JPWO2004006380A1 - 色素増感型光電変換装置 - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims abstract description 52
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 52
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 claims abstract description 49
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 claims abstract description 41
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims abstract description 26
- -1 4-carboxyphenyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 17
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 16
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 13
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 10
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 8
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 7
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 claims description 7
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 5
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical compound N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000001769 aryl amino group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000005110 aryl thio group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000004469 siloxy group Chemical group [SiH3]O* 0.000 claims description 2
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 claims description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052713 technetium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 claims 5
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 claims 5
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 125000003262 carboxylic acid ester group Chemical group [H]C([H])([*:2])OC(=O)C([H])([H])[*:1] 0.000 claims 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 125000001273 sulfonato group Chemical group [O-]S(*)(=O)=O 0.000 claims 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 38
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 19
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 8
- YIYFFLYGSHJWFF-UHFFFAOYSA-N [Zn].N1C(C=C2N=C(C=C3NC(=C4)C=C3)C=C2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 Chemical compound [Zn].N1C(C=C2N=C(C=C3NC(=C4)C=C3)C=C2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 YIYFFLYGSHJWFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- HZNVUJQVZSTENZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone Chemical compound ClC1=C(Cl)C(=O)C(C#N)=C(C#N)C1=O HZNVUJQVZSTENZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 4
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- ATNHDLDRLWWWCB-AENOIHSZSA-M chlorophyll a Chemical class C1([C@@H](C(=O)OC)C(=O)C2=C3C)=C2N2C3=CC(C(CC)=C3C)=[N+]4C3=CC3=C(C=C)C(C)=C5N3[Mg-2]42[N+]2=C1[C@@H](CCC(=O)OC\C=C(/C)CCC[C@H](C)CCC[C@H](C)CCCC(C)C)[C@H](C)C2=C5 ATNHDLDRLWWWCB-AENOIHSZSA-M 0.000 description 4
- 238000000449 magic angle spinning nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000001840 matrix-assisted laser desorption--ionisation time-of-flight mass spectrometry Methods 0.000 description 4
- 238000000425 proton nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 4
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002371 ultraviolet--visible spectrum Methods 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Chemical compound [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000002597 Solanum melongena Nutrition 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000007324 demetalation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- HZXJVDYQRYYYOR-UHFFFAOYSA-K scandium(iii) trifluoromethanesulfonate Chemical compound [Sc+3].[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F HZXJVDYQRYYYOR-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKNPRRRKHAEUMW-UHFFFAOYSA-N Iodine aqueous Chemical compound [K+].I[I-]I DKNPRRRKHAEUMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000000274 adsorptive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 150000001733 carboxylic acid esters Chemical group 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229930002875 chlorophyll Natural products 0.000 description 1
- 235000019804 chlorophyll Nutrition 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000379 polypropylene carbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 125000000565 sulfonamide group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002130 sulfonic acid ester group Chemical group 0.000 description 1
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
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- C09B47/00—Porphines; Azaporphines
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
Description
本出願は、日本国において2002年7月2日に出願された日本特許出願番号2002−193154を基礎として優先権を主張するものであり、この出願は参照することにより、本出願に援用される。
特に、太陽電池としては、単結晶又は多結晶のシリコンが多く用いられてきた。
これらの結晶シリコン系太陽電池は、光(太陽)エネルギーを電気エネルギーに変換する性能を表す変換効率が、アモルファスシリコンに比べて高いが、結晶の成長に多くのエネルギーと時間を要するため生産性が低く、コスト面で不利であった。
また、アモルファスシリコン系太陽電池は、変換効率が結晶シリコン系太陽電池より低いが、結晶シリコン系太陽電池と比べて光吸収性が高く、基板の選択範囲が広く、大面積化が容易であること等の特徴がある。しかし、生産性は結晶シリコン系太陽電池に比べて高いが、真空プロセスが必要であることから、エネルギー負担は未だに大きい。
これらの太陽電池は、ガリウム、砒素、シランガス等の毒性の高い材料を使用することから、環境汚染の面でも問題がある。
一方、上述のような問題を解決する手段として、有機材料を用いた太陽電池も長く検討されてきたが、多くは、光電変換効率が1%程度と低く、実用化には至らなかった。
その中で、Nature Vol.353,p737,1991年で発表された色素増感型太陽電池は、現在までに10%という高い光電変換効率が実現可能であることが示されており、かつ、安価に製造できると考えられることから注目されている。
この色素増感型太陽電池は、これまでルテニウムビピリジン錯体の他、クロロフィル誘導体やポルフィリンの亜鉛錯体などが色素として提案されている(特開2002−63949号公報参照。)。これらの色素は、光電変換特性が低いため、太陽電池として実用に供するには、満足し得るものではなかった。
これらの光電変換特性の低い理由として、色素の可視光領域での吸収が低いことを挙げることができる。亜鉛ポルフィリンのモノマー、クロロフィル誘導体、ルテニウムビピリジン錯体等の既存の色素では可視光領域の吸光度が小さい。近年、可視光領域に大きな吸収を持つ安定な色素が大須賀等によって開発されてはいる(Science Vol.293,p79,2001年、特開2001−294591号公報、特開2002−53578号公報参照。)。
上述したような、従来の色素増感型太陽電池では、太陽光エネルギーの大半を占める可視光領域(400〜800nm)における増感効果が低く、安定性の面でも問題があることから、実用化は困難である。
本発明の他の目的は、高い光変換効率を有し、安価で耐久性に優れる色素増感型光電変換装置を提供することにある。
本発明に係る色素増感型光源変換装置は、対向電極間に、下記の一般式(1)で表される酸性基含有ポルフィリン多量体を基体骨格とする増感色素を担持させてなる半導体層と、電解質層とが設けられている。
一般式(1):
(但し、前記一般式(1)において、R1〜R18は同一であっても異なっていてもよく、水素原子又は任意の置換基を表す。但し、R1〜R18の少なくとも1つは酸性置換基である。)
本発明に係る他の増感型光源変換装置は、対向電極間に、下記の一般式(2)で表される酸性基含有ポルフィリン多量体を基体骨格とする増感色素を担持させてなる半導体層と、電解質層とが設けられている。
一般式(2):
(但し、前記一般式(2)において、R1〜R18は同一であっても異なっていてもよく、水素原子又は任意の置換基を表す。但し、R1〜R18の少なくとも1つは酸性置換基である。また、Mで表される金属群は任意の金属種である。)
本発明に係るさらに他の色素増感型光源変換装置は、対向電極間に、下記の一般式(3)で表される酸性基含有ポルフィリン多量体を基体骨格とする増感色素を担持させてなる半導体層と、電解質層とが設けられている。
一般式(3):
(但し、前記一般式(3)において、R1〜R24は同一であっても異なっていてもよく、水素原子又は任意の置換基を表す。但し、R1〜R24の少なくとも1つは酸性置換基である。また、nは1以上の整数である。)
さらに、本発明に係るさらに他の色素増感型光源変換装置は、対向電極間に、下記の一般式(4)で表される酸性基含有ポルフィリン多量体を基体骨格とする増感色素を担持させてなる半導体層と、電解質層とが設けられている。
一般式(4):
(但し、前記一般式(4)において、R1〜R24は同一であっても異なっていてもよく、水素原子又は任意の置換基を表す。但し、R1〜R24の少なくとも1つは酸性置換基である。また、Mで表される金属群は任意の金属種である。さらに、nは1以上の整数である。)
本発明に係る色素増感型光電変換装置によれば、半導体層が、一般式(1)、(2)、(3)又は(4)で表される酸性基含有ポルフィリン多量体を基本骨格とする(以下、酸性基含有ポルフィリン多量体からなる、と記す。)増感色素を担持させてなるので、可視光領域(400〜800nm)に非常に大きな光吸収帯を有することができ、特に太陽光エネルギーから電気エネルギーに直接変換する際の変換効率を飛躍的に向上することができる。
また、一般式(1)、(2)、(3)又は(4)で表される酸性基含有ポルフィリン多量体からなる増感色素は、合成が容易であり、安価かつ安全な材料であることから、生産性に優れるという利点を有する。
さらに、一般式(1)、(2)、(3)又は(4)で表される酸性基含有ポルフィリン多量体からなる増感色素は、その酸性基を介して半導体表面と強固な結合状態を形成することができるので、色素増感型光電変換装置は耐久性に優れたものとなる。
本発明の更に他の目的、本発明によって得られる具体的な利点は、以下において図面を参照して説明される実施の形態の説明から一層明らかにされるであろう。
前述した一般式(1)又は(2)のR1〜R18、或いは前記一般式(3)又は(4)のR1〜R24が水素原子、ハロゲン原子、メルカプト基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、スルホン酸基、水酸基、置換又は未置換のアルキル基、置換又は未置換のアリール基、置換又は未置換のアルコキシル基、置換又は未置換のアリールオキシ基、置換又は未置換のアルキルチオ基、置換又は未置換のアリールチオ基、置換又は未置換のアルキルアミノ基、置換又は未置換のアリールアミノ基、置換又は未置換のカルボン酸エステル基、置換又は未置換のカルボン酸アミド基、置換又は未置換のスルホン酸エステル基、置換又は未置換のスルホン醒アミド基、置換又は未置換のカルボニル基、置換又は未置換のシリル基、置換又は未置換のシロキシ基等の置換基であり、R1〜R18の少なくとも1つ又はR1〜R24の少なくとも1つがカルボキシル基、スルホン酸基、水酸基、4−カルボキシフェニル基等の酸性置換基であることが望ましい。
本発明に係る色素増感型太陽電池を含む色素増感型光電変換装置において、半導体層が酸化物半導体からなることが望ましい。
ここで、一般式(1)、(2)、(3)又は(4)において、R1〜R18又はR1〜R24で表される置換基のうち少なくとも1つが、酸性置換基、例えば、カルボキシル基、スルホン酸基、水酸基、4−カルボキシフェニル基であるので、半導体層が酸化物半導体から構成されていても吸着能に優れており、酸化物半導体と増感色素の複合体を形成する上で有利である。なお、上述の例示した酸性置換基の中ではカルボキシル基、4−カルボキシフェニル基を含むものが特に好ましい。
前述の一般式(3)又は(4)において、nは1以上の整数であるが、上限は2とすることがより好ましい。特に、nを上記の範囲内とすることによって、可視光部の吸収波長が長波長側にシフトせず、可視光領域の吸収効率を維持することができる。
さらに、一般式(2)又は(4)において、Mで表される金属群(中心金属)としては、Zn、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Th、U、Cr、Mo、W、Mn、Tc、Re、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Cd、Hg、Al、Ga、In、Tl、Si、Ge、Sn、Pb、As、Sb及びBiからなる群より選ばれた1種又は2種又は2種以上の金属種が挙げられる。即ち、Mで表される金属群は、すべて同一種である以外にも、互いに異なる2種又はそれ以上であってもよい。特に、Mで表される金属群は、上述の中ではZn、Ni、Cu、Pd、Mgがより好ましい。
なお、本発明に用いる増感色素は、一次元方向にポルフィリン誘導体が結合した構造(一次元の平面型ポルフィリン多量体)を基本骨格とするが、当該増感色素の形態から容易に考えられる形態、例えば基本骨格に更に上記と同様のポルフィリン誘導体が2次元方向に結合した2次元構造などとすることもできる。
また、半導体層は、一般式(1)、(2)、(3)又は(4)で表される酸性基含有ポルフィリン多量体の少なくとも2種からなる増感色素を担持させてなる半導体層であってもよく、或いは、一般式(1)、(2)、(3)又は(4)で表される酸性基含有ポルフィリン多量体の少なくとも1種からなる増感色素と、ルテニウムビピリジン錯体、クロロフィル誘導体、ポルフィリンの亜鉛錯体等の他の増感色素とを担持させてなる半導体層であってもよい。
本発明に係る色素増感型光電変換装置は、透明導電膜を備えた透明基板と、前記透明基板の対極をなす導電性基板との間に、半導体層と前記電解質層とが設けられ、光電変換によって透明導電膜と導電性基板との間に電気エネルギーを発生することができる。
本発明に係る色素増感型光源変換装置は、例えば、色素増感型太陽電池として構成されることが望ましい。本発明を色素増感型太陽電池に適用した例を、図1を参照して説明する。
図1に示す本発明に係る色素増感型太陽電池1は、透明導電膜3を備えた透明基板2と、透明基板2の対極をなす導電膜6を有する基板5との間に、半導体層4と電解質層7とが設けられている。これらは、ケース8によって保護されている。半導体層4は、例えば酸化物半導体からなり、かつ一般式(1)、(2)、(3)又は(4)で表される酸性基含有ポルフィリン多量体からなる増感色素が担持されている。透明導電膜3と導電膜6は、導線で接続され、アンメータ10付きの電流回路9を構成している。
以下に、この色素増感型太陽電池1の動作メカニズムについて説明する。
透明導電膜3を有する透明基板2側に太陽光Lが入射すると、この光エネルギーによって半導体層4中の一般式(1)、(2)、(3)又は(4)で表される酸性基含有ポルフィリン多量体からなる増感色素が励起し、電子が発生する。上述したように、透明導電膜3と導電膜6は電流回路9によって接続されているので、電子が半導体層4中の半導体を通じて透明導電膜3へ流れ、これによって透明導電膜3と導電膜6との間で電気エネルギーを取り出すことができる。
色素増感型太陽電池1は、半導体層4が一般式(1)、(2)、(3)又は(4)で表される酸性基含有ポルフィリン多量体からなる増感色素を担持しているので、可視光領域(400〜800nm)に非常に大きな光吸収帯を有することができ、太陽光エネルギーから電気エネルギーに直接変換する変換効率を飛躍的に向上することができる。
また、一般式(1)、(2)、(3)又は(4)で表される酸性基含有ポルフィリン多量体からなる増感色素は、合成が容易であり、安価かつ安全な材料であることから、生産性に優れるという利点を有する。
さらに、一般式(1)、(2)、(3)又は(4)で表される酸性基含有ポルフィリン多量体からなる増感色素は、その酸性基を介して酸化物半導体表面と強固な結合状態を形成することができるので、耐久性に優れている。
酸化物半導体は、公知のものを任意に用いることができ、Ti、Zn、Nb、Zr、Sn、Y、La、Ta等の金属酸化物や、SrTiO3、CaTiO3等のペロブスカイト系酸化物等を挙げることができる。
酸化物半導体等からなる半導体層(半導体電極とも称される。)の形状は、特に制約されるものではなく、膜状、板状、柱状、円筒状等の各種形状であってよい。
透明導電膜を有する透明基板としては、ガラスやポリエチレンテレフタレート(PET)等のプラスチック基板等の耐熱基板上に酸化インジウム、酸化錫、酸化錫インジウム等の薄膜を形成したもの、或いはフッ素ドープした導電性ガラス基板等が用いられる。この透明導電体基板の厚さは特に限定されるものではないが、通常0.3〜5mm程度である。
酸化物半導体からなる半導体層は、半導体粒子の焼結等による多孔質として形成することが必要であり、例えば公知の方法(「色素増感太陽電池の最新技術」(シーエムシー))を参考にして、チタンイソプロポキシドを硝酸溶液中に溶解して、水熱反応を行い、安定な酸化チタンコロイド溶液を調製し、この溶液を粘結剤であるポリエチレンオキサイド(PEO)と混合し、遊星ボールミルで均一化後、この混合物を例えばフッ素ドープ導電性ガラス基板(シート抵抗30Ω/□)にスクリーン印刷し、450℃で焼成することによって製造できる。
一般式(1)、(2)、(3)又は(4)で表される酸性基含有ポルフィリン多量体のうちの少なくとも1種の増感色素を多孔質半導体層に担持させるには、例えば、この色素をジメチルホルムアミド等の適当な溶媒に溶解し、この溶液中に多孔質半導体層を浸漬し、多孔質半導体層の細孔中に色素が十分に含浸されて十分に吸着するまで放置した後、これを取り出して必要に応じて洗浄後、乾燥を施す。
対極としては、アルミニウム、銀、錫、インジウム等の従来の太陽電池における対極として公知なものを任意に用いることができるが、I3−イオン等の酸化型レドックスイオンの還元反応を促進する触媒能を持った白金、ロジウム、ルテニウム、酸化ルテニウム、カーボン等がより好ましい。これらの金属膜は導電材料表面に、物理蒸着又は化学蒸着することによって形成するのが好ましい。
両電極間に介挿される電解質としては、従来より太陽電池の電解質として使用されていたものの中から任意に用いることができる。このようなものとして、例えばヨウ素とヨウ化カリウムをポリプロピレンカーボネート25重量%と炭酸エチレン75重量%との混合溶媒に溶解させたものがある。
このような構造の太陽電池等の色素増感型光電変換装置は、両電極間を導線で接続し、電流回路を形成させ、透明導電膜側から擬似太陽光(AM(Air Mass)1.5、100mW/cm2)を照射すると、13.2%以上の高い光電変換効率で発電することが可能である。この光電変換効率は、膜厚、半導体層の状態、色素の吸着状態、電解質の種類などに左右されるので、これらの最適条件を選ぶことにより、さらに向上させることができる。
以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。
<合成例1>
50mlのナスフラスコを用いて、メゾ−メゾ結合Zn(II)−ジポルフィリン化合物(18mg、8mmol)を30mlのトルエンに溶解させた。酸化剤である2,3−ジクロロ−5,6−ジシアノ−1,4−ベンゾキノン(以下、DDQと称する:9mg、40mmol)とスカンジウムトリフルオロメタンスルホネート(以下、Sc(OTf)3と称する:20mg、40mmol)を加え、混合溶液を1時間還流した。該混合物をメタノール及びテトラヒドロフラン(THF)で希釈した。ロータリーエバポレーターで溶媒を取り除き、生成物をTHFに溶かしてアルミナカラムに通した。その後、ベンゼン/アセトニトリルで再結晶させ、2つのポルフィリン環がメゾ位の炭素で結合するメゾ−メゾ結合と該メゾ−メゾ結合に隣接するβ位の炭素で結合する2つのβ−β結合の合計3つの結合によって結合する、平面型ポルフィリンダイマーが得られた(12.9mg、収率86%)。
この化合物の1H−NMRスペクトル、UV−Visスペクトル、MALDI−TOF MASスペクトルを調べたところ、一般式(2)におけるR1、R4、R10、R13が4−カルボキシフェニル基、その他が水素原子であり、MはZnを示す平面型金属ポルフィリンダイマーであることが確認された。以下、上述のようにして得られた平面型金属(亜鉛)ポルフィリンダイマーを化合物(A)と称する。
<合成例2>
上述のように得られた平面型亜鉛ポルフィリンダイマー(化合物(A))を濃硫酸とトリフルオロ酢酸による脱金属化処理することにより、メタルフリーの平面型ポルフィリンダイマーを得ることができた。
この化合物の1H−NMRスペクトル、UV−Visスペクトル、MALDI−TOF MASスペクトルを調べたところ、一般式(1)におけるR1、R4、R10、R13が4−カルボキシフェニル基、その他が水素原子である、平面型ポルフィリンダイマーであることが確認された。以下、上述のようにして得られた平面型ポルフィリンダイマーを化合物(B)と称する。
<合成例3>
50mlのナスフラスコを用いて、メゾ−メゾ結合Zn(II)−ヘキサポルフィリン化合物(30mg、4.7mmol)を50mlのトルエンに溶解させた。酸化剤であるDDQ(27mg、120mmol)とSc(OTf)3(60mg、120mmol)を加え、混合溶液を2時間還流した。該混合物をメタノール及びTHFで希釈した。ロータリーエバポレーターで溶媒を取り除き、生成物をTHFに溶かしてアルミナカラムに通した。その後ベンゼン/アセトニトリルで再結晶させ、6つのポルフィリン環がメゾ位の炭素で結合するメゾ−メゾ結合と該メゾ−メゾ結合に隣接するβ位の炭素で結合する2つのβ−β結合の合計3つの結合によって結合する、平面型ポルフィリンヘキサマーが得られた(18.5mg、収率62%)。
この化合物の1H−NMRスペクトル、UV−Visスペクトル、MALDI−TOF MASスペクトルを調べたところ、前記一般式(4)におけるR1、R4、R10、R13、R16、R22、R24が4−カルボキシフェニル基、その他が水素原子であり、MはZn、n=4を示す、平面型金属ポルフィリンヘキサマーであることが確認された。以下、上記のようにして得られた平面型金属(亜鉛)ポルフィリンヘキサマーを化合物(C)と称する。
<合成例4>
上述のようにして得られた平面型亜鉛ポルフィリンヘキサマー(化合物(C))を濃硫酸とトリフルオロ酢酸による脱金属化処理することにより、メタルフリーの平面型ポルフィリンヘキサマーを得ることができた。
この化合物の1H−NMRスペクトル、UV−Visスペクトル、MALDI−TOF MASスペクトルを調べたところ、一般式(3)におけるR1、R4、R10、R13、R16、R22、R24が4−カルボキシフェニル基、その他が水素原子であり、n=4を示す、平面型ポルフィリンヘキサマーであることが確認された。以下、上述のようにして得られた平面型ポルフィリンヘキサマーを化合物(D)と称する。
上述のようにして得られたTiO2ペーストをスクリーン印刷法でフッ素ドープ導電性ガラス基板(シート抵抗30Ω/□)上に0.2cm×0.2cmの大きさで塗布した後、450℃に30分間保持し、TiO2を導電性ガラス基板上で焼結し、多孔質酸化チタン膜を形成した。
上述の合成例1で得た平面型亜鉛ポルフィリンダイマー(化合物(A))、合成例2で得た平面型ポルフィリンダイマー(化合物(B))、合成例3で得た平面型亜鉛ポルフィリンヘキサマー(化合物(C))、合成例4で得た平面型ポルフィリンヘキサマー(化合物(D))をそれぞれ5×10−4Mでジメチルホルムアミドに溶解して調製した溶液中に、上記の多孔質酸化チタン膜を浸漬し、80℃において12時間放置した後、アルゴン雰囲気下でメタノール洗浄し、乾燥した。
対極として、ITO(Indium Tin Oxide:インジウム酸化物にスズをドープした透明な導電性酸化物)付き基板上に、スパッタリング法により厚さ10μmの白金膜を付けたものを用い、電解質として、ヨウ素0.38gとヨウ化カリウム2.49gの混合物を、プロピレンカーボネート25重量%と炭酸エチレン75重量%との混合物30gに溶解したものを用いて、図1に示すような構造の太陽電池を作製した。
上述のようにして作製した太陽電池を動作させる光源としては、擬似太陽光(AM1.5、100mW/cm2)を用いた。上述のようにして得られた化合物(A)〜(D)を増感色素として用いた各太陽電池の性能を測定し、その結果を下記の表1に併せて示す。なお、比較例として、化合物(A)〜(D)において酸性基(4−カルボキシフェニル基)を含有していない化合物、及び酸性基は含有しているが、単量体であるポルフィリン化合物(5,10,15,20−テトラキス−(4−カルボキシフェニル)ポルフィリン)を上述したと同様にして増感色素として用いた太陽電池をそれぞれ作製し、これら各太陽電池の性能も下記の表1に併せて示す。
なお、表1において、短絡電流とは、対向電極間を短絡して測定した電流を意味し、開放電圧とは、対向電極間をオープンにして発生した電圧を意味し、また光電変換効率は、下記の式(1)で表される。
以上より明らかなように、本発明に係る色素増感型太陽電池は、半導体層が、一般式(1)、(2)、(3)又は(4)で表される酸性基含有平面型ポルフィリン多量体からなる増感色素を担持させてなるので、酸性基を含有していない化合物を使用した場合や単量体を使用した場合に比べて、可視光領域(400〜800nm)に非常に大きな光吸収帯を有することができ、太陽光エネルギーから電気エネルギーに直接変換する変換効率を飛躍的に向上することができた。
また、一般式(1)、(2)、(3)又は(4)で表される酸性基含有平面型ポルフィリン多量体からなる増感色素は、安全で安価に合成できる材料であって入手し易くて生産性に優れる上に、半導体表面と強固な結合状態を形成することができるので、色素増感型太陽電池は、耐久性に優れていた。
以上、本発明を実施の形態及び実施例に基づいて説明したが、上述の例は、本発明の技術的思想に基づき種々に変形が可能である。
例えば、上記の実施例では、半導体層が前記一般式(1)、(2)、(3)又は(4)で表される酸性基含有ポルフィリン多量体からなる増感色素を担持させた例を示したが、半導体層は、一般式(1)、(2)、(3)又は(4)で表される酸性基含有ポルフィリン多量体の少なくとも2種からなる増感色素を担持させてなる半導体層であってもよく、或いは、一般式(1)、(2)、(3)又は(4)で表される酸性基含有ポルフィリン多量体の少なくとも1種からなる増感色素と、ルテニウムビピリジン錯体、クロロフィル誘導体、ポルフィリンの亜鉛錯体等の他の増感色素とを担持させてなる半導体層であってもよい。
また、一般式(1)、(2)、(3)又は(4)で表される酸性基含有ポルフィリン多量体は、当該増感色素の形態から容易に考えられる他の形態、例えば2次元構造などであってもよい。
さらに、色素増感型光電変換装置の形態、構造や使用材料等は、上述の実施例に限定されるものではなく、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、適宜選択可能であり、様々な変更、置換又はその同等のものを行うことができることは当業者にとって明らかである。
一般式(1)、(2)、(3)又は(4)で表される酸性基含有ポルフィリン多量体からなる増感色素は、合成が容易であり、安価かつ安全な材料であることから、生産性に優れるという利点を有する。
さらに、一般式(1)、(2)、(3)又は(4)で表される酸性基含有ポルフィリン多量体からなる増感色素は、その酸性基を介して半導体表面と強固な結合状態を形成することができるので、色素増感型光電変換装置は、耐久性に優れたものとなる。
Claims (12)
- 前記酸性置換基がカルボキシル基、スルホン酸基、水酸基、4−カルボキシフェニル基等である請求の範囲第1項、第2項、第3項又は第4項のいずれか1に記載の色素増感型光電変換装置。
- 前記一般式(1)又は(2)のR1〜R18或いは前記一般式(3)又は(4)のR1〜R24が水素原子、ハロゲン原子、メルカプト基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、スルホン酸基、水酸基、置換又は未置換のアルキル基、置換又は未置換のアリール基、置換又は未置換のアルコキシル基、置換又は未置換のアリールオキシ基、置換又は未置換のアルキルチオ基、置換又は未置換のアリールチオ基、置換又は未置換のアルキルアミノ基、置換又は未置換のアリールアミノ基、置換又は未置換のカルボン酸エステル基、置換又は未置換のカルボン酸アミド基、置換又は未置換のスルホン酸エステル基、置換又は未置換のスルホン酸アミド基、置換又は未置換のカルボニル基、置換又は未置換のシリル基、置換又は未置換のシロキシ基等の置換基であり、R1〜R18の少なくとも1つ又はR1〜R24の少なくとも1つがカルボキシル基、スルホン酸基、水酸基、4−カルボキシフェニル基等の酸性置換基である請求の範囲第1項、第2項、第3項又は第4項のいずれか1に記載の色素増感型光電変換装置。
- 前記一般式(2)又は(4)において、Mで表される金属群がZn、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Th、U、Cr、Mo、W、Mn、Tc、Re、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Cd、Hg、Al、Ga、In、Tl、Si、Ge、Sn、Pb、As、Sb及びBiからなる群より選ばれた1種又は2種以上の金属種である、請求の範囲第1項又は第4項記載の色素増感型光電変換装置。
- 前記半導体層が酸化物半導体からなる請求の範囲第1項〜第4項のいずれか1に記載の色素増感型光電変換装置。
- 前記半導体層が、前記一般式(1)、(2)、(3)又は(4)で表される酸性基含有ポルフィリン多量体の少なくとも2種からなる増感色素を担持させてなる半導体層からなる請求の範囲第1項〜第4項のいずれか1に記載の色素増感型光電変換装置。
- 前記半導体層が、前記一般式(1)、(2)、(3)又は(4)で表される酸性基含有ポルフィリン多量体の少なくとも1種からなる増感色素と、ルテニウムビピリジン錯体、クロロフィル誘導体、ポルフィリンの亜鉛錯体等の他の増感色素とを担持させてなる半導体層である請求の範囲第1項〜第4項のいずれか1に記載の色素増感型光電変換装置。
- 透明導電膜を備えた透明基板と、前記透明基板の対極をなす導電性基板との間に、前記半導体層と前記電解質層とが設けられ、光電変換によって前記透明導電膜と前記導電性基板との間に電気エネルギーを発生する請求の範囲第1項〜第4項のいずれか1に記載の色素増感型光電変換装置。
- 上記装置は、色素増感型太陽電池である請求の範囲第11項記載の色素増感型光電変換装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002193154 | 2002-07-02 | ||
JP2002193154 | 2002-07-02 | ||
PCT/JP2003/008430 WO2004006380A1 (ja) | 2002-07-02 | 2003-07-02 | 色素増感型光電変換装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2004006380A1 true JPWO2004006380A1 (ja) | 2005-11-10 |
JP4529686B2 JP4529686B2 (ja) | 2010-08-25 |
Family
ID=30112276
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004519241A Expired - Fee Related JP4529686B2 (ja) | 2002-07-02 | 2003-07-02 | 色素増感型光電変換装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050224112A1 (ja) |
JP (1) | JP4529686B2 (ja) |
CN (1) | CN1324759C (ja) |
AU (1) | AU2003246247A1 (ja) |
WO (1) | WO2004006380A1 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003303629A (ja) * | 2002-04-11 | 2003-10-24 | Sony Corp | 色素増感太陽電池 |
JP4085421B2 (ja) * | 2002-08-23 | 2008-05-14 | ソニー株式会社 | 色素増感型光電変換装置及びその製造方法 |
JP2004207012A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Sony Corp | 色素増感型光電変換装置およびその製造方法 |
JP4470370B2 (ja) * | 2003-01-08 | 2010-06-02 | ソニー株式会社 | 光電変換素子の製造方法 |
JP4674435B2 (ja) * | 2003-01-15 | 2011-04-20 | ソニー株式会社 | 光電変換素子 |
JP2004234988A (ja) * | 2003-01-30 | 2004-08-19 | Sony Corp | 光電変換素子およびその製造方法ならびに電子装置およびその製造方法ならびに半導体層およびその製造方法 |
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JP3969349B2 (ja) * | 2003-04-18 | 2007-09-05 | ソニー株式会社 | ディスクセンターリング装置 |
-
2003
- 2003-07-02 US US10/519,887 patent/US20050224112A1/en not_active Abandoned
- 2003-07-02 CN CNB038159155A patent/CN1324759C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-07-02 AU AU2003246247A patent/AU2003246247A1/en not_active Abandoned
- 2003-07-02 WO PCT/JP2003/008430 patent/WO2004006380A1/ja active Application Filing
- 2003-07-02 JP JP2004519241A patent/JP4529686B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU2003246247A1 (en) | 2004-01-23 |
US20050224112A1 (en) | 2005-10-13 |
WO2004006380A1 (ja) | 2004-01-15 |
CN1324759C (zh) | 2007-07-04 |
CN1666376A (zh) | 2005-09-07 |
JP4529686B2 (ja) | 2010-08-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060524 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |