p≦3.0、
0.001≦q≦0.05、
2≦r≦4、
である。 - 単結晶であることを特徴とする請求項3に記載の蛍光材料。
- 多結晶であることを特徴とする請求項3に記載の蛍光材料。
- 単結晶または多結晶であることを特徴とする請求項3に記載の蛍光材料。
ここで、上記一般式(I)において、
1.0≦p≦2.0
である。 - Ceを発光元素とし、少なくともGd、Al、GaおよびO、Luおよび/またはYを含んだガーネット構造の蛍光材料であって、その組成がLをLuおよび/またはYとして、下記一般式(II)で表され、ガーネット構造をとる蛍光材料。
(Gd1−x−zLxCez)3+a(Al1−uGau)5−aO12 (II)
ここで、
0<a≦0.15、
0<x<1.0、
0.0003≦z≦0.0167(ただしx+z<1.0)、
0.2≦u≦0.6
である。 - 単結晶であることを特徴とする請求項7に記載の蛍光材料。
ここで、上記一般式(II)において、
0.032<a≦0.15
である。 - 単結晶であることを特徴とする請求項7に記載の蛍光材料。
ここで、上記一般式(II)において、
LがLuである場合に、0.0925<x≦0.5、
LがYである場合に、0.2≦x≦0.67、
LがLuおよびYである場合には、LuとYの比率をv:(1−v)(ただし0<v<1)として、
0.0925v+0.2(1−v)<x≦0.5v+0.67(1−v)
である。 - 単結晶であることを特徴とする請求項7に記載の蛍光材料。
ここで、上記一般式(II)において、
0.032<a≦0.15、
LがLuである場合に、0.0925<x≦0.5、
LがYである場合に、0.2≦x≦0.67、
LがLuおよびYである場合には、LuとYの比率をv:(1−v)(ただし0<v<1)として、
0.0925v+0.2(1−v)<x≦0.5v+0.67(1−v)
である。 - 多結晶であることを特徴とする請求項7に記載の蛍光材料。
ここで、上記一般式(II)において、
0.032<a≦0.15
である。 - 多結晶であることを特徴とする請求項7に記載の蛍光材料。
ここで、上記一般式(II)において、
LがLuである場合に、0.0925<x≦0.5、
LがYである場合に、0.2≦x≦0.67、
LがLuおよびYである場合には、LuとYの比率をv:(1−v)(ただし0<v<1)として、
0.0925v+0.2(1−v)<x≦0.5v+0.67(1−v)
である。 - 多結晶であることを特徴とする請求項7に記載の蛍光材料。
ここで、上記一般式(II)において、
0.032<a≦0.15、
LがLuである場合に、0.0925<x≦0.5、
LがYである場合に、0.2≦x≦0.67、
LがLuおよびYである場合には、LuとYの比率をv:(1−v)(ただし0<v<1)として、
0.0925v+0.2(1−v)<x≦0.5v+0.67(1−v)
である。 - スカンジウム(Sc)が0.004〜10mol%添加されていることを特徴とする請求項7及至13のいずれか1項に記載の蛍光材料。
- マグネシウム(Mg)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)のうち少なくとも1種類以上がそれぞれ0.003〜0.2mol%添加されていることを特徴とする請求項7及至14のいずれか1項に記載の蛍光材料。
- 波長550nmの光の透過率が60%以上であることを特徴とする請求項1及至15のいずれか1項に記載の蛍光材料。
- 液相から結晶成長させる蛍光材料の製造方法であって、前記蛍光材料はCeを発光元素とし、少なくともGd、Al、Ga及びOを含んだガーネット構造の蛍光材料であって、原子個数比で、Ga/(Gd+Ga+Al+Ce)が0.2〜0.3であり、Al/(Gd+Ga+Al+Ce)が0.35〜0.4であり、Ce/(Gd+Ga+Al+Ce)が0.0005〜0.006である単結晶であり、前記結晶成長における雰囲気が酸素ガスと不活性ガスの混合気体であることを特徴とする蛍光材料の製造方法。
- 前記雰囲気の酸素ガス濃度が0.01〜50vol%の範囲であることを特徴とする請求項17に記載の蛍光材料の製造方法。
- 請求項7及至10のいずれか1項に記載の蛍光材料の製造方法であって、焼成前の原料におけるAlとGaの組成比を(1−k×u):(k×u)とし、kを1.005〜1.3の範囲とした焼成体を製造し、該焼成体を加熱溶融してチョクラルスキー(CZ)法またはフローティングゾーン(FZ)法によって前記蛍光材料を得ることを特徴とする蛍光材料の製造方法。
- 請求項1及至16のいずれか1項に記載の蛍光材料の製造方法であって、単結晶または多結晶である前記蛍光材料に対して、酸素を含む雰囲気中で、1100℃〜1800℃の温度で熱処理を行うことを特徴とする蛍光材料の製造方法。
- 前記雰囲気における酸素濃度が0.01vol%以上であることを特徴とする請求項20に記載の蛍光材料の製造方法。
- 放射線を吸収して発光するシンチレータと該シンチレータの発光を検出する受光素子とを有する放射線検出器であって、前記シンチレータとして請求項1及至16のいずれか1項に記載の蛍光材料を用いることを特徴とする放射線検出器。
- 前記蛍光材料の厚さが0.5〜10mmの範囲であることを特徴とする請求項22に記載の放射線検出器。
- X線を照射するX線源と、それに対向して配置されるX線検出器とを有するX線CTであって、前記X線検出器として請求項22または請求項23に記載の放射線検出器を用いることを特徴とするX線CT装置。
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---|---|---|---|---|
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JP2007230877A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-13 | Keio Gijuku | 発光標識試薬 |
JP2010500595A (ja) * | 2006-08-15 | 2010-01-07 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | セラミック材料のアフターグローを測定し及び/又は判断する方法及び検出器 |
WO2008093869A1 (ja) * | 2007-02-02 | 2008-08-07 | Hitachi Metals, Ltd. | 蛍光材料およびそれを用いたシンチレータ並びに放射線検出器 |
JP5521412B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2014-06-11 | 日立金属株式会社 | 蛍光材料およびそれを用いたシンチレータ並びに放射線検出器 |
JP5454477B2 (ja) * | 2008-09-29 | 2014-03-26 | 日立金属株式会社 | 単結晶シンチレータ材料およびその製造方法、放射線検出器、並びにpet装置 |
US20110121424A1 (en) * | 2009-04-30 | 2011-05-26 | James Carey | Low oxygen content semiconductor material for surface enhanced photonic devices and associated methods |
US9673243B2 (en) | 2009-09-17 | 2017-06-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
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JP5505782B2 (ja) * | 2010-01-27 | 2014-05-28 | 日立金属株式会社 | 蛍光材料およびそれを用いたシンチレータ並びに放射線検出器 |
JP5212841B2 (ja) * | 2010-03-29 | 2013-06-19 | 日立金属株式会社 | 蛍光材料の製造方法 |
US8692198B2 (en) | 2010-04-21 | 2014-04-08 | Sionyx, Inc. | Photosensitive imaging devices and associated methods |
CN101872831A (zh) * | 2010-05-26 | 2010-10-27 | 上海嘉利莱实业有限公司 | 一种适用于白光led的单晶荧光材料 |
CN103081128B (zh) | 2010-06-18 | 2016-11-02 | 西奥尼克斯公司 | 高速光敏设备及相关方法 |
CN102869748B (zh) * | 2010-10-29 | 2015-01-07 | 日立金属株式会社 | 软x射线检测用多晶闪烁器及其制造方法 |
US10371831B2 (en) * | 2010-11-04 | 2019-08-06 | Radiation Monitoring Devices, Inc. | Mixed garnet oxide scintillators and corresponding systems and methods |
WO2012066425A2 (en) | 2010-11-16 | 2012-05-24 | Saint-Gobain Cristaux Et Detecteurs | Scintillation compound including a rare earth element and a process of forming the same |
JP5952746B2 (ja) * | 2011-01-31 | 2016-07-13 | 古河機械金属株式会社 | シンチレータ用ガーネット型単結晶、及びこれを用いた放射線検出器 |
JP2012180399A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-20 | Furukawa Co Ltd | シンチレータ用ガーネット型結晶、及び、これを用いる放射線検出器 |
US9496308B2 (en) | 2011-06-09 | 2016-11-15 | Sionyx, Llc | Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods |
JP5875790B2 (ja) * | 2011-07-07 | 2016-03-02 | 株式会社東芝 | 光子計数型画像検出器、x線診断装置、及びx線コンピュータ断層装置 |
WO2013010127A2 (en) | 2011-07-13 | 2013-01-17 | Sionyx, Inc. | Biometric imaging devices and associated methods |
EP2744870B1 (en) * | 2011-08-16 | 2017-11-22 | Nitto Denko Corporation | Phosphor compositions and methods of making the same |
JP2013043960A (ja) * | 2011-08-26 | 2013-03-04 | Furukawa Co Ltd | シンチレータ用ガーネット型結晶およびこれを用いる放射線検出器 |
DE112012003524T5 (de) * | 2011-09-22 | 2014-06-12 | Saint-Gobain Cristaux Et Detecteurs | Ein Seltenerdelement enthaltende Szintillationsverbindung und ein Verfahren zu deren Herstellung |
WO2013136804A1 (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-19 | 株式会社 東芝 | 固体シンチレータ、放射線検出器、および放射線検査装置 |
US9064764B2 (en) | 2012-03-22 | 2015-06-23 | Sionyx, Inc. | Pixel isolation elements, devices, and associated methods |
US9145517B2 (en) * | 2012-04-17 | 2015-09-29 | General Electric Company | Rare earth garnet scintillator and method of making same |
JP2013253867A (ja) * | 2012-06-07 | 2013-12-19 | Furukawa Co Ltd | 放射線検出器、食品用放射線検出器、放射線検出器の製造方法、及び、放射線検出方法 |
EP2733189B1 (en) * | 2012-11-14 | 2019-10-16 | Koninklijke Philips N.V. | Scintillator material |
JP6590699B2 (ja) * | 2013-01-23 | 2019-10-16 | ユニバーシティ オブ テネシー リサーチ ファウンデーション | ガーネット型シンチレータのシンチレーション及び光学特性を改変するための共ドーピング方法 |
KR20150130303A (ko) | 2013-02-15 | 2015-11-23 | 사이오닉스, 아이엔씨. | 안티 블루밍 특성 및 관련 방법을 가지는 높은 동적 범위의 cmos 이미지 센서 |
US9939251B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-04-10 | Sionyx, Llc | Three dimensional imaging utilizing stacked imager devices and associated methods |
KR101775186B1 (ko) * | 2013-04-05 | 2017-09-05 | 주식회사 엘지화학 | 터치패널용 점착제 조성물, 점착 필름 및 터치 패널 |
US9556380B2 (en) | 2013-04-12 | 2017-01-31 | Hitachi Metals, Ltd. | Fluorescent material, scintillator and radiation conversion panel |
CN105723246B (zh) * | 2013-06-14 | 2019-01-01 | 田纳西大学研究基金会 | 用于成像应用的具有稳定光输出的辐射检测器 |
US9209345B2 (en) | 2013-06-29 | 2015-12-08 | Sionyx, Inc. | Shallow trench textured regions and associated methods |
JP6102687B2 (ja) * | 2013-11-12 | 2017-03-29 | 住友金属鉱山株式会社 | 複合酸化物単結晶の製造方法 |
JP6102686B2 (ja) * | 2013-11-12 | 2017-03-29 | 住友金属鉱山株式会社 | 複合酸化物単結晶の製造方法 |
PL3041912T3 (pl) * | 2013-12-17 | 2017-09-29 | Koninklijke Philips N.V. | Kompozycja scyntylatora granatu |
US10174247B2 (en) | 2014-05-01 | 2019-01-08 | Tohoku Techno Arch Co., Ltd. | Illuminant and radiation detector |
JP6645429B2 (ja) * | 2014-08-07 | 2020-02-14 | 三菱ケミカル株式会社 | 蛍光体、発光装置、画像表示装置及び照明装置 |
EP3202874B1 (en) | 2014-09-30 | 2020-07-01 | Hitachi Metals, Ltd. | Fluorescent material, scintillator, scintillator array, and radiation detector |
EP3042986A1 (en) * | 2015-01-09 | 2016-07-13 | Forschungsverbund Berlin e.V. | Method for growing beta phase of gallium oxide (ß-Ga2O3) single crystals from the melt contained within a metal crucible by controlling the partial pressure of oxygen. |
CZ2015711A3 (cs) | 2015-10-09 | 2016-10-19 | Crytur Spol S R O | Způsob zkrácení scintilační odezvy zářivých center scintilátoru a materiál scintilátoru se zkrácenou scintilační odezvou |
JP6535271B2 (ja) * | 2015-11-09 | 2019-06-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器、及び放射線検出器の製造方法 |
CN105297136A (zh) * | 2015-11-13 | 2016-02-03 | 孙雷 | 激光照明用掺铈铝酸钆镥石榴石晶体及其制备方法 |
JP6700737B2 (ja) * | 2015-11-20 | 2020-05-27 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像システム、信号処理装置、及び、放射線画像の信号処理方法 |
US10150914B2 (en) * | 2015-11-25 | 2018-12-11 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Ceramic phoswich with fused optical elements, method of manufacture thereof and articles comprising the same |
US10197685B2 (en) | 2015-12-01 | 2019-02-05 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Method for controlling gallium content in gadolinium-gallium garnet scintillators |
US10961452B2 (en) * | 2015-12-01 | 2021-03-30 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Method for controlling gallium content in gadolinium-gallium garnet scintillators |
US10000698B2 (en) * | 2016-03-08 | 2018-06-19 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Transparent ceramic garnet scintillator detector for positron emission tomography |
JP6750520B2 (ja) * | 2017-01-31 | 2020-09-02 | 三菱ケミカル株式会社 | セラミックシンチレータ、シンチレータアレイ、放射線検出器、及び放射線検査装置 |
RU2646407C1 (ru) | 2017-06-02 | 2018-03-05 | Открытое акционерное общество "ФОМОС-МАТЕРИАЛС" | Монокристалл со структурой граната для сцинтилляционных датчиков и способ его получения |
JP2019057071A (ja) * | 2017-09-20 | 2019-04-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および当該半導体装置において用いられるプログラム |
EP3492555B1 (en) * | 2017-11-30 | 2021-01-06 | Gatan, Inc. | High density fast phosphor for electron microscopy |
RU2682554C1 (ru) * | 2017-12-28 | 2019-03-19 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" | Способ получения поликристаллических сцинтилляционных материалов в форме порошков |
KR102634270B1 (ko) * | 2018-11-27 | 2024-02-06 | 한국전기연구원 | 저선량 및 고해상도 구강 방사선 디텍터 |
CN110256073A (zh) * | 2019-02-28 | 2019-09-20 | 江苏罗化新材料有限公司 | Ce:GAGG荧光陶瓷及其制备制备方法、制备系统 |
JP2021046462A (ja) * | 2019-09-17 | 2021-03-25 | 株式会社東芝 | 放射線検出材料及び放射線検出装置 |
CN111875370B (zh) * | 2020-07-07 | 2023-05-09 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 一种用于蓝光led或ld激发的复合晶相荧光陶瓷及其制备方法 |
EP4039663A1 (en) * | 2021-02-05 | 2022-08-10 | Centre national de la recherche scientifique | Ceramic material with a garnet structure showing a non-stoichiometry, synthesis and uses thereof |
CN115925408B (zh) * | 2022-11-18 | 2024-04-12 | 上海御光新材料科技股份有限公司 | 一种透明闪烁陶瓷材料及其制备方法与应用 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04289483A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-10-14 | General Electric Co <Ge> | ガ―ネット構造のシンチレ―タ―を用いた高速の放射線耐性ctシンチレ―タ―装置 |
JP2001004753A (ja) * | 1999-06-23 | 2001-01-12 | Hitachi Medical Corp | 酸化物蛍光体及びそれを用いた放射線検出器、並びにx線ct装置 |
JP2003027057A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-29 | Hitachi Ltd | 光源およびそれを用いた画像表示装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1589964A (en) * | 1976-09-03 | 1981-05-20 | Johnson Matthey Co Ltd | Luminescent materials |
JPS5888699A (ja) * | 1981-11-20 | 1983-05-26 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線像変換パネル |
EP0292616B1 (en) | 1987-05-26 | 1992-05-20 | Agfa-Gevaert N.V. | X-ray conversion into light |
JPH0920599A (ja) | 1995-07-07 | 1997-01-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | テルビウム含有発光材料及びその製造方法 |
US6458295B1 (en) | 1997-12-24 | 2002-10-01 | Hitachi Medical Corporation | Phosphors, and radiation detectors and X-ray CT unit made by using the same |
JP4429444B2 (ja) | 1999-12-24 | 2010-03-10 | 株式会社日立メディコ | シンチレータ、それを用いた放射線検出器及びx線ct装置 |
JP2001294853A (ja) | 2000-04-12 | 2001-10-23 | Hitachi Medical Corp | 酸化物蛍光体及びそれを用いた放射線検出器、並びにx線ct装置 |
JP4521929B2 (ja) * | 2000-04-26 | 2010-08-11 | 株式会社日立メディコ | 蛍光体及びそれを用いた放射線検出器及びx線ct装置 |
JP4683719B2 (ja) * | 2000-12-21 | 2011-05-18 | 株式会社日立メディコ | 酸化物蛍光体及びそれを用いた放射線検出器、並びにx線ct装置 |
US7008558B2 (en) | 2001-10-11 | 2006-03-07 | General Electric Company | Terbium or lutetium containing scintillator compositions having increased resistance to radiation damage |
JP4087093B2 (ja) | 2001-10-15 | 2008-05-14 | 株式会社日立メディコ | 蛍光体素子、それを用いた放射線検出器及び医用画像診断装置 |
JP2004047196A (ja) | 2002-07-10 | 2004-02-12 | Hitachi Ltd | 電子顕微鏡 |
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US7038370B2 (en) * | 2003-03-17 | 2006-05-02 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Phosphor converted light emitting device |
JP2005095514A (ja) | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Hitachi Medical Corp | 放射線検出器及びそれを用いたx線ct装置 |
WO2006043422A1 (ja) * | 2004-10-19 | 2006-04-27 | Nichia Corporation | 半導体素子 |
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JPH04289483A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-10-14 | General Electric Co <Ge> | ガ―ネット構造のシンチレ―タ―を用いた高速の放射線耐性ctシンチレ―タ―装置 |
JP2001004753A (ja) * | 1999-06-23 | 2001-01-12 | Hitachi Medical Corp | 酸化物蛍光体及びそれを用いた放射線検出器、並びにx線ct装置 |
JP2003027057A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-29 | Hitachi Ltd | 光源およびそれを用いた画像表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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