JP2004047196A - 電子顕微鏡 - Google Patents
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Abstract
【課題】透過型電子顕微鏡のシンチレータ、及び蛍光板の蛍光膜を構成する蛍光体の発光効率、輝度飽和低減、寿命の各特性を向上させ、高性能の電子顕微鏡及び画像観察装置を得る。
【解決手段】蛍光膜が形成されたシンチレータ１１、及び蛍光板９と前記蛍光膜に透過電子線を照射して像観察を行う手段とを備えた透過型電子顕微鏡であって、前記蛍光膜を、一般式が（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｒｅ、（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）２Ｏ３：Ｅｕ、（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）ＢＯ３：Ｅｕで表される、ただし、ＲｅはＴｂ及びＣｅの少なくとも一種の元素であり、そして、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体を用いることにより、発光効率、輝度飽和低減、寿命特性の改善を実現する電子顕微鏡及び画像観察装置ができる。
【選択図】図２
【解決手段】蛍光膜が形成されたシンチレータ１１、及び蛍光板９と前記蛍光膜に透過電子線を照射して像観察を行う手段とを備えた透過型電子顕微鏡であって、前記蛍光膜を、一般式が（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｒｅ、（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）２Ｏ３：Ｅｕ、（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）ＢＯ３：Ｅｕで表される、ただし、ＲｅはＴｂ及びＣｅの少なくとも一種の元素であり、そして、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体を用いることにより、発光効率、輝度飽和低減、寿命特性の改善を実現する電子顕微鏡及び画像観察装置ができる。
【選択図】図２
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、蛍光膜が形成されたシンチレータに係わり、特に前記シンチレータを形成する蛍光膜に電子線を照射して像観察を行う手段を備えた透過型電子顕微鏡及び画像観察装置に関する。また、蛍光膜が形成された蛍光板に係わり、特に前記蛍光板を形成する蛍光膜に電子線を照射して像観察を行う手段を備えた透過型電子顕微鏡及び画像観察装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
透過型電子顕微鏡の像観察は、１００ｋＶから４００ｋＶ程度の高加速電圧で行う。電子線を試料に照射し、試料を透過した電子線を蛍光膜が形成された蛍光板に当て、蛍光板の蛍光体粒子が発光したとき光の濃淡の観察を行う、または、試料を透過した電子線を蛍光膜が形成されたシンチレータにより光の濃淡に変換し、変換した光を電荷結合素子（以下ＣＣＤとする）に取り込み、ＣＣＤの映像信号出力によりテレビモニタやパソコンで観察を行う。
【０００３】
高加速電圧化、ＣＣＤ、テレビモニタなどのディジタル画像処理化への対応として、シンチレータ及び蛍光板に要求される特徴は、第１に電子線を蛍光膜中に止めることが必要である。高加速電圧２００ｋＶから４００ｋＶ程度の場合、電子線が蛍光膜を突き抜けてしまい、発光に寄与する電子線の強度が弱くなる。その結果、蛍光膜を構成する蛍光体の発光効率を低下させてしまう。そのため、蛍光膜中に電子線を止め、発光効率を向上させる必要がある。
【０００４】
第２に輝度飽和を起こし難い、つまり輝度−励起電流特性が良い蛍光体である必要がある。輝度−励起電流特性が良い蛍光体を用いることにより、励起電流に対するダイナミックレンジをより広く確保することができる。
【０００５】
第３に発光スペクトル形状がＣＣＤの受光感度分布特性へ対応していることが必要である。そのためＣＣＤの量子効率が一番高い４８０ｎｍ−５８０ｎｍに中心発光ピーク波長を持つ蛍光体が必要である。
【０００６】
これら問題点を改善した蛍光体で構成したシンチレータ、及び蛍光板を使用することにより高加速電圧化、ディジタル画像処理化へ対応した電子顕微鏡及び画像観察装置が実現できる。
【０００７】
現在までに蛍光板にＺｎＳ蛍光体、また、シンチレータにはＺｎＳ蛍光体、ＣａＦ２、ＹＡＧ（Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２）単結晶、及びＧｄ２Ｏ２Ｓなどが用いられている。例えば、発光ピーク波長が５５０ｎｍであるセリウムをドープしたＹＡＧ、または発光ピーク波長が５１０ｎｍであるプラセオジウム、セリウム、フッ素などをドープしたＧｄ２Ｏ２Ｓが用いられてきた。
【０００８】
中でもＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体が蛍光板、シンチレータともに主に用いられてきた。シンチレータ蛍光膜に関しては、例えば特開０９−４５２７１号公報においてシンチレータとして金属オキソシリケートを使用している。非晶質セレン膜を持った撮像管の最大受光感度波長３５０−４５０ｎｍに対応したセリウムをドープしたガドリニウムオキソシリケート（Ｇｄ２ＳｉＯ５）、またはイットリウムオキソシリケート（Ｙ２ＳｉＯ５）、またはルテシウムオキソシリケート（Ｌｕ２ＳｉＯ５）を使用している。
【０００９】
また、特開１１−１２６５７４号公報ではシンチレータ蛍光膜を構成する蛍光体としてフッ化カルシウムを適用している。非晶質セレン膜を持った撮像管の最大受光感度波長３５０−４５０ｎｍに対応したユーロピウムを添加したフッ化カルシウムが報告されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
したがって本発明の目的は、現在までシンチレータ、及び蛍光板として主に用いられてきたＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体よりも発光特性の優れた蛍光体、つまり具体的には、高加速電圧領域において蛍光膜中に電子線を止めることによる蛍光膜の発光効率の向上、輝度−励起電流特性の改善による輝度飽和の低減、さらにＣＣＤの受光感度分布特性に蛍光体の発光特性を対応させた蛍光体により、優れた画像特性を有する電子顕微鏡及び画像観察装置を提供することにある。
【００１１】
さらに具体的には蛍光膜が形成されたシンチレータとＣＣＤとを備え、映像信号出力によりテレビモニタやパソコンで観察が行える高性能の電子顕微鏡及び画像観察装置を提供することにある。
【００１２】
また、具体的には蛍光膜が形成された蛍光板を備え、蛍光板の蛍光体粒子が発光したときの光の濃淡により、肉眼で観察が行える高性能の電子顕微鏡及び画像観察装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的は蛍光膜が形成されたシンチレータ（電子線を光に変換する素子）と前記蛍光膜に透過電子線を照射して像観察を行う手段を備えた透過型電子顕微鏡であって、前記蛍光膜を、一般式が（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｒｅで表される、ただし、ＲｅはＴｂ及びＣｅの少なくとも一種の元素であり、そして、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体で構成したことを特徴とする電子顕微鏡で達成される。
【００１４】
また、蛍光膜が形成されたシンチレータと前記蛍光膜に透過電子線を照射して像観察を行う手段を備えた透過型電子顕微鏡であって、前記蛍光膜を、一般式がＧｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｒｅで表される、ただし、ＲｅはＴｂ及びＣｅの少なくとも一種の元素である蛍光体で構成したことを特徴とする電子顕微鏡で達成される。
【００１５】
また、蛍光膜が形成されたシンチレータと前記蛍光膜に透過電子線を照射して像観察を行う手段を備えた透過型電子顕微鏡であって、前記蛍光膜を、一般式が（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂである、ただし、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体で構成したことを特徴とする電子顕微鏡で達成される。
【００１６】
また、蛍光膜が形成されたシンチレータと前記蛍光膜に透過電子線を照射して像観察を行う手段を備えた透過型電子顕微鏡であって、前記蛍光膜を、一般式がＧｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂである蛍光体で構成したことを特徴とする電子顕微鏡で達成される。
【００１７】
また、蛍光膜が形成されたシンチレータと前記蛍光膜に透過電子線を照射して像観察を行う手段を備えた透過型電子顕微鏡であって、前記蛍光膜を、一般式が（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）２Ｏ３：Ｅｕ、または（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）ＢＯ３：Ｅｕで表せる、ただし、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体で構成したことを特徴とする電子顕微鏡で達成される。
【００１８】
また、蛍光膜が形成されたシンチレータと前記蛍光膜に透過電子線を照射して像観察を行う手段を備えた透過型電子顕微鏡であって、前記蛍光膜を、一般式がＧｄ２Ｏ３：Ｅｕ、またはＧｄＢＯ３：Ｅｕで表せる蛍光体で構成したことを特徴とする電子顕微鏡で達成される。
【００１９】
また、蛍光膜が形成された蛍光板と前記蛍光膜に透過電子線を照射して像観察を行う手段を備えた透過型電子顕微鏡であって、前記蛍光膜を、一般式が（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｒｅで、ＲｅはＴｂ及びＣｅの少なくとも一種の元素で表せる、ただし、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体で構成したことを特徴とする電子顕微鏡で達成される。
【００２０】
また、蛍光膜が形成された蛍光板と前記蛍光膜に透過電子線を照射して像観察を行う手段とを備えた透過型電子顕微鏡であって、前記蛍光膜を、一般式が（Ｙ１− ｘ，Ｇｄｘ）２Ｏ３：Ｅｕ、または（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）ＢＯ３：Ｅｕで表せる、ただし、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体で構成したことを特徴とする電子顕微鏡で達成される。
【００２１】
また、蛍光膜が形成されたシンチレータと前記蛍光膜に電子線を照射して像観察を行う手段を備えた画像観察装置であって、前記蛍光膜を、一般式が（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｒｅで表される、ただし、ＲｅはＴｂ及びＣｅの少なくとも一種の元素であり、そして、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体で構成したことを特徴とする画像観察装置で達成される。
【００２２】
また、蛍光膜が形成されたシンチレータと前記蛍光膜に電子線を照射して像観察を行う手段とを備えた画像観察装置であって、前記蛍光膜を、一般式が（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）２Ｏ３：Ｅｕ、または（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）ＢＯ３：Ｅｕで表せる、ただし、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体で構成したことを特徴とする画像観察装置で達成される。
【００２３】
また、蛍光膜が形成された蛍光板と前記蛍光膜に電子線を照射して像観察を行う手段とを備えた画像観察装置であって、前記蛍光膜を、一般式が（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｒｅで表される、ただし、ＲｅはＴｂ及びＣｅの少なくとも一種の元素であり、そして、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体で構成したことを特徴とする画像観察装置で達成される。
【００２４】
また、蛍光膜が形成された蛍光板と前記蛍光膜に電子線を照射して像観察を行う手段とを備えた画像観察装置であって、前記蛍光膜を、一般式が（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）２Ｏ３：Ｅｕ、または（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）ＢＯ３：Ｅｕで表せる、ただし、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体で構成したことを特徴とする画像観察装置で達成される。
【００２５】
即ち、本発明の電子顕微鏡に使用する酸化物希土類蛍光体の第一の特徴は、高加速電圧領域において電子線を蛍光膜中に止めることにより、発光効率を向上させることである。また、一般的に原子番号が大きい重元素ほど電子を引きつける効果が強い。そのため蛍光体中に電子線を止めるために蛍光体に重元素を添加することで、その効果が向上する。そこで、本発明においては、重元素としてＧｄを蛍光体に添加した。
また、本発明で用いた酸化物希土類蛍光体の第二の特徴はＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体と比較して輝度−励起電流特性が良く輝度飽和が小さい蛍光体であり、寿命特性が良いということである。ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体は発光中心としてドナー−アクセプタの再結合を用いており、孤立発光センタである希土類発光中心より輝度飽和を起こしやすい。
また、ＣＣＤ受光感度分布特性に蛍光体の発光スペクトル特性を対応させるため発光ピーク波長４８０ｎｍ−５８０ｎｍに中心発光ピーク波長を持つ希土類発光中心Ｔｂ、Ｃｅ、Ｅｕを用いた酸化物希土類蛍光体を適用した。
【００２６】
【発明の実施の形態】
ここでは本発明の電子顕微鏡及び画像観察装置に使用するシンチレータ及び蛍光板を構成する蛍光体の発光特性について詳述するが、以下に示す実施形態は、本発明を具体化する一例を示すものであり、本発明を拘束するものではない。
【００２７】
（実施形態１）
本発明の（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ蛍光体は以下に述べる方法で製造できる。原料として、Ｙ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、Ｔｂ４Ｏ７、Ａｌ２Ｏ３、及びＧａ２Ｏ３を用いた。これらの材料の化学量論比率に従った所定量に、焼成のためにフラックスを上記原料による生成物のモル数の１／２０モル加え、乳鉢を用いてよく混合した。この混合物をアルミナるつぼに入れ、るつぼのふたをした後、１６００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕し、フラックス成分を除くため水洗、乾燥の後、蛍光体粉末を得た。このようにして得られた（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂで表される、ただし、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体についてカソードルミネッセンススペクトル特性評価を行った。
【００２８】
測定する試料はＮｉメッキした銅基板上に沈降塗布法により水ガラスを加えて塗布した。蛍光体を塗布した基板を走査型電子顕微鏡の測定チャンバー内にセットして測定を行った。加速電圧１０ｋＶ、及び３０ｋＶ、励起電流３．８６ｎＡ／ｃｍ２、７．７１ｎＡ／ｃｍ２、１９．３ｎＡ／ｃｍ２、３８．６ｎＡ／ｃｍ２、及び５７．８ｎＡ／ｃｍ２の条件で電子線照射により特性評価を行った。
【００２９】
図１にＧｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ蛍光体のカソードルミネッセンススペクトルを示す。緑色発光の５４０ｎｍ付近に鋭い発光ピークを持つ発光帯が得られた。ＣＣＤ受光感度分布特性に十分に対応した発光スペクトル特性が得られた。
【００３０】
図２にＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体、Ｇｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ蛍光体の積算発光強度の励起電流値変化を示す。ここで積算発光強度は３８０ｎｍから７８０ｎｍまでの発光強度を積算したものとした。ＣＣＤからの出力である映像信号強度はＣＣＤの受光感度分布と蛍光体の発光波長分布特性を掛け合わせ、全波長領域にわたって積算したもので表せるためである。
【００３１】
積算発光強度は励起電流値の増加とともに増加する傾向にあり、その傾きはＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体と比較してＧｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ蛍光体の方が明らかに大きい。
【００３２】
積算発光強度の励起電流値に対するグラフの傾きは電流係数γとして表され、積算発光強度の励起電流値に対する伸びを示している。ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌの電流係数γを１とすると、Ｇｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ（ｘ＝１の場合）は１．５４、Ｙ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ（ｘ＝０の場合）では１．３２となった。つまり、（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ蛍光体を用いた方がＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体より輝度−励起電流特性が良く、輝度飽和を低減できることが確認できた。
【００３３】
（実施形態２）
本発明の（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅである、ただし、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体についてカソードルミネッセンススペクトル特性評価を行った。測定する試料はＮｉメッキした銅基板上に沈降塗布法により水ガラスを加えて塗布した。蛍光体を塗布した基板を走査型電子顕微鏡の測定チャンバー内にセットして測定を行った。加速電圧１０ｋＶ、及び３０ｋＶ、励起電流３．８６ｎＡ／ｃｍ２、７．７１ｎＡ／ｃｍ２、１９．３ｎＡ／ｃｍ２、３８．６ｎＡ／ｃｍ２、及び５７．８ｎＡ／ｃｍ２の条件で電子線照射により特性評価を行った。
【００３４】
この蛍光体の電子線照射による発光スペクトル特性、輝度−励起電流特性の各特性は実施形態１と同様に良好であった。
【００３５】
（実施形態３）
本発明の（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）２Ｏ２Ｓ：Ｔｂである、ただし、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体についてカソードルミネッセンススペクトル特性評価を行った。測定する試料はＮｉメッキした銅基板上に沈降塗布法により水ガラスを加えて塗布した。
【００３６】
蛍光体を塗布した基板を走査型電子顕微鏡の測定チャンバー内にセットして測定を行った。加速電圧１０ｋＶ、及び３０ｋＶ、励起電流３．８６ｎＡ／ｃｍ２、７．７１ｎＡ／ｃｍ２、１９．３ｎＡ／ｃｍ２、３８．６ｎＡ／ｃｍ２、及び５７．８ｎＡ／ｃｍ２の条件で電子線照射により特性評価を行った。
【００３７】
この蛍光体の電子線照射による発光スペクトル特性、輝度−励起電流特性の各特性は実施形態１と同様に良好であった。
【００３８】
（実施形態４）
本発明の（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）２Ｏ３：Ｅｕである、ただし、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体についてカソードルミネッセンススペクトル特性評価を行った。測定する試料はＮｉメッキした銅基板上に沈降塗布法により水ガラスを加えて塗布した。
【００３９】
蛍光体を塗布した基板を走査型電子顕微鏡の測定チャンバー内にセットして測定を行った。加速電圧１０ｋＶ、及び３０ｋＶ、励起電流３．８６ｎＡ／ｃｍ２、７．７１ｎＡ／ｃｍ２、１９．３ｎＡ／ｃｍ２、３８．６ｎＡ／ｃｍ２、及び５７．８ｎＡ／ｃｍ２の条件で電子線照射により特性評価を行った。
【００４０】
この蛍光体の電子線照射による発光スペクトル特性、輝度−励起電流特性の各特性は実施形態１と同様に良好であった。
【００４１】
（実施形態５）
本発明の（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）ＢＯ３：Ｅｕである、ただし、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体についてカソードルミネッセンススペクトル特性評価を行った。測定する試料はＮｉメッキした銅基板上に沈降塗布法により水ガラスを加えて塗布した。
【００４２】
蛍光体を塗布した基板を走査型電子顕微鏡の測定チャンバー内にセットして測定を行った。加速電圧１０ｋＶ、及び３０ｋＶ、励起電流３．８６ｎＡ／ｃｍ２、７．７１ｎＡ／ｃｍ２、１９．３ｎＡ／ｃｍ２、３８．６ｎＡ／ｃｍ２、及び５７．８ｎＡ／ｃｍ２の条件で電子線照射により特性評価を行った。
【００４３】
この蛍光体の電子線照射による発光スペクトル特性、輝度−励起電流特性の各特性は実施形態１と同様に良好であった。
【００４４】
上記実施形態１〜５に一般式が（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｒｅ、（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ 、（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）２Ｏ３：Ｅｕ、（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）ＢＯ３：Ｅｕで表される、ただし、ＲｅはＴｂ及びＣｅの少なくとも一種の元素であり、そして、式中のｘは０≦ｘ≦１である本発明の主な蛍光体の発光特性を列記した。
【００４５】
上記実施形態で例示した蛍光体を用いてシンチレータ及び蛍光板の蛍光膜を構成すれば、優れた画像特性を備えた透過型電子顕微鏡及び画像観察装置を作製できる。
【００４６】
【実施例】
以下に透過型電子顕微鏡及び画像観察装置の具体的な実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではなく、本発明の目的が達成される範囲の各要素の置換や設定変更がなされたものも含有することは言うまでもない。
【００４７】
（実施例１）透過型電子顕微鏡その１
図３は、本発明の透過型電子顕微鏡の装置構成を示した概略図である。電子銃１から放射された電子線２は収束レンズ３、４により、試料５に照射される。
【００４８】
試料５の結晶構造や組成等の影響を受けた電子線が試料５を透過する。透過した電子線２は対物レンズ６、中間レンズ７、投影レンズ８により蛍光板９に結像される。
【００４９】
蛍光板９により電子像が光像に変換され肉眼で像観察ができる。蛍光板９を上げ、フィルム１０を光軸上２ａから外すと、シンチレータ１１の光電面上（蛍光膜）に電子線が結像され、電子像が光像に変換される。変換された光像はＣＣＤカメラ１２に取り込まれ、得られた映像信号は例えばテレビモニタ、パソコンモニタで像観察、画像処理、記録等が行われる。図３ではパソコンモニタ１３で像観察する例を示している。
【００５０】
シンチレータ１１としてＧｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ蛍光体を沈降塗布法によりコロジオン溶液を加えてそれぞれ塗布した。膜厚は約２５μｍとした。
【００５１】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、Ｇｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ蛍光体において輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体より広いダイナミックレンジが確保できた。
【００５２】
（実施例２）透過型電子顕微鏡その２
本発明の透過型電子顕微鏡は（実施例１）と同様の各部にて構成されている。シンチレータ１１としてＧｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ蛍光体を沈降塗布法によりコロジオン溶液を加えてそれぞれ塗布した蛍光膜がある。
【００５３】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、Ｇｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ蛍光体では輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体より広いダイナミックレンジが確保できた。
【００５４】
（実施例３）透過型電子顕微鏡その３
本発明の透過型電子顕微鏡は（実施例１）と同様の各部にて構成されている。シンチレータ１１としてＧｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、及びＹ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ蛍光体を沈降塗布法によりコロジオン溶液を加えてそれぞれ塗布した蛍光膜がある。
【００５５】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、及びＹ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ蛍光体では輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体より広いダイナミックレンジが確保できた。
【００５６】
（実施例４）透過型電子顕微鏡その４
本発明の透過型電子顕微鏡は（実施例１）と同様の各部にて構成されている。シンチレータ１１としてＧｄ２Ｏ３：Ｅｕ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）２Ｏ３：Ｅｕ、及びＹ２Ｏ３：Ｅｕ蛍光体を沈降塗布法によりコロジオン溶液を加えてそれぞれ塗布した蛍光膜がある。
【００５７】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、Ｇｄ２Ｏ３：Ｅｕ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）２Ｏ３：Ｅｕ、及びＹ２Ｏ３：Ｅｕ蛍光体では輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体より広いダイナミックレンジが確保できた。
【００５８】
（実施例５）透過型電子顕微鏡その５
本発明の透過型電子顕微鏡は（実施例１）と同様の各部にて構成されている。シンチレータ１１としてＧｄＢＯ３：Ｅｕ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）ＢＯ３：Ｅｕ、及びＹＢＯ３：Ｅｕ蛍光体を沈降塗布法によりコロジオン溶液を加えてそれぞれ塗布した蛍光膜がある。
【００５９】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、ＧｄＢＯ３：Ｅｕ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）ＢＯ３：Ｅｕ、及びＹＢＯ３：Ｅｕ蛍光体では輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌより広いダイナミックレンジが確保できた。
【００６０】
（実施例６）透過型電子顕微鏡その６
本発明の透過型電子顕微鏡は（実施例１）と同様の各部にて構成されている。蛍光板９としてＧｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ蛍光体を沈降塗布法によりコロジオン溶液を加えてそれぞれ塗布した蛍光膜がある。
【００６１】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、Ｇｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ蛍光体では輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体より広いダイナミックレンジが確保できた。
【００６２】
（実施例７）透過型電子顕微鏡その７
発明の透過型電子顕微鏡は（実施例１）と同様の各部にて構成されている。蛍光板９としてＧｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ蛍光体を沈降塗布法によりコロジオン溶液を加えてそれぞれ塗布した蛍光膜がある。
【００６３】
速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、Ｇｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ蛍光体では輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体より広いダイナミックレンジが確保できた。
【００６４】
（実施例８）透過型電子顕微鏡その８
本発明の透過型電子顕微鏡は（実施例１）と同様の各部にて構成されている。蛍光板９としてＧｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、及びＹ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ蛍光体を沈降塗布法によりコロジオン溶液を加えてそれぞれ塗布した蛍光膜がある。
【００６５】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、及びＹ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ蛍光体では輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体より広いダイナミックレンジが確保できた。
【００６６】
（実施例９）透過型電子顕微鏡その９
本発明の透過型電子顕微鏡は（実施例１）と同様の各部にて構成されている。蛍光板９としてＧｄ２Ｏ３：Ｅｕ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）２Ｏ３：Ｅｕ、及びＹ２Ｏ３：Ｅｕ蛍光体を沈降塗布法によりコロジオン溶液を加えてそれぞれ塗布した蛍光膜がある。
【００６７】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、Ｇｄ２Ｏ３：Ｅｕ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）２Ｏ３：Ｅｕ、及びＹ２Ｏ３：Ｅｕ蛍光体では輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体より広いダイナミックレンジが確保できた。
【００６８】
（実施例１０）透過型電子顕微鏡その１０
本発明の透過型電子顕微鏡は（実施例１）と同様の各部にて構成されている。蛍光板９としてＧｄＢＯ３：Ｅｕ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）ＢＯ３：Ｅｕ、及びＹＢＯ３：Ｅｕ蛍光体を沈降塗布法によりコロジオン溶液を加えてそれぞれ塗布した蛍光膜がある。
【００６９】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、ＧｄＢＯ３：Ｅｕ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）ＢＯ３：Ｅｕ、及びＹＢＯ３：Ｅｕ蛍光体では輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌより広いダイナミックレンジが確保できた。
【００７０】
（実施例１１）画像観察装置その１
本発明の画像観察装置では、電子銃から放射された電子線は収束レンズにより、試料に照射される。そして、試料の結晶構造や組成等の影響を受けた電子線が反射、または透過する。反射、または透過した電子線は蛍光板により電子像が光像に変換され、肉眼で像観察ができる。
【００７１】
また、反射、または透過した電子線はシンチレータの光電面上（蛍光膜）に電子線が結像され、電子像が光像に変換される。変換された光像は検出器に取り込まれ、得られた信号は例えばテレビモニタ、パソコンモニタで像観察、画像処理、記録等が行われる。
【００７２】
シンチレータとしてＧｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ蛍光体を沈降塗布法によりそれぞれ塗布した。
【００７３】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、Ｇｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ蛍光体において輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体より広いダイナミックレンジが確保できた。
【００７４】
（実施例１２）画像観察装置その２
本発明の画像観察装置は（実施例１１）と同様の各部にて構成されている。シンチレータとしてＧｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ蛍光体を沈降塗布法によりそれぞれ塗布した。
【００７５】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、Ｇｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ蛍光体において輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体より広いダイナミックレンジが確保できた。
【００７６】
（実施例１３）画像観察装置その３
本発明の画像観察装置は（実施例１１）と同様の各部にて構成されている。シンチレータとしてＧｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、及びＹ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ蛍光体を沈降塗布法によりそれぞれ塗布した。
【００７７】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、及びＹ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ蛍光体において輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体より広いダイナミックレンジが確保できた。
【００７８】
（実施例１４）画像観察装置その４
本発明の画像観察装置は（実施例１１）と同様の各部にて構成されている。シンチレータとしてＧｄ２Ｏ３：Ｅｕ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）２Ｏ３：Ｅｕ、及びＹ２Ｏ３：Ｅｕ蛍光体を沈降塗布法によりそれぞれ塗布した蛍光膜がある。
【００７９】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、Ｇｄ２Ｏ３：Ｅｕ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）２Ｏ３：Ｅｕ、及びＹ２Ｏ３：Ｅｕ蛍光体では輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体より広いダイナミックレンジが確保できた。
【００８０】
（実施例１５）画像観察装置その５
本発明の画像観察装置は（実施例１１）と同様の各部にて構成されている。シンチレータとしてＧｄＢＯ３：Ｅｕ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）ＢＯ３：Ｅｕ、及びＹＢＯ３：Ｅｕ蛍光体を沈降塗布法によりそれぞれ塗布した蛍光膜がある。
【００８１】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、ＧｄＢＯ３：Ｅｕ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）ＢＯ３：Ｅｕ、及びＹＢＯ３：Ｅｕ蛍光体では輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌより広いダイナミックレンジが確保できた。
【００８２】
（実施例１６）画像観察装置その６
本発明の画像観察装置は（実施例１１）と同様の各部にて構成されている。蛍光板としてＧｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ蛍光体を沈降塗布法によりそれぞれ塗布した。
【００８３】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、Ｇｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ蛍光体において輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体より広いダイナミックレンジが確保できた。
【００８４】
（実施例１７）画像観察装置その７
本発明の画像観察装置は（実施例１１）と同様の各部にて構成されている。蛍光板としてＧｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ蛍光体を沈降塗布法によりそれぞれ塗布した。
【００８５】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、Ｇｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ蛍光体において輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体より広いダイナミックレンジが確保できた。
【００８６】
（実施例１８）画像観察装置その８
本発明の画像観察装置は（実施例１１）と同様の各部にて構成されている。蛍光板としてＧｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、及びＹ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ蛍光体を沈降塗布法によりそれぞれ塗布した。
【００８７】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、及びＹ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ蛍光体において輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体より広いダイナミックレンジが確保できた。
【００８８】
（実施例１９）画像観察装置その９
本発明の画像観察装置は（実施例１１）と同様の各部にて構成されている。蛍光板としてＧｄ２Ｏ３：Ｅｕ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）２Ｏ３：Ｅｕ、及びＹ２Ｏ３：Ｅｕ蛍光体を沈降塗布法によりそれぞれ塗布した蛍光膜がある。
【００８９】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、Ｇｄ２Ｏ３：Ｅｕ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）２Ｏ３：Ｅｕ、及びＹ２Ｏ３：Ｅｕ蛍光体では輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体より広いダイナミックレンジが確保できた。
【００９０】
（実施例２０）画像観察装置その１０
本発明の画像観察装置は（実施例１１）と同様の各部にて構成されている。蛍光板としてＧｄＢＯ３：Ｅｕ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）ＢＯ３：Ｅｕ、及びＹＢＯ３：Ｅｕ蛍光体を沈降塗布法によりそれぞれ塗布した蛍光膜がある。
【００９１】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、ＧｄＢＯ３：Ｅｕ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）ＢＯ３：Ｅｕ、及びＹＢＯ３：Ｅｕ蛍光体では輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌより広いダイナミックレンジが確保できた。
【００９２】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明により、高加速電圧領域において蛍光膜中に電子線を止めることによる蛍光膜の発光効率の向上、輝度−励起電流特性の改善による輝度飽和の低減、さらにＣＣＤの受光感度分布特性に蛍光膜の発光特性を対応させることにより、優れた画像特性を有する電子顕微鏡及び画像観察装置を提供すると言う所期の目的を達成することができた。
【００９３】
すなわち、具体的には本発明の電子顕微鏡及び画像観察装置の技術的な特徴であるシンチレータ及び蛍光板の蛍光膜に（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｒｅ、（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）２Ｏ３：Ｅｕ、（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）ＢＯ３：Ｅｕで表される、ただし、ＲｅはＴｂ及びＣｅの少なくとも一種の元素であり、そして、式中のｘは０≦ｘ≦１である酸化物希土類蛍光体を使用するものであり、これにより蛍光膜中に電子線を止めることが容易となり、発光効率を向上させることができ、優れた画像特性が得られる。また、輝度飽和を低減し、ＣＣＤ受光感度分布特性に対応した発光特性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の蛍光体のカソードルミネッセンススペクトルを示すグラフ。
【図２】本発明に用いた蛍光体の積算発光強度の励起電流値変化を示すグラフ。
【図３】本発明の透過型電子顕微鏡の概略図。
【符号の説明】
１…電子銃、
２…電子線、
２ａ…光軸、
３…収束レンズ１、
４…収束レンズ２、
５…試料、
６…対物レンズ、
７…中間レンズ、
８…投影レンズ、
９…蛍光板、
１０…フィルム、
１１…シンチレータ、
１２…ＣＣＤカメラ、
１３…コンピュータ。
【発明の属する技術分野】
本発明は、蛍光膜が形成されたシンチレータに係わり、特に前記シンチレータを形成する蛍光膜に電子線を照射して像観察を行う手段を備えた透過型電子顕微鏡及び画像観察装置に関する。また、蛍光膜が形成された蛍光板に係わり、特に前記蛍光板を形成する蛍光膜に電子線を照射して像観察を行う手段を備えた透過型電子顕微鏡及び画像観察装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
透過型電子顕微鏡の像観察は、１００ｋＶから４００ｋＶ程度の高加速電圧で行う。電子線を試料に照射し、試料を透過した電子線を蛍光膜が形成された蛍光板に当て、蛍光板の蛍光体粒子が発光したとき光の濃淡の観察を行う、または、試料を透過した電子線を蛍光膜が形成されたシンチレータにより光の濃淡に変換し、変換した光を電荷結合素子（以下ＣＣＤとする）に取り込み、ＣＣＤの映像信号出力によりテレビモニタやパソコンで観察を行う。
【０００３】
高加速電圧化、ＣＣＤ、テレビモニタなどのディジタル画像処理化への対応として、シンチレータ及び蛍光板に要求される特徴は、第１に電子線を蛍光膜中に止めることが必要である。高加速電圧２００ｋＶから４００ｋＶ程度の場合、電子線が蛍光膜を突き抜けてしまい、発光に寄与する電子線の強度が弱くなる。その結果、蛍光膜を構成する蛍光体の発光効率を低下させてしまう。そのため、蛍光膜中に電子線を止め、発光効率を向上させる必要がある。
【０００４】
第２に輝度飽和を起こし難い、つまり輝度−励起電流特性が良い蛍光体である必要がある。輝度−励起電流特性が良い蛍光体を用いることにより、励起電流に対するダイナミックレンジをより広く確保することができる。
【０００５】
第３に発光スペクトル形状がＣＣＤの受光感度分布特性へ対応していることが必要である。そのためＣＣＤの量子効率が一番高い４８０ｎｍ−５８０ｎｍに中心発光ピーク波長を持つ蛍光体が必要である。
【０００６】
これら問題点を改善した蛍光体で構成したシンチレータ、及び蛍光板を使用することにより高加速電圧化、ディジタル画像処理化へ対応した電子顕微鏡及び画像観察装置が実現できる。
【０００７】
現在までに蛍光板にＺｎＳ蛍光体、また、シンチレータにはＺｎＳ蛍光体、ＣａＦ２、ＹＡＧ（Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２）単結晶、及びＧｄ２Ｏ２Ｓなどが用いられている。例えば、発光ピーク波長が５５０ｎｍであるセリウムをドープしたＹＡＧ、または発光ピーク波長が５１０ｎｍであるプラセオジウム、セリウム、フッ素などをドープしたＧｄ２Ｏ２Ｓが用いられてきた。
【０００８】
中でもＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体が蛍光板、シンチレータともに主に用いられてきた。シンチレータ蛍光膜に関しては、例えば特開０９−４５２７１号公報においてシンチレータとして金属オキソシリケートを使用している。非晶質セレン膜を持った撮像管の最大受光感度波長３５０−４５０ｎｍに対応したセリウムをドープしたガドリニウムオキソシリケート（Ｇｄ２ＳｉＯ５）、またはイットリウムオキソシリケート（Ｙ２ＳｉＯ５）、またはルテシウムオキソシリケート（Ｌｕ２ＳｉＯ５）を使用している。
【０００９】
また、特開１１−１２６５７４号公報ではシンチレータ蛍光膜を構成する蛍光体としてフッ化カルシウムを適用している。非晶質セレン膜を持った撮像管の最大受光感度波長３５０−４５０ｎｍに対応したユーロピウムを添加したフッ化カルシウムが報告されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
したがって本発明の目的は、現在までシンチレータ、及び蛍光板として主に用いられてきたＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体よりも発光特性の優れた蛍光体、つまり具体的には、高加速電圧領域において蛍光膜中に電子線を止めることによる蛍光膜の発光効率の向上、輝度−励起電流特性の改善による輝度飽和の低減、さらにＣＣＤの受光感度分布特性に蛍光体の発光特性を対応させた蛍光体により、優れた画像特性を有する電子顕微鏡及び画像観察装置を提供することにある。
【００１１】
さらに具体的には蛍光膜が形成されたシンチレータとＣＣＤとを備え、映像信号出力によりテレビモニタやパソコンで観察が行える高性能の電子顕微鏡及び画像観察装置を提供することにある。
【００１２】
また、具体的には蛍光膜が形成された蛍光板を備え、蛍光板の蛍光体粒子が発光したときの光の濃淡により、肉眼で観察が行える高性能の電子顕微鏡及び画像観察装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的は蛍光膜が形成されたシンチレータ（電子線を光に変換する素子）と前記蛍光膜に透過電子線を照射して像観察を行う手段を備えた透過型電子顕微鏡であって、前記蛍光膜を、一般式が（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｒｅで表される、ただし、ＲｅはＴｂ及びＣｅの少なくとも一種の元素であり、そして、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体で構成したことを特徴とする電子顕微鏡で達成される。
【００１４】
また、蛍光膜が形成されたシンチレータと前記蛍光膜に透過電子線を照射して像観察を行う手段を備えた透過型電子顕微鏡であって、前記蛍光膜を、一般式がＧｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｒｅで表される、ただし、ＲｅはＴｂ及びＣｅの少なくとも一種の元素である蛍光体で構成したことを特徴とする電子顕微鏡で達成される。
【００１５】
また、蛍光膜が形成されたシンチレータと前記蛍光膜に透過電子線を照射して像観察を行う手段を備えた透過型電子顕微鏡であって、前記蛍光膜を、一般式が（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂである、ただし、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体で構成したことを特徴とする電子顕微鏡で達成される。
【００１６】
また、蛍光膜が形成されたシンチレータと前記蛍光膜に透過電子線を照射して像観察を行う手段を備えた透過型電子顕微鏡であって、前記蛍光膜を、一般式がＧｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂである蛍光体で構成したことを特徴とする電子顕微鏡で達成される。
【００１７】
また、蛍光膜が形成されたシンチレータと前記蛍光膜に透過電子線を照射して像観察を行う手段を備えた透過型電子顕微鏡であって、前記蛍光膜を、一般式が（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）２Ｏ３：Ｅｕ、または（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）ＢＯ３：Ｅｕで表せる、ただし、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体で構成したことを特徴とする電子顕微鏡で達成される。
【００１８】
また、蛍光膜が形成されたシンチレータと前記蛍光膜に透過電子線を照射して像観察を行う手段を備えた透過型電子顕微鏡であって、前記蛍光膜を、一般式がＧｄ２Ｏ３：Ｅｕ、またはＧｄＢＯ３：Ｅｕで表せる蛍光体で構成したことを特徴とする電子顕微鏡で達成される。
【００１９】
また、蛍光膜が形成された蛍光板と前記蛍光膜に透過電子線を照射して像観察を行う手段を備えた透過型電子顕微鏡であって、前記蛍光膜を、一般式が（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｒｅで、ＲｅはＴｂ及びＣｅの少なくとも一種の元素で表せる、ただし、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体で構成したことを特徴とする電子顕微鏡で達成される。
【００２０】
また、蛍光膜が形成された蛍光板と前記蛍光膜に透過電子線を照射して像観察を行う手段とを備えた透過型電子顕微鏡であって、前記蛍光膜を、一般式が（Ｙ１− ｘ，Ｇｄｘ）２Ｏ３：Ｅｕ、または（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）ＢＯ３：Ｅｕで表せる、ただし、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体で構成したことを特徴とする電子顕微鏡で達成される。
【００２１】
また、蛍光膜が形成されたシンチレータと前記蛍光膜に電子線を照射して像観察を行う手段を備えた画像観察装置であって、前記蛍光膜を、一般式が（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｒｅで表される、ただし、ＲｅはＴｂ及びＣｅの少なくとも一種の元素であり、そして、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体で構成したことを特徴とする画像観察装置で達成される。
【００２２】
また、蛍光膜が形成されたシンチレータと前記蛍光膜に電子線を照射して像観察を行う手段とを備えた画像観察装置であって、前記蛍光膜を、一般式が（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）２Ｏ３：Ｅｕ、または（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）ＢＯ３：Ｅｕで表せる、ただし、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体で構成したことを特徴とする画像観察装置で達成される。
【００２３】
また、蛍光膜が形成された蛍光板と前記蛍光膜に電子線を照射して像観察を行う手段とを備えた画像観察装置であって、前記蛍光膜を、一般式が（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｒｅで表される、ただし、ＲｅはＴｂ及びＣｅの少なくとも一種の元素であり、そして、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体で構成したことを特徴とする画像観察装置で達成される。
【００２４】
また、蛍光膜が形成された蛍光板と前記蛍光膜に電子線を照射して像観察を行う手段とを備えた画像観察装置であって、前記蛍光膜を、一般式が（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）２Ｏ３：Ｅｕ、または（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）ＢＯ３：Ｅｕで表せる、ただし、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体で構成したことを特徴とする画像観察装置で達成される。
【００２５】
即ち、本発明の電子顕微鏡に使用する酸化物希土類蛍光体の第一の特徴は、高加速電圧領域において電子線を蛍光膜中に止めることにより、発光効率を向上させることである。また、一般的に原子番号が大きい重元素ほど電子を引きつける効果が強い。そのため蛍光体中に電子線を止めるために蛍光体に重元素を添加することで、その効果が向上する。そこで、本発明においては、重元素としてＧｄを蛍光体に添加した。
また、本発明で用いた酸化物希土類蛍光体の第二の特徴はＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体と比較して輝度−励起電流特性が良く輝度飽和が小さい蛍光体であり、寿命特性が良いということである。ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体は発光中心としてドナー−アクセプタの再結合を用いており、孤立発光センタである希土類発光中心より輝度飽和を起こしやすい。
また、ＣＣＤ受光感度分布特性に蛍光体の発光スペクトル特性を対応させるため発光ピーク波長４８０ｎｍ−５８０ｎｍに中心発光ピーク波長を持つ希土類発光中心Ｔｂ、Ｃｅ、Ｅｕを用いた酸化物希土類蛍光体を適用した。
【００２６】
【発明の実施の形態】
ここでは本発明の電子顕微鏡及び画像観察装置に使用するシンチレータ及び蛍光板を構成する蛍光体の発光特性について詳述するが、以下に示す実施形態は、本発明を具体化する一例を示すものであり、本発明を拘束するものではない。
【００２７】
（実施形態１）
本発明の（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ蛍光体は以下に述べる方法で製造できる。原料として、Ｙ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、Ｔｂ４Ｏ７、Ａｌ２Ｏ３、及びＧａ２Ｏ３を用いた。これらの材料の化学量論比率に従った所定量に、焼成のためにフラックスを上記原料による生成物のモル数の１／２０モル加え、乳鉢を用いてよく混合した。この混合物をアルミナるつぼに入れ、るつぼのふたをした後、１６００℃で２時間焼成した。焼成物を粉砕し、フラックス成分を除くため水洗、乾燥の後、蛍光体粉末を得た。このようにして得られた（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂで表される、ただし、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体についてカソードルミネッセンススペクトル特性評価を行った。
【００２８】
測定する試料はＮｉメッキした銅基板上に沈降塗布法により水ガラスを加えて塗布した。蛍光体を塗布した基板を走査型電子顕微鏡の測定チャンバー内にセットして測定を行った。加速電圧１０ｋＶ、及び３０ｋＶ、励起電流３．８６ｎＡ／ｃｍ２、７．７１ｎＡ／ｃｍ２、１９．３ｎＡ／ｃｍ２、３８．６ｎＡ／ｃｍ２、及び５７．８ｎＡ／ｃｍ２の条件で電子線照射により特性評価を行った。
【００２９】
図１にＧｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ蛍光体のカソードルミネッセンススペクトルを示す。緑色発光の５４０ｎｍ付近に鋭い発光ピークを持つ発光帯が得られた。ＣＣＤ受光感度分布特性に十分に対応した発光スペクトル特性が得られた。
【００３０】
図２にＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体、Ｇｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ蛍光体の積算発光強度の励起電流値変化を示す。ここで積算発光強度は３８０ｎｍから７８０ｎｍまでの発光強度を積算したものとした。ＣＣＤからの出力である映像信号強度はＣＣＤの受光感度分布と蛍光体の発光波長分布特性を掛け合わせ、全波長領域にわたって積算したもので表せるためである。
【００３１】
積算発光強度は励起電流値の増加とともに増加する傾向にあり、その傾きはＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体と比較してＧｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ蛍光体の方が明らかに大きい。
【００３２】
積算発光強度の励起電流値に対するグラフの傾きは電流係数γとして表され、積算発光強度の励起電流値に対する伸びを示している。ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌの電流係数γを１とすると、Ｇｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ（ｘ＝１の場合）は１．５４、Ｙ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ（ｘ＝０の場合）では１．３２となった。つまり、（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ蛍光体を用いた方がＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体より輝度−励起電流特性が良く、輝度飽和を低減できることが確認できた。
【００３３】
（実施形態２）
本発明の（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅである、ただし、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体についてカソードルミネッセンススペクトル特性評価を行った。測定する試料はＮｉメッキした銅基板上に沈降塗布法により水ガラスを加えて塗布した。蛍光体を塗布した基板を走査型電子顕微鏡の測定チャンバー内にセットして測定を行った。加速電圧１０ｋＶ、及び３０ｋＶ、励起電流３．８６ｎＡ／ｃｍ２、７．７１ｎＡ／ｃｍ２、１９．３ｎＡ／ｃｍ２、３８．６ｎＡ／ｃｍ２、及び５７．８ｎＡ／ｃｍ２の条件で電子線照射により特性評価を行った。
【００３４】
この蛍光体の電子線照射による発光スペクトル特性、輝度−励起電流特性の各特性は実施形態１と同様に良好であった。
【００３５】
（実施形態３）
本発明の（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）２Ｏ２Ｓ：Ｔｂである、ただし、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体についてカソードルミネッセンススペクトル特性評価を行った。測定する試料はＮｉメッキした銅基板上に沈降塗布法により水ガラスを加えて塗布した。
【００３６】
蛍光体を塗布した基板を走査型電子顕微鏡の測定チャンバー内にセットして測定を行った。加速電圧１０ｋＶ、及び３０ｋＶ、励起電流３．８６ｎＡ／ｃｍ２、７．７１ｎＡ／ｃｍ２、１９．３ｎＡ／ｃｍ２、３８．６ｎＡ／ｃｍ２、及び５７．８ｎＡ／ｃｍ２の条件で電子線照射により特性評価を行った。
【００３７】
この蛍光体の電子線照射による発光スペクトル特性、輝度−励起電流特性の各特性は実施形態１と同様に良好であった。
【００３８】
（実施形態４）
本発明の（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）２Ｏ３：Ｅｕである、ただし、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体についてカソードルミネッセンススペクトル特性評価を行った。測定する試料はＮｉメッキした銅基板上に沈降塗布法により水ガラスを加えて塗布した。
【００３９】
蛍光体を塗布した基板を走査型電子顕微鏡の測定チャンバー内にセットして測定を行った。加速電圧１０ｋＶ、及び３０ｋＶ、励起電流３．８６ｎＡ／ｃｍ２、７．７１ｎＡ／ｃｍ２、１９．３ｎＡ／ｃｍ２、３８．６ｎＡ／ｃｍ２、及び５７．８ｎＡ／ｃｍ２の条件で電子線照射により特性評価を行った。
【００４０】
この蛍光体の電子線照射による発光スペクトル特性、輝度−励起電流特性の各特性は実施形態１と同様に良好であった。
【００４１】
（実施形態５）
本発明の（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）ＢＯ３：Ｅｕである、ただし、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体についてカソードルミネッセンススペクトル特性評価を行った。測定する試料はＮｉメッキした銅基板上に沈降塗布法により水ガラスを加えて塗布した。
【００４２】
蛍光体を塗布した基板を走査型電子顕微鏡の測定チャンバー内にセットして測定を行った。加速電圧１０ｋＶ、及び３０ｋＶ、励起電流３．８６ｎＡ／ｃｍ２、７．７１ｎＡ／ｃｍ２、１９．３ｎＡ／ｃｍ２、３８．６ｎＡ／ｃｍ２、及び５７．８ｎＡ／ｃｍ２の条件で電子線照射により特性評価を行った。
【００４３】
この蛍光体の電子線照射による発光スペクトル特性、輝度−励起電流特性の各特性は実施形態１と同様に良好であった。
【００４４】
上記実施形態１〜５に一般式が（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｒｅ、（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ 、（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）２Ｏ３：Ｅｕ、（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）ＢＯ３：Ｅｕで表される、ただし、ＲｅはＴｂ及びＣｅの少なくとも一種の元素であり、そして、式中のｘは０≦ｘ≦１である本発明の主な蛍光体の発光特性を列記した。
【００４５】
上記実施形態で例示した蛍光体を用いてシンチレータ及び蛍光板の蛍光膜を構成すれば、優れた画像特性を備えた透過型電子顕微鏡及び画像観察装置を作製できる。
【００４６】
【実施例】
以下に透過型電子顕微鏡及び画像観察装置の具体的な実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではなく、本発明の目的が達成される範囲の各要素の置換や設定変更がなされたものも含有することは言うまでもない。
【００４７】
（実施例１）透過型電子顕微鏡その１
図３は、本発明の透過型電子顕微鏡の装置構成を示した概略図である。電子銃１から放射された電子線２は収束レンズ３、４により、試料５に照射される。
【００４８】
試料５の結晶構造や組成等の影響を受けた電子線が試料５を透過する。透過した電子線２は対物レンズ６、中間レンズ７、投影レンズ８により蛍光板９に結像される。
【００４９】
蛍光板９により電子像が光像に変換され肉眼で像観察ができる。蛍光板９を上げ、フィルム１０を光軸上２ａから外すと、シンチレータ１１の光電面上（蛍光膜）に電子線が結像され、電子像が光像に変換される。変換された光像はＣＣＤカメラ１２に取り込まれ、得られた映像信号は例えばテレビモニタ、パソコンモニタで像観察、画像処理、記録等が行われる。図３ではパソコンモニタ１３で像観察する例を示している。
【００５０】
シンチレータ１１としてＧｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ蛍光体を沈降塗布法によりコロジオン溶液を加えてそれぞれ塗布した。膜厚は約２５μｍとした。
【００５１】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、Ｇｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ蛍光体において輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体より広いダイナミックレンジが確保できた。
【００５２】
（実施例２）透過型電子顕微鏡その２
本発明の透過型電子顕微鏡は（実施例１）と同様の各部にて構成されている。シンチレータ１１としてＧｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ蛍光体を沈降塗布法によりコロジオン溶液を加えてそれぞれ塗布した蛍光膜がある。
【００５３】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、Ｇｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ蛍光体では輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体より広いダイナミックレンジが確保できた。
【００５４】
（実施例３）透過型電子顕微鏡その３
本発明の透過型電子顕微鏡は（実施例１）と同様の各部にて構成されている。シンチレータ１１としてＧｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、及びＹ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ蛍光体を沈降塗布法によりコロジオン溶液を加えてそれぞれ塗布した蛍光膜がある。
【００５５】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、及びＹ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ蛍光体では輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体より広いダイナミックレンジが確保できた。
【００５６】
（実施例４）透過型電子顕微鏡その４
本発明の透過型電子顕微鏡は（実施例１）と同様の各部にて構成されている。シンチレータ１１としてＧｄ２Ｏ３：Ｅｕ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）２Ｏ３：Ｅｕ、及びＹ２Ｏ３：Ｅｕ蛍光体を沈降塗布法によりコロジオン溶液を加えてそれぞれ塗布した蛍光膜がある。
【００５７】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、Ｇｄ２Ｏ３：Ｅｕ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）２Ｏ３：Ｅｕ、及びＹ２Ｏ３：Ｅｕ蛍光体では輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体より広いダイナミックレンジが確保できた。
【００５８】
（実施例５）透過型電子顕微鏡その５
本発明の透過型電子顕微鏡は（実施例１）と同様の各部にて構成されている。シンチレータ１１としてＧｄＢＯ３：Ｅｕ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）ＢＯ３：Ｅｕ、及びＹＢＯ３：Ｅｕ蛍光体を沈降塗布法によりコロジオン溶液を加えてそれぞれ塗布した蛍光膜がある。
【００５９】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、ＧｄＢＯ３：Ｅｕ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）ＢＯ３：Ｅｕ、及びＹＢＯ３：Ｅｕ蛍光体では輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌより広いダイナミックレンジが確保できた。
【００６０】
（実施例６）透過型電子顕微鏡その６
本発明の透過型電子顕微鏡は（実施例１）と同様の各部にて構成されている。蛍光板９としてＧｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ蛍光体を沈降塗布法によりコロジオン溶液を加えてそれぞれ塗布した蛍光膜がある。
【００６１】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、Ｇｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ蛍光体では輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体より広いダイナミックレンジが確保できた。
【００６２】
（実施例７）透過型電子顕微鏡その７
発明の透過型電子顕微鏡は（実施例１）と同様の各部にて構成されている。蛍光板９としてＧｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ蛍光体を沈降塗布法によりコロジオン溶液を加えてそれぞれ塗布した蛍光膜がある。
【００６３】
速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、Ｇｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ蛍光体では輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体より広いダイナミックレンジが確保できた。
【００６４】
（実施例８）透過型電子顕微鏡その８
本発明の透過型電子顕微鏡は（実施例１）と同様の各部にて構成されている。蛍光板９としてＧｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、及びＹ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ蛍光体を沈降塗布法によりコロジオン溶液を加えてそれぞれ塗布した蛍光膜がある。
【００６５】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、及びＹ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ蛍光体では輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体より広いダイナミックレンジが確保できた。
【００６６】
（実施例９）透過型電子顕微鏡その９
本発明の透過型電子顕微鏡は（実施例１）と同様の各部にて構成されている。蛍光板９としてＧｄ２Ｏ３：Ｅｕ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）２Ｏ３：Ｅｕ、及びＹ２Ｏ３：Ｅｕ蛍光体を沈降塗布法によりコロジオン溶液を加えてそれぞれ塗布した蛍光膜がある。
【００６７】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、Ｇｄ２Ｏ３：Ｅｕ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）２Ｏ３：Ｅｕ、及びＹ２Ｏ３：Ｅｕ蛍光体では輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体より広いダイナミックレンジが確保できた。
【００６８】
（実施例１０）透過型電子顕微鏡その１０
本発明の透過型電子顕微鏡は（実施例１）と同様の各部にて構成されている。蛍光板９としてＧｄＢＯ３：Ｅｕ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）ＢＯ３：Ｅｕ、及びＹＢＯ３：Ｅｕ蛍光体を沈降塗布法によりコロジオン溶液を加えてそれぞれ塗布した蛍光膜がある。
【００６９】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、ＧｄＢＯ３：Ｅｕ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）ＢＯ３：Ｅｕ、及びＹＢＯ３：Ｅｕ蛍光体では輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌより広いダイナミックレンジが確保できた。
【００７０】
（実施例１１）画像観察装置その１
本発明の画像観察装置では、電子銃から放射された電子線は収束レンズにより、試料に照射される。そして、試料の結晶構造や組成等の影響を受けた電子線が反射、または透過する。反射、または透過した電子線は蛍光板により電子像が光像に変換され、肉眼で像観察ができる。
【００７１】
また、反射、または透過した電子線はシンチレータの光電面上（蛍光膜）に電子線が結像され、電子像が光像に変換される。変換された光像は検出器に取り込まれ、得られた信号は例えばテレビモニタ、パソコンモニタで像観察、画像処理、記録等が行われる。
【００７２】
シンチレータとしてＧｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ蛍光体を沈降塗布法によりそれぞれ塗布した。
【００７３】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、Ｇｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ蛍光体において輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体より広いダイナミックレンジが確保できた。
【００７４】
（実施例１２）画像観察装置その２
本発明の画像観察装置は（実施例１１）と同様の各部にて構成されている。シンチレータとしてＧｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ蛍光体を沈降塗布法によりそれぞれ塗布した。
【００７５】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、Ｇｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ蛍光体において輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体より広いダイナミックレンジが確保できた。
【００７６】
（実施例１３）画像観察装置その３
本発明の画像観察装置は（実施例１１）と同様の各部にて構成されている。シンチレータとしてＧｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、及びＹ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ蛍光体を沈降塗布法によりそれぞれ塗布した。
【００７７】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、及びＹ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ蛍光体において輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体より広いダイナミックレンジが確保できた。
【００７８】
（実施例１４）画像観察装置その４
本発明の画像観察装置は（実施例１１）と同様の各部にて構成されている。シンチレータとしてＧｄ２Ｏ３：Ｅｕ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）２Ｏ３：Ｅｕ、及びＹ２Ｏ３：Ｅｕ蛍光体を沈降塗布法によりそれぞれ塗布した蛍光膜がある。
【００７９】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、Ｇｄ２Ｏ３：Ｅｕ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）２Ｏ３：Ｅｕ、及びＹ２Ｏ３：Ｅｕ蛍光体では輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体より広いダイナミックレンジが確保できた。
【００８０】
（実施例１５）画像観察装置その５
本発明の画像観察装置は（実施例１１）と同様の各部にて構成されている。シンチレータとしてＧｄＢＯ３：Ｅｕ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）ＢＯ３：Ｅｕ、及びＹＢＯ３：Ｅｕ蛍光体を沈降塗布法によりそれぞれ塗布した蛍光膜がある。
【００８１】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、ＧｄＢＯ３：Ｅｕ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）ＢＯ３：Ｅｕ、及びＹＢＯ３：Ｅｕ蛍光体では輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌより広いダイナミックレンジが確保できた。
【００８２】
（実施例１６）画像観察装置その６
本発明の画像観察装置は（実施例１１）と同様の各部にて構成されている。蛍光板としてＧｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ蛍光体を沈降塗布法によりそれぞれ塗布した。
【００８３】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、Ｇｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ蛍光体において輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体より広いダイナミックレンジが確保できた。
【００８４】
（実施例１７）画像観察装置その７
本発明の画像観察装置は（実施例１１）と同様の各部にて構成されている。蛍光板としてＧｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ蛍光体を沈降塗布法によりそれぞれ塗布した。
【００８５】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、Ｇｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、及びＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ蛍光体において輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体より広いダイナミックレンジが確保できた。
【００８６】
（実施例１８）画像観察装置その８
本発明の画像観察装置は（実施例１１）と同様の各部にて構成されている。蛍光板としてＧｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、及びＹ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ蛍光体を沈降塗布法によりそれぞれ塗布した。
【００８７】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、及びＹ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ蛍光体において輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体より広いダイナミックレンジが確保できた。
【００８８】
（実施例１９）画像観察装置その９
本発明の画像観察装置は（実施例１１）と同様の各部にて構成されている。蛍光板としてＧｄ２Ｏ３：Ｅｕ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）２Ｏ３：Ｅｕ、及びＹ２Ｏ３：Ｅｕ蛍光体を沈降塗布法によりそれぞれ塗布した蛍光膜がある。
【００８９】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、Ｇｄ２Ｏ３：Ｅｕ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）２Ｏ３：Ｅｕ、及びＹ２Ｏ３：Ｅｕ蛍光体では輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体より広いダイナミックレンジが確保できた。
【００９０】
（実施例２０）画像観察装置その１０
本発明の画像観察装置は（実施例１１）と同様の各部にて構成されている。蛍光板としてＧｄＢＯ３：Ｅｕ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）ＢＯ３：Ｅｕ、及びＹＢＯ３：Ｅｕ蛍光体を沈降塗布法によりそれぞれ塗布した蛍光膜がある。
【００９１】
加速電圧１００ｋＶにおいて励起電流値を増加させていくと、ＧｄＢＯ３：Ｅｕ、（Ｙ０．５，Ｇｄ０．５）ＢＯ３：Ｅｕ、及びＹＢＯ３：Ｅｕ蛍光体では輝度飽和は起きず、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌより広いダイナミックレンジが確保できた。
【００９２】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明により、高加速電圧領域において蛍光膜中に電子線を止めることによる蛍光膜の発光効率の向上、輝度−励起電流特性の改善による輝度飽和の低減、さらにＣＣＤの受光感度分布特性に蛍光膜の発光特性を対応させることにより、優れた画像特性を有する電子顕微鏡及び画像観察装置を提供すると言う所期の目的を達成することができた。
【００９３】
すなわち、具体的には本発明の電子顕微鏡及び画像観察装置の技術的な特徴であるシンチレータ及び蛍光板の蛍光膜に（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｒｅ、（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）２Ｏ３：Ｅｕ、（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）ＢＯ３：Ｅｕで表される、ただし、ＲｅはＴｂ及びＣｅの少なくとも一種の元素であり、そして、式中のｘは０≦ｘ≦１である酸化物希土類蛍光体を使用するものであり、これにより蛍光膜中に電子線を止めることが容易となり、発光効率を向上させることができ、優れた画像特性が得られる。また、輝度飽和を低減し、ＣＣＤ受光感度分布特性に対応した発光特性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の蛍光体のカソードルミネッセンススペクトルを示すグラフ。
【図２】本発明に用いた蛍光体の積算発光強度の励起電流値変化を示すグラフ。
【図３】本発明の透過型電子顕微鏡の概略図。
【符号の説明】
１…電子銃、
２…電子線、
２ａ…光軸、
３…収束レンズ１、
４…収束レンズ２、
５…試料、
６…対物レンズ、
７…中間レンズ、
８…投影レンズ、
９…蛍光板、
１０…フィルム、
１１…シンチレータ、
１２…ＣＣＤカメラ、
１３…コンピュータ。
Claims (12)
- 蛍光膜が形成されたシンチレータと前記蛍光膜に透過電子線を照射して像観察を行う手段とを備えた透過型電子顕微鏡であって、前記蛍光膜を、一般式が（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｒｅで表される、ただし、ＲｅはＴｂ及びＣｅの少なくとも一種の元素であり、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体で構成したことを特徴とする電子顕微鏡。
- 蛍光膜が形成されたシンチレータと前記蛍光膜に透過電子線を照射して像観察を行う手段とを備えた透過型電子顕微鏡であって、前記蛍光膜を、一般式がＧｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｒｅで表される、ただし、ＲｅはＴｂ及びＣｅの少なくとも一種の元素である蛍光体で構成したことを特徴とする電子顕微鏡。
- 蛍光膜が形成されたシンチレータと前記蛍光膜に透過電子線を照射して像観察を行う手段とを備えた透過型電子顕微鏡であって、前記蛍光膜を、一般式が（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂである、ただし、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体で構成したことを特徴とする電子顕微鏡。
- 蛍光膜が形成されたシンチレータと前記蛍光膜に透過電子線を照射して像観察を行う手段とを備えた透過型電子顕微鏡であって、前記蛍光膜を、一般式がＧｄ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂである蛍光体で構成したことを特徴とする電子顕微鏡。
- 蛍光膜が形成されたシンチレータと前記蛍光膜に透過電子線を照射して像観察を行う手段とを備えた透過型電子顕微鏡であって、前記蛍光膜を、一般式が（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）２Ｏ３：Ｅｕ、または（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）ＢＯ３：Ｅｕで表せる、ただし、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体で構成したことを特徴とする電子顕微鏡。
- 蛍光膜が形成されたシンチレータと前記蛍光膜に透過電子線を照射して像観察を行う手段とを備えた透過型電子顕微鏡であって、前記蛍光膜を、一般式がＧｄ２Ｏ３：Ｅｕ、またはＧｄＢＯ３：Ｅｕで表せる蛍光体で構成したことを特徴とする電子顕微鏡。
- 蛍光膜が形成された蛍光板と前記蛍光膜に透過電子線を照射して像観察を行う手段とを備えた透過型電子顕微鏡であって、前記蛍光膜を、一般式が（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｒｅで、ＲｅはＴｂ及びＣｅの少なくとも一種の元素で表せる、ただし、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体で構成したことを特徴とする電子顕微鏡。
- 蛍光膜が形成された蛍光板と前記蛍光膜に透過電子線を照射して像観察を行う手段とを備えた透過型電子顕微鏡であって、前記蛍光膜を、一般式が（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）２Ｏ３：Ｅｕ、または（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）ＢＯ３：Ｅｕで表せる、ただし、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体で構成したことを特徴とする電子顕微鏡。
- 蛍光膜が形成されたシンチレータと前記蛍光膜に電子線を照射して像観察を行う手段とを備えた画像観察装置であって、前記蛍光膜を、一般式が（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｒｅで表される、ただし、ＲｅはＴｂ及びＣｅの少なくとも一種の元素であり、そして、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体で構成したことを特徴とする画像観察装置。
- 蛍光膜が形成されたシンチレータと前記蛍光膜に電子線を照射して像観察を行う手段とを備えた画像観察装置であって、前記蛍光膜を、一般式が（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）２Ｏ３：Ｅｕ、または（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）ＢＯ３：Ｅｕで表せる、ただし、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体で構成したことを特徴とする画像観察装置。
- 蛍光膜が形成された蛍光板と前記蛍光膜に電子線を照射して像観察を行う手段とを備えた画像観察装置であって、前記蛍光膜を、一般式が（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｒｅで表される、ただし、ＲｅはＴｂ及びＣｅの少なくとも一種の元素であり、そして、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体で構成したことを特徴とする画像観察装置。
- 蛍光膜が形成された蛍光板と前記蛍光膜に電子線を照射して像観察を行う手段とを備えた画像観察装置であって、前記蛍光膜を、一般式が（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）２Ｏ３：Ｅｕ、または（Ｙ１−ｘ，Ｇｄｘ）ＢＯ３：Ｅｕで表せる、ただし、式中のｘは０≦ｘ≦１である蛍光体で構成したことを特徴とする画像観察装置。
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006068130A1 (ja) * | 2004-12-21 | 2006-06-29 | Hitachi Metals, Ltd. | 蛍光材料およびその製造方法、蛍光材料を用いた放射線検出器、並びにｘ線ｃｔ装置 |
| JP2007073307A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ハイブリッド式電子銃 |
| WO2012057133A1 (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-03 | 日立金属株式会社 | 軟x線検出用多結晶シンチレータ |
| JP2019102456A (ja) * | 2017-11-30 | 2019-06-24 | ガタン インコーポレイテッドＧａｔａｎ Ｉｎｃ． | 電子顕微鏡法のための高密度高速発光体 |
-
2002
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Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012177134A (ja) * | 2004-12-21 | 2012-09-13 | Hitachi Metals Ltd | 蛍光材料およびその製造方法、蛍光材料を用いた放射線検出器、並びにｘ線ｃｔ装置 |
| US7595492B2 (en) | 2004-12-21 | 2009-09-29 | Hitachi Metals, Ltd. | Fluorescent material, a method of manufacturing the fluorescent material, a radiation detector using the fluorescent material, and an X-ray CT scanner |
| US7947956B2 (en) | 2004-12-21 | 2011-05-24 | Hitachi Metals, Ltd. | Fluorescent material, a method of manufacturing the fluorescent material, a radiation detector using the fluorescent material, and an X-ray CT scanner |
| WO2006068130A1 (ja) * | 2004-12-21 | 2006-06-29 | Hitachi Metals, Ltd. | 蛍光材料およびその製造方法、蛍光材料を用いた放射線検出器、並びにｘ線ｃｔ装置 |
| JP2007073307A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ハイブリッド式電子銃 |
| CN102869748A (zh) * | 2010-10-29 | 2013-01-09 | 日立金属株式会社 | 软x射线检测用多晶闪烁器 |
| WO2012057133A1 (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-03 | 日立金属株式会社 | 軟x線検出用多結晶シンチレータ |
| JPWO2012057133A1 (ja) * | 2010-10-29 | 2014-05-12 | 日立金属株式会社 | 軟ｘ線検出用多結晶シンチレータ |
| US8815122B2 (en) | 2010-10-29 | 2014-08-26 | Hitachi Metals, Ltd. | Polycrystalline scintillator for detecting soft X-rays |
| JP5633573B2 (ja) * | 2010-10-29 | 2014-12-03 | 日立金属株式会社 | 軟ｘ線検出用多結晶シンチレータ |
| CN102869748B (zh) * | 2010-10-29 | 2015-01-07 | 日立金属株式会社 | 软x射线检测用多晶闪烁器及其制造方法 |
| EP2634233A4 (en) * | 2010-10-29 | 2017-07-05 | Hitachi Metals, Ltd. | Polycrystalline scintillator for detecting soft x-rays |
| JP2019102456A (ja) * | 2017-11-30 | 2019-06-24 | ガタン インコーポレイテッドＧａｔａｎ Ｉｎｃ． | 電子顕微鏡法のための高密度高速発光体 |
| JP2020205272A (ja) * | 2017-11-30 | 2020-12-24 | ガタン インコーポレイテッドＧａｔａｎ Ｉｎｃ． | 電子顕微鏡法のための高密度高速発光体 |
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