JPS6329433B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6329433B2
JPS6329433B2 JP57185871A JP18587182A JPS6329433B2 JP S6329433 B2 JPS6329433 B2 JP S6329433B2 JP 57185871 A JP57185871 A JP 57185871A JP 18587182 A JP18587182 A JP 18587182A JP S6329433 B2 JPS6329433 B2 JP S6329433B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
light emission
light
emitting diode
emission diode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP57185871A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5974687A (ja
Inventor
Teizo Fujita
Haruo Kimura
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Idec Corp
Original Assignee
Idec Izumi Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Idec Izumi Corp filed Critical Idec Izumi Corp
Priority to JP57185871A priority Critical patent/JPS5974687A/ja
Priority to EP83306361A priority patent/EP0107480A3/en
Publication of JPS5974687A publication Critical patent/JPS5974687A/ja
Publication of JPS6329433B2 publication Critical patent/JPS6329433B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20Light sources comprising attachment means
    • F21K9/23Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • F21K9/232Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings specially adapted for generating an essentially omnidirectional light distribution, e.g. with a glass bulb
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10Light-emitting diodes [LED]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4911Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は発光ダイオード素子を利用したラン
プ(以下発光ダイオードランプと称する)に関す
る。
光源として、発光ダイオードランプと白熱電球
とを比較した場合、寿命・信頼性・消費電力・発
熱などの面において発光ダイオードランプの方が
すぐれていることは周知のとおりである。最近、
これらの長所を有する発光ダイオードランプが開
発されつつあるが、実用段階において当面問題と
なつているのは、既存の白熱電球との互換性の問
題である。この一解決策として発光ダイオードを
光源とし、その入出力機構として電球と同様の口
金を備えた所謂、電球口金タイプの発光ダイオー
ドランプが採用されるようになつた。
この発明は、上記電球口金タイプの発光ダイオ
ードランプを製作する場合に問題となる、リード
基板と電球口金間の結線を簡単に行なえるように
して、量産に適した発光ダイオードランプを得る
ことを第1の目的とし、更に完成品としての発光
ダイオードランプに対して振動・衝撃・回転力な
どの外力が加わつた場合においても、結線外れや
がたつきの生じることが無い安定した性能を有す
る発光ダイオードランプを得ることを第2の目的
としている。
以下、この発明を図示する実施例を参照して詳
細に説明する。
第1図乃至第11図はこの発明の第1の実施例
を示すものである。この発明の発光ダイオードラ
ンプは組立てに際して、予め発光ダイオードラン
プユニツト1、スペーサ2、電球口金3の各々独
立した単体に形成される。ランプユニツト1はリ
ード基板4の基台4a上に発光ダイオード素子5
を取り付けてリード線6により所定の配線を施し
たのち、リード片4bの端部のみを外部に露呈さ
せて、透光性樹脂7にて一体成形して構成され
る。なお、8は使用電圧・電流に適合した抵抗
で、低抗8を通して発光ダイオード素子5に電流
が流れ発光するようになつている。この発明では
透光性樹脂7の基端部において、後述するスペー
サ2の縦溝12aと凹凸嵌合する突起7a,7a
を突設させている。また、リード基板4は上側部
分を直角に折曲して基台4aとし、垂直部分をリ
ード片4bとし、且つ各リード片間を連結片4c
にて連結させている。第6図及び第7図に示した
実施例においては、リード基板4は単位ブロツク
ごとにリード片4b部分においてくし歯状に5分
割され、また基台4a部分は素子5の効果的な取
り付けを考慮して所定の形状に形成されており、
この単位ブロツクを複数組プレスにより連続的に
打ち抜いて製作される。また、この発明では各単
位ブロツクにおけるリード片4bのうち一対のリ
ード片に接続用端子4b1,4b2が形成されるよう
にしてある。すなわち連結片4cの一部を利用し
て電球口金3への接続用端子4b1とし、また1個
のリード片のみ下側方向へ延出させ、その先端部
分を矩形状とし抵抗8の接続用端子4b2を形成し
ている。これらのリード基板4は基台4a上に発
光ダイオード素子5を取り付けてリード線6によ
り所定の配線を施したのち、リード片4bの端部
を外部に露呈させて透光性樹脂7にて単位ブロツ
クごとに一体成形したのち連結片4cの不用箇所
を適宜切断除去する。第7図における二点鎖線部
分は連結片4cの切断個所を示しており、例えば
発光ダイオード素子5を4個使用して、これらを
直列接続した回路(第8図)を構成する場合に
は、連結片4cをA1乃至A3部分において切断し、
第9図に示すよう基台4a部分において所定の配
線を施こすものである。また、素子5を2個ずつ
直列接続したものを並列接続した回路(第10
図)を構成する場合は、連結片4cをB1乃至B3
部分において切断し、第11図に示すよう基台4
a部分において所定の配線を施こすものである。
なお、実施例では5本のリード片を単位ブロツク
として構成したが、必ずしも実施例のものに限定
されるものではなく、リード片2本以上あれば単
位ブロツクを構成でき、且つ各基台に取り付けら
れる素子の数も必要に応じて選択的に取り付けが
できることはもちろんである。スペーサ2は絶縁
部材にて構成され、外形は略円筒状を呈してお
り、ランプユニツト1を装着可能な受台11が上
面に開口形成されている。受台11の中央部に貫
通孔11aが形成されており、ランプユニツト1
の下端から突出した各リード片4bの先端及び接
続用端子4b1,4b2、抵抗8等が介挿可能なよう
になつている。また、受台11の側縁に周壁12
が立設されており、この周壁12の3個所に縦溝
12a,12a及び12bが形成してある。縦溝
12a,12aはランプユニツト1の突起7a,
7aと凹凸嵌合可能なようスペーサ2の中心部を
挾んで対向部位に形成してある。また、縦溝12
bに連接して受台11の開口面下部に接続用端子
4b1の案内溝11bが形成してあり、ランプユニ
ツト1をスペーサ2に装着する時、同時に接続用
端子4b1が前記案内溝11b内に導入されるよう
にしている。また周壁12の外側には、一部を他
の部分よりも下垂させた突出部12c,12cを
対向部位に形成して、電球口金3の上面開口端部
に形成した溝31,31と凹凸嵌合を可能にして
いる。電球口金3として通常は市販の口金に一部
加工したものが使用される。実施例はエジソン式
電球口金を使用した例を示すもので、口金3の上
面開口端部に3個所溝31,31及び32を縦設
しており、溝31,31は前述のとおりスペーサ
2の突出部12c,12cと凹凸嵌合するよう対
向部位に形成される。また、もう一つの溝32は
接続用端子4b1の導出部位に対応して形成され
る。33は接触子で口金3との間を絶縁部材34
にて絶縁して口金3の下端部に位置するよう設け
られている。このようなもので発光ダイオードラ
ンプを組立てる場合は、まず抵抗8をランプユニ
ツト1に接続固着した状態、すなわちランプユニ
ツト1の下端に設けられた接続用端子4b2の通孔
aに抵抗8の上側リード線8aを挿入したのち、
はんだ付けにより固着した状態でランプユニツト
1をスペーサ2の上面開口側に保持し、突起7
a,7aを縦溝12a,12aに対応させて合体
し、突起7aと縦溝12aとを凹凸嵌合させると
同時にランプユニツト1とスペーサ2とを装着す
る。両者装着状態においては抵抗8の下側リード
線8bはスペーサ2の下側に露呈している。そし
て次に電球口金3を前記スペーサ2の下側に位置
させ、且つスペーサ2の突出部12c,12cを
口金3の溝31,31に対応する位置で合体させ
た時、両者が凹凸嵌合し、且つ口金3の接触子3
3の中央部に貫通させた孔33aに前記リード線
8bが貫通されるよう口金3にスペーサ2及びラ
ンプユニツト1を装着させる。またこのとき同時
に接続用端子4b1は口金3の端部の溝32に導入
位置される。最終的に、接続用端子4b1と口金3
間K1及びリード線8bと接触子33間K2を各々
はんだ付けして電気的及び機械的に固着すること
により発光ダイオードランプの組立を完了する。
第12図乃至第15図はこの発明の発光ダイオー
ドランプの第2の実施例で電球口金としてスワン
式電球口金9を使用したもので、第1の実施例と
の比較において口金9の形状が相違するだけで、
他の部分はほとんど同一構成が採用されている。
なお、図中第1の実施例と同一あるいは類似のも
のについては同一の符号を付してあり、組立手順
は第1の実施例と略同様であるので説明は省略す
る。なお、この発明に使用する電球口金について
は上記第1及び第2の実施例のみに限定されるも
のではなく、他に航空機用電球口金等、市販各種
口金を利用しても良いことはもちろんである。
従来、電球口金タイプの発光ダイオードランプ
を製作する場合、リード基板と電球口金との間に
抵抗を接続する必要があるため、量産化する上に
おいて製造技術上の問題があつた。すなわち、リ
ード基板から導出される一対のリード片を、電球
口金及び抵抗を介して口金の下端に設けられた接
触子に各々電気的に接続する場合の作業が煩雑
で、量産化に支障をきたしていたが、この発明に
よるとランプユニツト1をスペーサ2に装着した
のち、スペーサ2を介してランプユニツト1を電
球口金3に装着させるようにしたので、リード基
板から導出される一対のリード片と口金及び口金
の下端に設けられた接触子は順次各部を嵌入合体
する作業工程時に同時に所定の位置に接合される
ので、その電気的接続がきわめて容易となる。し
たがつて、この種発光ダイオードランプの量産化
が可能となり生産効率を向上させることができ、
結果的に廉価な発光ダイオードランプを提供する
ことができるものである。また、ランプユニツト
1とスペーサ2間及びスペーサ2と電球口金3間
を凹凸嵌合方式によつて結合させるようにしたの
で、振動・衝撃・回転力などの外力が加わつた場
合においてもはんだ接合部の結線の外れやあるい
はランプユニツト1と電球口金3間におけるがた
つきの無い安定した性能を有する発光ダイオード
ランプを得ることができるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第11図はこの発明の第1の実施例
を示すもので、第1図はエンジン式電球口金を利
用した発光ダイオードランプの外観斜視図、第2
図は同分解斜視図、第3図は発光ダイオードラン
プの平面図、第4図は第3図A−B−C−D部縦
断正面図、第5図は縦断側面図、第6図はリード
基板の斜視図、第7図はリード基板の正面図、第
8図及び第10図は各々発光ダイオードランプの
接続回路例、第9図は第8図の配線状態を示す基
台部分の平面図、第11図は第10図の配線状態
を示す基台部分の平面図、第12図乃至第15図
はこの発明の第2の実施例を示すもので、第12
図はスワン式電球口金を利用した発光ダイオード
ランプの外観斜視図、第13図は同平面図、第1
4図は第13図A−B−C−D−E−F部縦断正
面図、第15図は縦断側面図である。 1……発光ダイオードランプユニツト、2……
スペーサ、3……エンジン式電球口金、4……リ
ード基板、4a……基台、4b……リード片、4
b1,4b2……接続用端子、4c……連結片、5…
…発光ダイオード素子、6……リード線、7……
透光性樹脂、7a……突起、8……抵抗、9……
スワン式電球口金、11……受台、12a,12
b……縦溝、12c……突出部、31,32……
溝。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 略円筒状からなるスペーサの上面開口側に透
    光性樹脂にて一体化してなる発光ダイオードラン
    プユニツトを一体的に装着するとともに、前記ス
    ペーサの下側部を電球口金に装着し、且つ前記発
    光ダイオードランプユニツトとスペーサ間及び前
    記スペーサと電球口金間に凹凸嵌合によるまわり
    止めを施してなることを特徴とする発光ダイオー
    ドランプ。 2 発光ダイオードランプユニツトの透光性樹脂
    の下側に、少なくとも一対のリード片を露呈さ
    せ、該リード片の片方を電球口金接続用とし、リ
    ード片の他方を抵抗接続用としたことを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項記載の発光ダイオードラ
    ンプ。
JP57185871A 1982-10-21 1982-10-21 発光ダイオ−ドランプ Granted JPS5974687A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57185871A JPS5974687A (ja) 1982-10-21 1982-10-21 発光ダイオ−ドランプ
EP83306361A EP0107480A3 (en) 1982-10-21 1983-10-19 Light emission diode lamp and method of producing it

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57185871A JPS5974687A (ja) 1982-10-21 1982-10-21 発光ダイオ−ドランプ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5974687A JPS5974687A (ja) 1984-04-27
JPS6329433B2 true JPS6329433B2 (ja) 1988-06-14

Family

ID=16178332

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57185871A Granted JPS5974687A (ja) 1982-10-21 1982-10-21 発光ダイオ−ドランプ

Country Status (2)

Country Link
EP (1) EP0107480A3 (ja)
JP (1) JPS5974687A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02156904A (ja) * 1988-12-08 1990-06-15 Tobishima Corp シューズボックス

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2576719B1 (fr) * 1985-01-25 1987-04-30 Jaeger Support connecteur pour diode electroluminescente et tableau de bord de vehicule automobile utilisant celui-ci
DE3737861A1 (de) * 1987-11-07 1989-05-18 Mueller Werner Dipl Wirtsch In Elektronisches leuchtelement mit optimierter lichtausbeute, verfahren zu seiner herstellung
DE58906951D1 (de) * 1989-06-02 1994-03-24 Siemens Ag Sensoreinrichtung.
DE4141979A1 (de) * 1991-12-19 1993-06-24 Sel Alcatel Ag Leuchtdiode mit einer umhuellung
DE4141980A1 (de) * 1991-12-19 1993-07-01 Sel Alcatel Ag Leuchtdiode mit einer umhuellung
DE4141978A1 (de) * 1991-12-19 1993-06-24 Sel Alcatel Ag Leuchtdiode mit einer umhuellung
DE9202608U1 (de) * 1992-02-28 1992-09-17 EBT Licht-Technik GmbH, 6702 Bad Dürkheim Anzeigeelement
GB0000511D0 (en) * 2000-01-12 2000-03-01 Oxley Dev Co Ltd Led package
US7320632B2 (en) 2000-06-15 2008-01-22 Lednium Pty Limited Method of producing a lamp
AUPQ818100A0 (en) 2000-06-15 2000-07-06 Arlec Australia Limited Led lamp
AUPR570501A0 (en) * 2001-06-15 2001-07-12 Q1 (Pacific) Limited Led lamp
AU2002217845A1 (en) 2000-11-16 2002-05-27 Emcore Corporation Microelectronic package having improved light extraction
NZ531587A (en) 2002-06-14 2008-06-30 Lednium Technology Pty Ltd A lamp and method of producing a lamp
US20070103914A1 (en) * 2005-11-08 2007-05-10 United Technologies Corporation LED replacement bulb
DE202006018985U1 (de) 2006-12-15 2007-03-29 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Lampe mit einem Sockel und mindestens einem lichtemittierenden Halbleiterbauelement
US8083384B2 (en) * 2009-02-02 2011-12-27 Teledyne Technologies Incorporated Efficient illumination device for aircraft
NL2002876C2 (nl) * 2009-05-12 2010-11-15 Maretti Holding B V Ledlampsysteem.
US8534901B2 (en) 2010-09-13 2013-09-17 Teledyne Reynolds, Inc. Collimating waveguide apparatus and method
CN102157505A (zh) * 2011-01-20 2011-08-17 日月光半导体制造股份有限公司 发光模块
JP2014038989A (ja) * 2012-08-20 2014-02-27 Toshiba Corp 半導体発光装置および照明装置
JP5985341B2 (ja) * 2012-10-03 2016-09-06 シャープ株式会社 導電フレームおよび光源基板の製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3609475A (en) * 1970-05-04 1971-09-28 Hewlett Packard Co Light-emitting diode package with dual-colored plastic encapsulation
JPS48102585A (ja) * 1972-04-04 1973-12-22
DE2315709A1 (de) * 1973-03-29 1974-10-10 Licentia Gmbh Strahlung abgebende halbleiteranordnung mit hoher strahlungsleistung
US4054814A (en) * 1975-10-31 1977-10-18 Western Electric Company, Inc. Electroluminescent display and method of making
DE2818973A1 (de) * 1978-04-28 1979-11-08 Siemens Ag Elektrische dauerleuchte
GB2098714B (en) * 1980-06-04 1984-08-22 Tranilamp Ltd Led cluster assembly
FR2495278A3 (fr) * 1980-11-28 1982-06-04 Alsthom Cgee Agencement eclairant a diodes en particulier pour equipement de signalisation

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02156904A (ja) * 1988-12-08 1990-06-15 Tobishima Corp シューズボックス

Also Published As

Publication number Publication date
EP0107480A2 (en) 1984-05-02
EP0107480A3 (en) 1986-07-16
JPS5974687A (ja) 1984-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6329433B2 (ja)
JP3604401B2 (ja) 機能シンボルの照明または機能の信号化のための照明要素
JP4970797B2 (ja) 自動車用のled電球
JPS5871671A (ja) 発光ダイオ−ドランプ
WO2017092373A1 (zh) Led灯一体式电连接结构
JP2001332769A (ja) 発光ダイオード照明具
US6488538B1 (en) Tube lamp and its manufacturing method
US4418973A (en) Wedge base lamp socket assembly
JP2004355968A (ja) 車両用灯具
JPH11144505A (ja) リアコンビネーションランプ
JP3340037B2 (ja) 照明装置
JPH0740445B2 (ja) 照明器具
JP4122506B2 (ja) 光源ユニット
JPH10208515A (ja) 車輌用灯具
JP2859558B2 (ja) 装飾照明配線セットにおける豆電球用のソケット
JPH0436499Y2 (ja)
JP2673776B2 (ja) 表示用小型電球の基板取付装置
JPH0140093Y2 (ja)
JPS6140014Y2 (ja)
US20050099807A1 (en) Pipe-type lamp with printed circuit
JPS5846527Y2 (ja) ウエツジベ−スランプ
JPH0412694Y2 (ja)
JP2004221086A (ja) 口金および口金付き電球
JPS6321862Y2 (ja)
JPS6222964Y2 (ja)