JPS63198398A - 内部銅導体を有するセラミック多層構造体の製造方法 - Google Patents
内部銅導体を有するセラミック多層構造体の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野
本発明は、内部(Internal)銅導体を育する多
層セラミック装置の製造に向けられている。多層セラミ
ック装置は、能動電子コンポーネント例えば集積回路を
裁せるための基体であることができ、また組入れられた
受動コンポーネント例えばキャパシタ又は抵抗を含むこ
とができ、あるいは該装置は多層セラミックキャパシタ
又は抵抗体であることができる。
層セラミック装置の製造に向けられている。多層セラミ
ック装置は、能動電子コンポーネント例えば集積回路を
裁せるための基体であることができ、また組入れられた
受動コンポーネント例えばキャパシタ又は抵抗を含むこ
とができ、あるいは該装置は多層セラミックキャパシタ
又は抵抗体であることができる。
発明の背景
金属の内部導体層を有する多層セラミック構造体は先行
技術において既知である。一般にそのような構造体は、
熱可堕性重合体および溶媒中に分散されたセラミック粉
末の懸濁物から製造されたセラミックグリーンシートか
ら形成される。導体は、いくつかのグリーンシート上に
、通常、金属粉末、有機バインダおよび溶媒からなるペ
ーストをスクリーン印刷することによって、パターンさ
れてデポジットされる。導体を有するシートは、最終多
層構造内の層の間の相互接続のためにそこに形成された
バイアスはフィードスルーホールを有することができる
。゛グリーンシートは、種々の水準の適当な重ね合せで
重ねられ積層されて多層構造体が形成される。この構造
体は、その後焼成されて有機バインダを追出しセラミッ
クおよび金属粒子を焼結する。多層構造体は、焼成前に
小さい単位に切断される。
技術において既知である。一般にそのような構造体は、
熱可堕性重合体および溶媒中に分散されたセラミック粉
末の懸濁物から製造されたセラミックグリーンシートか
ら形成される。導体は、いくつかのグリーンシート上に
、通常、金属粉末、有機バインダおよび溶媒からなるペ
ーストをスクリーン印刷することによって、パターンさ
れてデポジットされる。導体を有するシートは、最終多
層構造内の層の間の相互接続のためにそこに形成された
バイアスはフィードスルーホールを有することができる
。゛グリーンシートは、種々の水準の適当な重ね合せで
重ねられ積層されて多層構造体が形成される。この構造
体は、その後焼成されて有機バインダを追出しセラミッ
クおよび金属粒子を焼結する。多層構造体は、焼成前に
小さい単位に切断される。
卑金属導体がいくつかの多層セラミック構造体に使用さ
れている。そのような場合、構造体は低酸素含量の雰匠
気で焼成され、導体が焼成工程で酸化されるのを防止す
る。例えば、Ni電極が、チタネート又はジルコネート
誘電体を含有する多層セラミックキャパシタに使用され
、M o −M n合金がアルミニウム酸化物を基礎と
した多層基体のために使用される。これらの卑金属はセ
ラミックの焼結に必要な高焼成温度(>1350C)で
解けない。多層構造体に高導電性銅電極を使用する試み
がなされてきたが、銅は低融点を有する(1083C)
ので、セラミック組成物は焼結補助剤例えば低融点ガラ
ス又はフラックスを添加することにより、銅の融点以下
の焼成での濃い気密な構造体を達成しなければならなか
った。
れている。そのような場合、構造体は低酸素含量の雰匠
気で焼成され、導体が焼成工程で酸化されるのを防止す
る。例えば、Ni電極が、チタネート又はジルコネート
誘電体を含有する多層セラミックキャパシタに使用され
、M o −M n合金がアルミニウム酸化物を基礎と
した多層基体のために使用される。これらの卑金属はセ
ラミックの焼結に必要な高焼成温度(>1350C)で
解けない。多層構造体に高導電性銅電極を使用する試み
がなされてきたが、銅は低融点を有する(1083C)
ので、セラミック組成物は焼結補助剤例えば低融点ガラ
ス又はフラックスを添加することにより、銅の融点以下
の焼成での濃い気密な構造体を達成しなければならなか
った。
多層セラミック構造体で銅電極を使用する主な困難は、
セラミック焼結前の有機バインダの除去である。これは
カーボンエントラップメントによる転位およびセラミッ
クの不完全なち密化又は不拘−又は剥離(delami
nate )された電極をもたらすことができる。この
問題を避ける方法は、米国特許第4,551,357号
にクレームされている。そこでは、グリーンセラミック
シート中の熱可塑性重合体よりも高い温度で分解する有
機バインダが電極ペースト中に使用される。焼成が20
0ppm以下の酸素を有する窒素雰囲気、又は窒素、水
素および水蒸気のガス混合物で焼成される。又は銅電極
を有する多層セラミック基体の製造方法は、米国特許第
4,234,367号にクレームされている。そこでは
、有機残留物は、窒素つづいて水蒸気および水素混合物
の雰囲気での長時間(〉12時間)のプレ焼結加熱処理
を使用することによって除去される。加えて、米国特許
第4,308,570号および米国特許第4゜101.
952号明細書は、多層セラミックキャパシタにおいて
1対の銅電極層が約80ミクロンの厚さの誘電体によっ
て分離されている多層構造体を開示している。エチルセ
ルロースが電極ペーストに使用され、多層構造体は二酸
化炭素および一酸化炭素の混合の中で焼結される。
セラミック焼結前の有機バインダの除去である。これは
カーボンエントラップメントによる転位およびセラミッ
クの不完全なち密化又は不拘−又は剥離(delami
nate )された電極をもたらすことができる。この
問題を避ける方法は、米国特許第4,551,357号
にクレームされている。そこでは、グリーンセラミック
シート中の熱可塑性重合体よりも高い温度で分解する有
機バインダが電極ペースト中に使用される。焼成が20
0ppm以下の酸素を有する窒素雰囲気、又は窒素、水
素および水蒸気のガス混合物で焼成される。又は銅電極
を有する多層セラミック基体の製造方法は、米国特許第
4,234,367号にクレームされている。そこでは
、有機残留物は、窒素つづいて水蒸気および水素混合物
の雰囲気での長時間(〉12時間)のプレ焼結加熱処理
を使用することによって除去される。加えて、米国特許
第4,308,570号および米国特許第4゜101.
952号明細書は、多層セラミックキャパシタにおいて
1対の銅電極層が約80ミクロンの厚さの誘電体によっ
て分離されている多層構造体を開示している。エチルセ
ルロースが電極ペーストに使用され、多層構造体は二酸
化炭素および一酸化炭素の混合の中で焼結される。
後者の方法は数層の銅導体を有する多層構造のためによ
いことが見出されたが、数の高い層の部品(たとえば5
以上)における電極からの有機バインダの除去の困難性
は均一な厚さの連続層を達成するための銅の焼結にわた
って不十分な制御をもたらす。
いことが見出されたが、数の高い層の部品(たとえば5
以上)における電極からの有機バインダの除去の困難性
は均一な厚さの連続層を達成するための銅の焼結にわた
って不十分な制御をもたらす。
先行技術
米国特許第4.101,952.Burnこの特許はに
値>1000の低焼成モノリシックセラミックキャパシ
タに向けられている。誘電層は5−15%の非結晶ガラ
ス(アルカリ土類アルミノボレートガラス)および98
−85%の結晶相(アルカリ土類金属チタネート)から
なり、電極は卑金属で形成されている。
値>1000の低焼成モノリシックセラミックキャパシ
タに向けられている。誘電層は5−15%の非結晶ガラ
ス(アルカリ土類アルミノボレートガラス)および98
−85%の結晶相(アルカリ土類金属チタネート)から
なり、電極は卑金属で形成されている。
米国特許第4,234,367、HerronらHer
ronの特許は、銅冶金を有するガラス−セラミック複
合構造体の製造方法に向けられている。
ronの特許は、銅冶金を有するガラス−セラミック複
合構造体の製造方法に向けられている。
(1)結晶化可能ガラスのグリーンシート上に銅導体パ
ターンを印刷し、(2)第2の結晶化可能ガラスグリー
ンシートを該印刷された銅パターン上に積層し、そして
(3)該複合構造体を、最初H2/H20中で約12時
間バインダを燃焼し、その後不活性雰囲気でガラスの焼
結をする。
ターンを印刷し、(2)第2の結晶化可能ガラスグリー
ンシートを該印刷された銅パターン上に積層し、そして
(3)該複合構造体を、最初H2/H20中で約12時
間バインダを燃焼し、その後不活性雰囲気でガラスの焼
結をする。
米国特許第4,308,570.Burnこの第2のB
urnの特許は、10−50重量%の非還元ガラス(
アルカリ土類ボレート)および90−50重二%の非還
元結晶セラミック相(MgTi03)からなる、K確約
10を有する、鋼内部電極を有するモノシリツクセラミ
ックキャパシタに向けられている。
urnの特許は、10−50重量%の非還元ガラス(
アルカリ土類ボレート)および90−50重二%の非還
元結晶セラミック相(MgTi03)からなる、K確約
10を有する、鋼内部電極を有するモノシリツクセラミ
ックキャパシタに向けられている。
米国特許第4. 551. 357. Takeuch
lこの特許は、Cu/重合体ペーストが誘電グリーンシ
ート上に印刷されることによるセラミック回路基板の製
造方法に向けられている。Cuペーストの有機バインダ
は誘電体の有機バインダよりも熱的に安定である。印刷
されたグリーンシートは、酸化雰囲気で有機バインダの
分解温度以下で加熱され、その後低酸素含有雰囲気で焼
成され有機材料を分解する。
lこの特許は、Cu/重合体ペーストが誘電グリーンシ
ート上に印刷されることによるセラミック回路基板の製
造方法に向けられている。Cuペーストの有機バインダ
は誘電体の有機バインダよりも熱的に安定である。印刷
されたグリーンシートは、酸化雰囲気で有機バインダの
分解温度以下で加熱され、その後低酸素含有雰囲気で焼
成され有機材料を分解する。
米国特許4,607,314.Wadaら(a)0.0
2乃至0.05モルのMg5Zr、又はCaがドープさ
れた100部のBaTiO3、および(b)0.2−1
0部のB20.およびB a OSM g Os Z
n Os B a OおよびCaOがら選択された金属
酸化物を包含する低温焼結可能なセラミック誘電組成物
。
2乃至0.05モルのMg5Zr、又はCaがドープさ
れた100部のBaTiO3、および(b)0.2−1
0部のB20.およびB a OSM g Os Z
n Os B a OおよびCaOがら選択された金属
酸化物を包含する低温焼結可能なセラミック誘電組成物
。
米国特許第4. 607. 315. Wadaら(a
)、0.02−0.05モルのMg。
)、0.02−0.05モルのMg。
Zn s S r又はCaがドープされた100部のB
aTiO3、および(b)0.2−10部のB2O3又
は5i02を包含する低温焼結可能なセラミック誘電組
成物。
aTiO3、および(b)0.2−10部のB2O3又
は5i02を包含する低温焼結可能なセラミック誘電組
成物。
米国特許第4,607,316.Wadaら(a)0.
02−0.05モルのMg、Zn。
02−0.05モルのMg、Zn。
S「又はCaがドープされた100部のBaTiO3、
および(b)0.2−10部の、Li2Oおよび5i0
2の混合物を包含する低温焼結可能なセラミック誘電組
成物。
および(b)0.2−10部の、Li2Oおよび5i0
2の混合物を包含する低温焼結可能なセラミック誘電組
成物。
EPo 0164841
この文献は、電気的絶縁ガラス、有機バインダおよびバ
インダの燃焼を容易にするための無機過酸化物のセラミ
ック誘電組成物に向けられている。
インダの燃焼を容易にするための無機過酸化物のセラミ
ック誘電組成物に向けられている。
この文献はイソブチルメタクリレートおよびα−テルピ
ネオールの溶液である有機媒体中に分散されたバリウム
ボロシリケートガラスを包含するメタライズされた基体
上に使用されるグレージングペーストに向けられている
。
ネオールの溶液である有機媒体中に分散されたバリウム
ボロシリケートガラスを包含するメタライズされた基体
上に使用されるグレージングペーストに向けられている
。
米国特許第4. 612. 600. HodgkIn
sこの文献は誘電材料M T i 03およびLLFフ
ラックスを包含するセラミックグリーンシート上に印刷
された卑金属電極を有する多層キャパシタを開示する。
sこの文献は誘電材料M T i 03およびLLFフ
ラックスを包含するセラミックグリーンシート上に印刷
された卑金属電極を有する多層キャパシタを開示する。
該構成物は950Cで焼結される。
発明の概要
第1の見地において、本発明は内部銅導体を有する気密
フラックス焼結された( hermetic f’1u
x−5lntered)セラミック多層素子の製造方法
であって、 (a) 微細分割されたセラミック粉体および低融点
フラックスが分散された熱可塑性有機バインダを包含す
る少なくとも1のグリーンセラミック層を形成する工程
、 (b) 第1のグリーンセラミック層の表面に、微細
銅粉体、非セルロース系バインダ、および該非セルロー
ス系バインダのための溶媒であって該グリーンセラミッ
ク層中の熱可塑性有機バインダのための溶媒ではない溶
媒、を包含する銅ベースの導体ペーストのパターンされ
た層を形成する工程、 (C) 第2のグリーンセラミック層を該第1のグリ
ーンセラミック層の表面に該パターンを挟んで積層する
工程、 (d) 該複合構造体を、酸素分圧を有機物の除去に
充分でありしかし銅を酸化しないように維持する乾燥し
たバッファされたガスを包含する雰囲気で加熱する工程
、を包含する方法に向けられている。
フラックス焼結された( hermetic f’1u
x−5lntered)セラミック多層素子の製造方法
であって、 (a) 微細分割されたセラミック粉体および低融点
フラックスが分散された熱可塑性有機バインダを包含す
る少なくとも1のグリーンセラミック層を形成する工程
、 (b) 第1のグリーンセラミック層の表面に、微細
銅粉体、非セルロース系バインダ、および該非セルロー
ス系バインダのための溶媒であって該グリーンセラミッ
ク層中の熱可塑性有機バインダのための溶媒ではない溶
媒、を包含する銅ベースの導体ペーストのパターンされ
た層を形成する工程、 (C) 第2のグリーンセラミック層を該第1のグリ
ーンセラミック層の表面に該パターンを挟んで積層する
工程、 (d) 該複合構造体を、酸素分圧を有機物の除去に
充分でありしかし銅を酸化しないように維持する乾燥し
たバッファされたガスを包含する雰囲気で加熱する工程
、を包含する方法に向けられている。
第2の見地において、本発明は、上記方法において使用
するための厚膜導体組成物であって、非セルロース系バ
インダおよび有機溶媒の溶液中に分散された金属鋼の微
細分割粒子を包含し、該有機溶媒は隣接するグリーンシ
ートの有機バインダのための溶媒ではない、組成物に向
けられている。
するための厚膜導体組成物であって、非セルロース系バ
インダおよび有機溶媒の溶液中に分散された金属鋼の微
細分割粒子を包含し、該有機溶媒は隣接するグリーンシ
ートの有機バインダのための溶媒ではない、組成物に向
けられている。
詳細な説明
電極ペーストのエチルセルロースが適当なアクリル系バ
インダにより置き換えられると、各々25ミクロンのセ
ラミックで分離された25層もの銅層を有する多層構造
においても、良好な電極連続性および均一性が得られる
ことが見出された。
インダにより置き換えられると、各々25ミクロンのセ
ラミックで分離された25層もの銅層を有する多層構造
においても、良好な電極連続性および均一性が得られる
ことが見出された。
エチルセルロースはアクリル系バインダよりも高温で分
解する傾向があるので、この結果は、米国特許第4.5
51,357の教示の観点において驚かれる。
解する傾向があるので、この結果は、米国特許第4.5
51,357の教示の観点において驚かれる。
さらに、高水準の水蒸気を有する、長い前焼結処理およ
び/または焼成雰囲気の使用の必要性が避けることがで
きることが見出された。そのような雰囲気は一般にセラ
ミック誘電体の電気的性能に有害である。というのはヒ
ドロキシルイオンが焼成の間にこれら構造体に混入する
傾向があるからである。
び/または焼成雰囲気の使用の必要性が避けることがで
きることが見出された。そのような雰囲気は一般にセラ
ミック誘電体の電気的性能に有害である。というのはヒ
ドロキシルイオンが焼成の間にこれら構造体に混入する
傾向があるからである。
内部銅導体を有する多層セラミック装置を製造するため
の本発明の方法は、新規な銅電極ペーストを、焼結の間
に有機バインダの充分な除去をもたらし多層装置におい
て高導電性のある薄くて連続的および均一な電極を製造
する乾燥焼成プロセスと共に使用することを包含する。
の本発明の方法は、新規な銅電極ペーストを、焼結の間
に有機バインダの充分な除去をもたらし多層装置におい
て高導電性のある薄くて連続的および均一な電極を製造
する乾燥焼成プロセスと共に使用することを包含する。
A、グリーンセラミック層
多層装置の製造に使用されるセラミック誘電体の薄い層
は、有機重合体材料によって一緒に結合される微細分割
誘電体粒子の個別の(dlscretc)層を包含する
。未焼成セラミツクは重合体、可塑剤、および溶媒の溶
液中に分散された誘電体粒子のスラリーを、担体例えば
ポリプロピレン、MyIar@ポリエステルフィルム又
はステンレススチールにスリップキャスティングし、そ
の後該キャストフィルムの厚さをドクターブレードで調
整して薄い“グリーンテープ(green tape)
”とすることにより、製造することができる。
は、有機重合体材料によって一緒に結合される微細分割
誘電体粒子の個別の(dlscretc)層を包含する
。未焼成セラミツクは重合体、可塑剤、および溶媒の溶
液中に分散された誘電体粒子のスラリーを、担体例えば
ポリプロピレン、MyIar@ポリエステルフィルム又
はステンレススチールにスリップキャスティングし、そ
の後該キャストフィルムの厚さをドクターブレードで調
整して薄い“グリーンテープ(green tape)
”とすることにより、製造することができる。
多層構造体のための導体の製造において有用なメタライ
ゼーションは、通常、不活性液体中における分散物の形
状でグリーンテープへの適用される微細分割金属粒子を
包含する。上記の“グリーンテープ″工程は広く使用さ
れるが、本発明の誘電組成物をそのような構造体を製造
するために用いることができる他の方法もある。一つの
技術は、いわゆる“湿潤法(wet poroccss
)である。ある観点から、これは平坦基板を誘電スリッ
プのフォーリング(rafting )シートを1又は
複数回通過させて誘電層を確立することを含むことがで
きる( Hurleyら米国特許No、3,717,4
87号参照)。
ゼーションは、通常、不活性液体中における分散物の形
状でグリーンテープへの適用される微細分割金属粒子を
包含する。上記の“グリーンテープ″工程は広く使用さ
れるが、本発明の誘電組成物をそのような構造体を製造
するために用いることができる他の方法もある。一つの
技術は、いわゆる“湿潤法(wet poroccss
)である。ある観点から、これは平坦基板を誘電スリッ
プのフォーリング(rafting )シートを1又は
複数回通過させて誘電層を確立することを含むことがで
きる( Hurleyら米国特許No、3,717,4
87号参照)。
多層構造体を製造するための他の゛湿潤法”は、誘電材
料のペーストを製造し、その後所望の構造体が完成する
まで、誘電および金属層のスクリーン印刷を乾燥工程を
はさんで繰返すことを含む。
料のペーストを製造し、その後所望の構造体が完成する
まで、誘電および金属層のスクリーン印刷を乾燥工程を
はさんで繰返すことを含む。
第2の電極層がその後誘電層の上に印刷され、そして複
合体全体は共焼成(cof’1re)される。
合体全体は共焼成(cof’1re)される。
本発明の目的のため、グリーンセラミックは主誘電材料
例えばBaTiO3、および、本質的にPb、Bi、又
はCdを含有しない非還元(nonrcdueing
)ガラスフリット(フラ・ソクス(f’1ux) )の
両者を含有することが好ましい。本質的なことは、焼成
温度で液相焼結をするために、フラックスが充分低い融
点を有することである。
例えばBaTiO3、および、本質的にPb、Bi、又
はCdを含有しない非還元(nonrcdueing
)ガラスフリット(フラ・ソクス(f’1ux) )の
両者を含有することが好ましい。本質的なことは、焼成
温度で液相焼結をするために、フラックスが充分低い融
点を有することである。
好ましいフラックスは、(a) B203 、S i
02、G e O2、P 205およびこれらの前駆体
および混合物から選択されたガラス形成酸化物、および
(b)Li20、Z n Os A 1203 、B
a O5CaO,MgO1SrO,およびこれらの前駆
体および混合物から選択されたガラス修飾酸化物からな
る。
02、G e O2、P 205およびこれらの前駆体
および混合物から選択されたガラス形成酸化物、および
(b)Li20、Z n Os A 1203 、B
a O5CaO,MgO1SrO,およびこれらの前駆
体および混合物から選択されたガラス修飾酸化物からな
る。
バリウムチタネートを基礎とした誘電組成物は、容品に
還元可能な酸化物例えばPbO1Bi203およびCa
Oを本質的に含有しない。
還元可能な酸化物例えばPbO1Bi203およびCa
Oを本質的に含有しない。
ニオブ酸化物および希土類酸化物例えばネオジム酸化物
から選択されるドナードーパントが、ジルコニウム酸化
物と共にキュリ一点シフト物として使用される。還元条
件下の焼結に従う高誘電定数および高抵抗は、(a)ア
クセプタドーパント好ましくはマンガン酸化物でのドナ
ーの部分的補償、および(b)カチオン化学量論の正確
なバランス、によって達成される。フラックスは、少量
のガラス形成酸化物好ましくはホウ素酸化物、およびZ
nOおよび/又はLi2Oからなり、BaOおよびM
n 02を含んでもよい。
から選択されるドナードーパントが、ジルコニウム酸化
物と共にキュリ一点シフト物として使用される。還元条
件下の焼結に従う高誘電定数および高抵抗は、(a)ア
クセプタドーパント好ましくはマンガン酸化物でのドナ
ーの部分的補償、および(b)カチオン化学量論の正確
なバランス、によって達成される。フラックスは、少量
のガラス形成酸化物好ましくはホウ素酸化物、およびZ
nOおよび/又はLi2Oからなり、BaOおよびM
n 02を含んでもよい。
本発明で使用されるグリーンテープで好ましいセラミッ
ク材料は、本出願人の同時出願の米国特許出願S、N、
(EL−0209)に開示されている。
ク材料は、本出願人の同時出願の米国特許出願S、N、
(EL−0209)に開示されている。
B、導電ペースト
それらの良好な印刷特性のために、通常空気中で焼成さ
れる多層構造体のために使用される電極ペーストは、エ
チルセルロースバインダを含有する。しかしいくつかの
予備実験は、均一な焼結された内部銅電極は、この種類
の電極ペーストでは得ることができないことを示した。
れる多層構造体のために使用される電極ペーストは、エ
チルセルロースバインダを含有する。しかしいくつかの
予備実験は、均一な焼結された内部銅電極は、この種類
の電極ペーストでは得ることができないことを示した。
これは、特に層の数が多い場合である。外側電極の過剰
な酸化を伴わずに多層の中心の電極からのバインダの燃
焼の困難性の理由のためである。
な酸化を伴わずに多層の中心の電極からのバインダの燃
焼の困難性の理由のためである。
したがって銅電極ペーストは、エチルセルロースバイン
ダに関係した焼成の問題を避け、および低金属レイダウ
ン(Iaydoνn)の優れた印刷特性(焼成された約
2マイクロメータ)を有する、非セルロース系バインダ
に基いて開発されてきた。
ダに関係した焼成の問題を避け、および低金属レイダウ
ン(Iaydoνn)の優れた印刷特性(焼成された約
2マイクロメータ)を有する、非セルロース系バインダ
に基いて開発されてきた。
非セルロース系バインダ例えばアクリレートをスクリー
ン印刷可能電極ペーストのために使用する際の主な困難
は、溶媒がグリーンテープと反応することである。また
ペーストがスクリーンにねばり、および/又は低バイン
ダ水準を使用しなければ過剰に流れもする。低バインダ
水準において、ペーストの固体含量は高く、印刷デポジ
ットは通常厚すぎ、多層セラミック構造体の不均一収縮
に関係する問題をもたらす。これらの問題は、アクリル
系のための貧溶媒、βテルピネオールを使用したペース
トを製造することによって解決された。メチルメタクリ
レート例えばE 1vacite @2041.201
0、および2008 (E、I。
ン印刷可能電極ペーストのために使用する際の主な困難
は、溶媒がグリーンテープと反応することである。また
ペーストがスクリーンにねばり、および/又は低バイン
ダ水準を使用しなければ過剰に流れもする。低バインダ
水準において、ペーストの固体含量は高く、印刷デポジ
ットは通常厚すぎ、多層セラミック構造体の不均一収縮
に関係する問題をもたらす。これらの問題は、アクリル
系のための貧溶媒、βテルピネオールを使用したペース
トを製造することによって解決された。メチルメタクリ
レート例えばE 1vacite @2041.201
0、および2008 (E、I。
du P ont da N cmours an
d Company)は〜10重量%はどの低い濃度
でもβテルピネオールに溶解できない。しかしブチルメ
タクリレートE 1vacitc @ 2044は、2
0−30重量%の濃度範囲で容易に可溶であることが見
出された。導電ペーストは、n−ブチルメタクリレート
重合体をテルピネオールに溶解しく20/80重量)、
その後約1ミクロン粒子サイズの微細銅粒子を好ましく
は分散物の安定を高める適当な活性剤とともに混合する
ことにより製造される。この混合物は、その後分散を完
全にするためロールミルされ又は暖められる( mul
1ed)。金属量555重量で製造され、および40
0メツシユスクリーンを用いた場合、多数の電極を有す
る焼成された多層セラミックキャパシタにおいて、非常
に薄い層(Σ2.5ミクロン)で優れた電極均一性が達
成された。
d Company)は〜10重量%はどの低い濃度
でもβテルピネオールに溶解できない。しかしブチルメ
タクリレートE 1vacitc @ 2044は、2
0−30重量%の濃度範囲で容易に可溶であることが見
出された。導電ペーストは、n−ブチルメタクリレート
重合体をテルピネオールに溶解しく20/80重量)、
その後約1ミクロン粒子サイズの微細銅粒子を好ましく
は分散物の安定を高める適当な活性剤とともに混合する
ことにより製造される。この混合物は、その後分散を完
全にするためロールミルされ又は暖められる( mul
1ed)。金属量555重量で製造され、および40
0メツシユスクリーンを用いた場合、多数の電極を有す
る焼成された多層セラミックキャパシタにおいて、非常
に薄い層(Σ2.5ミクロン)で優れた電極均一性が達
成された。
c、焼成工程
内部銅電極を有する多層セラミック装置は、顕著な漏れ
がなく制御された雰囲気を含むように特別に気密にされ
た商業的炉(c、adan 、 I nc、 )で焼
成される。卑金属電極を有する多層セラミック構造の焼
成のために制御された酸素分圧を有する雰囲気を使、用
することは既知である。N2、H2+N2 、CO+C
O2+N2の雰囲気が記載され、N2+H20+N2
、およびCo2+H2+N2を含む他の種々な雰囲気を
使用することができ□る。我々は、そのような混合物に
より提供される雰囲気制御の理由で、および安全のため
CO2+H2+N2の使用を選択した。:N2の爆発し
ない水準が必要とされ、−酸化炭素の貯蔵および配管が
不要である。
がなく制御された雰囲気を含むように特別に気密にされ
た商業的炉(c、adan 、 I nc、 )で焼
成される。卑金属電極を有する多層セラミック構造の焼
成のために制御された酸素分圧を有する雰囲気を使、用
することは既知である。N2、H2+N2 、CO+C
O2+N2の雰囲気が記載され、N2+H20+N2
、およびCo2+H2+N2を含む他の種々な雰囲気を
使用することができ□る。我々は、そのような混合物に
より提供される雰囲気制御の理由で、および安全のため
CO2+H2+N2の使用を選択した。:N2の爆発し
ない水準が必要とされ、−酸化炭素の貯蔵および配管が
不要である。
グリーン多層装置は、有機バインダのほとんどを除去す
るために4000でN2中で前焼成することができる。
るために4000でN2中で前焼成することができる。
又は前焼成せず直接焼結されることもできる。便利な加
熱速度は25C/分で750Cまで、10C/分に下げ
て1050Cまでである。ソーク(5oak)時間は通
常1050−1065Cで2−2.5時間であり、その
後炉は自然な速度で冷却される。窒素、二酸化炭素、お
よび水素の気体混合物は、サイクル全体の間(加熱およ
び冷却)、少しポジティブな圧を維持するのに適当な流
速で炉を循環する。二酸化炭素の水素に対する割合が、
酸素分圧を決定する。該割合は約10/1と50/1の
間に保つべきである。
熱速度は25C/分で750Cまで、10C/分に下げ
て1050Cまでである。ソーク(5oak)時間は通
常1050−1065Cで2−2.5時間であり、その
後炉は自然な速度で冷却される。窒素、二酸化炭素、お
よび水素の気体混合物は、サイクル全体の間(加熱およ
び冷却)、少しポジティブな圧を維持するのに適当な流
速で炉を循環する。二酸化炭素の水素に対する割合が、
酸素分圧を決定する。該割合は約10/1と50/1の
間に保つべきである。
雰囲気が減じすぎる場合(CO2/N2の割合が低すぎ
る)、多層装置の剥離が、電極の尚早な焼結のため生じ
やすい、および/又はチタネート誘電体の場合、セラミ
ックは半導体になることができる。もし割合が高すぎる
と銅電極は部分的に酸化し、セラミックと過剰に反応又
はこれに溶解することができる。電極とセラミックとの
間の軽い反応は良好な接着のために良いが、異なるセラ
ミック厚さおよび電極の数のための性質の変動を避ける
ために最小にするべきである。
る)、多層装置の剥離が、電極の尚早な焼結のため生じ
やすい、および/又はチタネート誘電体の場合、セラミ
ックは半導体になることができる。もし割合が高すぎる
と銅電極は部分的に酸化し、セラミックと過剰に反応又
はこれに溶解することができる。電極とセラミックとの
間の軽い反応は良好な接着のために良いが、異なるセラ
ミック厚さおよび電極の数のための性質の変動を避ける
ために最小にするべきである。
例
例1
共焼成される(cof’1rcd )多層セラミック構
造体の内部電極に適した銅電極ペーストを以下のように
して製造した。 E Ivaclte 2044、デュ
ポン社のブチルメタクリレート樹脂が20重−%溶液と
なるようにベータテルピネオールに溶解された。粒子サ
イズ約1マイクロメータの55重量部の銅粉例えばPo
wder # 10 (MetzMetallurgj
cal Corp 、 S outh P 1ai
n(’1eld 。
造体の内部電極に適した銅電極ペーストを以下のように
して製造した。 E Ivaclte 2044、デュ
ポン社のブチルメタクリレート樹脂が20重−%溶液と
なるようにベータテルピネオールに溶解された。粒子サ
イズ約1マイクロメータの55重量部の銅粉例えばPo
wder # 10 (MetzMetallurgj
cal Corp 、 S outh P 1ai
n(’1eld 。
N、J、製造)が0.5重量部のRK−500活性剤(
GAF Corporation New Yo
rk、 N。
GAF Corporation New Yo
rk、 N。
Y、)と共に44.5重量部のアクリル系媒体に混合さ
れた。良い混合が暖め(mulling )又はロール
ミルによって達成された。
れた。良い混合が暖め(mulling )又はロール
ミルによって達成された。
バリウムチタネートセラミックグリーンテープが以下の
粉体(重量部)をDu’ Pont 5200アグリル
系バインダ混合物と混合することにより製造された懸濁
物から製造された。二85.0バリウムチタネート、1
0.0バリウムジルコネート、2.0ネオジム酸化物、
0.5炭酸リチウム、および2.83マンガンドープさ
れたバリウム−亜鉛 ボレートフリット。66重量部の
バインダ混合物が100部の粉体とともに使用された。
粉体(重量部)をDu’ Pont 5200アグリル
系バインダ混合物と混合することにより製造された懸濁
物から製造された。二85.0バリウムチタネート、1
0.0バリウムジルコネート、2.0ネオジム酸化物、
0.5炭酸リチウム、および2.83マンガンドープさ
れたバリウム−亜鉛 ボレートフリット。66重量部の
バインダ混合物が100部の粉体とともに使用された。
該バインダ混合物は、19.8部のMEK中の8.5部
のアクリル系重合体、2.0部のブチルベンジルフタレ
ート可塑剤、1.5部の、イソプロパツール中Po1y
−Pale@樹脂(Hercules 。
のアクリル系重合体、2.0部のブチルベンジルフタレ
ート可塑剤、1.5部の、イソプロパツール中Po1y
−Pale@樹脂(Hercules 。
Inc、)の10%溶液、そして68.2部の1−1−
1−トリクロロエタン溶媒からなる。セラミックグリー
ンテープは、厚さ約35マイクロメータ(乾燥)でキャ
ストされた。
1−トリクロロエタン溶媒からなる。セラミックグリー
ンテープは、厚さ約35マイクロメータ(乾燥)でキャ
ストされた。
多層セラミックキャパシタが、各層に電極がスクリーン
印刷された25層のグリーンテープ、および上および底
の8層のグリーンテープのカバープレートで製造された
。電極は上記の銅ペーストおよび400メツシユスクリ
ーンを使用して印刷された。多層構造体は8000ps
iで積層された。
印刷された25層のグリーンテープ、および上および底
の8層のグリーンテープのカバープレートで製造された
。電極は上記の銅ペーストおよび400メツシユスクリ
ーンを使用して印刷された。多層構造体は8000ps
iで積層された。
はとんどの有機バインダは窒素中での4000の1時間
の前加熱によって多層から除去されることができるが、
MLCは窒素、水素および二酸化炭素中での加熱により
予めのバインダ除去なしで焼成された。水素は窒素中4
%混合物であり、二酸化炭素/水素の割合 50/1が
使用された。
の前加熱によって多層から除去されることができるが、
MLCは窒素、水素および二酸化炭素中での加熱により
予めのバインダ除去なしで焼成された。水素は窒素中4
%混合物であり、二酸化炭素/水素の割合 50/1が
使用された。
全窒素水準は二酸化炭素の量の約3倍であった。
炉は30分で7500に、さらに30分で10500に
加熱された。最高温度1050−1065Cが150分
間維持され、その間炉中の酸素水準は、そこで(In
5ltu )ジルコニア酸素センサで示されたように、
およそ10−9大気圧であった。
加熱された。最高温度1050−1065Cが150分
間維持され、その間炉中の酸素水準は、そこで(In
5ltu )ジルコニア酸素センサで示されたように、
およそ10−9大気圧であった。
炉はその後自然な速度で冷却された。水素/二酸化炭素
混合物は温度が約500 C以下に下がったとき切ら
れた。
混合物は温度が約500 C以下に下がったとき切ら
れた。
多層キャパシタは、Du Pont 7001D銅終端
ペーストを使用して終端され、これは窒素中7000で
焼成された。電気的測定は、インピダーンス分析器(H
evlett P ackard 4192A)、
およびビコアメータ(picoammeter )(H
evleLt Packard 4192 B)で
なされた。
ペーストを使用して終端され、これは窒素中7000で
焼成された。電気的測定は、インピダーンス分析器(H
evlett P ackard 4192A)、
およびビコアメータ(picoammeter )(H
evleLt Packard 4192 B)で
なされた。
キャパシタンスは0.42マイクロフアラドで、損失係
数は1 kHzで2.0%以下であり、絶縁抵抗は20
,000オーム、ファラドであった。
数は1 kHzで2.0%以下であり、絶縁抵抗は20
,000オーム、ファラドであった。
キャパシタの磨かれた( polished)部分の顕
微鏡は、これらがち密(連通孔がない)こと、および優
れた電極均一性を有することを示した。すなわち電極は
滑らかで連続的で、剥離の形跡がなかった。セラミック
の誘電定数は8200−8600と計算された。
微鏡は、これらがち密(連通孔がない)こと、および優
れた電極均一性を有することを示した。すなわち電極は
滑らかで連続的で、剥離の形跡がなかった。セラミック
の誘電定数は8200−8600と計算された。
例2
セラミックグリーンテープが例1のように製造された。
しかし組成は85.6のBaTiO3,10,0のCa
ZrO3,0,63のNd2O3,0,50のN b
205 、O−5のLi2CO3、および3.0のホウ
酸バリウムフリットであった。
ZrO3,0,63のNd2O3,0,50のN b
205 、O−5のLi2CO3、および3.0のホウ
酸バリウムフリットであった。
テープはおよそlXlX0.03cmのサイズのプレー
トに積層された。これらは上記のようにしかし電極はな
しで焼成された。焼成後、セラミックはブルーで抵抗2
30オームの導電性であった。
トに積層された。これらは上記のようにしかし電極はな
しで焼成された。焼成後、セラミックはブルーで抵抗2
30オームの導電性であった。
これ又は同様の組成物は、銅電極を有する多層構造を形
成し、およびセラミック層の数および/又は厚さを変え
て抵抗を調整することによって、抵抗材料として使用で
きることが予想される。
成し、およびセラミック層の数および/又は厚さを変え
て抵抗を調整することによって、抵抗材料として使用で
きることが予想される。
例3
セラミックグリーンテープが例1のようにして製造され
た。しかしセラミック組成は、77.8重量部のシリカ
ガラス粉(Imsil A−108゜1111nol
s M 1nerals Co 、 )および22.2
部の、組成2ZnO・B2O3のホウ酸亜鉛フリットで
あった。使用したバインダ混合物はまた50部の粉体に
対して66部のバインダ混合物であった。
た。しかしセラミック組成は、77.8重量部のシリカ
ガラス粉(Imsil A−108゜1111nol
s M 1nerals Co 、 )および22.2
部の、組成2ZnO・B2O3のホウ酸亜鉛フリットで
あった。使用したバインダ混合物はまた50部の粉体に
対して66部のバインダ混合物であった。
6つの内部銅電極を有する以外は例1と同様の多層構造
体が製造され焼成された。キャパシタンスは43.1乃
至48.7ピコフアラドであり、損失係数は1kHzで
0.11%であった。絶縁抵抗は100v適用で250
0−10600オーム、ファラドすなわち> I Q
13オームであった。
体が製造され焼成された。キャパシタンスは43.1乃
至48.7ピコフアラドであり、損失係数は1kHzで
0.11%であった。絶縁抵抗は100v適用で250
0−10600オーム、ファラドすなわち> I Q
13オームであった。
セラミックは連通孔をもたず、電極は剥離の徴候なく良
好な均一性を有した。誘電定数は4.2+/−0,2と
計算された。
好な均一性を有した。誘電定数は4.2+/−0,2と
計算された。
例4
上記例に記載した方法が半導体又は集積回路チップを載
せるための共焼成され内部接続された多層構造体を形成
するために使用できることが予想される。その低いに1
高い絶縁抵抗、および銅導体との相溶性の理由で、例3
の方法は、セラミック基板の製造に使用することができ
た。例1および2に記載した材料の同じプロセス条件は
、上記の独自の導体組成物および焼成方法を使用して従
来のバイア技術によって、キャパシタおよび抵抗が基板
内で集積されることができおよび内部接続されることが
できることを示唆する。
せるための共焼成され内部接続された多層構造体を形成
するために使用できることが予想される。その低いに1
高い絶縁抵抗、および銅導体との相溶性の理由で、例3
の方法は、セラミック基板の製造に使用することができ
た。例1および2に記載した材料の同じプロセス条件は
、上記の独自の導体組成物および焼成方法を使用して従
来のバイア技術によって、キャパシタおよび抵抗が基板
内で集積されることができおよび内部接続されることが
できることを示唆する。
例5
例1に記載した電極ペーストの効果的性質は、第1表に
示すように、他のアクリル系重合体(Du PonL
E IvaciLes)および溶媒で製造した電極ペー
ストの性能に匹敵するものであった。ベータテルピネオ
ールに溶解する第1表の唯一の重合体、ブチルメタクリ
レートの使用が優れた性能を与えたことがわかる。
示すように、他のアクリル系重合体(Du PonL
E IvaciLes)および溶媒で製造した電極ペー
ストの性能に匹敵するものであった。ベータテルピネオ
ールに溶解する第1表の唯一の重合体、ブチルメタクリ
レートの使用が優れた性能を与えたことがわかる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、熱可塑性アクリル系重合体バインダの固体母体中に
分散されたセラミック誘電材料および非還元低融点ガラ
スの微細分割粒子を包含するグリーンセラミック層と、
該グリーンセラミック層中の熱可塑性重合体のための溶
媒ではない有機溶媒中に溶解された非セルロース系重合
体バインダを包含する液体有機媒体中に分散された銅金
属の微細分割粒子を包含する厚膜銅導電ペーストとを使
用する内部銅導体を有する気密フラックス焼結されたセ
ラミック多層素子の製造方法であって、 a、導電ペーストのパターンを第1のグリーンセラミッ
ク層のパターンされない表面に適用する工程、 b、パターンされないグリーンセラミック層を該第1の
グリーンセラミック層の該パータンされた表面に適用す
る工程、 c、導電ペーストのパターンを別のグリーンセラミック
層のパターンされない表面に適用する工程、 d、工程cの該別のグリーンセラミック層のパターンさ
れた側を工程bの構造物の外側表面に適用してグリーン
セラミックの層の間に挟まれた複数の導体パターン層を
包含する多層構造体を形成する工程、 e、場合によりcおよびdの工程を繰返す工程、および
、 f、工程dおよびeの複合構造体をバッファされた低酸
素含有雰囲気で該導電ペースト中の銅の酸化を伴わずに
該有機物の除去を完全にするに充分な時間および温度で
加熱する工程、 を包含する方法。 2、熱可塑性アクリル系重合体バインダの固体母体中に
分散されたセラミック誘電材料および非還元低融点ガラ
スの微細分割粒子を包含するグリーンセラミック層と、
該グリーンセラミック層中の熱可塑性重合体のための溶
媒ではない有機溶媒中に溶解された非セルロース系重合
体バインダを包含する液体有機媒体中に分散された銅金
属の微細分割粒子を包含する厚膜銅導電ペーストとを使
用する内部銅導体を有する気密フラックス焼結されたセ
ラミック多層素子の製造方法であって、 a、導電ペーストのパターンを第1のグリーンセラミッ
ク層のパターンされない表面に適用する工程、 b、パターンされないグリーンセラミック層を該第1の
グリーンセラミック層の該パータンされた表面に適用す
る工程、 c、導電ペーストのパターンを工程bの複合構造体のパ
ターンされない外側表面に適用する工程、 d、パターンされないグリーンセラミック層を工程cの
複合構造体のパターンされた外側表面に適用してグリー
ンセラミックの層の間に挟まれた複数の導体パターン層
を包含する多層構造体を形成する工程、 e、cおよびdの工程を繰返す工程、および、 f、工程cおよびdの複合構造体をバッファされた低酸
素含有雰囲気で該導電ペースト中の銅の酸化を伴わずに
該有機物の除去を完全にするに充分な時間および温度お
よび酸素分圧で加熱する工程、を包含する方法。 3、該グリーンセラミック層がセラミックグリーンテー
プである請求項1又は2記載の方法。 4、該グリーンセラミック層が湿潤法によりデポジット
される請求項1又は2記載の方法。 5、該非セルロース系重合体バインダがアクリル系重合
体である請求項1又は2記載の方法。 6、工程aにおいて該導電ペーストが積層された複数の
グリーンセラミック層を備えた基体に適用される請求項
1又は2記載の方法。 7、少なくとも1層のパターンされないグリーンセラミ
ックが、該導電ペーストパターンの適用の前の工程bの
複合構造体のパータンされない外側表面への適用によっ
て挟まれる請求項1又は2記載の方法。 8、該多層構造体が電子装置を載置するための基体であ
る請求項1又は2記載の方法。 9、該多層構造体がセラミックキャパシタである請求項
1又は2記載の方法。 10、該多層構造体が内部キャパシタおよび抵抗層を有
する基体である請求項1又は2記載の方法。 11、該微細分割セラミック粉体がAl_2O_3、S
iO_2、MgO、ZnOおよびこれらの化合物の混合
物、アルカリ金属チタネート例えばBaTiO_3、S
rTiO_3、CaTiO_3、およびMgTiO_3
、およびこれら化合物の混合物から選択されたものであ
る請求項1又は2記載の方法。 12、該低融点フラックスが本質的に、 B_2O_3、SiO_2、GeO_2、P_2O_5
、およびこれらの前駆体および混合物から選択されたガ
ラス形成酸化物、およびLi_2O、ZnO、Al_2
O_3、BaO、CaO、MgO、SrO、およびこれ
らの前駆体および混合物から選択された修飾酸化物から
なる請求項1又は2記載の方法。 13、該グリーンセラミック層中の熱可塑性有機バイン
ダがメチルメタクリレート、エチルメタクリレート、メ
チルアクリレート、およびこれらの混合物から選択され
たものである請求項1又は2記載の方法。 14、該銅ペースト中のアクリル系バインダがブチルメ
タクリレートである請求項5記載の方法。 15、該銅ペースト中のバインダのための溶媒がテルピ
ネオールである請求項1又は2記載の方法。 16、該乾燥バッファされたガス混合物が N_2+CO_2+H_2であり、N_2のCO_2+
H_2に対する割合が10以下であり、CO_2のH_
2に対する割合が10乃至150の範囲である請求項1
記載の方法。 17、該温度は850−1080Cであり、加熱および
ソーク時間は5時間以下である請求項1記載の方法。 18、有機溶媒に溶解されたn−ブチルメタクリレート
を包含する液体有機媒体中に分散された金属銅の微細分
割粒子の混合物を包含する厚膜銅ペースト組成物であっ
て、上記有機溶媒中には他の非セルロース系重合体は不
溶である組成物。 19、該有機溶媒がテルピネオールである請求項18記
載の組成物。 20、他のアクリル系重合体が不溶な有機溶媒に溶解さ
れたn−ブチルメタクリレートを包含する液体有機媒体
中に分散された金属銅の微細分割粒子の混合物を包含す
る厚膜銅ペーストの複数のパターンされた導電層を包含
し、各層は、熱可塑性アクリル系重合体バインダの固体
母体中に分散されたセラミック誘電材料および非還元低
融点ガラスの微細分割粒子を包含するグリーンセラミッ
ク層の間に挟まれており、バッファされた低酸素含有雰
囲気で焼成されて該厚膜鋼ペーストの有機媒体および該
グリーンセラミック層の重合体母体の揮発がなされてい
る、多層電子素子。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/003,259 US4766027A (en) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | Method for making a ceramic multilayer structure having internal copper conductors |
US003,259 | 1987-01-13 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63198398A true JPS63198398A (ja) | 1988-08-17 |
JPH0239108B2 JPH0239108B2 (ja) | 1990-09-04 |
Family
ID=21704962
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63005661A Granted JPS63198398A (ja) | 1987-01-13 | 1988-01-13 | 内部銅導体を有するセラミック多層構造体の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4766027A (ja) |
EP (1) | EP0275052B1 (ja) |
JP (1) | JPS63198398A (ja) |
KR (1) | KR900007896B1 (ja) |
DE (1) | DE3888370T2 (ja) |
Families Citing this family (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4879156A (en) * | 1986-05-02 | 1989-11-07 | International Business Machines Corporation | Multilayered ceramic substrate having solid non-porous metal conductors |
US4879261A (en) * | 1987-01-13 | 1989-11-07 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Low Dielectric constant compositions |
US4845062A (en) * | 1987-10-19 | 1989-07-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Low-firing dielectric composition |
JPH0611018B2 (ja) * | 1988-01-07 | 1994-02-09 | 株式会社村田製作所 | セラミック生シートの積層方法 |
US5393604A (en) * | 1988-01-28 | 1995-02-28 | Mcdonnell Douglas Corporation | Production of silica "green" tape and co-fired silica substrates therefrom |
US5079193A (en) * | 1988-08-01 | 1992-01-07 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Encapsulant composition |
US4966926A (en) * | 1988-08-01 | 1990-10-30 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Encapsulant composition |
US5302412A (en) * | 1989-02-03 | 1994-04-12 | The Boc Group, Inc. | Single atmosphere for firing compatible thick film material |
US4897249A (en) * | 1989-04-03 | 1990-01-30 | Sprague Electric Company | Barium borate preparation |
EP0412259B1 (en) * | 1989-06-16 | 1995-09-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic devices, method for forming end terminations thereof and paste material for forming same |
DE3932882A1 (de) * | 1989-10-02 | 1991-04-11 | Siemens Ag | Gut waermeleitender verbundwerkstoff |
US5089070A (en) * | 1989-12-07 | 1992-02-18 | Pac Polymers Inc. | Poly(propylene carbonate)-containing ceramic tape formulations and the green tapes resulting therefrom |
US5011804A (en) * | 1990-02-28 | 1991-04-30 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Ceramic dielectric compositions and method for improving sinterability |
US5296426A (en) * | 1990-06-15 | 1994-03-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Low-fire X7R compositions |
JP3350949B2 (ja) * | 1992-02-20 | 2002-11-25 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペースト |
JP3102139B2 (ja) * | 1992-05-28 | 2000-10-23 | 株式会社村田製作所 | 積層型電子部品の製造方法 |
JP2943129B2 (ja) * | 1992-12-29 | 1999-08-30 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | セラミック組成物、セラミック・グリーン・シートおよび製造方法 |
DE4334059A1 (de) * | 1993-10-06 | 1995-04-13 | Philips Patentverwaltung | Schichtverbundfolie, Mehrfarbensiebdruckverfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
US5780375A (en) * | 1993-10-19 | 1998-07-14 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film composition for modifying the electrical properties of a dielectric layer |
JP3467872B2 (ja) * | 1994-12-02 | 2003-11-17 | 株式会社村田製作所 | 多層セラミック基板の製造方法 |
US5698015A (en) * | 1995-05-19 | 1997-12-16 | Nikko Company | Conductor paste for plugging through-holes in ceramic circuit boards and a ceramic circuit board having this conductor paste |
US5879812A (en) * | 1995-06-06 | 1999-03-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Monolithic ceramic capacitor and method of producing the same |
DE19630883A1 (de) * | 1996-07-31 | 1998-02-05 | Philips Patentverwaltung | Bauteil mit einem Kondensator |
US5891933A (en) * | 1998-04-09 | 1999-04-06 | Alliedsignal Inc. | Metal titanates for friction stabilization of friction materials |
US6358771B1 (en) | 1998-07-02 | 2002-03-19 | Analog Devices, Inc. | Low oxygen assembly of glass sealed packages |
JP3619085B2 (ja) * | 1999-02-18 | 2005-02-09 | キヤノン株式会社 | 画像形成装置、その製造方法及び記憶媒体 |
EP1096674B1 (en) | 1999-10-29 | 2013-03-27 | Kyocera Corporation | Circuit substrate |
JP3722275B2 (ja) * | 2000-06-15 | 2005-11-30 | Tdk株式会社 | 金属粒子含有組成物、導電ペースト及びその製造方法 |
DE10054812A1 (de) * | 2000-11-04 | 2002-05-08 | Philips Corp Intellectual Pty | Keramikkondensator mit CZT-Dielektrikum |
KR20040008094A (ko) * | 2002-07-17 | 2004-01-28 | 엔지케이 스파크 플러그 캄파니 리미티드 | 동 페이스트, 이것을 이용한 배선기판 및 배선기판의제조방법 |
JP4426805B2 (ja) * | 2002-11-11 | 2010-03-03 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板およびその製造方法 |
US6893710B2 (en) * | 2003-04-18 | 2005-05-17 | Yageo Corporation | Multilayer ceramic composition |
KR100650319B1 (ko) * | 2004-11-03 | 2006-11-27 | 신유선 | 적층 세라믹 칩 및 적층 세라믹 캐패시터의 형성방법 |
US20060162844A1 (en) * | 2005-01-26 | 2006-07-27 | Needes Christopher R | Multi-component LTCC substrate with a core of high dielectric constant ceramic material and processes for the development thereof |
US7575709B2 (en) * | 2005-04-19 | 2009-08-18 | Los Alamos National Security, Llc | Tape-cast sensors and method of making |
US20060231420A1 (en) * | 2005-04-19 | 2006-10-19 | The Regents Of The University Of California | Explosives detection sensor |
US20080006532A1 (en) * | 2005-04-19 | 2008-01-10 | Rangachary Mukundan | Ammonia and nitrogen oxide sensors |
JP2008108703A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-05-08 | Covalent Materials Corp | 面状ヒータ及びこのヒータを備えた半導体熱処理装置 |
US9017438B1 (en) | 2006-10-10 | 2015-04-28 | Us Synthetic Corporation | Polycrystalline diamond compact including a polycrystalline diamond table with a thermally-stable region having at least one low-carbon-solubility material and applications therefor |
US8080071B1 (en) | 2008-03-03 | 2011-12-20 | Us Synthetic Corporation | Polycrystalline diamond compact, methods of fabricating same, and applications therefor |
US8236074B1 (en) | 2006-10-10 | 2012-08-07 | Us Synthetic Corporation | Superabrasive elements, methods of manufacturing, and drill bits including same |
US8034136B2 (en) | 2006-11-20 | 2011-10-11 | Us Synthetic Corporation | Methods of fabricating superabrasive articles |
US8821604B2 (en) | 2006-11-20 | 2014-09-02 | Us Synthetic Corporation | Polycrystalline diamond compact and method of making same |
US8080074B2 (en) | 2006-11-20 | 2011-12-20 | Us Synthetic Corporation | Polycrystalline diamond compacts, and related methods and applications |
KR100777097B1 (ko) | 2006-12-05 | 2007-11-28 | 제일모직주식회사 | 유전체 세라믹과 폴리페닐렌설파이드 수지의 복합체 |
JP4840935B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2011-12-21 | 双信電機株式会社 | セラミック多層基板 |
US8911521B1 (en) | 2008-03-03 | 2014-12-16 | Us Synthetic Corporation | Methods of fabricating a polycrystalline diamond body with a sintering aid/infiltrant at least saturated with non-diamond carbon and resultant products such as compacts |
US8999025B1 (en) | 2008-03-03 | 2015-04-07 | Us Synthetic Corporation | Methods of fabricating a polycrystalline diamond body with a sintering aid/infiltrant at least saturated with non-diamond carbon and resultant products such as compacts |
DE102008036837A1 (de) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Epcos Ag | Sensorvorrichtung und Verfahren zur Herstellung |
US8071173B1 (en) | 2009-01-30 | 2011-12-06 | Us Synthetic Corporation | Methods of fabricating a polycrystalline diamond compact including a pre-sintered polycrystalline diamond table having a thermally-stable region |
JP5527404B2 (ja) * | 2010-03-16 | 2014-06-18 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
US10309158B2 (en) | 2010-12-07 | 2019-06-04 | Us Synthetic Corporation | Method of partially infiltrating an at least partially leached polycrystalline diamond table and resultant polycrystalline diamond compacts |
US9027675B1 (en) | 2011-02-15 | 2015-05-12 | Us Synthetic Corporation | Polycrystalline diamond compact including a polycrystalline diamond table containing aluminum carbide therein and applications therefor |
KR102561035B1 (ko) * | 2015-10-01 | 2023-07-28 | 쇼에이 가가쿠 가부시키가이샤 | 도전성 페이스트 및 적층 세라믹 부품의 단자 전극 형성 방법 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE679454A (ja) * | 1965-04-26 | 1966-09-16 | ||
US3717487A (en) * | 1970-06-17 | 1973-02-20 | Sprague Electric Co | Ceramic slip composition |
US4387131A (en) * | 1971-06-30 | 1983-06-07 | International Business Machines Corporation | Ceramic dielectrics |
US3991029A (en) * | 1973-05-03 | 1976-11-09 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Ceramic compositions and articles made therefrom |
US3998917A (en) * | 1973-05-03 | 1976-12-21 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Ceramic compositions and articles made therefrom |
FR2292652A1 (fr) * | 1974-11-27 | 1976-06-25 | Saunier Duval | Nouveau poste expediteur-recepteur vide-pression pour installations de transporteur a tubes pneumatiques |
US4101952A (en) * | 1976-08-17 | 1978-07-18 | Sprague Electric Company | Monolithic base-metal glass-ceramic capacitor |
US4234367A (en) * | 1979-03-23 | 1980-11-18 | International Business Machines Corporation | Method of making multilayered glass-ceramic structures having an internal distribution of copper-based conductors |
US4308570A (en) * | 1980-02-25 | 1981-12-29 | Sprague Electric Company | High Q monolithic capacitor with glass-magnesium titanate body |
US4562092A (en) * | 1980-08-04 | 1985-12-31 | Fine Particle Technology Corporation | Method of fabricating complex microcircuit boards, substrates and microcircuits and the substrates and microcircuits |
JPS58190867A (ja) * | 1982-04-26 | 1983-11-07 | 鳴海製陶株式会社 | セラミツクテ−プの製造方法 |
EP0110382A3 (en) * | 1982-12-01 | 1987-01-07 | Asahi Glass Company Ltd. | Display device and process for its production and decal for forming a display panel terminal |
US4546065A (en) * | 1983-08-08 | 1985-10-08 | International Business Machines Corporation | Process for forming a pattern of metallurgy on the top of a ceramic substrate |
US4510000A (en) * | 1983-11-30 | 1985-04-09 | International Business Machines Corporation | Method for palladium activating molybdenum metallized features on a ceramic substrate |
US4567542A (en) * | 1984-04-23 | 1986-01-28 | Nec Corporation | Multilayer ceramic substrate with interlayered capacitor |
JPS60250686A (ja) * | 1984-05-25 | 1985-12-11 | 日本碍子株式会社 | セラミツク配線基板の製造方法 |
US4663079A (en) * | 1984-07-31 | 1987-05-05 | Mitsubishi Petrochemical Co., Ltd. | Copper-type conductive coating composition |
US4632846A (en) * | 1984-09-17 | 1986-12-30 | Kyocera Corporation | Process for preparation of glazed ceramic substrate and glazing composition used therefor |
FR2571545B1 (fr) * | 1984-10-05 | 1987-11-27 | Thomson Csf | Procede de fabrication d'un substrat de circuit hybride de forme non plane, et circuit hybride non plan obtenu par ce procede |
US4612600A (en) * | 1984-10-29 | 1986-09-16 | Tam Ceramics Inc. | Low fire ceramic compositions |
JPS61147406A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-05 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
JPS61147404A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-05 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
JPS61147405A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-05 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
US4598037A (en) * | 1984-12-21 | 1986-07-01 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photosensitive conductive metal composition |
-
1987
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